JPH01311600A - Synchrotron radiation light generator - Google Patents

Synchrotron radiation light generator

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JPH01311600A
JPH01311600A JP13933488A JP13933488A JPH01311600A JP H01311600 A JPH01311600 A JP H01311600A JP 13933488 A JP13933488 A JP 13933488A JP 13933488 A JP13933488 A JP 13933488A JP H01311600 A JPH01311600 A JP H01311600A
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gas
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上田 新次郎
Tadashi Sonobe
園部 正
Takashi Ikeguchi
池口 隆
Manabu Matsumoto
学 松本
Toshiaki Kobari
利明 小針
Shunji Kakiuchi
垣内 俊二
Satoshi Ido
井戸 敏
Tatsu Murashita
達 村下
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Abstract

PURPOSE:To extend the life of a charged particle beam and stabilize the SOR light by capturing gas molecules, photoelectrons and ions generated by the radiation of the SOR light. CONSTITUTION:The DC voltage is applied using a beam duct 2 as a cathode and an absorber 5 as an anode. Gas molecules and photoelectrons are emitted by the action of the synchrotron radiation light (SOR light). Some of the photoelectrons are pulled and captured by the absorber 5 side along the electric field. The other photoelectrons collide with the gas molecules and ionize them. The ionized gas molecules are pulled to the duct 2 side serving as the cathode and captured by the wall face. The gas emitted by the radiation of the SOR light and the residual gas in the duct are removed, the degree of vacuum in the duct is improved, ions are captured by the duct wall. The life of the electron beam is thereby extended.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はシンクロトロン放射光発生装置(以下SOR装
置と略す)に係り、特に荷電粒子ビームの寿命を長時間
化するのに好適なSOR装置に関する。
[Detailed Description of the Invention] [Industrial Application Field] The present invention relates to a synchrotron radiation light generating device (hereinafter abbreviated as an SOR device), and in particular to an SOR device suitable for extending the life of a charged particle beam. Regarding.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

従来、加速器やSOR装置では、高エネルギー物理学研
究所レポート、Nα8l−2(1981年)の第57頁
から第61頁において論じられているように、ビームダ
クトはきわめて細長い環状の容器からなり、内部は超高
真空に維持されている。
Conventionally, in accelerators and SOR devices, the beam duct consists of an extremely elongated annular container, as discussed in High Energy Physics Research Institute Report, Nα8l-2 (1981), pages 57 to 61. The interior is maintained at ultra-high vacuum.

また全体は、荷電粒子のビームを曲げSOR光を発生さ
せる偏向部と、これら偏向部をつなぐと共にビーム制御
のための4極電磁石などを有する直線部から構成され、
これらが多数に分割されて、リング全体にほぼ均等に配
置されている。偏向部ではビームの接線方向にSOR光
が発生し、ビームダクトの内壁面を照射する。SOR光
に照射された壁面からは光刺激脱離により、多量のガス
を発生する。発生するガス量は単なる熱脱離による放出
ガス量にくらべ10倍から100倍も多いため、ビーム
ダクト内を超高真空に維持しようとする時、大きい問題
になる。従来の装置では前記したように、偏向部がビー
ムダクト全体に多数の場所に分かれ、しかも均等に配置
されているので、SOR光照射によってビームダクト壁
面から発生するガス源もビーム軌道に沿ってほぼ全周に
分散されている。したがって、ビームダクト全体に比較
的小型の真空ポンプを多数配置することと、さらに偏向
部のダクトの内周側に組込ポンプを設置することにより
、真空排気を行ってきた。このような小容量大偏成の真
空排気系によって、ビームダクト内を超高真空に保ち、
荷電粒子ビームの寿命をある程度長い時間、維持できて
いた。
The entire structure is composed of a deflection section that bends a beam of charged particles and generates SOR light, and a straight section that connects these deflection sections and has a quadrupole electromagnet for beam control.
These are divided into many parts and distributed approximately evenly throughout the ring. In the deflection section, SOR light is generated in the tangential direction of the beam and irradiates the inner wall surface of the beam duct. A large amount of gas is generated from the wall surface irradiated with the SOR light due to optically stimulated desorption. Since the amount of gas generated is 10 to 100 times greater than the amount of gas released due to simple thermal desorption, this becomes a big problem when trying to maintain an ultra-high vacuum inside the beam duct. As mentioned above, in conventional devices, the deflection section is divided into many locations throughout the beam duct and is evenly arranged, so the gas source generated from the wall surface of the beam duct due to SOR light irradiation is also distributed almost along the beam trajectory. distributed all around. Therefore, vacuum evacuation has been performed by arranging a large number of relatively small vacuum pumps throughout the beam duct and further installing a built-in pump on the inner peripheral side of the duct in the deflection section. This small-capacity, large-uniform vacuum pumping system maintains an ultra-high vacuum inside the beam duct.
The lifespan of the charged particle beam could be maintained for a fairly long period of time.

〔発明が解決しようとする問題点〕[Problem that the invention seeks to solve]

しかしながら、従来のSOR装置においても、荷電粒子
ビームの寿命は十分に長時間であるとはいえず、真空度
をさらに向上させるなどによってこれを改善することが
強く求められてきた。
However, even in conventional SOR devices, the lifetime of the charged particle beam cannot be said to be sufficiently long, and there has been a strong demand for improving this by further improving the degree of vacuum.

さらにSOR装置を工業用に応用しようとする場合は、
この問題はさらに重要になる。すなわち工業用SOR装
置では、設置スペースの制約や製作コストの低減から小
型化が必要で、そのために偏向部の数をできる限り減ら
したコンパクトな構成が求められる。例えば、偏向部1
個所で荷電粒子を180’曲げるレーストラック型のS
OR装置では、2個所の偏向部と2個所の直線部で構成
される。これを200個所偏向部を持つような大型SO
R装置と較べれば、同じビームエネルギーの場合、偏向
部1個所あたりのSOR光によって発生するガス量は約
10倍にもなる。また偏肉部自体の大きさは、大型装置
よりむしろ小さくしなければならないから、真空ポンプ
の数を増やすことも難しい。従って、大型SOR装置の
真空システムをそのまま小型SOR装置に適用すれば、
充分な排気能力が得られず、ビームダクト内の圧力が上
昇し、荷電粒子ビームの寿命がさらに短かくなるという
問題があった。
Furthermore, if you want to apply the SOR device to industrial use,
This issue becomes even more important. That is, industrial SOR devices need to be downsized due to installation space restrictions and reduction in manufacturing costs, and therefore a compact configuration is required in which the number of deflection parts is reduced as much as possible. For example, deflection unit 1
Racetrack type S that bends charged particles 180' at certain points
The OR device is composed of two deflecting sections and two straight sections. This is a large SO with 200 deflection parts.
Compared to the R device, for the same beam energy, the amount of gas generated by the SOR light per deflection section is about 10 times greater. Furthermore, since the size of the uneven thickness section itself must be made smaller rather than a large device, it is also difficult to increase the number of vacuum pumps. Therefore, if the vacuum system of a large SOR device is applied as is to a small SOR device,
There was a problem in that sufficient exhaust capacity could not be obtained, the pressure inside the beam duct would increase, and the life of the charged particle beam would be further shortened.

また、SOR光を壁面に衝突する時、ガスだけでなく、
光電子を励起させて放出させる。この光電子がダクト内
で他の気体分子と衝突すると、これをイオン化する。イ
オン化された気体分子がダクト内を飛び回るうち、荷電
粒子ビーム中の電子に衝突すると中性化し、そのふんだ
けビーム電流が失なわれる。これはいわゆるイオントラ
ッピング現像で、やはり荷電粒子ビームの・寿命を短か
くする。
Also, when SOR light hits a wall, not only gas but also
Excite and emit photoelectrons. When these photoelectrons collide with other gas molecules within the duct, they ionize them. As the ionized gas molecules fly around inside the duct, they become neutral when they collide with the electrons in the charged particle beam, and the beam current is lost accordingly. This is so-called ion trapping development, which also shortens the lifetime of the charged particle beam.

本発明の目的は、SOR光の照射によって発生するガス
分子や光電子及びイオンを捕獲することによって、荷電
粒子ビームの長寿命化をはかり、安定したSOR光と供
給し得るシンクロトロン放射光発生装置を提供すること
にある。
The purpose of the present invention is to provide a synchrotron radiation light generation device that can prolong the life of a charged particle beam and supply stable SOR light by capturing gas molecules, photoelectrons, and ions generated by SOR light irradiation. It is about providing.

〔問題点を解決するための手段〕[Means for solving problems]

上記目的は、偏向部ビームダクト内のSOR光に照射さ
れる位置にビームアブソーバを設けると共に、該ビーム
アブソーバとビームダクトの間を絶縁し、かつこの間に
直流電圧を印加することによって達成される。さらにま
た、ビームアブソーバの材料として、SOR光に照射さ
れた際に脱離するガス量の少ない、いわゆる低光刺激脱
離係数材を用いることによって、より大きい効果を得る
ことができる。
The above object is achieved by providing a beam absorber at a position exposed to the SOR light in the deflection section beam duct, insulating the beam absorber and the beam duct, and applying a DC voltage therebetween. Furthermore, a greater effect can be obtained by using, as the material of the beam absorber, a so-called low photostimulation desorption coefficient material, which has a small amount of gas desorbed when irradiated with SOR light.

〔作用〕[Effect]

SOR光に照射される壁面からはガスが放出されると共
に、光電子が励起され放出される。SOR光によりガス
が放出される機構はまだ十分に解明されてはいないが、
現在のところ、直接照射される壁面からの放出ガス、反
射光がビームダクト内の他の壁面を照射することによっ
て生ずる放出ガス、及び放出された前記光電子が作用し
て壁面がら放出されるガスからなると言われている。偏
向部内で生じた光電子は自由に飛び回るのではなく、偏
肉部電磁圧の強い磁場の影響を受け、磁場の方向に沿っ
てらせん状の運動を行う。らせん状の軌跡を描くため、
光電子はダクト内できわめて長い距離を走ることになる
。そして、動く途中でダクト中の残留ガスの分子と衝突
するとこれをイオン化する。
Gas is emitted from the wall surface irradiated with the SOR light, and photoelectrons are excited and emitted. Although the mechanism by which gas is released by SOR light has not yet been fully elucidated,
At present, there are two types of gas emitted from the directly irradiated wall surface, the emitted gas generated when reflected light irradiates other walls in the beam duct, and the gas emitted from the wall surface due to the action of the emitted photoelectrons. It is said that it will happen. The photoelectrons generated within the deflection section do not fly around freely, but are influenced by the strong magnetic field of the electromagnetic pressure of the uneven thickness section, and move in a spiral along the direction of the magnetic field. To draw a spiral trajectory,
Photoelectrons travel extremely long distances within the duct. As it moves, it collides with residual gas molecules in the duct and ionizes them.

上記構成とすることにより、ダクト内で発生したイオン
は直流電圧印加にもとづく電場にしたがって、低電位側
に吸引され陰極側壁面に捕獲される。また光電子もらせ
ん状の軌跡を描きながら陽極側に捕獲される。このよう
にして、SOR光の照射によって発生したガスの一部は
陰極に捕獲され、ビームダクト内の残留ガスが減少して
真空度が向上すると共に、電場の作用によってイオント
ラッピングを防止する効果も生ずるので、荷電粒子ビー
ムの長寿命化が可能になる。
With the above configuration, ions generated within the duct are attracted to the low potential side and captured on the cathode side wall surface according to the electric field based on the application of a DC voltage. Photoelectrons are also captured on the anode side while tracing a spiral trajectory. In this way, part of the gas generated by SOR light irradiation is captured by the cathode, reducing the residual gas in the beam duct and improving the degree of vacuum, and the effect of preventing ion trapping due to the action of the electric field. This makes it possible to extend the lifetime of the charged particle beam.

〔実施例〕〔Example〕

以下本発明の一実施例を第1図〜第4図を用いて説明す
る。
An embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS. 1 to 4.

第1図はSOR装置の偏向部の断面図である。FIG. 1 is a sectional view of the deflection section of the SOR device.

la、lbは偏肉部電磁石、2はビームダクトで、その
内部は超高真空に保たれている。ダクト内を走る電子ビ
ーム3は電磁石1の作用によって偏向され、同時にSO
R光4が電子ビーム軌溝の接続方向外側へ放射される。
la and lb are uneven thickness electromagnets, and 2 is a beam duct, the inside of which is maintained at an ultra-high vacuum. The electron beam 3 running inside the duct is deflected by the action of the electromagnet 1, and at the same time the SO
R light 4 is emitted outward in the connecting direction of the electron beam track.

5はアブソーバで、SOR光4の照射を受ける。照射さ
れた面からは、■で示したガス分子6や、○で示した光
電子7が放出し、さらに■で示した反射光8はダクト壁
面に当って、やはり ■で示したガス分子9が放出する
。10はアブソーバの冷却管である。11は組込ポンプ
のためのチャンバで、12は組込ポンプ、13はビーム
ダクトと組込チャンバの間をつなぐ窓である。組込ポン
プとしては通常、イオンポンプあるいは非蒸発ゲッタポ
ンプが用いられる。
5 is an absorber that receives the SOR light 4 irradiation. From the irradiated surface, gas molecules 6 shown by ■ and photoelectrons 7 shown by ○ are emitted, and reflected light 8 shown by ■ hits the duct wall surface, and gas molecules 9 also shown by ■ are emitted. discharge. 10 is a cooling pipe for the absorber. 11 is a chamber for the built-in pump, 12 is the built-in pump, and 13 is a window connecting the beam duct and the built-in chamber. The built-in pump is usually an ion pump or a non-evaporative getter pump.

アブソーバ5はビームダクト2に対し電気的に絶縁され
ており、その一端からリード線14が電流導入端子15
を通して外部へ導かられている。
The absorber 5 is electrically insulated from the beam duct 2, and a lead wire 14 is connected to a current introduction terminal 15 from one end of the absorber 5.
It is led to the outside through.

外部では直流電源16によって、アブソーバ5とビーム
ダクト2との間に直流電圧が印加されている。本実施例
では、ビームアブソーバ側を正電位、ビームダクト側を
負電位とし、かつビームダクト側を接地している。
Externally, a DC voltage is applied between the absorber 5 and the beam duct 2 by a DC power supply 16 . In this embodiment, the beam absorber side is set to a positive potential, the beam duct side is set to a negative potential, and the beam duct side is grounded.

理解を深めるために、第2@でSOR光照射によって誘
起されるガス分子や光電子の挙動について説明する。ビ
ームダクト2内でSOR光4が発生し、アブソーバ5を
照射すると、ガス分子6aや光電子7aが放出され、反
射光8によってもガス分子9が放出される。ガス分子は
通常、ダクト内を飛び回りながら、ある確率で組込ポン
プや、偏向部の外側の直線部ダクトに接続して設置され
ている真空ポンプによって排気される。また光電子は偏
向電磁石工が発生する磁場19によって。
In order to deepen understanding, the behavior of gas molecules and photoelectrons induced by SOR light irradiation will be explained in the second part. When SOR light 4 is generated within the beam duct 2 and irradiates the absorber 5, gas molecules 6a and photoelectrons 7a are emitted, and gas molecules 9 are also emitted by the reflected light 8. Gas molecules usually fly around inside the duct and are evacuated with a certain probability by a built-in pump or a vacuum pump installed connected to the straight duct outside the deflection section. The photoelectrons are also generated by the magnetic field 19 generated by the bending electromagnet.

運動する方向に対して直角方向の力を受けるので、らせ
ん状軌道20a、20bを描きながら動く。
Since they receive a force perpendicular to the direction of movement, they move while tracing spiral trajectories 20a and 20b.

そして光電子7a、ガス分子6bと衝突すると、これを
イオン化し、イオン21を生成する。光電子がらせん運
動をすると、動く距離が長くなるから、それだけガス分
子と衝突する確率が増すことになる。イオン化された気
体分子は、従来のSOR装置では中性の気体分子と同じ
ようにダクト中を飛び回り、やがである確率で真空ポン
プによって排気される。あるいは、別の光電子やイオン
生成時に生じた2次電子と衝突した再び中性の気体分子
にもどるものもある。さらに、たまたま電子ビーム7の
軌道に入ったものの中ではビーム電子と結合して、イオ
ントラッピングを引き起こすものもある。
When the photoelectrons 7a collide with the gas molecules 6b, they are ionized and ions 21 are generated. When photoelectrons move in a spiral motion, the distance they travel becomes longer, which increases the probability of collision with gas molecules. In conventional SOR devices, ionized gas molecules fly around in the duct like neutral gas molecules, and are eventually evacuated by a vacuum pump with a certain probability. Alternatively, some of them return to neutral gas molecules after colliding with other photoelectrons or secondary electrons generated during ion production. Furthermore, some of the objects that happen to enter the orbit of the electron beam 7 combine with the beam electrons and cause ion trapping.

次に本実施例の作用及び効果について説明する。Next, the operation and effects of this embodiment will be explained.

第3図は第1図のアブソーバ近傍を拡大して示した図で
ある。図で、ビームダクト2を接地し、直流電源16に
よってアブソーバ5を高電位側に電圧を印加している。
FIG. 3 is an enlarged view of the vicinity of the absorber in FIG. 1. In the figure, the beam duct 2 is grounded, and a DC power supply 16 applies a voltage to the absorber 5 on the high potential side.

この直流電圧印加によって、ビームダクト内はアブソー
バを陽極、ビームダクトを陰極とする電場が形成される
。前記したようなSOR光の作用により、アブソーバか
らガス分子や光電子が放出されている状態を考える。光
電子のうち、あるものは図中7bのように磁場の影響で
らせん運動をしながら、電場に沿ってplk極側すなわ
ちアブソーバ側に引き寄せられ、ついにはアブソーバに
捕獲される。別の光電子はらせん運動7aをするうち、
ガス分子6aに衝突し、これをイオン化する。生成され
たイオン21は、電場の作用によって陰極側、すなわち
ビームダクト2の側に引き寄せられて壁面に捕獲される
。また、イオン化する時に発生する2次電子のうち、1
部はアブソーバ5に捕獲され、他のものはガス分子と衝
突して再びイオンを生成する。このようにして、ビーム
ダクトに捕獲される。すなわち、SOR光及びその反射
光によって放出されたガス、あるいはダクト内にもとも
と存在していたガスは、装置全体が有している真空ポン
プとは別に、上記しした作用によりビームダクト壁に捕
獲されるので、ダクト内の真空度は向上する。またイオ
ンをダクト壁に捕獲させる作用を利用していることから
、電子ビームに対するイオンラッピングを防止する効果
もある。これらの効果によって、電子ビームの長寿命化
が実現される。
By applying this DC voltage, an electric field is formed in the beam duct, with the absorber serving as an anode and the beam duct serving as a cathode. Consider a state in which gas molecules and photoelectrons are emitted from an absorber due to the action of SOR light as described above. Some of the photoelectrons are drawn along the electric field to the PLK pole side, that is, to the absorber side, while making a spiral motion under the influence of the magnetic field, as shown in 7b in the figure, and are finally captured by the absorber. While another photoelectron makes a spiral motion 7a,
It collides with the gas molecules 6a and ionizes them. The generated ions 21 are attracted to the cathode side, that is, the beam duct 2 side, by the action of the electric field and are captured on the wall surface. Also, among the secondary electrons generated during ionization, 1
Some are captured by the absorber 5, and others collide with gas molecules to generate ions again. In this way, it is captured in the beam duct. In other words, the gas emitted by the SOR light and its reflected light, or the gas originally present in the duct, is captured on the beam duct wall by the above-mentioned action, independent of the vacuum pump included in the entire device. Therefore, the degree of vacuum inside the duct is improved. Furthermore, since it utilizes the effect of trapping ions on the duct wall, it also has the effect of preventing ion wrapping against the electron beam. These effects make it possible to extend the life of the electron beam.

第4図に他の実施例を示す。本実施例では、第3図の場
合と逆に、接地したビームダクト側を正電位すなわち陽
極に、アブソーバ側を負電位すなわち陰極にしている。
FIG. 4 shows another embodiment. In this embodiment, contrary to the case shown in FIG. 3, the grounded beam duct side is set to a positive potential, that is, the anode, and the absorber side is set to the negative potential, that is, the cathode.

したがって本実施例では、イオンがアブソーバに捕獲さ
れ、ガス分子やイオンに衝突しなかった光電子や2次電
子がビームダクトに捕獲される。ガス分子に対する捕獲
作用の効果、あるいはイオントラッピング防止作用の効
果は、第3図の場合と同様で、やはり電子ビームの長寿
命化が実現される。
Therefore, in this embodiment, ions are captured by the absorber, and photoelectrons and secondary electrons that have not collided with gas molecules or ions are captured by the beam duct. The effect of the trapping action on gas molecules or the effect of preventing ion trapping is the same as in the case of FIG. 3, and the lifetime of the electron beam can also be extended.

さらに別の実施例として、第1図などのアブソーバ5の
材料として、きわめて純度の高い無酸素銅あるいはアル
ミニウムなどからなる低光脱離係数材を用いた場合があ
る。この場合はSOR光照射による放出ガス量がもとも
と減っているから、真空度向上に対してさらに効果的で
ある。
In yet another embodiment, as the material of the absorber 5 shown in FIG. 1, a low photodetachment coefficient material made of extremely pure oxygen-free copper or aluminum may be used. In this case, since the amount of gas released by SOR light irradiation is already reduced, it is more effective in improving the degree of vacuum.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

本発明によれば、SOR光によって放出されるガス分子
やイオンが壁面あるいはアブソーバに捕獲され、ビーム
ダクト内の真空度が向上すると共に、イオントラッピン
グが防止されるので、荷電粒子の寿命を長くできるとい
う効果がある。
According to the present invention, gas molecules and ions emitted by SOR light are captured by the wall surface or absorber, improving the degree of vacuum in the beam duct and preventing ion trapping, thereby extending the lifespan of charged particles. There is an effect.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明の一実施例で、SOR装置のビーム偏向
部の断面図、第2図はアブソーバを付近のビームダクト
の拡大断面図、第3図は本実施例のビームダクトの拡大
断面図、第4図は他の実施例のビームダクトの拡大断面
図である。 1・・・偏向電磁石、2・・・ビームダクト、3・・・
電子ビーム、4・・・SOR光、5・・・アブソーバ、
6・・・放出ガス分子、7・・・光電子、8・・・反射
光、9・・・反射光による放出ガス分子、11・・・組
込ポンプ室、12・・・組込ポンプ、14・・・リード
線、15・・・電流導入端子、16・・・直流電源、2
0・・・らせん状電子軌道、21・・・イオン。 第2図 2/l  イ不ン 第3図
FIG. 1 is a cross-sectional view of the beam deflection section of the SOR device, FIG. 2 is an enlarged cross-sectional view of the beam duct near the absorber, and FIG. 3 is an enlarged cross-sectional view of the beam duct of this embodiment. FIG. 4 is an enlarged sectional view of a beam duct of another embodiment. 1... Bending electromagnet, 2... Beam duct, 3...
Electron beam, 4... SOR light, 5... Absorber,
6... Released gas molecules, 7... Photoelectrons, 8... Reflected light, 9... Released gas molecules due to reflected light, 11... Built-in pump chamber, 12... Built-in pump, 14 ... Lead wire, 15 ... Current introduction terminal, 16 ... DC power supply, 2
0...Spiral electron orbit, 21...Ion. Fig. 2 2/l Inp Fig. 3

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1、偏向電磁石に包囲され、かつ、荷電粒子が周回する
に必要なビームダクトを有するシンクロトロン放射光発
生装置において、ビーム偏向部のビームダクト内のシン
クロトロン放射光に照射される位置にビームアブソーバ
を設けると共に、該ビームアブソーバとビームダクトの
間を電気的に絶縁し、かつこの間に電圧を印加したこと
を特徴とするシンクロトロン放射光発生装置。 2、アブソーバに低光脱離係数材を用いたことを特徴と
する特許請求の範囲の第1項記載のシンクロトロン放射
光発生装置。
[Claims] 1. In a synchrotron radiation generator surrounded by deflection electromagnets and having a beam duct necessary for circulating charged particles, irradiating the synchrotron radiation in the beam duct of the beam deflection section. What is claimed is: 1. A synchrotron radiation light generating device, characterized in that a beam absorber is provided at a position where the beam absorber is located, the beam absorber and the beam duct are electrically insulated, and a voltage is applied between the beam absorber and the beam duct. 2. The synchrotron radiation light generating device according to claim 1, wherein a material with a low optical desorption coefficient is used for the absorber.
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