JPH01259501A - Manufacture of thermistor - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 8
- 229910000623 nickel–chromium alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims abstract description 13
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 22
- 238000007747 plating Methods 0.000 abstract description 15
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 7
- 238000012545 processing Methods 0.000 abstract description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 abstract 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 abstract 1
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 12
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 10
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 7
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 6
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 5
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 4
- 238000005554 pickling Methods 0.000 description 4
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 4
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 229910018487 Ni—Cr Inorganic materials 0.000 description 2
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 2
- VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N chromium nickel Chemical compound [Cr].[Ni] VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 2
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000599 Cr alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 239000000788 chromium alloy Substances 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 235000021110 pickles Nutrition 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
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- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は、サーミスタの製造方法に関する。[Detailed description of the invention] <Industrial application field> The present invention relates to a method for manufacturing a thermistor.
〈従来の技術〉
従来から、温度変化とともに抵抗値が大きく変化するサ
ーミスタの一例として、温度上昇に従って抵抗値が増大
する正の温度係数を有する正特性サーミスタが知られて
いる。この正特性サーミスタは、チタン酸バリウム（Ｂ
ａＴｉＯｌ）系材料からなる円板状の外形を有するサー
ミスタ素体を備えており、その両生表面にはニッケル（
Ｎｉ）からなる電極が形成されるとともに、各電極には
半田付けによってリード線が接続された構成となってい
る。<Prior Art> As an example of a thermistor whose resistance value largely changes with temperature change, a positive temperature coefficient thermistor whose resistance value increases as the temperature rises has been known. This positive temperature coefficient thermistor is made of barium titanate (B
It is equipped with a thermistor body having a disc-shaped outer shape made of a TiOl)-based material, and its amphiphilic surface is coated with nickel (
Electrodes made of Ni) are formed, and lead wires are connected to each electrode by soldering.
そして、サーミスタ素体に電極を形成する際には、従来
、■ニッケルを無電解メツキによってサーミスタ素体の
両生表面に付着させた後、２５０〜５００℃程度の温度
で熱処理を行う、あるいはまた、■同様の無電解メツキ
を施した後に銀（Ａｇ）ペーストを焼き付けるのが一般
的となっている。なお、前記■の電極形成方法において
無電解メツキ後に熱処理を行うのは、サーミスタ素体と
電極との間に安定なオーム性接触を得るためである。When forming electrodes on the thermistor element, conventionally, nickel is attached to the amphiboid surface of the thermistor element by electroless plating, and then heat treatment is performed at a temperature of about 250 to 500°C, or alternatively, ■It is common to bake silver (Ag) paste after applying similar electroless plating. In the electrode forming method (2) above, heat treatment is performed after electroless plating in order to obtain stable ohmic contact between the thermistor element and the electrode.
〈発明が解決しようとする課題〉
ところで、このような従来の製造方法においては、いず
れの場合にも、サーミスタ素体に熱が加わるので、加熱
雰囲気のばらつきによる製品ごとの特性ばらつきや加工
変化が発生するばかりか、銀ペーストを使用した場合に
はマイグレーションが発生したり、製造コストが高くな
るという問題があった。<Problems to be Solved by the Invention> Incidentally, in any of these conventional manufacturing methods, heat is applied to the thermistor element, so variations in characteristics and processing changes between products due to variations in the heating atmosphere occur. In addition, when silver paste is used, there are problems in that migration occurs and manufacturing costs increase.
また、メツキを施す際には、密着強度の向上を図るため
の前処理として酸洗が行われ、この酸洗によってサーミ
スタ素体の粒界が浸食されて特性が劣化することがある
。なお、酸洗を行う必要がないメツキ方法として、パラ
ジウム（Ｐｄ）や亜鉛（Ｚｎ ）を主成分とするペース
トを焼き付けてメツキする方法もあるが、パラジウムは
高価な材料であり、また、亜鉛では膜厚を厚くすること
ができないので、これらの材料を使用すると、工程がよ
り一層複雑となるばかりか、コスト裔となってしまう。Furthermore, when plating is applied, pickling is performed as a pretreatment to improve adhesion strength, and this pickling may erode the grain boundaries of the thermistor element and deteriorate its characteristics. As a plating method that does not require pickling, there is a method of baking a paste containing palladium (Pd) or zinc (Zn) as the main components, but palladium is an expensive material, and zinc Since the film thickness cannot be increased, the use of these materials not only makes the process even more complicated, but also increases costs.
さらに、サーミスタ素体をメツキ液に浸漬してメツキを
行う際には、メツキ液がサーミスタ素体に浸透し、その
内部にメツキ液成分のイオンが残留することがあるので
、この残留イオンによってサーミスタの耐電圧特性が劣
化してしまう。また、無電解メツキを施すと、サーミス
タ素体の全面にわたって電極材料が付着するので、電極
形成不要部分、すなわち、サーミスタ素体の外周面など
に付着した電極材料を機械的な研磨作業によって除去し
なければならない。ところが、このような殿械的な研磨
作業は有機物によってサーミスタ素体を固定したうえで
行ったりすることがあり、しかも、この有機物が洗浄し
難＜、残留し易いものであることから特性劣化を招いて
しまう。また、このａ械的な研磨作業によってサーミス
タ素体が欠けたり、これに研磨屑が付着してしまうとい
うような別異の問題もあった。Furthermore, when plating the thermistor element by immersing it in plating liquid, the plating liquid may penetrate into the thermistor element and ions of the plating liquid components may remain inside. The withstand voltage characteristics of the product deteriorate. Furthermore, when electroless plating is applied, the electrode material adheres to the entire surface of the thermistor element, so the electrode material adhering to areas where electrode formation is unnecessary, such as the outer peripheral surface of the thermistor element, must be removed by mechanical polishing. There must be. However, such mechanical polishing work is sometimes performed after fixing the thermistor element with organic matter, and since this organic matter is difficult to clean and tends to remain, it may cause deterioration of characteristics. I invite you. Additionally, there are other problems such as the thermistor element being chipped and polishing debris adhering to it due to this mechanical polishing work.
本発明はかかる従来の問題に鑑みて創案されたものであ
って、サーミスタ素体に電極を形成する際に要する手間
の削減を図り、かつ、電極形成時における特性劣化を有
効に防止することができるサーミスタの製造方法の提供
を目的としている。The present invention was devised in view of such conventional problems, and it is possible to reduce the labor required when forming electrodes on a thermistor element body, and to effectively prevent characteristic deterioration during electrode formation. The purpose of this research is to provide a method for manufacturing a thermistor that can be used.
〈課題を解決するための手段さ
本発明方法は、このような目的を達成するため、サーミ
スタ素体の電極形成面にニッケル・クロム系合金をスパ
ッタリングによって付着することに特徴を有するもので
ある。<Means for Solving the Problems> In order to achieve the above object, the method of the present invention is characterized in that a nickel-chromium alloy is deposited on the electrode forming surface of the thermistor body by sputtering.
〈作用〉
本発明方法によれば、湿式メツキである無電解メツキに
代えて乾式メツキであるスパッタリングによって電極を
形成するので、サーミスタ素体を酸洗したり、メツキ液
に浸漬したりする必要がなくなるので、これらの処理に
費やす手間を省くとともに、これらの処理による特性の
劣化が有効に防止される。また、安定したオーム性接触
が得られるニッケル・クロム系合金を電極材料として用
いるので、従来例のように、サーミスタ素体に熱処理を
施したり、銀ペーストを焼き付けたりすることによって
オーム性接触を得る必要がなく、これに伴う特性劣化も
防止されることになる。<Operation> According to the method of the present invention, the electrodes are formed by sputtering, which is dry plating, instead of electroless plating, which is wet plating, so there is no need to pickle the thermistor element or immerse it in a plating solution. Therefore, the time and effort spent on these treatments can be saved, and deterioration of characteristics due to these treatments can be effectively prevented. In addition, since a nickel-chromium alloy that provides stable ohmic contact is used as the electrode material, ohmic contact can be obtained by heat-treating the thermistor element or baking silver paste, as in conventional examples. This is not necessary, and the accompanying characteristic deterioration is also prevented.
〈実施例〉
以下、本発明方法の一実施例を図面に基づいて説明する
。<Example> Hereinafter, an example of the method of the present invention will be described based on the drawings.
第１図は本発明方法に係るスパッタリング要領を示す説
明図であり、この図における符号１はサーミスタ素体、
１ａはその電極形成面、２はマスクである。なお、この
サーミスタ素体ｌは、従来例と同様、チタン酸バリウム
（ＢａＴｉＯ，）系材料によって円板状に形成されたも
のであって、その製造手順については周知であるから説
明を省略する。FIG. 1 is an explanatory diagram showing the sputtering procedure according to the method of the present invention, and the reference numeral 1 in this diagram indicates a thermistor body;
1a is the electrode forming surface, and 2 is a mask. The thermistor element 1 is formed into a disk shape from a barium titanate (BaTiO,) material as in the conventional example, and the manufacturing procedure thereof is well known, so a description thereof will be omitted.
第１図においては、電極が形成されるべき一対のサーミ
スタ素体１が互いに並列配置され、これらのサーミスタ
素体１の表裏面には開口部を有する金属板からなるマス
ク２がそれぞれ装着されている。すなわち、各サーミス
タ素体１の電極形成面１ａはマスク２の開口部を介して
外部に露出させられているが、その電極形成不要部分で
ある外周面などはマスク２によって覆われた状態となっ
ている。そして、この状態でスパッタリング装置く図示
していない）内に配設されたサーミスタ素体１に対して
、安定したオーム性接触が得られるニッケル・クロム（
Ｎｉ−Ｃｒ）系合金のスパッタリングが行われることに
より、露出したサーミスタ素体１のｔｉ形成面１ａのみ
にニッケル・クロム系合金が付着し、電極が形成される
。なお、この際、前記ニッケル・クロム系合金における
クロム（Ｃｒ）の含有率は、後述する理由に基づき、１
０〜５０−ｔ％の範囲内とすることが好ましい。さらに
、このようにして形成された電極には、半田付けによっ
てリード線が接続される。In FIG. 1, a pair of thermistor bodies 1 on which electrodes are to be formed are arranged in parallel with each other, and masks 2 made of metal plates having openings are attached to the front and back surfaces of these thermistor bodies 1, respectively. There is. That is, the electrode forming surface 1a of each thermistor element body 1 is exposed to the outside through the opening of the mask 2, but the outer circumferential surface, which is a portion where electrode formation is unnecessary, is covered by the mask 2. ing. In this state, nickel chromium (nickel chromium), which provides stable ohmic contact with the thermistor element 1 disposed in the sputtering device (not shown), is
By sputtering the Ni--Cr alloy, the nickel-chromium alloy is deposited only on the Ti forming surface 1a of the exposed thermistor element 1, forming an electrode. At this time, the content of chromium (Cr) in the nickel-chromium alloy is 1.
It is preferably within the range of 0 to 50-t%. Furthermore, lead wires are connected to the electrodes thus formed by soldering.
ところで、本発明方法における電極形成手段として、種
々ある乾式メツキの中からスパッタリングを選択したの
は、膜厚や組成などが均一な電極膜を得ることが容易で
、膜の析出状態を制御し易く、しかも、他の乾式メツキ
に比べて大きな密着強度が得られるという理由によるも
のである。そして、スパッタリングによれば、前述した
ように、膜形成不要部分をマスクで覆うという簡便な手
法によって膜を形成するか否かを容易に選択できるとい
う利点もある。By the way, sputtering was selected from among various dry plating methods as an electrode forming means in the method of the present invention because it is easy to obtain an electrode film with uniform thickness and composition, and it is easy to control the deposition state of the film. Moreover, this is because it provides greater adhesion strength than other dry plating methods. As described above, sputtering also has the advantage that it can be easily selected whether or not to form a film by using a simple method of covering parts where no film is to be formed with a mask.
また、電極形成材料として、ニッケル・クロム系合金を
用いるのは、つぎのような理由によっている。まず、純
ニッケル（Ｎ＋）を用いた場合、スパッタリング時のエ
ネルギー強度によってはオーム性接触を有する電極膜が
得られることもあるが、必ずしもオーム性接触を安定的
に得ることができない。しかし、ニッケルにクロム（Ｃ
ｒ）を加えてなるニッケル・クロム系合金を用いた場合
には、オーム性接触を有する電礪膜が安定して得られる
。これは、一般的にいわれる原子の仕事関数が小さいほ
どオーム性接触が得られ易いという理由に基づくもので
あって、クロムの有する仕事関数の方がニッケルのそれ
よりも小さいためと考えられる。Further, the reason why a nickel-chromium alloy is used as the electrode forming material is as follows. First, when pure nickel (N+) is used, an electrode film having ohmic contact may be obtained depending on the energy intensity during sputtering, but ohmic contact cannot always be stably obtained. However, nickel and chromium (C)
When a nickel-chromium alloy containing r) is used, a dielectric film having ohmic contact can be stably obtained. This is because it is generally said that the smaller the work function of an atom, the easier it is to obtain ohmic contact, and it is thought that this is because the work function of chromium is smaller than that of nickel.
さらに、前述したように、このニッケル・クロム系合金
におけるクロム（Ｃｒ）の含有率が１０〜５０ｗｔ％の
範囲内にあることが好ましいのは、つぎのような理由に
よるものである。まず、クロムの含有量が１０−ｔ％以
下である場合には、第２図の寿命試験結果に示すように
、サーミスタの有する抵抗値変化率が所定の規格値（図
では、横軸に沿う破線で示す）を大きく越えてしまい、
その寿命が短縮化してしまうためである。Further, as described above, the reason why the chromium (Cr) content in this nickel-chromium alloy is preferably within the range of 10 to 50 wt% is as follows. First, when the chromium content is 10-t% or less, as shown in the life test results in Figure 2, the rate of change in resistance value of the thermistor is equal to the specified standard value (in the figure, along the horizontal axis). (indicated by the broken line),
This is because its lifespan is shortened.
その一方、クロムは、半田が付着し難いという欠点を有
していることが知られている。そこで、クロムの含有率
が互いに異なる種々のニッケル・クロム系合金を用いて
電極を形成したうえ、この電極面積の９０％以上に半田
を付着させることが可能なフラックスの強さ、すなわち
、このフラックス中の塩素（Ｃ２）量の限界値を求める
試験な行ったところ、第３図に示すような半田付は性試
験結果が得られた。すなわち、この第３図における横軸
に沿う破線は、これ以上強いフラックスを用いた場合に
はサーミスタの特性が劣化してしまうという限界値を示
しており、図から明らかなように、この限界値を越えな
いクロムの含有率は５０−ｔ％以下となっている。On the other hand, chromium is known to have the disadvantage that solder is difficult to adhere to. Therefore, in addition to forming electrodes using various nickel-chromium alloys with different chromium contents, the strength of the flux is such that it can attach solder to more than 90% of the electrode area. When a test was conducted to determine the limit value of the amount of chlorine (C2) in the material, the soldering properties test results as shown in FIG. 3 were obtained. In other words, the broken line along the horizontal axis in Fig. 3 indicates the limit value at which the characteristics of the thermistor will deteriorate if a stronger flux is used.As is clear from the figure, this limit value The content of chromium does not exceed 50-t%.
つぎに、本発明方法によって形成された電極を有するサ
ーミスタと、前述した従来方法による電極が形成された
サーミスタとの特性をそれぞれ測定したところ、第１表
（次ページ参照）に示すような測定結果が得られた。な
お、この第１表における実施例１はクロムの含有率が２
０ｗ ｔ％のニッケル・クロム系合金からなる電極が形
成されたサーミスタ、実施例２はクロムの含を率が５Ｑ
ｗ ｔ％とされた電極を有するものであり、従来例は前
述した■の方法、すなわち、サーミスタ素体に無電解メ
ツキを施した後に銀ペーストを焼き付けて電極としたサ
ーミスタを示している。また、この表における抵抗−温
度特性とはサーミスタの抵抗値が１０００倍になる温度
を表し、寿命特性とは加速通電試験における３０００時
間後の抵抗変化率を表している。Next, when we measured the characteristics of the thermistor having electrodes formed by the method of the present invention and the thermistor having electrodes formed by the conventional method described above, we obtained the measurement results shown in Table 1 (see next page). was gotten. Note that in Example 1 in Table 1, the chromium content was 2.
Example 2 is a thermistor in which an electrode is formed of a 0wt% nickel-chromium alloy, and the chromium content is 5Q.
The conventional example shows a thermistor that uses the method (2) described above, that is, electroless plating is applied to the thermistor element body and then a silver paste is baked onto the thermistor body to form an electrode. Furthermore, the resistance-temperature characteristics in this table represent the temperature at which the resistance value of the thermistor increases 1000 times, and the life characteristics represent the rate of change in resistance after 3000 hours in an accelerated current test.
第１表
そして、この第１表によれば、従来方法による電極形成
がなされたサーミスタではその特性がサーミスタ素体１
自体よりも劣化してしまうことになるが、本発明方法に
係る実施例１．２においては特性劣化がほとんど生じて
いないことが明らかである。Table 1 According to Table 1, the characteristics of the thermistor whose electrodes are formed by the conventional method are as follows:
However, it is clear that almost no characteristic deterioration occurred in Example 1.2 according to the method of the present invention.
〈発明の効果〉
以上説明したように、本発明に係るサーミスタの製造方
法においては、サーミスタ素体のＴ４電極形成にニッケ
ル・クロム系合金を乾式メツキであるスパッタリングに
よって付着するので、従来の湿式メツキである無電解メ
ツキによるニッケル電極形成時における酸洗やメツキ液
浸漬などの処理を行う必要がない。したがって、これら
の処理に費やす手間を削減することができるとともに、
これらの処理による特性劣化を有効に防止することがで
きる。<Effects of the Invention> As explained above, in the thermistor manufacturing method according to the present invention, a nickel-chromium alloy is attached to the T4 electrode of the thermistor body by sputtering, which is dry plating, so conventional wet plating is not required. When forming nickel electrodes by electroless plating, there is no need to perform treatments such as pickling or immersion in a plating solution. Therefore, the time and effort spent on these processes can be reduced, and
Deterioration of characteristics due to these treatments can be effectively prevented.
また、安定したオーム性接触が得られるニッケル・クロ
ム系合金を電極材料として用いるので、オーム性接触を
得るための処理をわざわざ行う必要がなくなり、これに
伴う特性劣化も防止できることになる。Furthermore, since a nickel-chromium alloy that can provide stable ohmic contact is used as the electrode material, there is no need to carry out any special treatment to obtain ohmic contact, and the resulting deterioration of characteristics can be prevented.
第１図は本発明方法に係るスパッタリング要領を示す説
明図であり、第２図および第３図は電極となるニッケル
・クロム系合金におけるクロムの含存率を選定するため
に行った寿命試験および半田付は性試験それぞれの結果
を示す説明図である。
図における符号１はサーミスタ素体、１ａはその電橋形
成面、２はマスクである。
４ ホ ヰ
Ｘ ８ １
（ご＞ ｆｉ！ ／／）
ふ ン
機 ＼七
婢 肺Fig. 1 is an explanatory diagram showing the sputtering procedure according to the method of the present invention, and Figs. 2 and 3 show the life test and Soldering is an explanatory diagram showing the results of each sex test. In the figure, reference numeral 1 indicates a thermistor element body, 1a indicates an electric bridge forming surface thereof, and 2 indicates a mask. 4 Ho wi X 8 1 (Go> fi! //) Fun machine
Claims (1)
ム系合金をスパッタリングによって付着することを特徴
とするサーミスタの製造方法。(1) A method for manufacturing a thermistor, which comprises depositing a nickel-chromium alloy on the electrode forming surface of the thermistor body by sputtering.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8783688A JPH01259501A (en) | 1988-04-08 | 1988-04-08 | Manufacture of thermistor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8783688A JPH01259501A (en) | 1988-04-08 | 1988-04-08 | Manufacture of thermistor |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01259501A true JPH01259501A (en) | 1989-10-17 |
Family
ID=13926008
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8783688A Pending JPH01259501A (en) | 1988-04-08 | 1988-04-08 | Manufacture of thermistor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01259501A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04105304A (en) * | 1990-08-23 | 1992-04-07 | Murata Mfg Co Ltd | Electrode forming method of porcelain semiconductor element |
| JPH04105303A (en) * | 1990-08-23 | 1992-04-07 | Murata Mfg Co Ltd | Electrode forming method of porcelain semiconductor element |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5410996A (en) * | 1977-06-27 | 1979-01-26 | Mitsubishi Electric Corp | Manufacture of titanium oxide electrode |
-
1988
- 1988-04-08 JP JP8783688A patent/JPH01259501A/en active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5410996A (en) * | 1977-06-27 | 1979-01-26 | Mitsubishi Electric Corp | Manufacture of titanium oxide electrode |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04105304A (en) * | 1990-08-23 | 1992-04-07 | Murata Mfg Co Ltd | Electrode forming method of porcelain semiconductor element |
| JPH04105303A (en) * | 1990-08-23 | 1992-04-07 | Murata Mfg Co Ltd | Electrode forming method of porcelain semiconductor element |
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