JPH01301534A - フッ化物ガラス中の酸化物および水酸基の除去方法 - Google Patents
フッ化物ガラス中の酸化物および水酸基の除去方法Info
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- JPH01301534A JPH01301534A JP63131051A JP13105188A JPH01301534A JP H01301534 A JPH01301534 A JP H01301534A JP 63131051 A JP63131051 A JP 63131051A JP 13105188 A JP13105188 A JP 13105188A JP H01301534 A JPH01301534 A JP H01301534A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C23/00—Other surface treatment of glass not in the form of fibres or filaments
- C03C23/0085—Drying; Dehydroxylation
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明はフッ化物ガラス中の酸化物および水酸基の除去
方法に関する。本発明の方法により酸化物および水MM
を除去されたフッ化物ガラスは吸収損失がなく、赤外線
透過材料、特に光通信用ガラスファイバー、赤外線温度
計用ファイバー、赤外レーザー用窓として好ましく利用
される。
方法に関する。本発明の方法により酸化物および水MM
を除去されたフッ化物ガラスは吸収損失がなく、赤外線
透過材料、特に光通信用ガラスファイバー、赤外線温度
計用ファイバー、赤外レーザー用窓として好ましく利用
される。
[従来の技術]
フッ化物ガラスは、200〜8000 nmの広い波長
域で透過特性が優れているため、特に赤外線透過材料と
して利用されているが、フッ化物ガラス中の酸化物およ
び水酸基の存在はフッ化物ガラスを結晶化し易くすると
共に、光ファイバーとして利用する場合特に水MMの基
本振動による吸収損失が3μm帯にみられるため、この
ような吸収損失のないフッ化物ガラスが求められている
。
域で透過特性が優れているため、特に赤外線透過材料と
して利用されているが、フッ化物ガラス中の酸化物およ
び水酸基の存在はフッ化物ガラスを結晶化し易くすると
共に、光ファイバーとして利用する場合特に水MMの基
本振動による吸収損失が3μm帯にみられるため、この
ような吸収損失のないフッ化物ガラスが求められている
。
そこで、フッ化物ガラス中の酸化物や水酸基を除去する
ために、一般に酸素や水分に対して活性なガスを含む雰
囲気がガラス溶融において採用され、この活性ガスとし
て、フロン系ガス、F2、C12、HF1BF3、SF
6、NF3、CCl4が知られている。
ために、一般に酸素や水分に対して活性なガスを含む雰
囲気がガラス溶融において採用され、この活性ガスとし
て、フロン系ガス、F2、C12、HF1BF3、SF
6、NF3、CCl4が知られている。
[発明が解決しようとする課題]
しかし、フロン系ガスは分解した場合、弗素と炭素にな
り、ガラス中に炭素が不純物として混入することがあり
好ましくない。また、F2、C12、HFは活性が強す
ぎて常湿での取り扱いに危険が伴い、高温(フッ化物ガ
ラス溶解温度付近:例えば800℃)ではガラス溶融の
ためのルツボなどの容器材料を著しく腐食するという問
題がある。またHFは分解により生じた水素が雰囲気中
の酸素と化合して水を生じ、この水がガラス中に混入す
る恐れがある。BF3 、NF3、SF6は高温におい
て、ある程度、酸素及び水分の除去に有効であるが、低
U(400℃以下)では、これらのガスは比較的安定で
あり、酸素及び水分の除去は殆ど期待できない。従って
、効果的にこれらのガスを使用するためには、材料の腐
食が激しい高mF域で使用する必要があった。またBF
3.8F6は分解した場合、フッ素とホウ素又はイオウ
になり、ホウ素又はイオウが不純物としてガラス中に混
入することがあり好ましくない。
り、ガラス中に炭素が不純物として混入することがあり
好ましくない。また、F2、C12、HFは活性が強す
ぎて常湿での取り扱いに危険が伴い、高温(フッ化物ガ
ラス溶解温度付近:例えば800℃)ではガラス溶融の
ためのルツボなどの容器材料を著しく腐食するという問
題がある。またHFは分解により生じた水素が雰囲気中
の酸素と化合して水を生じ、この水がガラス中に混入す
る恐れがある。BF3 、NF3、SF6は高温におい
て、ある程度、酸素及び水分の除去に有効であるが、低
U(400℃以下)では、これらのガスは比較的安定で
あり、酸素及び水分の除去は殆ど期待できない。従って
、効果的にこれらのガスを使用するためには、材料の腐
食が激しい高mF域で使用する必要があった。またBF
3.8F6は分解した場合、フッ素とホウ素又はイオウ
になり、ホウ素又はイオウが不純物としてガラス中に混
入することがあり好ましくない。
またCC1aは分解して有毒なホスゲンを生成すること
があり好ましくない。
があり好ましくない。
従って本発明の課題は、上記の各種活性ガスを用いてフ
ッ化物ガラス中の酸化物および水酸基を除去するための
従来の方法の欠点を解消し、フッ化物ガラス中の酸化物
および水酸基を効果的に除去できるだtプでなく、フッ
化物ガラス中に炭素、ホウ素、イオウ等の元素が不純物
として混入することがなく、また溶融されるべきフッ化
物ガラスを収容するルツボ等の容器の腐蝕の問題を伴わ
ない等の利点を右する、フッ化物ガラス中の酸化物およ
び水M基の除去方法を提供することにある。
ッ化物ガラス中の酸化物および水酸基を除去するための
従来の方法の欠点を解消し、フッ化物ガラス中の酸化物
および水酸基を効果的に除去できるだtプでなく、フッ
化物ガラス中に炭素、ホウ素、イオウ等の元素が不純物
として混入することがなく、また溶融されるべきフッ化
物ガラスを収容するルツボ等の容器の腐蝕の問題を伴わ
ない等の利点を右する、フッ化物ガラス中の酸化物およ
び水M基の除去方法を提供することにある。
[課題を解決するための手段]
本発明は、上述の課題を達成するためになされものであ
り、本発明のフッ化物ガラス中の酸化物および水M基の
除去方法は、フッ化物ガラスを三フフ化塩素で処理し、
フッ化物ガラス中の酸化物および水酸基をハロゲン化す
ることを特徴とする。
り、本発明のフッ化物ガラス中の酸化物および水M基の
除去方法は、フッ化物ガラスを三フフ化塩素で処理し、
フッ化物ガラス中の酸化物および水酸基をハロゲン化す
ることを特徴とする。
以下、本発明を詳細に説明する。
先ず、本発明の方法により処理されて、含有酸化物およ
び水酸基が除去されるフッ化物ガラスとしては、ZrF
4−BaF2を主成分とするフッ化物ガラスf11 :
A I F aを主成分とするフッ化物ガラスi21
: P b F 2を主成分とするフッ化物ガラスf
31 ; Z n F 2を主成分とするフッ化物ガラ
ス(4);Aj!F3と、ZrF4及び/又はHfF4
と、CaF2.5rF4及びBaF2から選択される少
なくとも1種とを含有するフッ化物ガラス(5):該フ
ッ化物ガラス(5)に更にMQF+、YF3及び/又は
ランタノイド元素のフッ化物、ZnF2゜CdF2.I
nF3.GaF3.PbF+及びアルカリ金属のフッ
化物から選択される少なくとも1種の成分を添加したフ
ッ化物ガラス(6):上記°ノッ化ガラス(1)〜16
)に所定量の塩素(この塩素の供給源として塩化物原料
やNH4Cj!等が用いられる)を加えた塩素含有フッ
化物ガラス(7)等が挙げられるが、これらフッ化物ガ
ラスfil−(7,)以外のフッ化物ガラスを用いても
良いことはもちろんである。
び水酸基が除去されるフッ化物ガラスとしては、ZrF
4−BaF2を主成分とするフッ化物ガラスf11 :
A I F aを主成分とするフッ化物ガラスi21
: P b F 2を主成分とするフッ化物ガラスf
31 ; Z n F 2を主成分とするフッ化物ガラ
ス(4);Aj!F3と、ZrF4及び/又はHfF4
と、CaF2.5rF4及びBaF2から選択される少
なくとも1種とを含有するフッ化物ガラス(5):該フ
ッ化物ガラス(5)に更にMQF+、YF3及び/又は
ランタノイド元素のフッ化物、ZnF2゜CdF2.I
nF3.GaF3.PbF+及びアルカリ金属のフッ
化物から選択される少なくとも1種の成分を添加したフ
ッ化物ガラス(6):上記°ノッ化ガラス(1)〜16
)に所定量の塩素(この塩素の供給源として塩化物原料
やNH4Cj!等が用いられる)を加えた塩素含有フッ
化物ガラス(7)等が挙げられるが、これらフッ化物ガ
ラスfil−(7,)以外のフッ化物ガラスを用いても
良いことはもちろんである。
本発明の方法は上記フッ化物ガラスを三フフ化塩素で処
理することを特徴とするものである。本発明者らの倹約
によれば、 (2) 三フフ化塩素は、従来用いられていたNF3゜
8F3 、SF6等に比べ、低温において酸素や水分に
対して活性であり、従ってフッ化物ガラス中に不純物と
して存在する、金属酸化物等の酸化物および吸着水や金
属水酸化物等に由来する水酸基を、容器等の材料の腐食
が少ない低温においでハロゲン化することにより効果的
に除去できること、 (ハ) 三フッ、化塩素は、フロン系ガス、BF3゜S
F6等と異なり、分解により炭素、ホウ素、イオウ等の
元素を生じないので、これらの元素が不純物として混入
されることがなく、また三フッ化塩素中の塩素がフッ化
物ガラス中に組み入れられても、フッ化物ガラスの基本
的な特性は損われないこと、および (へ) 三フッ化塩素はF2 、C12に比べ、常温で
の取り扱いが容易であること 等の三フフ化塩素の特有の効果が確認されており、三フ
ッ化塩素を用いることにより、フッ化物ガラス中の酸化
物および水m基の効果的除去が可能となった。
理することを特徴とするものである。本発明者らの倹約
によれば、 (2) 三フフ化塩素は、従来用いられていたNF3゜
8F3 、SF6等に比べ、低温において酸素や水分に
対して活性であり、従ってフッ化物ガラス中に不純物と
して存在する、金属酸化物等の酸化物および吸着水や金
属水酸化物等に由来する水酸基を、容器等の材料の腐食
が少ない低温においでハロゲン化することにより効果的
に除去できること、 (ハ) 三フッ、化塩素は、フロン系ガス、BF3゜S
F6等と異なり、分解により炭素、ホウ素、イオウ等の
元素を生じないので、これらの元素が不純物として混入
されることがなく、また三フッ化塩素中の塩素がフッ化
物ガラス中に組み入れられても、フッ化物ガラスの基本
的な特性は損われないこと、および (へ) 三フッ化塩素はF2 、C12に比べ、常温で
の取り扱いが容易であること 等の三フフ化塩素の特有の効果が確認されており、三フ
ッ化塩素を用いることにより、フッ化物ガラス中の酸化
物および水m基の効果的除去が可能となった。
本発明の方法において、フッ化物ガラスの三フフ化塩素
による処理は、例えば (1) 三フフ化塩素を溶融前のフッ化物ガラス原料
に吹き付ける、 (II) 三フッ化塩素をフッ化物ガラス融液の表面
に吹きイー1(プる、 (iil 三フッ化塩素をフッ化物ガラス融液中にバ
ブリングする、 等の手段により実施するのが好ましい。
による処理は、例えば (1) 三フフ化塩素を溶融前のフッ化物ガラス原料
に吹き付ける、 (II) 三フッ化塩素をフッ化物ガラス融液の表面
に吹きイー1(プる、 (iil 三フッ化塩素をフッ化物ガラス融液中にバ
ブリングする、 等の手段により実施するのが好ましい。
溶融前のフッ化物ガラス原料に三フッ化塩素を吹き付け
て、酸化物および水酸基を除去する、前記手段fitは
、比較的低温、例えば室温以上、好ましくは250 ’
C以上の温度で実施できる点ですぐれている。三フッ化
塩素は約250℃で分解し活性の強いフッ素うジノ」ル
を生成し、該フッ素ラジカルがフッ化物ガラス中の酸化
物および水酸基と反応して、これらをハロゲン化するこ
とにより効果的に酸化物および水′M基を除去するもの
である。
て、酸化物および水酸基を除去する、前記手段fitは
、比較的低温、例えば室温以上、好ましくは250 ’
C以上の温度で実施できる点ですぐれている。三フッ化
塩素は約250℃で分解し活性の強いフッ素うジノ」ル
を生成し、該フッ素ラジカルがフッ化物ガラス中の酸化
物および水酸基と反応して、これらをハロゲン化するこ
とにより効果的に酸化物および水′M基を除去するもの
である。
手段(:)における所望温度を250℃以上としたのは
、このためであるが、室温〜250℃の温度域において
は、三フッ化塩素は、分解しないが、直接、フッ化物ガ
ラス中の酸化物および水酸基と反応しく但しその反応速
度はフッ素ラジカルの場合よりも緩慢である)、これら
を除去することができる。従って上述の如く手段!il
は室温以上で実施可能である。
、このためであるが、室温〜250℃の温度域において
は、三フッ化塩素は、分解しないが、直接、フッ化物ガ
ラス中の酸化物および水酸基と反応しく但しその反応速
度はフッ素ラジカルの場合よりも緩慢である)、これら
を除去することができる。従って上述の如く手段!il
は室温以上で実施可能である。
また手段(ilにおtプる三フッ化塩素のフッ化物ガラ
スへの吹き付は時間は、30分〜3時間が好ましい。そ
の理由は30分未満であると酸化物および水酸基の除去
が充分に行なえず、3時間を超えでも酸化物および水酸
基の除去速度が低下し、時間に見合う効梁が得られない
からである。
スへの吹き付は時間は、30分〜3時間が好ましい。そ
の理由は30分未満であると酸化物および水酸基の除去
が充分に行なえず、3時間を超えでも酸化物および水酸
基の除去速度が低下し、時間に見合う効梁が得られない
からである。
フッ化物ガラス融液の表面に、三フッ化塩素を吹き付け
て酸化物および水I!基を除去する、前記手段(ii)
は、フッ化物ガラスの溶融が例えば500 ’
〜1000℃の温度で行なわれ、このような高温状態に
あるフッ化物ガラス融液の表面に吹き付けられた三フッ
化塩素が融液に接触することにより加熱され、活性の強
いフッ素ラジカルを前記手段(i)の場合よりも予示に
生成するので、フッ化物ガラス中の酸化物および水酸基
がより短時間で効果的に除去される点ですぐれている。
て酸化物および水I!基を除去する、前記手段(ii)
は、フッ化物ガラスの溶融が例えば500 ’
〜1000℃の温度で行なわれ、このような高温状態に
あるフッ化物ガラス融液の表面に吹き付けられた三フッ
化塩素が融液に接触することにより加熱され、活性の強
いフッ素ラジカルを前記手段(i)の場合よりも予示に
生成するので、フッ化物ガラス中の酸化物および水酸基
がより短時間で効果的に除去される点ですぐれている。
従って手段(11)を採用した場合の処理時間は10分
以上で良い。
以上で良い。
三フッ化塩素をフッ化物ガラス融液中にバブリングして
酸化物および水M基を除去する、前記手段fiii1は
、三フフ化塩素が、例えば500〜1000℃の高温状
態にあるフッ化物ガラス融液中に導入されるので、前記
手段(11)の場合よりも多hiのフッ素ラジカルが生
成する。従ってこの手段(iilは、前記手段(11)
よりもフッ化物ガラス中の酸化物および水酸基がさらに
短時間で効果的に除去される点ですぐれている。従って
手段(11)を採用した場合の処理時間は5分以上で良
い。手段(iii)は、バブリングによりガラス融液が
攪拌されるので、前記ハロゲン化が促進されるとともに
ガラス融液の成分が均一化されるという利点もある。
酸化物および水M基を除去する、前記手段fiii1は
、三フフ化塩素が、例えば500〜1000℃の高温状
態にあるフッ化物ガラス融液中に導入されるので、前記
手段(11)の場合よりも多hiのフッ素ラジカルが生
成する。従ってこの手段(iilは、前記手段(11)
よりもフッ化物ガラス中の酸化物および水酸基がさらに
短時間で効果的に除去される点ですぐれている。従って
手段(11)を採用した場合の処理時間は5分以上で良
い。手段(iii)は、バブリングによりガラス融液が
攪拌されるので、前記ハロゲン化が促進されるとともに
ガラス融液の成分が均一化されるという利点もある。
実施に当って、前記手段(it 、 (iil及び(i
iilはいずれか1秤を採用しても良く、2種以上を採
用しても良い。例えば手段(1)を実施した後、手段(
11)又は(ilを実施づると、フッ化物ガラス中の酸
化物および水酸基を極めて低レベルまで低減できる。
iilはいずれか1秤を採用しても良く、2種以上を採
用しても良い。例えば手段(1)を実施した後、手段(
11)又は(ilを実施づると、フッ化物ガラス中の酸
化物および水酸基を極めて低レベルまで低減できる。
前記の手段fil 、 fiil及びiiilは、フッ
化物ガラスへの外気による影響を避【プるために、外気
と遮断された雰囲気中で実施するのが好ましい。ここに
外気と′a断された雰囲気は、例えば、フッ化物ガラス
原料を収容したカーボン製ルツボを、耐火物製溶融炉内
に装入した後、該耐火物製溶融炉を不活性ガスで充たさ
れたシールドボックス中に配置することにより形成され
るが、もちろん上記以外の方法で外気と遮断された雰囲
気を形成しても良い。
化物ガラスへの外気による影響を避【プるために、外気
と遮断された雰囲気中で実施するのが好ましい。ここに
外気と′a断された雰囲気は、例えば、フッ化物ガラス
原料を収容したカーボン製ルツボを、耐火物製溶融炉内
に装入した後、該耐火物製溶融炉を不活性ガスで充たさ
れたシールドボックス中に配置することにより形成され
るが、もちろん上記以外の方法で外気と遮断された雰囲
気を形成しても良い。
また三フッ化塩素は、必要に応じて、アルゴン、ヘリウ
ム、窒素ガス等の不活性ガスにより希釈して供給するこ
ともできる。この不活性ガスによる三フッ化塩素の希釈
は、特に手段fiilやiiil)を採用する場合に行
なうのが好ましい。前記手段(iil又は(iii)に
おいて、不活性ガスで三フフ化塩素を希釈する場合に、
三フフ化塩素の温度は0.5体積%以上であるのが好ま
しい。その理由は、三フッ化塩素の濃度が0.5体積%
未満であると、三フッ化塩素が少な1ぎて、フッ化物ガ
ラス中の酸化物および水酸基を十分に除去することがで
きないからである。
ム、窒素ガス等の不活性ガスにより希釈して供給するこ
ともできる。この不活性ガスによる三フッ化塩素の希釈
は、特に手段fiilやiiil)を採用する場合に行
なうのが好ましい。前記手段(iil又は(iii)に
おいて、不活性ガスで三フフ化塩素を希釈する場合に、
三フフ化塩素の温度は0.5体積%以上であるのが好ま
しい。その理由は、三フッ化塩素の濃度が0.5体積%
未満であると、三フッ化塩素が少な1ぎて、フッ化物ガ
ラス中の酸化物および水酸基を十分に除去することがで
きないからである。
[実施例]
以下、本発明の実施例について説明する。
(実流例−1)
第1図に示すガラス溶融菰りを使用してフン化物ガラス
中の酸化物および水酸基を除去した。
中の酸化物および水酸基を除去した。
出発原料として、AJ!F3.7rFa 、YF3、f
vloF+ 、CaF2.SrF2.BaF2.NaF
を用いた。これらをAJ!F3 :30.2モル%、Z
rF4 : 10.2モル%、YF3 :8.3モル%
、MQF2 :3.6モル%、CaF2 :20゜3モ
ル%、SrF2 :13.2モル%、BaF2 :
10.5モル%、NaF:3.7モル%の割合で、全問
が100gとなるように秤量混合した後、カーボン製ル
ツボ1に入れ、このルツボ1をアルゴンで充たされてい
るシールドボックス2内の耐火物製溶融炉3に配置した
。次いで、アルゴンで10体積%に希釈した三フッ化塩
素をカーボン製ガス導入バイブ4からIJ!/minで
吹き何け、ヒーター7により250℃で2時間加熱処理
した。なお、ガスはガス排出パイプ5経由で拮出させた
。
vloF+ 、CaF2.SrF2.BaF2.NaF
を用いた。これらをAJ!F3 :30.2モル%、Z
rF4 : 10.2モル%、YF3 :8.3モル%
、MQF2 :3.6モル%、CaF2 :20゜3モ
ル%、SrF2 :13.2モル%、BaF2 :
10.5モル%、NaF:3.7モル%の割合で、全問
が100gとなるように秤量混合した後、カーボン製ル
ツボ1に入れ、このルツボ1をアルゴンで充たされてい
るシールドボックス2内の耐火物製溶融炉3に配置した
。次いで、アルゴンで10体積%に希釈した三フッ化塩
素をカーボン製ガス導入バイブ4からIJ!/minで
吹き何け、ヒーター7により250℃で2時間加熱処理
した。なお、ガスはガス排出パイプ5経由で拮出させた
。
その後、三フッ化塩素を流すのを止め、アルゴンのみを
ガス導入パイプ4から11/sinで吹き付けながら温
度を950℃に上げ2時間溶融処理した。溶融後、ジヤ
ツキ6を下げ、350 ’Cまで放冷し、図示してない
アニール炉で徐冷を行い50Mφ×〃さ13μmの無色
透明のガラスを1qた。(qられたガラスを30X30
X5anに切断して大面を光学研磨した後、He−Ne
レーザー光をガラス中に入れて光散乱による光線軌跡の
観察を行なったが、光線軌跡は認められなかった。
ガス導入パイプ4から11/sinで吹き付けながら温
度を950℃に上げ2時間溶融処理した。溶融後、ジヤ
ツキ6を下げ、350 ’Cまで放冷し、図示してない
アニール炉で徐冷を行い50Mφ×〃さ13μmの無色
透明のガラスを1qた。(qられたガラスを30X30
X5anに切断して大面を光学研磨した後、He−Ne
レーザー光をガラス中に入れて光散乱による光線軌跡の
観察を行なったが、光線軌跡は認められなかった。
ガラス中の酸素の分析は、不活性気体融解−赤外線吸収
方式酸素分析装置を使用し、窒素雰囲気中で、ガラスを
メノウ乳鉢で粉砕し、ニッケルカプセルに封入したもの
を脱ガスした黒鉛ルツボに投入し、1800〜2500
℃で熱分解させることにより行なった。ガラス試料中の
酸素は高温の黒鉛ルツボと反応してCOガスを発生し、
キャリヤーガス(He)によって赤外線検出器へ搬送さ
れCOガスとして検出された。この分析の結果、処理前
のガラスが酸素′m度11000ppであったのに対し
、処理後は40ppI11と極めて少ない酸素濃度に低
下していた。
方式酸素分析装置を使用し、窒素雰囲気中で、ガラスを
メノウ乳鉢で粉砕し、ニッケルカプセルに封入したもの
を脱ガスした黒鉛ルツボに投入し、1800〜2500
℃で熱分解させることにより行なった。ガラス試料中の
酸素は高温の黒鉛ルツボと反応してCOガスを発生し、
キャリヤーガス(He)によって赤外線検出器へ搬送さ
れCOガスとして検出された。この分析の結果、処理前
のガラスが酸素′m度11000ppであったのに対し
、処理後は40ppI11と極めて少ない酸素濃度に低
下していた。
第2図は対面研摩した厚さ5#Iのガラスの49OO〜
400cm−’の赤外域の透過率曲線を示す。
400cm−’の赤外域の透過率曲線を示す。
図中、4900〜2000cffi−1まで90%以上
の透過率を有し、3400cm−1(2,94μm)イ
」近の水酸基に起因する吸収は見られなかった。又、溶
融後のルツボの侵食を調べたが肉眼において侵食はほと
んど認められなかった。
の透過率を有し、3400cm−1(2,94μm)イ
」近の水酸基に起因する吸収は見られなかった。又、溶
融後のルツボの侵食を調べたが肉眼において侵食はほと
んど認められなかった。
(実施例−2)
第1図に示すガラス溶融[jを使用してノッ化 ・物ガ
ラス中の酸化物および水酸基を除去した。成分と組成が
実施例−1と同じである出発原料100gをカーボン製
ルツボ1に入れ、このルツボ1をアルゴンで充たされて
いるシールドボックス2内の溶融炉3に配置した。次に
、アルゴンで10体積%に希釈した三フッ化塩素をガラ
ス表面へカーボン製ガス導入バイブ4から1J!/wi
nで吹き付け、700℃で1時間溶融処理した。その後
、三フフ化塩素を流すのを止めアルゴンのみをガス導入
バイブ4からIJ/minで吹き付けながらガラスを均
質化するために950℃に臂温し、1時間溶融処理した
。溶融後、ジヤツキ6を下げ、350℃まで放冷し、図
示してないアニール炉で徐冷を行ない50#l#lφ×
厚さ13Mの無色透明のガラスを得た。甘1られたガラ
スについて、実施例−1と同様に、He−Neレーザー
光をガラス中に入れて光散乱による光線軌跡の観察を行
なったが、光線軌跡は全く認められなかった。またガラ
ス中の酸素分析を行なった結束、酸素濃度は実施例1の
場合よりもさらに低下し、30 ppmと極めて少ない
M素濃度であった。
ラス中の酸化物および水酸基を除去した。成分と組成が
実施例−1と同じである出発原料100gをカーボン製
ルツボ1に入れ、このルツボ1をアルゴンで充たされて
いるシールドボックス2内の溶融炉3に配置した。次に
、アルゴンで10体積%に希釈した三フッ化塩素をガラ
ス表面へカーボン製ガス導入バイブ4から1J!/wi
nで吹き付け、700℃で1時間溶融処理した。その後
、三フフ化塩素を流すのを止めアルゴンのみをガス導入
バイブ4からIJ/minで吹き付けながらガラスを均
質化するために950℃に臂温し、1時間溶融処理した
。溶融後、ジヤツキ6を下げ、350℃まで放冷し、図
示してないアニール炉で徐冷を行ない50#l#lφ×
厚さ13Mの無色透明のガラスを得た。甘1られたガラ
スについて、実施例−1と同様に、He−Neレーザー
光をガラス中に入れて光散乱による光線軌跡の観察を行
なったが、光線軌跡は全く認められなかった。またガラ
ス中の酸素分析を行なった結束、酸素濃度は実施例1の
場合よりもさらに低下し、30 ppmと極めて少ない
M素濃度であった。
さらに、赤外域の透過率を測定した結果は図示してない
が第2図とほぼ同様なものであり3400cm−1(2
,94um )付近の水酸基に起因する吸収は見られな
かった。又、溶融後のルツボの侵食を調べたが肉眼にお
いて侵食はほとんど認められなかった。
が第2図とほぼ同様なものであり3400cm−1(2
,94um )付近の水酸基に起因する吸収は見られな
かった。又、溶融後のルツボの侵食を調べたが肉眼にお
いて侵食はほとんど認められなかった。
(実施例−3)
アルゴンで10体積%に希釈した三フフ化塩素をガラス
表面へ1j!/winで吹き付ける代りにアルゴンで1
0体積%に希釈した三フッ化塩素でガラス融液をバブリ
ングした他は実施例−2と同じ原料および組成を用いて
実施例−2と同様の操作を行なった。得られたガラスに
ついて、実施例−1と同様にHe−Neレーザー光をガ
ラス中に入れて光散乱による光線軌跡の観察を行なった
が、光線軌跡は全く認められなかった。またガラスの酸
素分析を行なった結果、酸素濃度は実施例2の場合より
もさらに低下し、20ppmと極めて少ない酸素a度で
あった。
表面へ1j!/winで吹き付ける代りにアルゴンで1
0体積%に希釈した三フッ化塩素でガラス融液をバブリ
ングした他は実施例−2と同じ原料および組成を用いて
実施例−2と同様の操作を行なった。得られたガラスに
ついて、実施例−1と同様にHe−Neレーザー光をガ
ラス中に入れて光散乱による光線軌跡の観察を行なった
が、光線軌跡は全く認められなかった。またガラスの酸
素分析を行なった結果、酸素濃度は実施例2の場合より
もさらに低下し、20ppmと極めて少ない酸素a度で
あった。
さらに赤外域の透過率を測定した結果は図示してないが
第2図とほぼ同様なものであり340゜on−’(2,
94μ1Il)付近の水酸基に起因する吸収は見られな
かった。溶融後のルツボの侵食を調べたが肉眼において
ほとんど認められなかった。
第2図とほぼ同様なものであり340゜on−’(2,
94μ1Il)付近の水酸基に起因する吸収は見られな
かった。溶融後のルツボの侵食を調べたが肉眼において
ほとんど認められなかった。
(実施例−4)
第1図に示すガラス溶融装置を使用してフッ化物ガラス
中の酸化物および水M基を除去した。成分と組成が実施
例−1と同じである出発原料100gをカーボン製ルツ
ボ1に入れた後、このルツボ1をアルゴンで充たされて
いるシールドボックス2内の溶融炉3に配置した。次い
で、アルゴンで10体積%に希釈した三フッ化塩素をカ
ーボン製ガス導入バイブ4から1j!/minで吹き付
け250℃で2時間加熱処即した。そして、700℃ま
で4温し1時間溶融処理した。その後、三フッ化塩素を
流づのを止めアルゴンのみをガス導入バイブ4からlj
!/Mllinで吹き付けながらガラスを均質化するた
めに、950°Cに昇渇し1時間溶融処理した。溶融後
、ジヤツキ6を下げ、350℃まで放冷し、図示してな
いアニール炉で徐冷を行い50sφ×厚さ13mの無色
透明のガラスを得た。得られたガラスについて、実施例
−1と同様に、He−Neレーザー光をガラス中に入れ
て光散乱による光線軌跡の観察を行なったが光線軌跡は
全く認められなかった。またガラス中の酸素分析を行な
った結果、20 ppHlと極めて少ない酸素濃度であ
った。
中の酸化物および水M基を除去した。成分と組成が実施
例−1と同じである出発原料100gをカーボン製ルツ
ボ1に入れた後、このルツボ1をアルゴンで充たされて
いるシールドボックス2内の溶融炉3に配置した。次い
で、アルゴンで10体積%に希釈した三フッ化塩素をカ
ーボン製ガス導入バイブ4から1j!/minで吹き付
け250℃で2時間加熱処即した。そして、700℃ま
で4温し1時間溶融処理した。その後、三フッ化塩素を
流づのを止めアルゴンのみをガス導入バイブ4からlj
!/Mllinで吹き付けながらガラスを均質化するた
めに、950°Cに昇渇し1時間溶融処理した。溶融後
、ジヤツキ6を下げ、350℃まで放冷し、図示してな
いアニール炉で徐冷を行い50sφ×厚さ13mの無色
透明のガラスを得た。得られたガラスについて、実施例
−1と同様に、He−Neレーザー光をガラス中に入れ
て光散乱による光線軌跡の観察を行なったが光線軌跡は
全く認められなかった。またガラス中の酸素分析を行な
った結果、20 ppHlと極めて少ない酸素濃度であ
った。
さらに、赤外域の透過率を測定した結果は図示してない
が第2図とほぼ同様なものであり3400ci+−’(
2,94μm)付近の水酸基に起因する吸収は見られな
かった。溶融後のルツボの侵食を調べたが肉眼において
侵食はほとんど認められなかった。
が第2図とほぼ同様なものであり3400ci+−’(
2,94μm)付近の水酸基に起因する吸収は見られな
かった。溶融後のルツボの侵食を調べたが肉眼において
侵食はほとんど認められなかった。
(実施例−5)
第1図に示すガラス溶融装置を使用して塩素含有フッ化
物ガラス中から酸化物と水M基を除去した。成分と組成
が実施例−2と同じである出発原II 1009に塩素
を添加する目的で10gの塩化アンモニウムを加え混合
したものについて、実施例−2と同様な操作を行なった
。得られたガラスについて、実施例−1と同様にHe−
Neレーザー光をガラス中に入れて光散乱による光線軌
跡の観察を行なったが、光線軌跡は全く認められなかっ
た。またガラスの酸素分析を行なった結果、30 Dl
)Illと極めて少ない酸素濃度であった。
物ガラス中から酸化物と水M基を除去した。成分と組成
が実施例−2と同じである出発原II 1009に塩素
を添加する目的で10gの塩化アンモニウムを加え混合
したものについて、実施例−2と同様な操作を行なった
。得られたガラスについて、実施例−1と同様にHe−
Neレーザー光をガラス中に入れて光散乱による光線軌
跡の観察を行なったが、光線軌跡は全く認められなかっ
た。またガラスの酸素分析を行なった結果、30 Dl
)Illと極めて少ない酸素濃度であった。
さらに赤外域の透過率を測定した結果は図示してないが
第2図とほぼ同様なものであり3400cm−’(2,
94μl1l)付近の水酸基に起因する吸収は見られな
かった。溶融後のルツボの侵食を調べたが、肉眼におい
て侵食はほとんど認められなかった。
第2図とほぼ同様なものであり3400cm−’(2,
94μl1l)付近の水酸基に起因する吸収は見られな
かった。溶融後のルツボの侵食を調べたが、肉眼におい
て侵食はほとんど認められなかった。
なお、ガラス中の塩素濃度を蛍光X線により測定した結
果1モル%の塩素が含まれていた。
果1モル%の塩素が含まれていた。
(実施例−6)
第1図に示すガラス溶融装置を使用してフッ化物ガラス
中から酸化物および水Mlを除去した。
中から酸化物および水Mlを除去した。
出発原料として、Aj!F3.ZrFa 。
LaF3 、BaF+ 、NaFを用いた。コレらをA
j!Fa :3.0モル%、ZrF4 :53.0モル
%、LaF:4.0モル%、BaF2: 20゜0モル
%、NaF : 20.0モル%の割合で全量が100
gとなるように秤量混合した後、カーボン製ルツボ1に
入れた。次にルツボ1をアルゴンで充たされているシー
ルドボックス2内の溶融炉3に配置し、アルゴンで10
体積%に希釈した三フフ化塩素をガラス表面へカーボン
製ガス導入バイブ4からlj!/sinで吹き付け50
0℃で1時間溶融処理した。その後、三フッ化塩素を流
すのを止め、アルゴンのみをガス導入バイブ4から11
/Winで吹き付けながらガラスを均質化するために8
50℃に昇渇し1時間溶融処理した。溶融後、ジヤツキ
6を下げ、270℃まで放冷し、図示してないアニール
炉で徐冷を行い50ahφ×厚さ11・馴の無色透明の
ガラスを得た。得られたガラスについて、実施例−1と
同様に、He−Neレーザー光をガラス中に入れて光散
乱による光線軌跡の観察を行なったが光線軌跡は全く認
められなかった。またガラスのM素分析を行なった結果
、301)I)mと極めて少ない酸素濃度であった。
j!Fa :3.0モル%、ZrF4 :53.0モル
%、LaF:4.0モル%、BaF2: 20゜0モル
%、NaF : 20.0モル%の割合で全量が100
gとなるように秤量混合した後、カーボン製ルツボ1に
入れた。次にルツボ1をアルゴンで充たされているシー
ルドボックス2内の溶融炉3に配置し、アルゴンで10
体積%に希釈した三フフ化塩素をガラス表面へカーボン
製ガス導入バイブ4からlj!/sinで吹き付け50
0℃で1時間溶融処理した。その後、三フッ化塩素を流
すのを止め、アルゴンのみをガス導入バイブ4から11
/Winで吹き付けながらガラスを均質化するために8
50℃に昇渇し1時間溶融処理した。溶融後、ジヤツキ
6を下げ、270℃まで放冷し、図示してないアニール
炉で徐冷を行い50ahφ×厚さ11・馴の無色透明の
ガラスを得た。得られたガラスについて、実施例−1と
同様に、He−Neレーザー光をガラス中に入れて光散
乱による光線軌跡の観察を行なったが光線軌跡は全く認
められなかった。またガラスのM素分析を行なった結果
、301)I)mと極めて少ない酸素濃度であった。
さらに、赤外域の透過率を測定した結果は図示してない
が、3400cm−1(2,94μ1Il)付近の水酸
基に起因する吸収は見られなかった。溶融後のルツボの
侵食を調べたが肉眼において侵食はほとんど認められな
かった。
が、3400cm−1(2,94μ1Il)付近の水酸
基に起因する吸収は見られなかった。溶融後のルツボの
侵食を調べたが肉眼において侵食はほとんど認められな
かった。
(実施例−7)
第1図に示す溶融装置を使用して、フッ化物ガラス中の
酸化物および水Mlを除去した。
酸化物および水Mlを除去した。
出発原料として、LaF3 、PbF2゜ZnF2.G
aF3を用いた。これらを1aF3 :2.0モ/L、
%、PbF2 :46.0モル%、ZnF2 :22
.0モル%、GaF3 :30.0モル%の割合で全
部が100gとなるように秤量混合後、カーボン製ルツ
ボ1に入れた。次にこのルツボ1をアルゴンで充たされ
ているシールドボックス2内の溶融炉3に入れ、アルゴ
ンで10体積%に希釈した三フフ化塩素をガラス表面へ
カーボン製ガス導入バイブ4から11 /minで吹き
付け650°Cで1時間溶融処理した。その後、三フフ
化塩素を流すのを止めアルゴンのみをガス導入バイブ4
からlj!/minで吹き付けながらガラスを均質化す
るために900℃に昇渇し1時間溶融処理した。溶融後
、ジヤツキ6を下げ、250℃まで放冷し、図示してな
いアニール炉で徐冷を行ない50#l#Iφ×厚さ11
mの無色透明ガラスを得た。
aF3を用いた。これらを1aF3 :2.0モ/L、
%、PbF2 :46.0モル%、ZnF2 :22
.0モル%、GaF3 :30.0モル%の割合で全
部が100gとなるように秤量混合後、カーボン製ルツ
ボ1に入れた。次にこのルツボ1をアルゴンで充たされ
ているシールドボックス2内の溶融炉3に入れ、アルゴ
ンで10体積%に希釈した三フフ化塩素をガラス表面へ
カーボン製ガス導入バイブ4から11 /minで吹き
付け650°Cで1時間溶融処理した。その後、三フフ
化塩素を流すのを止めアルゴンのみをガス導入バイブ4
からlj!/minで吹き付けながらガラスを均質化す
るために900℃に昇渇し1時間溶融処理した。溶融後
、ジヤツキ6を下げ、250℃まで放冷し、図示してな
いアニール炉で徐冷を行ない50#l#Iφ×厚さ11
mの無色透明ガラスを得た。
得られたガラスについて、実施例−1と同様に、He−
Neレーザー光をガラス中に入れて光線軌跡の観察を行
なったが光線軌跡は全く認められなかった。 またガラ
スの酸素分析を行なった結果、30 ppmと極めて少
ない酸素濃度であった。
Neレーザー光をガラス中に入れて光線軌跡の観察を行
なったが光線軌跡は全く認められなかった。 またガラ
スの酸素分析を行なった結果、30 ppmと極めて少
ない酸素濃度であった。
さらに、赤外域の透過率を測定した結果は図示してない
が、3400cm−1(2,94μm )付近の水酸基
に起因する吸収は見られなかった。溶融後のルツボの侵
食を調べたが、肉眼において侵食はほとんど認められな
かった。
が、3400cm−1(2,94μm )付近の水酸基
に起因する吸収は見られなかった。溶融後のルツボの侵
食を調べたが、肉眼において侵食はほとんど認められな
かった。
(実施例−8)
アルゴンで10体積%に希釈した三フッ化塩素の代りに
、アルゴンで20体積%に希釈した三フッ化塩素をカー
ボン製ガス導入バイブから1.51/minで吹き付け
た他は実施例−1と同じ原料および組成を用いて実施例
−1と同様の操作を行なった。得られたガラスについて
、実施例−1と同様にHe−Neレーザー光をガラス中
に入れて光散乱による光線軌跡の観察を行なったが、光
線軌跡は認められなかった。またガラスの酸素分析を行
なった結果、301111111と極めて少ない酸素濃
度であった。さらに赤外域の透過率を測定した結果は図
示してないが第2図とほぼ同様なものであり3400c
IR−’(2,94μm)付近の水酸基に起因する吸収
は見られなかった。溶融後のルツボの侵食を調べたが肉
眼において侵食はほとんど認められなかった。
、アルゴンで20体積%に希釈した三フッ化塩素をカー
ボン製ガス導入バイブから1.51/minで吹き付け
た他は実施例−1と同じ原料および組成を用いて実施例
−1と同様の操作を行なった。得られたガラスについて
、実施例−1と同様にHe−Neレーザー光をガラス中
に入れて光散乱による光線軌跡の観察を行なったが、光
線軌跡は認められなかった。またガラスの酸素分析を行
なった結果、301111111と極めて少ない酸素濃
度であった。さらに赤外域の透過率を測定した結果は図
示してないが第2図とほぼ同様なものであり3400c
IR−’(2,94μm)付近の水酸基に起因する吸収
は見られなかった。溶融後のルツボの侵食を調べたが肉
眼において侵食はほとんど認められなかった。
(実施例−9)
アルゴンで10体積%に希釈した三フッ化塩素の代りに
アルゴンで5体積%に希釈した三フフ化塩素をカーボン
製ガス導入バイブからIj!/minで吹き何けた他は
実施例−2と同じ原料および同じ組成を用いて実施例−
2と同じ操作を行なった。
アルゴンで5体積%に希釈した三フフ化塩素をカーボン
製ガス導入バイブからIj!/minで吹き何けた他は
実施例−2と同じ原料および同じ組成を用いて実施例−
2と同じ操作を行なった。
得られたガラスについて実施例−1と同様に、He−N
eレーザー光をガラス中に入れて光散乱による光線軌跡
の観察を行なったが、光線軌跡は認められなかった。ま
たガラスの酸素分析を行なった結果、35 ptonと
極めて少ない酸素濃度であった。さらに赤外域の透過率
を測定した結果は図示してないが第2図とほぼ同様なも
のであり3400α−1(2,94μrA)付近の水酸
基に起因する吸収は見られなかった。溶融後のルツボの
侵食を調べたが肉眼において侵食はほとんど認められな
かった。
eレーザー光をガラス中に入れて光散乱による光線軌跡
の観察を行なったが、光線軌跡は認められなかった。ま
たガラスの酸素分析を行なった結果、35 ptonと
極めて少ない酸素濃度であった。さらに赤外域の透過率
を測定した結果は図示してないが第2図とほぼ同様なも
のであり3400α−1(2,94μrA)付近の水酸
基に起因する吸収は見られなかった。溶融後のルツボの
侵食を調べたが肉眼において侵食はほとんど認められな
かった。
(実施例−10)
アルゴンで10体積%に希釈した三フッ化塩素の代りに
アルゴンで20体積%に希釈した三フッ化塩素をカーボ
ン製ガス導入パイプから11/minで吹きイ4けた他
は実施例−2と同じ原料および同じ′組成を用いて実施
例−2と同じ操伯を行なった。得られたガラスについて
実施例−1と同様に、He−Neレーザー光をガラス中
に入れて光散乱による光線軌跡の観察を行なったが、光
線軌跡は認められなかった。またガラスの酸素分析を行
なった結果、20 pu+と極めて少ない酸素濃度であ
った。さらに赤外域の透過率を測定した結果は図示して
ないが第2図とほぼ同様なものであり3400cm−1
(2,94μm)付近の水酸基に起因する吸収は見られ
なかった。溶融後のルツボの侵食を調べたが肉眼におい
て侵食はほとんど認められなかった。
アルゴンで20体積%に希釈した三フッ化塩素をカーボ
ン製ガス導入パイプから11/minで吹きイ4けた他
は実施例−2と同じ原料および同じ′組成を用いて実施
例−2と同じ操伯を行なった。得られたガラスについて
実施例−1と同様に、He−Neレーザー光をガラス中
に入れて光散乱による光線軌跡の観察を行なったが、光
線軌跡は認められなかった。またガラスの酸素分析を行
なった結果、20 pu+と極めて少ない酸素濃度であ
った。さらに赤外域の透過率を測定した結果は図示して
ないが第2図とほぼ同様なものであり3400cm−1
(2,94μm)付近の水酸基に起因する吸収は見られ
なかった。溶融後のルツボの侵食を調べたが肉眼におい
て侵食はほとんど認められなかった。
(比較例−1)
実施例1で用いたものと同一のフッ化物原料を実施例1
と同一の割合で秤が混合して(qられた原料バッチ10
0gを、カーボン製ルツボに入れ実施例1と同様に、グ
ローブボックス内に配置された溶融炉内にて950℃ま
で加熱し、ガス導入バイブからのアルゴンを、ガラス融
液表面に吹き付けながら、カーボンtj/レツボ内にて
、950℃で2凸間溶融処理した。そして、溶融したフ
ッ化物融液を350℃まで急冷し、そのまま徐冷を行い
、50mφX厚さ13#の無色透明ガラスを得た。
と同一の割合で秤が混合して(qられた原料バッチ10
0gを、カーボン製ルツボに入れ実施例1と同様に、グ
ローブボックス内に配置された溶融炉内にて950℃ま
で加熱し、ガス導入バイブからのアルゴンを、ガラス融
液表面に吹き付けながら、カーボンtj/レツボ内にて
、950℃で2凸間溶融処理した。そして、溶融したフ
ッ化物融液を350℃まで急冷し、そのまま徐冷を行い
、50mφX厚さ13#の無色透明ガラスを得た。
得られたガラス中の酸素濃度は1oooppmであった
。また、赤外域の透過率曲線を第3図に示すが、340
0cm+−’(2,94,czm >付近に明らかに水
酸基による吸収が認められた。
。また、赤外域の透過率曲線を第3図に示すが、340
0cm+−’(2,94,czm >付近に明らかに水
酸基による吸収が認められた。
(比較例−2)
実施例1で用いたものと同一のフッ化物@斜を実施例1
と同一の割合で秤量混合して得られた原料バッチ100
gを、カーボン製ルツボに入れ、実施例1と同様に、グ
ローブボックス内に配置された溶融炉内で700℃まで
加熱し、NF3ガスを10体積%含むアルゴンをガス導
入バイブから溶融炉中に導入してガラス融液表面に吹き
付けながら、カーボン製ルツボ内にて、700℃で1時
間溶融処理した。その後、ガラスを均質化するために、
アルゴンのみを吹き付けながら950℃まで胃温し、そ
の温度で1時間溶融処理した。そして、溶融したフッ化
物融液を350℃まで急冷し、そのまま徐冷を行い、5
0wnφ×厚さ13閾の無色透明ガラスを得た。得られ
たガラス中のa素澹度は801)11mであった。また
、赤外域の透過率曲線を第3図に示すが、3400Ca
+−’(2,94μm)付近に水酸基による吸収が認め
られた。
と同一の割合で秤量混合して得られた原料バッチ100
gを、カーボン製ルツボに入れ、実施例1と同様に、グ
ローブボックス内に配置された溶融炉内で700℃まで
加熱し、NF3ガスを10体積%含むアルゴンをガス導
入バイブから溶融炉中に導入してガラス融液表面に吹き
付けながら、カーボン製ルツボ内にて、700℃で1時
間溶融処理した。その後、ガラスを均質化するために、
アルゴンのみを吹き付けながら950℃まで胃温し、そ
の温度で1時間溶融処理した。そして、溶融したフッ化
物融液を350℃まで急冷し、そのまま徐冷を行い、5
0wnφ×厚さ13閾の無色透明ガラスを得た。得られ
たガラス中のa素澹度は801)11mであった。また
、赤外域の透過率曲線を第3図に示すが、3400Ca
+−’(2,94μm)付近に水酸基による吸収が認め
られた。
[発明の効果]
以上説明したように、本発明の方法によれば、2ツ化物
ガラスを三フッ化塩素で処理することにより、フッ化物
ガラス中に不純物として混入している酸化物および水酸
基をハロゲン化して除去できるので、酸化物および水酸
基が少ないフッ化物ガラスが得られるという利点を有す
る。また本発明の方法は、従来のフロン系ガス、BFa
。
ガラスを三フッ化塩素で処理することにより、フッ化物
ガラス中に不純物として混入している酸化物および水酸
基をハロゲン化して除去できるので、酸化物および水酸
基が少ないフッ化物ガラスが得られるという利点を有す
る。また本発明の方法は、従来のフロン系ガス、BFa
。
SF6等を用いる方法と異なり、分解により発生した炭
素、ホウ素、イオウ等の元素が不純物としてフッ化物ガ
ラス中に混入することもなく、またフッ化物ガラスを収
容するルツボ等の容器や該容器を収納する耐火物製溶解
炉等を腐食することがないという利点を有する。
素、ホウ素、イオウ等の元素が不純物としてフッ化物ガ
ラス中に混入することもなく、またフッ化物ガラスを収
容するルツボ等の容器や該容器を収納する耐火物製溶解
炉等を腐食することがないという利点を有する。
第1図は本発明の方法を実施するに好適な装置を示す概
略図、第2図は実施例1で得られたフッ化物ガラスの赤
外域の透過率曲線を示すグラフ、第3図は、比較例1.
2で得られたフッ化物ガラスの赤外域の透過率曲線を示
すグラフである。
略図、第2図は実施例1で得られたフッ化物ガラスの赤
外域の透過率曲線を示すグラフ、第3図は、比較例1.
2で得られたフッ化物ガラスの赤外域の透過率曲線を示
すグラフである。
Claims (1)
- 1、フッ化物ガラスを三フッ化塩素で処理し、フッ化物
ガラス中の酸化物および水酸基をハロゲン化することを
特徴とするフッ化物ガラス中の酸化物および水酸基の除
去方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63131051A JPH01301534A (ja) | 1988-05-28 | 1988-05-28 | フッ化物ガラス中の酸化物および水酸基の除去方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63131051A JPH01301534A (ja) | 1988-05-28 | 1988-05-28 | フッ化物ガラス中の酸化物および水酸基の除去方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01301534A true JPH01301534A (ja) | 1989-12-05 |
Family
ID=15048864
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63131051A Pending JPH01301534A (ja) | 1988-05-28 | 1988-05-28 | フッ化物ガラス中の酸化物および水酸基の除去方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01301534A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5094825A (en) * | 1990-02-05 | 1992-03-10 | Ebara Corporation | Process for treating waste gases containing clf3 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS48101745U (ja) * | 1972-03-01 | 1973-11-29 | ||
JPS59157879U (ja) * | 1983-04-07 | 1984-10-23 | 八甲鉛筆株式会社 | 筆記具 |
JPS61109786U (ja) * | 1984-12-24 | 1986-07-11 |
-
1988
- 1988-05-28 JP JP63131051A patent/JPH01301534A/ja active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS48101745U (ja) * | 1972-03-01 | 1973-11-29 | ||
JPS59157879U (ja) * | 1983-04-07 | 1984-10-23 | 八甲鉛筆株式会社 | 筆記具 |
JPS61109786U (ja) * | 1984-12-24 | 1986-07-11 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5094825A (en) * | 1990-02-05 | 1992-03-10 | Ebara Corporation | Process for treating waste gases containing clf3 |
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