JPH01312480A - Integrated-circuit burn-in system - Google Patents
Integrated-circuit burn-in systemInfo
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
ECLを含む集積回路にバーンインにより熱ストレスを
与える集積回路のバーンイン方式に関し、各ECLの電
流スイッチ部を切り替えるための各種のテストパターン
を用いることなく、簡単な試験装置で効果的に各ECL
の電流スイッチ部を切り替えてバーンインが良好に行わ
れるようにすることを目的とし、
複数のECLを含む集積回路に熱ストレスを与える集積
回路のバーンイン方式において、ECLの電流スイッチ
部を構成する一方のトランジスタ部のベース電源V 1
lBHの電圧値を、他方のトランジスタ部の固定ベース
電源VBB2の電圧値より低い電圧値と高い電圧値に変
化可能にし、バーンイン時に周期的に一方の可変ベース
電源VBBl の電圧値を他方の固定ベース電源VBB
2より低い電圧値と高い電圧値に交互に変化させて、E
CLの電流スイッチ部の電流スイッチングを行わせるよ
うに構成する。[Detailed Description of the Invention] [Summary] Regarding the burn-in method for integrated circuits that applies thermal stress to integrated circuits including ECLs through burn-in, it is easy to use without using various test patterns for switching the current switch sections of each ECL. Effectively test each ECL with suitable test equipment.
In the integrated circuit burn-in method, which applies thermal stress to an integrated circuit including multiple ECLs, one of the current switch parts of the ECL is switched to ensure good burn-in. Base power supply of transistor section V 1
The voltage value of lBH can be changed to a voltage value lower or higher than the voltage value of the fixed base power supply VBB2 of the other transistor section, and the voltage value of one variable base power supply VBBl can be changed periodically during burn-in to the voltage value of the fixed base power supply VBB2 of the other transistor section. Power supply VBB
2 by alternating voltage values lower and higher than E.
The current switching section of CL is configured to perform current switching.
本発明は、E CI−ゲートアレイのように多数のエミ
ッタ結合型論理回路(Emitter coupled
logiC1以下ECLという)を含むLSI等の集
積回路にバーンイン(Burn−in )により熱スト
レスを与える集積回路のバーンイン方式に関する。The present invention applies to a large number of emitter coupled logic circuits such as ECI-gate arrays.
The present invention relates to a burn-in method for integrated circuits, which applies thermal stress through burn-in to integrated circuits such as LSIs (hereinafter referred to as ECL).
・こ従来の技術〕
第4図は、E CL、の基本構成を示したもので、21
0〜214はトランジスタ (以下TR210〜TR2
14て示ず)、220〜223は抵抗(以下R22O−
R223で示す)である。また、VCCは共通のコレク
タ電源、V E E I は定電流特性のエミッタ電源
(以下定電流電源という)、■−2はエミッタ電源、■
、8はベース電源で、Vo。〉VRB>VRB2の関係
に選定される。・This prior art] Figure 4 shows the basic configuration of ECL.
0 to 214 are transistors (hereinafter TR210 to TR2
14 (not shown), 220 to 223 are resistors (hereinafter R22O-
R223). In addition, VCC is a common collector power supply, VE E I is an emitter power supply with constant current characteristics (hereinafter referred to as constant current power supply), ■-2 is an emitter power supply, ■
, 8 is the base power supply, Vo. 〉VRB>VRB2.
TR211及びTR212は並列に接続され、これらの
トランジスタのエミッタとTR213のエミッタが並列
に接続されて定電流電源VEEI に接続され、それら
のコレクタ側に接続されたR221及びR222ととも
に電流スイッチ部を構成する。TR211のベースには
入力Aが、TR212には人力Bが供給される。TR2
13のベースには、固定のベース電源VB11が接続さ
れる。TR211 and TR212 are connected in parallel, and the emitters of these transistors and the emitter of TR213 are connected in parallel and connected to a constant current power supply VEEI, and together with R221 and R222 connected to their collector sides, constitute a current switch section. . Input A is supplied to the base of TR211, and human power B is supplied to TR212. TR2
A fixed base power supply VB11 is connected to the base of 13.
TR210はR220とともにエミッタフォロワを構成
し、TR211及びTR212の共通コレクタ側の出力
を取り出す。TR210のエミッタ側(1)) R22
0は、固定のエミッタ電源VEE2 ニ接続される。TR210 constitutes an emitter follower together with R220, and takes out the output from the common collector side of TR211 and TR212. Emitter side of TR210 (1)) R22
0 is connected to a fixed emitter power supply VEE2.
TR214はR223とともにエミッタフォロワを構成
し、TR213のコレクタ側の出力を取り出す。TR2
14のエミッタ側のR223は、固定のエミッタ電源V
Eε2に接続される。TR214 forms an emitter follower together with R223, and takes out the output from the collector side of TR213. TR2
R223 on the emitter side of 14 is the fixed emitter power supply V
Connected to Eε2.
この構成において、電流スイッチ部の人力A又は人力B
がオンのときは、TR211又はTR212がオンとな
ってそのコレクタ側のR221に電流が流れ、人力A及
び人力Bがともにオフのときは、TR211及びTR2
12はともにオンからオフとなり反対側のTR213が
オフからオンとなってそのコレクタ側のR222に電流
が流れ、電流スイッチが行われる。In this configuration, human power A or human power B of the current switch section
When is on, TR211 or TR212 is on and current flows through R221 on its collector side, and when both human power A and human power B are off, TR211 and TR2
12 both turn from on to off, and TR213 on the opposite side turns from off to on, current flows through R222 on its collector side, and a current switch is performed.
したがって、エミッタフォロワ部のTR210のエミッ
タ出力端からは、TR211の入力A及びTR212の
人力BのNOR出力が取り出され、TR214のエミッ
タ出力端からは、人力A又は人力BのOR出力が取り出
される。Therefore, the NOR output of the input A of the TR 211 and the human power B of the TR 212 is taken out from the emitter output terminal of the TR 210 of the emitter follower section, and the OR output of the human power A or the human power B is taken out from the emitter output end of the TR 214.
このようなE CT、、が多数配列されるECLアレイ
やL SI等の集積回路が製造されると、その実際の使
用に先立−って特性の安定化を図り、初期不良を取り除
くための試験が行われる。その場合、試験時間を短縮す
るために、集積回路に熱ストレスを与える加速度試験と
して、高温環境及び通電状態下で試験するバーンイン試
験(Burn−in test)が行われる。When an integrated circuit such as an ECL array or LSI in which a large number of such ECTs are arranged is manufactured, it is necessary to stabilize its characteristics and eliminate initial defects before its actual use. An exam will be held. In this case, in order to shorten the test time, a burn-in test is performed in which the integrated circuit is tested in a high temperature environment and under energized conditions as an acceleration test that applies thermal stress to the integrated circuit.
集積回路を高温環境にするために、通常、恒温装置によ
り集積回路周辺の温度を高温にする方法が用いられてい
る。また、集積回路に所定の電圧を供給することにより
、集積回路内の各構成表子を通電状態にしている。例え
ば、ECLの場合、所定のV c c + V B !
11 V E I! I及びVRB2を供給することに
より、各ECLは通電状態にされる。In order to create a high-temperature environment for integrated circuits, a method is generally used in which the temperature around the integrated circuit is increased using a constant temperature device. In addition, by supplying a predetermined voltage to the integrated circuit, each component in the integrated circuit is made energized. For example, for ECL, a given V c c + V B !
11 V E I! By supplying I and VRB2, each ECL is energized.
このようなバーンイン試験を行うことにより、製造され
た集積回路は、短期間で特性が安定化されるとともに初
期不良がこの試験期間内で検出されるので、実際に使用
後の不良発生率は極めて低くなり、高信頼性の集積回路
とすることができる。By performing such burn-in tests, the characteristics of manufactured integrated circuits are stabilized in a short period of time, and initial defects are detected within this test period, so the incidence of defects after actual use is extremely low. This makes it possible to provide a highly reliable integrated circuit.
ECLを含む集積回路のバーンイン試験においては、集
積回路に供給する電源電圧は、通常一定にしたままバー
ンインを行っている。In a burn-in test of an integrated circuit including an ECL, the power supply voltage supplied to the integrated circuit is usually kept constant during burn-in.
この場合、ECLにおいては、VCC,VBB、 VE
EI 及びVEE□等の電源電圧をオンにした状態(そ
のとき各人力はオープン又は固定値が入っている)では
、電流スイッチ部のTR211とTR212の組又はT
R213の何れか一方に電流が流れ、その状態が保持さ
れる。TR211とTR212の組又はTR213の何
れに流れるかは回路構成によって定まるが、第4図にお
いて無人力時の人力A及びBのレベルがVE!2のレベ
ルである場合は、TR213側に電流が流れ、バーンイ
ン期間中その状態が保持される。In this case, in ECL, VCC, VBB, VE
When the power supply voltages such as EI and VEE
A current flows through either one of R213, and that state is maintained. Whether the flow goes to the set of TR211 and TR212 or to TR213 is determined by the circuit configuration, but in FIG. 4, the levels of human power A and B in the unmanned state are VE! When the level is 2, a current flows to the TR 213 side, and this state is maintained during the burn-in period.
このため、導通状態にある側のトランジスタ(TR21
3)についてはバーンインすることができるが、非導通
状態にある他方の側のトランジスタ(TR211,21
2等)については十分にバーンインすることができない
。このため、非導通状態にある側については、特性の安
定化や初期不良の検出が不充分にしか行われないという
問題が生じる。Therefore, the transistor on the conductive side (TR21
3) can be burn-in, but the transistors on the other side (TR211, 21
2 etc.) cannot be burn-in sufficiently. For this reason, a problem arises in that the stabilization of characteristics and the detection of initial failures are only performed insufficiently on the side that is in a non-conducting state.
この問題を解決しECLの他方の側のトランジスタも良
好にバーンインするためには、ECLの電流スイッチ部
が切り替わるようにECLを動作させるテストパターン
を集積回路のデータ入力端子に印加することが必要であ
る。しかしながら、LSIや超LSIのような集積回路
の場合、ECLを含むデバイス素子の数は極めて多いた
め、その回路数や回路動作態様は膨大なものとなる。こ
のため、テストパターン数も膨大なものとなって試験に
多大の手間と時間が必要となるとともに、バーンイン装
置にパターン発生回路や信号分配回路を追加しなければ
ならないためにコストアップになるという問題があった
。To solve this problem and to properly burn-in the transistors on the other side of the ECL, it is necessary to apply a test pattern to the data input terminal of the integrated circuit that operates the ECL so that the current switch section of the ECL switches. be. However, in the case of integrated circuits such as LSIs and VLSIs, the number of device elements including ECLs is extremely large, so the number of circuits and circuit operation modes become enormous. As a result, the number of test patterns becomes enormous, requiring a great deal of effort and time for testing, and the cost increases as pattern generation circuits and signal distribution circuits must be added to the burn-in equipment. was there.
本発明は、ECLの電流スイッチ部を切り替えるための
各種のテストパターンを用いることなく、簡単な試験装
置で効果的にECLの電流スイッチ部を切り替えて良好
にバーンインを行うことができるように改良した集積回
路のバーンイン方式を提供することを目的とする。The present invention has been improved so that it is possible to effectively switch the current switch section of the ECL using a simple test device and perform burn-in successfully without using various test patterns for switching the current switch section of the ECL. The purpose is to provide a burn-in method for integrated circuits.
前述の課題を解決するために本発明が採用した手段を、
第1図を参照して説明する。第1図は、本発明の原理図
を示したものである。The means adopted by the present invention to solve the above-mentioned problems are as follows:
This will be explained with reference to FIG. FIG. 1 shows a principle diagram of the present invention.
第1図において、111(111,〜11 L )及び
112は、ECLを構成するトランジスタ部である(以
下TRI 11 (TRII 1.−TR111k)
、TR112で示す)。TR111は原理上1個でよい
が、図示のように複数のTRl112〜111.を並列
接続したものでもよい。TR111及びTR1’12の
共通エミッタは、定電流電源V E E l に接続さ
れる。In FIG. 1, 111 (111, to 11 L) and 112 are transistor parts that constitute the ECL (hereinafter referred to as TRI 11 (TRII 1.-TR111k)).
, indicated as TR112). In principle, only one TR111 is required, but as shown in the figure, a plurality of TR112-111. may be connected in parallel. The common emitters of TR111 and TR1'12 are connected to a constant current power supply V E E l .
TR112のベースは固定電位の固定ベース電源VII
B2に接続され、コレクタは負荷抵抗122(以下R1
22で示す)を介してコレクタ電源V。Cに接続される
。The base of TR112 is a fixed base power supply VII with a fixed potential.
B2, and the collector is connected to the load resistor 122 (hereinafter R1
22) through the collector power supply V. Connected to C.
一方、TR111のベースには人力が印加され、コレク
タは負荷抵抗121 (以下R121で示す)を介して
コレクタ電源V。0に接続される。ベースには、入力が
印加されるとともに、TR1’12の固定ベース電源V
BB2よりも高い電圧と低い電圧との2種の電圧を発生
する可変ベース電源V B B 1が接続される。抵抗
120(以下R120で示す)は、可変ベース電源VB
、lIをTR111に結合するとともに、人力が可変ベ
ース電源VfiBI側に分岐するのを阻止する。On the other hand, human power is applied to the base of TR111, and the collector is connected to the collector power supply V via a load resistor 121 (hereinafter referred to as R121). Connected to 0. An input is applied to the base, and a fixed base power supply V of TR1'12 is applied.
A variable base power supply V B B 1 that generates two types of voltages, a higher voltage and a lower voltage than BB2, is connected. A resistor 120 (hereinafter referred to as R120) is a variable base power supply VB.
, lI to the TR111, and prevents human power from branching to the variable base power supply VfiBI side.
TR111が、図示のように複数のTRlll6〜TR
111kを並列接続し、各ベースに人力A〜人力Kが印
加される場合、その中の少なくとも1つのトランジスタ
(例えば図示のようにTR111、)に可変ベース電源
VBB+ の電圧が供給される。TR111 is connected to multiple TRll6 to TR as shown in the figure.
111k are connected in parallel and human power A to K are applied to each base, the voltage of the variable base power supply VBB+ is supplied to at least one transistor among them (for example, TR111 as shown).
バッファを構成するエミッタフォロワ部を介して第1図
のECLが複数組縦続接続される場合、TR111のベ
ースに供給する可変ベース電源V11111 と前段の
エミッタフォロワのエミッタ電源(VEE□で示す)を
共用することができる(この構成については、実施例の
項で詳細に説明する)。When multiple sets of ECLs shown in Fig. 1 are connected in cascade via emitter follower sections that constitute a buffer, the variable base power supply V11111 supplied to the base of TR111 and the emitter power supply (indicated by VEE□) of the preceding emitter follower are shared. (This configuration will be described in detail in the Examples section).
なお、ECLを構成する各トランジスタ部は、1個又は
複数個のトランジスタで構成することができる。Note that each transistor portion configuring the ECL can be configured with one or more transistors.
以上のような構成の各ECLを含む集積回路に熱ストレ
スを与えるためのバーンイン方式において、本発明は、
ECLの電流スイッチ部を構成する一方のトランジスタ
部TR111のベース電源VB□の電圧値を、電流スイ
ッチ部の他方のトランジスタ部TR112の固定ベース
電源V B B 2の電圧値より低い電圧値と高い電圧
値に変化可能にし、バーンイン時に周期的に前記一方の
可変ベース電源VB’BIの電圧値を他方の固定ベース
電源V882より低い電圧値と高い電圧値に交互に変化
させて、ECLの電流のスイッチ部の電流スイッチング
を行わせるように構成される。In a burn-in method for applying thermal stress to an integrated circuit including each ECL configured as described above, the present invention provides the following features:
The voltage value of the base power supply VB□ of one transistor part TR111 constituting the current switch part of the ECL is set to a lower voltage value and a higher voltage value than the voltage value of the fixed base power supply VB B2 of the other transistor part TR112 of the current switch part. The voltage value of the one variable base power supply VB'BI is periodically changed to a lower voltage value and a higher voltage value than the other fixed base power supply V882 during burn-in, and the ECL current is switched. The device is configured to perform current switching of the portion.
バーンインを行う場合、図示しないバーンイン装置のコ
レクタ電源V。0.定電流電源VEEI及び固定ベース
電IVaB□から、それぞれ規定電圧値が集積回路に供
給されるが、可変ベース電源VIIB1は、最初固定ベ
ース電源V a B2より低い電圧値に設定される。When performing burn-in, the collector power supply V of a burn-in device (not shown) is used. 0. The constant current power supply VEEI and the fixed base power supply IVaB□ respectively supply specified voltage values to the integrated circuit, but the variable base power supply VIIB1 is initially set to a voltage value lower than the fixed base power supply V a B2.
これにより各ECLのTR111はオフ状態になり、T
R112はオン状態になってバーンインが開始される。As a result, TR111 of each ECL is turned off, and T
R112 is turned on and burn-in is started.
TR111が複数のTR111゜〜TR111にである
場合も、この状態は変らない。This state does not change even if TR111 is a plurality of TR111° to TR111.
バーンインが開始されてから所定時間後に、バーンイン
装置は、可変ベース電源Vs□を固定ベース電源V B
B□よりも高い電圧値に変化する。After a predetermined period of time after the burn-in is started, the burn-in device converts the variable base power supply Vs□ to the fixed base power supply VB.
The voltage changes to a higher voltage value than B□.
これによりTR111はオフからオン状態に切り替わり
、TR112はオンからオフ状態に切り替わる。TR1
11が複数のTR111,−TR111にである場合は
、可変ベース電源V B B 1 より電圧を供給され
ているTRll1.がオンになる。もし、可変ベース電
源V B B + の電圧をTR1116〜TR111
にのすべてに供給するようにすると、TRll1.−T
R111に全体ヲtyからオン状態に切り換えることが
できる。As a result, TR111 is switched from off to on, and TR112 is switched from on to off. TR1
11 to a plurality of TR111, -TR111, TRll1. is turned on. If the voltage of the variable base power supply V B B + is
If it is supplied to all of TRll1. -T
R111 can be switched from the entire state to the on state.
以下、周期的に可変ベース電源V B B + の電圧
値を他方の固定ベースTi源V a B 2より低い電
圧値から高い電圧値と交互に変化させることにより、T
R111(TRI 11.−TRII 1i= )
とTR112が交互にオン又はオフ状態になり、電流ス
イッチが行われる。Hereinafter, T
R111 (TRI 11.-TRII 1i= )
and TR112 are alternately turned on or off, and current switching is performed.
以上のようにして、各ECLの電流スイッチ部を切り替
えるための各種のテストパターンの作成を必要とせず、
可変ベース電源V■、を設けて一方のトランジスタ部の
ベース電圧を可変制御することにより、集積回路内の各
ECLの電流スイッチ部を切り替えて良好なバーンイン
を行うことができる。As described above, there is no need to create various test patterns for switching the current switch section of each ECL.
By providing a variable base power supply V and variably controlling the base voltage of one transistor section, it is possible to perform good burn-in by switching the current switch sections of each ECL in the integrated circuit.
また、各種のテストパターンの作成を必要とせず、可変
ベース電源VBBI を付加するだけでよいのでバーン
イン装置を簡単化することができる。Furthermore, since it is not necessary to create various test patterns, and only the variable base power supply VBBI needs to be added, the burn-in device can be simplified.
更に、バッファを構成するエミッタフォロワ部を介して
第1図のECLの複数組が縦続接続された構成の場合は
、TR111のベースに供給する可変ベース電源と前段
のエミッタフォロワのエミッタ電源V E E 2を共
用すると、バーンイン動作を損うことなく各ECLに対
する可変ベース電圧の供給とその供給回路構成を簡単化
することができる(その構成及び動作については、実施
例の項で説明する)。Furthermore, in the case of a configuration in which a plurality of sets of ECLs shown in FIG. 2, it is possible to simplify the supply of the variable base voltage to each ECL and the supply circuit configuration without impairing the burn-in operation (the configuration and operation will be explained in the embodiment section).
〔第1の実施例〕 本発明の第1の実施例を、第2図を参照して説明する。[First example] A first embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.
第2図は、第1の実施例の各ECLの構成を示したもの
である。FIG. 2 shows the configuration of each ECL in the first embodiment.
(A)第1の実方布例の構成
第2図において、ECLの電流スイッチ部を構成するT
R111,〜TRI 11.、TRI 12゜負荷抵抗
R121,R122,エミッタ定電流電源VEEI+可
変ヘース電源VI]B++固定ヘース電源VBB2+
コレクタ電源VCC及び人力A−Kについては、第1
図で説明したとおりである。(A) Structure of the first real distribution example In FIG. 2, T
R111, ~TRI 11. , TRI 12゜load resistance R121, R122, emitter constant current power supply VEEI + variable heath power supply VI] B++ fixed heath power supply VBB2+
Regarding collector power supply VCC and human power A-K,
As explained in the figure.
この実施例では、可変ベース電源VBBI側は複数のT
RI 11.−TRI I Lが並列接続されており、
可変ベース電源V e s + が結合抵抗R120、
〜R12Lを介してTRll1.−TR111にの各ベ
ースに接続される。In this embodiment, the variable base power supply VBBI side has multiple T
RI 11. -TRI I L are connected in parallel,
The variable base power supply V e s + has a coupling resistance R120,
~TRll1. via R12L. - Connected to each base of TR111.
113はトランジスタで(以下TR113で示す)、抵
抗123(以下R123で示す)とともにエミッタフォ
ロワを構成し、TR111,〜TR111にの共通コレ
クタ側の出力を取り出す。A transistor 113 (hereinafter referred to as TR113) constitutes an emitter follower together with a resistor 123 (hereinafter referred to as R123), and takes out the output from the common collector side of TR111 and TR111.
TR113のエミッタ側のR123は、固定のエミッタ
電源VEF、2 に接続される。R123 on the emitter side of TR113 is connected to a fixed emitter power supply VEF,2.
114はトランジスタ部で(以下TR114で示す)、
抵抗124 (以下R124で示す)とともにエミッタ
フォロワを構成し、TR112のコレクタ側の出力を取
り出す。TR114のエミッタ側のR124は、エミッ
タ電源VER2に接続される。エミッタ電源VEE2の
電圧値は固定ベース電源VBR2より低く、かつ可変ベ
ース電源Vaa+の低い方の電圧値と一致するように選
定される。114 is a transistor section (hereinafter referred to as TR114);
It constitutes an emitter follower together with a resistor 124 (hereinafter referred to as R124), and takes out the output from the collector side of TR112. R124 on the emitter side of TR114 is connected to emitter power supply VER2. The voltage value of the emitter power supply VEE2 is selected to be lower than the fixed base power supply VBR2 and to match the lower voltage value of the variable base power supply Vaa+.
これにより、規定のVCC+ VBBI + VEEI
及びV2):2を印加した状態で、可変ベース電源V
B B 1を固定ベース電源VBB2よりも低い所定の
電圧値すなわちV。2に設定すると、通常のECLとし
て動作する。すなわち、TR113のエミッタ出力端か
らは入力A〜人力にのNOR出力が取り出され、TR’
l14のエミッタ出力からは人力A〜人力にのOR出力
が取り出される。As a result, the specified VCC + VBBI + VEEI
and V2):2 is applied, the variable base power supply V
B B1 is fixed at a predetermined voltage value lower than the base power supply VBB2, ie, V. When set to 2, it operates as a normal ECL. That is, the NOR output from input A to human power is taken out from the emitter output terminal of TR113, and TR'
The OR output of human power A to human power is taken out from the emitter output of l14.
バーンイン装置(図示せず)は、前述のコレクタ電源V
。。、可変ベース電源VBBl+固定ベース電源VB!
12+定電流電源VH1及びエミッタ電源V、、を備え
ておればよく、各ECLの電流スイッチ部を切り替える
ための各種のテストパターンを発生する機能を備える必
要はない。したがって、バーンイン装置の構成を大幅に
簡単化することができる。A burn-in device (not shown) is connected to the collector power supply V described above.
. . , variable base power supply VBBl+fixed base power supply VB!
12+ constant current power supply VH1 and emitter power supply V, etc., and there is no need to provide a function of generating various test patterns for switching the current switch sections of each ECL. Therefore, the configuration of the burn-in device can be significantly simplified.
(B)第1の実施例のバーンイン動作
ハーンインヲ行つ場合、バーンイン装置のコレクタ電源
V。C1定電流電源V E E I及び固定ベース電源
VBB2からそれぞれ規定の各電圧値が集積回路に供給
されるが、可変ベース電源VBB+ は、最初、固定ベ
ース電源v、82より低い電圧値すなわちエミッタ電源
VB2 に設定される。これにより無人力状態の各EC
LのTRll1.〜TRl11にはすべてオフ状態にな
り、TR112はオン状態になってバーンインが開始さ
れる。(B) Burn-in operation of the first embodiment When performing burn-in, the collector power supply V of the burn-in device. Each prescribed voltage value is supplied to the integrated circuit from the C1 constant current power supply V E E I and the fixed base power supply VBB2, but the variable base power supply VBB+ initially has a voltage value lower than the fixed base power supply v, 82, that is, the emitter power supply. Set to VB2. As a result, each EC in an unmanned state
L's TRll1. ~TRl11 are all turned off, TR112 is turned on, and burn-in is started.
バーンインが開始されてから所定時間後に、バーンイン
装置は、可変ベース電源VB!11を固定ベース電源V
BB2よりも高い電圧値に変化させる。After a predetermined period of time after burn-in is started, the burn-in device switches on the variable base power supply VB! 11 fixed base power supply V
Change the voltage value to higher than BB2.
これによりTR111,〜TR111にはオフからオン
状態に切り替わり、TR112はオンからオフ状態に切
り替わる。As a result, TR111 to TR111 are switched from off to on, and TR112 is switched from on to off.
以下同様にして、バーンイン装置は、周期的に可変ベー
ス電源vllIllの電圧値を固定ベース電源V B
B 2より低い電圧値(Vpp2)から高い電圧値に交
互に変化させることにより、TRll1.〜TR111
にとTR112を交互に電流スイッチさせてバーンイン
を行う。Similarly, the burn-in device periodically changes the voltage value of the variable base power supply vllIll to the fixed base power supply V B
By alternately changing the voltage value from a voltage value lower than B2 (Vpp2) to a voltage value higher than TRll1. ~TR111
Burn-in is performed by alternately switching the currents of the TR112 and TR112.
なお、この実施例において、可変ベース電源VBB+
とエミッタ電源VEE2を共通にし、エミッタ電RV
Ep2 も変化させるようにしてもよい。このときエミ
ッタフォロワ部のTR113及びTR114も可変ベー
ス電源VIIBlの変化に応じて変化するが、バーンイ
ン動作には支障がない。In addition, in this embodiment, the variable base power supply VBB+
and the emitter power supply VEE2 are made common, and the emitter voltage RV
Ep2 may also be changed. At this time, TR113 and TR114 of the emitter follower section also change according to changes in the variable base power supply VIIBl, but this does not interfere with the burn-in operation.
〔第2の実施例〕 本発明の第2の実施例を、第3図を参照して説明する。[Second example] A second embodiment of the invention will be described with reference to FIG.
第3図は、第2の実施例の各ECLの構成を示したもの
である。FIG. 3 shows the configuration of each ECL in the second embodiment.
(A)第2の実施例の構成
第3図において、第2のECLを構成するTR111、
−TR111に、TR112,T’RII4、R120
,=R12(L= 、R121,R122、R124,
コレクタ電源VCC,固定ベース電源VB!121定電
流電源Vl:□及びエミッタ電源V2E2については、
第2図で説明したとおりである(対応する各構成要素に
は同じ符号が付されている。なお、以下の説明において
、rTRJを付されたものはトランジスタ部を示し、「
R」を付されたものは抵抗を示すものとする)。(A) Configuration of second embodiment In FIG. 3, TR111 constituting the second ECL,
-TR111, TR112, T'RII4, R120
,=R12(L= ,R121,R122,R124,
Collector power supply VCC, fixed base power supply VB! Regarding 121 constant current power supply Vl:□ and emitter power supply V2E2,
It is as explained in FIG.
Those marked with "R" indicate resistance).
この実施例では、可変ベース電源v881 は、エミッ
タ電源VEE2 と共用され、エミッタ電源V−2は可
変ベース電源V [I B+ とじて、固定ベース電源
V B B 2より低い本来のVEE2の電圧値からV
IIR2より高い電圧値に変化する。また、TR111
6〜TR111bの共通コレクタ側からNOR出力を取
り出すエミッタフォロワ部(TR113゜R123)は
削除され、TR112からのOR出力をTR114Aの
エミッタフォロワ部から取り出して次段の第3のECL
に入力する構成になっている。In this embodiment, the variable base power supply V881 is shared with the emitter power supply VEE2, and the emitter power supply V-2 is the variable base power supply V[I B+ , which is lower than the fixed base power supply V B B 2 from the original voltage value of VEE2. V
It changes to a voltage value higher than IIR2. Also, TR111
The emitter follower section (TR113°R123) that takes out the NOR output from the common collector side of 6 to TR111b is deleted, and the OR output from TR112 is taken out from the emitter follower section of TR114A and is sent to the third ECL in the next stage.
It is configured to be input to
TR115,TR116,R125,R126゜定電流
電源V、1.エミッタ電源VEE2.RL201.固定
ベース電源VBB2及びコレクタ電源VCCは電流スイ
ッチ部を構成し、TRll0.R120、及びエミッタ
電源VEE2はエミッタフォロワ部を構成し、これらで
、第1のE CL、を構成する。なお、R120,は、
TR115のベースにエミッタ電源VRB2を結合する
抵抗である。TR115, TR116, R125, R126° constant current power supply V, 1. Emitter power supply VEE2. RL201. Fixed base power supply VBB2 and collector power supply VCC constitute a current switch section, and TRll0. R120 and the emitter power supply VEE2 constitute an emitter follower section, and these constitute the first ECL. In addition, R120,
This is a resistor that connects the emitter power supply VRB2 to the base of TR115.
この第1のECLでは、入力AがTR115のベースに
人力される。エミッタフォロア部を構成するTRll0
のエミッタ側のR120,は、次段の第2のECLのT
R111,のエミッタ電源VEE2Δ、の結合抵抗と共
用され、そのエミッタフォロワ出力がTR111,の入
力Aになる。In this first ECL, input A is manually applied to the base of TR 115. TRll0 that constitutes the emitter follower section
R120 on the emitter side of is T of the second ECL in the next stage.
It is shared with the coupling resistance of the emitter power supply VEE2Δ of R111, and its emitter follower output becomes input A of TR111.
TRI 17.TR118,R127,R128゜定電
流電源VEE++固定ベース電源VB[12及びコレク
タ電源VCCは電流スイッチ部を構成し、TR119、
R129及びエミッタ電源VEE2 はエミッタフォロ
ワ部を構成し、これらで第3のECLを構成する。第3
のECLでは、第2のECLのエミッタフォロワ部を構
成するTR114のエミッタフォロワ出力がTR117
のベースに入力される。TRI 17. TR118, R127, R128゜ Constant current power supply VEE++ Fixed base power supply VB [12 and collector power supply VCC constitute a current switch section, TR119,
R129 and the emitter power supply VEE2 constitute an emitter follower section, and these constitute the third ECL. Third
In the ECL, the emitter follower output of TR114, which constitutes the emitter follower section of the second ECL, is output from TR117.
input to the base of
なお、第1及び第3のECLにおいて、TR115及び
TR117を、第2のECLのように複数のトランジス
タを並列接続した構成としてもよい。Note that in the first and third ECLs, the TR115 and TR117 may have a configuration in which a plurality of transistors are connected in parallel like the second ECL.
以下同様にして、図示しない各ECLが縦続接続される
。Thereafter, each ECL (not shown) is connected in cascade in the same manner.
(B)第2の実施例のバーンイン動作
エミッタ電源V。2を固定ベース電源VBB2より低い
規定の電圧値にするとともに他のコレクタ電源V。C1
固定ベース電源VB112及び定電流電源V6,1にそ
れぞれ規定電圧値を供給すると、各ECLは通常のEC
Lとしての動作を行うが、その動作はこれまでの説明か
ら明らかであるので、以下、バーンイン動作について説
明する。(B) Burn-in operation emitter power supply V of the second embodiment. 2 to a specified voltage value lower than the fixed base power supply VBB2, and the other collector power supply V. C1
When the fixed base power supply VB112 and constant current power supply V6,1 are supplied with the specified voltage values, each ECL becomes a normal EC.
The burn-in operation is performed as L, and since the operation is clear from the previous explanation, the burn-in operation will be explained below.
バーンインを行う場合は、第1の実施例と同様に、コレ
クタ電源V c c +定電流電源V E E l及び
固定ベース電源VB、12からそれぞれ規定電圧値が集
積回路に供給されるが、エミッタ電源VEE□は最初固
定ベース電源V+u+2より低い本来の電圧値に設定さ
れる。When performing burn-in, as in the first embodiment, specified voltage values are supplied to the integrated circuit from the collector power supply V c c + constant current power supply V E E l and the fixed base power supply VB, 12, but the emitter The power supply VEE□ is initially set to an original voltage value lower than the fixed base power supply V+u+2.
これにより、無人力状態にある各ECLの電流スイッチ
部のTR115,TR111,−TR111k及びTR
117はオフ状態になり、TR116、TR112及び
TR118はオン状態になる。また、各エミッタフォロ
ワ部のTR110゜TR114及びTR119は、いず
れもオン状態である。このような導通状態において、バ
ーンインが開始される。As a result, TR115, TR111, -TR111k and TR of the current switch section of each ECL in an unmanned state
117 is turned off, and TR116, TR112 and TR118 are turned on. Further, TR110° TR114 and TR119 of each emitter follower section are both in the on state. Burn-in is started in such a conductive state.
バーンインが開始されてから所定時間後に、図示しない
バーンイン装置は、エミッタ電源VEE2を固定ベース
電源VBB2よりも高い電圧値に設定する。これにより
、各ECLの電流スイッチ部のTRI 15.TRI
11.〜TR111k及びTR117はオフからオン状
態に切り替わり、TR116、TR112及びTR11
8はオンからオフ状態に切り替わる。一方、各エミッタ
フォロワ部のTRI 10.TR114及びTR11’
9は、いずれもオン状態を保持する。After a predetermined period of time after the burn-in is started, a burn-in device (not shown) sets the emitter power supply VEE2 to a voltage value higher than the fixed base power supply VBB2. As a result, the TRI 15. of the current switch section of each ECL. TRI
11. ~TR111k and TR117 switch from off to on state, TR116, TR112 and TR11
8 switches from on to off state. On the other hand, TRI of each emitter follower section 10. TR114 and TR11'
9 maintain the on state.
以下同様にして、バーンイン装置は、周期的にエミッタ
電源v9,2の電圧値を固定ベース電源VBB2より低
い電圧値(本来のVEE2電圧値)から高い電圧値に交
互に変化させることにより、各ECLの電流スイッチ部
を交互に電流スイッチさせてバーンインを行う。Similarly, the burn-in device periodically changes the voltage value of the emitter power supply v9,2 from a voltage value lower than the fixed base power supply VBB2 (original VEE2 voltage value) to a voltage value higher than the fixed base power supply VBB2. The burn-in is performed by alternately switching the current switch parts of the burn-in.
以上本発明の各実施例について説明したが、本発明の実
施例はこれらの実施例に限定されるものでなく、公知の
各種のECLを構成要素とする集積回路に適用されるも
のである。Although the embodiments of the present invention have been described above, the embodiments of the present invention are not limited to these embodiments, but are applicable to integrated circuits having various known ECL components.
以上説明したように、本発明によれば次の諸効果が得ら
れる。As explained above, according to the present invention, the following effects can be obtained.
(1)集積回路内の各ECLの電流スイッチ部を切り替
えるための各種のテストパターンの作成を必要とせず、
可変ベース電源VBBI を設けて一方のトランジスタ
部のベース電圧を可変制御することにより、集積回路内
の各ECLの電流スイッチ部を切り替えて良好なバーン
インを行うことができる。(1) It is not necessary to create various test patterns for switching the current switch section of each ECL in the integrated circuit,
By providing a variable base power supply VBBI and variably controlling the base voltage of one transistor section, it is possible to perform good burn-in by switching the current switch sections of each ECL in the integrated circuit.
(2)各種のテストパターンの作成を必要とせず、可変
ベース電源VBB+ を付加するだけでよいので、バー
ンイン装置を簡単化することができる。(2) Since it is not necessary to create various test patterns and it is only necessary to add the variable base power supply VBB+, the burn-in device can be simplified.
(3)バッファを構成するエミッタフォロワ部を介して
ECLの複数組が縦続接続された場合、ECLの可変ベ
ース電源を前段のエミッタフォロワ部のエミッタ電源と
共用すると、バーンイン動作を損うことなく各ECLに
対する可変ベース電圧の供給とその供給回路構成を簡単
化することができる。(3) When multiple sets of ECLs are connected in cascade via the emitter follower section that constitutes a buffer, if the variable base power supply of the ECL is shared with the emitter power supply of the emitter follower section in the previous stage, each set can be connected without impairing the burn-in operation. The supply of variable base voltage to the ECL and its supply circuit configuration can be simplified.
第1図は、本発明の原理図、
第2図は、本発明の第1実施例の各ECLの構成の説明
図、
第3図は、本発明の第2の実施例の各ECLの構成の説
明図、
第4図は、従来の集積回路のEcL及びバーンイン方式
の説明図である。
第1図〜第3図において、
TRII 1 (TRI l 1.〜TR111,)
〜TR119・・・トランジスタ部、R120(RII
O6〜RI IL 、R120,)〜R129山抵抗、
VCC・・・コレクタ電源、V B B 1・・・可変
ベース電源、V B B 2・・・固定ベース電源、V
E E I ・・・定電流源、VEE2・・・エミッ
タ電源。FIG. 1 is a diagram of the principle of the present invention. FIG. 2 is an explanatory diagram of the configuration of each ECL in the first embodiment of the present invention. FIG. 3 is a diagram of the configuration of each ECL in the second embodiment of the present invention. FIG. 4 is an explanatory diagram of the EcL and burn-in method of a conventional integrated circuit. In FIGS. 1 to 3, TRII 1 (TRII 1. to TR111,)
~TR119...Transistor section, R120 (RII
O6~RIIL, R120,)~R129 mountain resistance,
VCC... Collector power supply, V B B 1... Variable base power supply, V B B 2... Fixed base power supply, V
E E I ... constant current source, VEE2 ... emitter power supply.
Claims (1)
路に熱ストレスを与える集積回路のバーンイン方式にお
いて、 (A)エミッタ結合型論理回路ECLの電流スイッチ部
を構成する一方のトランジスタ部(TR111)のベー
ス電源(V_B_B_1)の電圧値を、電流スイッチ部
の他方のトランジスタ部(TR112)の固定ベース電
源(V_B_B_2)の電圧値より低い電圧値と高い電
圧値に変化可能にし、 (B)バーンイン時に周期的に前記一方の可変ベース電
源(V_B_B_1)の電圧値を他方の固定ベース電源
(V_B_B_2)より低い電圧値と高い電圧値に交互
に変化させて、エミッタ結合型論理回路(ECL)の電
流スイッチ部の電流スイッチングを行わせること、 を特徴とする集積回路のバーンイン方式。 2、エミッタ結合型論理回路ECLの電流スイッチ部の
前記一方のトランジスタ部(TR111)が、複数のト
ランジスタ(TR111_a〜TR111_k)の並列
接続で構成され、各トランジスタ(TR111_a〜T
R111_k)の少くとも一部に前記可変ベース電源(
V_B_B_1)の電圧を供給するようにしたことを特
徴とする請求項1記載の集積回路のバーンイン方式。 3、バッファを構成するエミッタフォロワ部を介してエ
ミッタ結合型論理回路(ECL)が複数組縦続接続され
、前記一方のトランジスタ部(TR111)の可変ベー
ス電源(V_B_B_1)が前段のエミッタフォロワ部
のエミッタ電源(V_E_E_2)と共用されることを
特徴とする請求項1又は2記載の集積回路のバーンイン
方式。[Claims] 1. In an integrated circuit burn-in method that applies thermal stress to an integrated circuit including a plurality of emitter-coupled logic circuits ECL, (A) one of the current switch sections of the emitter-coupled logic circuit ECL; The voltage value of the base power supply (V_B_B_1) of the transistor part (TR111) can be changed to a voltage value lower and higher than the voltage value of the fixed base power supply (V_B_B_2) of the other transistor part (TR112) of the current switch part, (B) During burn-in, the voltage value of the one variable base power supply (V_B_B_1) is alternately changed to a lower voltage value and a higher voltage value than the other fixed base power supply (V_B_B_2), and the emitter-coupled logic circuit ( A burn-in method for integrated circuits characterized by: performing current switching in a current switch section of an integrated circuit (ECL). 2. The one transistor section (TR111) of the current switch section of the emitter-coupled logic circuit ECL is composed of a plurality of transistors (TR111_a to TR111_k) connected in parallel, and each transistor (TR111_a to T
R111_k) is connected to at least a portion of the variable base power supply (
2. The integrated circuit burn-in method according to claim 1, wherein a voltage of V_B_B_1) is supplied. 3. A plurality of sets of emitter-coupled logic circuits (ECL) are cascade-connected via emitter-follower sections constituting a buffer, and the variable base power supply (V_B_B_1) of the one transistor section (TR111) is connected to the emitter of the preceding emitter-follower section. 3. The integrated circuit burn-in method according to claim 1, wherein the integrated circuit burn-in method is shared with a power source (V_E_E_2).
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63143540A JPH01312480A (en) | 1988-06-13 | 1988-06-13 | Integrated-circuit burn-in system |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63143540A JPH01312480A (en) | 1988-06-13 | 1988-06-13 | Integrated-circuit burn-in system |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01312480A true JPH01312480A (en) | 1989-12-18 |
Family
ID=15341126
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63143540A Pending JPH01312480A (en) | 1988-06-13 | 1988-06-13 | Integrated-circuit burn-in system |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01312480A (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0616224A3 (en) * | 1993-03-15 | 1995-11-02 | Toshiba Kk | Semiconductor device and burn-in method thereof. |
-
1988
- 1988-06-13 JP JP63143540A patent/JPH01312480A/en active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0616224A3 (en) * | 1993-03-15 | 1995-11-02 | Toshiba Kk | Semiconductor device and burn-in method thereof. |
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