JPH01307045A - データメモリシステムおよびその製造方法 - Google Patents
データメモリシステムおよびその製造方法Info
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- JPH01307045A JPH01307045A JP8562489A JP8562489A JPH01307045A JP H01307045 A JPH01307045 A JP H01307045A JP 8562489 A JP8562489 A JP 8562489A JP 8562489 A JP8562489 A JP 8562489A JP H01307045 A JPH01307045 A JP H01307045A
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Classifications
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- G11B11/10502—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing characterised by the transducing operation to be executed
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- G11B11/10582—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
- G11B11/10586—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form characterised by the selection of the material
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、熱的に直接に重ね書き可能な情報を有する
データメモリシステムであうで、情報の書込み続出しお
よび消去が、可変の磁化方向を有する範囲内で制御可能
な強度を存する１つのビーム源の焦点合わせ可能でかつ
熱エネルギーに変換可能なビームにより行われるデータ
メモリシステムに関するものである。データメモリシス
テムは磁気的メモリ層および磁気的制御層を有する多層
構造を含んでいる。この制御層はメモリ層のなかの磁化
を制御するための磁界源としての役割をする。
データメモリシステムであうで、情報の書込み続出しお
よび消去が、可変の磁化方向を有する範囲内で制御可能
な強度を存する１つのビーム源の焦点合わせ可能でかつ
熱エネルギーに変換可能なビームにより行われるデータ
メモリシステムに関するものである。データメモリシス
テムは磁気的メモリ層および磁気的制御層を有する多層
構造を含んでいる。この制御層はメモリ層のなかの磁化
を制御するための磁界源としての役割をする。
磁気光学的メモリシステムにおいては、公知のように情
報が、熱に変換され得る焦点合わせされタヒームパルス
により、好ましくはレーザーパルスにより、保磁力が温
度の上昇と共に減少するメモリ媒体のなかに書込まれ得
る。一般に磁気光学的薄層として構成されているメモリ
媒体は、メモリ層の平らな面に対して垂直にその優先磁
気軸を有する。焦点合わせされたレーザービームにより
磁気光学的メモリ媒体は予め定められた範囲内で、予め
定められた磁化が外部磁界により発生ドメインのなかで
設定され得るオーダリング温度、いわゆるキュリー温度
になる。ドメインのなかの磁化のパターンは２値データ
として記憶された情報を表す。データの読出しのために
は、わずかな強度を有するレーザービームが偏光子を介
して供給される。光線の偏光は、光線がメモリ層から反
射されるとき（カー効果）、または光線がメモリ層を通
り抜けるとき（ファラデー効果）、予め定められた角度
だけ回転される９回転角はメモリ媒体の特性により基本
的に決定される。ドメインのなかの磁化方向に関係して
偏光面が時計回り方向または反時計回り方向に回転され
る。検光子により偏光の変化が、光検出器により検出さ
れる光線の強度の変化に変換される０回転の指示により
情報がメモリから再び読出され得る。
報が、熱に変換され得る焦点合わせされタヒームパルス
により、好ましくはレーザーパルスにより、保磁力が温
度の上昇と共に減少するメモリ媒体のなかに書込まれ得
る。一般に磁気光学的薄層として構成されているメモリ
媒体は、メモリ層の平らな面に対して垂直にその優先磁
気軸を有する。焦点合わせされたレーザービームにより
磁気光学的メモリ媒体は予め定められた範囲内で、予め
定められた磁化が外部磁界により発生ドメインのなかで
設定され得るオーダリング温度、いわゆるキュリー温度
になる。ドメインのなかの磁化のパターンは２値データ
として記憶された情報を表す。データの読出しのために
は、わずかな強度を有するレーザービームが偏光子を介
して供給される。光線の偏光は、光線がメモリ層から反
射されるとき（カー効果）、または光線がメモリ層を通
り抜けるとき（ファラデー効果）、予め定められた角度
だけ回転される９回転角はメモリ媒体の特性により基本
的に決定される。ドメインのなかの磁化方向に関係して
偏光面が時計回り方向または反時計回り方向に回転され
る。検光子により偏光の変化が、光検出器により検出さ
れる光線の強度の変化に変換される０回転の指示により
情報がメモリから再び読出され得る。
１つの書込まれた情報の重ね書きのためには、たとえば
メモリ板の回転の間に、書込まれた情報がレーザービー
ムにより消去され、また後続の回転の間に新しい情報が
書込まれる。さらに、２ビームシステムのなかで熱ビー
ムにより消去され、また後続のビームにより新たに書込
まれ得る。
メモリ板の回転の間に、書込まれた情報がレーザービー
ムにより消去され、また後続の回転の間に新しい情報が
書込まれる。さらに、２ビームシステムのなかで熱ビー
ムにより消去され、また後続のビームにより新たに書込
まれ得る。
メモリ層、誘電体および制御層を有する別の公知のデー
タメモリシステムでは、重ね書きのために、新しい情報
が書込まれるべきドメインのなかでのみ磁化が変換され
る。制御層は基本磁界を発生する役割をする。制御層は
温度に関係して交互する磁化を有する強磁性材料から成
っている。読出しおよび重ね書きは２ビームレーザーシ
ステムにより別々の磁気的範囲内で行われる。レーザー
ビームによりメモリ層も制御層も暖められる。制？１１
層がその補償温度Ｔ、を越えて暖められると、その磁化
方向が回転され、また同時に高められる。
タメモリシステムでは、重ね書きのために、新しい情報
が書込まれるべきドメインのなかでのみ磁化が変換され
る。制御層は基本磁界を発生する役割をする。制御層は
温度に関係して交互する磁化を有する強磁性材料から成
っている。読出しおよび重ね書きは２ビームレーザーシ
ステムにより別々の磁気的範囲内で行われる。レーザー
ビームによりメモリ層も制御層も暖められる。制？１１
層がその補償温度Ｔ、を越えて暖められると、その磁化
方向が回転され、また同時に高められる。
制御層のキュリー温度Ｔｃに達した際にこの層は書込み
可能であり、またその磁化は制御層のなかの磁化と平行
している。冷却の際には制御層の補ｒｘ温度Ｔ５の下側
で磁化が回転され、またその後はメモリ層のなかの磁化
と反対向きである。制御層のなかの磁化はマグネトスタ
ティックな交互作用により変換される。従って、両層の
保磁力は、制御層のなかの磁化はマグネトスタティック
な交互作用により変換され得るが、メモリ層のなかの磁
化は不変にとどまるように、互いに適合していなければ
ならない（米国特許筒４，６４９．５１９号明細書）。
可能であり、またその磁化は制御層のなかの磁化と平行
している。冷却の際には制御層の補ｒｘ温度Ｔ５の下側
で磁化が回転され、またその後はメモリ層のなかの磁化
と反対向きである。制御層のなかの磁化はマグネトスタ
ティックな交互作用により変換される。従って、両層の
保磁力は、制御層のなかの磁化はマグネトスタティック
な交互作用により変換され得るが、メモリ層のなかの磁
化は不変にとどまるように、互いに適合していなければ
ならない（米国特許筒４，６４９．５１９号明細書）。
熱的に直接に重ね書き可能な情報を有する公知のデータ
メモリシステムはデータ媒体として多層構造を含んでお
り、そのメモリ層は制御層から、制御層のなかの温度を
制御する役割をする絶縁層により隔てられている。書込
み、続出しおよび消去は制御可能な強度を有するレーザ
ービームにより行われる。制御層は制御磁界、従ってま
た温度の関数としてのメモリ層のなかの磁界方位を発生
する。０信号の書込みのためには、わずかな時間的長さ
のレーザービームによりメモリ層のみが加熱され、また
たとえばデータ媒体の上に配置されている基本磁界源に
よりＯ磁化がメモリ層のなかに書込まれる。１信号の書
込みのためには、より長いレーザーパルスにより制御層
も加熱され、また制御層のなかの電荷パターンが変更さ
れる。変更された磁界分布はメモリ層に伝達される。し
かし、この構成では、制御層の電荷パターンはメモリ層
への比較的わずかな磁化作用のみを有する。
メモリシステムはデータ媒体として多層構造を含んでお
り、そのメモリ層は制御層から、制御層のなかの温度を
制御する役割をする絶縁層により隔てられている。書込
み、続出しおよび消去は制御可能な強度を有するレーザ
ービームにより行われる。制御層は制御磁界、従ってま
た温度の関数としてのメモリ層のなかの磁界方位を発生
する。０信号の書込みのためには、わずかな時間的長さ
のレーザービームによりメモリ層のみが加熱され、また
たとえばデータ媒体の上に配置されている基本磁界源に
よりＯ磁化がメモリ層のなかに書込まれる。１信号の書
込みのためには、より長いレーザーパルスにより制御層
も加熱され、また制御層のなかの電荷パターンが変更さ
れる。変更された磁界分布はメモリ層に伝達される。し
かし、この構成では、制御層の電荷パターンはメモリ層
への比較的わずかな磁化作用のみを有する。
制御層の厚みは、電荷の双極子特性が消滅するように、
比較的大きく選定されなければならない。
比較的大きく選定されなければならない。
さらに、この比較的高い補償温度を有する材料は両側格
子のなかの反対向きの磁化のために比較的低い全磁化を
有する。それに応じて、小さい磁界のみがメモリ層のな
かに発生され得る（ヨーロッパ特許出願公開第０２１７
０９６号明細書）。
子のなかの反対向きの磁化のために比較的低い全磁化を
有する。それに応じて、小さい磁界のみがメモリ層のな
かに発生され得る（ヨーロッパ特許出願公開第０２１７
０９６号明細書）。
情報の書込み、読出しおよび消去が、焦点合わせ可能か
つ熱エネルギーに変換可能なビームにより行われる別の
公知のデータメモリシステムは、データ媒体としての磁
気的メモリ層と、記憶された情報の重ね書きのための制
御層とを有する多層構造を含んでいる。情報の書込みは
、制御可能な強度を有するレーザーにより行われる。制
御層は垂直磁化および室温における比較的わずかな保磁
力を有する０強い初期化磁界が書込み前に室温において
制御層に与えられ、また同一方向の磁化を生じさせる。
つ熱エネルギーに変換可能なビームにより行われる別の
公知のデータメモリシステムは、データ媒体としての磁
気的メモリ層と、記憶された情報の重ね書きのための制
御層とを有する多層構造を含んでいる。情報の書込みは
、制御可能な強度を有するレーザーにより行われる。制
御層は垂直磁化および室温における比較的わずかな保磁
力を有する０強い初期化磁界が書込み前に室温において
制御層に与えられ、また同一方向の磁化を生じさせる。
重ね書きのためには、パルス変調を有するレーザービー
ムが多層構造に向けられ、また温度が、両層のなかの磁
化が消滅するまで高められる。それによって１つのビッ
トが制御層のなかに書込まれ、また冷却の際に磁気的な
交換結合またはマグネトスタティックな結合によりメモ
リ層に伝達される。多層構造をキュリー温度の下側まで
しか暖めないレーザービームの低いレベルによっては、
制御層の磁化は不変にとどまり、またメモリ層のなかに
他のビットが書込まれる。初期化および書込みは別々の
範囲のなかで行われる。
ムが多層構造に向けられ、また温度が、両層のなかの磁
化が消滅するまで高められる。それによって１つのビッ
トが制御層のなかに書込まれ、また冷却の際に磁気的な
交換結合またはマグネトスタティックな結合によりメモ
リ層に伝達される。多層構造をキュリー温度の下側まで
しか暖めないレーザービームの低いレベルによっては、
制御層の磁化は不変にとどまり、またメモリ層のなかに
他のビットが書込まれる。初期化および書込みは別々の
範囲のなかで行われる。
制御層の初期化範囲のなかでは情報は再び消去され、そ
れによって情報は書込み範囲のなかで再び新たに書込ま
れ得る。データメモリシステムのこの構成では、制御層
のなかでは書込まれたデータを消去し、また同時にメモ
リ層のなかのデータを変更しない初期化磁界が必要であ
る。書込まれた磁気的ドメインは磁壁摩擦により安定で
ある。従って、メモリ層として、壁クリーピングが回避
され得るように高い保磁力を育する材料が必要とされ、
また同時にメモリ層の均一性および装置温度に高度な要
求が課せられなければならない（ドイツ連邦共和国特許
出願公開第３６１９６１８号明細書）。
れによって情報は書込み範囲のなかで再び新たに書込ま
れ得る。データメモリシステムのこの構成では、制御層
のなかでは書込まれたデータを消去し、また同時にメモ
リ層のなかのデータを変更しない初期化磁界が必要であ
る。書込まれた磁気的ドメインは磁壁摩擦により安定で
ある。従って、メモリ層として、壁クリーピングが回避
され得るように高い保磁力を育する材料が必要とされ、
また同時にメモリ層の均一性および装置温度に高度な要
求が課せられなければならない（ドイツ連邦共和国特許
出願公開第３６１９６１８号明細書）。
未発明の４１題は、この公知のデータメモリシステムを
簡単化しかつ改良することであり、特にＳＮ比を高める
ことにある。
簡単化しかつ改良することであり、特にＳＮ比を高める
ことにある。
本発明は、メモリ層のなかの安定な磁気的範囲の書込み
のために制御層およびメモリ層のなかの相異なる温度勾
配が利用され得るという認識に基づいており、またそれ
が請求項１の特徴部分に含んでいる。相異なる温度勾配
により１信号の書込みの際には制御層のなかの磁化が変
更され、また電荷パターンが発生され、その磁界がメモ
リ層に干渉し、またメモリ層のなかの双極子方位を制御
する。制御層のなかのこの双極子方位は書込み範囲内の
多層構造の運動方向にある。
のために制御層およびメモリ層のなかの相異なる温度勾
配が利用され得るという認識に基づいており、またそれ
が請求項１の特徴部分に含んでいる。相異なる温度勾配
により１信号の書込みの際には制御層のなかの磁化が変
更され、また電荷パターンが発生され、その磁界がメモ
リ層に干渉し、またメモリ層のなかの双極子方位を制御
する。制御層のなかのこの双極子方位は書込み範囲内の
多層構造の運動方向にある。
追加的にたとえば３つの段階に制御可能であってよい制
御可能な強度を有するビーム、好ましくはレーザービー
ムが使用される。情報の続出しのためには、比較的わず
かなレーザーパワーのみが必要である。場合によっては
既に「き込まれている情報をあらかじめ消去することな
く０信号を書込むためには、レーザーパワーが、メモリ
層がその臨界的温度ＴＥ６、の上側に暖められ、また冷
却の際に臨界的温度Ｔ工２を有するメモリ層の位置範囲
が制ｉｌｌのなかの電荷窓の外側に位置するまでに高め
られる。０情報は、メモリ層が臨界的温度ＴＫＰｔ以下
に冷却されている書込み可能な範囲の縁で外部磁界によ
り書込まれる。
御可能な強度を有するビーム、好ましくはレーザービー
ムが使用される。情報の続出しのためには、比較的わず
かなレーザーパワーのみが必要である。場合によっては
既に「き込まれている情報をあらかじめ消去することな
く０信号を書込むためには、レーザーパワーが、メモリ
層がその臨界的温度ＴＥ６、の上側に暖められ、また冷
却の際に臨界的温度Ｔ工２を有するメモリ層の位置範囲
が制ｉｌｌのなかの電荷窓の外側に位置するまでに高め
られる。０情報は、メモリ層が臨界的温度ＴＫＰｔ以下
に冷却されている書込み可能な範囲の縁で外部磁界によ
り書込まれる。
ｌ情報の書込みの際には、入射されるレーザーパワーの
変化により制御層のなかの電荷窓が、温度が臨界的温度
ＴＫｒｔ以下に低下しているメモリ層の位置範囲が制御
層の電荷窓内に位置すにようにずらされる。
変化により制御層のなかの電荷窓が、温度が臨界的温度
ＴＫｒｔ以下に低下しているメモリ層の位置範囲が制御
層の電荷窓内に位置すにようにずらされる。
［実施例〕
以下、図面に示されている実施例により本発明を説明す
る。
る。
第１図によれば、データメモリシステムは３つの層を有
する多層構造ｌを含んでいる。たとえば約７０ｎｍの厚
みを有し、またたとえばテルビウム−鉄−コバルトＴｂ
ＦｅＣｏ、好ましくはイッテルビウム−テルビウム−鉄
−コバルトＴｂＴｂＦｅＣｏから成っていてよいメモリ
層２がデータ記憶のために設けられている。制御層６は
同時に熱拡散を制御する役割をする。制御層６は好まし
くはサマリウム−コバルトＳｍＣｏまたはテルビウム−
鉄−コバルトＴｂＦｅＣｏまたはイッテルビウム−テル
ビウム−鉄−コバルトＴｂＴｂＦｅＣｏから成っており
、その磁気的異方軸８は二重矢印により示されているよ
うに平らな側面の方向およびメモリ板の運動Ｖの方向と
平行に延びている。この磁化容易軸の方向は簡単な仕方
でメモリ層上の析出により制御層６の製造の際にたとえ
ば約０．２Ｔの強い印加磁界により得られる。制御層６
の材料および厚みはメモリ層２のなかの温度勾配の決定
および書込まれた情報の安定化にとって重要である。大
きい磁界は制′ａ層の比較的大きい厚みにより得られる
。制御層６の厚みは飽和磁化により本質的に決定される
。その厚みは一触に少なくとも２００人であり、好まし
くは１０００人と２０００人との間に選定され、また一
般に１００００人を本質的に超過しない、メモリ層２は
、好ましくはレーザービーム１２に対して透過性であり
、またたとえばガラスから成っていてよい基板１０の上
に配置されている。連続的に、また追加的にたとえば段
階的に制御可蛯なレーザービーム１２は、一般には静止
しているが多層構造では速度Ｖで動かされるビーム源１
３から与えられる。
する多層構造ｌを含んでいる。たとえば約７０ｎｍの厚
みを有し、またたとえばテルビウム−鉄−コバルトＴｂ
ＦｅＣｏ、好ましくはイッテルビウム−テルビウム−鉄
−コバルトＴｂＴｂＦｅＣｏから成っていてよいメモリ
層２がデータ記憶のために設けられている。制御層６は
同時に熱拡散を制御する役割をする。制御層６は好まし
くはサマリウム−コバルトＳｍＣｏまたはテルビウム−
鉄−コバルトＴｂＦｅＣｏまたはイッテルビウム−テル
ビウム−鉄−コバルトＴｂＴｂＦｅＣｏから成っており
、その磁気的異方軸８は二重矢印により示されているよ
うに平らな側面の方向およびメモリ板の運動Ｖの方向と
平行に延びている。この磁化容易軸の方向は簡単な仕方
でメモリ層上の析出により制御層６の製造の際にたとえ
ば約０．２Ｔの強い印加磁界により得られる。制御層６
の材料および厚みはメモリ層２のなかの温度勾配の決定
および書込まれた情報の安定化にとって重要である。大
きい磁界は制′ａ層の比較的大きい厚みにより得られる
。制御層６の厚みは飽和磁化により本質的に決定される
。その厚みは一触に少なくとも２００人であり、好まし
くは１０００人と２０００人との間に選定され、また一
般に１００００人を本質的に超過しない、メモリ層２は
、好ましくはレーザービーム１２に対して透過性であり
、またたとえばガラスから成っていてよい基板１０の上
に配置されている。連続的に、また追加的にたとえば段
階的に制御可蛯なレーザービーム１２は、一般には静止
しているが多層構造では速度Ｖで動かされるビーム源１
３から与えられる。
制御層６の飽和磁化Ｍ、と温度との関係を示す第２図に
よれば、制御層６に対、て好ましくは、磁化特性曲線Ｍ
、６が明白な傾斜差を有する材料が選定され得る。予め
定められた屈曲温度Ｔ０（エツジ）まで特性曲線はわず
かな傾斜で上昇し、次いで１つの屈曲の後に象、峻に下
降する。この特性はたとえばサマリウム−コバルトＳｍ
Ｃｏが有する。磁化特性曲線Ｍｌ、のなかに室温ＴＡ
（周囲）および０信号の書込みのために必要なたとえ
ば比較的低い温度Ｔい（低）がなおほぼ一定の飽和磁化
Ｍ！＆を有する範囲内に位置している。屈曲温度ＴＮｈ
において特性曲線の屈曲が生じ、また飽和磁化Ｍ、はキ
ュリー温度ＴＣ＆まで急峻に下降する。
よれば、制御層６に対、て好ましくは、磁化特性曲線Ｍ
、６が明白な傾斜差を有する材料が選定され得る。予め
定められた屈曲温度Ｔ０（エツジ）まで特性曲線はわず
かな傾斜で上昇し、次いで１つの屈曲の後に象、峻に下
降する。この特性はたとえばサマリウム−コバルトＳｍ
Ｃｏが有する。磁化特性曲線Ｍｌ、のなかに室温ＴＡ
（周囲）および０信号の書込みのために必要なたとえ
ば比較的低い温度Ｔい（低）がなおほぼ一定の飽和磁化
Ｍ！＆を有する範囲内に位置している。屈曲温度ＴＮｈ
において特性曲線の屈曲が生じ、また飽和磁化Ｍ、はキ
ュリー温度ＴＣ＆まで急峻に下降する。
メモリ層２のなかに１信号を書込むためのより高い温度
ＴＩ（高）は制御層６のキュリー温度Ｔ’ｃｉの上側に
位置している。
ＴＩ（高）は制御層６のキュリー温度Ｔ’ｃｉの上側に
位置している。
第３ｙＪには情報の書込みの際の多層構造１の予め定め
られた位置範囲内の温度Ｔがメモリ板上のデータトラッ
クに沿う衝突するレーザービーム軸からの間隔Ｘに関係
して示されている。温度Ｔは対数尺度で、また正規化さ
れた値で記入されている。温度勾配は相異なっている。
られた位置範囲内の温度Ｔがメモリ板上のデータトラッ
クに沿う衝突するレーザービーム軸からの間隔Ｘに関係
して示されている。温度Ｔは対数尺度で、また正規化さ
れた値で記入されている。温度勾配は相異なっている。
メモリ層２のなかの温度Ｔ８の温度勾配はたとえば制御
３層６のなかの温度Ｔ、の温度勾配よりもはるかに急峻
である。その結果、レーザーの入射後の予め定められた
時間の経過後にたとえば約１．５ないし３μｍの間隔Ｘ
の冷却の範囲内で制御層６のなかの温度ＴＥ６はメモリ
７１！２のなかの温度Ｔ２よりも高い。
３層６のなかの温度Ｔ、の温度勾配よりもはるかに急峻
である。その結果、レーザーの入射後の予め定められた
時間の経過後にたとえば約１．５ないし３μｍの間隔Ｘ
の冷却の範囲内で制御層６のなかの温度ＴＥ６はメモリ
７１！２のなかの温度Ｔ２よりも高い。
第４図には制御層６のなかの温度経過Ｔ−が位ｆｘ−０
におけるビーム源１４の衝突するレーザービーム１２か
らの間隔Ｘに関係して記入されている。制御８層６はた
とえば１信号の書込みの際にたとえば約１５０°Ｃの高
い温度Ｔ、に暖められなければならない、メモリ板の運
動により、加熱された範囲は間隔Ｘ、では制御層６のキ
ュリー温度ＴＣ＆に、また間隔Ｘ、では屈曲温度ＴＥ６
に冷却されている。ｘｌからｘ３までのこの位置範囲内
に電荷窓２０が形成され、その磁界がメモリ層２に干渉
し、またその垂直成分Ｈｖｔｈが有効であり、また最終
的な磁化分布をメモリＮ２のなかに与える。
におけるビーム源１４の衝突するレーザービーム１２か
らの間隔Ｘに関係して記入されている。制御８層６はた
とえば１信号の書込みの際にたとえば約１５０°Ｃの高
い温度Ｔ、に暖められなければならない、メモリ板の運
動により、加熱された範囲は間隔Ｘ、では制御層６のキ
ュリー温度ＴＣ＆に、また間隔Ｘ、では屈曲温度ＴＥ６
に冷却されている。ｘｌからｘ３までのこの位置範囲内
に電荷窓２０が形成され、その磁界がメモリ層２に干渉
し、またその垂直成分Ｈｖｔｈが有効であり、また最終
的な磁化分布をメモリＮ２のなかに与える。
第５図にはメモリ層２の温度Ｔ８の経過がレーザービー
ム１２からの間隔Ｘに関係して記入されている。方向＋
Ｘの多層構造１の運動によりメモリ板２はＸＩ とＸ、
との間の電荷窓２ｏの範囲内でその臨界的温度Ｔよｒ２
に冷却されており、また衝突するレーザービーム１２か
らの間隔ｘ２では、制ｇ５Ｎ６の磁界により与えられた
メモリ層２のなかの磁化が固定される。
ム１２からの間隔Ｘに関係して記入されている。方向＋
Ｘの多層構造１の運動によりメモリ板２はＸＩ とＸ、
との間の電荷窓２ｏの範囲内でその臨界的温度Ｔよｒ２
に冷却されており、また衝突するレーザービーム１２か
らの間隔ｘ２では、制ｇ５Ｎ６の磁界により与えられた
メモリ層２のなかの磁化が固定される。
第６図によるデータメモリシステムの１つの特別な実施
例では、制御層は磁石層５と、メモリ層２と磁石層５と
の間に配置されている熱分配Ｎ４とに分割されている。
例では、制御層は磁石層５と、メモリ層２と磁石層５と
の間に配置されている熱分配Ｎ４とに分割されている。
熱分配層４の材料および厚みは、磁石層５への熱伝達が
この磁石層５のなかに予め定められた温度分布を生ずる
ように選定される。熱分配層４は好ましくはセレンＳｅ
または熱伝導性の高い金属、たとえば［Ｃｕまたはアル
ミニウムＡＩから成っていてよい、さらに、たとえば窒
化アルミニウムＡ１．Ｎ、が適している。
この磁石層５のなかに予め定められた温度分布を生ずる
ように選定される。熱分配層４は好ましくはセレンＳｅ
または熱伝導性の高い金属、たとえば［Ｃｕまたはアル
ミニウムＡＩから成っていてよい、さらに、たとえば窒
化アルミニウムＡ１．Ｎ、が適している。
磁石層５は高い磁化と、好ましくは少なくとも０゜１で
あってよい良度Ｑとを有する材料から成っている。たと
えばサマリウム−コバルトがよく適している。
あってよい良度Ｑとを有する材料から成っている。たと
えばサマリウム−コバルトがよく適している。
本発明による磁石メモリシステムの特に有利な別の実施
例は、メモリ層２と磁石層５との間に第７図のように二
重層から成る熱分配層が設けられていることにより得ら
れる。この実施例では、垂直方向の熱拡散のために、た
とえばセレンＳｅがら成る熱伝導層１４が、また横方向
の熱分配のために、熱伝導性が良い非磁性材料、好まし
くは金属、特に銅から成る分配層１５が設けられている
。
例は、メモリ層２と磁石層５との間に第７図のように二
重層から成る熱分配層が設けられていることにより得ら
れる。この実施例では、垂直方向の熱拡散のために、た
とえばセレンＳｅがら成る熱伝導層１４が、また横方向
の熱分配のために、熱伝導性が良い非磁性材料、好まし
くは金属、特に銅から成る分配層１５が設けられている
。
０信号の連続的書込みのためには、温度Ｔおよび制御層
６の飽和磁化Ｍ、が入射レーザービームからの間隔Ｘに
関係して記入されている第８図のように、制御層６がた
とえば１５０”Ｃの温度ＴＬまで暖められる。
６の飽和磁化Ｍ、が入射レーザービームからの間隔Ｘに
関係して記入されている第８図のように、制御層６がた
とえば１５０”Ｃの温度ＴＬまで暖められる。
温度分布Ｔ、によれば、温度は冷却範囲内で運動方向に
ほぼｅ関数に従って下降する。ｙＩ動Ｖおよび横方向の
熱拡散により運動方向Ｘに特性曲線の若干それよりも平
らな下降が生ずる。１つの電荷窓がレーザービームから
間隔ＸＯＩないしＸＯＳに生ずる。メモリ層２が冷却の
間にその臨界的温度Ｔｍｒｔを通過する位置はＸＯＩか
らｘａｓまでのこの電荷窓の外側に位置している。磁化
Ｍ０は第２図に従って電荷窓のなかで相応に変化する。
ほぼｅ関数に従って下降する。ｙＩ動Ｖおよび横方向の
熱拡散により運動方向Ｘに特性曲線の若干それよりも平
らな下降が生ずる。１つの電荷窓がレーザービームから
間隔ＸＯＩないしＸＯＳに生ずる。メモリ層２が冷却の
間にその臨界的温度Ｔｍｒｔを通過する位置はＸＯＩか
らｘａｓまでのこの電荷窓の外側に位置している。磁化
Ｍ０は第２図に従って電荷窓のなかで相応に変化する。
０信号は、図面には示されていない外部磁界源により書
込まれる。
込まれる。
ｌ信号の連続的書込みのためには、制御層６が、同じく
飽和磁化Ｍ、および温度Ｔが間隔Ｘに関係して記入され
ている第９図のように、レーザービーム１２により温度
Ｔ、およびキュリー温度ＴＣ＆よりも上の高い温度ＴＥ
６に暖められる。運動方向の冷却はほぼｅ関数に従って
行われる。温度ＴＥ＆の上側で磁化Ｍ。はキュリー温度
ＴＣ＆まで零に下降する。温度ＴＮ＆では第２図のよう
に磁化Ｍ。
飽和磁化Ｍ、および温度Ｔが間隔Ｘに関係して記入され
ている第９図のように、レーザービーム１２により温度
Ｔ、およびキュリー温度ＴＣ＆よりも上の高い温度ＴＥ
６に暖められる。運動方向の冷却はほぼｅ関数に従って
行われる。温度ＴＥ＆の上側で磁化Ｍ。はキュリー温度
ＴＣ＆まで零に下降する。温度ＴＮ＆では第２図のよう
に磁化Ｍ。
は零であり、また次いで冷却の際に電荷窓２ｏのなかの
間隔ｘｌないしＸ、でキュリー温度ＴＣ＆から温度Ｔ、
までその最大値に上昇する。キュリー温度ＴＣ＆の上の
温度Ｔに位置している制？ＩＪｉ６の一部分は常磁性で
あり、このことは第９図中にハツチングにより示されて
いる。それによって、このハツチングされた範囲の緑に
おいて磁化９が制御Ｉ！６のなかのもとの磁化８にくら
べて変化する。
間隔ｘｌないしＸ、でキュリー温度ＴＣ＆から温度Ｔ、
までその最大値に上昇する。キュリー温度ＴＣ＆の上の
温度Ｔに位置している制？ＩＪｉ６の一部分は常磁性で
あり、このことは第９図中にハツチングにより示されて
いる。それによって、このハツチングされた範囲の緑に
おいて磁化９が制御Ｉ！６のなかのもとの磁化８にくら
べて変化する。
第１０図には、電荷密度ρと磁界の垂直成分Ｈｖ６とが
入射するレーザービーム１２からの間隔Ｘに関係して記
入されている。この図によれば、縦軸から左では温度Ｔ
０とキュリー温度Ｔｃ＆との間の温度範囲内での磁化Ｍ
３にの変化により予め定められた極性を有する電荷ρが
誘導され、この電荷は相応の磁界を生じ、その垂直成分
Ｈｗｈは図面中に破線で示されている。この磁界成分は
メモリ層２のなかの信号の書込みについては重要でない
。
入射するレーザービーム１２からの間隔Ｘに関係して記
入されている。この図によれば、縦軸から左では温度Ｔ
０とキュリー温度Ｔｃ＆との間の温度範囲内での磁化Ｍ
３にの変化により予め定められた極性を有する電荷ρが
誘導され、この電荷は相応の磁界を生じ、その垂直成分
Ｈｗｈは図面中に破線で示されている。この磁界成分は
メモリ層２のなかの信号の書込みについては重要でない
。
位置Ｘ、における磁化Ｍｓ、の上昇により、逆極性を有
する電荷ρが誘導される。相応の磁界Ｈｙ６の垂直成分
はメモリＮ２に干渉し、またメモリ層のこの範囲内で磁
化を決定し、従って１信号が書込まれ得る。
する電荷ρが誘導される。相応の磁界Ｈｙ６の垂直成分
はメモリＮ２に干渉し、またメモリ層のこの範囲内で磁
化を決定し、従って１信号が書込まれ得る。
メモリシステムの特別な実施例では、第１１図のように
、制御層６に対して、補償温度Ｔ、が室温ＴＡのずぐ下
側に位置している材料が選定され得る。補償温度Ｔ、で
は両側格子の磁化が相殺され、双極子はすべて互いに反
対向きであり、また等しい大きさを有する。制御層６の
補償温度Ｔ６にの上側では磁化Ｍ□は、磁化Ｍ、が温度
Ｔに関係して記入されている第１１図のように、温度Ｔ
Ｅ６において到達され得る最大値まで上昇する。キュリ
ー温度ＴＣ＆まで磁化は続いて再び零に下降する。
、制御層６に対して、補償温度Ｔ、が室温ＴＡのずぐ下
側に位置している材料が選定され得る。補償温度Ｔ、で
は両側格子の磁化が相殺され、双極子はすべて互いに反
対向きであり、また等しい大きさを有する。制御層６の
補償温度Ｔ６にの上側では磁化Ｍ□は、磁化Ｍ、が温度
Ｔに関係して記入されている第１１図のように、温度Ｔ
Ｅ６において到達され得る最大値まで上昇する。キュリ
ー温度ＴＣ＆まで磁化は続いて再び零に下降する。
このような磁化特性曲線はたとえば、予め定められた割
合のテルビウムを含有するテルビウム−鉄−コバルトＴ
ｂＦｅＣｏがをする。
合のテルビウムを含有するテルビウム−鉄−コバルトＴ
ｂＦｅＣｏがをする。
第１１図による制御層６を有するデータメモリシステム
のなかにたとえばＯ信号が書込まれるべきであれば、温
度Ｔが間隔Ｘに関係して記入されている第１２図のよう
に、メモリ層２がレーザービームによりその臨界的温度
ＴＥ６ｔを越えて最大磁化の温度Ｔ□の上側に暖められ
る０間隔Ｘ、ないしＸ、ではメモリ層２は所望の磁界方
向を有する範囲内で冷却する０間隔Ｘ、ではメモリ層２
はその臨界的温度Ｔ工、を通過し、従ってこの間隔に与
えられた磁化はそこに固定される。
のなかにたとえばＯ信号が書込まれるべきであれば、温
度Ｔが間隔Ｘに関係して記入されている第１２図のよう
に、メモリ層２がレーザービームによりその臨界的温度
ＴＥ６ｔを越えて最大磁化の温度Ｔ□の上側に暖められ
る０間隔Ｘ、ないしＸ、ではメモリ層２は所望の磁界方
向を有する範囲内で冷却する０間隔Ｘ、ではメモリ層２
はその臨界的温度Ｔ工、を通過し、従ってこの間隔に与
えられた磁化はそこに固定される。
制？１１１１６のなかの空間電荷ρおよびその磁化Ｍが
Ｘ・における入射レーザービームからの間隔Ｘに関係し
て記入されている第１３図によれば、制８Ｎ６のなかの
磁化Ｍ８．は位置Ｘ、からｘ４まで位置ｘ４における最
大値Ｍ。＋１１１まで上昇する。Ｔ１１化特性曲線Ｍ。
Ｘ・における入射レーザービームからの間隔Ｘに関係し
て記入されている第１３図によれば、制８Ｎ６のなかの
磁化Ｍ８．は位置Ｘ、からｘ４まで位置ｘ４における最
大値Ｍ。＋１１１まで上昇する。Ｔ１１化特性曲線Ｍ。
は次いで変曲点を有し、また再び位置Ｘ、における変曲
点に達し、また次いで、位置ｘ６において再び最大磁化
Ｍ、□に達するまで上昇する。続いて磁化Ｍ□は再び下
降する。空間電荷の絶対値１ρｈ １はＸ、からｘ４ま
での磁化の上昇の間に１つの最大値を有し、次いでＸＳ
およびＸ−においてそれぞれ零を通り、また位置Ｘ。
点に達し、また次いで、位置ｘ６において再び最大磁化
Ｍ、□に達するまで上昇する。続いて磁化Ｍ□は再び下
降する。空間電荷の絶対値１ρｈ １はＸ、からｘ４ま
での磁化の上昇の間に１つの最大値を有し、次いでＸＳ
およびＸ−においてそれぞれ零を通り、また位置Ｘ。
において逆極性を有する大きい値に達する０位置ｘ７に
おけるこの大きい正の空間電荷はメモリ層２の書込み可
能な範囲内の双極子を１つの予め定められた方向に跳躍
させ、またこの双極子分布がメモリ層２のなかに固定さ
れる。なぜならば、第１２図のように位置Ｘ、において
メモリ層２のなかの温度Ｔ、はその臨界的温度Ｔニオに
達しているからである。
おけるこの大きい正の空間電荷はメモリ層２の書込み可
能な範囲内の双極子を１つの予め定められた方向に跳躍
させ、またこの双極子分布がメモリ層２のなかに固定さ
れる。なぜならば、第１２図のように位置Ｘ、において
メモリ層２のなかの温度Ｔ、はその臨界的温度Ｔニオに
達しているからである。
第１４図に従って１信号を書込むためにはレーザーパワ
ーがたとえばその第３の段階に高められ、従ってまたメ
モリＦ！１２が制御層６のキュリー温度ＴＣ＆よりもは
るかに大きい温度Ｔ２に高められる。
ーがたとえばその第３の段階に高められ、従ってまたメ
モリＦ！１２が制御層６のキュリー温度ＴＣ＆よりもは
るかに大きい温度Ｔ２に高められる。
位置Ｘ、において制御層６の温度Ｔ、はその最大磁化の
値ＴＥ６に達し、また位ＷＸＩにおいて制御層６のキュ
リー温度ＴＣ＆を上回る。その冷却により制御１１１６
は位置ｘ１゜においてキュリー温度ＴＣ＆に達し、また
電荷窓２０の後で位置Ｘ１１において最大磁化の温度Ｔ
Ｅ６に達する。
値ＴＥ６に達し、また位ＷＸＩにおいて制御層６のキュ
リー温度ＴＣ＆を上回る。その冷却により制御１１１６
は位置ｘ１゜においてキュリー温度ＴＣ＆に達し、また
電荷窓２０の後で位置Ｘ１１において最大磁化の温度Ｔ
Ｅ６に達する。
Ｘ、からＸ、までの位置範囲内で、電荷分布ρが間隔Ｘ
に関係して記入されている第１５図によれば、メモリ層
２のなかの双陽子の切換のために使用されない正の電荷
ρ、が生ずる。この正の電荷は第１６図中にＸ、からＸ
、までの位置範囲内に十で示されている。ｘ、からｘｌ
、までの範囲内では第１４図のように制御層６はそのキ
ュリー温度ＴＣ＆の上側に位置しており、また常磁性で
あり、このことは第１６図中にハツチングにより示され
ている０間隔ｘ１．で制御層６は第１４図のようにその
キュリー温度Ｔｃｔｈに達し、また第１５図のように位
’Ｉｔ ｘ ｔ。とＸ１１との間て負の極性を有する電
荷ρにより電荷窓が形成される。この逆極性の電荷は第
１６図中に制？１１１６のなかに−で示されている０位
源ｘｔにおいてメモリ層２の臨界的温度が通過され、ま
たＸｌｌからＸ、までのこの位置範囲内の制御層６の磁
界の垂直成分がメモリ層２のなかの双掻子の方向を決定
する。
に関係して記入されている第１５図によれば、メモリ層
２のなかの双陽子の切換のために使用されない正の電荷
ρ、が生ずる。この正の電荷は第１６図中にＸ、からＸ
、までの位置範囲内に十で示されている。ｘ、からｘｌ
、までの範囲内では第１４図のように制御層６はそのキ
ュリー温度ＴＣ＆の上側に位置しており、また常磁性で
あり、このことは第１６図中にハツチングにより示され
ている０間隔ｘ１．で制御層６は第１４図のようにその
キュリー温度Ｔｃｔｈに達し、また第１５図のように位
’Ｉｔ ｘ ｔ。とＸ１１との間て負の極性を有する電
荷ρにより電荷窓が形成される。この逆極性の電荷は第
１６図中に制？１１１６のなかに−で示されている０位
源ｘｔにおいてメモリ層２の臨界的温度が通過され、ま
たＸｌｌからＸ、までのこの位置範囲内の制御層６の磁
界の垂直成分がメモリ層２のなかの双掻子の方向を決定
する。
第１７図には制御層６の材料に対して飽和磁化Ｍ、が温
度Ｔに関係して記入されている０Ｍｉ化特性曲線Ｍ。は
室温Ｔ、の上側でキュリー温度ＴＣ＆まで下降する。こ
の材料、たとえばネオジム−鉄−コバルトＮｄＦｅＣｏ
ををする制御層６は低い温度において高い磁化および十
分に大きい磁気的異方性Ｋを有する。この材料を有する
１つのシステムでは１信号の書込みの際にメモリ層２は
、制御層がなお常磁性である位置範囲内でその臨界的温
度Ｔ工の下側まで冷却する。このシステムはより大きい
許容窓を有する。
度Ｔに関係して記入されている０Ｍｉ化特性曲線Ｍ。は
室温Ｔ、の上側でキュリー温度ＴＣ＆まで下降する。こ
の材料、たとえばネオジム−鉄−コバルトＮｄＦｅＣｏ
ををする制御層６は低い温度において高い磁化および十
分に大きい磁気的異方性Ｋを有する。この材料を有する
１つのシステムでは１信号の書込みの際にメモリ層２は
、制御層がなお常磁性である位置範囲内でその臨界的温
度Ｔ工の下側まで冷却する。このシステムはより大きい
許容窓を有する。
場合によっては、基本磁界源の代わりに、または場合に
よっては基本磁界源のほかに、制御層６のなかで書込み
範囲の外側で１つの磁界を制御層の平らな側面と平行に
、また少なくとも１つの近似的にデータトラックの方向
に発生するなお１つの付加磁界源を設けることが有利で
あり得る。この磁界は磁化パターンの偏差、特にエラー
個所の伝播を妨げる。
よっては基本磁界源のほかに、制御層６のなかで書込み
範囲の外側で１つの磁界を制御層の平らな側面と平行に
、また少なくとも１つの近似的にデータトラックの方向
に発生するなお１つの付加磁界源を設けることが有利で
あり得る。この磁界は磁化パターンの偏差、特にエラー
個所の伝播を妨げる。
メモリ板表面に第１８図による溝構造を設けられている
本発明による多層構造を有するメモリ板の実施例を製造
するためには、順々にメモリ層２および制御層６が基板
１０の上に被覆される。たとえば、相応の溝を設けられ
ている基板１０の表面の上にスパッタリングにより被覆
される。この実施例では制御層６として好ましくは正の
磁気ひずみ係数λを有する材料が選択される。それによ
って多Ｎ構造の冷却の後に溝の長手方向の積層に従って
引張力が生じており、他方において溝の縁では溝に対し
て垂直な機械的張力が相殺される。
本発明による多層構造を有するメモリ板の実施例を製造
するためには、順々にメモリ層２および制御層６が基板
１０の上に被覆される。たとえば、相応の溝を設けられ
ている基板１０の表面の上にスパッタリングにより被覆
される。この実施例では制御層６として好ましくは正の
磁気ひずみ係数λを有する材料が選択される。それによ
って多Ｎ構造の冷却の後に溝の長手方向の積層に従って
引張力が生じており、他方において溝の縁では溝に対し
て垂直な機械的張力が相殺される。
磁気弾性結合により縁に沿って磁化に対する優先軸が形
成される。トラックの中央ではこの異方性はよりわずか
であるが、磁気弾性結合はここでも磁化容易軸の所望の
形成を保証する。
成される。トラックの中央ではこの異方性はよりわずか
であるが、磁気弾性結合はここでも磁化容易軸の所望の
形成を保証する。
データトラックの長手方向に磁化容易軸を有する制御層
６を製造するためには、場合によってはトラック溝なし
の実施例でも、制御層の成長の際または積層後の付加熱
処理の間に、板平面内に位置しており、またトラック方
向もしくはデータトラックに対して横方向に向けられて
いる１つの磁界が与えられ得る。
６を製造するためには、場合によってはトラック溝なし
の実施例でも、制御層の成長の際または積層後の付加熱
処理の間に、板平面内に位置しており、またトラック方
向もしくはデータトラックに対して横方向に向けられて
いる１つの磁界が与えられ得る。
データメモリシステムの１つの特別な実施例では、中間
に共通の制御層が配置されている２つのメモリ層が設け
られていてよい、これらの層は好ましくは共通の基板の
上に被覆、たとえば蒸着またはスパッタリングされる。
に共通の制御層が配置されている２つのメモリ層が設け
られていてよい、これらの層は好ましくは共通の基板の
上に被覆、たとえば蒸着またはスパッタリングされる。
システムのこの二重構成は、メモリ密度が倍増されると
いう利点を有する。
いう利点を有する。
第１図は本発明による多層構造の概要図、第２図は制御
層の１つの材料の磁化特性曲線を示す図、第３図は温度
勾配を示す図、第４図は制御層のなかの温度経過を示す
図、第５図は１つの情報の書込みの際のメモリ層のなか
の温度経過を示す図、第６図および第７図はそれぞれ少
なくとも１つの特別な熱分配層を有する多層構造の１つ
の特別な実施例を示す図、第８図は１つのＯ信号の書込
みの際の制御層の温度経過を示す図、第９図は１つの１
信号の書込みの際のこの制御層の温度経過を示す図、第
１Ｏ図は電荷密度および制？ｎ層の磁界の垂直成分を示
す図、第１１図は制御層の磁化特性曲線を示す図、第１
２図はメモリ層の温度経過を示す図、第１３図は１つの
Ｏ信号の書込みの際の磁化および制御層の電荷を示す図
、第１４図および第１５図はそれぞれ１つのＯ信号の書
込みの際の温度および電荷を示す図、第１６図は制御層
のなかの磁化の変化を示す図、第１７図は制御層の１つ
の特別な材料に対する磁化特性曲線を示す図、第１８図
は溝構造を有する１つの特別な実施例を示す図である。 ｌ・・・多層構造 ２・・・メモリ層 ４・・・熱分配層 ５・・・磁石層 ６・・・制御層 ８・・・異方性軸 ９・・・磁化 １０・・・基板 １２・・・レーザービーム １３・・・ビーム源 １４・・・熱伝導層 １５・・・分配層 ２０・・・電荷窓 Ｉ０３ Ｉ０１６
層の１つの材料の磁化特性曲線を示す図、第３図は温度
勾配を示す図、第４図は制御層のなかの温度経過を示す
図、第５図は１つの情報の書込みの際のメモリ層のなか
の温度経過を示す図、第６図および第７図はそれぞれ少
なくとも１つの特別な熱分配層を有する多層構造の１つ
の特別な実施例を示す図、第８図は１つのＯ信号の書込
みの際の制御層の温度経過を示す図、第９図は１つの１
信号の書込みの際のこの制御層の温度経過を示す図、第
１Ｏ図は電荷密度および制？ｎ層の磁界の垂直成分を示
す図、第１１図は制御層の磁化特性曲線を示す図、第１
２図はメモリ層の温度経過を示す図、第１３図は１つの
Ｏ信号の書込みの際の磁化および制御層の電荷を示す図
、第１４図および第１５図はそれぞれ１つのＯ信号の書
込みの際の温度および電荷を示す図、第１６図は制御層
のなかの磁化の変化を示す図、第１７図は制御層の１つ
の特別な材料に対する磁化特性曲線を示す図、第１８図
は溝構造を有する１つの特別な実施例を示す図である。 ｌ・・・多層構造 ２・・・メモリ層 ４・・・熱分配層 ５・・・磁石層 ６・・・制御層 ８・・・異方性軸 ９・・・磁化 １０・・・基板 １２・・・レーザービーム １３・・・ビーム源 １４・・・熱伝導層 １５・・・分配層 ２０・・・電荷窓 Ｉ０３ Ｉ０１６
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）熱的に直接に重ね書き可能な情報を有するデータメ
モリシステムであって、可変の磁化方向を有する範囲内
で制御可能な強度を有する１つのビーム源の焦点合わせ
可能でかつ熱エネルギーに変換可能なビームにより情報
の読出しおよび重ね書きが行われ、また少なくとも１つ
の磁気的メモリ層および磁気的制御層を有する運動可能
な多層構造を含んでいるデータメモリシステムにおいて
、 ａ）少なくとも１つの制御層（６）が設けられており、
その磁化がその平らな側面と平行にビーム源（１４）と
多層構造（１）との間の相対的運動の方向に延びており
、 ｂ）この制御層（６）がメモリ層（２）と相違する熱伝
導を有しており、 ｃ）メモリ層（２）が設けられており、このメモリ層（
２）は予め定められた双極子分布を有する１つまたはそ
れ以上の副格子を有する材料を含んでおり、 ｄ）双極子の方向が磁界により可変であり、 ｅ）制御層（６）の構成および寸法と、情報の書込みの
際のビーム源（１４）と多層構造（１）との間の相対的
運動速度ｖとが、制御層（６）の冷却範囲内の電荷窓（
２０）のなかのビーム源（１４）のパワー経過に関係し
て予め定められた電荷が発生されるほどにメモリ層（２
）および制御層（６）のなかの温度分布が区別されるよ
うに選定されており、その磁界がメモリ層（２）の対応
付けられている範囲（ｘ＿１ないしｘ＿３）の、メモリ
層（２）のなかで印加された双極子方向が固定される部
分のなかで副格子のなかの双極子の方向を予め定められ
た仕方で制御する ことを特徴とするデータメモリシステム。 ２）制御層（６）がテルビウム−鉄−コバルトＴｂＦｅ
Ｃｏから成っていることを特徴とする請求項１記載のデ
ータメモリシステム。 ３）制御層（６）がジスプロシウム−鉄−コバルトＤｙ
ＦｅＣｏから成っていることを特徴とする請求項２記載
のデータメモリシステム。 ４）制御層（６）がジスプロシウム−テルビウム、鉄、
コバルトＤｙＴｂＦｅＣｏから成っていることを特徴と
する請求項１ないし３の１つに記載のデータメモリシス
テム ５）制御層（６）がテルビウム−鉄−コバルトＴｂＦｅ
Ｃｏから成っていることを特徴とする請求項１ないし４
の１つに記載のデータメモリシステム。 ６）制御層（６）がサマリウム−コバルトＳｍＣｏから
成っていることを特徴とする請求項１記載のデータメモ
リシステム。 ７）制御層（６）の磁化容易軸が制御層（６）の平らな
側面と平行にかつ多層構造（１）の運動の方向に延びて
いることを特徴とする請求項１ないし６の１つに記載の
データメモリシステム。 ８）２つのメモリ層が設けられており、それらが１つの
制御層により隔てられており、またそれらに１つの共通
の基板が対応付けられていることを特徴とする請求項１
ないし７の１つに記載のデータメモリシステム。 ９）制御層が１つの磁石層（５）および少なくとも１つ
の熱分配層（４）から成っていることを特徴とする請求
項１ないし８の１つに記載のデータメモリシステム。 １０）熱分配層（４）がセレンＳｅから成っていること
を特徴とする請求項９記載のデータメモリシステム。 １１）熱分配層（４）が窒化アルミニウムＡｌ＿３Ｎ＿
４から成っていることを特徴とする請求項９記載のデー
タメモリシステム。 １２）熱分配層（４）が高い熱伝導率を有する材料から
成っていることを特徴とする請求項９記載のデータメモ
リシステム。 １３）熱分配層（４）が金属から成っていることを特徴
とする請求項１２記載のデータメモリシステム。 １４）熱分配層（４）が銅Ｃｕから成っていることを特
徴とする請求項１２記載のデータメモリシステム。 １５）熱分配層（４）が低い熱伝導率を有する少なくと
も１つの層および高い熱伝導率を有する少なくとも１つ
の層との多層システムから成っていることを特徴とする
請求項１ないし１４の１つに記載のデータメモリシステ
ム。 １６）熱分配層（４）がメモリ層（２）と磁石層（５）
との間に配置されていることを特徴とする請求項１ない
し１５の１つに記載のデータメモリシステム。 １７）熱分配層（４）がメモリ層（２）と反対側の磁石
層（５）の平らな側面に配置されていることを特徴とす
る請求項１ないし１５の１つに記載のデータメモリシス
テム。 １８）熱分配層の二重層が設けられており、それぞれ１
つが磁石層（５）の平らな側面の１つに配置されている
ことを特徴とする請求項１ないし１５の１つに記載のデ
ータメモリシステム。 １９）制御層（６）が、磁化特性曲線Ｍ＿３＿６＝ｆ（
Ｔ）が室温Ｔ＿Ａよりも上側の１つの比較的平らな部分
と屈曲温度Ｔ＿Ｅ＿６よりも上側の１つの急峻な下降部
分とを有する材料から成っていることを特徴とする請求
項１ないし１８の１つに記載のデータメモリシステム。 ２０）制御層（６）が、磁化特性曲線Ｍ＿３＿６＝ｆ（
Ｔ）が室温Ｔ＿Ａよりも上側で減衰する材料から成って
いることを特徴とする請求項１ないし１８の１つに記載
のデータメモリシステム。 ２１）制御層（６）が、補償温度Ｔ＿Ｋが室温Ｔ＿Ａの
すぐ下側に位置する材料から成っていることを特徴とす
る請求項１ないし１８の１つに記載のデータメモリシス
テム。 ２２）基本磁界源を含んでいることを特徴とする請求項
１ないし２１の１つに記載のデータメモリシステム。 ２３）多層構造（１）が溝構造を設けられており、この
溝構造により磁気弾性結合を用いて磁化容易軸が発生さ
れることを特徴とする請求項１ないし２２の１つに記載
のデータメモリシステム。 ２４）平面内に大きい磁界成分を有する付加磁界源が設
けられていることを特徴とする請求項１ないし２３の１
つに記載のデータメモリシステム。 ２５）２つのメモリ層を有するデータメモリシステムの
二重構成が設けられており、それらの間に制御層が配置
されており、またそれらが１つの共通の基板の上に配置
されていることを特徴とする請求項１ないし２４の１つ
に記載のデータメモリシステム。 ２６）請求項１ないし２３の１つによるデータメモリシ
ステムの製造方法において、磁化容易軸が、制御層の製
造の間に磁界が多層構造（１）の相対的運動方向に、ま
たは運動方向に対して垂直に与えられることにより発生
されることを特徴とするデータメモリシステムの製造方
法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE3811374.0 | 1988-04-05 | ||
| DE19883811374 DE3811374A1 (de) | 1988-04-05 | 1988-04-05 | Datenspeichersystem und verfahren zu seiner herstellung |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01307045A true JPH01307045A (ja) | 1989-12-12 |
Family
ID=6351396
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8562489A Pending JPH01307045A (ja) | 1988-04-05 | 1989-04-03 | データメモリシステムおよびその製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0336237A3 (ja) |
| JP (1) | JPH01307045A (ja) |
| DE (1) | DE3811374A1 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH056590A (ja) * | 1991-06-28 | 1993-01-14 | Toshiba Corp | 光磁気記録装置 |
| JP2763419B2 (ja) * | 1991-07-08 | 1998-06-11 | シャープ株式会社 | 光磁気記録媒体 |
| KR960015209B1 (ko) * | 1991-10-21 | 1996-11-01 | 샤프 가부시끼가이샤 | 광자기 기록 방법 및 광자기 메모리 소자 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4126494A (en) * | 1975-10-20 | 1978-11-21 | Kokusai Denshin Denwa Kabushiki Kaisha | Magnetic transfer record film |
| JP2521908B2 (ja) * | 1985-06-11 | 1996-08-07 | 株式会社ニコン | オ―バ―ライト可能な光磁気記録方法、それに使用される光磁気記録装置及び光磁気記録媒体、並びに変調方法、変調装置及び光磁気記録媒体 |
| US4649519A (en) * | 1985-09-30 | 1987-03-10 | International Business Machines Corporation | Self biasing thermal magneto-optic medium |
| US4794560A (en) * | 1985-09-30 | 1988-12-27 | International Business Machines Corporation | Eraseable self biasing thermal magneto-optic medium |
| US4694358A (en) * | 1985-10-28 | 1987-09-15 | Kerdix, Inc. | Magneto-optic recording structure and method |
| EP0258978B1 (en) * | 1986-07-08 | 1998-10-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Magnetooptical recording medium allowing overwriting with two or more magnetic layers and recording method utilizing the same |
-
1988
- 1988-04-05 DE DE19883811374 patent/DE3811374A1/de active Granted
-
1989
- 1989-03-23 EP EP19890105284 patent/EP0336237A3/de not_active Withdrawn
- 1989-04-03 JP JP8562489A patent/JPH01307045A/ja active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3811374C2 (ja) | 1992-06-11 |
| EP0336237A2 (de) | 1989-10-11 |
| DE3811374A1 (de) | 1989-10-19 |
| EP0336237A3 (de) | 1991-10-30 |
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