JPH0135364B2 - - Google Patents

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JPH0135364B2
JPH0135364B2 JP54124658A JP12465879A JPH0135364B2 JP H0135364 B2 JPH0135364 B2 JP H0135364B2 JP 54124658 A JP54124658 A JP 54124658A JP 12465879 A JP12465879 A JP 12465879A JP H0135364 B2 JPH0135364 B2 JP H0135364B2
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Japan
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voltage
temperature
control circuit
voltage source
slope
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JP54124658A
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Japanese (ja)
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JPS5556212A (en
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Girubaato Barii
Aaru Horoei Piitaa
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Analog Devices Inc
Original Assignee
Analog Devices Inc
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Publication date
Application filed by Analog Devices Inc filed Critical Analog Devices Inc
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Publication of JPH0135364B2 publication Critical patent/JPH0135364B2/ja
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    • GPHYSICS
    • G05CONTROLLING; REGULATING
    • G05FSYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
    • G05F3/00Non-retroactive systems for regulating electric variables by using an uncontrolled element, or an uncontrolled combination of elements, such element or such combination having self-regulating properties
    • G05F3/02Regulating voltage or current
    • G05F3/08Regulating voltage or current wherein the variable is dc
    • G05F3/10Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics
    • G05F3/16Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices
    • G05F3/18Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using Zener diodes
    • GPHYSICS
    • G05CONTROLLING; REGULATING
    • G05FSYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
    • G05F1/00Automatic systems in which deviations of an electric quantity from one or more predetermined values are detected at the output of the system and fed back to a device within the system to restore the detected quantity to its predetermined value or values, i.e. retroactive systems
    • G05F1/10Regulating voltage or current
    • G05F1/46Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc
    • G05F1/56Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc using semiconductor devices in series with the load as final control devices
    • G05F1/565Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc using semiconductor devices in series with the load as final control devices sensing a condition of the system or its load in addition to means responsive to deviations in the output of the system, e.g. current, voltage, power factor
    • G05F1/567Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc using semiconductor devices in series with the load as final control devices sensing a condition of the system or its load in addition to means responsive to deviations in the output of the system, e.g. current, voltage, power factor for temperature compensation

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  • Continuous-Control Power Sources That Use Transistors (AREA)
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明はソリツドステート電圧基準装置(ボル
テージ・レフアランス)に関し、特に電圧基準装
置を温度補償する装置と、電圧基準装置を最良補
償状態に設定する簡単な方法に関するものであ
る。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to solid state voltage references, and more particularly to an apparatus for temperature compensating a voltage reference and a simple method for setting the voltage reference to its best compensated state. be.

ソリツドステート電圧基準装置はツエナーダイ
オードのようなジヤンクシヨン電圧源を有し、こ
の電圧源の補償を必要とする温度係数は大きい。
Solid state voltage references have junction voltage sources, such as Zener diodes, which have large temperature coefficients that require compensation.

多くの基準デバイスにおいて、その電圧対温度
の関係式は次のようである。
For many reference devices, the voltage versus temperature relationship is:

Vdev=VK+α(T−TK) …(1) Vdevは任意の温度Tにおけるデバイス端子電
圧、VK、TKは定数、αはデバイスの製造工程に
応じて変わる係数である。
V dev = V K + α (T-T K ) (1) V dev is the device terminal voltage at an arbitrary temperature T, V K and T K are constants, and α is a coefficient that changes depending on the device manufacturing process.

温度変化による電圧の変化を補償するために符
号(勾配)がもとのものと反対の温度係数を有
し、且つ適切にスケーリングして所定の出力電圧
レベルとする例えばバンド・ギヤツプ・ジヤンク
シヨン源のような補償電圧回路で前記デバイスの
出力を合計することができる。このような補償さ
れた電圧基準装置の特性は次の関係式2であらわ
すことができる。
For example, a band gap junction source that has a temperature coefficient of opposite sign (slope) to the original and is appropriately scaled to a given output voltage level to compensate for changes in voltage due to temperature changes. The outputs of the devices can be summed with a compensation voltage circuit such as: The characteristics of such a compensated voltage reference device can be expressed by the following relational expression 2.

Vref=λ〔(VG0−βT)σ+VK +α(T−TK)〕 …(2) VG0はバンド・ギヤツプ電圧、βは順方向バイ
アス接合部の温度係数、σは電圧基準装置と補償
装置間の比例係数、λは所定の電圧値とするのに
必要な全体としてのスケーリング係数である。
V ref = λ [(V G0 − βT) σ + V K + α (T − T K )] …(2) V G0 is the band gap voltage, β is the temperature coefficient of the forward bias junction, and σ is the voltage reference The proportionality factor between the compensators, λ, is the overall scaling factor required to achieve a given voltage value.

このような装置は調整用に2つの自由度、即ち
式(2)のσ(勾配)とλ(スケーリング)によつてあ
らわされるものを有している。所定動作特性とな
るように装置を調整する方法は、コンピユータに
よるアルゴリズムを利用してσを適切な値に設定
し、計算値αに対する温度による変化を最小に
し、更にλを調整して所定の出力電圧Vref′を得
る方法である。従つて、この方法では2つの別々
の調整ステツプ、即ち制御回路の2つの自由度に
対してそれぞれ1つづつステツプを必要とする。
しかし、経験したところによれば、この方法は複
雑で費用がかかり好ましいものではなく、商業的
には有用なものであるとしても希望の性能を得る
にはまだ充分ではない。したがつて、これを改良
する必要が大いにあるのである。
Such a device has two degrees of freedom for adjustment, represented by σ (slope) and λ (scaling) in equation (2). The method of adjusting the device to achieve the specified operating characteristics is to use a computer algorithm to set σ to an appropriate value, minimize the change due to temperature to the calculated value α, and then adjust λ to achieve the specified output. This is a method to obtain the voltage V ref '. This method therefore requires two separate adjustment steps, one for each of the two degrees of freedom of the control circuit.
However, experience has shown that this method is complex, expensive, undesirable, and, while commercially useful, is still not sufficient to achieve the desired performance. Therefore, there is a great need to improve this.

本発明のソリツドステート電圧基準装置は、第
1の勾配を有する電圧対温度特性曲線に従い第1
の電圧を発生する第1の電圧源手段と、第2の勾
配を有する電圧対温度特性曲線に従い第2の電圧
を発生し、この第2の電圧が第1の電圧と組合わ
されて前記第1および第2の電圧に応答した合成
基準出力電圧を発生するための第2の電圧源手段
とを備えるものに適用される。後述の実施例に示
すように第1の電圧源手段は例えばツエナーダイ
オードによる電圧源10であり、第2の電圧源手
段はトランジスタQ1又はQ2のベース・エミツタ
電圧によつて代表されるバンドギヤツプ電圧源を
含む電圧源手段24である。
The solid state voltage reference device of the present invention follows a voltage versus temperature characteristic curve having a first slope.
a first voltage source means for generating a voltage of said first voltage and a second voltage according to a voltage versus temperature characteristic curve having a second slope, said second voltage being combined with said first voltage; and second voltage source means for generating a composite reference output voltage responsive to the second voltage. As shown in the embodiments described below, the first voltage source means is a voltage source 10, for example a Zener diode, and the second voltage source means is a bandgap voltage source represented by the base-emitter voltage of the transistor Q1 or Q2 . A voltage source means 24 includes a voltage source.

前記第2の電圧源手段と共に作動する制御回路
手段が設けられている。この制御回路手段は、前
記制御回路手段の要素の予め定められたパラメー
タに従つて、前記第2の電圧源手段の電圧対温度
特性曲線の勾配を形態の一つとして含む独立した
2つの曲線形態の夫々を制御する手段と、前記第
2の電圧を変化させ、対応して前記合成基準電圧
を変化させる可調整手段とを含む。
Control circuit means are provided which operate in conjunction with said second voltage source means. The control circuit means has two independent curve forms including as one of the forms the slope of the voltage versus temperature characteristic curve of the second voltage source means according to predetermined parameters of the elements of the control circuit means. and adjustable means for varying said second voltage and correspondingly varying said composite reference voltage.

実施例第1図において、前記制御回路手段の要
素はトランジスタQ1又はQ2のベースに連なる電
圧分圧回路を構成する抵抗26,28,30であ
り、分圧定数δ、εが前記パラメータとなつてい
る。可調整手段はトランジスタQ1(又はQ2)のエ
ミツタに連なる出力電圧調整用抵抗R1(又はR2
である。
In the embodiment shown in FIG. 1, the elements of the control circuit means are resistors 26, 28, and 30 constituting a voltage divider circuit connected to the base of the transistor Q1 or Q2 , and the voltage divider constants δ and ε are the parameters. It's summery. The adjustable means is an output voltage adjusting resistor R 1 (or R 2 ) connected to the emitter of the transistor Q 1 (or Q 2 ).
It is.

これらのトランジスタQ1,Q2、分圧抵抗26,
28,30、調整用抵抗R1,R2の相互結線によ
り、前記合成電圧が選択可能な広い範囲から予め
選択して特に指定した値に調整された時に、前記
予め定められたパラメータと関連づけて、前記合
成電圧に対し所定の温度係数をあたえるために、
前記第2の電圧が変化されるにつれて前記可調整
手段の制御下で前記第2の勾配を変化させる手段
を構成している。
These transistors Q 1 , Q 2 , voltage dividing resistor 26,
28, 30, by mutually connecting the adjusting resistors R 1 and R 2 , when the composite voltage is preselected from a wide selectable range and adjusted to a particularly specified value, the voltage is adjusted in relation to the predetermined parameter. , in order to give a predetermined temperature coefficient to the composite voltage,
means for varying the second slope under control of the adjustable means as the second voltage is varied.

前記予め定められたパラメータδ、εは第2の
電圧源の電圧対温度特性曲線の勾配と電圧軸方向
の位置とを与える。第3図に示す特に好ましい実
施例では、製造プロセスによつてばらつく第2の
電圧源の特性曲線群Jの“ピボツトポイント”
(共通交点)の位置及び勾配を予め設定してあり、
勾配は、第1の電圧源の特性曲線の勾配を略キヤ
ンセルし、またその位置は、この第1の電圧源の
ばらついた特性曲線群Zのピボツトポイントと略
同じ温度TK上にあり、且つ第1、第2の電圧を
加えたときに目標合成基準電圧が得られるような
電圧レベルに設定されている。なおピボツトポイ
ント(共通交点)の温度及び電圧は各曲線の外挿
法により決定され、物理的には生じ得ないが負の
温度にある。
The predetermined parameters δ, ε give the slope and the position in the voltage axis direction of the voltage versus temperature characteristic curve of the second voltage source. In a particularly preferred embodiment shown in FIG.
The position and slope of (common intersection) are set in advance,
the slope substantially cancels the slope of the characteristic curve of the first voltage source, and its position is approximately at the same temperature T K as the pivot point of the set of scattered characteristic curves Z of this first voltage source; Further, the voltage level is set such that a target composite reference voltage is obtained when the first and second voltages are applied. Note that the temperature and voltage at the pivot point (common intersection) are determined by extrapolation of each curve, and are at negative temperatures, which cannot physically occur.

このように制御回路は第2の電圧源の電圧対温
度特性曲線の形態を予め設定し、それにより第1
及び第2の電圧源との間に所要の相互関係を与え
ている。
The control circuit thus presets the form of the voltage versus temperature characteristic curve of the second voltage source, thereby
and the second voltage source.

従つて第1、第2の電圧源の特性曲線の勾配が
製造プロセスにより共にばらついても、第2の電
圧を前記可調整手段により変化させて予め指定し
た合成基準電圧を得るようにすれば、これに伴つ
て第2の勾配が変化されて目標出力電圧において
所定の温度補償が自動的に再現される。
Therefore, even if the slopes of the characteristic curves of the first and second voltage sources vary due to the manufacturing process, if the second voltage is varied by the adjustable means to obtain a prespecified composite reference voltage, Accordingly, the second slope is changed to automatically reproduce the predetermined temperature compensation at the target output voltage.

本発明の別の特徴は基準電圧の温度補償方法に
よつて明らかにされる。即ち、この方法は、ソリ
ツドステート電圧源の第1の電圧を、この電圧源
に第2の電圧を発生する第2の電圧源手段を接続
し、前記第1および第2の電圧の和に対応した合
成基準電圧を発生させることによつて温度補償す
る技術に適用され、前記2つの電圧の電圧対温度
特性曲線は反対の符号を有して温度効果が前記基
準電圧においてキヤンセルされる傾向を有する選
択可能な広い範囲から指定された或る値の前記合
成基準電圧に対して温度補償を与える方法であつ
て、次のステツプを含む。
Another feature of the invention is revealed by the method of temperature compensation of the reference voltage. That is, the method includes connecting a first voltage of a solid-state voltage source to a second voltage source means for generating a second voltage, and applying the first voltage to the sum of said first and second voltages. Applied to the technique of temperature compensation by generating a corresponding composite reference voltage, the voltage versus temperature characteristic curves of said two voltages have opposite signs so that temperature effects tend to be canceled in said reference voltage. The method provides temperature compensation for the composite reference voltage of a specified value from a wide selectable range, the method comprising the following steps:

即ち、制御回路手段の要素を予め定められたパ
ラメータに従つて、前記第2の電圧源手段の特性
曲線の勾配を形態の一つとして含む独立した2つ
の曲線形態の夫々を制御するための制御回路手段
を前記第2の電圧源手段に接続すること、 前記制御回路手段の回路素子を調整して前記第
2の電圧を変化させ、前記基準電圧を前記指定さ
れた値にすること、及び 前記回路素子の調整により前記第2の電圧の電
圧対温度特性曲線の勾配を制御し、前記特性曲線
の他の曲線形態と共に、前記第1および第2の電
圧の温度特性による前記基準電圧に対する効果の
間に所定の関係を発生させ、前記基準電圧が前記
指定値に調整された時に前記基準電圧に対し所定
の温度係数を与えることである。
That is, control for controlling each of two independent curve forms including the slope of the characteristic curve of the second voltage source means as one of the forms, by controlling the elements of the control circuit means according to predetermined parameters. connecting circuit means to said second voltage source means; adjusting circuit elements of said control circuit means to vary said second voltage to bring said reference voltage to said specified value; The slope of the voltage versus temperature characteristic curve of the second voltage is controlled by adjustment of circuit elements, and the effect on the reference voltage due to the temperature characteristic of the first and second voltages, as well as other curve forms of the characteristic curve, is controlled. The purpose of the present invention is to generate a predetermined relationship between the reference voltages and give a predetermined temperature coefficient to the reference voltage when the reference voltage is adjusted to the specified value.

結論として、本発明の重要な態様により、電圧
基準装置の単一の回路素子を調整することによつ
て電圧基準装置の出力電圧温度特性を制御する2
つの可変係数{式(2)のλとσ}を同時に変化させ
る技術を採用すれば極めて秀れた結果が得られる
ことがわかつた。即ち、本発明の好ましい実施例
において、可変抵抗を調整して基準出力電圧を指
定の値とした時、同時に温度補償制御回路は、基
準電圧出力が所定値に等しい点で最良の温度補償
を与えるのである。
In conclusion, important aspects of the present invention provide two methods for controlling the output voltage-temperature characteristics of a voltage reference device by adjusting a single circuit element of the voltage reference device.
It has been found that extremely excellent results can be obtained by adopting a technique that simultaneously changes the two variable coefficients {λ and σ in equation (2)}. That is, in a preferred embodiment of the present invention, when the variable resistor is adjusted to make the reference output voltage a specified value, the temperature compensation control circuit simultaneously provides the best temperature compensation at the point where the reference voltage output is equal to the specified value. It is.

また電圧基準装置を完全に調整するのに用いた
2つの自由度を1つの自由度にして、電圧基準装
置の性能を改善し同時に製造方法を簡単にするこ
とが可能であることがわかつた。調整の自由度1
にするということは、補償電圧源用の関連制御回
路の位相数学(トポロジー)により変数λがσに
依存していることを考えれば、数学的に理解でき
る。この依存関係は次式(3)であらわすことができ
る。
It has also been found that it is possible to reduce the two degrees of freedom used to perfectly adjust the voltage reference device to one degree of freedom, thereby improving the performance of the voltage reference device and at the same time simplifying the method of manufacture. 1 degree of freedom of adjustment
This can be understood mathematically if we consider that the variable λ depends on σ due to the topology of the associated control circuit for the compensation voltage source. This dependency relationship can be expressed by the following equation (3).

λ=Vref′/VK+σVG0−αTK …(3) Vref′は所定の出力電圧 従つて出力電圧は式(4)であらわすことができる Vref=Vref′/VK+σVG0−αTK〔(VG0-βT)σ +VK+α(T−TK)〕 …(4) 式(4)を整理すれば、 Vref=Vref′σVG0+VK−αTK+(α−βσ)T/VK
σVG0−αTK…(5) σは残つた調整可能パラメータ 本発明の実施例の他の重要な態様により、Vref
を所定値に調整することによつて、同時に項(α
−βσ)をゼロに即ちβσ=αにすることができ、
装置の限界内ではあるが所望のゼロ温度補償が得
られる。
λ=V ref ′/V K +σV G0 −αT K …(3) V ref ′ is the predetermined output voltage Therefore, the output voltage can be expressed by equation (4) V ref =V ref ′/V K +σV G0 −αT K [(V G0 -βT)σ +V K +α(T−T K )] …(4) If we rearrange equation (4), V ref =V ref ′σV G0 +V K −αT K +(α −βσ)T/V K +
σV G0 −αT K …(5) σ is the remaining adjustable parameter According to another important aspect of embodiments of the present invention, V ref
By adjusting the term (α
−βσ) can be made zero, that is, βσ = α,
The desired zero temperature compensation is obtained, but within the limits of the device.

以下、本発明を添付図面を参照して説明する。
第1図において、本発明の原理による電圧基準装
置はツエナーダイオード電圧源10を第1の電圧
源として有し、該電圧源10の1つの電極は演算
増幅器14の出力ライン12に接続されている。
このダイオードは負帰還回路を介して、増幅器の
反転入力端子16に接続されており、該端子は抵
抗18を介して共通ライン即ちアース20に接続
されている。
The present invention will now be described with reference to the accompanying drawings.
In FIG. 1, a voltage reference device according to the principles of the invention has a Zener diode voltage source 10 as a first voltage source, one electrode of which is connected to the output line 12 of an operational amplifier 14. .
This diode is connected via a negative feedback circuit to the inverting input terminal 16 of the amplifier, which terminal is connected via a resistor 18 to a common line or ground 20.

このツエナーダイオード10は、第2図の関連
制御回路と共に、ICチツプの部分として形成さ
れたものである。このチツプは、以下説明するよ
うに安定化基準電圧を発生させる回路(図示せ
ず)を含むものである。ツエナーダイオードは、
例えば米国特許願第801410号(特許第4136349号)
に開示したように埋込みデバイスとして形成され
るのが好ましい。
This Zener diode 10 is formed as part of an IC chip together with the associated control circuitry of FIG. The chip includes circuitry (not shown) for generating a regulated reference voltage as described below. Zener diode is
For example, US Patent Application No. 801410 (Patent No. 4136349)
Preferably, it is formed as an embedded device as disclosed in .

増幅器14の非反転入力端子22の電位は、第
2の電圧源手段を有する制御回路24によつて固
定されている。この回路は直列接続した整合トラ
ンジスタQ1,Q2であつてそれぞれ抵抗R1,R2
そなえたものを含んでいる。トランジスタQ2
コレクタは出力ライン12に接続され、トランジ
スタQ1のエミツタ抵抗R1は接続されている。三
抵抗式分圧器26,28,30があり、以下説明
するように、トランジスタQ1,Q2のベース電圧
を所定レベルに固定している。
The potential of the non-inverting input terminal 22 of the amplifier 14 is fixed by a control circuit 24 having second voltage source means. The circuit includes matching transistors Q 1 and Q 2 connected in series with resistors R 1 and R 2 respectively. The collector of transistor Q 2 is connected to the output line 12, and the emitter resistor R 1 of transistor Q 1 is connected. There is a three-resistor voltage divider 26, 28, 30, which fixes the base voltages of transistors Q 1 and Q 2 at a predetermined level, as explained below.

演算増幅器14の復帰還回路は入力端子16,
22を同電位に維持するので、増幅器出力電圧
V0はダイオード電圧V2と非反転入力端子に加え
られる電圧の和とみることができる。図示のブリ
ツジ型回路において、端子22の電圧も出力電圧
V0に依存するのであるが、これは本発明と特に
関係はなく、他の回路を用いてツエナー電圧を補
償電圧と組合わせてもよい。
The return circuit of the operational amplifier 14 has an input terminal 16,
22 at the same potential, the amplifier output voltage
V 0 can be viewed as the sum of the diode voltage V 2 and the voltage applied to the non-inverting input terminal. In the bridge type circuit shown in the figure, the voltage at terminal 22 is also the output voltage.
This is not particularly relevant to the present invention , and other circuits may be used to combine the Zener voltage with the compensation voltage.

電圧基準出力V0は、以下説明する回路素子値
およびパラメータの関数としてあらわすことがで
きる。この関係は本明細書に追記として記載した
通りである。この追記にあるように、出力電圧は
以下のように表すことができる。
The voltage reference output V 0 can be expressed as a function of circuit element values and parameters described below. This relationship is as described as an addendum in this specification. As stated in this postscript, the output voltage can be expressed as follows.

V0=V2+(R2/R1−1)Vbe/1−δ+R2/R1ε…(1
A) 式(1A)においてV2はツエナ・ダイオード電
圧、Vbeは(Q1或いはQ2の)ベース・エミツタ電
圧、δはQ2のベース電圧の比例係数(即ちVb2
δV0)、εはQ1のベース電圧の比例係数、R1、R2
は抵抗値である。
V 0 = V 2 + (R 2 /R 1 -1) V be /1-δ + R 2 /R 1 ε…(1
A) In equation (1A), V 2 is the Zener diode voltage, V be is the base-emitter voltage (of Q 1 or Q 2 ), and δ is the proportionality coefficient of the base voltage of Q 2 (i.e., V b2 =
δV 0 ), ε is the proportionality coefficient of the base voltage of Q 1 , R 1 , R 2
is the resistance value.

ゼロ温度補償に対する一組の関係を決めるに
は、式(1A)の導関数を温度について取つて、
ゼロとすれば式(2A)が得られ、 R1/R2=1+α/γ …(2A) γはほぼ(VG0−Vbep)に等しいd/dTVbeであ り、αは前述したようにd/dTVZに等しく、VG0は バンド・ギヤツプ電圧である。
To determine a set of relationships for zero temperature compensation, taking the derivative of equation (1A) with respect to temperature,
If it is set to zero, formula (2A) is obtained, R 1 /R 2 = 1 + α / γ ... (2A) γ is d / dTV be approximately equal to (V G0 - V bep ), and α is as described above. d/dTV is equal to Z and V G0 is the band gap voltage.

ゼロ温度係数条件を更に厳しくすれば式(1A)
は次のようになる。
If the zero temperature coefficient condition is made even stricter, formula (1A)
becomes as follows.

V0=VK+α(T‐TK)+(R2/R1‐1)(VG0‐γT)/
1‐δ+R2/R1ε …(3A) VK、TKは定数{式(1)参照} Tは装置温度 式(3A)に式(2A)を代入すれば、式(4A)
が得られる。
V 0 =V K +α(T-T K )+(R 2 /R 1 -1)(V G0 -γT)/
1-δ+R 2 /R 1 ε...(3A) V K and T K are constants {see formula (1)} T is the device temperature If you substitute formula (2A) into formula (3A), formula (4A) is obtained.
is obtained.

V0(α)=VK+α(VGO/γ−TK)/1−δ+ε(1−
α/γ)…(4A) VK、TK、δ、ε、γは定数 式(4A)の導関数をαについてとり、ゼロと
おけば、 VG0/VK−γTK/VK=ε/1−δ+ε …(5A) この関係が成立すれば、V0はαに無関係であ
る。即ち、制御回路は用いたツエナーダイオード
に関係なく希望の結果を得るのに有効である。
V 0 (α)=V K +α (V GO /γ−T K )/1−δ+ε(1−
α/γ)…(4A) V K , T K , δ, ε, γ are constants. If we take the derivative of equation (4A) with respect to α and set it to zero, then V G0 /V K −γT K /V K = ε/1−δ+ε (5A) If this relationship holds true, V 0 is unrelated to α. That is, the control circuit is effective in obtaining the desired results regardless of the Zener diode used.

設定したパラメータはいかなるαに対しても有
効であるので、εとδの更に他の関係が式(4A)
においてα=0とすることによつて得られる。
Since the set parameters are valid for any α, the other relationship between ε and δ can be expressed as Equation (4A)
It is obtained by setting α=0 in .

即ち VK/V0=1−δ+ε …(6A) 式(5A)、(6A)からε、δを求めれば、 ε=(VG0−γTK)/V0 …(7A) δ=1+ε−VK/V0 …(8A) これらの関係式は指定の出力電圧におけるゼロ
温度係数に対するものであるが、同様にして、出
力電圧を指定の値に調整することに依存させて温
度係数を制御する他の方式に対しても別の修正さ
れた関係式を求めることができる。例えば、基準
装置の性能を他の回路特性に整合させるために、
指定基準電圧において特別な非ゼロ温度係数を必
要とするような応用例がある。更にここに記載し
た制御機能は、異なつた出力電圧が1グループ内
の個々のユニツトに必要とされ、各出力電圧が対
応した異なつた温度係数の要求を有する場合に用
いることができる。
That is, V K /V 0 =1−δ+ε …(6A) If ε and δ are calculated from equations (5A) and (6A), ε=(V G0 −γT K )/V 0 …(7A) δ=1+ε− V K /V 0 ...(8A) These relations are for zero temperature coefficient at a specified output voltage, but in a similar way, the temperature coefficient can be controlled by making it dependent on adjusting the output voltage to a specified value. Other modified relational expressions can be obtained for other methods. For example, to match the performance of a reference device to other circuit characteristics,
There are applications that require a special non-zero temperature coefficient at a specified reference voltage. Additionally, the control functions described herein may be used where different output voltages are required for individual units within a group, each output voltage having a different corresponding temperature coefficient requirement.

ゼロ温度係数を得るために使用される第1図の
回路の場合、ε、δに対する数値は、実験的に求
めたVK、TKの値と、既知の値VG0と、計算値δ
(既知の値Vbepを式(1A)に用いて得た)とV0
対する希望の値とを式(7A)、(8A)に代入して
得ることができる。VK、TKは多数の埋込ツエナ
ーダイオードの電圧対温度測定によつて実験的に
決めることができ、外挿法により推定した代表的
な値としてはVK=4.74、TK=−383〓である。
Vbepの値はT0=300〓で0.655である。
In the case of the circuit of Figure 1 used to obtain the zero temperature coefficient, the values for ε and δ are the experimentally determined values of V K and T K , the known value V G0 , and the calculated value δ.
(obtained by using the known value V bep in equation (1A)) and the desired value for V 0 can be obtained by substituting into equations (7A) and (8A). V K , T K can be determined experimentally by voltage vs. temperature measurements of a number of embedded Zener diodes; typical values estimated by extrapolation are V K = 4.74, T K = -383. It is 〓.
The value of V bep is 0.655 at T 0 =300〓.

V0=10Vとした場合、比例係数は下記の通り
である。
When V 0 =10V, the proportionality coefficient is as follows.

ε=0.1960 δ=0.7220 従つてベース電圧Vb1,Vb2が1.960、7.220ボル
トであるように抵抗26,28,30を選定する
ことによつて、第1図の回路は、エミツタ抵抗
R1,R2のいずれかを10ボルトの所定出力電圧と
なるように調整した場合に最良の温度補償が得ら
れるのである。R2,R1のうちいずれを調整する
かは最初に測定した出力電圧が10ボルト以上であ
るか以下であるかによる。
ε=0.1960 δ=0.7220 Therefore, by selecting resistors 26, 28, and 30 such that the base voltages V b1 and V b2 are 1.960 and 7.220 volts, the circuit of FIG.
The best temperature compensation is obtained when either R 1 or R 2 is adjusted to provide the desired output voltage of 10 volts. Which of R 2 and R 1 to adjust depends on whether the first measured output voltage is above or below 10 volts.

前述したように、ICプロセスによつて得た多
数のツエナーダイオードに対するαの実験的に測
定した範囲に対し、R2/R1の対応値は適当に実
用的である。式(2A)に戻り、測定ツエナー電
圧VZ(300〓)6.0〜6.6に対応した測定範囲の値を
αの値に代入すれば、 最小R2/R1=1.966(VZ=6.0の時) 最大R2/R1=2.426(VZ=6.6の時) 第2図は前述した第1図の構成を含む電圧基準
装置の好ましい実施例を詳細に示すものである。
第2図において、Q112,Q113は演算増幅器14の
基本的素子である。ツエナーダイオードD2はケ
ルビン接続であり、そのフオース(force)電極
およびセンス(sence)電極は同電位である。こ
れら電極の一方は反転入力端子16に、他方は抵
抗R143(第1図の18)を介して共通ライン20
にそれぞれ接続されている。トランジスタQ115
Q116は第1図のQ2,Q1に、抵抗R138,R139は第1
図の抵抗R2,R1に、抵抗R135,R136,R137は第1
図の抵抗26,28,30にそれぞれ対応する。
As mentioned above, for the experimentally measured range of α for a large number of Zener diodes obtained by IC processes, the corresponding values of R 2 /R 1 are reasonably practical. Returning to equation (2A) and substituting the value of the measurement range corresponding to the measured Zener voltage V Z (300〓) 6.0 to 6.6 into the value of α, the minimum R 2 /R 1 = 1.966 (when V Z = 6.0) ) Maximum R 2 /R 1 =2.426 (when V Z =6.6) FIG. 2 shows in detail a preferred embodiment of the voltage reference device including the configuration of FIG. 1 described above.
In FIG. 2, Q 112 and Q 113 are the basic elements of the operational amplifier 14. The Zener diode D 2 is Kelvin connected, and its force and sense electrodes are at the same potential. One of these electrodes is connected to the inverting input terminal 16 and the other is connected to the common line 20 through a resistor R 143 (18 in FIG. 1).
are connected to each. Transistor Q 115 ,
Q 116 is connected to Q 2 and Q 1 in Figure 1, and resistors R 138 and R 139 are connected to the first
In addition to the resistors R 2 and R 1 in the figure, the resistors R 135 , R 136 , and R 137 are the first
They correspond to resistors 26, 28, and 30 in the figure, respectively.

第2の増幅器回路は対称的にバランスした形に
構成されている。Q107はコレクタ電流をQ112
Q113に供給するものである。Q114のコレクタは
Q112,Q113のエミツタ電流を受け、その合計電流
が正しいものとなるように調整する。Q114のベー
スはQ107の左側のコレクタからの電流により電圧
変換トランジスタQ108およびピンチ抵抗R140を介
して制御される。
The second amplifier circuit is configured in a symmetrically balanced manner. Q 107 is the collector current Q 112 ,
Q 113 . The collector of Q 114 is
It receives the emitter current of Q 112 and Q 113 and adjusts it so that the total current is correct. The base of Q 114 is controlled by the current from the left collector of Q 107 through voltage conversion transistor Q 108 and pinch resistor R 140 .

Q109,Q110はバツフア・トランジスタで、Q109
の電流は等しい電流をあたえるようにQ104と整合
したQ105によつて制御される。Q104の電流はQ107
と整合したQ106を流れるので、Q107の電流とQ109
の電流は等しく、更にQ124の電流に等しい。従つ
てQ109,Q104のベース電流に誤差があつても、こ
のような誤差はQ112,Q113に関してバランスさ
れ、従つて誤差は回路対称性により相殺される。
Q 109 and Q 110 are buffer transistors, and Q 109
The current of is controlled by Q 105 matched with Q 104 to give equal currents. The current of Q 104 is Q 107
The current in Q 107 and Q 109 flow through Q 106 matched with
is equal to the current of Q 124 . Therefore, even if there is an error in the base currents of Q 109 and Q 104 , such error is balanced with respect to Q 112 and Q 113 , and therefore the error is canceled out due to circuit symmetry.

Q103はQ115,Q116が要求する付加電流を運ぶも
のである。Q111は出力バツフア・トランジスタ
Q110に対する保護トランジスタである。Q109の左
側のエミツタは回路始動を助けるものである。
Q 103 carries the additional current required by Q 115 and Q 116 . Q 111 is the output buffer transistor
It is a protection transistor for Q110 . The emitter on the left side of Q 109 helps start the circuit.

第3図は、基準出力電圧を指定値に調整するこ
とによつて最良温度補償を得る、第1図に関して
前述した電圧温度関係を示すグラフ図である。第
3図において、2つの直線Z1,Z2は、多数の埋込
みツエナーダイオードの測定電圧対温度特性曲線
に対する変化範囲の限界を示すものである。これ
らの線の勾配(α1、α2)は前述した電圧対温度関
係式の導関数である。これらの線(および図示さ
れてない介在データ用の線)を左方に外挿法によ
り推定すれば、特定電圧VK、対応温度TKに中心
をもつ共通領域に交叉ができる。(ここに提供し
た測定データの場合、交叉は絶対ゼロ以下の温度
で発生し、物理的な対応がないが、概念的には重
要である。)共通交点と、少なくともほぼ直線的
な特性とにより、電圧源のツエナーダイオードの
電圧対電流特性を前述したようにあらわすことが
できる。
FIG. 3 is a graphical diagram illustrating the voltage-temperature relationship described above with respect to FIG. 1, obtaining the best temperature compensation by adjusting the reference output voltage to a specified value. In FIG. 3, two straight lines Z 1 and Z 2 indicate the limits of the range of variation for the measured voltage versus temperature characteristic curve of a number of buried Zener diodes. The slopes (α 1 , α 2 ) of these lines are the derivatives of the voltage versus temperature relationship described above. If these lines (and lines for intervening data not shown) are extrapolated to the left, they intersect in a common region centered at a particular voltage V K and a corresponding temperature T K . (In the case of the measured data provided here, the crossover occurs at temperatures below absolute zero and has no physical correspondence, but is conceptually important.) Due to the common intersection and at least approximately linear characteristics, , the voltage versus current characteristics of the Zener diode of the voltage source can be expressed as described above.

即ち Vdev=VK+α(T−TK) αは各曲線の勾配である。 That is, Vdev = VK +α(T- TK ) α is the slope of each curve.

第3図には更に2つの直線J1,J2があり、これ
らの直線は、ツエナー電圧と組合わされる電圧で
あつてしかもバンド・ギヤツプ・ジヤンクシヨン
を有する補償電圧源手段24から得られる電圧に
対する電圧対温度特性曲線の変化範囲の限界を示
すものである。これらの線も共通領域で交叉し、
補償電圧源出力の制御回路は、この共通領域を温
度TKに位置させるように、即ちツエナ特性曲線
Z1,Z2の交点の共通領域と同じ垂直線上に位置さ
せるように構成されている。この制御回路は更
に、補償電圧VJとVKとの組合せの合成電圧を指
定の基準出力電圧、即ちこの場合10ボルトに等し
くするような大きさの補償電圧VJに、共通交点
を合わせるように、構成されている。
There are also two straight lines J 1 and J 2 in FIG. 3, which lines represent the voltage associated with the Zener voltage and which is obtained from the compensation voltage source means 24 with a band gap junction. This indicates the limit of the range of change in the voltage vs. temperature characteristic curve. These lines also intersect in a common area,
The control circuit for the output of the compensated voltage source is arranged so that this common area is located at the temperature T K , i.e. the Zener characteristic curve
It is configured to be located on the same vertical line as the common area of the intersection of Z 1 and Z 2 . The control circuit further aligns the common intersection point with a compensation voltage V J of such magnitude as to make the resultant voltage of the combination of compensation voltages V J and V K equal to a specified reference output voltage, i.e., 10 volts in this case. It is made up of.

従つて、この構成において、J1〜J2の範囲内で
補償電圧源の線勾配を変化させることによつて指
定の10ボルト出力を得るように電圧基準装置を調
整すれば、電圧基準装置の基本源であるツエナー
ダイオードの特性曲線Zoの勾配に対し反転整合し
た(即ち相補的な)関係を有して、曲線JNの勾配
が最終的に調整される結果となる。従つて、出力
電圧をその所定値に調整した場合に電圧基準装置
の温度係数は最良のものとされゼロ或はその近く
の値となる。
Therefore, in this configuration, if the voltage reference device is adjusted to obtain the specified 10 volt output by varying the line slope of the compensation voltage source within the range J 1 to J 2 , the voltage reference device The result is that the slope of the curve J N is finally adjusted in an inversely matched (ie complementary) relationship to the slope of the characteristic curve Z o of the basic source Zener diode. Therefore, when the output voltage is adjusted to its predetermined value, the temperature coefficient of the voltage reference device is at its best, at or near zero.

以上、本発明の好ましい実施例を説明したが、
これは本発明の原理を説明するものであつて、本
発明の要旨範囲を限定するものではない。本発明
補償手段は基本電圧源で作動される種々の補償電
圧源手段を利用できる。更に、種々の制御回路を
用いて本発明の基本的概念を補足することができ
る。従つて、以上の記載から当業者は本発明を
種々の形で適用できるものである。
The preferred embodiments of the present invention have been described above, but
This is intended to explain the principles of the invention and is not intended to limit the scope of the invention. The compensation means of the invention can utilize various compensation voltage source means operated from the basic voltage source. Furthermore, various control circuits can be used to supplement the basic idea of the invention. Therefore, from the above description, those skilled in the art will be able to apply the present invention in various ways.

追 記 増幅器14の入力端子は同電位であるので、次
の等式が得られる。
P.S. Since the input terminals of the amplifier 14 are at the same potential, the following equation can be obtained.

V0−VZ=δV0−Vbe−R2/R1(εV0-Vbe) V0−δV0+ε・R2/R1・V0 =VZ−Vbe+R2/R1・Vbe V0(1-δ+εR2/R1)=VZ+(R2/R1-1)Vbe V0=VZ+(R2/R1−1)Vbe/1−δ+εR2/R1…(1A
) d/dTV0=1/1−δ+εR2/R1(dV2/dT +(R2/R1−1)dVbe/dT) R2/R1−1=−dVZ/dT/dVbe/dT V2=VK+α(T−TK)とすると、 dVZ/dT=α Vbe=VG0−γTとすると、 d/dTVbe=−γ dVZ/dVbe=−α/γ R2/R1=1+α/γ …(2A) 式(1A)にV2、R2/R1を代入すれば V0=VK+α(T−TK)+(α/γ)(Vg0−γT)/1−
δ+ε(1+α/γ) 分子を展開すれば VK−αTK+α/γVg0 従つてαの関数としての電圧は V0=VK+α(V90/γ−TK)/1−δ+ε(1+α/
γ) VK、TK、δ、ε、γは定数 …(4A) αについて導関数をとれば、 dV0/dα=〔1−δ+ε+ε/γα〕(V90
/γ−TK)−〔VK−α(V90/γ−TK)〕ε/γ/〔1
−δ+ε(1+α/γ)〕2 これをゼロとおけば、 Vg0/VK−γ・TK/VK=ε/1−δ+ε …(5A)
V 0 −V Z =δV 0 −V be −R 2 /R 1 (εV 0 -V be ) V 0 −δV 0 +ε・R 2 /R 1・V 0 =V Z −V be +R 2 /R 1・V be V 0 (1-δ+εR 2 /R 1 )=V Z +(R 2 /R 1 -1)V be V 0 =V Z +(R 2 /R 1 -1)V be /1 −δ+εR 2 /R 1 …(1A
) d/dTV 0 = 1/1-δ+εR 2 /R 1 (dV 2 /dT + (R 2 /R 1 -1)dV be /dT) R 2 /R 1 -1=-dV Z /dT/dV If be /dT V 2 = V K + α (T - T K ), then dV Z /dT = α V be = V G0 -γT, then d/dTV be = -γ dV Z /dV be = -α/ γ R 2 /R 1 = 1 + α / γ ... (2A) By substituting V 2 and R 2 /R 1 into equation (1A), V 0 = V K + α (T - T K ) + (α / γ) ( V g0 −γT)/1−
δ+ε(1+α/γ) If we expand the numerator, V K −αT K +α/γV g0 Therefore, the voltage as a function of α is V 0 =V K +α(V 90 /γ−T K )/1−δ+ε(1+α /
γ) V K , T K , δ, ε, γ are constants...(4A) If we take the derivative with respect to α, dV 0 /dα=[1-δ+ε+ε/γα](V 90
/γ−T K )−[V K −α(V 90 /γ−T K )]ε/γ/[1
−δ+ε(1+α/γ)] 2If we set this to zero, V g0 /V K −γ・T K /V K =ε/1−δ+ε …(5A)

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明の好ましい実施例の基本的構成
を示す回路図、第2図は、第1図にしめした原理
による電圧基準装置を詳細に示す回路図、第3図
は電圧源の電圧対温度特性を示すグラフ図であ
る。 なお図面に用いた符号において、10……ツエ
ナーダイオード電圧源、12……出力ライン、1
4……演算増幅器、16……反転入力端子、18
……抵抗、20……共通ライン、22……非反転
入力端子、24……補償電圧手段(制御回路)、
26,28,30……分圧抵抗、R1,R2,R135
〜R143……抵抗、Q1,Q2,Q103〜Q116……トラン
ジスタである。
FIG. 1 is a circuit diagram showing the basic configuration of a preferred embodiment of the present invention, FIG. 2 is a circuit diagram showing details of a voltage reference device based on the principle shown in FIG. 1, and FIG. 3 is a circuit diagram showing the voltage of a voltage source. FIG. 3 is a graph diagram showing temperature characteristics. In addition, in the symbols used in the drawings, 10... Zener diode voltage source, 12... Output line, 1
4...Operation amplifier, 16...Inverting input terminal, 18
...Resistor, 20...Common line, 22...Non-inverting input terminal, 24...Compensation voltage means (control circuit),
26, 28, 30...Voltage dividing resistor, R 1 , R 2 , R 135
~ R143 ...resistor, Q1 , Q2 , Q103 ~ Q116 ...transistor.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 第1の勾配を有する電圧対温度特性曲線に従
い第1の電圧を発生する第1の電圧源手段と、 第2の勾配を有する電圧対温度特性曲線に従い
第2の電圧を発生し、この第2の電圧が第1の電
圧と組合わされて前記第1および第2の電圧に応
答した合成基準出力電圧を発生するための第2の
電圧源手段と、 前記第2の電圧源手段と共に作動する制御回路
手段とを備え、この制御回路手段が、 前記制御回路手段の要素の予め定められたパラ
メータに従つて、前記第2の電圧源手段の電圧対
温度特性曲線の勾配を形態の一つとして含む独立
した2つの曲線形態の夫々を制御する手段と、 前記第2の電圧を変化させ、対応して前記合成
基準電圧を変化させる可調整手段と、 前記合成電圧が選択可能な広い範囲から予め選
択して特に指定した値に調整された時に、前記予
め定められたパラメータと関連づけて、前記合成
電圧に対し所定の温度係数をあたえるために、前
記第2の電圧が変化されるにつれて前記可調整手
段の制御下で前記第2の勾配を変化させる手段と
を有することを特徴とする温度補償されたソリツ
ドステート電圧基準装置。 2 前記制御回路手段は、前記合成電圧が前記指
定値に達した時に前記合成電圧に対し有効ゼロ温
度係数を提供するように作動するものであること
を特徴とする特許請求の範囲第1項記載の温度補
償されたソリツドステート電圧基準装置。 3 前記制御回路手段は、前記合成電圧が前記指
定値に達した時に前記2つの勾配間に有効反転整
合を生じ該指定値においてゼロ温度補償を行なう
ように作動するものであることを特徴とする特許
請求の範囲第2項記載の温度補償されたソリツド
ステート電圧基準装置。 4 前記第1の電圧源手段がツエナーダイオード
を有し、前記第2の電圧源手段が、半導体ジヤン
クシヨンのベース・エミツタ電圧の関数である補
償電圧を発生する手段を有することを特徴とする
特許請求の範囲第1項記載の温度補償されたソリ
ツドステート電圧基準装置。 5 前記調整手段が前記ジヤンクシヨンと直列に
可変抵抗を有することを特徴とする特許請求の範
囲第4項記載の温度補償されたソリツドステート
電圧基準装置。 6 ソリツドステート電圧源の第1の電圧を、こ
の電圧源に第2の電圧を発生する第2の電圧源手
段を接続し、前記第1および第2の電圧の和に対
応した合成基準電圧を発生させることによつて温
度補償する技術において、前記2つの電圧の電圧
対温度特性曲線が反対の符号を有して温度効果が
前記基準電圧においてキヤンセルされる傾向を有
し、選択可能な広い範囲から指定された或る値の
前記基準電圧に対して温度補償を与える方法であ
つて、 制御回路手段の要素の予め定められたパラメー
タに従つて、前記第2の電圧源手段の特性曲線の
勾配を形態の一つとして含む独立した2つの曲線
形態の夫々を制御するための制御回路手段を前記
第2の電圧源手段に接続すること、 前記制御回路手段の回路素子を調整して前記第
2の電圧を変化させ、前記基準電圧を前記指定さ
れた値にすること、 前記回路素子の調整により前記第2の電圧の電
圧対温度特性曲線の勾配を制御し、前記特性曲線
の他の曲線形態と共に、前記第1および第2の電
圧の温度特性による前記基準電圧に対する効果の
間に所定の関係を発生させ、前記基準電圧が前記
指定値に調整された時に前記基準電圧に対し所定
の温度係数を与えることとを特徴とする基準電圧
の温度補償方法。
[Scope of Claims] 1. A first voltage source means for generating a first voltage according to a voltage-versus-temperature characteristic curve having a first slope; and a second voltage source means generating a first voltage according to a voltage-versus-temperature characteristic curve having a second slope. a second voltage source means for generating a second voltage, the second voltage being combined with the first voltage to generate a composite reference output voltage responsive to the first and second voltages; control circuit means operative in conjunction with the voltage source means, the control circuit means controlling the slope of the voltage versus temperature characteristic curve of the second voltage source means in accordance with predetermined parameters of elements of the control circuit means. means for controlling each of two independent curve shapes including as one of the shapes; adjustable means for varying the second voltage and correspondingly varying the composite reference voltage; The second voltage is varied in order to impart a predetermined temperature coefficient to the composite voltage in association with the predetermined parameter when the second voltage is preselected from a wide possible range and adjusted to a particularly specified value. means for varying said second slope under the control of said adjustable means as the voltage is increased. 2. The control circuit means is operative to provide an effective zero temperature coefficient to the composite voltage when the composite voltage reaches the specified value. Temperature compensated solid state voltage reference device. 3. The control circuit means is operative to create an effective inversion match between the two slopes when the composite voltage reaches the specified value, and to perform zero temperature compensation at the specified value. A temperature compensated solid state voltage reference device according to claim 2. 4. The first voltage source means comprises a Zener diode, and the second voltage source means comprises means for generating a compensation voltage that is a function of the base-emitter voltage of the semiconductor junction. A temperature compensated solid state voltage reference device according to claim 1. 5. The temperature compensated solid state voltage reference device of claim 4, wherein said adjustment means includes a variable resistor in series with said junction. 6. A first voltage of the solid-state voltage source is connected to a second voltage source means for generating a second voltage, and a composite reference voltage corresponding to the sum of the first and second voltages is obtained. In the technique of temperature compensation by generating a selectable wide range, the voltage versus temperature characteristic curves of the two voltages have opposite signs so that temperature effects tend to be canceled at the reference voltage. A method of providing temperature compensation for said reference voltage of a certain value specified from a range, said method comprising: adjusting said characteristic curve of said second voltage source means according to predetermined parameters of an element of said control circuit means; connecting to said second voltage source means control circuit means for controlling each of two independent curve shapes including a slope as one of the shapes; controlling the slope of a voltage-temperature characteristic curve of the second voltage by adjusting the circuit elements; and a predetermined relationship between the effects on the reference voltage due to the temperature characteristics of the first and second voltages, such that when the reference voltage is adjusted to the specified value, a predetermined temperature with respect to the reference voltage is generated. A reference voltage temperature compensation method characterized by providing a coefficient.
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