JPH01289284A - Laser diode drive circuit - Google Patents
Laser diode drive circuitInfo
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
［概 要］
光通信システムの電気／光変換部に使用される電界効果
トランジスタ（以下、ＦＥＴという）を用いたレーザダ
イオード駆動回路に関し、使用するＦＥＴによってその
相互コンダクタンスが異なっていても、出力パルス幅を
変化させることなくレーザダイオードを駆動できるよう
にすることを目的とし、
ゲートから入力信号を受けドレインにレーザダイオード
を接続されたＦＥＴを有するレーザダイオード駆動回路
において、該ＦＥＴのソースに、該ＦＥＴの相互コンダ
クタンスを調整するための帰還抵抗を接続するように構
成する。[Detailed Description of the Invention] [Summary] Regarding a laser diode drive circuit using a field effect transistor (hereinafter referred to as FET) used in an electrical/optical conversion section of an optical communication system, the mutual conductance of the laser diode drive circuit is determined depending on the FET used. The purpose of this is to drive a laser diode without changing the output pulse width, even if the output pulse width is different. A feedback resistor for adjusting mutual conductance of the FET is connected to the source of the FET.
［産業上の利用分野コ
本発明は、光通信システムの電気／光変換部に使用され
るＦＥＴを用いたレーザダイオード駆動回路に関する。[Industrial Field of Application] The present invention relates to a laser diode drive circuit using FETs used in an electrical/optical conversion section of an optical communication system.
近年、高速、超高速の光通信システムが開発されている
が、かかる光通信システムでは、その端局や中継器等に
おける電気／光変換部に、レーザダイオードが使用され
る。そして、このレーザダイオードを駆動するために、
能動回路素子としてＧａＡｓ−Ｆ Ｅ Ｔを有する増幅
回路が多く用いられる。In recent years, high-speed and ultra-high-speed optical communication systems have been developed, and in such optical communication systems, laser diodes are used in electrical/optical converters in terminal stations, repeaters, and the like. And to drive this laser diode,
Amplifying circuits having GaAs-FETs as active circuit elements are often used.
［従来の技術］
第３図は従来のレーザダイオード駆動回路の電気回路図
であるが、この第３図において、１はＧａＡｓ−Ｆ Ｅ
Ｔで、このＦＥＴＩは、そのゲートＧにクランプ回路
２を介してパルス入力信号（電気信号）が入力されるよ
うになっている。また、このＦＥＴＩのドレインＤには
、レーザダイオード３が接続されている。さらに、この
ＦＥＴＩのソースＳには、ソース電圧Ｖｓが印加されて
いる。[Prior Art] FIG. 3 is an electric circuit diagram of a conventional laser diode drive circuit. In this FIG. 3, 1 is a GaAs-FE
T, this FETI is configured such that a pulse input signal (electrical signal) is input to its gate G via a clamp circuit 2. Further, a laser diode 3 is connected to the drain D of this FETI. Furthermore, a source voltage Vs is applied to the source S of this FETI.
また、クランプ回路２のダイオードＤ１には、クランプ
電圧Ｖｃが印加されており、ＦＥＴＩのドレインＤとレ
ーザダイオード３との間には、コイルＬ１を介して直流
バイアスＩＢが供給されている。Further, a clamp voltage Vc is applied to the diode D1 of the clamp circuit 2, and a DC bias IB is supplied between the drain D of the FETI and the laser diode 3 via the coil L1.
なお、第３図中のＲ１はプルアップ抵抗、Ｃ１はカップ
リングコンデンサである。Note that R1 in FIG. 3 is a pull-up resistor, and C1 is a coupling capacitor.
このような構成により、電気信号としての入力信号はＦ
ＥＴＩで増幅されてレーザダイオード３から光出力とし
て光ファイバへ入力される。With this configuration, the input signal as an electrical signal is F
The light is amplified by the ETI and input from the laser diode 3 to the optical fiber as a light output.
［発明が解決しようとする課題］
しかしながら、このような従来のレーザダイオード駆動
回路では、そのＧａＡｓ−Ｆ Ｅ Ｔ １の相互コンダ
クタンスｇｍ（そ−）のバラツキが大きいため、このＦ
ＥＴＩをレーザダイオード駆動回路に使用するに当って
は、特別の注意が必要である。すなわち、パルス電流振
幅Ｉｐとピンチオフ電圧Ｖｐとの関係は、Ｉｐ＝ｇｍＸ
Ｖｐで与えられ、相互フンダクタンスｇｍがそのＦＥＴ
で固定であるため、同−ＦＥＴでパルス電流振幅ＩＰを
変化させるためには、第４図に示すごとく、入力信号振
幅を変化させるしかない、しかし、このように入力信号
振幅を変化させると、高速信号ではパルス波形が鈍って
いることと相まって、同じく第４図に示すように出力パ
ルス幅も変化して、クロスポイントが欠けることにより
、正常なアイパターンが得られなくなるおそれがあるか
ら、このＦＥＴＩをレーザダイオード駆動回路に使用す
るに当っては、特別の注意が必要なのである。[Problems to be Solved by the Invention] However, in such a conventional laser diode drive circuit, since the mutual conductance gm of the GaAs-FET1 has a large variation,
Special care must be taken when using ETI in laser diode drive circuits. That is, the relationship between pulse current amplitude Ip and pinch-off voltage Vp is Ip=gmX
Vp, and the mutual fundance gm is that of the FET.
Therefore, in order to change the pulse current amplitude IP in the FET, the only way to change the pulse current amplitude IP is to change the input signal amplitude, as shown in Figure 4. However, if the input signal amplitude is changed in this way, In high-speed signals, the pulse waveform is blunt, and the output pulse width also changes, as shown in Figure 4, and there is a risk that a normal eye pattern may not be obtained due to missing cross points. Special care must be taken when using FETIs in laser diode drive circuits.
本発明は、このような状況下において創案されたもので
、使用するＦＥＴによってその相互コンダクタンスが異
なっていても、出力パルス幅を変化させることなくレー
ザダイオードを駆動できるようにした。レーザダイオー
ド駆動回路を提供することを目的としている。The present invention was devised under these circumstances, and has made it possible to drive a laser diode without changing the output pulse width even if the mutual conductance differs depending on the FET used. The purpose is to provide a laser diode drive circuit.
〔課題を解決するための手段］
このため１本発明のレーザダイオード駆動回路は、その
ＦＥＴのソースに、該ＦＥＴの相互コンダクタンスを調
整するための帰還抵抗が接続されていることを特徴とし
ている。[Means for Solving the Problems] Therefore, the laser diode drive circuit of the present invention is characterized in that a feedback resistor for adjusting the mutual conductance of the FET is connected to the source of the FET.
［作 用］
上述の本発明のレーザダイオード駆動回路では、帰還抵
抗によってＦＥＴの相互コンダクタンスを変化させて調
整することができるので、入力信号振幅を変化させても
、相互コンダクタンスの値を帰還抵抗によって調整すれ
ば、出力パルス幅を変化させないようにできる。[Function] In the laser diode drive circuit of the present invention described above, the mutual conductance of the FET can be adjusted by changing it using the feedback resistor, so even if the input signal amplitude is changed, the value of the mutual conductance can be adjusted by changing the feedback resistor. By adjusting this, it is possible to prevent the output pulse width from changing.
［実施例］ 以下、図面を参照して本発明の詳細な説明する。[Example] Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
第１図は本発明の一実施例を示す電気回路図で、この第
１図に示す回路おいても、従来の回路と同様にして、Ｇ
ａＡｓ−ＦＥＴＩのゲートＧに、クランプ回路２を介し
、パルス入力信号（電気信号）が入力されるようになっ
ており、また、このＦＥＴ１のドレインＤには、レーザ
ダイオード３が接続されている。FIG. 1 is an electric circuit diagram showing an embodiment of the present invention. In the circuit shown in FIG.
A pulse input signal (electrical signal) is input to the gate G of the aAs-FETI via a clamp circuit 2, and a laser diode 3 is connected to the drain D of this FET1.
ところで、このＦＥＴＩのソースＳには、このＦＥＴＩ
の相互コンダクタンスｇｍを調整するためのソース帰還
抵抗Ｒｓが接続されていて、このソース帰還抵抗Ｒｓを
介してソース電圧Ｖｓが印加されている。ここで、ソー
ス帰還抵抗Ｒｓとしては、高周波用として適したセラミ
ック等からなるチップ抵抗が使用され、ＦＥＴＩの２つ
のソース（ＦＥＴの記号上はソースは１つであるが、実
際の高周波用ＦＥＴでは、他の素子との接続の便宜を考
慮してソースは２つ用意されている）の一方に、このチ
ップ抵抗からなるソース帰還抵抗Ｒｓが接続される。By the way, the source S of this FETI includes this FETI
A source feedback resistor Rs for adjusting the mutual conductance gm of is connected, and a source voltage Vs is applied via this source feedback resistor Rs. Here, as the source feedback resistor Rs, a chip resistor made of ceramic or the like suitable for high frequency is used, and the two sources of FETI (the symbol of FET is one source, but in actual high frequency FET , two sources are prepared in consideration of the convenience of connection with other elements), and a source feedback resistor Rs made of this chip resistor is connected to one of the sources.
なお、第１図中のその他の符号は、従来の回路と同様の
ものを表している。Note that other symbols in FIG. 1 represent the same components as in the conventional circuit.
このような構成により、電気信号としての入力信号はＦ
ＥＴＩで増幅されてレーザダイオード３から光出力とし
て光ファイバへ入力されるが、もしＦＥＴＩの相互コン
ダクタンスｇＩ＋がある程度以上大きければ、ソース帰
還抵抗Ｒｓのみで、等価相互コンダクタンスｇｓｅｑ［
＝ ｇ ｒａ／ （１＋ ｇ ＋ａＲｓ）］を決定でき
る。この状況を第２図に示す。すなわち、この第２図か
ら、ソース帰還抵抗Ｒｓが５オーム以上、且つ、ＦＥＴ
Ｉの相互コンダクタンスｇｍが７０モ一以上であれば、
等価相互コンダクタンスｇ ｍｅｑはソース帰還抵抗Ｒ
ｓのみで決定できることがわかるのである。With this configuration, the input signal as an electrical signal is F
It is amplified by the ETI and input from the laser diode 3 as an optical output to the optical fiber, but if the mutual conductance gI+ of the FETI is larger than a certain level, the equivalent transconductance gseq[
= gra/(1+g+aRs)] can be determined. This situation is shown in Figure 2. That is, from FIG. 2, if the source feedback resistance Rs is 5 ohms or more, and if the FET
If the mutual conductance gm of I is 70 mo or more,
The equivalent transconductance g meq is the source feedback resistance R
It can be seen that it can be determined using only s.
このように、ソース帰還抵抗ＲｓによってＦＥＴ１の相
互コンダクタンスｇｍを変化させて調整することができ
るので、入力信号振幅を変化させても、相互コンダクタ
ンスの値をソース帰還抵抗Ｒｓによって調整すれば、出
力パルス幅を変化させないようにでき、ひいては正常な
アイパターンが得られるのである。In this way, the mutual conductance gm of FET1 can be adjusted by changing it using the source feedback resistor Rs, so even if the input signal amplitude is changed, the output pulse can be adjusted by adjusting the mutual conductance value using the source feedback resistor Rs. This makes it possible to prevent the width from changing, and as a result, a normal eye pattern can be obtained.
［発明の効果］
以上詳述したように１本発明のレーザダイオード駆動回
路によれば、ＦＥＴのソースに、ＦＥＴの相互コンダク
タンスを調整するための帰還抵抗が接続されているので
、使用するＦＥＴによってその相互コンダクタンスが異
なっていても、出力パルス幅を変化させることなくレー
ザダイオードを駆動できる利点がある。[Effects of the Invention] As detailed above, according to the laser diode drive circuit of the present invention, the feedback resistor for adjusting the mutual conductance of the FET is connected to the source of the FET. Even if their mutual conductances are different, there is an advantage that the laser diode can be driven without changing the output pulse width.
第１図は本発明の一実施例を示す電気回路図、第２図は
本発明の一実施例の作用を説明するためのグラフ、
第３図は従来例を示す電気回路図、
第４図は従来例の作用説明図である。
図において。
１はＦＥＴ、
２はクランプ回路。
３はレーザダイオード、
Ｒｓはソース帰還抵抗、
ＤはＦＥＴのドレイン、
ＧはＦＥＴのゲート、
ＳはＦＥＴのソースである。
本発日８の一貨布←菅り４才・す１【先回ヌト固第１図
′
ネ矛３１の一実シー＄１めイ乍用を吉免Ｂ月オろた静グ
）７第２図
才芝釆倒ｉ市″を電気回餠Ｈ阻
第３図Fig. 1 is an electric circuit diagram showing an embodiment of the present invention, Fig. 2 is a graph for explaining the operation of an embodiment of the present invention, Fig. 3 is an electric circuit diagram showing a conventional example, Fig. 4 is an explanatory diagram of the operation of a conventional example. In fig. 1 is FET, 2 is clamp circuit. 3 is a laser diode, Rs is a source feedback resistor, D is the drain of the FET, G is the gate of the FET, and S is the source of the FET. Today's date of 8 is 1 piece of cloth ← Sugari is 4 years old, Su 1 Figure 2: Saishiba katoshi i city'' is electrically turned around Figure 3
Claims (1)
ザダイオード（３）を接続された電界効果トランジスタ
（１）を有するレーザダイオード駆動回路において、 該電界効果トランジスタ（１）のソース（Ｓ）に、該電
界効果トランジスタ（１）の相互コンダクタンスを調整
するための帰還抵抗（Ｒ＿ｓ）が接続されていることを 特徴とする、レーザダイオード駆動回路。[Claims] A laser diode drive circuit comprising a field effect transistor (1) which receives an input signal from a gate (G) and has a laser diode (3) connected to its drain (D), comprising: A laser diode drive circuit, characterized in that a feedback resistor (R_s) for adjusting the mutual conductance of the field effect transistor (1) is connected to the source (S) of the field effect transistor (1).
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11988988A JPH01289284A (en) | 1988-05-17 | 1988-05-17 | Laser diode drive circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11988988A JPH01289284A (en) | 1988-05-17 | 1988-05-17 | Laser diode drive circuit |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01289284A true JPH01289284A (en) | 1989-11-21 |
Family
ID=14772742
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11988988A Pending JPH01289284A (en) | 1988-05-17 | 1988-05-17 | Laser diode drive circuit |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01289284A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006237087A (en) * | 2005-02-22 | 2006-09-07 | Canon Inc | Laser diode driving circuit and driving method thereof |
| CN104852277A (en) * | 2015-04-22 | 2015-08-19 | 常州华达科捷光电仪器有限公司 | Drive circuit used for laser module, and laser projector with drive circuit |
-
1988
- 1988-05-17 JP JP11988988A patent/JPH01289284A/en active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006237087A (en) * | 2005-02-22 | 2006-09-07 | Canon Inc | Laser diode driving circuit and driving method thereof |
| CN104852277A (en) * | 2015-04-22 | 2015-08-19 | 常州华达科捷光电仪器有限公司 | Drive circuit used for laser module, and laser projector with drive circuit |
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