JPH01290191A - Sense amplifier circuit device - Google Patents

Sense amplifier circuit device

Info

Publication number
JPH01290191A
JPH01290191A JP88120062A JP12006288A JPH01290191A JP H01290191 A JPH01290191 A JP H01290191A JP 88120062 A JP88120062 A JP 88120062A JP 12006288 A JP12006288 A JP 12006288A JP H01290191 A JPH01290191 A JP H01290191A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
output
signal
amplifying means
sense amplifier
amplifier circuit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP88120062A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Kazuhiro Watanabe
一裕 渡辺
Hide Okubo
大久保 秀
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ricoh Co Ltd
Original Assignee
Ricoh Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ricoh Co Ltd filed Critical Ricoh Co Ltd
Priority to JP88120062A priority Critical patent/JPH01290191A/en
Publication of JPH01290191A publication Critical patent/JPH01290191A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Static Random-Access Memory (AREA)
  • Dram (AREA)

Abstract

PURPOSE:To exactly read data by using the data of an arithmetic result for the exclusive OR of the respective outputs of first and second amplifying means as the determining signal of the data for the output of a third amplifying means. CONSTITUTION:A first amplifying means A1 subtracts and amplifies a second input signal IN2 from a first input signal IN1 and amplifies the signal IN2. Then, a second amplifying means A2 subtracts the first input signal IN1 from the second input signal IN2 and amplifies the signal IN1. Next, a third amplifying means A3 amplifies the level of difference between the output of the first amplifying means A1 and the output of the second amplifying means A2 and after that, the operation of the exclusive OR is executed for the respective outputs of the first and second amplifying means A1 and A2. Then, the determining signal is outputted to show the determination of the data for an output OUT of the third amplifying means A3. Thus, the data can be exactly read in the output voltage of a sense amplifier circuit device to be the output of the third amplifying means A3.

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は記憶装置に格納されたデータを読み出すための
センスアンプ回路装置に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a sense amplifier circuit device for reading data stored in a memory device.

[従来の技術] 第2図は従来例のセンスアンプ回路の回路図である。[Conventional technology] FIG. 2 is a circuit diagram of a conventional sense amplifier circuit.

第2図において、記憶装置から出力される第1の入力信
号INIが、差動増幅器A1の反転入力端子たび差動増
幅器A2の非反転入力端子に入力されるとともに、トラ
ンスミッションゲートTGを介してノードN3に入力さ
れる。また、上記記憶装置から出力される第2の入力信
号IN2が差動増幅器Atの非反転入力端子に入力され
るとともに、差動増幅器A2の反転入力端子に入力され
る。
In FIG. 2, a first input signal INI output from a storage device is input to an inverting input terminal of a differential amplifier A1 and a non-inverting input terminal of a differential amplifier A2, and is also input to a node via a transmission gate TG. It is input to N3. Further, the second input signal IN2 output from the storage device is input to the non-inverting input terminal of the differential amplifier At, and is also input to the inverting input terminal of the differential amplifier A2.

ここで、上記トランスミッションゲートTGは例えば、
並列接続されるPチャンネルMO3電界効果トランジス
タ(以下゛、PMOSFETという。
Here, the transmission gate TG is, for example,
P-channel MO3 field effect transistors (hereinafter referred to as PMOSFETs) are connected in parallel.

)とNチャンネルMOS電界効果トランジスタ(以下、
NMOSFETという。)から構成される。
) and N-channel MOS field effect transistor (hereinafter referred to as
It is called NMOSFET. ).

さらに、このセンスアンプ回路のイネーブル信号SEは
、トランスミッションゲートTGのPMOSFETのゲ
ートに入力されるとともに、インバークINVを介して
NMOSFETのゲートに入力される。またさらに、上
記イネーブル信号SEは、所定の遅延時間Δtを有する
遅延回路DLを介して出力電圧確定信号OCとして出力
される。
Furthermore, the enable signal SE of this sense amplifier circuit is input to the gate of the PMOSFET of the transmission gate TG, and is also input to the gate of the NMOSFET via the invert INV. Furthermore, the enable signal SE is outputted as an output voltage confirmation signal OC via a delay circuit DL having a predetermined delay time Δt.

差動増幅器Atの出力端子から出力される信号は差動増
幅器A3の非反転入力端子に入力され、一方、差動増幅
器A2の出力端子から出力される信号は差動増幅器A3
の反転入力端子に人力される。さらに、この差動増幅器
A3の出力端子から出力される信号はこのセンスアンプ
回路の出力電圧OUTとして出力される。
The signal output from the output terminal of the differential amplifier At is input to the non-inverting input terminal of the differential amplifier A3, while the signal output from the output terminal of the differential amplifier A2 is input to the non-inverting input terminal of the differential amplifier A3.
Human power is input to the inverting input terminal of. Furthermore, the signal output from the output terminal of this differential amplifier A3 is output as the output voltage OUT of this sense amplifier circuit.

以上のように構成された従来例のセンスアンプ回路にお
いて、上記出力電圧確定信号OCを上述のように、ただ
単に人力されるイネーブル信号SEを上記遅延時間Δt
だけ遅延させて得ている。
In the conventional sense amplifier circuit configured as described above, the output voltage determination signal OC is changed to the enable signal SE which is simply manually inputted by the delay time Δt.
You're only getting delayed.

第3図は第2図のセンスアンプ回路の動作を示すタイミ
ングチャートであり、第3図において、記憶装置から入
力されるイネーブル信号SEが上記遅延回路DLの遅延
時間Δtたけ遅延されて出力電圧確定信号OCとして出
力される。
FIG. 3 is a timing chart showing the operation of the sense amplifier circuit of FIG. 2. In FIG. 3, the enable signal SE input from the storage device is delayed by the delay time Δt of the delay circuit DL to determine the output voltage. It is output as signal OC.

このセンスアンプ回路の出力電圧OUTは時刻t1及び
t3で確定しており、上記確定信号OCが上記時刻t+
、tsからそれぞれ若干の時間の後の時刻t2、t4に
おいて、Hレベルとされるように、上記遅延回路DLの
遅延時間Δtが設定される。
The output voltage OUT of this sense amplifier circuit is determined at times t1 and t3, and the determination signal OC is at the time t+.
, ts, respectively, the delay time Δt of the delay circuit DL is set so that the signal goes to H level at times t2 and t4, which are some time after ts, respectively.

[発明が解決しようとする課題] 上記遅延回路DLの遅延時間は上述のように一定に設定
されている。一方、例えば電源電圧Vcc、周囲温度、
及びプロセスのパラメータなどが変動した場合、第3図
の時刻1..1.で示されるセンスアンプ回路の出力電
圧のデータの確定のタイミングが変動し、第3図の時刻
り、t3で示される上記遅延回路DLによって設定され
たデータ確定のタイミングがずれ、正確に、上記センス
アンプ回路の出力電圧におけるデータを読み出すことが
できなくなるという問題点があった。
[Problems to be Solved by the Invention] The delay time of the delay circuit DL is set constant as described above. On the other hand, for example, power supply voltage Vcc, ambient temperature,
If process parameters, etc. change, time 1 in FIG. .. 1. The timing of determining the data of the output voltage of the sense amplifier circuit indicated by fluctuates, and the timing of determining the data set by the delay circuit DL, indicated by time t3 in FIG. There was a problem in that it became impossible to read data at the output voltage of the amplifier circuit.

本発明の目的は以上の問題点を解決し、センスアンプ回
路装置の出力電圧におけるデータを正確に読み出すこと
ができるセンスアンプ回路装置を提供することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to solve the above problems and provide a sense amplifier circuit device that can accurately read data at the output voltage of the sense amplifier circuit device.

[課題を解決するための手段] 本発明は、第1の入力信号から第2の入力信号を減算し
て増幅する第1の増幅手段と、第2の入力信号から第1
の入力信号を減算して増幅する第2の増幅手段と、上記
第1の増幅手段の出力と上記第2の増幅手段の出力の差
のレベルを増幅する第3の増幅手段と、上記第1と第2
の増幅手段の各出力の排他的論理和の演算を行い、上記
第3の増幅手段の出力のデータの確定を示す確定信号を
出力する演算手段とを備えたことを特徴とする。
[Means for Solving the Problems] The present invention provides a first amplification means that subtracts and amplifies a second input signal from a first input signal, and a first amplification means that subtracts and amplifies a second input signal from a first input signal.
a second amplifying means for subtracting and amplifying the input signal; a third amplifying means for amplifying the difference level between the output of the first amplifying means and the output of the second amplifying means; and second
It is characterized by comprising a calculation means for calculating an exclusive OR of each output of the third amplification means and outputting a determination signal indicating determination of the data of the output of the third amplification means.

[作用] 以上のように構成することにより、上記第1の増幅手段
が第1の入力信号から第2の入力信号を減算して増幅し
、上記第2の増幅手段が第2の入力信号から第1の入力
信号を減算して増幅する。
[Operation] With the above configuration, the first amplifying means subtracts and amplifies the second input signal from the first input signal, and the second amplifying means subtracts and amplifies the second input signal from the second input signal. The first input signal is subtracted and amplified.

次いで、上記第3の増幅手段か上記第1の増幅手段の出
力と上記第2の増幅手段の出力の差のレベルを増幅した
後、上記演算手段が上記第1と第2の増幅手段の各出力
の排他的論理和の演算を行い、上記第3の増幅手段の出
力のデータの確定を示す確定信号を出力する。
Next, after amplifying the level of the difference between the output of the third amplifying means or the first amplifying means and the output of the second amplifying means, the calculating means An exclusive OR operation is performed on the outputs, and a confirmation signal indicating confirmation of the data output from the third amplification means is output.

従って、上記第1と第2の増幅手段の各出力の排他的論
理和の演算結果のデータを、上記第3の増幅手段の出力
のデータの確定を示す確定信号として用いることにより
、従来例のように電源電圧V cc、周囲温度又はプロ
セスのパラメータなどが変動した場合であっても上記確
定信号のレベルが変動しない。これにより、上記第3の
増幅手段の出力であるセンスアンプ回路装置の出力電圧
におけるデータを正確に読み出すことができる。
Therefore, by using the data of the exclusive OR operation result of each output of the first and second amplification means as a confirmation signal indicating the confirmation of the data of the output of the third amplification means, the conventional example can be improved. Even if the power supply voltage Vcc, ambient temperature, process parameters, etc. change, the level of the confirmation signal does not change. This makes it possible to accurately read data at the output voltage of the sense amplifier circuit device, which is the output of the third amplification means.

[実施例] 第1図は本発明の一実施例であるセンスアンプ回路のブ
ロック図であり、この実施例のセンスアンプ回路は、第
2図の従来例のセンスアンプ回路に比べて、遅延回路D
Lを備えず、差動増幅器A1の出力と差動増幅器A2の
出力を2人力とする排他的オアゲートXORを備えたこ
とを特徴としている。以下、上記相違点について詳細に
説明する。
[Embodiment] FIG. 1 is a block diagram of a sense amplifier circuit that is an embodiment of the present invention.The sense amplifier circuit of this embodiment has a delay circuit that is different from the conventional sense amplifier circuit of FIG. D
It is characterized in that it does not include an exclusive OR gate XOR that uses two inputs, the output of the differential amplifier A1 and the output of the differential amplifier A2. The above differences will be explained in detail below.

第1図において、差動増幅器A1の出力端子が排他的オ
アゲートxORの第1の入力端子に接続され、差動増幅
器A2の出力端子が上記排他的オアゲー)XOHの第2
の入力端子に接続される。
In FIG. 1, the output terminal of the differential amplifier A1 is connected to the first input terminal of the exclusive OR gate xOR, and the output terminal of the differential amplifier A2 is connected to the second input terminal of the exclusive OR gate
connected to the input terminal of

この排他的オアゲートXOHの出力端子から、センスア
ンプ回路の出力電圧のデータ確定時を示す出力電圧確定
信号OCが出力される。
An output voltage confirmation signal OC indicating when data of the output voltage of the sense amplifier circuit is confirmed is output from the output terminal of the exclusive OR gate XOH.

以上のように構成されたセンスアンプ回路の動作を第1
表を参照して説明する。
The operation of the sense amplifier circuit configured as above is explained in the first section.
Explain with reference to the table.

まず、イネーブル信号SEがLレベルであり、入力信号
lN14N2の各レベルが等しいとき、ノードNlとノ
ードN2の各レベルがそれぞれHレベルとなり、この結
果、出力電圧確定信号OCがLレベルとなる。
First, when the enable signal SE is at the L level and the levels of the input signals lN14N2 are equal, the levels at the nodes Nl and N2 are at the H level, and as a result, the output voltage confirmation signal OC is at the L level.

次に、イネーブル信号SEがHレベルであり入力信号I
N1.IN2の各レベルが等しいとき、ノードNlとノ
ードN2の各レベルはそれぞれHレベルとなり、その結
果、出力電圧確定信号OCがLレベルとなる。
Next, the enable signal SE is at H level and the input signal I
N1. When the levels of IN2 are equal, the levels of node Nl and node N2 become H level, and as a result, output voltage determination signal OC becomes L level.

さらに、イネーブル信号SEがHレベルであり、入力信
号INIのレベルが入力信号IN2のレベルよりも高い
とき、ノードN1とノードN2の各レベルがそれぞれL
レベル、Hレベルとなり、その結果、出力電圧確定信号
OCがI(レベルとなる。
Further, when the enable signal SE is at the H level and the level of the input signal INI is higher than the level of the input signal IN2, the respective levels of the nodes N1 and N2 are set to the L level.
As a result, the output voltage confirmation signal OC becomes I (level).

またさらに、イネーブル信号SEがHレベルであり、入
力信号INlのレベルが入力信号IN2のレベルよりも
低いとき、ノードNlとノードN2の各レベルがそれぞ
れHレベル、Lレベルとなり、その結果、出力電圧確定
信号OCh< Hレベルとなる。
Furthermore, when the enable signal SE is at H level and the level of input signal INl is lower than the level of input signal IN2, the levels of node Nl and node N2 become H level and L level, respectively, and as a result, the output voltage The confirmation signal OCh becomes less than H level.

従って、イネーブル信号SEがHレベルであり、入力信
号INIのレベルと入力信号IN2のレベルが異なると
き、出力電圧確定信号OCがHレベルとなる。すなわち
、出力電圧確定信号OCがLレベルからHレベルになる
とき、センスアンプ回路の出力電圧OUTが確定したこ
とを検出できる。
Therefore, when enable signal SE is at H level and the level of input signal INI and input signal IN2 are different, output voltage confirmation signal OC becomes H level. That is, when the output voltage confirmation signal OC changes from L level to H level, it can be detected that the output voltage OUT of the sense amplifier circuit has been determined.

第4図は第1図のセンスアンプ回路の回路図である。FIG. 4 is a circuit diagram of the sense amplifier circuit of FIG. 1.

第4図において、入力信号INIがトランスミッション
ゲートTGを介して、ノードND4に入力されるととも
に、ノードND3を介してNMO5FET  Nlのゲ
ート及びNMOSFET  N4のゲートに入力される
。一方、入力信号IN2がノードND4を介してNMO
SFET  N2のゲート及びNMOSFET  N5
のゲートに入力される。
In FIG. 4, the input signal INI is input to the node ND4 via the transmission gate TG, and is also input to the gate of the NMO5FET Nl and the gate of the NMOSFET N4 via the node ND3. On the other hand, input signal IN2 passes through node ND4 to NMO
Gate of SFET N2 and NMOSFET N5
input into the gate.

また、イネーブル信号SEが、トランスミッションゲー
トTGのPMOSFETのゲートに入力されるとともに
、インバータINVを介してNMOSFETのゲートに
入力される。さらに、イネーブル信号SEが、プルアッ
プ用PMO8FETptのゲート、プルアップ用PMO
8’FET  P2のゲート、NMOSFET  N3
のゲート、及びNMOSFET  N6のゲートに入力
される。
Furthermore, the enable signal SE is input to the gate of the PMOSFET of the transmission gate TG, and is also input to the gate of the NMOSFET via the inverter INV. Furthermore, the enable signal SE is applied to the gate of the pull-up PMO8FETpt, the pull-up PMO
8'FET P2 gate, NMOSFET N3
and the gate of NMOSFET N6.

ここで、PMOSFET  PIのソースが例えば+5
Vの直流電圧を出力する直流電源Vccに接続され、P
MOSFET  PIのドレインがノードNDIに接続
される。また、PMOSFETP2のソースが上記直流
電源Vccに接続され、PMOSPET  P2のドレ
インがノードND2に接続される。
Here, the source of PMOSFET PI is +5
It is connected to a DC power supply Vcc that outputs a DC voltage of V, and P
The drain of MOSFET PI is connected to node NDI. Further, the source of PMOSPET P2 is connected to the DC power supply Vcc, and the drain of PMOSPET P2 is connected to node ND2.

差動増幅器AIは2個のPMOSFET  P3゜P4
と3個のNMOSFET  Nl、N2.N3を備える
。この差動増幅器AIにおいて、PMOSPET  P
3のソース及びPMOSFETのソースはともに直流電
源Vccに接続され、該PMOSF’ET  P3のゲ
ートとPMOSFET  P4のゲートがともに接続さ
れてNMOSFET  N2のドレインに接続される。
Differential amplifier AI consists of two PMOSFETs P3゜P4
and three NMOSFETs Nl, N2. Equipped with N3. In this differential amplifier AI, PMOSPET P
The source of the PMOSFET P3 and the source of the PMOSFET are both connected to the DC power supply Vcc, and the gate of the PMOSF'ET P3 and the gate of the PMOSFET P4 are connected together and connected to the drain of the NMOSFET N2.

PMOSFET  P3のドレインとNMOSFET 
 Nlのドレインはともに接続されて、PMOSFET
  PIのドレインとノードNDIに接続される。PM
OSFET  P3のゲートがPMOSF’ET  P
4のゲートとドレインに接続されるとともに、NMOS
 FET  N2のドレインに接続される。NMOSF
ET  NlのソースはNMOSFET  N2のソー
スに接続されるとともに、NMOSFET  N3のド
レインに接続される。さらに、NMOS FET  N
3のソースはアースに接続される。この差動増幅器AI
の出力端子はノードNDIであり、排他的オアゲートX
OHの第1の入力端子に接続されるとともに、NMOS
FET  N7のゲートに接続される。
Drain of PMOSFET P3 and NMOSFET
The drains of Nl are connected together and the PMOSFET
Connected to the drain of PI and node NDI. PM
The gate of OSFET P3 is PMOSF'ET P
4, and is connected to the gate and drain of NMOS
Connected to the drain of FET N2. NMOSF
The source of ET Nl is connected to the source of NMOSFET N2 and to the drain of NMOSFET N3. Furthermore, NMOS FET N
The source of 3 is connected to ground. This differential amplifier AI
The output terminal of is the node NDI, and the exclusive OR gate X
is connected to the first input terminal of OH, and is connected to the first input terminal of NMOS
Connected to the gate of FET N7.

差動増幅器A2は2個の8MO3FET  P5゜P6
と3個のNMOSFET  N4.N5及びN6を備え
る。この差動増幅器A2において、2MO8FET  
P5のソースと2MO8FET P6のソースはともに
直流電源Vccに接続され、8MO3FET  P5の
ゲートとPMO8FETP6のゲートがともに接続され
て、PMOSFET  P5のドレインとNMOSFE
T  N4のドレインに接続される。PMOSFET 
 P6のドレインとNMOSFET  N5のドレイン
はともに接続されて、PMOSPET  P2のドレイ
ンとノードND2に接続される。
Differential amplifier A2 consists of two 8MO3FETs P5゜P6
and three NMOSFETs N4. It includes N5 and N6. In this differential amplifier A2, 2MO8FET
The source of P5 and the source of 2MO8FET P6 are both connected to the DC power supply Vcc, and the gate of 8MO3FET P5 and the gate of PMO8FET P6 are connected together, and the drain of PMOSFET P5 and the NMOSFE are connected together.
Connected to the drain of T N4. PMOSFET
The drain of P6 and the drain of NMOSFET N5 are connected together and connected to the drain of PMOSPET P2 and node ND2.

NMOSFET  N4のソースとNMOS F ET
  N5のソースはともに接続されてNMO9F’ET
  N6のドレインに接続される。さらに、NMOSF
ET  N6のソースはアースに接続される。この差動
増幅器A2の出力端子はノードND2に接続されるとと
もに、排他的オアゲートX0Rの第2゛の入力端子及び
NMO9F’ET  N8のゲートに接続される。
Source of NMOSFET N4 and NMOSFET
The sources of N5 are connected together and NMO9F'ET
Connected to the drain of N6. Furthermore, NMOSF
The source of ET N6 is connected to ground. The output terminal of the differential amplifier A2 is connected to the node ND2, as well as to the second input terminal of the exclusive OR gate X0R and the gate of the NMO9F'ET N8.

差動増幅器A3は2個のPMOSFET  P7゜P8
と3個のNMOSFET  N7.N8.N9を備える
。この差動増幅器A3において、PMOSFET  P
7のソースとPMOSFET  P8のソースはともに
直流電源Vccに接続され、2MO8FET  P7の
ゲートと2MO8FET  P8のゲートがともに接続
されて、PMOSFETP7のドレイン及びNMOSF
ET  N7のドレインに接続される。また、2MO8
FET  P8のドレインとNMOSFET  N8の
ドレインはともに接続されて、このセンスアンプ回路の
出力信号OUTの端子に接続される。
Differential amplifier A3 consists of two PMOSFETs P7゜P8
and three NMOSFETs N7. N8. Equipped with N9. In this differential amplifier A3, PMOSFET P
The source of PMOSFET P7 and the source of PMOSFET P8 are both connected to the DC power supply Vcc, and the gate of 2MO8FET P7 and the gate of 2MO8FET P8 are connected together, and the drain of PMOSFET P7 and the source of NMOSFET P8 are connected together.
Connected to the drain of ET N7. Also, 2MO8
The drain of FET P8 and the drain of NMOSFET N8 are connected together and connected to the output signal OUT terminal of this sense amplifier circuit.

NMOSFET  N7のソースとNMOS F ET
  N8のソースはともに接続され、NMOS FET
  N9のドレインに接続される。さらに、NMO9F
’ET  N9のゲートは直流電源Vccに接続され、
NMOSFET  N9のソースはアースに接続される
NMOSFET N7 source and NMOSFET
The sources of N8 are connected together and the NMOS FET
Connected to the drain of N9. Furthermore, NMO9F
'ET N9 gate is connected to DC power supply Vcc,
The source of NMOSFET N9 is connected to ground.

さらに、排他的オアゲー)XOHの出力端子は出力電圧
確定信号OCの出力端子となる。
Furthermore, the output terminal of the exclusive OR game) XOH becomes the output terminal of the output voltage confirmation signal OC.

以上のように構成された第4図のセンスアンプ回路は、
第1表に示すように、第1図のセンスアンプ回路と同様
に動作する。
The sense amplifier circuit of FIG. 4 configured as above is as follows.
As shown in Table 1, the sense amplifier circuit operates in the same way as the sense amplifier circuit shown in FIG.

以上説明したように、入力信号INI、IN2をそれぞ
れ入力とする差動増幅器A1.A2の各出力端子を入力
とする排他的オアゲートXORを設けたので、イネーブ
ル信号SEがHレベルであり、入力信号INIのレベル
と入力信号IN2のレベルが異なるとき、上記排他的オ
アゲートxORからHレベルの出ツノ電圧確定信号OC
が出力され、この信号OCがLレベルからHレベルにな
るとき、センスアンプ回路の出力電圧OUTのデータが
確定したことを検出することができる。
As explained above, the differential amplifiers A1 . Since the exclusive OR gate XOR which inputs each output terminal of A2 is provided, when the enable signal SE is at H level and the level of the input signal INI is different from the level of the input signal IN2, the exclusive OR gate XOR inputs the H level. Output voltage confirmation signal OC
is output, and when this signal OC changes from L level to H level, it can be detected that the data of the output voltage OUT of the sense amplifier circuit has been determined.

第  1  表 [発明の効果] 以上詳述したように本発明によれば、2gの入力信号を
減算して増幅する第1と第2の増幅手段の各出力の排他
的論理和の演算結果のデータを、センスアンプ回路装置
の出力のデータの確定を示す確定信号として用いたので
、従来例のように電源電圧V cc、周囲温度又はプロ
セスのパラメータなどが変動した場合であっても、上記
確定信号のレベルか変動しない。従って、センスアンプ
回路装置の出力におけるデータを正確に読み出すことが
できるという利点がある。
Table 1 [Effects of the Invention] As detailed above, according to the present invention, the exclusive OR operation result of each output of the first and second amplification means that subtracts and amplifies a 2g input signal is Since the data is used as a confirmation signal indicating the confirmation of the output data of the sense amplifier circuit device, even if the power supply voltage Vcc, ambient temperature, process parameters, etc. fluctuate as in the conventional example, the The signal level does not change. Therefore, there is an advantage that data at the output of the sense amplifier circuit device can be read out accurately.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明の一実施例であるセンスアンプ回路のブ
ロック図、 第2図は従来例のセンスアンプ回路のブロック図、 第3図は第2図のセンスアンプ回路の動作を示すタイミ
ングチャート、 第4図は第1図のセンスアンプ回路の回路図である。 At、A2.A3・・・差動増幅器、 TG・・・トランスミッションゲート、INV・・・イ
ンバータ、 XOR・・・排他的オアゲート。 特許出願人 株式会社 リ コ 一 代 理 人 弁理士 青白 葆 ほか1名;1「 丁 
CgT 第2図 A1 第3図 一一一一一−t @4面
FIG. 1 is a block diagram of a sense amplifier circuit according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a block diagram of a conventional sense amplifier circuit, and FIG. 3 is a timing chart showing the operation of the sense amplifier circuit of FIG. 2. , FIG. 4 is a circuit diagram of the sense amplifier circuit of FIG. 1. At, A2. A3...Differential amplifier, TG...Transmission gate, INV...Inverter, XOR...Exclusive OR gate. Patent Applicant Rico Co., Ltd., Attorney-at-Law Patent Attorney Seihaku Ho and 1 other person;
CgT Figure 2 A1 Figure 3 1111-t @4th page

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)第1の入力信号から第2の入力信号を減算して増
幅する第1の増幅手段と、 第2の入力信号から第1の入力信号を減算して増幅する
第2の増幅手段と、 上記第1の増幅手段の出力と上記第2の増幅手段の出力
の差のレベルを増幅する第3の増幅手段と、 上記第1と第2の増幅手段の各出力の排他的論理和の演
算を行い、上記第3の増幅手段の出力のデータの確定を
示す確定信号を出力する演算手段とを備えたことを特徴
とするセンスアンプ回路装置。
(1) A first amplification means that subtracts and amplifies a second input signal from a first input signal, and a second amplification means that subtracts and amplifies a first input signal from a second input signal. , third amplifying means for amplifying the difference level between the output of the first amplifying means and the output of the second amplifying means, and an exclusive OR of each output of the first and second amplifying means. A sense amplifier circuit device comprising: arithmetic means for performing an arithmetic operation and outputting a confirmation signal indicating confirmation of data output from the third amplification means.
JP88120062A 1988-05-17 1988-05-17 Sense amplifier circuit device Pending JPH01290191A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP88120062A JPH01290191A (en) 1988-05-17 1988-05-17 Sense amplifier circuit device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP88120062A JPH01290191A (en) 1988-05-17 1988-05-17 Sense amplifier circuit device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH01290191A true JPH01290191A (en) 1989-11-22

Family

ID=14776943

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP88120062A Pending JPH01290191A (en) 1988-05-17 1988-05-17 Sense amplifier circuit device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH01290191A (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1991015856A1 (en) * 1990-03-30 1991-10-17 Kabushiki Kaisha Toshiba Output circuit of sense amplifier used in semiconductor memory
JP2001332094A (en) * 2000-05-22 2001-11-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd Semiconductor integrated circuit, its test method, and recording device and communication equipment having it

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1991015856A1 (en) * 1990-03-30 1991-10-17 Kabushiki Kaisha Toshiba Output circuit of sense amplifier used in semiconductor memory
JP2001332094A (en) * 2000-05-22 2001-11-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd Semiconductor integrated circuit, its test method, and recording device and communication equipment having it
US6864693B2 (en) 2000-05-22 2005-03-08 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor integrated circuit with negative voltage generation circuit, test method for the same, and recording device and communication equipment having the same

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100747328B1 (en) Differential amplifier 0perable in wide range
KR910014947A (en) Memory device
KR970071829A (en) Semiconductor integrated circuit
JP2573392B2 (en) Semiconductor storage device
US5337008A (en) High gain rail-to-rail CMOS amplifier
US7477560B2 (en) Semiconductor integrated circuit device and trimming method of semiconductor integrated circuit device
KR20120020665A (en) Operational amplifier comprising overdriving circuit
JPH052037A (en) Zero cross detecting circuit
JP4167098B2 (en) Current sense amplifier
US4658160A (en) Common gate MOS differential sense amplifier
US6278323B1 (en) High gain, very wide common mode range, self-biased operational amplifier
KR100299522B1 (en) High-Speed sense amplifier
JPH01290191A (en) Sense amplifier circuit device
JP2004241011A (en) Sense amplifier
JPH0531238B2 (en)
TW591901B (en) Data receiver and data receiving method using signal integration
JP2008141452A (en) Mixer circuit
JP3341945B2 (en) Operational amplifier
JP2809932B2 (en) Input buffer circuit
JPH06268456A (en) Differential amplifier
US6603354B1 (en) Method and apparatus to generate an optimum common-mode voltage in analog differential circuits
KR20030058254A (en) Semiconductor device having clocked sense amplifier and latch
JPH0632220B2 (en) Sense amplifier for semiconductor memory device
KR940005687B1 (en) Sense amplifier of the memory cell
JPH03100996A (en) Amplifier circuit