JPH01272301A - ミリ波・サブミリ波帯発振器 - Google Patents
ミリ波・サブミリ波帯発振器Info
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- JPH01272301A JPH01272301A JP63102124A JP10212488A JPH01272301A JP H01272301 A JPH01272301 A JP H01272301A JP 63102124 A JP63102124 A JP 63102124A JP 10212488 A JP10212488 A JP 10212488A JP H01272301 A JPH01272301 A JP H01272301A
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- 238000002347 injection Methods 0.000 description 5
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B9/00—Generation of oscillations using transit-time effects
- H03B9/12—Generation of oscillations using transit-time effects using solid state devices, e.g. Gunn-effect devices
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03L—AUTOMATIC CONTROL, STARTING, SYNCHRONISATION OR STABILISATION OF GENERATORS OF ELECTRONIC OSCILLATIONS OR PULSES
- H03L1/00—Stabilisation of generator output against variations of physical values, e.g. power supply
- H03L1/02—Stabilisation of generator output against variations of physical values, e.g. power supply against variations of temperature only
Landscapes
- Stabilization Of Oscillater, Synchronisation, Frequency Synthesizers (AREA)
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
- Waveguides (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
ものである。
従来の技術
ミリ波・サブミリ波帯の固体発振器の研究が活発に展開
されているが、この帯域となると高出力・高安定発振器
を実現するには解決すべき課題も多い。
されているが、この帯域となると高出力・高安定発振器
を実現するには解決すべき課題も多い。
まず最初に第４図に示すマイクロ波帯の曲型的なガンダ
イオード発振器をとｌげ高周波化について説明する。第
４図において、４２は導波管部、４３はガンダイオード
、必はＲＦチョーク、４５は直流バイアス端子、４６は
周波数調整ねじ、４７は出力結合窓、槌は出力フランジ
を示す。これらの基本的な考え方、特性等については、
丸善発行「ソリッド・ステート回路ハンドブックＪ Ｐ
、Ｐ、 ４６０〜４６１に述べられているので詳細な構
成、及びその動作は省略する。
イオード発振器をとｌげ高周波化について説明する。第
４図において、４２は導波管部、４３はガンダイオード
、必はＲＦチョーク、４５は直流バイアス端子、４６は
周波数調整ねじ、４７は出力結合窓、槌は出力フランジ
を示す。これらの基本的な考え方、特性等については、
丸善発行「ソリッド・ステート回路ハンドブックＪ Ｐ
、Ｐ、 ４６０〜４６１に述べられているので詳細な構
成、及びその動作は省略する。
このようなガン発振器を数１００ＧＨ２帯で実現するた
めには、 ｉ）導波管共振器では形状がきわめて小さくなるため波
長に比し形状の大きい共振器を採用すること ＩＩ）素子の効率が低下するため放熱対策等が講じられ
ること ｌ１１）素子の出力も小さくなるため電力合成が可能で
あること 等が重要である。
めには、 ｉ）導波管共振器では形状がきわめて小さくなるため波
長に比し形状の大きい共振器を採用すること ＩＩ）素子の効率が低下するため放熱対策等が講じられ
ること ｌ１１）素子の出力も小さくなるため電力合成が可能で
あること 等が重要である。
発明が解決しようとする課題
しかし、第４図に示す構造の導波管構造の発振器は工作
精度の限界より実現がきわめて困難となる。そこで、従
来より準光学的な共振器として、７アブリペロ形共振器
がミリ波・サブミリ波帯で知られておシ、これを用いる
と波長に比しはるかに大きい共振器が実現できる。その
ため、発振器としてこの７アプリペロ型共振器と金属棒
で作られた回折格子に固体素子をマウントした構成のミ
リ波発振器も試作されているが、機械的強度、放熱の点
で問題を有し実用化には致っていない。
精度の限界より実現がきわめて困難となる。そこで、従
来より準光学的な共振器として、７アブリペロ形共振器
がミリ波・サブミリ波帯で知られておシ、これを用いる
と波長に比しはるかに大きい共振器が実現できる。その
ため、発振器としてこの７アプリペロ型共振器と金属棒
で作られた回折格子に固体素子をマウントした構成のミ
リ波発振器も試作されているが、機械的強度、放熱の点
で問題を有し実用化には致っていない。
すなわち、従来のミリ波・サブミリ波帯の固体発振器は
出力が小さいこと、また非常に高精度な加工精度を要し
、高価であるという課題があった。
出力が小さいこと、また非常に高精度な加工精度を要し
、高価であるという課題があった。
本発明は以上のような課題を解決するもので、ミリ波・
サブミリ波帯において高出力化の実現とともに、高性能
で安価なミリ波・サブミリ波帯発振器を提供せんとする
ものである。
サブミリ波帯において高出力化の実現とともに、高性能
で安価なミリ波・サブミリ波帯発振器を提供せんとする
ものである。
課題を解決するための手段
上記課題を解決するため、本発明の技術的解決手段は平
面鏡あるいは凹面鏡と、溝を有する回折格子とを対向さ
せ、前記回折格子の溝に発振素子を設けたものである。
面鏡あるいは凹面鏡と、溝を有する回折格子とを対向さ
せ、前記回折格子の溝に発振素子を設けたものである。
また、発振素子を回折格子に直接−次元的あるいは二次
元的に複数個設けて電力合成をするものである。また回
折格子に設けられた複数の発振素子の特定の１個の発振
素子に、周波数制御あるいは位相同期信号を印加し、注
入同期特性により周波数の高安定化を実現したものであ
る。
元的に複数個設けて電力合成をするものである。また回
折格子に設けられた複数の発振素子の特定の１個の発振
素子に、周波数制御あるいは位相同期信号を印加し、注
入同期特性により周波数の高安定化を実現したものであ
る。
作用
本発明は、平面鏡あるいは凹面鏡と、溝を有する回折格
子とを対向させたファブリペロ型共振器とし、発振素子
を回折格子に直接、−次元的あるいは二次元的に複数個
マウントし直流バイアスをそれぞれの発振素子に与える
ことによシ発振させると個々の発振素子の出力が、電力
合成され高出力のミリ波・サブミリ波帯信号源が得られ
る。また回折格子にマウントされた発振素子の特定の１
個の発振素子に、周波数制御あるいは位相同期信号を印
加することにより周波数の安定化を図ると、注入同期現
象により発振出力の周波数の高安定化が実現できる。
子とを対向させたファブリペロ型共振器とし、発振素子
を回折格子に直接、−次元的あるいは二次元的に複数個
マウントし直流バイアスをそれぞれの発振素子に与える
ことによシ発振させると個々の発振素子の出力が、電力
合成され高出力のミリ波・サブミリ波帯信号源が得られ
る。また回折格子にマウントされた発振素子の特定の１
個の発振素子に、周波数制御あるいは位相同期信号を印
加することにより周波数の安定化を図ると、注入同期現
象により発振出力の周波数の高安定化が実現できる。
実施例
以下第１図を参照にしながら本発明の第４の実施例につ
いて説明する。第１図において、１１は金属でつくられ
た凹面鏡、１２は凹面鏡１１から間隔ｔの位置に設置さ
れる導体よりなる回折格子で、深すｔの溝１５をもった
櫛歯形状をしており、電気的な動作としては表面で反射
する平面反射鏡の機能を持つ。
いて説明する。第１図において、１１は金属でつくられ
た凹面鏡、１２は凹面鏡１１から間隔ｔの位置に設置さ
れる導体よりなる回折格子で、深すｔの溝１５をもった
櫛歯形状をしており、電気的な動作としては表面で反射
する平面反射鏡の機能を持つ。
１３は回折格子１２の先端に設けられたガンダイオード
、インバットダイオード等の固体発振素子で、溝１５の
先端金属部に直接マウントし回折格子１２を放熱器とし
て利用できるようにし、また端子１４よりこの団体発振
素子１３に直流バイアスを与えるような構成をとってい
る。
、インバットダイオード等の固体発振素子で、溝１５の
先端金属部に直接マウントし回折格子１２を放熱器とし
て利用できるようにし、また端子１４よりこの団体発振
素子１３に直流バイアスを与えるような構成をとってい
る。
上記構成において、回折格子１２の溝１５のピッチは動
作波長の１／２よシ小さく、かつダイオード等の団体発
振素子１３をマウントしやすく、製作が容易となるよう
に決定される。まだ溝１５は、先端が短絡された平行平
板導波路と考えることができ、回折格子１２の表面より
溝１５を見たとき短絡条件を満足する溝の深さｔを決定
する。
作波長の１／２よシ小さく、かつダイオード等の団体発
振素子１３をマウントしやすく、製作が容易となるよう
に決定される。まだ溝１５は、先端が短絡された平行平
板導波路と考えることができ、回折格子１２の表面より
溝１５を見たとき短絡条件を満足する溝の深さｔを決定
する。
また共振器の共振モードは、ＴＥＭＯ，でその共振周波
数は、凹面鏡１１と回折格子１２の間隔ｔで決定される
。
数は、凹面鏡１１と回折格子１２の間隔ｔで決定される
。
この間隔ｔは波長の数倍から数十倍に選ぶことで共振器
長は波長より十分大きくすることができ、かつ周波数周
整も容易に行い得る。
長は波長より十分大きくすることができ、かつ周波数周
整も容易に行い得る。
以上のような構成をとることにより、共振器の製作、周
波数調整が容易で、かつ放熱が良好なミリ波・サブミリ
波発振器が実現できる。
波数調整が容易で、かつ放熱が良好なミリ波・サブミリ
波発振器が実現できる。
なお、本実施例では回折格子１２を櫛歯状のものとした
が、必ずしも櫛歯状にする必要性はなく、溝１５を設け
ることで同共振器の製作、周波数調整に効果を有するも
のであることは言うまでもない。
が、必ずしも櫛歯状にする必要性はなく、溝１５を設け
ることで同共振器の製作、周波数調整に効果を有するも
のであることは言うまでもない。
また、本実施例では回折格子１２の対向面には凹面鏡１
１を設けたが、必ずしも凹面鏡の必要性はなく、平面鏡
でも良い。
１を設けたが、必ずしも凹面鏡の必要性はなく、平面鏡
でも良い。
次に第２図を参照しながら本発明の第２の実施例につい
て説明する。
て説明する。
一般に固体発振器は、発振周波数が高くなるに従い、そ
の出力レベルは低下していき、高出力を得ることができ
ない。本発明の第２の実施例はこの高出力を得るだめの
もので、第２図において、１２は回折格子、２１〜２６
は回折格子の先端部に二次元的に配された複数個の団体
発振素子を示す。
の出力レベルは低下していき、高出力を得ることができ
ない。本発明の第２の実施例はこの高出力を得るだめの
もので、第２図において、１２は回折格子、２１〜２６
は回折格子の先端部に二次元的に配された複数個の団体
発振素子を示す。
この団体発振素子は、図番２１．２４． あるいは２
１２２、２３の如く一次元的に直線上に配してもよく、
また同図の如く間隔Ｓ（波長の整数倍の間隔）で、二次
元的に配してもよい。
１２２、２３の如く一次元的に直線上に配してもよく、
また同図の如く間隔Ｓ（波長の整数倍の間隔）で、二次
元的に配してもよい。
以上、本実施例によれば、それぞれの固体発振素子２１
〜２６に対し、おのおのの周波数をほぼ一致させておく
と、同時にすべての固体発振素子２１〜２６を発振させ
た場合は注入同期現象ですべての固体発振素子２６〜２
６の周波数が一致し電力も加算合成され、高出力を得る
ことができる。
〜２６に対し、おのおのの周波数をほぼ一致させておく
と、同時にすべての固体発振素子２１〜２６を発振させ
た場合は注入同期現象ですべての固体発振素子２６〜２
６の周波数が一致し電力も加算合成され、高出力を得る
ことができる。
次に第３図を参照しながら本発明の第３の実施例につい
て説明する。
て説明する。
本実施例は、第２の実施例のミリ波・サブミリ波帯発振
器をより高安定化するだめのものである。
器をより高安定化するだめのものである。
第３図において、３１は第２の実施例のファブリペロ型
共振器を用いたミリ波・サブミリ波帯発振器、３２はＲ
Ｆ出力端子である。３５はミキサで、基準発振器３３か
ら出力される基準発振信号を逓倍する逓倍器３４の出力
と、ＲＦ出力端子３２からのＲＦ高出力をミキシングダ
ウンする。３６は分周器で、ミキサ３５の出力を分周す
る。３８は位相比較器（ＰＤ）で、温度補償水晶発振器
（ＴＣＸ○）３７の出力と、分周器３６の出力とを位相
比較し、その出力をローパスフィルタ（ＬＰＦ）３９、
ドライバ４０ヲ介して、ファブリペロ型発振器３１の複
数個の発振素子のうち、特定の１個の発振素子を制御す
る。
共振器を用いたミリ波・サブミリ波帯発振器、３２はＲ
Ｆ出力端子である。３５はミキサで、基準発振器３３か
ら出力される基準発振信号を逓倍する逓倍器３４の出力
と、ＲＦ出力端子３２からのＲＦ高出力をミキシングダ
ウンする。３６は分周器で、ミキサ３５の出力を分周す
る。３８は位相比較器（ＰＤ）で、温度補償水晶発振器
（ＴＣＸ○）３７の出力と、分周器３６の出力とを位相
比較し、その出力をローパスフィルタ（ＬＰＦ）３９、
ドライバ４０ヲ介して、ファブリペロ型発振器３１の複
数個の発振素子のうち、特定の１個の発振素子を制御す
る。
さて、第２の実施例で説明したように複数個の固体発振
素子を個々に発振させほぼ周波数を合わせておくと、す
べての固体発振素子を同時に動作させることにより、注
入同期現象でそれぞれの固体発子素子からの発振出力は
同期・合成され高出力として得られることを記したが、
注入同期は最も安定な信号に引き込まれるという特性が
あり、本実施例のようにミリ波・サブミリ波帯発振器３
１における複数個ある固体発振素子のうちどれか１個の
固体発振素子を周波数安定化することによシ、同発振器
全体を安定化するこ、とができる。
素子を個々に発振させほぼ周波数を合わせておくと、す
べての固体発振素子を同時に動作させることにより、注
入同期現象でそれぞれの固体発子素子からの発振出力は
同期・合成され高出力として得られることを記したが、
注入同期は最も安定な信号に引き込まれるという特性が
あり、本実施例のようにミリ波・サブミリ波帯発振器３
１における複数個ある固体発振素子のうちどれか１個の
固体発振素子を周波数安定化することによシ、同発振器
全体を安定化するこ、とができる。
なお、本実施例では位相同期系による周波数安定化回路
になっているが、ＡＦＣ（オート、フリケンシー、コン
トロール）系の制御回路でもよいことは言うまでもない
。この場合は、ミキサ出力を周波数ディスクソミネータ
で検波して制御信号とすればよい。
になっているが、ＡＦＣ（オート、フリケンシー、コン
トロール）系の制御回路でもよいことは言うまでもない
。この場合は、ミキサ出力を周波数ディスクソミネータ
で検波して制御信号とすればよい。
発明の効果
以上のように本発明の効果としては、ミリ波・サブミリ
波帯固体発振器でその製作が容易であシまた高出力・高
安定な発振器を安価に提供することができる。
波帯固体発振器でその製作が容易であシまた高出力・高
安定な発振器を安価に提供することができる。
第１図は本発明の第１の実施例におけるミリ波・サブミ
リ波帯発振器の概念側面図、第２図は本発明の第２の実
施例における同発振器の斜視図、第３図は本発明の第３
の実施例における同発振器のブロック図、第４図は従来
よりあるミリ波・サブミリ波帯ガン発振器の構造断面図
である。 １１・・・凹面鏡、１２・・・回折格子、１３．２１〜
２６・・・固体発振素子、１４・・・端子。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男ほか１名第１図 １’１ 七４ 第２図
リ波帯発振器の概念側面図、第２図は本発明の第２の実
施例における同発振器の斜視図、第３図は本発明の第３
の実施例における同発振器のブロック図、第４図は従来
よりあるミリ波・サブミリ波帯ガン発振器の構造断面図
である。 １１・・・凹面鏡、１２・・・回折格子、１３．２１〜
２６・・・固体発振素子、１４・・・端子。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男ほか１名第１図 １’１ 七４ 第２図
Claims (3)
- （１）平面鏡あるいは凹面鏡と、溝を有する回折格子と
を対向させ、前記回折格子の溝の部分に、発振素子が設
けられていることを特徴とするミリ波・サブミリ波帯発
振器。 - （２）回折格子に一次元的にあるいは二次元的に複数個
の発振素子を設けて、電力合成することを特徴とする請
求項１記載のミリ波・サブミリ波帯発振器。 - （３）請求項２記載の複数の発振素子のうち特定の１個
の発振素子に周波数制御あるいは位相同期信号を印加す
ることを特徴とするミリ波・サブミリ波帯発振器。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63102124A JP2621331B2 (ja) | 1988-04-25 | 1988-04-25 | ミリ波・サブミリ波帯発振器 |
| US07/340,748 US4906945A (en) | 1988-04-25 | 1989-04-20 | Millimeter-wave/submillimeter-wave oscillator |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63102124A JP2621331B2 (ja) | 1988-04-25 | 1988-04-25 | ミリ波・サブミリ波帯発振器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01272301A true JPH01272301A (ja) | 1989-10-31 |
| JP2621331B2 JP2621331B2 (ja) | 1997-06-18 |
Family
ID=14319042
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63102124A Expired - Fee Related JP2621331B2 (ja) | 1988-04-25 | 1988-04-25 | ミリ波・サブミリ波帯発振器 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4906945A (ja) |
| JP (1) | JP2621331B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2666880B2 (ja) * | 1994-02-14 | 1997-10-22 | 郵政省通信総合研究所長 | ビーム出力型マイクロ波ミリ波発振装置 |
| US5768693A (en) * | 1995-02-28 | 1998-06-16 | Telecommunications Equipment Corporation | Method and apparatus for controlling frequency of a multi-channel transmitter |
| US20090021328A1 (en) * | 2005-02-09 | 2009-01-22 | Adrian Haldimann | Microwave unit |
| CN112088465B (zh) | 2018-08-07 | 2022-04-12 | 华为技术有限公司 | 一种天线 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5164172U (ja) * | 1974-11-15 | 1976-05-20 | ||
| JPS62214704A (ja) * | 1986-03-14 | 1987-09-21 | Semiconductor Res Found | 超高周波半導体発振器 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4286230A (en) * | 1980-01-10 | 1981-08-25 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Near millimeter wave generator with dielectric cavity |
-
1988
- 1988-04-25 JP JP63102124A patent/JP2621331B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1989
- 1989-04-20 US US07/340,748 patent/US4906945A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5164172U (ja) * | 1974-11-15 | 1976-05-20 | ||
| JPS62214704A (ja) * | 1986-03-14 | 1987-09-21 | Semiconductor Res Found | 超高周波半導体発振器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2621331B2 (ja) | 1997-06-18 |
| US4906945A (en) | 1990-03-06 |
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