JPH0144051B2 - - Google Patents

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JPH0144051B2
JPH0144051B2 JP57207004A JP20700482A JPH0144051B2 JP H0144051 B2 JPH0144051 B2 JP H0144051B2 JP 57207004 A JP57207004 A JP 57207004A JP 20700482 A JP20700482 A JP 20700482A JP H0144051 B2 JPH0144051 B2 JP H0144051B2
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Japan
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flip
flop
voltage
transistors
drain
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Application number
JP57207004A
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Japanese (ja)
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JPS5997219A (en
Inventor
Akira Yugawa
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NEC Corp
Original Assignee
Nippon Electric Co Ltd
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Publication date
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Priority to EP83111850A priority patent/EP0111230B1/en
Priority to DE8383111850T priority patent/DE3370190D1/en
Priority to US06/555,730 priority patent/US4602167A/en
Publication of JPS5997219A publication Critical patent/JPS5997219A/en
Publication of JPH0144051B2 publication Critical patent/JPH0144051B2/ja
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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K3/00Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
    • H03K3/02Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
    • H03K3/353Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of field-effect transistors with internal or external positive feedback
    • H03K3/356Bistable circuits
    • H03K3/356017Bistable circuits using additional transistors in the input circuit

Landscapes

  • Manipulation Of Pulses (AREA)
  • Electronic Switches (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、主として相補型絶縁ゲート構成の半
導体集積回路上に実現するA/D変換器等に用
い、微小なる差のある2つの電圧を比較しその大
小に応じた論理電圧を出力させるのに適した電圧
比較回路に関するものである。
Detailed Description of the Invention The present invention is mainly used in an A/D converter etc. realized on a semiconductor integrated circuit with a complementary insulated gate configuration, and compares two voltages with a small difference and calculates the voltage according to the magnitude of the difference. The present invention relates to a voltage comparison circuit suitable for outputting a logic voltage.

従来相補型絶縁ゲート構成の半導体集積回路に
用いる電圧比較回路としては、第1図に示すごと
く、M1を電流源とし、M2,M3を入力トラン
ジスタとし、M4,M5を電流ミラー型負荷とし
て構成した差動増幅器10により端子2,3に加
えられた電圧の差に比例した出力電圧を端子6か
らとり出し、これをM6を定電流負荷とする反転
増幅器11により更に増幅する2段構成の増幅回
路を使用していた。
Conventionally, a voltage comparator circuit used in a semiconductor integrated circuit with a complementary insulated gate configuration has been configured with M1 as a current source, M2 and M3 as input transistors, and M4 and M5 as current mirror loads, as shown in Figure 1. A two-stage amplifier circuit that extracts an output voltage proportional to the difference between the voltages applied to terminals 2 and 3 by a differential amplifier 10 from a terminal 6, and further amplifies this by an inverting amplifier 11 with M6 as a constant current load. was using.

第1図をはじめ本願において使用するシンボル
は、nチヤンネルトランジスタ第2図a、Pチヤ
ンネルトランジスタを第2図bのように定める。
共にGと示したのがゲート、Sと示したのがソー
ス、Dと示したのがドレインである。この2段構
成の増幅回路によれば通常2000〜5000倍の利得が
得られるが、利得の余裕を得るため、普通は更に
トランジスタM8,M9からなる反転増幅器12
を1段付加している。13は前記M1とM6を定
電流領域で動作させるためのバイアス電圧供給回
路である。
Symbols used in this application, including FIG. 1, define an n-channel transistor as shown in FIG. 2a, and a P-channel transistor as shown in FIG. 2b.
The gate is denoted by G, the source is denoted by S, and the drain is denoted by D. This two-stage amplifier circuit usually provides a gain of 2,000 to 5,000 times, but in order to obtain a gain margin, an inverting amplifier 12 consisting of transistors M8 and M9 is usually added.
One stage is added. 13 is a bias voltage supply circuit for operating M1 and M6 in a constant current region.

かかる電圧比較回路は入力電圧を減少するとそ
れにみあつて増幅段数を増加せねばならず、集積
回路内の占有面積の増大、消費電力の増大を招
く。さらに初段の差動増幅器の同相電圧除去は万
全とは言えず、入力電圧の同相成分が変化する
と、節点6の出力電圧が変化し、この電圧が反転
増幅器により増幅されるため、入力電力として1
mV以下の電圧差の場合には同相電圧によつては
最終段の出力で論理“1”の状態と、論理“0”
の状態が入れ替わることがある。また電源電圧が
変動した場合にも同じ現象を生ずる。そのため、
かかる電圧比較回路では入力電圧の同相電圧が大
きく変化する場合や、電源に雑音が多い場合には
1mV以下の電圧を比較することは困難となる。
更に最も重大なこととして、差動増幅器10の動
作中心電圧と、反転増幅器11の動作中心電圧を
一致させることは非常に困難で、現在技術では数
100mVずれるのが普通で、これが10mV内外の
入力オフセツト電圧となる。これは現在技術では
制御できない。したがつて電圧比較はオフセツト
を込みにした電圧で比較する必要があり、真の電
圧差での比較は行えない欠点を有する。
In such a voltage comparator circuit, when the input voltage is decreased, the number of amplification stages must be increased accordingly, resulting in an increase in the area occupied within the integrated circuit and an increase in power consumption. Furthermore, the common-mode voltage rejection of the first-stage differential amplifier is not perfect, and if the common-mode component of the input voltage changes, the output voltage at node 6 changes, and this voltage is amplified by the inverting amplifier, so the input power is
In the case of a voltage difference of less than mV, depending on the common mode voltage, the final stage output may be in a logic “1” state or a logic “0” state.
The state of may change. The same phenomenon also occurs when the power supply voltage fluctuates. Therefore,
In such a voltage comparison circuit, it is difficult to compare voltages of 1 mV or less when the common mode voltage of the input voltage changes significantly or when there is a lot of noise in the power supply.
Furthermore, the most important thing is that it is very difficult to match the operating center voltage of the differential amplifier 10 and the operating center voltage of the inverting amplifier 11;
A deviation of 100 mV is normal, and this results in an input offset voltage of around 10 mV. This cannot be controlled with current technology. Therefore, it is necessary to compare voltages that include offsets, and there is a drawback that comparisons based on true voltage differences cannot be performed.

別の電圧比較方法としてたとえば1979年デイン
グウオールによりISSCCにて発表された第3図の
ごとき回路がある。(′79ISSCC Digest of
Technical papers pp126)この回路の動作の詳
細は前記文献により書かれており省略する。本回
路では図中端子102および103からの入力電
圧が、トランジスタM10,M11あるいはM1
2,M13からなるそれぞれ交互に導通するスイ
ツチを通して蓄電器C1の片側の電極に接続さ
れ、蓄電器の他の電極はトランジスタM14およ
びM15により構成される反転増幅器の入力端子
に接続される。この反転増幅器の入力端子と出力
端子は前記スイツチと同期して導通、非導通を行
うようにしてある。図中φ,は互に相補なクロ
ツクである。例えば入力端子103に接続された
スイツチが導通しているとき、反転増幅器の入力
端105を出力端106の間に接続されたトラン
ジスタM16,M17からなるスイツチも導通
し、端子105と106の電位を等しい電位とす
る。次に入力端子102側に接続されたスイツチ
を導通させ他の2つのスイツチを非導通とする
と、端子104の電位は端子102の電圧と端子
103の電圧の差だけ変化する。この変化はC1
を通して前記反転増幅器に伝達され、出力106
にこの変化が数十倍に増幅され出力される。した
がつて端子102と103の間の電圧差が増幅さ
れる。この回路は簡便であるようにみえるが、蓄
電器C1の寸法の数倍の大きさが必要である。ま
た前記反転増幅器の利得は高々数十倍であり、入
力電圧差が1mV以下となると、出力電圧は論理
回路を動作させるに充分な電圧ではないため、ラ
ツチ107でもかなりの増幅が必要となる。ま
た、端子103の電圧をサンプリングする時刻と
端子102の電圧をサンプリングする時刻が異つ
ているため、この両時刻で電源電圧が変動する
と、その電圧も信号入力電圧と同等に扱つてしま
う。したがつて電源雑音に対して非常に弱い欠点
を有している。
As another voltage comparison method, for example, there is a circuit as shown in Fig. 3, which was presented at the ISSCC by Deingwall in 1979. (´79ISSCC Digest of
(Technical papers pp126) The details of the operation of this circuit are described in the above-mentioned document and will be omitted here. In this circuit, the input voltage from terminals 102 and 103 in the figure is applied to transistors M10, M11 or M1.
2 and M13, which conduct alternately, to one electrode of a capacitor C1, and the other electrode of the capacitor C1 is connected to the input terminal of an inverting amplifier constituted by transistors M14 and M15. The input terminal and output terminal of this inverting amplifier are made conductive and non-conductive in synchronization with the switch. In the figure, φ indicates mutually complementary clocks. For example, when the switch connected to the input terminal 103 is conductive, the switch consisting of transistors M16 and M17 connected between the input terminal 105 and the output terminal 106 of the inverting amplifier is also conductive, and the potential of the terminals 105 and 106 is changed. Equal potential. Next, when the switch connected to the input terminal 102 side is made conductive and the other two switches are made non-conductive, the potential at the terminal 104 changes by the difference between the voltage at the terminal 102 and the voltage at the terminal 103. This change is C1
to the inverting amplifier through the output 106.
This change is then amplified several dozen times and output. The voltage difference between terminals 102 and 103 is therefore amplified. Although this circuit appears simple, it requires a size several times the size of capacitor C1. Further, the gain of the inverting amplifier is several tens of times at most, and when the input voltage difference is less than 1 mV, the output voltage is not sufficient to operate the logic circuit, so the latch 107 also requires a considerable amount of amplification. Furthermore, since the time at which the voltage at the terminal 103 is sampled and the time at which the voltage at the terminal 102 is sampled are different, if the power supply voltage fluctuates at both times, that voltage will be treated equally as the signal input voltage. Therefore, it has the disadvantage of being extremely susceptible to power supply noise.

本発明はかかる欠点を除去し、非常に高感度な
電圧比較回路を少ない素子数により実現しようと
するものである。
The present invention aims to eliminate such drawbacks and realize a voltage comparator circuit with very high sensitivity using a small number of elements.

本発明は、1対の交叉結合された一導電型の第
1および第2の電界効果トランジスタにより構成
される第1のフリツプフロツプと、このフリツプ
フロツプを構成するトランジスタとドレインを共
通にし第1のフリツプフロツプと同極性の第3お
よび第4の電界効果トランジスタと、第3および
第4のトランジスタのソース電極とそれぞれ一端
が接続され他端を前記第1のフリツプフロツプの
共通ソースに接続された等しい抵抗値を有する第
1および第2の抵抗と、前記第1のフリツプフロ
ツプとは異極性の1対の交叉結合された第5およ
び第6の電界効果トランジスタにより構成される
第2のフリツプフロツプと、第2のフリツプフロ
ツプを構成するトランジスタとソースおよびドレ
インを共通にし第2のフリツプフロツプと同極性
の第7および第8の電界効果トランジスタと、第
1のフリツプフロツプのドレイン電極対と第2の
フリツプフロツプのドレイン電極対の片方づつを
それぞれソースおよびドレイン電極とし第1のフ
リツプフロツプを構成するトランジスタと同極性
の第9および第10の電界効果トランジスタと、パ
ルスを発生する手段により構成され、前記第7、
第8、第9、第10のトランジスタのゲート電極が
前記パルスを発生する手段に接続され、前記第3
および第4のトランジスタのゲート電極を信号入
力端子とし、前記第9及び第10のトランジスタの
ドレイン電極を出力端子とすることを特徴とする
電圧比較回路にある。
The present invention provides a first flip-flop constituted by a pair of cross-coupled first and second field effect transistors of one conductivity type; third and fourth field effect transistors of the same polarity, each having one end connected to the source electrodes of the third and fourth transistors and the other end having equal resistance values connected to the common source of the first flip-flop. a second flip-flop constituted by first and second resistors, a pair of cross-coupled fifth and sixth field effect transistors having different polarities from the first flip-flop; Seventh and eighth field effect transistors having the same source and drain as the constituent transistors and having the same polarity as the second flip-flop, one each of the pair of drain electrodes of the first flip-flop and the pair of drain electrodes of the second flip-flop. Ninth and tenth field effect transistors having the same polarity as the transistor constituting the first flip-flop and having source and drain electrodes, respectively, and means for generating a pulse;
The gate electrodes of the eighth, ninth and tenth transistors are connected to the pulse generating means, and the third
and a voltage comparison circuit, characterized in that the gate electrode of the fourth transistor is used as a signal input terminal, and the drain electrodes of the ninth and tenth transistors are used as output terminals.

以下、本発明に関して実施例を示す図面を用い
て詳細に説明する。第4図は本発明の実施例を示
す回路図である。本回路はnチヤンネルMOSト
ランジスタT1,T2により構成されるフリツプ
フロツプと、T1,T2とドレインを共通にする
nチヤンネルMOSトランジスタT3,T4と、
T3,T4のソースに1端を接続し、他端をT
1,T2の共通ソースに接続した等しい抵抗値を
有する抵抗R1,R2と、pチヤンネルMOSト
ランジスタT5,T6により構成されるフリツプ
フロツプと、T5,T6にそれぞれ並列に接続さ
れたpチヤンネルMOSトランジスタT7,T8
と、T1,T2のドレイン電極とT5,T6のド
レイン電極対の片方づつをそれぞれソースおよび
ドレインとするnチヤンネルMOSトランジスタ
T9,T10と、T7,T8,T9,T10のゲ
ート電極が端子208としてパルスを発生する手
段に接続される構成になつている。比較するべき
電圧はT3,T4のゲート電極202,203に
それぞれ印加される。またこの回路では端子20
1に正電源VDDが接続され、端子209は接地さ
れている。
Hereinafter, the present invention will be described in detail using drawings showing embodiments. FIG. 4 is a circuit diagram showing an embodiment of the present invention. This circuit includes a flip-flop composed of n-channel MOS transistors T1 and T2, n-channel MOS transistors T3 and T4 whose drains are common to T1 and T2,
Connect one end to the sources of T3 and T4, and connect the other end to the T3 and T4 sources.
A flip-flop is constructed of resistors R1 and R2 having equal resistance values connected to the common sources of T5 and T2, and p-channel MOS transistors T5 and T6, and a p-channel MOS transistor T7 connected in parallel to T5 and T6, respectively. T8
and n-channel MOS transistors T9 and T10 whose source and drain are one of the drain electrodes of T1 and T2 and one of the pair of drain electrodes of T5 and T6, respectively, and the gate electrodes of T7, T8, T9 and T10 are connected to the terminal 208 for pulse generation. It is configured to be connected to a means for generating. The voltages to be compared are applied to the gate electrodes 202 and 203 of T3 and T4, respectively. Also, in this circuit, terminal 20
1 is connected to the positive power supply VDD , and the terminal 209 is grounded.

この回路は最初パルス電圧零からスタートす
る。この状態ではT3,T4,T7,T8は導電
状態にあり、T9,T10は非導通である。した
がつて出力端子206,207に現われる電圧は
電源端子201の電位と等しい電源電圧VDDであ
る。また節点204,205は零電位である。次
に端子208に正のパルスを印加すると、T9,
T10は導通し、T7,T8は非導通となり、T
9,T10を通してT1,T2のフリツプフロツ
プのドレインに電流が流入する。このとき端子2
02の電位が203の電位より高かつたとする
と、トランジスタT3に流れる電流の方がT4に
流れる電流より多い。T1,T2には電流はそれ
ぞれ節点205もしくは204の電位がしきい値
電圧を超えるまでは流れない。T9,T10が導
通した初期には節点204,205も同じように
充電されるが、節点204の方が放電量が多いた
め、節点205の方が先にしきい値電圧を超え
る。すると、T1も導通して放電を開始し、節点
204の電位は上昇しなくなり、かえつて減少す
る。すなわちT1,T2のフリツプフロツプが動
作する。ここでR1,R2は、比較される入力電
圧が高くなつたときT3,T4に過剰な電流が流
れないようにして入力電圧範囲を拡大するための
抵抗であり、この抵抗は、ゲート電圧を一定電圧
にバイアスしたトランジスタを用いてもよい。こ
の抵抗値は、電圧比較時にT3,T4が5極管領
域で動作するように定める。節点204の放電電
流の方が205の放電電流より多いから、T5を
流れる電流の方がT6を流れる電流より多くな
る。するとT5,T6により構成されるフリツプ
フロツプも動作して出力端206の電位低下が加
速され、急速に電圧が接地電位にまで低下する。
するとT6による電圧降下が非常に小さくなり、
T5を非導通にするため、T5の方には電流が流
れなくなる。このようにして入力電圧に応じて出
力電圧の状態が定まる。その動作は、2重のフリ
ツプフロツプで構成されるため、パルスを印加し
てから状態が定まるまでに要する時間は6ミクロ
ン程度のチヤンネル長を有するMOSトランジス
タを用いても20ns以下と高速にできる。また、入
力から出力まで完全な対称配列となつているた
め、従来回路において欠点であつたオフセツト電
圧の生ずる原因を除去できる。また電源雑音に対
しても両入力電圧に対して等しく影響するためキ
ヤンセルされ、雑音に対して誤動作するおそれも
全くない。また、フリツプフロツプで正帰還がか
かつているため利得は無限大であり、入力電圧が
1mV以下になつても出力として論理振幅として
充分な電圧出力を得ることができる。
This circuit initially starts with a pulse voltage of zero. In this state, T3, T4, T7, and T8 are in a conductive state, and T9 and T10 are non-conductive. Therefore, the voltage appearing at the output terminals 206, 207 is the power supply voltage V DD which is equal to the potential of the power supply terminal 201. Further, the nodes 204 and 205 are at zero potential. Next, when a positive pulse is applied to the terminal 208, T9,
T10 is conductive, T7 and T8 are non-conductive, and T
Current flows into the drains of the flip-flops T1 and T2 through T9 and T10. At this time, terminal 2
Assuming that the potential of 02 is higher than the potential of 203, the current flowing through transistor T3 is greater than the current flowing through transistor T4. No current flows through T1 and T2 until the potential at node 205 or 204 exceeds the threshold voltage, respectively. In the initial stage when T9 and T10 become conductive, nodes 204 and 205 are similarly charged, but since node 204 has a larger discharge amount, node 205 exceeds the threshold voltage first. Then, T1 also becomes conductive and starts discharging, and the potential at node 204 no longer increases, but instead decreases. That is, the flip-flops T1 and T2 operate. Here, R1 and R2 are resistors for expanding the input voltage range by preventing excessive current from flowing through T3 and T4 when the input voltage to be compared becomes high.This resistor is used to keep the gate voltage constant. A voltage biased transistor may also be used. This resistance value is determined so that T3 and T4 operate in the pentode region during voltage comparison. Since the discharge current at node 204 is greater than the discharge current at node 205, the current flowing through T5 is greater than the current flowing through T6. Then, the flip-flop constituted by T5 and T6 also operates, accelerating the drop in potential at the output terminal 206, and the voltage rapidly drops to the ground potential.
Then the voltage drop due to T6 becomes very small,
Since T5 is made non-conductive, no current flows through T5. In this way, the state of the output voltage is determined according to the input voltage. Since its operation consists of a double flip-flop, the time required from applying a pulse until the state is determined can be as fast as 20 ns or less even if a MOS transistor with a channel length of about 6 microns is used. Furthermore, since the arrangement is completely symmetrical from input to output, the cause of offset voltage, which is a drawback in conventional circuits, can be eliminated. Furthermore, power supply noise is canceled because it affects both input voltages equally, and there is no risk of malfunction due to noise. Further, since positive feedback is provided by the flip-flop, the gain is infinite, and even if the input voltage is 1 mV or less, a voltage output sufficient for the logic amplitude can be obtained as an output.

初期状態への復帰は、前記パルスを零にもど
す。すると、T9,T10は非導通となり、T
7,T8は導通する。すると、節点206,20
7はそれぞれ、T7およびT8をとうして急速に
充電して電源電圧VDDにもどる。この復帰時間は
本発明の回路であれば容易に10ns以下にできる。
また同相入力電圧の上限は電源電圧まで許容でき
る。
Returning to the initial state returns the pulse to zero. Then, T9 and T10 become non-conductive, and T
7, T8 is conductive. Then, nodes 206, 20
7 are quickly charged through T7 and T8, respectively, to return to the supply voltage VDD . This recovery time can easily be reduced to 10 ns or less using the circuit of the present invention.
Furthermore, the upper limit of the common mode input voltage can be up to the power supply voltage.

本回路は初期状態において全く電流を消費しな
い。また、比較動作中においてもT4もしくはT
5の片方しか電流を流さないため非常に微小な電
流を消費するだけであり、消費電力は従来回路の
1/10以下である利点も有している。
This circuit consumes no current at all in its initial state. Also, even during comparison operation, T4 or T
Since only one side of the circuit 5 is allowed to flow, it consumes only a very small amount of current, and has the advantage that the power consumption is less than 1/10 of the conventional circuit.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は従来技術である差動増幅器10と反転
増幅器11,12を組み合わせたコンパレータ回
路を示す図。第2図aはチヤンネルトランジスタ
を示す図、bはpチヤンネルトランジスタを示す
図。第3図は別の従来技術である反転増幅器と、
トランスフアゲートをスイツチとして用いたコン
パレータを示す回路図。第4図は、本発明の1実
施例としての回路を示す図。 M1〜M17、T1〜T10……MOSトラン
ジスタ、R1,R2……抵抗。
FIG. 1 is a diagram showing a comparator circuit that combines a differential amplifier 10 and inverting amplifiers 11 and 12 according to the prior art. FIG. 2a shows a channel transistor, and FIG. 2b shows a p-channel transistor. Figure 3 shows another conventional technology, an inverting amplifier,
A circuit diagram showing a comparator using a transfer gate as a switch. FIG. 4 is a diagram showing a circuit as one embodiment of the present invention. M1 to M17, T1 to T10...MOS transistor, R1, R2...resistance.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 1 1対の交叉結合された一導電型の第1および
第2の電界効果トランジスタにより構成される第
1のフリツプフロツプと、このフリツプフロツプ
を構成するトランジスタとドレインを共通にし第
1のフリツプフロツプと同極性の第3および第4
の電界効果トランジスタと、第3および第4のト
ランジスタのソース電極とそれぞれ一端が接続さ
れ他端を前記第1のフリツプフロツプの共通ソー
スに接続された等しい抵抗値を有する第1及び第
2の抵抗と、前記第1のフリツプフロツプとは異
極性の1対の交叉結合された第5および第6の電
界効果トランジスタにより構成される第2のフリ
ツプフロツプと、第2のフリツプフロツプを構成
するトランジスタとソースおよびドレインを共通
にし第2のフリツプフロツプと同極性の第7およ
び第8の電界効果トランジスタと、第1のフリツ
プフロツプのドレイン電極対と第2のフリツプフ
ロツプのドレイン電極対の片方づつをそれぞれソ
ースおよびドレイン電極とし第1のフリツプフロ
ツプを構成するトランジスタと同極性の第9およ
び第10の電界効果トランジスタと、パルスを発生
する手段により構成され、前記第7、第8、第
9、第10のトランジスタのゲート電極が前記パル
スを発生する手段に接続され、前記第3および第
4のトランジスタのゲート電極を信号入力端子と
し、前記第9及び第10のトランジスタのドレイン
電極を出力端子とすることを特徴とする電圧比較
回路。
1. A first flip-flop constituted by a pair of cross-coupled first and second field effect transistors of one conductivity type, and a transistor constituting this flip-flop having a common drain and having the same polarity as the first flip-flop. 3rd and 4th
and first and second resistors having equal resistance values, each having one end connected to the source electrode of the third and fourth transistors and the other end connected to a common source of the first flip-flop. , a second flip-flop constituted by a pair of cross-coupled fifth and sixth field effect transistors having a polarity different from that of the first flip-flop; and a transistor constituting the second flip-flop, a source and a drain. seventh and eighth field effect transistors which are common and have the same polarity as the second flip-flop; one side of the pair of drain electrodes of the first flip-flop and the pair of drain electrodes of the second flip-flop are respectively used as a source electrode and a drain electrode of the first flip-flop; 9th and 10th field effect transistors having the same polarity as the transistors constituting the flip-flop, and means for generating a pulse, and the gate electrodes of the seventh, eighth, ninth and tenth transistors are connected to the pulse generator. 1. A voltage comparator circuit connected to means for generating , wherein the gate electrodes of the third and fourth transistors serve as signal input terminals, and the drain electrodes of the ninth and tenth transistors serve as output terminals.
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