JP2685503B2 - Synchrotron radiation generator - Google Patents

Synchrotron radiation generator

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JP2685503B2
JP2685503B2 JP63139334A JP13933488A JP2685503B2 JP 2685503 B2 JP2685503 B2 JP 2685503B2 JP 63139334 A JP63139334 A JP 63139334A JP 13933488 A JP13933488 A JP 13933488A JP 2685503 B2 JP2685503 B2 JP 2685503B2
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学 松本
利明 小針
俊二 垣内
敏 井戸
達 村下
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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はシンクロトロン放射光発生装置(以下SOR装
置と略す)に係り、特に荷電粒子ビームの寿命を長時間
化するのに好適なSOR装置に関する。
The present invention relates to a synchrotron radiation light generator (hereinafter referred to as SOR device), and particularly to a SOR device suitable for prolonging the life of a charged particle beam. Regarding

〔従来の技術〕[Conventional technology]

従来、加速器やSOR装置では、高エネルギー物理学研
究所レポート、No.81−2(1981年)の第57頁から第61
頁において論じられているように、ビームダクトはきわ
めて細長い環状の容器からなり、内部は超高真空に維持
されている。また全体は、荷電粒子のビームを曲げSOR
光を発生させる偏向部と、これら偏向部をつなぐと共に
ビーム制御のための4極電磁石などを有する直線部から
構成され、これらが多数に分割されて、リング全体にほ
ぼ均等に配置されている。偏向部ではビームの接線方向
にSOR光が発生し、ビームダクトの内壁面を照射する。S
OR光に照射された壁面からは光刺激脱離により、多量の
ガスを発生する。発生するガス量は単なる熱脱離による
放出ガス量にくらべ10倍から100倍も多いため、ビーム
ダクト内を超高真空に維持しようとする時、大きい問題
になる。従来の装置では前記したように、偏向部がビー
ムダクト全体に多数の場所に分かれ、しかも均等に配置
されているので、SOR光照射によつてビームダクト壁面
から発生するガス源もビーム軌道に沿つてほぼ全周に分
散されている。したがつて、ビームダクト全体に比較的
小型の真空ポンプを多数配置することと、さらに偏向部
のダクトの内周側に組込ポンプを設置することにより、
真空排気を行つてきた。このような小容量大偏成の真空
排気系によつて、ビームダクト内を超高真空に保ち、荷
電粒子ビームの寿命をある程度長い時間、維持できてい
た。
Conventionally, for accelerators and SOR devices, High Energy Physics Laboratory Report, No. 81-2 (1981), pages 57 to 61.
As discussed in the page, the beam duct consists of a very elongated annular vessel, the interior of which is maintained at ultrahigh vacuum. Also, the whole bends the beam of charged particles SOR
It is composed of a deflecting section for generating light and a linear section connecting the deflecting sections and having a quadrupole electromagnet for beam control, etc. These are divided into a large number and arranged substantially uniformly over the entire ring. In the deflection section, SOR light is generated in the tangential direction of the beam and irradiates the inner wall surface of the beam duct. S
A large amount of gas is generated by photostimulation desorption from the wall surface irradiated with OR light. The amount of gas generated is 10 to 100 times larger than the amount of gas released by mere thermal desorption, which is a big problem when trying to maintain an ultrahigh vacuum in the beam duct. As described above, in the conventional device, since the deflector is divided into a number of places throughout the beam duct and is evenly arranged, the gas source generated from the wall surface of the beam duct due to the SOR light irradiation also follows the beam trajectory. It is distributed all around. Therefore, by arranging a large number of relatively small vacuum pumps in the entire beam duct, and further by installing the built-in pump on the inner peripheral side of the duct of the deflection unit,
I have been evacuating. With such a small-capacity, large-biased vacuum evacuation system, the inside of the beam duct can be kept in an ultra-high vacuum, and the life of the charged particle beam can be maintained for a certain long time.

〔発明が解決しようとする問題点〕[Problems to be solved by the invention]

しかしながら、従来のSOR装置においても、荷電粒子
ビームの寿命は十分に長時間であるとはいえず、真空度
をさらに向上させるなどによつてこれを改善することが
強く求められてきた。
However, even in the conventional SOR device, the life of the charged particle beam cannot be said to be sufficiently long, and it has been strongly demanded to improve it by further improving the degree of vacuum.

さらにSOR装置を工業用に応用しようとする場合は、
この問題はさらに重要になる。すなわち工業用SOR装置
では、設置スペースの制約や製作コストの低減から小型
化が必要で、そのために偏向部の数をできる限り減らし
たコンパクトな構成が求められる。例えば、偏向部1個
所で荷電粒子を180°曲げるレーストラツク型のSOR装置
では、2個所の偏向部と2個所の直線部で構成される。
これを20個所の偏向部を持つような大型SOR装置と較べ
れば、同じビームエネルギーの場合、偏向部1個所あた
りのSOR光によつて発生するガス量は約10倍にもなる。
また偏向部自体の大きさは、大型装置よりむしろ小さく
しなければならないから、真空ポンプの数を増やすこと
も難しい。従つて、大型SOR装置の真空システムをその
まま小型SOR装置に適用すれば、充分な排気能力が得ら
れず、ビームダクト内の圧力が上昇し、荷電粒子ビーム
の寿命がさらに短かくなるという問題があつた。
If you want to further apply the SOR device for industrial use,
This problem becomes even more important. In other words, the industrial SOR device needs to be downsized due to restrictions on installation space and reduction in manufacturing cost, and therefore a compact configuration in which the number of deflecting parts is reduced as much as possible is required. For example, in a race track type SOR device that bends charged particles by 180 ° at one deflection portion, it is composed of two deflection portions and two straight portions.
Comparing this with a large-scale SOR device having 20 deflection sections, the amount of gas generated by SOR light per deflection section is about 10 times that of the same beam energy.
Moreover, since the size of the deflection unit itself must be smaller than that of a large-sized device, it is difficult to increase the number of vacuum pumps. Therefore, if the vacuum system of the large SOR device is directly applied to the small SOR device, sufficient exhaust capacity cannot be obtained, the pressure in the beam duct rises, and the life of the charged particle beam becomes even shorter. Atsuta

また、SOR光を壁面に衝突する時、ガスだけでなく、
光電子を励起させて放出させる。この光電子がダクト内
で他の気体分子と衝突すると、これをイオン化する。イ
オン化された気体分子がダクト内を飛び回るうち、荷電
粒子ビーム中の電子に衝突すると中性化し、そのぶんだ
けビーム電流が失われる。これはいわゆるイオントラツ
ピング現像で、やはり荷電粒子ビームの寿命を短かくす
る。
Also, when the SOR light collides with the wall, not only the gas,
Photoelectrons are excited and emitted. When the photoelectrons collide with other gas molecules in the duct, they ionize them. While the ionized gas molecules fly around in the duct, they collide with the electrons in the charged particle beam and are neutralized, so that the beam current is lost. This is so-called ion trapping development, which also shortens the life of the charged particle beam.

本発明の目的は、SOR光の照射によつて発生するガス
分子や光電子及びイオンを捕獲することによつて、荷電
粒子ビームの長寿命化をはかり、安定したSOR光と供給
し得るシンクロトロン放射光発生装置を提供することに
ある。
The purpose of the present invention is to extend the life of a charged particle beam by trapping gas molecules, photoelectrons and ions generated by irradiation of SOR light, and to provide stable SOR light and synchrotron radiation. It is to provide a light generation device.

〔問題点を解決するための手段〕[Means for solving the problem]

上記目的は、偏向部ビームダクト内のSOR光に照射さ
れる位置にビームアブソーバを設けると共に、該ビーム
アブソーバとビームダクトの間を絶縁し、かつこの間に
直流電圧を印加することによつて達成される。さらにま
た、ビームアブソーバの材料として、SOR光に照射され
た際に脱離するガス量の少ない、いわゆる低光刺激脱離
係数材を用いることによつて、より大きい効果を得るこ
とができる。
The above-mentioned object is achieved by providing a beam absorber at a position where it is irradiated with SOR light in the beam duct of the deflecting unit, insulating the beam absorber from the beam duct, and applying a DC voltage between them. It Furthermore, a greater effect can be obtained by using a so-called low photostimulation desorption coefficient material, which has a small amount of gas desorbed when irradiated with SOR light, as the material of the beam absorber.

〔作用〕[Action]

SOR光に照射される壁面からはガスが放出されると共
に、光電子が励起され放出される。SOR光によりガスが
放出される機構はまだ十分に解明されてはいないが、現
在のところ、直接照射される壁面からの放出ガス、反射
光がビームダクト内の他の壁面を照射することによつて
生ずる放出ガス、及び放出された前記光電子が作用して
壁面から放出されるガスからなると言われている、偏向
部内で生じた光電子は自由に飛び回るのではなく、偏向
部電磁圧の強い磁場の影響を受け、磁場の方向に沿つて
らせん状の運動を行う。らせん状の軌跡を描くため、光
電子はダクト内できわめて長い距離を走ることになる。
そして、動く途中でダクト中の残留ガスの分子と衝突す
るとこれをイオン化する。
Gas is emitted from the wall surface irradiated with SOR light, and photoelectrons are excited and emitted. The mechanism by which the gas is released by SOR light has not been fully clarified yet, but at present, the emitted gas from the directly irradiated wall, reflected light irradiates the other wall in the beam duct. It is said that the photoelectrons generated in the deflection part, which are said to consist of the emission gas generated as a result, and the gas emitted from the wall surface by the action of the emitted photoelectrons, do not fly freely, but instead of a strong magnetic field of the deflection part electromagnetic pressure. It is affected and makes a spiral movement along the direction of the magnetic field. Because it draws a spiral trajectory, photoelectrons will travel a very long distance in the duct.
Then, when they collide with the molecules of the residual gas in the duct while moving, they are ionized.

上記構成とすることにより、ダクト内で発生したイオ
ンは直流電圧印加にもとづく電場にしたがつて、低電位
側に吸引され陰極側壁面に捕獲される。また光電子もら
せん状の軌跡を描きながら陽極側に捕獲される。このよ
うにして、SOR光の照射によつて発生したガスの一部は
陰極に捕獲され、ビームダクト内の残留ガスが減少して
真空度が向上すると共に、電場の作用によつてイオント
ラツピングを防止する効果も生ずるので、荷電粒子ビー
ムの長寿命化が可能になる。
With the above configuration, the ions generated in the duct are attracted to the low potential side and trapped on the side wall surface of the cathode according to the electric field based on the application of the DC voltage. Photoelectrons are also captured on the anode side while drawing a spiral locus. In this way, part of the gas generated by SOR light irradiation is captured by the cathode, the residual gas in the beam duct is reduced and the degree of vacuum is improved, and the ion trapping is performed by the action of the electric field. Since the effect of preventing the occurrence of the charged particle beam also occurs, the life of the charged particle beam can be extended.

〔実施例〕〔Example〕

以下本発明の一実施例を第1図〜第4図を用いて説明
する。
An embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS.

第1図はSOR装置の偏向部の断面図である。1a,1bは偏
向部電磁石、2はビームダクトで、その内部は超高真空
に保たれている。ダクト内を走る電子ビーム3は電磁石
1の作用によつて偏向され、同時にSOR光4が電子ビー
ム軌導の接線方向外側へ放射される。5はアブソーバ
で、SOR光4の照射を受ける。照射された面からは、
で示したガス分子6や、で示した光電子7が放出し、
さらにで示した反射光8はダクト壁面に当つて、やは
りで示したガス分子9が放出する。10はアブソーバの
冷却管である。11は組込ポンプのためのチヤンバで、12
は組込ポンプ、13はビームダクトと組込チヤンバの間を
つなぐ窓である。組込ポンプとしては通常、イオンポン
プあるいは非蒸発ゲツタポンプが用いられる。
FIG. 1 is a cross-sectional view of the deflection section of the SOR device. Reference numerals 1a and 1b are electromagnets for the deflecting section, and 2 is a beam duct, and the inside thereof is kept in an ultrahigh vacuum. The electron beam 3 running in the duct is deflected by the action of the electromagnet 1, and at the same time, the SOR light 4 is emitted outward in the tangential direction of the electron beam guide. Reference numeral 5 is an absorber, which receives irradiation of SOR light 4. From the illuminated surface,
The gas molecules 6 indicated by and the photoelectrons 7 indicated by
Further, the reflected light 8 shown by hits the wall surface of the duct, and the gas molecules 9 also shown by are emitted. 10 is a cooling pipe of the absorber. 11 is a chamber for built-in pump, 12
Is a built-in pump, and 13 is a window connecting between the beam duct and the built-in chamber. As the built-in pump, an ion pump or a non-evaporable getter pump is usually used.

アブソーバ5はピームダクト2に対し電気的に絶縁さ
れており、その一端からリード線14が電流導入端子15を
通して外部へ導かられている。外部では直流電源16によ
つて、アブソーバ5とビームダクト2との間に直流電圧
が印加されている。本実施例では、ビームアブソーバ側
を正電位ビームダクト側を負電位とし、かつビームダク
ト側を接地している。
The absorber 5 is electrically insulated from the beam duct 2, and a lead wire 14 is led from the one end to the outside through a current introduction terminal 15. Externally, a DC voltage is applied between the absorber 5 and the beam duct 2 by a DC power supply 16. In this embodiment, the beam absorber side has a positive potential and the beam duct side has a negative potential, and the beam duct side is grounded.

理解を深めるために、第2図でSOR光照射によつて誘
起されるガス分子や光電子の挙動について説明する。ビ
ームダクト2内でSOR光4が発生し、アブソーバ5を照
射すると、ガス分子6aや光電子7aが放出され、反射光8
によつてもガス分子9が放出される。ガス分子は通常、
ダクト内を飛び回りながら、ある確率で組込ポンプや、
偏向部の外側の直線部ダクトに接続して設置されている
真空ポンプによつて排気される。また光電子は偏向電磁
石1が発生する磁場19によつて、運動する方向に対して
直角方向の力を受けるので、らせん状軌道20a,20bを描
きながら動く。そして光電子7a,ガス分子6bと衝突する
と、これをイオン化し、イオン21を生成する。光電子が
らせん運動をすると、動く距離が長くなるから、それだ
けガス分子と衝突する確率が増すことになる。イオン化
された気体分子は、従来のSOR装置では中性の気体分子
と同じようにダクト中を飛び回り、やがてある確率で真
空ポンプによつて排気される。あるいは、別の光電子や
イオン生成時に生じた2次電子と衝突した再び中性の気
体分子にもどるものもある。さらに、たまたま電子ビー
ム7の軌導に入つたものの中ではビーム電子と結合し
て、イオントラッピングを引き起こすものもある。
In order to deepen the understanding, the behavior of gas molecules and photoelectrons induced by SOR light irradiation will be explained in FIG. When the SOR light 4 is generated in the beam duct 2 and the absorber 5 is irradiated, gas molecules 6a and photoelectrons 7a are emitted, and reflected light 8
Also by this, the gas molecules 9 are released. Gas molecules are usually
While flying around the duct, there is a certain probability that the built-in pump,
The air is exhausted by a vacuum pump connected to a straight duct outside the deflecting unit. Further, the photoelectrons receive a force in a direction perpendicular to the moving direction due to the magnetic field 19 generated by the deflecting electromagnet 1, and therefore move while drawing spiral orbits 20a and 20b. When it collides with the photoelectrons 7a and the gas molecules 6b, these are ionized and ions 21 are generated. When the photoelectrons make a spiral motion, the moving distance increases, and thus the probability of collision with gas molecules increases. Ionized gas molecules fly around in a duct in the same manner as neutral gas molecules in a conventional SOR device, and are eventually exhausted by a vacuum pump with a certain probability. Alternatively, there are those that return to neutral gas molecules that collide with other photoelectrons or secondary electrons generated when ions are generated. Further, among those accidentally entering the trajectory of the electron beam 7, there are some that are coupled with the beam electrons and cause ion trapping.

次に本実施例の作用及び効果について説明する。第3
図は第1図のアブソーバ近傍を拡大して示した図であ
る。図で、ビームダクト2を接地し、直流電源16によつ
てアブソーバ5を高電位側に電圧を印加している。この
直流電圧印加によつて、ビームダクト内はアブソーバを
陽極、ビームダクトを陰極とする電場が形成される。前
記したようなSOR光の作用により、アブソーバからガス
分子や光電子が放出されている状態を考える。光電子の
うち、あるものは図中7bのように磁場の影響でらせん運
動をしながら、電場に沿つて陽極側すなわちアブソーバ
側に引き寄せられ、ついにはアブソーバに捕獲される。
別の光電子はらせん運動7aをするうち、ガス分子6aに衝
突し、これをイオン化する。生成されたイオン21は、電
場の作用によつて陰極側、すなわちビームダクト2の側
に引き寄せられて壁面に捕獲される。また、イオン化す
る時に発生する2次電子のうち、1部はアブソーバ5に
捕獲され、他のものはガス分子と衝突して再びイオンを
生成する。このようにして、ビームダクトに捕獲され
る。すなわち、SOR光及びその反射光によつて放出され
たガス、あるいはダクト内にもともと存在していたガス
は、装置全体が有している真空ポンプとは別に、上記し
た作用によりビームダクト壁に捕獲されるので、ダクト
内の真空度は向上する。またイオンをダクト壁に捕獲さ
せる作用を利用していることから、電子ビームに対する
イオンラッピングを防止する効果もある。これらの効果
によつて、電子ビームの長寿命化が実現される。
Next, the operation and effect of this embodiment will be described. Third
The figure is an enlarged view of the vicinity of the absorber in FIG. In the figure, the beam duct 2 is grounded, and a voltage is applied to the absorber 5 on the high potential side by a DC power supply 16. By applying this DC voltage, an electric field is formed in the beam duct with the absorber as the anode and the beam duct as the cathode. Consider a state in which gas molecules and photoelectrons are emitted from the absorber by the action of SOR light as described above. Some of the photoelectrons are spiraled under the influence of a magnetic field as shown by 7b in the figure, and are attracted to the anode side, that is, the absorber side along the electric field, and finally captured by the absorber.
Another photoelectron collides with the gas molecule 6a during the spiral motion 7a and ionizes it. The generated ions 21 are attracted to the cathode side, that is, the side of the beam duct 2 by the action of the electric field, and are trapped on the wall surface. Further, of the secondary electrons generated during ionization, one part is captured by the absorber 5, and the other one collides with gas molecules to generate ions again. In this way, it is captured by the beam duct. That is, the gas emitted by the SOR light and its reflected light, or the gas originally existing in the duct is trapped on the beam duct wall by the above-mentioned action, in addition to the vacuum pump of the entire device. Therefore, the degree of vacuum in the duct is improved. Further, since the action of trapping ions on the duct wall is utilized, there is also an effect of preventing ion wrapping with respect to the electron beam. Due to these effects, the life of the electron beam can be extended.

第4図に他の実施例を示す。本実施例では、第3図の
場合と逆に、接地したビームダクト側を正電位すなわち
陽極に、アブソーバ側を負電位すなわち陰極にしてい
る。したがつて本実施例では、イオンがアブソーバに捕
獲され、ガス分子やイオンに衝突しなかつた光電子や2
次電子がビームダクトに捕獲される。ガス分子に対する
捕獲作用の効果、あるいはイオントラツピング防止作用
の効果は、第3図の場合と同様で、やはり電子ビームの
長寿命化が実現される。
FIG. 4 shows another embodiment. In this embodiment, contrary to the case of FIG. 3, the grounded beam duct side has a positive potential, that is, the anode, and the absorber side has a negative potential, that is, the cathode. Therefore, in this embodiment, the photoelectrons and the ions which are trapped by the absorber and do not collide with gas molecules or ions
Secondary electrons are trapped in the beam duct. The effect of trapping gas molecules or the effect of preventing ion trapping is the same as in the case of FIG. 3, and the life of the electron beam is also prolonged.

さらに別の実施例として、第1図などのアブソーバ5
の材料として、きわめて純度の高い無酸素銅あるいはア
ルミニウムなどからなる低光脱離係数材を用いた場合が
ある。この場合はSOR光照射による放出ガス量がもとも
と減つているから、真空度向上に対してさらに効果的で
ある。
As yet another embodiment, the absorber 5 shown in FIG.
In some cases, a low photodesorption coefficient material made of oxygen-free copper, aluminum, or the like having an extremely high purity is used as the material. In this case, the amount of gas released by SOR light irradiation is originally reduced, which is more effective for improving the degree of vacuum.

〔発明の効果〕〔The invention's effect〕

本発明によれば、SOR光によつて放出されるガス分子
やイオンが壁面あるいはアブソーバに捕獲され、ビーム
ダクト内の真空度が向上すると共に、イオントラツピン
グが防止されるので、荷電粒子の寿命を長くできるとい
う効果がある。
According to the present invention, gas molecules and ions emitted by SOR light are captured by the wall surface or the absorber, the degree of vacuum in the beam duct is improved, and ion trapping is prevented. There is an effect that can be extended.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

第1図は本発明の一実施例で、SOR装置のビーム偏向部
の断面図、第2図はアブソーバを付近のビームダクトの
拡大断面図、第3図は本実施例のビームダクトの拡大断
面図、第4図は他の実施例のビームダクトの拡大断面図
である。 1……偏向電磁石、2……ビームダクト、3……電子ビ
ーム、4……SOR光、5……アブソーバ、6……放出ガ
ス分子、7……光電子、8……反射光、9……反射光に
よる放出ガス分子、11……組込ポンプ室、12……組込ポ
ンプ、14……リード線、15……電流導入端子、16……直
流電源、20……らせん状電子軌道、21……イオン。
FIG. 1 is an embodiment of the present invention, a sectional view of a beam deflecting portion of a SOR device, FIG. 2 is an enlarged sectional view of a beam duct near an absorber, and FIG. 3 is an enlarged sectional view of a beam duct of this embodiment. FIG. 4 and FIG. 4 are enlarged sectional views of a beam duct of another embodiment. 1 ... Bending electromagnet, 2 ... Beam duct, 3 ... Electron beam, 4 ... SOR light, 5 ... Absorber, 6 ... Emitted gas molecule, 7 ... Photoelectron, 8 ... Reflected light, 9 ... Emitted gas molecules by reflected light, 11 …… Built-in pump chamber, 12 …… Built-in pump, 14 …… Lead wire, 15 …… Current introduction terminal, 16 …… DC power supply, 20 …… Spiral electron orbit, 21 ……ion.

フロントページの続き (72)発明者 池口 隆 茨城県土浦市神立町502番地 株式会社 日立製作所機械研究所内 (72)発明者 松本 学 茨城県土浦市神立町502番地 株式会社 日立製作所機械研究所内 (72)発明者 小針 利明 茨城県土浦市神立町502番地 株式会社 日立製作所機械研究所内 (72)発明者 垣内 俊二 茨城県日立市幸町3丁目1番1号 株式 会社日立製作所日立工場内 (72)発明者 井戸 敏 東京都千代田区内幸町1丁目1番6号 日本電信電話株式会社内 (72)発明者 村下 達 東京都千代田区内幸町1丁目1番6号 日本電信電話株式会社内 (56)参考文献 特開 昭62−180999(JP,A) 特開 昭62−200697(JP,A) 特開 昭62−110300(JP,A)Front page continued (72) Inventor Takashi Ikeguchi 502 Jinmachicho, Tsuchiura-shi, Ibaraki Hitachi Machinery Research Laboratory, Inc. (72) Inventor Manabu Matsumoto 502 Jinmachi-cho, Tsuchiura-shi, Ibaraki Hitachi Machinery Research Institute, Inc. (72) ) Inventor Toshiaki Kodai 502, Kintate-cho, Tsuchiura-shi, Ibaraki Machinery Research Laboratory, Hitachi, Ltd. (72) Inventor Shunji Kakiuchi 3-1-1, Sachimachi, Hitachi, Ibaraki Hitachi Ltd. (72) Invention Ito Satoshi 1-1-6 Uchisaiwaicho, Chiyoda-ku, Tokyo Nippon Telegraph and Telephone Corporation (72) Inventor Tatsu Murashita 1-1-6 Uchisaiwaicho, Chiyoda-ku, Tokyo Nippon Telegraph and Telephone Corporation (56) References JP-A-62-180999 (JP, A) JP-A-62-200697 (JP, A) JP-A-62-110300 (JP, A)

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】偏向磁石に包囲され、かつ、荷電粒子が周
回するに必要なビームダクトを有するシンクロトロン放
射光発生装置において、ビーム偏向部のシンクロトロン
放射光が照射されない側のビームダクトに組込チャンバ
を設け、前記組込チャンバとビームダクト間に窓を開
け、かつ前記組込チャンバ内に組込ポンプを備え、前記
ビームダクト内のシンクロトロン放射光に照射される位
置に低光脱離係数材からなるビームアブソーバを設ける
と共に、前記ビームアブソーバとビームダクトの間を電
気的に絶縁し、かつこの間に直流電圧を印加したことを
特徴とするシンクロトロン放射光発生装置。
1. A synchrotron radiation generator that is surrounded by a deflecting magnet and has a beam duct required for circulating charged particles. In the synchrotron radiation generator, the beam deflector is provided on a side of the beam duct which is not irradiated with the synchrotron radiation. A built-in chamber is provided, a window is opened between the built-in chamber and the beam duct, and a built-in pump is provided in the built-in chamber, and low light desorption is performed in the beam duct at a position irradiated with synchrotron radiation. A synchrotron radiation generating apparatus characterized in that a beam absorber made of a coefficient material is provided, the beam absorber and the beam duct are electrically insulated, and a DC voltage is applied between them.
JP63139334A 1988-06-08 1988-06-08 Synchrotron radiation generator Expired - Fee Related JP2685503B2 (en)

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