JPH01258416A - Vapor growth method - Google Patents
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は気相成長方法に関し、特に、シリコン（Ｓｉ）
の気相エピタキシャル成長方法に関する。[Detailed Description of the Invention] [Industrial Application Field] The present invention relates to a vapor phase growth method, and in particular, to a method for growing silicon (Si).
This invention relates to a vapor phase epitaxial growth method.
従来、この種の気相成長方法は、Ｓｉの原料ガスである
シラン系ガス（Ｓ ｉ Ｈ４，Ｓ ｉ ＨｔＣＩＩ ｔ
。Conventionally, this type of vapor phase growth method uses silane-based gases (S i H4, S i HtCII t
.
５ｉＨｃＩｌｓ、Ｓ １ｃｅ４等）をＳｉウェハー表面
に均一に供給するため、大量の水素（Ｈ２）ガスをキャ
リアーガスとして用いるものとなっていた。5iHcIls, S1ce4, etc.) on the Si wafer surface, a large amount of hydrogen (H2) gas is used as a carrier gas.
これは、塩素を含むシラン（例えば５ｉＣＩ１．。This is a chlorine-containing silane (eg 5iCI1.
５ｉＨＣＪｓ等）では％ Ｈｚによる還元反応がエピタ
キシャル反応の主反応である事、また、望ましくない反
応を生じさせない事が、その主な選択理由となっていた
。5iHCJs, etc.), the main reasons for its selection were that the reduction reaction by % Hz is the main reaction of the epitaxial reaction and that it does not cause undesirable reactions.
上述した従来の気相成長方法はシラン系ガスのキャリア
ーガスとしてＨ３を用いているが、Ｈ２は低分子量のガ
スであるのに対し、Ｓｔの原料となるシラン系ガスは高
分子量のガスであり、Ｓｉウェハー表面に均一にシラン
系ガスを供給するには数百１２ ／ ｆｆｌ１！１とい
うような大量のＮ２ガスを特徴とする特に、Ｓｉエピタ
キシャルウェハーの低価格化をはかるため１回のエピタ
キシャル成長で、多数枚の大口径Ｓｉウェハーを処理し
ようとするならば、さらに大量のＮ２ガスが必要となる
。このように、従来の気相エピタキシャル成長方法では
、エピタキシャル成長装置以外にもＮ２の供給、排ガス
処理に極めて大型の付帯設備を必要となる。The conventional vapor phase growth method described above uses H3 as a carrier gas for the silane gas, but H2 is a low molecular weight gas, whereas the silane gas that is the raw material for St is a high molecular weight gas. In order to uniformly supply a silane gas to the surface of a Si wafer, a large amount of N2 gas (several 12/ffl1!1) is required.In particular, in order to reduce the cost of Si epitaxial wafers, it is necessary to If a large number of large-diameter Si wafers are to be processed, a larger amount of N2 gas is required. As described above, the conventional vapor phase epitaxial growth method requires extremely large auxiliary equipment in addition to the epitaxial growth apparatus for supplying N2 and treating exhaust gas.
以上のように、大量のＮ２を必要とするという事は、Ｓ
ｉエピタキシャルウェハーの低コスト化の大きな障害と
なる。As mentioned above, the need for a large amount of N2 means that S
This is a major obstacle to reducing the cost of i-epitaxial wafers.
これに対処するため、シラン系ガスのキャリアーガスと
して、原子量の大きい希ガス（例えばアルゴン）を用い
る事も考えられる。希ガスをキャリアーガスとして用い
る事により、Ｎ２の使用量は大幅に低減できるが、希ガ
ス自体は、比較的高価格であり、Ｓｉエピタキシャルウ
ェハーの低コスト化という観点からは、最良の改善策と
は言い難い。To cope with this problem, it may be possible to use a rare gas with a large atomic weight (for example, argon) as a carrier gas for the silane-based gas. By using a rare gas as a carrier gas, the amount of N2 used can be significantly reduced, but the rare gas itself is relatively expensive, and from the perspective of reducing the cost of Si epitaxial wafers, it is not the best improvement measure. It's hard to say.
本発明の気相成長方法は、塩化シリコンを原料ガスとす
るＳｉ気相エピタキシャル成長、もしくは、１０００℃
以下のＳｉ気相エピタキシャル成長において、Ｓｉの原
料となるシラン系ガスのキャリアーガスの一部もしくは
全部にＮ２を用いる事を特徴としている。The vapor phase growth method of the present invention is Si vapor phase epitaxial growth using silicon chloride as a raw material gas or
In the following Si vapor phase epitaxial growth, N2 is used as part or all of the carrier gas for the silane gas that is the raw material for Si.
シラン系ガスとしては、好ましくは、テトラクロロシリ
コン（Ｓ ｉＣＩＩ ４）、）リクロロシリコン（Ｓ
ｉ ＨＣ（ｌ ｓ）、ジク四ロシリコン（ＳｉＨｚＣβ
２）、モノシラン（ＳｉＨ＜）が用いられ、このシラン
系ガスにＳｉＨ４，５ｉＨ２Ｃｊｌ’ｚを用いたときに
は、特にシリコンの気相エピタキシャル成長温度が１０
００℃以下に選ばれる。The silane-based gas is preferably tetrachlorosilicon (S iCII 4), )lichlorosilicon (S
i HC (l s), ditetrasilicone (SiHzCβ
2) When monosilane (SiH<) is used and SiH4,5iH2Cjl'z is used as the silane-based gas, especially when the silicon vapor phase epitaxial growth temperature is 10
Selected below 00℃.
また、縦型成長炉を用いる場合には、シリコン基板への
、気相反応に関与するガスの供給が、シリコン基板の近
傍に、はぼ、垂直に立てられたノズル管の管壁に設けら
れた複数の細孔を通して行なわれることが好ましく、さ
らには気相反応に関与するガスの供給が、シリコン基板
の近傍に、はぼ垂直に立てられたノズル管の管壁に設け
られた複数の細孔を通して行なわれることが好ましい。In addition, when using a vertical growth furnace, the gas involved in the gas phase reaction to the silicon substrate is supplied to the wall of a nozzle tube that is vertically erected near the silicon substrate. It is preferable that the gas involved in the gas phase reaction is supplied through a plurality of pores provided in the wall of a nozzle tube erected almost vertically in the vicinity of the silicon substrate. Preferably, this is done through a hole.
本発明は、縦型抵抗加熱炉を利用し、反応管で塩化シリ
コンを原料ガスとするＳｉ気相エピタキシャル成長もし
くは１０００℃以下のＳｉ気相エピタキシャル成長を行
なう場合、Ｓｉの原料となるシラン系ガスのキャリアー
ガスの一部または全部にＮ２を用いる事で、Ｓｉエピタ
キシャルウェハーの低価格化が促進される。The present invention utilizes a vertical resistance heating furnace to perform Si vapor phase epitaxial growth using silicon chloride as a raw material gas in a reaction tube or Si vapor phase epitaxial growth at 1000°C or less. By using N2 as part or all of the gas, cost reduction of Si epitaxial wafers is promoted.
従来、Ｓｉ気相エピタキシャル成長において、Ｎ２はシ
ラン系ガスと反応してシリコンの窒化物を形成する事、
また、形成されたＳｉエピタキシャル膜を直接窒化する
事でＳｉエピタキシャル膜の結晶性を著しく低下させる
と考えられて来た。Conventionally, in Si vapor phase epitaxial growth, N2 reacts with silane-based gas to form silicon nitride.
Furthermore, it has been thought that directly nitriding the formed Si epitaxial film significantly reduces the crystallinity of the Si epitaxial film.
しかし、ＳｉＣｌ２や５ｉＨＣｎｓ等の塩化シリコンを
原料ガスとしてＳｉエピタキシャル成長を行なう場合、
気相では、塩化シリコンのＮ２による還元反応のみが選
択的に進行する。また、減圧下であれば、Ｓｉエピタキ
シャル膜の窒化反応も起こらない。However, when performing Si epitaxial growth using silicon chloride such as SiCl2 or 5iHCns as a raw material gas,
In the gas phase, only the reduction reaction of silicon chloride with N2 proceeds selectively. Furthermore, under reduced pressure, the nitriding reaction of the Si epitaxial film does not occur.
また、１０００℃以下の反応温度では、Ｎ２自体が本来
不活性である事から、塩化シリコンのみならず、シラン
系ガスを用いても、気相においても、Ｓｉエピタキシャ
ル膜表面においても窒化反応は起こらない。Furthermore, since N2 itself is inherently inert at a reaction temperature of 1000°C or lower, nitriding reactions do not occur not only with silicon chloride but also with silane gas, in the gas phase, and on the surface of the Si epitaxial film. do not have.
次に本発明について図面を参照して説明する。 Next, the present invention will be explained with reference to the drawings.
第１図は本発明の気相成長方法を適用したＳｉ気相エピ
タキシャル成長装置の縦断面図である。FIG. 1 is a longitudinal sectional view of a Si vapor phase epitaxial growth apparatus to which the vapor phase growth method of the present invention is applied.
反応管は外管１と内管２からなる２重管構造であり、内
管２には排気のための複数の細孔３が設けられている。The reaction tube has a double tube structure consisting of an outer tube 1 and an inner tube 2, and the inner tube 2 is provided with a plurality of pores 3 for exhaust.
内管２の内部には、Ｓ ｉウェハー４をほぼ水平に保持
する回転可能な基板ホルダー５が設けられている。また
外管１には排気口６が設けられている。反応に関与する
ガスを供給するためにはノズル管７，８が設けられ、各
ノズル管には、Ｓｉウェハー４保持されている位置に対
応する細孔が開孔している。外管１は外部から気密を保
つように架台９に固定されている。Ｓｉウェハーの加熱
は、抵抗加熱炉１０を用いて行なわれる。A rotatable substrate holder 5 that holds the Si wafer 4 substantially horizontally is provided inside the inner tube 2 . Further, the outer tube 1 is provided with an exhaust port 6. Nozzle pipes 7 and 8 are provided to supply gases involved in the reaction, and each nozzle pipe has a pore corresponding to the position where the Si wafer 4 is held. The outer tube 1 is fixed to a frame 9 so as to maintain airtightness from the outside. The Si wafer is heated using a resistance heating furnace 10.
次に、以上説明したＳｉ気相エピタキシャル成長装置を
用い、本発明によるＳｉ気相エピタキシャル成長の一例
を示す。Next, an example of Si vapor phase epitaxial growth according to the present invention will be described using the Si vapor phase epitaxial growth apparatus described above.
基板ホルダー５に、直径１５０ｍｍのＳｉウェハー４を
７５枚、８止間隔で保持し１０ｒｐｍで回転させ、ノズ
ル管７よりＨｌ ２５ ＩＩ ／ ｍｉｎ、ノズル管８
よりＮ２３０ ＩＩ／ｗｎを流し、反応管内の圧力を１
０Ｔｏｒｒ、温度を９５０℃とした。その後、Ｎ２．Ｎ
２はそのままの状態で流し続け、ノズル管８より５ｉＨ
ｚＣＡｉを５００ ｍ ＩＩ ／ｒＩｊｍ、 Ｂ ＊Ｈ
ｓを０．０１ｍｉ７７ａｍ流し、圧力は１０Ｔｏｒｒに
維持してＳｉの気相エピタキシャル成長を行なった。そ
の結果、７５枚全てのＳｉウェハーに１０μｍの膜厚の
エピタキシャル膜が形成され、膜厚分布は±５％以内、
電気抵抗分布は±６％以内と良好であった。また、気相
で窒化反応が起こらないためシリコン窒化物による微粒
子汚染もなかった。さらに、シリコン窒化物がエピタキ
シャル膜にとり込まれて生ずるウェハー表面のクモリも
全く観察されなかった。これに対し、ノズル管８よりＨ
ｌをキャリアーガスとして流し、Ｎ２キャリアーガスと
同等の膜厚分布、電気抵抗分布を得るためには、ノズル
管８から流すＮ２を１０（１７／ｍｉｎ以上にする必要
があった。また、本実施例、では反応温度を９５０℃と
したが、反応温度を９７５℃。Seventy-five Si wafers 4 with a diameter of 150 mm were held in the substrate holder 5 at 8 stop intervals and rotated at 10 rpm, and the nozzle pipe 7 was heated with Hl 25 II/min.
Flow N230 II/wn to reduce the pressure inside the reaction tube to 1
The temperature was 0 Torr and 950°C. After that, N2. N
2 continues to flow as it is, and from nozzle pipe 8 5iH
zCAi to 500 m II /rIjm, B *H
Vapor phase epitaxial growth of Si was performed by flowing 0.01 mi 77 am of s and maintaining the pressure at 10 Torr. As a result, epitaxial films with a thickness of 10 μm were formed on all 75 Si wafers, and the film thickness distribution was within ±5%.
The electrical resistance distribution was good within ±6%. Furthermore, since no nitriding reaction occurred in the gas phase, there was no particulate contamination caused by silicon nitride. Further, no clouding on the wafer surface caused by silicon nitride incorporated into the epitaxial film was observed. On the other hand, from the nozzle pipe 8
In order to flow N2 as a carrier gas and obtain the same film thickness distribution and electrical resistance distribution as N2 carrier gas, it was necessary to increase the flow rate of N2 from the nozzle pipe 8 to 10 (17/min or more). In the example, the reaction temperature was 950°C, but the reaction temperature was 975°C.
１０００℃、１０２５℃、１０５０℃として成長を行な
ったところ、１０２５℃以上ではエピタキシャル膜にシ
リコン窒化物によるクモリ、微粒子汚染が発生し、高温
になる程、エピタキシャル膜の膜質が低下する傾向が認
められた。When growth was performed at temperatures of 1000°C, 1025°C, and 1050°C, it was found that clouds and particulate contamination due to silicon nitride occurred in the epitaxial film at temperatures above 1025°C, and the film quality of the epitaxial film tended to deteriorate as the temperature increased. Ta.
また、本実施例ではＳｉの原料ガスとして５ｉＨｚＣｊ
’ｚを用いたが、モノシラン（ＳｉＨｔ）を用いても同
等の結果を得た。In addition, in this example, 5iHzCj was used as the raw material gas for Si.
'z was used, but equivalent results were obtained using monosilane (SiHt).
以下に第１図で示したＳｉ気相エピタキシャル成長装置
を用いて、本発明の第２のＳｉ気相エピタキシャル成長
例を示す、前述した成長例と同様に、直径１５０閣のＳ
ｉウェハー７５枚を１Ｏｒｐｍで回転させ、ノズル管７
よりＨｌ ３０１２ ／ｒｉｍｓ ノズル管８よりＮ！
３５１２／＝を流し、反応管内圧力を８０Ｔｏｒｒ、温
度を１１５０℃とした。続いて、Ｈ２、Ｎ ２はそのま
まの状態で流し、ノズル管８よりＮ２をキャリアーガス
としてバブリングしたＳ ｉ ＣＩＩ ４を１２００ｍ
Ｊ７／ＩＩｔｈＩ％ＰＨｓを０．０１ｍ ＩＩ ／ ｍ
ｉｎ流して反応管内圧力を８０Ｔｏｒｒに維持したまま
Ｓｉの気相エピタキシャル成長を行なった。その結果、
７５枚全てのＳｉウェハーに２．５μｍのエピタキシャ
ル膜が形成され膜厚分布は±５％以内、電気抵抗分布は
±７％以内と良好であった。この成長例においても窒化
反応による微 ４粒子汚染、ウェハー表面のクモリは全
く観察さｈなかった。なお、５ｉＣＡ４に代えてＳ ｉ
ＨＣＩＩ ｓを用いても同様の効果が得られた。A second Si vapor phase epitaxial growth example of the present invention is shown below using the Si vapor phase epitaxial growth apparatus shown in FIG.
75 i-wafers are rotated at 1 Orpm, and the nozzle tube 7
From Hl 3012 /rims Nozzle pipe 8 N!
3512/= was flowed, the pressure inside the reaction tube was 80 Torr, and the temperature was 1150°C. Next, H2 and N2 were flowed as they were, and S i CII 4 was bubbled with N2 as a carrier gas from the nozzle pipe 8 for 1200 m.
J7/IIthI%PHs 0.01m II/m
Vapor phase epitaxial growth of Si was performed while the pressure inside the reaction tube was maintained at 80 Torr. the result,
A 2.5 μm epitaxial film was formed on all 75 Si wafers, and the film thickness distribution was within ±5% and the electrical resistance distribution was within ±7%, which was good. Even in this growth example, no fine particle contamination due to nitriding reaction or clouding on the wafer surface was observed. In addition, instead of 5iCA4, S i
A similar effect was obtained using HCIIs.
以上説明したように本発明は、Ｓｉ気相エピタキシャル
成長において、塩化シリコンを原料ガスとする場合、ま
しくは、１０００℃以下の温度で成長する場合、Ｓ １
の原料ガスであるシラン系ガスのキャリアーガスの一部
または全部にＮ２を用いる事により、Ｓｉエピタキシャ
ルウェハーの価格を大幅に低減できる効果がある。As explained above, the present invention provides Si vapor phase epitaxial growth when silicon chloride is used as a raw material gas, or when the growth is performed at a temperature of 1000° C. or less, S 1
By using N2 as part or all of the carrier gas for the silane-based gas that is the raw material gas, it is effective to significantly reduce the price of Si epitaxial wafers.
従来のように、可燃性のＮ２をキャリアーガスとする場
合は、大型の供給、排ガス処理設備を必要としたが、不
活性でかつ安価なＮ２をキャリアーガスとする事は％
Ｎ２を用いる事によって生じるコスト面での障害を回避
でき、Ｓｉエピタキシャルウェハーの低価格化を著しく
促進するものである。Conventionally, using flammable N2 as a carrier gas required large-scale supply and exhaust gas treatment equipment, but using inert and inexpensive N2 as a carrier gas is less expensive.
The cost problem caused by using N2 can be avoided, and the cost reduction of Si epitaxial wafers can be significantly promoted.
第１図は本発明の実施例に用いられるＳｉ気相エピタキ
シャル成長装置の縦断面図である。
１・・・・・・外管、２・・・・・・内管、３・・・・
・・細孔、４・・・・・・Ｓｉウェハー、５・・・・・
・基板ホルダー、６・旧・・排気口、７・・・・・・ノ
ズル管、８・・・・・・ノズル管、９・旧・・架台、１
０・・・・・・抵抗加熱炉。
代理人 弁理士 内 原 晋FIG. 1 is a longitudinal sectional view of a Si vapor phase epitaxial growth apparatus used in an embodiment of the present invention. 1... Outer pipe, 2... Inner pipe, 3...
...Pore, 4...Si wafer, 5...
・Board holder, 6. Old... Exhaust port, 7... Nozzle pipe, 8... Nozzle pipe, 9. Old... Mount, 1
0...Resistance heating furnace. Agent Patent Attorney Susumu Uchihara
Claims (3)
のシリコン単結晶基板をほぼ水平に積み重ねる様に保持
し、シラン系ガスを原料ガスとして、シリコンの気相エ
ピタキシャル成長を行なう方法において、シラン系ガス
のキャリアーガスの一部もしくは全部に窒素ガスを用い
る事を特徴とする気相成長方法。(1) In a method in which a large number of silicon single crystal substrates are stacked almost horizontally in a reaction tube installed in a vertical resistance heating furnace, and silicon is vapor-phase epitaxially grown using silane-based gas as a raw material gas. , a vapor phase growth method characterized by using nitrogen gas as part or all of the carrier gas for silane-based gas.
ｉＣｌ＿４）、トリクロロシリコン（ＳｉＨＣｌ＿３）
、ジクロロシリコン（ＳｉＨ＿２Ｃｌ＿２）、シラン（
ＳｉＨ＿４）である請求項１記載の気相成長方法。(2) The silane gas is tetrachlorosilicon (S
iCl_4), trichlorosilicon (SiHCl_3)
, dichlorosilicon (SiH_2Cl_2), silane (
The vapor phase growth method according to claim 1, wherein SiH_4) is used.
０℃以下である請求項１記載の気相成長方法。(3) Silicon vapor phase epitaxial growth temperature is 100
The vapor phase growth method according to claim 1, wherein the temperature is 0°C or lower.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8652088A JPH01258416A (en) | 1988-04-08 | 1988-04-08 | Vapor growth method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8652088A JPH01258416A (en) | 1988-04-08 | 1988-04-08 | Vapor growth method |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01258416A true JPH01258416A (en) | 1989-10-16 |
Family
ID=13889262
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8652088A Pending JPH01258416A (en) | 1988-04-08 | 1988-04-08 | Vapor growth method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01258416A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5294572A (en) * | 1989-03-06 | 1994-03-15 | Asm International N.V. | Method and apparatus for depositing a layer on a substrate |
| US6413884B1 (en) | 1997-06-05 | 2002-07-02 | Nec Corporation | Method of producing thin films using current of process gas and inert gas colliding with each other |
| JP2013516085A (en) * | 2009-12-29 | 2013-05-09 | エムイーエムシー・エレクトロニック・マテリアルズ・インコーポレイテッド | Method for processing a silicon-on-insulator wafer |
-
1988
- 1988-04-08 JP JP8652088A patent/JPH01258416A/en active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5294572A (en) * | 1989-03-06 | 1994-03-15 | Asm International N.V. | Method and apparatus for depositing a layer on a substrate |
| US6413884B1 (en) | 1997-06-05 | 2002-07-02 | Nec Corporation | Method of producing thin films using current of process gas and inert gas colliding with each other |
| JP2013516085A (en) * | 2009-12-29 | 2013-05-09 | エムイーエムシー・エレクトロニック・マテリアルズ・インコーポレイテッド | Method for processing a silicon-on-insulator wafer |
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