JPH01315927A - Shadow mask pattern printing plate and its manufacture - Google Patents

Shadow mask pattern printing plate and its manufacture

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JPH01315927A
JPH01315927A JP1048513A JP4851389A JPH01315927A JP H01315927 A JPH01315927 A JP H01315927A JP 1048513 A JP1048513 A JP 1048513A JP 4851389 A JP4851389 A JP 4851389A JP H01315927 A JPH01315927 A JP H01315927A
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JP
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pattern
shadow mask
emulsion
plate
film
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Yasuhisa Otake
大竹 康久
Ankou Sengoku
仙石 安港
Mitsuaki Yamazaki
光明 山崎
Seiji Sago
佐合 誠司
Yutaka Tanaka
裕 田中
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Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Abstract

PURPOSE:To reduce the generation of the pattern detect to the minimum and to decrease the vacuum contact time in the exposure process extensively by forming a specific thickness of light untransmissible layer to the parts responding to holes in the effective area of a light transmissible shadow mask. CONSTITUTION:A pattern negative plate 1 with a light untransmissible emulsion film 2 and a light transmissible emulsion film 3, and a glass dry plate 5 are arranged and contacted, and then, ultraviolet rays or green rays 6 are radiated. Then, after an untransmissible emulsion image 7 reverse to the negative plate 1 is formed, it is soaked in an emulsion etching solution. As a result, the untransmissible emulsion film 7 is solved and removed, and an emulsion film 8 being the light transmissible film is left. After that, the deposited blackened silver is rubbed off in a darkroom. Then, ultraviolet rays or green rays are radiated, and the second development is applied to produce the blackened silver to form an emulsion film 10. After that, a fixation, a water washing, and a drying are applied to obtain a pattern plate 11. In this case, the film thickness of the emulsion film 10 is made 3-5mum.

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明のl」的〕 (産業上の利用分野) 本発明はシャドウマスクのパターン焼(=Iけ版及びそ
の製造方法に関するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Objective of the Invention] (Field of Industrial Application) The present invention relates to a shadow mask pattern printing plate and a method for manufacturing the same.

(従来の技術) 一般にカラーブラウン管用シャドウマスクは多数の開孔
を有し、電子銃から発射された赤・緑・青の蛍光体層に
対応した圧電子ビームかンヤドウマスク孔を通過し、各
々対応する蛍光体に射突し蛍光体を発光させるもので、
別名、色選別電極と呼ばれている。シャ]・ウマスフの
製造は一般にフォトエツチングと呼ばれる写真蝕刻技術
を用いて行なわれ、この製造方法の概要は以下の通りで
あ連続帯状金属板からなるシャドウマスク4Aを脱脂洗
浄後、両主面に一定膜厚の感光膜を形成する。
(Prior art) Shadow masks for color cathode ray tubes generally have a large number of holes, and the piezoelectric beams corresponding to the red, green, and blue phosphor layers emitted from the electron gun pass through the holes in the mask, each corresponding to a corresponding one. It is a device that hits a phosphor that causes the phosphor to emit light.
It is also called a color selection electrode. The manufacturing of the shadow mask 4A is generally carried out using a photo-etching technique called photoetching.The outline of this manufacturing method is as follows.After degreasing and cleaning the shadow mask 4A, which is made of a continuous strip-shaped metal plate, A photoresist film with a constant thickness is formed.

次いて、シャドウマスク開孔部に相当する部分か不透明
でそのマJ法か異なる一対のシャドウマスクのパターン
焼イでjけ版を、感光膜を形成したンヤドウマスク制の
表裏に配置し完全密着後紫外線にて露光を行う。その後
温水スプレーにてシャドウマスク開孔部に相当する未露
光の感光膜を溶解除去し、乾燥・ベーキングを施し開孔
部外に耐エツチング性を有す感光膜を残存させる。次い
でエツチング液を両面からスプレーし目的とする寸法の
シャドウマスク孔を穿設し、水洗・感光膜除去・水洗・
乾燥を施すことによりシャドウマスクが製造される。
Next, a pair of shadow mask pattern printing plates, which are opaque in the areas corresponding to the shadow mask openings and have different machining methods, are placed on the front and back sides of the mask system on which the photoresist film has been formed, and after completely adhering them. Exposure to ultraviolet light. Thereafter, the unexposed photoresist film corresponding to the openings of the shadow mask is dissolved and removed by hot water spray, and dried and baked to leave an etching-resistant photoresist film outside the openings. Next, spray etching solution on both sides to make shadow mask holes of the desired size, and then wash with water, remove the photoresist film, wash with water,
A shadow mask is manufactured by drying.

露光工程にて用いられるパターン焼付は版は一般的にエ
マルジョン型で、原版はフォ]・プロッターと呼ばれる
パターンジェネレーターにて作製される。原版は密着反
転にてマスターパターンとなり、このマスターパターン
から同様の密着反転にてンヤドウマスク製造工程に使用
される複数のパターン焼(1け版を多数枚作製する。パ
ターン焼イ」け版はンヤドウマスク開孔部に相当する所
か不透光で他の部分か透光な、はぼ平ti′i)なエマ
ルジョン膜を有する。不透光な部分の占る割合は5〜1
5%と少なく、ピンポールなどの欠点か発生する確率も
低い。また不透光な部分にピンホールかあった場合、エ
ツチングにて穿孔される結果、欠点になりにくい。
For pattern printing used in the exposure process, the plate is generally an emulsion type, and the original plate is produced using a pattern generator called a photo-plotter. The original plate becomes a master pattern by close contact reversal, and from this master pattern, multiple pattern printing (many single-digit plates are produced) used in the Nyadou mask manufacturing process. It has a nearly flat emulsion film that is opaque in parts corresponding to the holes and transparent in other parts. The ratio of opaque parts is 5 to 1
It is only 5%, and the probability of defects such as pin poles is also low. Also, if there is a pinhole in the opaque area, it will be etched, making it less likely to become a defect.

一方マスターパターンの作製はフォトプロッターにより
作製されたパターン原版の密着反転にて行なわれる。パ
ターンの形態としてはシャドウマスク開孔部に相当する
所以外か不透光となり、この部分の占る割合は85〜9
5%となる。この結果反転工程時のゴミ付着又はエマル
ジョン膜欠陥等により、ピンホール欠点の発生割合が増
加することは避けられない。ピンホール部は透明で反転
後のパターン焼イ」け版では黒点となり、その後のエツ
チング工程にて孔があく。従ってマスターパターンのピ
ンポール部は不透明なインキなとによって修整を施す必
要かあるか、修整には多くの時間か必要で修整箇所の盛
」二り部は密着不良による反転ムラを生じ昌い欠点を有
する。特に昨今の高精細マスク用パターンはパターンピ
ッチが細かく月つパターン111寸法も小さい為、修整
が非常に難しいことと併せて修整部の反転ムラも生じ易
く、最終的にシャドウマスク品位を低下させる確率が高
い。
On the other hand, the master pattern is produced by closely inverting a pattern original produced by a photoplotter. The shape of the pattern is opaque except for the part corresponding to the shadow mask opening, and the proportion of this part is 85 to 9.
It will be 5%. As a result, it is inevitable that the rate of occurrence of pinhole defects will increase due to dust adhesion or emulsion film defects during the reversal process. The pinhole area is transparent and appears as a black dot in the pattern printing plate after reversal, and a hole is created in the subsequent etching process. Therefore, it is necessary to retouch the pinpole part of the master pattern using opaque ink, and retouching takes a lot of time. have In particular, recent high-definition mask patterns have fine pattern pitches and small dimensions, making it extremely difficult to retouch and also tend to cause uneven reversal of the retouched area, which is likely to ultimately degrade the quality of the shadow mask. is high.

焼(=Iけパターンの基材は一般にフロートガラスが 
   ・用いられンヤドウマスクパターンを有するエマ
ルジョン面はほぼ平坦である。従って例えば特公昭5Q
1.3298号公報に示されている露光機を用いてンヤ
ドウマスクパターンをシャドウマスク制に形成された感
光膜に焼付ける際、シャドウマスクパターンと感光膜と
の密着がパターン焼付は版の周辺部から中央部に向って
進み易く、中央部まで完全に真空密着させるには、パタ
ーン焼(=Iけ版自体空気抜は溝を有していない結果、
パターンの大きさにもよるが80秒〜120秒という長
時間を必要とする。
The base material for the I-shaped pattern is generally float glass.
- The emulsion surface with the mask pattern used is almost flat. Therefore, for example,
When printing a shadow mask pattern onto a photoresist film formed in a shadow mask system using the exposure machine disclosed in 1.3298, the close contact between the shadow mask pattern and the photoresist film causes the pattern printing to occur around the periphery of the plate. In order to easily advance from the part to the center part, and to achieve complete vacuum adhesion to the center part, pattern printing (=I) is necessary because the plate itself does not have any air vent grooves.
Although it depends on the size of the pattern, a long time of 80 to 120 seconds is required.

この問題を解決するため、特公昭53−28092号公
報に示されている様にンヤドウマスクパターンの有効面
外の焼付はパターン上のエマルジョンを除去し、空気抜
けの道を作る手段が提案されている。しかしこの方法に
おいて、パターン焼付は版の周辺部の空気抜けは良くな
るが、パターン焼付は版中央部の空気抜けは改善されず
、パターン面積が大きくなる稈長時間の真空密着時間を
必要とすることは避けられない。又特公昭50−232
73号公報には、シャドウマスクパターン部を囲むゼラ
チン壁間に空気流通路が形成されているシャドウマスク
パターン及びその製造方法が提案され、真空密着時間短
縮を目的としている。しかしこの方法は工程数が多いた
めパターン欠陥が発生し易い欠点を有する。又、不透明
な必要パターン部周囲が透明なゼラチン膜で囲まれてい
るので、マスク素材表面に形成された感光膜にシャドウ
マスクパターンを焼付ける際その境界部で光の散乱が生
し、焼付はパターン寸法が変化し易い欠点を有している
In order to solve this problem, as shown in Japanese Patent Publication No. 53-28092, a method was proposed in which printing outside the effective surface of the mask pattern removes the emulsion on the pattern and creates a path for air release. ing. However, with this method, although pattern baking improves air venting at the periphery of the plate, pattern baking does not improve air venting at the center of the plate, and requires a long vacuum contact time, which increases the pattern area. is unavoidable. Also special public service 1972-232
Japanese Patent Application No. 73 proposes a shadow mask pattern in which an air flow passage is formed between gelatin walls surrounding a shadow mask pattern portion, and a method for manufacturing the same, with the aim of shortening the vacuum contact time. However, this method has the disadvantage that pattern defects are likely to occur due to the large number of steps. In addition, since the necessary opaque pattern area is surrounded by a transparent gelatin film, when the shadow mask pattern is printed on the photoresist film formed on the surface of the mask material, light scatters at the boundary, preventing printing. It has the disadvantage that pattern dimensions tend to change.

(発明が解決しようとする課題) 上述した様に、従来の焼付は版及びその製造方法ではパ
ターン焼付は版の作成工程が複雑でパターン焼付は版に
パターン欠陥が発生してしまう問題がある。さらにシャ
ドウマスクの製造工程中の露光]−程で両主面に感光層
の形成されたシャドウマスク材とパターン焼付は版とを
真空密着させるのに多大な時間を要し、生産効率を向上
させることかできない問題がある。
(Problems to be Solved by the Invention) As described above, with conventional printing plates and methods of manufacturing the same, pattern printing has a problem in that the process of creating the plate is complicated, and pattern printing causes pattern defects on the plate. Furthermore, during the exposure during the shadow mask manufacturing process, it takes a lot of time to vacuum-adhere the shadow mask material with photosensitive layers formed on both principal surfaces and the pattern printing plate, which improves production efficiency. There is a problem that cannot be solved.

本発明は上記問題点を解決するためになされたもので、
パターン欠陥の発生か極めて少なく、且つシャドウマス
クの製造工程中の露光工程で、シャドウマスク利とパタ
ーン焼付は版との真空密着時間を大幅に短縮することが
可能なシャドウマスクのパターン焼(−1け版及びその
製造方法を提供することを目的とする。
The present invention has been made to solve the above problems,
Shadow mask pattern printing (-1 The purpose of this paper is to provide a printing plate and its manufacturing method.

〔発明の構成〕[Structure of the invention]

(課題を解決するための手段) 本発明は、光透過プレート上にシャドウマスクの有効領
域内の開孔部に相当する部分に厚さ3μ■η乃至50μ
mの不透光層が形成されていることを特徴とするシャド
ウマスクのパターン焼付は版である。又、この焼付は版
の、シャドウマスクの非有効領域に相当する部分には厚
さ3μm乃至50μmの不連続な透光層を形成すること
ができる。
(Means for Solving the Problems) The present invention provides a light transmitting plate with a thickness of 3μ■η to 50μ at a portion corresponding to the opening in the effective area of the shadow mask.
The pattern printing of the shadow mask is a printing plate, which is characterized in that an opaque layer of m is formed. Moreover, this printing can form a discontinuous light-transmitting layer with a thickness of 3 μm to 50 μm in the portion of the plate corresponding to the ineffective area of the shadow mask.

さらに、本発明はシャドウマスク材の両主面に形成され
た感光膜にシャドウマスクのパターンを焼付ける露光工
程に用いられる焼イ」け版の製造方法であって、両面に
未露光のエマルジョン層を有する光透過プレートに、シ
ャドウマスクの有効領域内の開孔部に相当する部分か不
透光であるパターン原版を密着して露光する露光工程と
、前記エマルジョン層に反転パターンを形成する現像工
程と、前記反転パターンの露光された部分をエツチング
除去するエツチング工程と、前記光透過プレート上に残
存しているエマルジョン層を不透光層にするだめの工程
と、前記不透光層を定着させる定着工程とから成ること
を特徴とするシャドウマスクのパターン焼14け版の製
造方法である。
Furthermore, the present invention provides a method for manufacturing a printing plate used in an exposure process in which a shadow mask pattern is printed on photoresist films formed on both main surfaces of a shadow mask material. an exposure step in which a pattern original plate, which is opaque, is exposed in close contact with a light-transmitting plate having a pattern corresponding to the openings in the effective area of the shadow mask; and a development step in which a reverse pattern is formed in the emulsion layer. an etching step for etching away the exposed portion of the reverse pattern; a step for converting the emulsion layer remaining on the light-transmitting plate into a non-transparent layer; and fixing the non-transparent layer. This is a method for manufacturing a pattern printing plate of a shadow mask, characterized by comprising a fixing step.

さらにシャドウマスクの非有効領域に相当する部分に不
連続な透光層も同時に形成する場合には、両面に未露光
のエマルジョン層を有する光透過プレートに、シャドウ
マスクの有効領域内の開孔部に相当する部分及び非有効
領域に相当するの所望の部分が不透光であるパターン原
版を密着して露光する露光工程と、前記エマルジョン層
に反転パターンを形成する現像工程と、前記反転パター
ンの露光された部分をエツチング除去するエツチング工
程と、前記光透過プレート上に残存しているエマルジョ
ン層のうち有効領域内の開孔部に相当する部分のみを不
透光層にするための工程と、前記エマルジョン層を定着
させる定着工程とから成るシャドウマスクのパターン焼
付は版の製造方法をとることができる。
Furthermore, if a discontinuous light-transmitting layer is also formed at the same time in the portion corresponding to the non-effective area of the shadow mask, the openings in the effective area of the shadow mask are an exposure step of closely exposing a pattern master in which a portion corresponding to the area corresponding to the non-effective area and a desired portion corresponding to the non-effective area are opaque; a developing step of forming an inverted pattern on the emulsion layer; and a developing step of forming an inverted pattern on the emulsion layer; an etching step of etching away the exposed portion; a step of making only the portion of the emulsion layer remaining on the light-transmitting plate corresponding to the opening in the effective area into an opaque layer; The pattern printing of the shadow mask, which includes the fixing step of fixing the emulsion layer, can be performed using a plate manufacturing method.

(作 用) 本発明はシャドウマスクのパターン原版と同様の、シャ
ドウマスク開孔部に相当する部分のみ不透光なエマルジ
ョン層を有するシャドウマスクのパターン焼付は版を形
成することができ、従来の方法に比較し工程数が少ない
ためパターン欠陥発生数か極めて少ない。又残存エマル
ジョン層以外は試料か露出しているため、従来のシャド
ウマスク開孔部に位置する不透光なエマルジョン層以外
のエマルジョン部に発生ずるパターン欠陥は皆無で、欠
陥修整に費やす時間は大r11に削減できることと併せ
欠陥修整にて生じるパターン品位の低下も生しない。更
に露光工程において、シャドウマスク相」二に形成され
た感光膜とパターン焼付は版とを真空密着させる際、空
気流通路かパターン焼付は版全面に形成されていること
により瞬時に完全密着が可能で、シャ]・ウマスフの露
光工程IIh間を人11]に短縮できる。
(Function) The present invention can form a shadow mask pattern printing plate which has an opaque emulsion layer only in the portions corresponding to the shadow mask openings, similar to the shadow mask pattern original plate, and is similar to the conventional shadow mask pattern original plate. Compared to conventional methods, the number of pattern defects is extremely low because the number of steps is small. In addition, since the sample is exposed except for the remaining emulsion layer, there are no pattern defects that occur in the emulsion area other than the opaque emulsion layer located in the conventional shadow mask opening, and the time spent on defect repair is reduced. In addition to being able to reduce the number of defects to r11, there is no deterioration in pattern quality caused by defect correction. Furthermore, during the exposure process, when the photoresist film formed on the shadow mask phase 2 and the pattern printing plate are brought into close contact with each other under vacuum, complete adhesion can be achieved instantly because the air flow passages or pattern printing are formed on the entire surface of the plate. Therefore, the time required for the exposure process IIh of Sha] and Umasuf can be shortened to 11].

(実施例) 以下、本発明の実施例を図面を参照して説明する。(Example) Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

(実施例]) 作図機(例えばガーハ社製)第1・プロッター)にて、
ガラス乾板(例えばコダック社製HRP )に作画され
たンヤドウマスクパターンをパターン原版として用いる
。第2図に示す様にこのパターン原版2]は、ンヤドウ
マスク制かエツチング液にて蝕刻されるべき部分のみ不
透光のエマルジョン+1+22を有し他の部分は透光す
るエマルジョン膜23を有しているものである。
(Example)) Using a plotting machine (e.g., Gaha Co., Ltd. No. 1 plotter),
A mask pattern drawn on a glass dry plate (for example, HRP manufactured by Kodak) is used as a pattern original. As shown in FIG. 2, this pattern original plate 2 has an opaque emulsion +1+22 only in the part to be etched with an etching solution using a dark mask system, and a translucent emulsion film 23 in other parts. It is something that exists.

第1図(a)に示す様に不透光のエマルジョン膜2と透
光のエマルジョン膜3とを有すパターン原版1と、膜厚
か約6戸の未感光のエマルジョン膜4を有ずガラス乾板
5(例えばコダック社製HRP又はLPP、  コニカ
製PL)とを暗室中にて互いのエマルジョン面力救・j
向するように配置し、真空系を使用して完成密着させた
後、紫外線又は緑色光6を照射する。
As shown in FIG. 1(a), there is a pattern original plate 1 having an opaque emulsion film 2 and a light-transmitting emulsion film 3, and a glass plate having an unexposed emulsion film 4 having a film thickness of approximately 6 mm. A dry plate 5 (e.g. HRP or LPP manufactured by Kodak, PL manufactured by Konica) is placed in a dark room to remove the emulsion surface of each other.
After completing and adhering using a vacuum system, ultraviolet rays or green light 6 is irradiated.

次いで一般の写真化学処理と同様に20°Cの現像液(
例えばコダック社製スーパーRT現像液)にて3分乃至
4分間、Mコの現像を行い第1図(b)に示す様に、パ
ターン原版と逆の不透光のエマルション膜7を形成後、
3%氷酢酸液中で停止処理を行う。その後、塩化銅又は
重クロム酸カリウムなとの酸化剤液とアンモニア又は過
酸化水素などの樹脂分解剤液とを混合し、それに界面活
性剤を添加したエマルジョンエツチング液中に1分乃至
−]]− 3分間浸漬する。
Next, in the same way as in general photochemical processing, a developer solution (
After developing Mco for 3 to 4 minutes using (for example, Kodak Super RT developer) and forming an opaque emulsion film 7 opposite to that of the pattern original, as shown in FIG. 1(b),
A termination treatment is performed in a 3% glacial acetic acid solution. Thereafter, an oxidizing agent solution such as copper chloride or potassium dichromate and a resin decomposing agent solution such as ammonia or hydrogen peroxide are mixed, and a surfactant is added to the mixture to form an emulsion etching solution for 1 minute. - Soak for 3 minutes.

この処理を施すことにより、第1の現像にて得られた不
透光なエマルジョン膜7は溶解除去され、第1図(C)
に示す様に透光層であるエマルジョン膜8か残存する。
By performing this treatment, the opaque emulsion film 7 obtained in the first development is dissolved and removed, as shown in FIG. 1(C).
As shown in the figure, only the emulsion film 8, which is a light-transmitting layer, remains.

その後明室中で、リントフリー紙を用いてエマルジョン
膜が溶解時に沈着した黒化銀を流水中で軽く擦り取る。
Thereafter, in a bright room, using lint-free paper, the blackened silver deposited during dissolution of the emulsion film is lightly rubbed off under running water.

次いで紫外線又は緑色光りを照射し、透光するエマルジ
ョン膜8中のハロゲン化銀に現像核を形成し、第1の現
像と同様に現像液中で第2の現像を施し、第1図(d)
に示す様に黒化銀を生成してエマルジョン膜10を形成
する。次いて定着、水洗。
Next, ultraviolet rays or green light is irradiated to form development nuclei in the silver halide in the translucent emulsion film 8, and a second development is performed in a developer in the same manner as the first development. )
As shown in FIG. 2, blackened silver is generated to form an emulsion film 10. Next, fix and wash with water.

乾燥工程を経て、目的とするシャドウマスクのパターン
焼付は版]1を1!する。ここで得れられたシャドウマ
スクパターン11のエマルジョン膜10の膜厚は5μm
であった。
After the drying process, the pattern of the desired shadow mask is printed on the plate] 1 to 1! do. The thickness of the emulsion film 10 of the shadow mask pattern 11 obtained here is 5 μm.
Met.

この時のエマルジョン膜の膜厚は、31tm〜50μm
程度が好適である。それは以下の示す理由による。
The thickness of the emulsion film at this time is 31tm to 50μm.
degree is suitable. This is due to the reasons shown below.

まず、ガラス乾板に使用されている試料は一般的にフロ
ートガラスか用いられており、表面は完全に平坦ではな
く局部的なうねりを有す。又、シャドウマスク累月の両
主面に形成された感光膜も、局部的に膜厚変動を有す。
First, samples used on glass dry plates are generally made of float glass, and the surface is not completely flat but has local undulations. Furthermore, the photoresist films formed on both main surfaces of the shadow mask also have local thickness variations.

従って、残存エマルジョン膜の膜厚を3μm以下にした
場合、局部的なガラス試料のうねりと感光膜の膜厚変動
との影響を受け、形成される空気流通路が不充分な結果
、目的とする真空密着時間の短縮効果を得ることができ
ない。一方残存エマルジョン膜の膜厚を50μm以上に
した場合、ンヤドウマスク焼付は版に異物が付着して擦
られたり圧着された際にエマルジョン膜に傷が付き、パ
ターン欠陥を発生させ易い問題かある。
Therefore, when the thickness of the remaining emulsion film is set to 3 μm or less, the air flow passages formed are insufficient due to the effects of local waviness of the glass sample and fluctuations in the film thickness of the photosensitive film. It is not possible to obtain the effect of shortening the vacuum contact time. On the other hand, when the thickness of the remaining emulsion film is set to 50 μm or more, there is a problem in the double mask baking that foreign matter adheres to the plate and scratches the emulsion film when it is rubbed or pressed, easily causing pattern defects.

本実施例は、第1の現像後エツチングを施すことにより
、現像時に形成された不透孔部を溶解除去する。ガラス
試料とエマルジョン膜との付着は強固で、エツチングは
エマルジョン膜表面より進行する結果、残存するエマル
ジョン膜の断面形状は台形になり易い。この形状変化は
、露光現像条件は勿論エツチングの条件にても大きく左
右される。この不透孔エマルジョン膜の断面が台形状に
なったばあい、ガラス基材に接触するエマルジョン膜縁
部の膜厚が薄いため黒化度が低下17、両主面に感光膜
を形成したマスクオ旧こシャドウマスクパターンを焼付
ける際の光遮蔽力が低下する。
In this embodiment, etching is performed after the first development to dissolve and remove impermeable pores formed during development. The adhesion between the glass sample and the emulsion film is strong, and etching progresses from the surface of the emulsion film, so that the cross-sectional shape of the remaining emulsion film tends to be trapezoidal. This change in shape is greatly influenced not only by exposure and development conditions but also by etching conditions. When the cross section of this impermeable emulsion film is trapezoidal, the degree of blackening decreases because the edge of the emulsion film in contact with the glass substrate is thin17. The light shielding power when printing the old shadow mask pattern is reduced.

この結果、焼付けた感光膜のパターン寸法にばらつきを
生じ易い。テストの結果、所望するエマルジョン膜断面
が台形でも、上辺と下辺との差か5乃至30ハであれば
マスク品位に影響を与えない。この差の許容量は目的と
するパターンの寸法に依存することは勿論である。
As a result, variations in pattern dimensions of the printed photoresist film tend to occur. As a result of the test, even if the desired cross section of the emulsion film is trapezoidal, it does not affect the mask quality as long as the difference between the top side and the bottom side is 5 to 30 squares. Of course, the allowable amount of this difference depends on the dimensions of the target pattern.

ここで第2図に示される様に、もしシャドウマスクの有
効領域にあるパターン部の外枠パターン24か連続線で
形成されている場合には、シャドウマスクパターン内部
の空気抜けが阻害されるため、マスク品位に影響を与え
ない様に複数箇所を削り取り空気抜は部を形成すればよ
い。
Here, as shown in FIG. 2, if the outer frame pattern 24 of the pattern portion in the effective area of the shadow mask is formed by a continuous line, air venting inside the shadow mask pattern is inhibited. , air vents may be formed by cutting off multiple locations so as not to affect the quality of the mask.

本発明にて作られたシャドウマスクのパターン焼付は版
に発生した欠陥数は、従来の2回密着反転によって作製
されたものと比較し173〜1ハに減少した。又得られ
たパターン焼付は版を実際の露光工程に実装し、マスク
品位を低下させずに何処まで真空密着時間の短縮が可能
かテストを行った結果、従来80〜120秒必要として
いた密着時間がパターン面積に係らず40秒以下となり
、大巾な生産効率の向上を得た。更に、従来のパターン
焼伺は版の欠陥修整箇所の欠落によるマスク欠陥の発生
及び修整箇所の局部的密着不良によるマスクムラ不良の
発生は約半分以下になった。
The number of defects generated in the pattern printing of the shadow mask produced according to the present invention was reduced to 173 to 1 in comparison with that produced by the conventional two-time contact reversal process. In addition, we implemented the obtained pattern printing plate in the actual exposure process and tested to see how far the vacuum adhesion time could be shortened without degrading the mask quality.As a result, we found that the adhesion time, which conventionally required 80 to 120 seconds, was reduced. The process time was 40 seconds or less regardless of the pattern area, resulting in a significant improvement in production efficiency. Furthermore, in the conventional pattern burnout, the occurrence of mask defects due to omission of defect correction areas on the plate and the occurrence of mask unevenness defects due to local poor adhesion of correction areas have been reduced to about half or less.

(実施例2) 実施例1の第1の現像及び停止処理の後、塩化銅又は重
クロム酸カリウムなどの酸化剤液とアンモニア又は過酸
化水素などの樹脂分解剤とを混合し、それに界面活性剤
を添加したエマルジョンエツチング液を2kg / c
Jの圧力で1乃至2分スプレーを行い、且つスプレーは
紫外線又は緑色光を照射しながら行う。この処理にて第
1の現像にて得られた不透光のエマルジョン膜7は完全
に溶解除去され、透光するエマルジョン膜8のみ残存す
る。
(Example 2) After the first development and stop treatment in Example 1, an oxidizing agent solution such as copper chloride or potassium dichromate and a resin decomposing agent such as ammonia or hydrogen peroxide are mixed, and a surfactant is added to the mixture. 2kg/c of emulsion etching solution with added agent
Spray at a pressure of J for 1 to 2 minutes, and spray while irradiating with ultraviolet rays or green light. In this process, the non-light-transmitting emulsion film 7 obtained in the first development is completely dissolved and removed, leaving only the light-transmitting emulsion film 8.

次いて明室中で流水洗後、実施例1の第2の現像以後の
処理を施すことにより実施例1と同様の効果を発揮する
焼付はパターンを作製することができる。
Next, after rinsing with running water in a bright room, a pattern after the second development of Example 1 can be applied to produce a printing pattern exhibiting the same effect as in Example 1.

(実施例3) 作図機(例えばガーバー社製フォトプロッター)にて、
ガラス乾板(例えばコダック社製HRP)に作画された
シャドウマスクパターンをパターン原版として用いる。
(Example 3) Using a plotting machine (for example, a Gerber photoplotter),
A shadow mask pattern drawn on a glass dry plate (for example, HRP manufactured by Kodak) is used as a pattern original.

第5図にパターン原版25の平面図を示すが、これはシ
ャドウマスク開孔部に相当する箇所及びシャドウマスク
パターン部以外の所望する箇所にそれぞれ不透光なエマ
ルジョン膜2B及び27か形成され、それ以外の箇所は
透明なエマルジョン膜28が形成されているものである
FIG. 5 shows a plan view of the pattern original plate 25, which shows that non-transparent emulsion films 2B and 27 are formed at locations corresponding to the shadow mask openings and at desired locations other than the shadow mask pattern sections, respectively. A transparent emulsion film 28 is formed at other locations.

第3図(a)に示す如く不透光のエマルジョン膜2及び
12と透光のエマルジョン膜3とを有するパターン原版
1と、未感光のエマルジョン膜4を有すガラス乾板5(
例えばコダック社製HRP又はLPP、  コニカ製P
L)とを暗室中にて互いのエマルジョン面が対向するよ
うに配置し、真空系を使用して完成密着させた後、紫外
線又は緑色光6を照射する。次いで一般の写真化学処禅
と同様に、20℃の現像液(例えばコダック社製RT現
像液)にて3分乃至4分間第1の現像を行なう。これに
より第3図(b)に示す様にパターン原版と逆の不透光
のエマルジョン膜7を形成後、3%氷酢酸液中で停止処
理を施す。その後塩化銅又は重クロム酸カリウムなとの
酸化剤液とアンモニア又は過酸化水素などの樹脂分解剤
液とを混合し、それに界面活性剤を添加したエマルジョ
ンエツチング液中に1分乃至3分間浸漬するか、そのエ
ツチング液を1乃至3 kg / cJの圧力で1分乃
至2分間程吹き付ける。この処理を施すことにより、第
3図(C)に示す様に第1の現像にて得られた不透光な
エマルジョン膜7は溶解除去され、透光するエマルジョ
ン膜13及び14が残存する。水洗後、シャドウマスク
パターン部以外の位置する所望のエマルジョン膜13に
は光が当らぬよう遮蔽板15又は遮蔽フィルムにて隠し
た状態にて紫外線又は緑色光9を照射することにより、
シャドウマスク開孔部に相当するエマルジョン膜14中
のハロゲン化銀に現像核を形成し、第1の現像と同様の
現像液中に於て第2の現(象を施す。これにより、エマ
ルジョン膜14には黒化銀か生成して不透光となりエマ
ルジョン膜]3は透明のままで、それ以外の部分はガラ
ス試料か露1」ツシた状態となる。次いで停止・水洗・
乾燥を経ることにより、第3図(C)に示す様に1」的
とするシャドウマスクのパターン焼(=Iけ版31をI
I、3る。
As shown in FIG. 3(a), there is a pattern original plate 1 having opaque emulsion films 2 and 12 and a light-transmitting emulsion film 3, and a glass drying plate 5 having an unexposed emulsion film 4 (
For example, Kodak HRP or LPP, Konica P
L) and L) are placed in a dark room so that their emulsion surfaces face each other, and after they are completely brought into close contact using a vacuum system, they are irradiated with ultraviolet rays or green light 6. Next, a first development is performed for 3 to 4 minutes using a developer at 20° C. (for example, RT developer manufactured by Kodak) in the same manner as in general photochemical processing. As a result, as shown in FIG. 3(b), a light-opaque emulsion film 7 opposite to that of the pattern original is formed, and then a stop treatment is performed in a 3% glacial acetic acid solution. After that, mix an oxidizing agent solution such as copper chloride or potassium dichromate with a resin decomposing agent solution such as ammonia or hydrogen peroxide, and immerse it for 1 to 3 minutes in an emulsion etching solution in which a surfactant is added. Alternatively, spray the etching solution at a pressure of 1 to 3 kg/cJ for about 1 to 2 minutes. By carrying out this treatment, as shown in FIG. 3(C), the non-light-transmitting emulsion film 7 obtained in the first development is dissolved and removed, and the light-transmitting emulsion films 13 and 14 remain. After washing with water, the desired emulsion film 13 located outside the shadow mask pattern area is irradiated with ultraviolet rays or green light 9 while being hidden with a shielding plate 15 or a shielding film so that the desired emulsion film 13 located outside the shadow mask pattern area is not exposed to light.
Development nuclei are formed in the silver halide in the emulsion film 14 corresponding to the shadow mask openings, and a second development is performed in the same developer as the first development. In step 14, blackened silver is formed and becomes opaque, making the emulsion film] 3 remains transparent, and the rest of the glass sample is exposed to water.Next, it is stopped, washed with water,
After drying, as shown in FIG.
I, 3.

パターン焼イ・jけ版31の平面図を第6図に示すと、
前述の如くシャドウマスク開孔部に相当する箇所に不透
光のエマルジョン膜32を有し、シャトウマスク開孔部
以外の所望の箇所に透明なエマルジョン膜33を有し、
それ以外の箇所はガラス試料面34か露出したシャドウ
マスクのパターン焼(1り版31となっている。この時
のエマルション膜32の膜厚は約5μInであった。
FIG. 6 shows a plan view of the pattern printing plate 31.
As described above, a light-opaque emulsion film 32 is provided at a location corresponding to the shadow mask opening, and a transparent emulsion film 33 is provided at a desired location other than the shadow mask opening.
At other locations, the glass sample surface 34 was exposed and the pattern of the shadow mask was printed (one copy 31).The thickness of the emulsion film 32 at this time was approximately 5 μIn.

本発明にて作られたンヤドウマスクのパターン焼付は版
に発生した欠陥数は、従来の2回密着反転にて作製され
たものと比較し173〜1/4に減少した。又、得られ
た焼(=Iけ版を実際の露光工程に実装し、マスク品位
を低下させずに何処まで真空密着時間の短縮か可能かテ
ストを行った結果、従来80〜120秒必要としていた
密着時間がパターン面積に係らず40秒以下となり、大
IJな生産効率の向上を得た。更に、従来の焼付はパタ
ーンの欠陥修整箇所欠落によるマスク欠陥の発生、及び
修整箇所の局部的密着不良によるマスクムラ不良の発生
は約半分以下になった。
The number of defects generated on the printing plate of the Nyadou mask produced according to the present invention was reduced to 173 to 1/4 compared to that produced by conventional two-time contact reversal. In addition, we implemented the obtained printing plate in the actual exposure process and conducted a test to see how far the vacuum contact time could be shortened without degrading mask quality. The adhesion time was reduced to less than 40 seconds regardless of the pattern area, resulting in a significant improvement in production efficiency.Furthermore, with conventional printing, mask defects occur due to missing areas to be corrected, and local adhesion of areas to be corrected occurs with conventional printing. The occurrence of mask unevenness defects due to defects has been reduced by about half.

(実施例4) 第4図(a)及び第4図(1))は実施例3の第3図(
2I)及び第3図(b)と同様な方法で行なう。次に実
施例3と同様なエマルジョンエツチング液にてパターン
原版反転品を処理後、第4図(C)に示す如く紫外線又
は緑色光りを全面に照射する。これにより、残存したエ
マルジョン膜]3及び14中のハロケン化銀に現像核か
形成される。次いで第1の現像と同様の現像液中に於て
第2の現像は、シャドウマスクパターン部以外に位置す
る所望のエマルジョン膜13に現像液か(=1着しない
よう、遮蔽板又は遮蔽フィルム15て保護した状態にて
行う。この結果、現像後において現像液か(=1着しな
いエマルジョン膜13中には黒化銀が形成されず透明な
ままである。その後定着・水洗・乾燥を経ることにより
、第4図(d)に示す如く目的とするシャドウマスクの
パターン焼イ」け版41を1’3る。
(Example 4) Figures 4(a) and 4(1)) are similar to Figure 3(a) of Example 3.
2I) and in the same manner as in FIG. 3(b). Next, the pattern original plate inverted product is treated with the same emulsion etching solution as in Example 3, and then the entire surface is irradiated with ultraviolet rays or green light as shown in FIG. 4(C). As a result, development nuclei are formed in the silver halide in the remaining emulsion films 3 and 14. Next, the second development is carried out in the same developer as the first development by applying the developer to the desired emulsion film 13 located outside the shadow mask pattern area by applying the developer to the shielding plate or shielding film 15 so that the developer does not adhere to the desired emulsion film 13 located outside the shadow mask pattern area. As a result, after development, blackened silver is not formed in the emulsion film 13 that does not adhere to the developer solution (=1) and remains transparent. After that, it is fixed, washed with water, and dried. As shown in FIG. 4(d), the target shadow mask pattern is printed on the printing plate 41 by 1'3.

実施例であげたンヤドウマスクパターン部以外に位置す
る所望のエマルジョン膜]3は、シャドウマスクパター
ン部の真空密着を阻害しないための空気流通路を形成す
るもので、その形状及び配置に関してはテストを行って
適宜法めることかでき固定されたものではない。又シャ
ドウマスクパターン部の外枠パターンが連続で形成され
ている場合には、ンヤドウマスクパターン内部の空気抜
けか阻害されるため、マスク品位に影響を与えない程度
に複数箇所をわずかに削り取り空気抜は部を形成すれば
よい。
Desired emulsion film located outside the shadow mask pattern part mentioned in the example] 3 forms an air flow path so as not to impede the vacuum adhesion of the shadow mask pattern part, and its shape and arrangement were tested. It is not a fixed thing, but it can be changed as needed. In addition, if the outer frame pattern of the shadow mask pattern part is formed continuously, air venting inside the dark mask pattern will be obstructed, so several locations may be slightly scraped to the extent that the mask quality is not affected. It is sufficient to form a cut-out part.

(実施例5) 作図機にてガラス乾板に作画されたシャ]・ウマスフパ
ターンをパターン原版として用いる。
(Example 5) A pattern drawn on a glass dry plate using a drawing machine is used as a pattern original.

次に、パターン原版と未露光のガラス乾板とを水銀ラン
プを用いて密着反転露光し、現像、定着、乾燥させるこ
とによりパターン原版と逆の状態のマスターパターンを
形成する。 一方、透明なガラス板にドライフィルム状
の20〜5011/71の厚みを有するレジスト膜が形
成されたシート(例えば富士写真フィルム製のハンクス
A−125やデュポン製のリスI・ン3010等)を熱
ロールを用いて加温圧若し、第7図に示すように透明な
ガラスプレー!・51」二にレジスト膜53を転写形成
する。
Next, the pattern original plate and an unexposed glass dry plate are exposed in close contact with each other using a mercury lamp, and then developed, fixed, and dried to form a master pattern in a state opposite to that of the pattern original plate. On the other hand, a sheet (for example, Hanks A-125 manufactured by Fuji Photo Film, Ris I-N 3010 manufactured by DuPont, etc.) on which a dry film-like resist film having a thickness of 20 to 5011/71 is formed on a transparent glass plate is used. Use a heat roll to heat and press the transparent glass spray as shown in Figure 7!・A resist film 53 is transferred and formed on the second layer 51.

次に第8図に示すように、この未感光のレジスト膜53
を形成したガラスプレート5】と、先の密着反転により
得られたマスターパターン54を有するガラス乾板55
とを水銀ランプを用いて密着反転露光を行なう。
Next, as shown in FIG. 8, this unexposed resist film 53
A glass dry plate 55 having a master pattern 54 formed thereon and a master pattern 54 obtained by the previous contact inversion.
Then perform contact inversion exposure using a mercury lamp.

次いで、第9図に示すように、炭酸ソーダなとの弱アル
カリ液で現像、水洗、乾燥することにより、シャドウマ
スクの開孔部に相当する部分が凸状のレジストパターン
56か残存し、これが第10図に示すように不透光層5
2となり、シャドウマスクのパターン焼付は版か得られ
る。
Next, as shown in FIG. 9, by developing with a weak alkaline solution such as soda carbonate, washing with water, and drying, a convex resist pattern 56 remains in the portion corresponding to the opening of the shadow mask. As shown in FIG.
2, and the pattern of the shadow mask can be printed on a plate.

不透光層52はダークブルー又は赤に着色しており、光
を遮蔽する能力を有している。
The opaque layer 52 is colored dark blue or red and has the ability to block light.

なお、着色が不十分な場合には黒色又は赤色の顔料や染
料を用いて不透光層52のみ再着色させれば良い。
Note that if the coloring is insufficient, only the opaque layer 52 may be recolored using a black or red pigment or dye.

又、本実施例ではエマルジョン層のかわりにドライフィ
ルムを用いたが、これはパターンの膜厚を厚くとる場合
に有効である。
Further, in this embodiment, a dry film was used instead of the emulsion layer, but this is effective when the film thickness of the pattern is increased.

(実施例6) 作図機にてガラス乾板に作画されたシャドウマスクパタ
ーンをパターン原版として用いる。
(Example 6) A shadow mask pattern drawn on a glass dry plate with a drawing machine is used as a pattern original.

一方、透明なガラス板にドライフィルム状の20〜50
μmの厚みを有するレジスト膜が形成されたシート(例
えば富士写真フィルム製のバンクスA、−125やデュ
ポン製のリストン3010等)を熱ロールを用いて加温
圧着し、第7図に示すように透明なガラスプレート51
上にレジスト膜53を転写形成する。    ゛ 次に第8図に示すように、この未感光のレジスト膜53
を形成したガラスプレー1・51と、先の密着反転によ
り得られ゛たマスターパターン54を有するガラス乾板
55とを水銀ランプを用いて密着反転露光を行なう。
On the other hand, a dry film of 20 to 50
A sheet on which a resist film with a thickness of μm is formed (for example, Banks A, -125 manufactured by Fuji Photo Film, Liston 3010 manufactured by DuPont, etc.) is heated and pressed using a hot roll, and as shown in FIG. transparent glass plate 51
A resist film 53 is transferred and formed thereon.゛Next, as shown in FIG. 8, this unexposed resist film 53 is
The glass plate 1, 51 on which the pattern was formed and the glass dry plate 55 having the master pattern 54 obtained by the previous contact reversal are subjected to contact reversal exposure using a mercury lamp.

次いで、第9図に示すように、トリクロルエタンなどの
有機溶剤を用いて現像し乾燥することにより、シャドウ
マスクの開孔部に相当する部分にはレジスト膜53か残
存せず、それ以外の部分がレジスト膜53が被覆された
レジストパターン56を形成する。次いで、黒色又は赤
色の顔料や染色にて稲色した水溶性感光樹脂(例えばポ
リビニルアルコール、牛乳カゼイン等)と重クロム酸ナ
トリウムからなる有機材料57を、シャドウマスクの開
孔部に相当する凹部に充填し、紫外線又は熱源を用いて
完全硬化させる。この凹部に充填する有機材料57の厚
さは任意にコントロールできる。
Next, as shown in FIG. 9, by developing and drying using an organic solvent such as trichloroethane, no resist film 53 remains in the portions corresponding to the openings of the shadow mask, and the other portions are forms a resist pattern 56 covered with the resist film 53. Next, an organic material 57 made of a black or red pigment or a water-soluble photosensitive resin (for example, polyvinyl alcohol, milk casein, etc.) dyed a light brown color and sodium dichromate is placed in the recesses corresponding to the openings of the shadow mask. Fill and fully cure using UV light or a heat source. The thickness of the organic material 57 filled in this recess can be controlled arbitrarily.

そのあと、塩化メチレンなどの有機溶剤を用いて最初に
形成されたシャドウマスクの開孔部に位置しない残存レ
ジスト膜56のみ溶解除去する。この結果、第10図に
示すようにシャドウマスクの開孔部に相当する部分が不
透明で凸状の不透光層52を有するシャドウマスクのパ
ターン焼き焼付は版が得られる。
Then, using an organic solvent such as methylene chloride, only the remaining resist film 56 that is not located in the opening of the shadow mask initially formed is dissolved and removed. As a result, as shown in FIG. 10, a pattern printing plate of the shadow mask is obtained in which the portions corresponding to the openings of the shadow mask are opaque and have a convex non-transparent layer 52.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

本発明によれば、シャドウマスク製造工程の露光工程に
おいてマスク累月とパターン焼付は版とを瞬時に完全密
着させることができ、生産効率を大幅に向上させること
が可能となる。さらに本発明によれば、パターン焼付は
版の作製が簡便で工程数が少ないためシャドウマスクの
パターン欠陥数が大幅に減少しマスク不良発生率を減少
させることかできる。
According to the present invention, in the exposure step of the shadow mask manufacturing process, the mask layer and the pattern printing can be instantly brought into complete contact with the plate, making it possible to significantly improve production efficiency. Further, according to the present invention, since pattern printing is simple in preparing a plate and requires a small number of steps, the number of pattern defects in a shadow mask can be greatly reduced, and the rate of occurrence of mask defects can be reduced.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明の作製工程を説明するための工程の模式
図、第2図はパターン原版の模式図、第3図及び第4図
は本発明の他の作製工程を説明するための工程の模式図
、第5図は他のパターン原版の模式図、第6図は本発明
のパターン焼付は版の模式図、第7図乃至第10図は本
発明の他の作製工程を説明するだめの工程の模式図であ
る。 第2図 第5図 4】 第4図 第6図
FIG. 1 is a schematic diagram of a process for explaining the manufacturing process of the present invention, FIG. 2 is a schematic diagram of a pattern original, and FIGS. 3 and 4 are process diagrams for explaining other manufacturing processes of the present invention. FIG. 5 is a schematic diagram of another pattern original plate, FIG. 6 is a schematic diagram of a printing plate for pattern printing of the present invention, and FIGS. 7 to 10 are for explaining other manufacturing steps of the present invention. FIG. Figure 2 Figure 5 Figure 4 Figure 4 Figure 6

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)光透過プレート上にシャドウマスクの有効領域内
の開孔部に相当する部分に厚さ3μm乃至50μmの不
透光層が形成されていることを特徴とするシャドウマス
クのパターン焼付け版。
(1) A pattern printing plate for a shadow mask, characterized in that an opaque layer with a thickness of 3 μm to 50 μm is formed on a light transmitting plate in a portion corresponding to the opening in the effective area of the shadow mask.
(2)光透過プレート上にシャドウマスクの有効領域内
の開孔部に相当する部分には厚さ3μm乃至50μmの
不透光層が形成され、シャドウマスクの非有効領域に相
当する部分には厚さ3μm乃至50μmの不連続な透光
層が形成されていることを特徴とするシャドウマスクの
パターン焼付け版。
(2) An opaque layer with a thickness of 3 μm to 50 μm is formed on the light transmitting plate in the areas corresponding to the openings in the effective area of the shadow mask, and in the areas corresponding to the non-effective areas of the shadow mask. A pattern printing plate for a shadow mask, characterized in that a discontinuous light-transmitting layer with a thickness of 3 μm to 50 μm is formed.
(3)シャドウマスク材の両主面に形成された感光膜に
シャドウマスクのパターンを焼付ける露光工程に用いら
れる焼付け版の製造方法であって、両面に未露光のエマ
ルジョン層を有する光透過プレートに、シャドウマスク
の有効領域内の開孔部に相当する部分が不透光であるパ
ターン原版を密着して露光する露光工程と、前記エマル
ジョン層に反転パターンを形成する現像工程と、前記反
転パターンの不透孔部をエッチング除去するエッチング
工程と、前記光透過プレート上に残存しているエマルジ
ョン層を不透光層にするための露光現像工程と、前記不
透光層を定着させる定着工程とから成ることを特徴とす
るシャドウマスクのパターン焼付け版の製造方法。
(3) A method for manufacturing a printing plate used in an exposure process in which a shadow mask pattern is printed on a photoresist film formed on both main surfaces of a shadow mask material, the light transmission plate having an unexposed emulsion layer on both sides. an exposure step of closely exposing a pattern master in which portions corresponding to the openings in the effective area of the shadow mask are opaque; a developing step of forming an inverted pattern in the emulsion layer; and a developing step of forming an inverted pattern in the emulsion layer. an etching step for etching away impermeable pores; an exposure and development step for turning the emulsion layer remaining on the light-transmitting plate into an opaque layer; and a fixing step for fixing the opaque layer. A method for producing a patterned shadow mask pattern printing plate, comprising:
(4)シャドウマスク材の両主面に形成された感光膜に
シャドウマスクのパターンを焼付ける露光工程に用いら
れる焼付け版の製造方法であって、両面に未露光のエマ
ルジョン層を有する光透過プレートに、シャドウマスク
の有効領域内の開孔部に相当する部分及び非有効領域に
相当する所望の部分が不透光であるパターン原版を密着
して露光する露光工程と、前記エマルジョン層に反転パ
ターンを形成する現像工程と、前記反転パターンの不透
孔部をエッチング除去するエッチング工程と前記光透過
プレート上に残存しているエマルジョン層のうち有効領
域内に相当する部分のみを不透光層にするための露光現
像工程と、前記エマルジョン層を定着させる定着工程と
から成ることを特徴とするシャドウマスクのパターン焼
付け版の製造方法。
(4) A method for manufacturing a printing plate used in an exposure process in which a shadow mask pattern is printed on a photoresist film formed on both main surfaces of a shadow mask material, the light transmission plate having an unexposed emulsion layer on both sides. an exposure step of closely exposing a pattern original in which portions corresponding to the openings in the effective area of the shadow mask and desired portions corresponding to the non-effective areas are opaque; and a reverse pattern is formed on the emulsion layer. an etching process to etch away the non-transparent holes of the inverted pattern; and an etching process to remove the non-transparent holes of the reversal pattern, and convert only the portion of the emulsion layer remaining on the light-transmitting plate that corresponds to the effective area into a non-transparent layer. 1. A method for producing a pattern printing plate for a shadow mask, comprising an exposure and development step for fixing the emulsion layer, and a fixing step for fixing the emulsion layer.
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