JPH0127609B2 - - Google Patents

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JPH0127609B2
JPH0127609B2 JP54144178A JP14417879A JPH0127609B2 JP H0127609 B2 JPH0127609 B2 JP H0127609B2 JP 54144178 A JP54144178 A JP 54144178A JP 14417879 A JP14417879 A JP 14417879A JP H0127609 B2 JPH0127609 B2 JP H0127609B2
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JP
Japan
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output
circuit
input
logic
level
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Application number
JP54144178A
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Japanese (ja)
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JPS5668030A (en
Inventor
Yasuo Akatsuka
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NEC Corp
Original Assignee
Nippon Electric Co Ltd
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Publication date
Application filed by Nippon Electric Co Ltd filed Critical Nippon Electric Co Ltd
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Priority to US06/139,595 priority patent/US4337525A/en
Priority to EP80102068A priority patent/EP0017990B1/en
Priority to DE8080102068T priority patent/DE3070410D1/en
Publication of JPS5668030A publication Critical patent/JPS5668030A/en
Publication of JPH0127609B2 publication Critical patent/JPH0127609B2/ja
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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K19/00Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
    • H03K19/003Modifications for increasing the reliability for protection

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Computing Systems (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Measurement Of Current Or Voltage (AREA)
  • Static Random-Access Memory (AREA)
  • Logic Circuits (AREA)
  • Manipulation Of Pulses (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、論理回路に係り、特に集積回路化さ
れたIC論理回路に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a logic circuit, and particularly to an integrated circuit IC logic circuit.

IC論理回路においては、入力のある値に対し
て出力が変化し、この時の入力の値を閾値と呼
ぶ。一般的に、閾値付近での入力の変化に対する
出力の変化の割合は無限大ではなく、従つてある
巾の遷移領域が存在する。即ち、入力がこの遷移
領域にある時は出力は論理レベルにない。この意
味で上記の遷移領域を出力に関する不感領域と云
うことにする。出力が論理レベルにないというこ
とは、その時、論理回路は本来の論理機能をなし
得ないわけであるが、更にその状態が一定期間続
くと装置に異常電流が流れるとか論理状態が誤つ
た側へ反転してしまうと云つた不都合が生じる場
合があり、このような場合には、入力に不感領域
に一定期間以上滞在してはならない等の制限を設
ける必要があつた。第1図及び第2図を参照して
従来例について説明する。ここでは一例としてイ
ンバータ回路について説明する。第1図に示す入
力INと出力OUTを備えたインバータ回路Iの入
出力特性は第2図に示す通り、入力INが不感領
域V1〜V2の外にある時は出力はレベルO1を最小
値とする第1の論理レベル又はレベルO2を最大
値とする第2の論理レベルにあるが、前記不感領
域V1V2の中にある時は前記第1の論理レベルの
最小値O1と第2の論理レベルの最大値O2の間に
あり、即ち論理レベルにない。従つて入力INが
比較的ゆつくり論理変化して不感領域に長く滞在
した場合、出力OUTはその間非論理レベルO1
O2にあり続けることになり、上記の様な不都合
が生じる。
In an IC logic circuit, the output changes in response to a certain input value, and the input value at this time is called a threshold. Generally, the ratio of change in output to change in input around a threshold is not infinite, so there is a transition region of some width. That is, when the input is in this transition region, the output is not at a logic level. In this sense, the above transition region is referred to as an output-related dead region. If the output is not at a logic level, then the logic circuit cannot perform its original logic function, but if this state continues for a certain period of time, abnormal current may flow through the device or the logic state may become incorrect. In some cases, inconveniences such as inversion may occur, and in such cases, it is necessary to set restrictions such as prohibiting input from staying in the insensitive area for a certain period of time. A conventional example will be explained with reference to FIGS. 1 and 2. Here, an inverter circuit will be explained as an example. The input/output characteristics of the inverter circuit I equipped with the input IN and output OUT shown in Fig. 1 are as shown in Fig. 2. When the input IN is outside the dead area V1 to V2 , the output is at level O1 . When the first logic level has a minimum value or the second logic level has a maximum value of level O 2 , but is within the dead area V 1 V 2 , the minimum value O of the first logic level. 1 and the second logic level maximum O 2 , ie not at logic level. Therefore, if the input IN changes logic relatively slowly and stays in the dead area for a long time, the output OUT will remain at the non-logic level O 1 to
It will continue to be in O 2 , causing the above-mentioned inconvenience.

本発明の目的は、出力が論理レベルにないこと
を検知する手段を備えた論理回路を提供すること
にある。
It is an object of the present invention to provide a logic circuit with means for detecting when the output is not at a logic level.

本発明においては、上記検知手段は、上記出力
に関する不感領域よりも値の小さい第1の不感領
域と値の大きい第2の不感領域を持ち入力が前記
第1と第2の不感領域の間にある時、第1の論理
レベルにあり、前記第1の不感領域よりも小さい
時、又は前記第2の不感領域よりも大きい時、第
2の論理レベルにある出力を出力する回路で構成
することが出来る 第3図及び第4図を参照して本発明の参考構成
について説明する。ここでは一例としてインバー
タ回路に検知手段を設けた場合について説明す
る。
In the present invention, the detection means has a first dead area having a smaller value and a second dead area having a larger value than the dead area regarding the output, and the input is between the first and second dead areas. Consisting of a circuit that outputs an output that is at a first logic level at a certain time and is at a second logic level when it is smaller than the first dead area or larger than the second dead area. A reference configuration of the present invention will be described with reference to FIGS. 3 and 4. Here, as an example, a case will be described in which a detection means is provided in an inverter circuit.

第3図に示すように、論理回路Rはインバータ
回路Iと検知手段Sとから成り、入力INとイン
バータ出力OUT及び検知手段Sの出力OSを備え
ている。入力INがインバータ回路Iの出力OUT
に関する不感領域にあつて前記出力OUTが論理
レベルにない時に検知手段Sの出力OSが出力さ
れる。
As shown in FIG. 3, the logic circuit R consists of an inverter circuit I and a detection means S, and includes an input IN, an inverter output OUT, and an output OS of the detection means S. Input IN is output OUT of inverter circuit I
The output OS of the detection means S is output when the output OUT is not at the logic level in the insensitive region.

次に第4図により動作について説明する。 Next, the operation will be explained with reference to FIG.

第4図は入出力特性を示した図である。入力
INがインバータ出力OUTに関する不感領域V1
V2にある時、前記出力OUTは非論理レベルO1
O2にある。入力INが検知手段Sの出力OSに関す
る第1の不感領域V3〜V4又は第2の不感領域V5
〜V6にある時、前記出力OSは非論理レベルO1
O2にある。ここで不感領域V1〜V2を同じくV3
V4よりも大きく、かつ同じくV5〜V6よりも小さ
くしておくと、入力INが不感領域V1〜V2にあ
り、出力OUTが非論理レベルO1〜O2にある時、
出力OSはレベルO1を最小値とする第1の論理レ
ベルにある。即ち、検知手段Sの出力OSが出力
される。一方、入力INが不感領域V3〜V4の端V4
よりも小さく、又は不感領域V5〜V6の端V5より
も大きく出力OUTが前記第1の論理レベル又は
レベルO2を最大値とする第2の論理レベルにあ
る時は、出力OSは前記第1の論理レベルにはな
い、即ち、検知手段Sの出力OSは出力されない。
FIG. 4 is a diagram showing input/output characteristics. input
IN is the dead area V 1 with respect to the inverter output OUT
When at V 2 , the output OUT is at a non-logic level O 1 ~
Located in O2 . The input IN is the first dead area V 3 to V 4 or the second dead area V 5 with respect to the output OS of the detection means S.
~ V6 , the output OS is at non-logic level O1 ~
Located in O2 . Here, the dead area V 1 ~ V 2 is also V 3 ~
If it is larger than V 4 and also smaller than V 5 ~ V 6 , when the input IN is in the dead region V 1 ~ V 2 and the output OUT is at the non-logic level O 1 ~ O 2 ,
The output OS is at a first logic level with level O 1 being the minimum value. That is, the output OS of the detection means S is output. On the other hand, the input IN is at the edge of the dead area V 3 ~ V 4 V 4
When the output OUT is at the first logic level or a second logic level with the maximum value at level O2 , the output OS is not at the first logic level, ie the output OS of the sensing means S is not output.

以上、かかる検知手段を備えた論理回路におい
ては、出力が論理レベルにない時、そのことを知
らせる検知出力が出力されるのでその検知出力を
用いて装置をリセツト状態に戻す等、不都合の発
生を防ぐことが出来る。従つて、入力に不感領域
に一定期間滞在してはならない等の制限を設ける
必要がない。
As mentioned above, in a logic circuit equipped with such a detection means, when the output is not at the logic level, a detection output is output to notify the user of this fact, so the detection output can be used to return the device to the reset state, thereby preventing the occurrence of inconveniences. It can be prevented. Therefore, there is no need to impose restrictions such as prohibiting input from staying in an insensitive area for a certain period of time.

以上は、インバータ回路を例にとり説明した
が、他の機能を有する論理回路においても本発明
が成り立つことは明らかである。
Although the above description has been made using an inverter circuit as an example, it is clear that the present invention is also applicable to logic circuits having other functions.

第5図に本発明の一実施例としての検知手段S
の構成例を示す。入力INを排他的論理和回路EX
の入力に供給すると共に遅延回路Dに供給し、そ
の出力DINを排他的論理和回路EXの他入力に供
給する。排他的論理和回路EXの出力OSを検知手
段Sの出力OSとする。第6図により動作につい
て説明する。第6図は入出力特性を示すものであ
る。遅延回路Dの特性を以下のように設定する。
即ち、排他的論理和回路EXの入力高レベルの最
小値O1′、入力低レベルの最大値O2′に対して、入
力INが前記最大値O2′以下であると同時に遅延回
路Dの出力DINが前記最小値O1′以上である入力
の領域V7〜V8が存在するように設定する。この
ように設定することにより、入力IN及び遅延回
路Dの出力DINが共に低レベルである時、又は
共に高レベルである時には排他的論理和回路EX
の出力OSは低レベルにある。一方、入力INが低
レベルでありかつ遅延回路Dの出力DINが高レ
ベルである時、即ち入力INが前記領域V7〜V8
ある時には出力OSが高レベルにある。以上のよ
うに、所望の機能を備えた検知手段を構成するこ
とが出来る。
FIG. 5 shows a detection means S as an embodiment of the present invention.
An example of the configuration is shown below. Input IN to exclusive OR circuit EX
and the delay circuit D, and its output DIN is supplied to the other inputs of the exclusive OR circuit EX. Let the output OS of the exclusive OR circuit EX be the output OS of the detection means S. The operation will be explained with reference to FIG. FIG. 6 shows the input/output characteristics. The characteristics of delay circuit D are set as follows.
That is, with respect to the minimum value O 1 ′ of the input high level and the maximum value O 2 ′ of the input low level of the exclusive OR circuit EX, if the input IN is equal to or less than the maximum value O 2 ′ and at the same time, the delay circuit D It is set so that there are input regions V 7 to V 8 in which the output DIN is greater than or equal to the minimum value O 1 '. By setting in this way, when the input IN and the output DIN of the delay circuit D are both low level or both high level, the exclusive OR circuit EX
The output OS is at a low level. On the other hand, when the input IN is at a low level and the output DIN of the delay circuit D is at a high level, that is, when the input IN is in the region V7 to V8 , the output OS is at a high level. As described above, a detection means having desired functions can be constructed.

ここで、不感領域を所望の値に設定する方法に
ついて説明する。先づ、インバータ回路について
考える。インバータ回路の不感領域付近の入出力
特性は(1)式で表わされる。
Here, a method for setting the dead area to a desired value will be explained. First, let's consider the inverter circuit. The input/output characteristics near the dead area of the inverter circuit are expressed by equation (1).

VOUT−VO=−m(VIN−VT)…(1) ここで、VOUTは出力、VINは入力、mはゲイ
ン、VOは非論理レベルの中心値、VTはVOに対応
する入力値即ち、閾値である。この場合の不感領
域は、VTとmを選ぶことにより、より具体的に
はインバータ回路を例えば2つのMOSトランジ
スタで構成した場合は各々のスレツシヨルド電圧
とgm比を選ぶことにより、任意に設定すること
ができる。次に、インバータ回路をn段つないだ
時の入出力特性は(2)、(3)式で表わされる。
V OUT −V O =−m(V IN −V T )…(1) Here, V OUT is the output, V IN is the input, m is the gain, V O is the center value of the non-logic level, and V T is the V This is the input value corresponding to O , that is, the threshold value. In this case, the dead area can be set arbitrarily by selecting V T and m, or more specifically, if the inverter circuit is configured with two MOS transistors, by selecting the threshold voltage and gm ratio of each. be able to. Next, the input/output characteristics when n stages of inverter circuits are connected are expressed by equations (2) and (3).

VOUT−VO={(−1)n oi=1 mi}(VIN−VT)…(2) ここで、miは第i番目のインバータのゲイン、
VKは第K番目のインバータの閾値である。この
場合も個々のインバータの特性を選ぶことによ
り、(2)、(3)式に従つて、任意に不感領域を設定す
ることが出来る。
V OUT −V O = {(−1) n oi=1 mi}(V IN −V T )…(2) Here, mi is the gain of the i-th inverter,
V K is the threshold value of the Kth inverter. In this case as well, by selecting the characteristics of each inverter, it is possible to arbitrarily set the dead area according to equations (2) and (3).

一般的に、論理回路はNAND回路又はNOR回
路で構成することが出来るが、特に集積回路化さ
れた論理回路においては上記の2つの基本回路を
用い、これを構成する場合が多い。そして、この
2の基本回路、NAND回路とNOR回路について
も上述のインバータ回路についての講論が成り立
つことは明らかである。以上、不感領域を所望の
値に設定する方法について説明を行つた。
Generally, logic circuits can be constructed from NAND circuits or NOR circuits, but especially integrated logic circuits are often constructed using the above two basic circuits. It is clear that the above discussion regarding inverter circuits also holds true for these two basic circuits, the NAND circuit and the NOR circuit. The method for setting the dead area to a desired value has been described above.

次に、本発明をメモリ回路に適用した例につい
て説明する。本発明の出願人は既に出願した発明
(特願昭54−46848)で、外部ブロツクを必要とし
ない非同期型であつて、アドレス入力の論理変化
を検知する手段と少くとも1つ以上のアドレス入
力に関して論理変化が起こつた場合にのみ内部ク
ロツクを発生させる手段とを備えたメモリ回路を
提案した。これは非同期型であつて、しかも同期
型と同程度の速度電力積を有するメモリ回路であ
る。このメモリ回路のアドレスバツフア回路と内
部クロツク発生回路に本発明を適用した場合につ
いて、第7図、第8図を参照して説明する。先
づ、前記の既出願した発明によるメモリ回路につ
いて説明する。本メモリ回路は、第7図に示すよ
うに、アドレスバツフア回路B0,B1…Bn、アド
レスデコーダ回路DE、メモリセルアレイC、入
出力バツフア回路IO、及び内部クロツク発生回
路G0,G1…Gn、Gより成る。アドレス入力A0
A1,…Anの各々をアドレスバツフア回路B0,B1
…Bnの各々の入力と排他的論理和回路EX0
EX1…EXnの各々の入力及び遅延回路D0,D1
Dnの各々の入力に供給すると共に、遅延回路D0
D1…Dnの各々の出力DA0,DA1…DAnを対応す
る排他的論理和回路EX0,EX1…EXnの各々の他
入力に供給する。排他的論理和回路EX0,EX1
EXnの各々の出力OS0,S1…OSnをOR回路ORに
入力し、OR回路ORの出力をインバータ回路
Iに入力する。OR回路ORの及びインバータ
回路Iの出力CEが内部クロツクであり、各々リ
セツト信号、イネーブル信号である。これらリセ
ツト信号及びイネーブル信号CEを各々アドレ
スデコーダ回路DE、メモリセルアレイC、及び
入出力回路IOに供給する。かかる構成のメモリ
回路において、内部クロツク,CEがどのよう
にして発生されるかについて第8図を参照して説
明する。ここでは一例としてアドレスA0が論理
変化した時について説明する。アドレスA0が時
刻T0にて論理変化すると、排他的論理和回路
EX0はアドレスA0の遅延信号DA0が遅延回路D0
の遅延時間Tdに応じた期間上記論理変化に至ら
ないために、時刻T1迄の期間Tdにわたつて高レ
ベルの出力を発生する。この高レベルの出力OS0
はOR回路OR及びインバータ回路Iを介して内
部クロツク,CEとして出力される。時刻T1
過ぎると遅延出力DA0はアドレスA0と同一論理
レベルとなり、出力OS0は低レベルとなる。さら
に時刻T2でアドレスA0のレベルが復帰すると再
び時刻T3迄の遅延回路D0の遅延時間Tdにわたつ
てアドレスA0とその遅延信号DA0とに不一致が
生じ、排他的論理和回路EX0の出力OS0が高レベ
ルとなり、内部クロツク,CEとして出力され
る。
Next, an example in which the present invention is applied to a memory circuit will be described. The applicant of the present invention has already applied for an invention (Japanese Patent Application No. 54-46848), which is an asynchronous type that does not require an external block, and has a means for detecting a logical change in an address input and at least one address input. A memory circuit has been proposed which includes means for generating an internal clock only when a logic change occurs with respect to the clock. This is an asynchronous type memory circuit that has a speed-power product comparable to that of a synchronous type. A case in which the present invention is applied to the address buffer circuit and internal clock generation circuit of this memory circuit will be explained with reference to FIGS. 7 and 8. First, the memory circuit according to the previously filed invention will be explained. As shown in FIG. 7, this memory circuit includes address buffer circuits B 0 , B 1 ...Bn, address decoder circuit DE, memory cell array C, input/output buffer circuit IO, and internal clock generation circuits G 0 , G 1 . ...consists of Gn and G. Address input A 0 ,
A 1 ,...An are connected to address buffer circuits B 0 , B 1 , respectively.
…Each input of Bn and exclusive OR circuit EX 0 ,
EX 1 ...Each input and delay circuit D 0 , D 1 ... of EXn
In addition to supplying each input of Dn, the delay circuit D 0 ,
The outputs DA 0 , DA 1 ...DAn of each of D 1 ...Dn are supplied to the other inputs of the corresponding exclusive OR circuits EX 0 , EX 1 ...EXn. Exclusive OR circuit EX 0 , EX 1
The respective outputs OS 0 , S 1 . . . OSn of EXn are input to an OR circuit OR, and the output of the OR circuit OR is input to an inverter circuit I. The outputs CE of the OR circuit OR and the inverter circuit I are internal clocks, and are a reset signal and an enable signal, respectively. The reset signal and enable signal CE are supplied to the address decoder circuit DE, memory cell array C, and input/output circuit IO, respectively. How the internal clock, CE, is generated in the memory circuit having such a configuration will be explained with reference to FIG. Here, as an example, a case will be explained in which the address A0 undergoes a logical change. When address A 0 changes logic at time T 0 , exclusive OR circuit
EX 0 is the delay signal of address A 0 DA 0 is the delay circuit D 0
Since the logic change does not occur for a period corresponding to the delay time Td, a high level output is generated for a period Td up to time T1 . This high level output OS 0
is output as the internal clock CE via the OR circuit OR and the inverter circuit I. After time T 1 , the delayed output DA 0 becomes the same logic level as the address A 0 , and the output OS 0 becomes a low level. Furthermore, when the level of address A 0 is restored at time T 2 , a mismatch occurs again between address A 0 and its delayed signal DA 0 over the delay time Td of delay circuit D 0 until time T 3 , and the exclusive OR circuit The output OS 0 of EX 0 becomes high level and is output as the internal clock, CE.

以上が、前記の既に出願した発明によるメモリ
回路についての説明である。次に、以上説明した
メモリ回路において、アドレス入力がゆつくりと
論理変化して、入力高レベルの最小値と入力低レ
ベルの最大値の間、即ちアドレスバツフア回路の
出力に関する不感領域に長い期間にわたつて滞在
した場合、もしくは静止した場合を考える。この
ような場合、アドレスバツフア回路の出力が論理
レベルにない状態が長い期間続くので、もしイネ
ーブル信号CEが出ていてアドレスデコーダ回路
及びメモリセルアレイ等がイネーブル状態にある
と、誤つた番地をアクセスしてしまい誤書き込み
等の不都合を生じることになる。そこで、アドレ
ス入力がこのような状態の時にはメモリ回路はリ
セツト状態になければならないことが分かる。
The above is an explanation of the memory circuit according to the invention already filed. Next, in the memory circuit described above, the address input slowly changes its logic and remains in the dead area for a long period between the minimum value of the input high level and the maximum value of the input low level, that is, the output of the address buffer circuit. Consider the case where the object stays for a long period of time or remains stationary. In such a case, the output of the address buffer circuit remains at a logic level for a long period of time, so if the enable signal CE is output and the address decoder circuit, memory cell array, etc. are in the enabled state, an incorrect address may be accessed. Otherwise, inconveniences such as erroneous writing may occur. Therefore, it can be seen that the memory circuit must be in the reset state when the address input is in this state.

即ち、アドレス入力がアドレスバツフア回路の
出力に関して不感領域にある時はリセツト信号
CEが出るようにすればよい。これを実現するに
は、本発明を次の如く適用すればよいことは明ら
かである。即ち、第7図に示すように、アドレス
バツフア回路B0,B1…Bnの各々と対応する内部
タイミング発生回路G0,G1…Gnの各々から成る
論理回路R0,R1…Rnに対して、各々が内部タイ
ミング発生回路G0,G1…Gnを本発明の云う検知
回路となるように設定すればよい。
That is, when the address input is in the dead area with respect to the output of the address buffer circuit, the reset signal is
All you have to do is get CE. In order to realize this, it is clear that the present invention can be applied as follows. That is, as shown in FIG. 7, logic circuits R 0 , R 1 ...Rn each include address buffer circuits B 0 , B 1 ...Bn and corresponding internal timing generation circuits G 0 , G 1 ...Gn. In contrast, each of the internal timing generation circuits G 0 , G 1 , . . . Gn may be set so as to function as a detection circuit according to the present invention.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は、従来例を示す回路図、第2図は、第
1図の回路の特性図、第3図は、本発明の参考例
を示す回路図、第4図はその特性図、第5図は、
本発明の一実施例の検知手段Sの構成例を示す回
路図、第6図は、その特性図、第7図は本発明を
適用したメモリ回路のブロツク図、第8図は、そ
のタイミング図である。 IN…入力、I…インバータ回路、OUT…イン
バータ出力、O1…第1の論理レベルの最小値、
O2…第2の論理レベルの最大値、V1,V2…出力
OUTに関する不感領域の両端、R,R0,R1……
Rn…論理回路、S…検知手段、OS,OS0,OS1
……OSn…検知手段Sの出力、V3,V4…出力OS
に関する第1の不感領域の両端、V5,V6…出力
OSに関する第2の不感領域の両端、EX,EX0
EX1……EXn…排他的論理和回路、D,D0,D1
……Dn…遅延回路、DIN,DA0,DA1……DAn
…遅延回路の出力、O1′,O2′…排他的論理和回路
EXの入力高レベルの最小値及び入力低レベルの
最大値、V7,V8…前記O1′,O2′に対応する入力
レベル、A0,A1……An…アドレス入力、B0
B1……Bn…アドレスバツフア回路、G,G0,G1
……Gn…内部クロツク発生回路、DE…アドレス
デコーダ回路、C…メモリセルアレイ、10…入
出力バツフア回路、,CE…内部クロツク。
FIG. 1 is a circuit diagram showing a conventional example, FIG. 2 is a characteristic diagram of the circuit in FIG. 1, FIG. 3 is a circuit diagram showing a reference example of the present invention, and FIG. 4 is a characteristic diagram thereof. Figure 5 is
A circuit diagram showing a configuration example of the detection means S according to an embodiment of the present invention, FIG. 6 is a characteristic diagram thereof, FIG. 7 is a block diagram of a memory circuit to which the present invention is applied, and FIG. 8 is a timing diagram thereof. It is. IN...Input, I...Inverter circuit, OUT...Inverter output, O 1 ...Minimum value of the first logic level,
O 2 ... Maximum value of second logic level, V 1 , V 2 ... Output
Both ends of the dead area regarding OUT, R, R 0 , R 1 ...
Rn...logic circuit, S...detection means, OS, OS 0 , OS 1
...OSn...output of detection means S, V 3 , V 4 ...output OS
Both ends of the first dead area regarding V 5 , V 6 ...output
Both ends of the second dead area regarding the OS, EX, EX 0 ,
EX 1 ...EXn...exclusive OR circuit, D, D 0 , D 1
...Dn...Delay circuit, DIN, DA 0 , DA 1 ...DAn
…Delay circuit output, O 1 ′, O 2 ′…Exclusive OR circuit
Minimum value of input high level and maximum value of input low level of EX, V 7 , V 8 ... Input level corresponding to the above O 1 ′, O 2 ′, A 0 , A 1 ... An ... Address input, B 0
B 1 ...Bn...address buffer circuit, G, G 0 , G 1
...Gn...internal clock generation circuit, DE...address decoder circuit, C...memory cell array, 10...input/output buffer circuit, CE...internal clock.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 1 入力信号を受けて出力を発生する第1の論理
手段と、前記入力信号を受け、該入力信号が前記
第1の論理手段を定まつた論理レベルにしえない
論理入力の高レベルの最小値および低レベルの最
大値との間のレベルである時に検知出力を発生す
る検知手段と、該第1の論理手段の出力および前
記検知出力とを受け、前記検知出力が存在しない
時に前記第1の論理手段の出力に基いた動作を行
ない、前記検知出力が存在する時は動作が禁止さ
れる第2の論理手段とを有し、上記検知手段は前
記入力信号が入力端子に印加された遅延回路と、
前記入力信号が第1の入力端子に、前記遅延回路
の出力信号が第2の入力端子に印加されその出力
から前記検知出力が発生される排他的論理和回路
とを有し、前記排他的論理和回路は前記論理入力
の高レベルの最小値および前記論理入力の低レベ
ルの最大値を有し、前記遅延回路は前記入力信号
が前記最大値以下であると同時に前記遅延回路の
出力信号が前記最小値以上である出力の領域を前
記最小値および最大値間にわたつて有することを
特徴とする論理回路。
1 a first logic means that receives an input signal and generates an output; and a minimum high level value of a logic input that receives said input signal and that does not allow said input signal to bring said first logic means to a defined logic level; and a detection means that generates a detection output when the level is between the maximum value of the low level and the output of the first logic means and the detection output; and second logic means that performs an operation based on the output of the logic means and whose operation is prohibited when the detection output is present, and the detection means includes a delay circuit to which the input signal is applied to the input terminal. and,
an exclusive OR circuit, the input signal being applied to a first input terminal, the output signal of the delay circuit being applied to a second input terminal, and the detection output being generated from the output thereof; The sum circuit has a minimum high level value of the logic input and a maximum low level value of the logic input, and the delay circuit has a high level minimum value of the logic input and a low level maximum value of the logic input; A logic circuit having an output range equal to or greater than a minimum value extending between the minimum value and the maximum value.
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