JPH01312616A - Driving circuit for data bus - Google Patents

Driving circuit for data bus

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JPH01312616A
JPH01312616A JP14432288A JP14432288A JPH01312616A JP H01312616 A JPH01312616 A JP H01312616A JP 14432288 A JP14432288 A JP 14432288A JP 14432288 A JP14432288 A JP 14432288A JP H01312616 A JPH01312616 A JP H01312616A
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JP
Japan
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data bus
data
transistor
transistors
bus
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Application number
JP14432288A
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Japanese (ja)
Inventor
Hiroyuki Kawai
浩行 河合
Shinichi Nakagawa
伸一 中川
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Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
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Publication of JPH01312616A publication Critical patent/JPH01312616A/en
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Abstract

PURPOSE:To always attain accurate data transfer by turning on first and third transistors only in a data bus write permission period at the time of a test mode, and complementarily turning off second and fourth transistors in correspondence with the signal of data to be written into a data bus. CONSTITUTION:At the test mode, the second and fourth transistors 11 and 14 are complementarily, turned off in correspondence with data to be written into the data bus 2, and the data bus 2 is connected with a power source or a ground, whereby the writing into the data bus 2 is attained. In a period when the writing into the data bus 2 is not permitted at the test mode, the first and third transistors 10 and 13 are turned off, and therefore the data bus 2 can be held in a high impedance state. Thus, accurate data transfer is attained even in the test mode when a cycle time is long.

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野コ この発明は、データバス駆動回路に関し、さらに特定的
には、通常モードでは短いサイクルタイムで動作し、テ
ストモードでは長いサイクルタイムで動作する集積回路
装置に用いられるデータバスを駆動するための回路に関
する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] This invention relates to data bus driving circuits, and more particularly to integrated circuits that operate with short cycle times in normal mode and long cycle times in test mode. The present invention relates to a circuit for driving a data bus used in a circuit device.

[従来の技術] 第3図は、従来の半導体集積回路装置の一般的構成およ
びそれに接続されたテスト装置を示すブロック図である
。図において、LSIチップ1には、各回路間でデータ
の伝送を行なうためのデータバス2が設けられる。この
データバス2には、データメモリ3や、ALU4や、ロ
ジック回路(たとえばインバータや各種ゲート回路等)
5などが接続される。但し、この第3図は集積回路装置
の一例を示したにすぎず、データバス2には図示とは異
なる回路が接続されるかもしれない。さらに、LSIチ
ップ1には、データバス2を駆動するためのバス駆動回
路6が設けられる。なお、本願発明は、このバス駆動回
路6の改良に係るのである。
[Prior Art] FIG. 3 is a block diagram showing the general configuration of a conventional semiconductor integrated circuit device and a test device connected thereto. In the figure, an LSI chip 1 is provided with a data bus 2 for transmitting data between each circuit. This data bus 2 includes a data memory 3, an ALU 4, and logic circuits (such as inverters and various gate circuits).
5 etc. are connected. However, this FIG. 3 merely shows an example of an integrated circuit device, and a circuit different from that shown in the figure may be connected to the data bus 2. Further, the LSI chip 1 is provided with a bus drive circuit 6 for driving the data bus 2. Note that the present invention relates to an improvement of this bus drive circuit 6.

上記のような構成において、LSIチップ1のテストを
行なう場合には、外部のテスト装置7がLSIチップ1
の入出力ピンを介してロジック回路5に接続される。
In the above configuration, when testing the LSI chip 1, the external test device 7 tests the LSI chip 1.
It is connected to the logic circuit 5 via the input/output pins of.

第4図は、従来のバス駆動回路の構成を示す図である。FIG. 4 is a diagram showing the configuration of a conventional bus drive circuit.

図において、データバス2は、接地との間に寄生容量8
を有している。また、データバス2と電源Vddとの間
には、そのドレイン電極がデータバス2に接続され、そ
のソース電極が電源Vddに接続されたPチャネル型ト
ランジスタ9が介挿される。このトランジスタ9のゲー
ト電極には、プリチャージクロックTp Cが与えられ
る。
In the figure, the data bus 2 has a parasitic capacitance 8 between it and ground.
have. Furthermore, a P-channel transistor 9 whose drain electrode is connected to the data bus 2 and whose source electrode is connected to the power source Vdd is inserted between the data bus 2 and the power source Vdd. A precharge clock TpC is applied to the gate electrode of this transistor 9.

このトランジスタ9は、データバス2のプリチャージを
行なうためのトランジスタであり、したがって以下この
トランジスタをプリチャージ用トランジスタと称する。
This transistor 9 is a transistor for precharging the data bus 2, and is therefore hereinafter referred to as a precharging transistor.

さらに、データバス2と接地との間には直列に接続され
た2つのNチャネル型トランジスタ10および11が介
挿される。トランジスタ10は、そのドレイン電極がデ
ータバス2に接続され、そのソース電極がトランジスタ
11のドレイン電極に接続されている。また、トランジ
スタ11のソース電極は接地されている。トランジスタ
10のゲート電極には、バス書込許可信号TBsが与え
られる。トランジスタ11のゲート電極には、ラッチ1
2の出力が与えられる。
Furthermore, two N-channel type transistors 10 and 11 connected in series are inserted between data bus 2 and ground. The transistor 10 has its drain electrode connected to the data bus 2 and its source electrode connected to the drain electrode of the transistor 11. Further, the source electrode of the transistor 11 is grounded. A bus write enable signal TBs is applied to the gate electrode of transistor 10. A latch 1 is connected to the gate electrode of the transistor 11.
2 outputs are given.

このラッチ12は、データバス2に書込むべきデータD
Iを保持している。
This latch 12 holds the data D to be written to the data bus 2.
Holds I.

次に、第4図に示す従来回路の動作について説明する。Next, the operation of the conventional circuit shown in FIG. 4 will be explained.

このバス駆動回路は、データバスのプリチャージ方式を
採用しているので、まずプリチャージクロックrpcが
一定期間″L″レベルとされ、プリチャージ用トランジ
スタ9が導通状態にされる。そのため、電源Vddから
データバス2の寄生容量8に電荷が充電され、データバ
ス2が“Hルベルにプリチャージされる。データバス2
のプリチャージ期間が終了すると今度はデータバス2の
書込期間に入り、一定期間バス書込許可信号Tasが“
H2レベルにされる。そのため、当該一定期間の間トラ
ンジスタ10が導通状態となっている。このとき、ラッ
チ12の出力が′H″レベルであれば、トランジスタ1
1が導通状態となり、寄生容量8に充電された電荷が接
地に引抜かれる。その結果、データバス2の電位が“L
″レベルなる。一方、このときラッチ12の出力が“L
“であれば、トランジスタ11は非導通状態となってお
り、寄生容量8からの電荷引抜きは行なわれない。その
ため、データバス2の電位はH”レベルに保持されてい
る。したがって、データバス2には、入力データDIの
反転信号が出力される。
Since this bus drive circuit employs a data bus precharging method, first, the precharge clock rpc is kept at the "L" level for a certain period of time, and the precharging transistor 9 is made conductive. Therefore, the parasitic capacitance 8 of the data bus 2 is charged from the power supply Vdd, and the data bus 2 is precharged to the "H level."
When the precharge period ends, the write period of data bus 2 begins, and the bus write enable signal Tas remains “ for a certain period of time.
It will be brought to H2 level. Therefore, the transistor 10 is in a conductive state for the certain period of time. At this time, if the output of the latch 12 is 'H' level, the transistor 1
1 becomes conductive, and the charge charged in the parasitic capacitance 8 is drawn out to ground. As a result, the potential of data bus 2 is “L”.
” level. On the other hand, at this time, the output of the latch 12 becomes “L” level.
If so, the transistor 11 is in a non-conductive state, and charge is not extracted from the parasitic capacitance 8. Therefore, the potential of the data bus 2 is held at the H level. Therefore, an inverted signal of the input data DI is output to the data bus 2.

以上の動作は、通常モードおよびテストモード(第3図
に示すようなテスト装置7でLSIチップ1のテストを
行なうためのモード)にかかわらず同じである。
The above operation is the same regardless of the normal mode or the test mode (a mode for testing the LSI chip 1 with the test device 7 as shown in FIG. 3).

[発明が解決しようとする課題] ところで、通常モードにおいてはLSIチップ1の動作
速度すなわちサイクルタイムは極めて高速(たとえば数
ns)である。これに対し、テストモード(すなわち、
第3図に示すようなテスト装置7でLSIチップ1のテ
ストを実行するモード)においては、テスト装置7がユ
ーザプログラムによって動作するため、LSIチップ1
のサイクルタイムはそのユーザプログラムによって規制
される。そして、このユーザプログラムに従うサイクル
タイムは、一般に極めて遅いもの(たとえば数μs)に
なっている。したがって、データバス2へのデータ書込
期間も長くなるが、“H”レベルをデータバス2に出力
する場合(この場合、トランジスタ9.10および11
のいずれも非導通状態となっている)は、寄生容量8に
充電された電荷がトランジスタ10および11を流れる
リーク電流によって徐々に減少し、データバス2の電位
も“H″レベルら徐々に低下する。その結果、データバ
ス2の論理値が本来″H″であったものが、“L“と判
断されてしまう場合があり、誤動作の原因となる。
[Problems to be Solved by the Invention] Incidentally, in the normal mode, the operating speed, that is, the cycle time, of the LSI chip 1 is extremely high (for example, several ns). In contrast, test mode (i.e.
In the mode in which the test device 7 tests the LSI chip 1 as shown in FIG.
The cycle time of is regulated by its user program. The cycle time according to this user program is generally extremely slow (for example, several μs). Therefore, the period for writing data to data bus 2 becomes longer, but when outputting "H" level to data bus 2 (in this case, transistors 9, 10 and 11
(all of them are in a non-conducting state), the electric charge charged in the parasitic capacitance 8 gradually decreases due to the leakage current flowing through the transistors 10 and 11, and the potential of the data bus 2 gradually decreases from the "H" level. do. As a result, the logical value of the data bus 2, which was originally "H", may be determined to be "L", causing malfunction.

この発明は、上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、サイクルタイムが長いテストモード時にも
正確なデータ転送が行なえるデータバスの駆動回路を提
供することを目的とする。
The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and it is an object of the present invention to provide a data bus drive circuit that can perform accurate data transfer even in a test mode with a long cycle time.

[課題を解決するための手段] この発明に係るデータバスの駆動回路は、データバスと
電源との間に介挿されたプリチャージ用トランジスタと
、データバスと電源との間に直列に接続されて介挿され
た第1および第2のトランジスタと、データバスと接地
との間に直列に接続されて介挿された第3および第4の
トランジスタと、プリチャージ用トランジスタを通常モ
ード時におけるデータバスプリチャージ期間のみオンさ
せるための手段と、第1および第3のトランジスタを通
常モード時におけるデータバス書込期間およびテストモ
ード時におけるデータバス書込許可期間のみオンさせる
ための手段と、第2および第4のトランジスタをデータ
バスに書込むべきデータの信号に応じて相補的にオン・
オフさせるための手段とを備えるようにしたものである
[Means for Solving the Problems] A data bus drive circuit according to the present invention includes a precharging transistor inserted between the data bus and the power source, and a precharging transistor connected in series between the data bus and the power source. the first and second transistors inserted in the normal mode, the third and fourth transistors connected in series between the data bus and the ground, and the precharging transistor. means for turning on only the bus precharge period; means for turning on the first and third transistors only during the data bus write period in the normal mode and the data bus write permission period in the test mode; and the fourth transistor is turned on and off in a complementary manner according to the data signal to be written to the data bus.
The device also includes means for turning off the power.

[作用] テストモードにおいてはデータバスに書込むべきデータ
に応じて第2および第4のトランジスタを相補的にオン
オフし、データバスを電源もしくは接地と接続させるこ
とにより、データバスへの書込を行なうようにしている
。また、テストモードにおいてデータバスへの書込みが
許可されない期間は、第1および第3のトランジスタを
いずれもオフさせることにより、データバスをハイイン
ピーダンス状態に保つ。
[Function] In the test mode, the second and fourth transistors are turned on and off in a complementary manner according to the data to be written to the data bus, and the data bus is connected to the power supply or ground, thereby preventing writing to the data bus. I try to do it. Furthermore, during a period in which writing to the data bus is not permitted in the test mode, both the first and third transistors are turned off to maintain the data bus in a high impedance state.

[実施例] 第1図はこの発明の一実施例を示す回路図である。なお
、この実施例において第4図に示す従来回路と同様の部
分には同一の参照番号を付しその説明を省略する。
[Embodiment] FIG. 1 is a circuit diagram showing an embodiment of the present invention. In this embodiment, the same reference numerals are given to the same parts as in the conventional circuit shown in FIG. 4, and the explanation thereof will be omitted.

第1図の実施例では、第4図に示す従来回路の構成に、
Pチャネル型トランジスタ13および14とインバータ
15とが追加されている。トランジスタ13および14
は直列に接続されてデータバス2と電源Vddとの間に
介挿されている。トランジスタ13はそのドレイン電極
がデータバス2に接続され、そのソース電極がトランジ
スタ14のドレイン電極に接続されている。また、トラ
ンジスタ14のソース電極は電源Vddに接続されてい
る。そして、トランジスタ13のゲート電極には、バス
書込許可信号Tasがインバータ15によって反転され
て与えられている。また、トランジスタ14のゲート電
極には、ラッチ12の出力が与えられている。ここで、
トランジスタ13および14のサイズ(たとえばゲート
幅)は、プリチャージ用トランジスタ9のそれに比べて
小さく選ばれている。これによって、トランジスタの増
加に伴うチップ面積の増大を低減することができる。
In the embodiment shown in FIG. 1, the configuration of the conventional circuit shown in FIG.
P-channel transistors 13 and 14 and an inverter 15 are added. Transistors 13 and 14
are connected in series and inserted between the data bus 2 and the power supply Vdd. The transistor 13 has its drain electrode connected to the data bus 2, and its source electrode connected to the drain electrode of the transistor 14. Further, the source electrode of the transistor 14 is connected to the power supply Vdd. A bus write enable signal Tas is inverted by an inverter 15 and applied to the gate electrode of the transistor 13. Furthermore, the output of the latch 12 is applied to the gate electrode of the transistor 14 . here,
The size (eg, gate width) of transistors 13 and 14 is selected to be smaller than that of precharge transistor 9. This makes it possible to reduce the increase in chip area due to the increase in the number of transistors.

次に、第1図に示す実施例の動作を説明する。Next, the operation of the embodiment shown in FIG. 1 will be explained.

まず、通常モードにおける動作を説明する。この場合、
最初にプリチャージクロックTp Cを一定期間“L#
レベルに固定して、プリチャージ用トランジスタ9を導
通状態にし、データバス2の電位を電源電圧Vddにま
でチャージアップする。
First, the operation in normal mode will be explained. in this case,
First, the precharge clock TpC is set to “L#” for a certain period of time.
The precharging transistor 9 is made conductive, and the potential of the data bus 2 is charged up to the power supply voltage Vdd.

その後、プリチャージクロックTr Cを“H゛レベル
してプリチャージ用トランジスタ9を非導通状態にする
とともに、バス書込許可信号Tasを“H” レベルと
する。そのため、トランジスタ10および13が導通状
態となる。このとき、ラッチ12に保持されているデー
タDIが“H2レベルであれば、トランジスタ11が導
通状態、トランジスタ14が非導通状態となる。その結
果、寄生容量8に充電された電荷がトランジスタ10お
よび11を介して接地に引抜かれ、データバス2の電位
を“L” レベルにする。一方、ラッチ12に保持され
たデータDIが”L″レベルあれば、トランジスタ14
が導通状態、トランジスタ11が非導通状態となる。そ
のため、データバス2はトランジスタ13および14を
介して電源Vddと接続される。したがって、データバ
ス2の電位は“H”レベルに保たれる。
Thereafter, the precharge clock Tr C is set to "H" level to make the precharge transistor 9 non-conductive, and the bus write enable signal Tas is set to "H" level. Therefore, the transistors 10 and 13 are made conductive. At this time, if the data DI held in the latch 12 is at the "H2 level," the transistor 11 becomes conductive and the transistor 14 becomes non-conductive. As a result, the charge stored in parasitic capacitance 8 is drawn to ground via transistors 10 and 11, and the potential of data bus 2 is brought to the "L" level. On the other hand, if the data DI held in the latch 12 is at "L" level, the transistor 14
is in a conductive state, and the transistor 11 is in a non-conductive state. Therefore, data bus 2 is connected to power supply Vdd via transistors 13 and 14. Therefore, the potential of data bus 2 is kept at "H" level.

次に、サイクルタイムの長いテストモード時における動
作を説明する。この場合、プリチャージクロックTP 
cを″H″レベルに固定する。したがって、プリチャー
ジ用トランジスタ9はテストモード時では常に非導通状
態であり、データバス2のプリチャージは行なわれない
。データバス2へのデータの書込みを行なう場合は、バ
ス書込許可信号Tasが“H″レベルされる。これによ
って、トランジスタ10および13がいずれも導通状態
となる。そして、ラッチ12に保持されたデータDIに
応じてトランジスタ11および14が選択的に導通状態
となり、データバス2は接地および電源Vddと選択的
に接続される。すなわち、ラッチ12に保持されたデー
タDIが“H″レベル場合は、トランジスタ11が導通
状態となってデータバス2が接地と接続され、データバ
ス2に″L°データが出力される。一方、ラッチ12に
保持されたデータDIが“Lルベルの場合は、トランジ
スタ14が非導通状態となってデータバス2が電源Vd
dと接続され、データバス2に“H”データが出力され
る。なお、前述したごとく、トランジスタ13および1
4のサイズは、プリチャージ用トランジスタ9のそれに
比べて小さく選ばれているため、データバス2のチャー
ジアップは通常動作時におけるプリチャージ用トランジ
スタ9によるチャージアップに比べて緩やかに行なわれ
る。しかしながら、テストモードにおいてはサイクルタ
イムが長いため、チャージアップ動作が多少遅れても、
回路の動作上問題は生じない。
Next, the operation in a test mode with a long cycle time will be explained. In this case, precharge clock TP
c is fixed at "H" level. Therefore, precharge transistor 9 is always in a non-conductive state in the test mode, and data bus 2 is not precharged. When writing data to data bus 2, bus write enable signal Tas is set to "H" level. As a result, both transistors 10 and 13 become conductive. Then, transistors 11 and 14 are selectively rendered conductive in accordance with data DI held in latch 12, and data bus 2 is selectively connected to ground and power supply Vdd. That is, when the data DI held in the latch 12 is at "H" level, the transistor 11 becomes conductive, the data bus 2 is connected to the ground, and "L° data is output to the data bus 2. On the other hand, When the data DI held in the latch 12 is at the "L" level, the transistor 14 becomes non-conductive and the data bus 2 is connected to the power supply Vd.
d, and “H” data is output to the data bus 2. Note that, as mentioned above, the transistors 13 and 1
Since the size of the precharge transistor 4 is selected to be smaller than that of the precharge transistor 9, the data bus 2 is charged up more slowly than the charge up by the precharge transistor 9 during normal operation. However, because the cycle time is long in test mode, even if the charge-up operation is delayed a little,
No problem occurs in the operation of the circuit.

上記のごとく、第1図の実施例では、テストモードにお
いてデータバス2へのデータの書込みを行なう場合、デ
ータバス2と電1Vddとを直接接続して“H″書込を
行なっているため、従来回路のようなリーク電流による
データバス2の電位の低下の問題は生じない。
As mentioned above, in the embodiment shown in FIG. 1, when writing data to the data bus 2 in the test mode, the data bus 2 and the voltage 1Vdd are directly connected to perform "H" writing. Unlike conventional circuits, the problem of lowering the potential of the data bus 2 due to leakage current does not occur.

ところで、第1図に示されるようなバス駆動回路は、通
常、1本のデータバスに複数個接続されている(但し、
プリチャージ用トランジスタ9は1個でよい)。このよ
うな構成において、もし2個以上のバス駆動回路を同時
に動作させると、バス駆動回路間に大きな貫通電流が流
れて素子の破壊を招く。そのため、データバスにデータ
を書込む際には、バス書込許可信号TBSによっていず
れか1個のバス駆動回路にのみデータバスへの書込を許
可し、同時に2個以上のバス駆動回路が動作しないよう
にしている。今、第1図に示すバス駆動回路に対してデ
ータバスへの書込みを許可しない場合は、対応のバス書
込許可信号’I’asが“L゛レベルされる。そのため
、トランジスタ10および13がいずれも非導通状態と
なる。したがって、このバス駆動回路に対してはデータ
バス2はハイインピーダンス状態に保たれ、ラッチ12
に保持されたデータはデータバス2に書込まれない。
By the way, a plurality of bus drive circuits as shown in FIG. 1 are usually connected to one data bus (however,
Only one precharge transistor 9 is required). In such a configuration, if two or more bus drive circuits are operated simultaneously, a large through current will flow between the bus drive circuits, leading to destruction of the device. Therefore, when writing data to the data bus, the bus write permission signal TBS allows only one bus drive circuit to write to the data bus, and two or more bus drive circuits operate at the same time. I try not to. If the bus drive circuit shown in FIG. 1 is not permitted to write to the data bus, the corresponding bus write permission signal 'I'as is set to "L" level. Therefore, for this bus drive circuit, the data bus 2 is kept in a high impedance state, and the latch 12 is kept in a high impedance state.
The data held in the data bus 2 is not written to the data bus 2.

上記の説明から明らかなように、第1図に示すバス駆動
回路は、テストモード時においては、データバス21;
“H″データ出力する状態と、“L″データ出力する状
態と、データバス2をハイインピーダンス状態に保つ状
態との3つの状態を有しており、いわゆるトライステー
トバッファとして動作することになる。
As is clear from the above description, in the test mode, the bus drive circuit shown in FIG.
It has three states: a state where "H" data is output, a state where "L" data is output, and a state where the data bus 2 is kept in a high impedance state, and it operates as a so-called tri-state buffer.

第2図は、この発明の他の実施例を示す回路図である。FIG. 2 is a circuit diagram showing another embodiment of the invention.

この実施例は、第1図に示す実施例の構成に加えてイン
バータ16が追加されている。このインバータ16は、
ラッチ12の出力端とトランジスタ11および14のゲ
ート電極との間に介挿されている。このようなインバー
タ16を設けることにより、第2図の実施例では、ラッ
チ12に保持されたデータDIの論理値をそのままデー
タバス2上に出力することができる。
In this embodiment, an inverter 16 is added to the structure of the embodiment shown in FIG. This inverter 16 is
It is inserted between the output terminal of latch 12 and the gate electrodes of transistors 11 and 14. By providing such an inverter 16, in the embodiment shown in FIG. 2, the logical value of the data DI held in the latch 12 can be output onto the data bus 2 as is.

[発明の効果] 以上のように、この発明によれば、サイクルタイムの長
いテストモードにおいてデータバスを駆動する場合であ
ってもリーク電流によるデータバスの電位の低下を生じ
ることがない。したがって、通常モードおよびテストモ
ードにかかわらず常に正確なデータ転送を行なうことが
できる。
[Effects of the Invention] As described above, according to the present invention, even when the data bus is driven in a test mode with a long cycle time, the potential of the data bus does not decrease due to leakage current. Therefore, accurate data transfer can always be performed regardless of the normal mode or test mode.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図はこの発明の一実施例を示す回路図であ第2図は
この発明の他の実施例を示す回路図である。 第3図は従来の半導体集積回路の一般構成およびそれに
接続されたテスト回路を示すブロック図である。 第4図は従来のバス駆動回路を示す回路図である。 図において、1はLSIチップ、2はデータバス、6は
バス駆動回路、7はテスト装置、8は寄生容量、9はプ
リチャージ用トランジスタ、10および11はNチャネ
ル型トランジスタ、13および14はPチャネル型トラ
ンジスタ、12はラッチ、15および16はインバータ
を示す。
FIG. 1 is a circuit diagram showing one embodiment of the invention, and FIG. 2 is a circuit diagram showing another embodiment of the invention. FIG. 3 is a block diagram showing the general configuration of a conventional semiconductor integrated circuit and a test circuit connected thereto. FIG. 4 is a circuit diagram showing a conventional bus drive circuit. In the figure, 1 is an LSI chip, 2 is a data bus, 6 is a bus drive circuit, 7 is a test device, 8 is a parasitic capacitance, 9 is a precharge transistor, 10 and 11 are N-channel transistors, 13 and 14 are P A channel type transistor, 12 is a latch, and 15 and 16 are inverters.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 通常モードでは短いサイクルタイムで動作し、テストモ
ードでは長いサイクルタイムで動作する集積回路装置に
おいて、この集積回路装置に設けられたデータバスを駆
動するための回路であって、前記データバスと電源との
間に介挿されたプリチャージ用トランジスタ、 前記データバスと電源との間に直列に接続されて介挿さ
れた第1および第2のトランジスタ、前記データバスと
接地との間に直列に接続されて介挿された第3および第
4のトランジスタ、前記プリチャージ用トランジスタを
前記通常モード時におけるデータバスプリチャージ期間
のみオンさせるための手段、 前記第1および第3のトランジスタを、前記通常モード
時におけるデータバス書込期間およびテストモード時に
おけるデータバス書込許可期間のみオンさせるための手
段、および前記第2および第4のトランジスタを、前記
データバスに書込むべきデータの信号に応じて相補的に
オン・オフさせるための手段を備える、データバスの駆
動回路。
[Claims] A circuit for driving a data bus provided in an integrated circuit device that operates with a short cycle time in a normal mode and with a long cycle time in a test mode, comprising: a precharging transistor inserted between the data bus and the power supply; first and second transistors connected in series and inserted between the data bus and the power supply; and a ground connection between the data bus and the ground. third and fourth transistors connected in series and inserted between the first and third transistors; means for turning on the precharge transistor only during the data bus precharge period in the normal mode; means for turning on the transistor only during the data bus write period in the normal mode and the data bus write permission period in the test mode; A data bus driving circuit comprising means for complementary on/off depending on the signal of the data bus.
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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5368944A (en) * 1976-12-01 1978-06-19 Toshiba Corp Clock conroller
JPS63253425A (en) * 1987-04-09 1988-10-20 Nec Ic Microcomput Syst Ltd Bus driving circuit

Patent Citations (2)

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