JPH0135290B2 - - Google Patents
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- JPH0135290B2 JPH0135290B2 JP55023314A JP2331480A JPH0135290B2 JP H0135290 B2 JPH0135290 B2 JP H0135290B2 JP 55023314 A JP55023314 A JP 55023314A JP 2331480 A JP2331480 A JP 2331480A JP H0135290 B2 JPH0135290 B2 JP H0135290B2
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/148—Charge coupled imagers
-
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- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
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- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. phototransistors
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- H01L31/112—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by field-effect operation, e.g. junction field-effect phototransistor
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- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
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- H04N23/00—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
- H04N23/10—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof for generating image signals from different wavelengths
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- H04N23/80—Camera processing pipelines; Components thereof
- H04N23/84—Camera processing pipelines; Components thereof for processing colour signals
- H04N23/843—Demosaicing, e.g. interpolating colour pixel values
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
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- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/10—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof for transforming different wavelengths into image signals
- H04N25/11—Arrangement of colour filter arrays [CFA]; Filter mosaics
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は色彩像のソリツド・ステート・センサ
ーに関し、特に高い空間解像度および良好な色彩
像サンプリングを提供する色彩像センサー列に関
する。
ーに関し、特に高い空間解像度および良好な色彩
像サンプリングを提供する色彩像センサー列に関
する。
１つのソリツド・ステートの像センサー列から
複数の色彩信号を生じることが広く認められた目
標である。１つの列中の全色性の像感知素子が列
状の像感知素子上にこれと一体的に配置された一
連の色フイルタによつて色彩に対し選択的に感応
性を持たせられるソリツド・ステートの色彩像感
知素子列が公知である。色彩の詳細についての人
間の視覚感度に基く有効な像の情報量を最大化す
るこのようなフイルタ列に対する非常に有効な形
態について、1976年７月20日発行のBayerの米国
特許第3971065号および1977年９月６日発行の
Dillonの米国特許第4047203号に記載されている。
このような素子列の固有の解像能力は、この素子
列において形成される像感知素子数により制約を
受ける許りでなく、素子列中の素子の一部（即
ち、縁の感知素子）が微細部の解像度に寄与する
事実によつても制約を受ける。その結果、特定の
構成に対しては最適化されても、このような一体
フイルタ形色彩像感知素子列の空間解像度は、同
数の素子の単色像感知素子列とは同レベルにはな
らない。
複数の色彩信号を生じることが広く認められた目
標である。１つの列中の全色性の像感知素子が列
状の像感知素子上にこれと一体的に配置された一
連の色フイルタによつて色彩に対し選択的に感応
性を持たせられるソリツド・ステートの色彩像感
知素子列が公知である。色彩の詳細についての人
間の視覚感度に基く有効な像の情報量を最大化す
るこのようなフイルタ列に対する非常に有効な形
態について、1976年７月20日発行のBayerの米国
特許第3971065号および1977年９月６日発行の
Dillonの米国特許第4047203号に記載されている。
このような素子列の固有の解像能力は、この素子
列において形成される像感知素子数により制約を
受ける許りでなく、素子列中の素子の一部（即
ち、縁の感知素子）が微細部の解像度に寄与する
事実によつても制約を受ける。その結果、特定の
構成に対しては最適化されても、このような一体
フイルタ形色彩像感知素子列の空間解像度は、同
数の素子の単色像感知素子列とは同レベルにはな
らない。
最近、同サイズの単色用素子列の潜在解像力に
等しい潜在解像力を有するソリツド・ステートの
色彩像感知素子列が開発された。この素子列は、
複数の重合されたチヤネルを有する漸新な像感知
素子（例えば、１つの３色感知装置に対する３つ
の重合チヤネル）に基くもので、各チヤネルは半
導体物質による異なる光の吸収により異なるスペ
クトル応答を有する。このような素子列は、
「Research Disclo−sure」の1978年８月号、第
72巻、No.17240の86頁（英国ハンプシヤ州ハーバ
ントのIndustrial Oppo−tunities Limitcd刊）
に記載されている。この試みはソリツド・ステー
トの色彩感知素子列の解像度の改善における大き
な突破口を示すものであるが、３色感応列のため
の多重合チヤネルの製作は複雑であり、装置内に
３つの重合チヤネルの形成が必要となる。更に、
基本色の各々における空間解像度が実質的に等し
いため人間の眼によるよりも更に有効にこのよう
な素子列により情報が得ることができるが、人間
の眼の空間解像度は主として緑色にある。
等しい潜在解像力を有するソリツド・ステートの
色彩像感知素子列が開発された。この素子列は、
複数の重合されたチヤネルを有する漸新な像感知
素子（例えば、１つの３色感知装置に対する３つ
の重合チヤネル）に基くもので、各チヤネルは半
導体物質による異なる光の吸収により異なるスペ
クトル応答を有する。このような素子列は、
「Research Disclo−sure」の1978年８月号、第
72巻、No.17240の86頁（英国ハンプシヤ州ハーバ
ントのIndustrial Oppo−tunities Limitcd刊）
に記載されている。この試みはソリツド・ステー
トの色彩感知素子列の解像度の改善における大き
な突破口を示すものであるが、３色感応列のため
の多重合チヤネルの製作は複雑であり、装置内に
３つの重合チヤネルの形成が必要となる。更に、
基本色の各々における空間解像度が実質的に等し
いため人間の眼によるよりも更に有効にこのよう
な素子列により情報が得ることができるが、人間
の眼の空間解像度は主として緑色にある。
本発明によれば、同等のサイズの単色感応素子
により生じるものと同等の空間解像度を有する色
信号を生じ得るソリツド・ステートの色彩像感知
素子列を提供し、かつ一体フイルタ構造の色彩像
感知素子列の相対的な構成の簡素さと色のサンプ
リング効率を両立させる問題は、(a)各々が第１と
第２の光信号を生じるため上下に重合された光感
応チヤネルを有する列状の半導体の像感知素子を
特徴とし、前記２つのチヤネルの固有のスペクト
ル応答は半導体物質による光の吸収が異なる故に
異なり、(b)列状の像感知素子上に配された列状の
色フイルタ素子を特徴とし、この列状の色フイル
タ素子は、(1)この素子により生じる光信号が第１
のスペクトル範囲内の光の波長に対する素子の応
答を表わす１成分と第２のスペクトル範囲内の光
の波長に対する素子の応答を表わす１成分を有す
るように像感知素子のスペクトル応答を個々に調
整するための第１の相対透過率を有する素子と、
(2)素子により生じる光信号が第１のスペクトル範
囲内の光の波長に対する素子の応答を表わす１成
分と第３のスペクトル範囲内の光の波長に対する
素子の応答を表わす１成分を有するように像感知
素子の各応答を個々に調整するための第２の相対
透過率を有する素子を有するハイブリツド形色彩
像感知素子列により解決される。
により生じるものと同等の空間解像度を有する色
信号を生じ得るソリツド・ステートの色彩像感知
素子列を提供し、かつ一体フイルタ構造の色彩像
感知素子列の相対的な構成の簡素さと色のサンプ
リング効率を両立させる問題は、(a)各々が第１と
第２の光信号を生じるため上下に重合された光感
応チヤネルを有する列状の半導体の像感知素子を
特徴とし、前記２つのチヤネルの固有のスペクト
ル応答は半導体物質による光の吸収が異なる故に
異なり、(b)列状の像感知素子上に配された列状の
色フイルタ素子を特徴とし、この列状の色フイル
タ素子は、(1)この素子により生じる光信号が第１
のスペクトル範囲内の光の波長に対する素子の応
答を表わす１成分と第２のスペクトル範囲内の光
の波長に対する素子の応答を表わす１成分を有す
るように像感知素子のスペクトル応答を個々に調
整するための第１の相対透過率を有する素子と、
(2)素子により生じる光信号が第１のスペクトル範
囲内の光の波長に対する素子の応答を表わす１成
分と第３のスペクトル範囲内の光の波長に対する
素子の応答を表わす１成分を有するように像感知
素子の各応答を個々に調整するための第２の相対
透過率を有する素子を有するハイブリツド形色彩
像感知素子列により解決される。
本発明の望ましい実施態様によれば、各々の像
感知素子は、第１の光信号を生じるため主として
光の青および緑の波長に応答する上部のチヤネル
と、第２の光信号を生じるため主として光の赤お
よび緑の波長に応答する上部のチヤネル下方に配
される埋設されたチヤネルとを有する。列状のシ
アンおよび黄のフイルタ素子は列状の像感応素子
上に配され、これによりシアンのフイルタ素子の
下方に位置された像感知素子からの第１と第２の
光信号はそれぞれ(1)青プラス緑の光と(2)緑の光を
表わし、黄のフイルタの下方に配された像感知素
子からの第１と第２の光信号はそれぞれ(1)緑の光
と(2)緑プラス赤の光を表わす。前記ハイブリツド
形色彩像感応素子列の出力信号からの比較的高い
解像度の緑と比較的低い解像度の赤と青の色信号
を分離するため公知のマトリツクス手法が用いら
れる。
感知素子は、第１の光信号を生じるため主として
光の青および緑の波長に応答する上部のチヤネル
と、第２の光信号を生じるため主として光の赤お
よび緑の波長に応答する上部のチヤネル下方に配
される埋設されたチヤネルとを有する。列状のシ
アンおよび黄のフイルタ素子は列状の像感応素子
上に配され、これによりシアンのフイルタ素子の
下方に位置された像感知素子からの第１と第２の
光信号はそれぞれ(1)青プラス緑の光と(2)緑の光を
表わし、黄のフイルタの下方に配された像感知素
子からの第１と第２の光信号はそれぞれ(1)緑の光
と(2)緑プラス赤の光を表わす。前記ハイブリツド
形色彩像感応素子列の出力信号からの比較的高い
解像度の緑と比較的低い解像度の赤と青の色信号
を分離するため公知のマトリツクス手法が用いら
れる。
本発明を添付図に関して詳細に説明する。
第１図は、本発明によるハイブリツド形色彩像
センサーの特徴を示している。全体的に100で示
される像センサーは、受光面１０４と、上部の光
感応チヤネル１０６と、下部の光感応チヤネル１
０８を有する２重に重合されたチヤネル電荷移送
素子１０２を含む。前記チヤネルは第１図では簡
単に示されるが、このチヤネルを構成する実際の
半導体構造については更に以下に示す事例におい
て説明する。線形列状の分岐間に配された第１と
第２の位相の透明な伝送極板１１０と１１２はそ
れぞれ上下のチヤネル内で同時の電荷移送を構成
するために半導体素子の表面上に設けられてい
る。２相の電荷移送素子は説明を簡単にするため
に示した。本発明によれば３相又は４相の素子も
又構成することもできることを理解すべきであ
る。この２相の移送極板１１０と１１２の構成
は、電荷移送素子において２相の電荷移送を行う
ためのいくつかの公知の構成から選択することが
できる。例えば、Academic Press社刊（1975年
版）のSequinとTompsett共著「電荷移送素子」
を参照されたい。
センサーの特徴を示している。全体的に100で示
される像センサーは、受光面１０４と、上部の光
感応チヤネル１０６と、下部の光感応チヤネル１
０８を有する２重に重合されたチヤネル電荷移送
素子１０２を含む。前記チヤネルは第１図では簡
単に示されるが、このチヤネルを構成する実際の
半導体構造については更に以下に示す事例におい
て説明する。線形列状の分岐間に配された第１と
第２の位相の透明な伝送極板１１０と１１２はそ
れぞれ上下のチヤネル内で同時の電荷移送を構成
するために半導体素子の表面上に設けられてい
る。２相の電荷移送素子は説明を簡単にするため
に示した。本発明によれば３相又は４相の素子も
又構成することもできることを理解すべきであ
る。この２相の移送極板１１０と１１２の構成
は、電荷移送素子において２相の電荷移送を行う
ためのいくつかの公知の構成から選択することが
できる。例えば、Academic Press社刊（1975年
版）のSequinとTompsett共著「電荷移送素子」
を参照されたい。
隣接する１対の電荷移送極板はこの電荷移送素
子の単位セルを形成する。１１３で示す１つのセ
ルは第１図では点線で示されている。１対の出力
接点１１４と１１６がそれぞれ上下のチヤネルに
設けられている。
子の単位セルを形成する。１１３で示す１つのセ
ルは第１図では点線で示されている。１対の出力
接点１１４と１１６がそれぞれ上下のチヤネルに
設けられている。
２重に重合されたチヤネル電荷移送構造体１０
２上には列状の減色フイルタ素子１１８が配さ
れ、各フイルタ素子は電荷移送素子の１つの単位
セル上に配されている。列状のフイルタ素子１１
８は、受光面１０４からの光の青の波長を遮断す
るための第１のタイプ（黄）のフイルタ１２０
と、入射光からの赤の波長を除去するための第２
のタイプ（シアン）のフイルタ１２２からなる。
更に、本発明による素子は、可視光の波長のみを
透過させる広帯域の遮断フイルタ１２４を有す
る。
２上には列状の減色フイルタ素子１１８が配さ
れ、各フイルタ素子は電荷移送素子の１つの単位
セル上に配されている。列状のフイルタ素子１１
８は、受光面１０４からの光の青の波長を遮断す
るための第１のタイプ（黄）のフイルタ１２０
と、入射光からの赤の波長を除去するための第２
のタイプ（シアン）のフイルタ１２２からなる。
更に、本発明による素子は、可視光の波長のみを
透過させる広帯域の遮断フイルタ１２４を有す
る。
簡素化形態において、第１図に示したハイブリ
ツド形像センサーの作用は下記の如く説明するこ
とができる。半導体物質による光の吸収が異なる
ため、多重合チヤネル形の半導体構造体１０２の
上部チヤネル１０６は、比較的短い波長域と中間
波長域、例えば青と緑において固有の大きなスペ
クトル感度を有するように構成することができ
る。下部のチヤネル１０８は、中間波長域と比較
的長い波長域、例えば緑と赤において固有の大き
なスペクトル感度を有するように構成できる。こ
の上下のチヤネルは、緑に対して実質的に等しい
感度を有するよう構成される。黄の減色フイルタ
は半導体素子の受光面１０４に当る光から青の成
分を除去するため、黄のフイルタ素子の下方にお
かれた単位セルの上部チヤネルは入射光の緑成分
と対応する光信号Ｓ１を生じる。下部チヤネルは
入射光に応答して入射光の緑と赤の成分を表わす
信号Ｓ２を生じる。もしこの信号Ｓ１が信号Ｓ２
から控除されると、入射光の主として赤の成分を
表わす信号が得られる。
ツド形像センサーの作用は下記の如く説明するこ
とができる。半導体物質による光の吸収が異なる
ため、多重合チヤネル形の半導体構造体１０２の
上部チヤネル１０６は、比較的短い波長域と中間
波長域、例えば青と緑において固有の大きなスペ
クトル感度を有するように構成することができ
る。下部のチヤネル１０８は、中間波長域と比較
的長い波長域、例えば緑と赤において固有の大き
なスペクトル感度を有するように構成できる。こ
の上下のチヤネルは、緑に対して実質的に等しい
感度を有するよう構成される。黄の減色フイルタ
は半導体素子の受光面１０４に当る光から青の成
分を除去するため、黄のフイルタ素子の下方にお
かれた単位セルの上部チヤネルは入射光の緑成分
と対応する光信号Ｓ１を生じる。下部チヤネルは
入射光に応答して入射光の緑と赤の成分を表わす
信号Ｓ２を生じる。もしこの信号Ｓ１が信号Ｓ２
から控除されると、入射光の主として赤の成分を
表わす信号が得られる。
シアンのフイルタ素子は入射光から赤の成分を
除去する。シアンのフイルタ素子の下方におかれ
た単位セルの上部チヤネルは入射光に応答して入
射光の青と緑の成分を表わす光信号Ｓ３を生じ
る。このような単位セルの下部チヤネルは入射光
に応答して入射光の主として緑の成分を表わす光
信号Ｓ４を生じる。もし信号Ｓ４が信号Ｓ３から
控除されると、入射光の主として青の成分を表わ
す信号が生じる。従つて、ハイブリツド形色彩像
形成素子列の各単位セルは、人間の視覚組織が最
も微細部迄識別し得る色成分である入射光の緑の
成分を表わす光信号を生じるのである。この素子
列の別の各セルは、人間の眼にとつては比較的低
い空間解像度でよい色成分であるところの入射光
の赤又は青の成分が得られる光信号を生じる。
除去する。シアンのフイルタ素子の下方におかれ
た単位セルの上部チヤネルは入射光に応答して入
射光の青と緑の成分を表わす光信号Ｓ３を生じ
る。このような単位セルの下部チヤネルは入射光
に応答して入射光の主として緑の成分を表わす光
信号Ｓ４を生じる。もし信号Ｓ４が信号Ｓ３から
控除されると、入射光の主として青の成分を表わ
す信号が生じる。従つて、ハイブリツド形色彩像
形成素子列の各単位セルは、人間の視覚組織が最
も微細部迄識別し得る色成分である入射光の緑の
成分を表わす光信号を生じるのである。この素子
列の別の各セルは、人間の眼にとつては比較的低
い空間解像度でよい色成分であるところの入射光
の赤又は青の成分が得られる光信号を生じる。
入射光の内の可視光の波長のみを通す広帯域遮
断フイルタ１２４はその応答性を更に向上させる
ために本素子上に配してもよい。２つのチヤネル
から３つの色信号を生じるための最適な信号処理
法は、無論、ある信号から他の信号を控除する如
き簡単なものではなく、以下に説明される信号分
離を最適化するための公知のマトリツクス法を用
いる。更に、シアンおよび黄のフイルタの相対比
率は、人間の視覚組織に対して素子出力を更に個
別調整を行うため第１図に示したものとは異なる
ものとなることに留意すべきである。例えば、人
間の眼は、青の光で照射されるよりは赤の光で照
射された細部がより良く識別できるため、本素子
列においてはシアンのフイルタよりは黄のフイル
タを余計に設けられる。
断フイルタ１２４はその応答性を更に向上させる
ために本素子上に配してもよい。２つのチヤネル
から３つの色信号を生じるための最適な信号処理
法は、無論、ある信号から他の信号を控除する如
き簡単なものではなく、以下に説明される信号分
離を最適化するための公知のマトリツクス法を用
いる。更に、シアンおよび黄のフイルタの相対比
率は、人間の視覚組織に対して素子出力を更に個
別調整を行うため第１図に示したものとは異なる
ものとなることに留意すべきである。例えば、人
間の眼は、青の光で照射されるよりは赤の光で照
射された細部がより良く識別できるため、本素子
列においてはシアンのフイルタよりは黄のフイル
タを余計に設けられる。
このハイブリツド形の像感知装置によつて生成
される光信号は２相の移送信号Ｐ１とＰ２を用い
て周期的に読出されて極板１１０と１１２の電荷
移送を生じ、その各チヤネルにおける光信号を出
力接点１１４と１１６に移動させる。
される光信号は２相の移送信号Ｐ１とＰ２を用い
て周期的に読出されて極板１１０と１１２の電荷
移送を生じ、その各チヤネルにおける光信号を出
力接点１１４と１１６に移動させる。
第２図は、ハイブリツド形像感知素子列の２重
に重合されたチヤネル構造に対する望ましい実施
形態を示している。このチヤネル構造はＰ形のケ
イ素基板２０２上に形成され、その上にＮ形のケ
イ素層２０８がエピタキシヤル形成される。Ｐ形
層２０７はエピタキシヤル層２０８内に拡散法に
より形成され、又Ｎ形層２０６はＰ形層２０７内
にイオン注入法により形成されることが望まし
い。ゲート酸化物膜２０９は本装置の表面上に配
される。２相の電極２１０，２１２はゲート酸化
膜上におかれ、ウインドは接点２１４と２１６に
対する酸化膜層に設けられる。この接点はそれぞ
れＮ形層２０６と２０８における強くドープされ
たランド部からなる。減色フイルタ素子２２０と
２２２は単位セル上に配され、広帯域遮断フイル
タ２２４は本素子の光学的作用を有する面域にお
かれる。
に重合されたチヤネル構造に対する望ましい実施
形態を示している。このチヤネル構造はＰ形のケ
イ素基板２０２上に形成され、その上にＮ形のケ
イ素層２０８がエピタキシヤル形成される。Ｐ形
層２０７はエピタキシヤル層２０８内に拡散法に
より形成され、又Ｎ形層２０６はＰ形層２０７内
にイオン注入法により形成されることが望まし
い。ゲート酸化物膜２０９は本装置の表面上に配
される。２相の電極２１０，２１２はゲート酸化
膜上におかれ、ウインドは接点２１４と２１６に
対する酸化膜層に設けられる。この接点はそれぞ
れＮ形層２０６と２０８における強くドープされ
たランド部からなる。減色フイルタ素子２２０と
２２２は単位セル上に配され、広帯域遮断フイル
タ２２４は本素子の光学的作用を有する面域にお
かれる。
第３ａ図は、第２図に示した素子の偏倚されな
い状態を示す定性的エネルギ帯域図である。第３
図ｂは、本素子の偏倚された状態を示し、又上部
チヤネル（チヤネル１）と下部チヤネル（チヤネ
ル２）の相対的位置を示す定性的エネルギ帯域図
である。チヤネル１とチヤネル２において生成さ
れる電子により表わされる光起電電荷は各Ｎ形層
２０６，２０８内に保持される。信号キヤリアと
しての正孔を用いる素子は各層のドーパントのタ
イプを反対にすることにより提供される。第２図
に示される構成においては、上下のチヤネル即ち
チヤネル１とチヤネル２は埋込みチヤネルであ
る。あるいは又、上部チヤネル即ちチヤネル１を
表面チヤネルとすることにより第２図に示される
素子よりも少ない半導体層を有する多重合チヤネ
ル構造が提供され得る。第４図は、表面チヤネル
と埋込みチヤネルを有する電荷移送素子の構成を
示している。この多重合チヤネル構造は、その上
にケイ素のＮ形のエピタキシヤル生長層４０８が
形成されるＰ形のケイ素基板４０２上に形成され
る。イオン注入法又は拡散法により形成されたケ
イ素のＰ形層４０６をＮ形層４０８に形成して構
造体を完成する。ゲート酸化膜層４０９は素子の
表面におかれる。接点４１４と４１６のためのウ
インドが酸化膜中に設けられ、この接点は高度に
ドープされたＮ形域により形成される。移送電極
構造体４１０と４１２は絶緑層の表面上におかれ
る。４２０と４２２で示される減色フイルタは電
荷移送素子の単位セル上におかれ、広帯域遮断フ
イルタ４２４はこの素子の活動域におかれる。
い状態を示す定性的エネルギ帯域図である。第３
図ｂは、本素子の偏倚された状態を示し、又上部
チヤネル（チヤネル１）と下部チヤネル（チヤネ
ル２）の相対的位置を示す定性的エネルギ帯域図
である。チヤネル１とチヤネル２において生成さ
れる電子により表わされる光起電電荷は各Ｎ形層
２０６，２０８内に保持される。信号キヤリアと
しての正孔を用いる素子は各層のドーパントのタ
イプを反対にすることにより提供される。第２図
に示される構成においては、上下のチヤネル即ち
チヤネル１とチヤネル２は埋込みチヤネルであ
る。あるいは又、上部チヤネル即ちチヤネル１を
表面チヤネルとすることにより第２図に示される
素子よりも少ない半導体層を有する多重合チヤネ
ル構造が提供され得る。第４図は、表面チヤネル
と埋込みチヤネルを有する電荷移送素子の構成を
示している。この多重合チヤネル構造は、その上
にケイ素のＮ形のエピタキシヤル生長層４０８が
形成されるＰ形のケイ素基板４０２上に形成され
る。イオン注入法又は拡散法により形成されたケ
イ素のＰ形層４０６をＮ形層４０８に形成して構
造体を完成する。ゲート酸化膜層４０９は素子の
表面におかれる。接点４１４と４１６のためのウ
インドが酸化膜中に設けられ、この接点は高度に
ドープされたＮ形域により形成される。移送電極
構造体４１０と４１２は絶緑層の表面上におかれ
る。４２０と４２２で示される減色フイルタは電
荷移送素子の単位セル上におかれ、広帯域遮断フ
イルタ４２４はこの素子の活動域におかれる。
第５ａ図は、第４図に示した素子の偏倚されな
い状態を示す定性的エネルギ帯域図である。第５
ｂ図は第４図に示した素子の偏倚された状態を示
す定性的エネルギ帯域図である。第５ｂ図から判
るように、チヤネル１は素子の表面からＰ形層４
０６内のある地域迄延在する。チヤネル２はチヤ
ネル１の底部からＮ形層４０８を経てＰ形層４０
２内のある地域迄延在する。
い状態を示す定性的エネルギ帯域図である。第５
ｂ図は第４図に示した素子の偏倚された状態を示
す定性的エネルギ帯域図である。第５ｂ図から判
るように、チヤネル１は素子の表面からＰ形層４
０６内のある地域迄延在する。チヤネル２はチヤ
ネル１の底部からＮ形層４０８を経てＰ形層４０
２内のある地域迄延在する。
ケイ素の吸収係数α（λ）は400nｍにおける５
×104cm-1から600nｍにおける３×103cm-1にあ
る。前記の素子の上下のチヤネル間の界面が素子
の受光面下方で深さ「ｄ」にあれば、上部チヤネ
ルの固有感度は１−e-〓(〓)dとなり、下部チヤネル
の固有感度はe-〓(〓)dとなり。上部チヤネルに吸収
されなかつた全入射光が下部チヤネルに吸収され
るものとすれば、深さｄ＝1μｍがスペクトルの
緑（550nｍ）の領域において略々等しい上下の
チヤネルの感度を得ることが判つた。その結果の
上部チヤネルに対する相対スペクトル感度は第６
ａ図に示され、下部チヤネルに対する相対スペク
トル感度は第６ｂ図に示される。
×104cm-1から600nｍにおける３×103cm-1にあ
る。前記の素子の上下のチヤネル間の界面が素子
の受光面下方で深さ「ｄ」にあれば、上部チヤネ
ルの固有感度は１−e-〓(〓)dとなり、下部チヤネル
の固有感度はe-〓(〓)dとなり。上部チヤネルに吸収
されなかつた全入射光が下部チヤネルに吸収され
るものとすれば、深さｄ＝1μｍがスペクトルの
緑（550nｍ）の領域において略々等しい上下の
チヤネルの感度を得ることが判つた。その結果の
上部チヤネルに対する相対スペクトル感度は第６
ａ図に示され、下部チヤネルに対する相対スペク
トル感度は第６ｂ図に示される。
上部チヤネルが入射光の緑成分を主として表わ
す信号を生じ下部チヤネルが入射光の赤成分が得
られる信号を生じることを欲する時、第６ｃ図に
示される相対透過率を有する黄のフイルタが光感
応素子におかれる。下部チヤネルが入射光の緑成
分を表わす光信号を生じ上部チヤネルが入射光の
青成分が得られる光信号を生じることを要する
時、第６ｄ図に示された相対透過特性を有するシ
アンのフイルタが光感応素子上におかれる。理想
的には、ハイブリツド形像センサーの青の感度は
ピークが450nｍ付近でなければならず、赤の感
度はピークが600nｍ付近でなければならない。
これを達成するためには、第６ｅ図に示した相対
透過特性を有する広帯域遮断フイルタは素子の活
動域上におかれる。全てのフイルタを所定位置に
おけば、各チヤネルのスペクトル感度は第６ｆ図
に示す如くになる。
す信号を生じ下部チヤネルが入射光の赤成分が得
られる信号を生じることを欲する時、第６ｃ図に
示される相対透過率を有する黄のフイルタが光感
応素子におかれる。下部チヤネルが入射光の緑成
分を表わす光信号を生じ上部チヤネルが入射光の
青成分が得られる光信号を生じることを要する
時、第６ｄ図に示された相対透過特性を有するシ
アンのフイルタが光感応素子上におかれる。理想
的には、ハイブリツド形像センサーの青の感度は
ピークが450nｍ付近でなければならず、赤の感
度はピークが600nｍ付近でなければならない。
これを達成するためには、第６ｅ図に示した相対
透過特性を有する広帯域遮断フイルタは素子の活
動域上におかれる。全てのフイルタを所定位置に
おけば、各チヤネルのスペクトル感度は第６ｆ図
に示す如くになる。
第６ｆ図から判るように、各チヤネルのスペク
トル感度は、各チヤネルにより生じた信号が公知
の色補正マトリツクス手法を用いて適正に処理さ
れる時良質の色の再現が可能なように十分な色分
離を提供するのである。
トル感度は、各チヤネルにより生じた信号が公知
の色補正マトリツクス手法を用いて適正に処理さ
れる時良質の色の再現が可能なように十分な色分
離を提供するのである。
第７図は、本発明によるハイブリツド形色彩像
センサーのための１つの可能な読出し方式を示し
ている。全体的に７００で示されたハイブリツド
形色彩像センサーは、光起電電荷がCCDの電荷
移送セル内に蓄積されるリニアCCDとして構成
されている。このCCDが適正にクロツクされる
と、チヤネル１およびチヤネル２からの光信号は
それぞれ出力接点７１４と７１６に順次移送され
る。適当な増巾後、この２つのチヤネルからの信
号は３つの出力回線７５２，７５４，７５６に対
するに対しスイツチング回路７５０により割当て
られる。この出力回線に生じる信号はサンプル兼
保持回路７５８，７６０，７６２によつてサンプ
リングされて保持される。適当なマトリツクス７
６４が線形変態を行つて１組の３色の出力信号
（青、緑、赤）を生じる。
センサーのための１つの可能な読出し方式を示し
ている。全体的に７００で示されたハイブリツド
形色彩像センサーは、光起電電荷がCCDの電荷
移送セル内に蓄積されるリニアCCDとして構成
されている。このCCDが適正にクロツクされる
と、チヤネル１およびチヤネル２からの光信号は
それぞれ出力接点７１４と７１６に順次移送され
る。適当な増巾後、この２つのチヤネルからの信
号は３つの出力回線７５２，７５４，７５６に対
するに対しスイツチング回路７５０により割当て
られる。この出力回線に生じる信号はサンプル兼
保持回路７５８，７６０，７６２によつてサンプ
リングされて保持される。適当なマトリツクス７
６４が線形変態を行つて１組の３色の出力信号
（青、緑、赤）を生じる。
第８図には別の読出し方式が示されるが、この
場合別個の多重合チヤンネル形像感知域８００に
光信号が蓄積され、この像感知域から光信号が並
列に移送ゲート８０４によつて多重合チヤネル
CCD素子８０２に対して移送される。チヤネル
１およびチヤネル２からの光信号はCCD内でそ
れぞれ出力接点８１４および８１６に対して移送
される。これ等の出力信号は第７図に示されたも
のと類似の方法で処理される。
場合別個の多重合チヤンネル形像感知域８００に
光信号が蓄積され、この像感知域から光信号が並
列に移送ゲート８０４によつて多重合チヤネル
CCD素子８０２に対して移送される。チヤネル
１およびチヤネル２からの光信号はCCD内でそ
れぞれ出力接点８１４および８１６に対して移送
される。これ等の出力信号は第７図に示されたも
のと類似の方法で処理される。
線間移送タイプのハイブリツド形像感知素子列
は第９図に示される。個々の多重合感知域９００
内で生成された光信号は、移送ゲート９０４によ
つて複数の垂直方向の線間CCD素子９０２に移
送される。各線からの光信号は次に移送ゲート９
０７により水平方向のCCD素子９０６に対して
移送される。これ等の光信号は、第７図に示され
た方法と同様な方法で処理されるように出力ゲー
ト９１４と９１６に対しシフトされるのである。
は第９図に示される。個々の多重合感知域９００
内で生成された光信号は、移送ゲート９０４によ
つて複数の垂直方向の線間CCD素子９０２に移
送される。各線からの光信号は次に移送ゲート９
０７により水平方向のCCD素子９０６に対して
移送される。これ等の光信号は、第７図に示され
た方法と同様な方法で処理されるように出力ゲー
ト９１４と９１６に対しシフトされるのである。
第１図は本発明によるハイブリツド光感応素子
列の斜視図、第２図は本発明の望ましい実施態様
によるハイブリツド形色彩像感知素子列の一部を
示す縦断面図、第３ａ図は第２図のチヤネル構造
の偏倚されない状態を示す定性的なエネルギ帯域
図、第３ｂ図は第２図のチヤネル構造の偏倚され
た状態を示す定性的なエネルギ帯域図、第４図は
本発明によるハイブリツド形色彩像感知素子列の
別のチヤネル構造を示す部分的縦断面図、第５ａ
図は第４図の偏倚されない状態の別のチヤネル構
造を示す定性的エネルギ帯図、第５ｂ図は第４図
の偏倚された状態の別のチヤネル構造を示す定性
的エネルギ帯図、第６ａ図は上部チヤネルの相対
的なスペクトル感度を示すグラフ、第６ｂ図は下
部チヤネルの相対的なスペクトル感度を示すグラ
フ、第６ｃ図は黄フイルタの相対的な透過率を示
すグラフ、第６ｄ図はシアン・フイルタの相対的
な透過率を示すグラフ、第６ｅ図は広帯域遮断フ
イルタの相対的な透過率を示すグラフ、第６ｆ図
はろ波後のチヤネルのスペクトル感度を示すグラ
フ、第７図は光信号がリニアCCDの電荷伝送チ
ヤネルにおいて生成される本発明によるリニア・
ハイブリツド形色彩像センサーの読出し構成を示
す図、第８図は光信号が別の光集中域で生成され
て読出しのため隣接のリニアCCDに送られる本
発明のリニア形色彩像センサーの別の読出し構成
を示す図、および第９図は本発明により構成され
る線間伝送タイプの面域色彩像センサーを示す図
である。 １００……像センサー、１０２……電荷移送素
子、１０４……受光面、１０６……上部光感応チ
ヤネル、１０８……下部光感応チヤネル、１１
０，１１２……透明移送極板、１１４，１１６…
…出力接点、１２０……黄フイルタ、１２２……
シアンフイルタ、１２４……広帯域遮断フイル
タ、２０２……Ｐ形ケイ素基板、２０６……Ｎ形
層、２０７……Ｐ形層、２０８……エピタキシヤ
ル層、２１０，２１２……極板、２１４，２１６
……接点、２２０，２２２……減色フイルタ素
子、２２４……広帯域遮断フイルタ。
列の斜視図、第２図は本発明の望ましい実施態様
によるハイブリツド形色彩像感知素子列の一部を
示す縦断面図、第３ａ図は第２図のチヤネル構造
の偏倚されない状態を示す定性的なエネルギ帯域
図、第３ｂ図は第２図のチヤネル構造の偏倚され
た状態を示す定性的なエネルギ帯域図、第４図は
本発明によるハイブリツド形色彩像感知素子列の
別のチヤネル構造を示す部分的縦断面図、第５ａ
図は第４図の偏倚されない状態の別のチヤネル構
造を示す定性的エネルギ帯図、第５ｂ図は第４図
の偏倚された状態の別のチヤネル構造を示す定性
的エネルギ帯図、第６ａ図は上部チヤネルの相対
的なスペクトル感度を示すグラフ、第６ｂ図は下
部チヤネルの相対的なスペクトル感度を示すグラ
フ、第６ｃ図は黄フイルタの相対的な透過率を示
すグラフ、第６ｄ図はシアン・フイルタの相対的
な透過率を示すグラフ、第６ｅ図は広帯域遮断フ
イルタの相対的な透過率を示すグラフ、第６ｆ図
はろ波後のチヤネルのスペクトル感度を示すグラ
フ、第７図は光信号がリニアCCDの電荷伝送チ
ヤネルにおいて生成される本発明によるリニア・
ハイブリツド形色彩像センサーの読出し構成を示
す図、第８図は光信号が別の光集中域で生成され
て読出しのため隣接のリニアCCDに送られる本
発明のリニア形色彩像センサーの別の読出し構成
を示す図、および第９図は本発明により構成され
る線間伝送タイプの面域色彩像センサーを示す図
である。 １００……像センサー、１０２……電荷移送素
子、１０４……受光面、１０６……上部光感応チ
ヤネル、１０８……下部光感応チヤネル、１１
０，１１２……透明移送極板、１１４，１１６…
…出力接点、１２０……黄フイルタ、１２２……
シアンフイルタ、１２４……広帯域遮断フイル
タ、２０２……Ｐ形ケイ素基板、２０６……Ｎ形
層、２０７……Ｐ形層、２０８……エピタキシヤ
ル層、２１０，２１２……極板、２１４，２１６
……接点、２２０，２２２……減色フイルタ素
子、２２４……広帯域遮断フイルタ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 列状の複数の半導体像感知素子であつて、そ
の少くとも幾つかが第１と第２の光信号を生成す
るために重合された上部と下部の光感応チヤネル
を有し、前記上部と下部の光感応チヤネルの固有
のスペクトル感度が前記半導体像感知素子の物質
による光の吸収の相違により異なるように構成さ
れた前記複数の半導体像感知素子と、 前記列状の複数の半導体像感知素子上に配置さ
れた列状の複数の色フイルタ素子と、 を備えたことを特徴とし、更に前記列状の色フイ
ルタ素子が、 (1) 前記半導体像感知素子により生じる光信号
が、第１のスペクトル範囲内の光の波長に対す
る前記半導体像感知素子の感度を表わす１成分
と、第２のスペクトル範囲内の光の波長に対す
る前記半導体像感知素子の感度を表わす１成分
とを有するように前記半導体像感知素子のスペ
クトル感度を個々に調整するための第１の透過
率を有する複数の素子と、 (2) 前記半導体像感知素子により生じる光信号
が、前記第１のスペクトル範囲内の光の波長に
対する前記半導体像感知素子の感度を表わす１
成分と、第３の範囲内の光の波長に対する前記
半導体像感知素子の感度を表わす１成分とを有
するように前記半導体像感知素子のスペクトル
感度を個々に調整するための第２の透過率を有
する複数の素子と、 から成ることを特徴とするハイブリツド形色彩像
感知素子列。 ２ 前記上部の光感応チヤネルが前記半導体像感
知素子の物質の表面に対し約１ミクロンの深さ迄
延在することを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載の素子列。 ３ 前記第１と第２と第３のスペクトル範囲内の
光の波長がそれぞれ緑、青、赤の波長に対応する
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項又は第２
項記載の素子列。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US06/015,973 US4214264A (en) | 1979-02-28 | 1979-02-28 | Hybrid color image sensing array |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS55117931A JPS55117931A (en) | 1980-09-10 |
| JPH0135290B2 true JPH0135290B2 (ja) | 1989-07-25 |
Family
ID=21774631
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2331480A Granted JPS55117931A (en) | 1979-02-28 | 1980-02-26 | Hybrid color image sensor array |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4214264A (ja) |
| EP (1) | EP0015711B1 (ja) |
| JP (1) | JPS55117931A (ja) |
| DE (1) | DE3062858D1 (ja) |
Families Citing this family (30)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4277801A (en) * | 1980-02-04 | 1981-07-07 | Rca Corporation | Color filter having vertical color stripes with a nonintegral relationship to CCD photosensors |
| US4882616A (en) * | 1981-06-29 | 1989-11-21 | Nippon Electric Co., Ltd. | Color filter for a solid state imaging device |
| US4404586A (en) * | 1981-12-15 | 1983-09-13 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Solid-state color imager with stripe or mosaic filters |
| US4443813A (en) * | 1981-12-15 | 1984-04-17 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Solid-state color imager with two layer three story structure |
| US4536658A (en) * | 1983-01-05 | 1985-08-20 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Hybrid Schottky infrared focal plane array |
| FR2540320B1 (fr) * | 1983-01-28 | 1986-08-22 | Thomson Csf | Dispositif a transfert de charge photosensible de type lineaire pour l'analyse d'images en couleurs |
| US4514755A (en) * | 1983-07-08 | 1985-04-30 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Solid-state color imager with two layer three story structure |
| US4589030A (en) * | 1983-07-25 | 1986-05-13 | Kley Victor B | Solid state camera |
| JPS60130274A (ja) * | 1983-12-19 | 1985-07-11 | Toshiba Corp | 固体撮像装置 |
| US4829368A (en) * | 1986-04-07 | 1989-05-09 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Solid color pickup apparatus |
| EP0270567B1 (en) * | 1986-05-08 | 1996-10-23 | Santa Barbara Research Center | Infrared imager |
| US4939369A (en) * | 1988-10-04 | 1990-07-03 | Loral Fairchild Corporation | Imaging and tracking sensor designed with a sandwich structure |
| EP0568312A3 (en) * | 1992-04-27 | 1993-12-29 | Seiko Instr Inc | Semiconductor device with driver chip and methods of manufacture |
| US5298771A (en) * | 1992-11-09 | 1994-03-29 | Xerox Corporation | Color imaging charge-coupled array with photosensitive layers in potential wells |
| US5696626A (en) * | 1995-10-12 | 1997-12-09 | Xerox Corporation | Photosensitive silicon chip having a ridge near an end photosite |
| US6476374B1 (en) | 2000-04-25 | 2002-11-05 | Innovative Technology Licensing, Llc | Room temperature, low-light-level visible imager |
| US6483116B1 (en) | 2000-04-25 | 2002-11-19 | Innovative Technology Licensing, Llc | High performance ultraviolet imager for operation at room temperature |
| US6489642B1 (en) * | 2000-09-28 | 2002-12-03 | Eastman Kodak Company | Image sensor having improved spectral response uniformity |
| US6940061B2 (en) * | 2002-02-27 | 2005-09-06 | Agilent Technologies, Inc. | Two-color photo-detector and methods for demosaicing a two-color photo-detector array |
| JP4597932B2 (ja) * | 2006-09-19 | 2010-12-15 | 株式会社リコー | 画像読取信号処理ｉｃおよび画像読取装置と画像形成装置 |
| US8384559B2 (en) | 2010-04-13 | 2013-02-26 | Silicon Laboratories Inc. | Sensor device with flexible interface and updatable information store |
| EP2702375A2 (en) | 2011-04-25 | 2014-03-05 | Skybox Imaging, Inc. | Systems and methods for overhead imaging and video |
| US8432466B2 (en) | 2011-09-29 | 2013-04-30 | International Business Machines Corporation | Multiple image high dynamic range imaging from a single sensor array |
| WO2015192056A1 (en) | 2014-06-13 | 2015-12-17 | Urthecast Corp. | Systems and methods for processing and providing terrestrial and/or space-based earth observation video |
| US10871561B2 (en) | 2015-03-25 | 2020-12-22 | Urthecast Corp. | Apparatus and methods for synthetic aperture radar with digital beamforming |
| CA2990063A1 (en) | 2015-06-16 | 2017-03-16 | King Abdulaziz City Of Science And Technology | Efficient planar phased array antenna assembly |
| EP3380864A4 (en) | 2015-11-25 | 2019-07-03 | Urthecast Corp. | APPARATUS AND METHODS FOR OPEN SYNTHESIS RADAR IMAGING |
| US11378682B2 (en) | 2017-05-23 | 2022-07-05 | Spacealpha Insights Corp. | Synthetic aperture radar imaging apparatus and methods for moving targets |
| EP3631504B8 (en) | 2017-05-23 | 2023-08-16 | Spacealpha Insights Corp. | Synthetic aperture radar imaging apparatus and methods |
| EP3698167A4 (en) | 2017-11-22 | 2021-11-17 | Urthecast Corp. | SYNTHETIC OPENING RADAR FORMING APPARATUS AND ASSOCIATED PROCESSES |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5338942A (en) * | 1976-09-21 | 1978-04-10 | Mitsubishi Electric Corp | Communication control unit |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3717724A (en) * | 1971-02-02 | 1973-02-20 | Westinghouse Electric Corp | Solid state multi-color sensor |
| CA969596A (en) * | 1972-03-17 | 1975-06-17 | Shuji Kubo | Color target and method of manufacturing same |
| FR2189807B1 (ja) * | 1972-06-19 | 1977-09-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | |
| US3985449A (en) * | 1975-02-07 | 1976-10-12 | International Business Machines Corporation | Semiconductor color detector |
| US3971065A (en) * | 1975-03-05 | 1976-07-20 | Eastman Kodak Company | Color imaging array |
| US4047203A (en) * | 1976-05-12 | 1977-09-06 | Eastman Kodak Company | Color imaging array |
| CA1107379A (en) * | 1977-03-24 | 1981-08-18 | Eastman Kodak Company | Color responsive imaging device employing wavelength dependent semiconductor optical absorption |
-
1979
- 1979-02-28 US US06/015,973 patent/US4214264A/en not_active Expired - Lifetime
-
1980
- 1980-02-26 JP JP2331480A patent/JPS55117931A/ja active Granted
- 1980-02-27 EP EP80300584A patent/EP0015711B1/en not_active Expired
- 1980-02-27 DE DE8080300584T patent/DE3062858D1/de not_active Expired
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5338942A (en) * | 1976-09-21 | 1978-04-10 | Mitsubishi Electric Corp | Communication control unit |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0015711A1 (en) | 1980-09-17 |
| DE3062858D1 (en) | 1983-06-01 |
| EP0015711B1 (en) | 1983-04-27 |
| JPS55117931A (en) | 1980-09-10 |
| US4214264A (en) | 1980-07-22 |
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