JPH01256336A - Heating controller of treating device - Google Patents

Heating controller of treating device

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JPH01256336A
JPH01256336A JP8415688A JP8415688A JPH01256336A JP H01256336 A JPH01256336 A JP H01256336A JP 8415688 A JP8415688 A JP 8415688A JP 8415688 A JP8415688 A JP 8415688A JP H01256336 A JPH01256336 A JP H01256336A
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JP
Japan
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gas
temperature
heater
bread
voltage
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Application number
JP8415688A
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Japanese (ja)
Inventor
Yasunori Oyabu
大薮 康典
Norisuke Fukuda
福田 典介
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Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Publication date
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Abstract

PURPOSE:To improve reliability and to prolong life of heating controller in a bread manufacturing device, by recognizing temperature in the vicinity of a gas detector and regulating a heating means of the gas detector so as to carry out heating action corresponding to the recognized temperature. CONSTITUTION:A semiconductor gas sensor 1 consists of a gas detecting part 3 to concentration of a gas generated from bread material, a heater 2 to heat the gas detecting part 3 and a temperature detecting resistant element 4 which recognizes temperature in the vicinity of the gas detecting part 3 and comprises a platinum resistance element having resistance value corresponding to the recognized temperature. Then a transistor 11 is made on and off depending upon control signal of a performing part 12 of bread manufacturing process, application of electric current to the heater 2 is controlled by output of an operation amplifier 10 and proper temperature is always maintained in the vicinity of the gas detector 1. Consequently, improvement in reliability and long life of the gas detector can be attained.

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の目的] (産業上の利用分野) 本発明は、例えば製パン器を含む焙焼器等のように食品
等の被処理物に対して調理、焙焼等の各種処理を流すこ
とにより被処理物から発生するガスの濃度を検出し、こ
の検出したガス濃度に応じて被処理物の処理工程を制御
する処理装置の加熱制御装置に関する。
Detailed Description of the Invention [Objective of the Invention] (Industrial Field of Application) The present invention is applicable to cooking, roasting, etc. for processing objects such as foods, such as roasters including bread makers. The present invention relates to a heating control device for a processing apparatus that detects the concentration of gas generated from an object to be processed through various processes, and controls the processing steps of the object in accordance with the detected gas concentration.

(従来の技術) この種の装置として、例えば製パン器がある。(Conventional technology) An example of this type of device is a bread maker.

製パン器は、小麦粉やイースト等からなるパン材料をこ
ねたり、発酵させたり、焼いたりする各種の処理工程を
順次所定時間ずつ実施することによりパンを作る装置で
あるが、この処理工程は製パン器が置かれている雰囲気
中の温度、湿度等の環境条件や、パン材料を構成する小
麦粉やイースト等の構成比の若干の差により製パン工程
の進行状態に大きな差が発生し、各処理工程に要する時
間が異なってくる。従って、各処理工程を制御するのに
、各処理工程においてパン材料から発生するガス、例え
ばエタノールガスの楢、すなわちガスa度を検出し、こ
の検出したガス濃度に応じて各処理工程の進み具合を判
別し、この判別結果を用いて各処理工程の所要時間を制
御し、これによりパンの出来具合いを均一にしている。
A bread maker is a device that makes bread by sequentially performing various processing steps such as kneading, fermenting, and baking bread ingredients such as flour and yeast for a predetermined period of time. There are large differences in the progress of the bread making process due to environmental conditions such as temperature and humidity in the atmosphere in which the bread maker is placed, and slight differences in the composition ratio of flour, yeast, etc. that make up the bread ingredients. The time required for the treatment process varies. Therefore, in order to control each processing step, the degree of gas emitted from bread ingredients, such as ethanol gas, is detected in each processing step, and the progress of each processing step is determined according to the detected gas concentration. The results of this determination are used to control the time required for each processing step, thereby making the bread uniform in quality.

ところで、上述したように、各処理工程においてパン材
料から発生するガス濃度を検出するガス検出器として、
半導体ガスセンサが使用されていス る。この半導体ガ埜センサは、検出したガス濃度に応じ
てガス感知部の抵抗値が変化するので、この変化する抵
抗値をガス濃度検出値として取り出し、このガス濃度検
出値を各処理工程毎に設定されている所定の設定値と比
較することにより各処理工程の終了時点を識別している
。例えば、発酵工程においてはパン材料から発生するガ
ス濃度が増大するが、この増大したガス濃度を検出し、
このガス濃度検出値が所定の設定値に達したとき、発酵
工程が終了したものと識別し、次に焼き工程に進むよう
にしている。また、焼き工程では、ガスa度が減少する
が、この減少したガス濃度検出値が焼き工程における所
定の設定値に達したとき、焼き工程の終了と識別してい
る。
By the way, as mentioned above, as a gas detector that detects the gas concentration generated from bread ingredients in each processing step,
Semiconductor gas sensors are used. In this semiconductor gas sensor, the resistance value of the gas sensing part changes depending on the detected gas concentration, so this changing resistance value is extracted as the gas concentration detection value, and this gas concentration detection value is set for each processing process. The end point of each processing step is identified by comparing it with a predetermined set value. For example, in the fermentation process, the gas concentration generated from bread ingredients increases, and this increased gas concentration can be detected,
When this detected gas concentration value reaches a predetermined set value, it is determined that the fermentation process has ended, and the next step is to proceed to the baking process. Further, in the baking process, the gas degree A decreases, and when this reduced gas concentration detection value reaches a predetermined set value in the baking process, it is determined that the baking process has ended.

半導体ガスセン法は、例えば第5図に示す温度特性図の
ように、ガス感知部の温度が低い場合には、曲線(イ)
で示すガスがない空気中の雰囲気内での感知抵抗値と曲
線(ロ)で示すエタノールガスがある雰囲気中での感知
抵抗値との差が大きく、ガスに対する感度が大きいが、
半導体ガスセンサのガス感知部は温度が低い程、ガス濃
度の変化に対する抵抗値の変化時間、すなわち応答時間
が長くなるので、このような場合にも応答時間を早くす
るために、半導体ガスセンサにヒータを内蔵し、このヒ
ータに従来一定電圧を印加して半導体ガスセンサのガス
感知部を加熱し、これにより常に応答時間を早くしてい
る。
In the semiconductor gas sensing method, for example, as shown in the temperature characteristic diagram shown in Figure 5, when the temperature of the gas sensing part is low, the curve (a)
There is a large difference between the sensing resistance value in an atmosphere without gas, shown by curve (b), and the sensing resistance value in an atmosphere with ethanol gas, shown in curve (b), and the sensitivity to gas is large.
The lower the temperature of the gas sensing part of a semiconductor gas sensor, the longer the time it takes for the resistance value to change in response to changes in gas concentration, that is, the response time.In order to speed up the response time in such cases, it is recommended to install a heater in the semiconductor gas sensor. Conventionally, a constant voltage is applied to this heater to heat the gas sensing part of the semiconductor gas sensor, thereby constantly increasing the response time.

(発明が解決しようとする課題) 一般に、製パン器における発酵工程の時の半導体ガスセ
ンサのガス感知部の雰囲気温度は約30℃であるのに対
して、焼き工程の時のガス感知部の雰囲気温度は約15
0℃であるが、このように処理工程によって半導体ガス
センサのガス感知部の雰囲気温度が大きく変化するにも
関わらず、半導体ガスセンサに内蔵されているヒータに
印加される電圧を従来のように一定のままとし、ヒータ
からの加熱動作を一定にしたままでは、ガス感知部の雰
囲気温度は発酵工程の場合と焼き工程の場合とで著しく
異なり、焼き工程の場合のガス感知部の雰囲気温度は非
常に高温になるので、ガス感知部の経時劣化が早く、寿
命が短くなるという問題があるとともに、また焼き工程
の場合は発酵工程の場合に比較してパン材料から発生す
るガスが少ないので、半導体ガスセンサは低いガス濃度
を検出しなければならないのに対して、半導体ガスセン
サは、第5図に示すようにガス感知部の雰囲気温度が高
い程、ガス感知能力が低下するという特性を有している
上に、焼き工程は発酵工程の場合に比較して温度が高く
なるため、ガス感知能力が低下するという問題がある。
(Problem to be Solved by the Invention) Generally, the ambient temperature of the gas sensing part of a semiconductor gas sensor during the fermentation process in a bread maker is about 30°C, whereas the atmosphere of the gas sensing part during the baking process The temperature is about 15
0°C, but despite the fact that the ambient temperature of the gas sensing part of the semiconductor gas sensor changes greatly depending on the processing process, the voltage applied to the heater built into the semiconductor gas sensor is kept constant as in the past. If the heating operation from the heater remains constant, the ambient temperature of the gas sensing section will be significantly different between the fermentation process and the baking process; Due to the high temperatures, the gas sensing part deteriorates quickly over time, shortening its lifespan.In addition, in the baking process, less gas is generated from bread ingredients than in the fermentation process, so semiconductor gas sensors In contrast, semiconductor gas sensors have the characteristic that their gas sensing ability decreases as the ambient temperature of the gas sensing part increases, as shown in Figure 5. Second, since the temperature in the baking process is higher than that in the fermentation process, there is a problem in that the gas sensing ability is reduced.

本発明は、上記に名みてなされたもので、その目的とす
るところは、ガス検出器の近傍の温度を適切な温度に制
御し、ガス検出器の検出感度の低下および経時劣化防止
する処理装置の加熱制御装置を提供することにある。
The present invention has been made in view of the above, and its purpose is to control the temperature in the vicinity of a gas detector to an appropriate temperature, and to prevent the detection sensitivity of the gas detector from decreasing and deteriorating over time. An object of the present invention is to provide a heating control device.

[発明の構成] (UR題を解決覆るための手段) 上記目的を達成するため、本発明の処理装置の加熱制御
装置は、被処理物を処理することで被処理物から発生す
るガスの濃度をガス検出器で検出し、この検出したガス
濃度に応じて被処理物の処理工程を制御する処理装置の
加熱制御装置であって、前記ガス検出器を加熱する加熱
手段と、前記ガス検出器近傍の温度を検出する温度検出
手段と、該温度検出手段で検出した温度に応じた加熱動
作を行うように前記加熱手段を制御する加熱制御手段と
を有することを要旨とする。
[Structure of the Invention] (Means for Solving and Overcoming the UR Problem) In order to achieve the above object, the heating control device for the processing apparatus of the present invention controls the concentration of gas generated from the processing object by processing the processing object. A heating control device for a processing apparatus that detects gas concentration with a gas detector and controls a processing step of an object to be treated according to the detected gas concentration, the heating control device comprising: a heating means for heating the gas detector; and a heating means for heating the gas detector; The gist is to include a temperature detection means for detecting the temperature in the vicinity, and a heating control means for controlling the heating means so as to perform a heating operation according to the temperature detected by the temperature detection means.

(作用) 本発明の処理装置の加熱制御装置では、ガス検出器近傍
の温度を検出し、この検出した温度に応じた加熱動作を
行うようにガス検出器の加熱手段を制御している。
(Function) The heating control device for the processing apparatus of the present invention detects the temperature near the gas detector and controls the heating means of the gas detector to perform a heating operation according to the detected temperature.

(実施例) 以下、図面を用いて本発明の詳細な説明する。(Example) Hereinafter, the present invention will be explained in detail using the drawings.

第1図は本発明の一実流例に係る処理装置の加熱制tI
l装置の回路図である。同図に示す実施例は、処理装置
として、例えば製パン器を構成するものであり、パン材
料をごねたり、発酵させたり、焼く等の製パン器の各処
理工程を実行する製パン工程実行部12を有するととも
に、各処理工程の状態を判断する状態判断部13および
該状態判断部13に接続され、該状態判断部13によっ
て制御されるヒータ14、こねモータ15、フ1ン16
を有する。
FIG. 1 shows a heating system tI of a processing apparatus according to an actual flow example of the present invention.
FIG. 1 is a circuit diagram of the device. The embodiment shown in the figure is a processing device that constitutes a bread maker, for example, and is used in a bread making process that executes each process of the bread maker, such as kneading, fermenting, and baking bread ingredients. A state determining section 13 which includes an execution section 12 and determines the state of each processing step; a heater 14, a kneading motor 15, and a fan 16 connected to the state determining section 13 and controlled by the state determining section 13;
has.

また、第1図の処理装置の加熱制御装置は、パン材料を
発酵させたり、焼くことによりパン材料から発生するガ
スの濃度を検出する半導体ガスセンサ1を有する。この
半導体ガスセンサ1は、パン材料から発生するガス濃度
を感知するガス感知部3と、該ガス感知部3を加熱する
ヒータ2と、ガス感知部3の近傍の温度を検出し、この
検出した温度に応じた抵抗値を有する白金抵抗体等から
なる温度検出抵抗体4とを有する。
Further, the heating control device of the processing apparatus shown in FIG. 1 includes a semiconductor gas sensor 1 that detects the concentration of gas generated from bread materials when the bread materials are fermented or baked. This semiconductor gas sensor 1 includes a gas sensing section 3 that senses the concentration of gas generated from bread ingredients, a heater 2 that heats the gas sensing section 3, and a temperature near the gas sensing section 3. The temperature detection resistor 4 is made of a platinum resistor or the like and has a resistance value corresponding to the temperature.

温度検出抵抗体4は、一端が電源Eの負極側に接続され
、他端が抵抗7およびトランジスタ11の直列回路を介
して電源Eの正極側に接続されている。直列に接続され
た抵抗7およびトランジスタ11の両端には抵抗6が並
列に接続されている。
The temperature detection resistor 4 has one end connected to the negative electrode side of the power source E, and the other end connected to the positive electrode side of the power source E via a series circuit of a resistor 7 and a transistor 11. A resistor 6 is connected in parallel to both ends of the resistor 7 and transistor 11, which are connected in series.

ヒータ2は、一端が電源Eの負極側に接続され、他端が
オペアンプ10の出力に接続されている。
The heater 2 has one end connected to the negative electrode side of the power source E, and the other end connected to the output of the operational amplifier 10.

オペアンプ10は、出力と反転入力との間に抵抗9が接
続されるとともに、反転入力と電源Eの正極側との間に
抵抗8が接続され、これにより非反転増幅器を構成して
いる。
In the operational amplifier 10, a resistor 9 is connected between the output and the inverting input, and a resistor 8 is connected between the inverting input and the positive side of the power source E, thereby forming a non-inverting amplifier.

また、オペアンプ10の非反転入力が前記41X検出抵
抗体4と抵抗7,6との接続点に接続され、これにより
温度検出抵抗体4と抵抗6またば抵抗6および7とによ
って電源Eの電圧■1を分圧した分圧電圧■2がオペア
ンプ10の非反転入力に供給され、これがオペアンプ1
0によって非反転増幅されて、オペアンプ10の出力か
ら半導体ガスセンサ1のヒータ2に供給されるようにな
っている。すなわち、温度検出抵抗体4と抵抗6または
抵抗6および7とによって決定される分圧電圧■2は温
度検出抵抗体4の抵抗値によって変化するが、この変化
する分圧電圧■2がオペアンプ10からなる非反転増幅
器を介してヒータ2に供給され、これにより温度検出抵
抗体4で検出したガス感知部3の近傍の温度に応じてヒ
ータ2による加熱動作が変化するようになっている。
In addition, the non-inverting input of the operational amplifier 10 is connected to the connection point between the 41X detection resistor 4 and the resistors 7 and 6, so that the temperature detection resistor 4 and the resistor 6 or the resistors 6 and 7 The divided voltage ■2 obtained by dividing ■1 is supplied to the non-inverting input of the operational amplifier 10, and this
0, and is supplied to the heater 2 of the semiconductor gas sensor 1 from the output of the operational amplifier 10. That is, the divided voltage (2) determined by the temperature detection resistor 4 and the resistor 6 or the resistors 6 and 7 changes depending on the resistance value of the temperature detection resistor 4, and this changing divided voltage (2) is determined by the operational amplifier 10. The gas is supplied to the heater 2 via a non-inverting amplifier consisting of a non-inverting amplifier, so that the heating operation by the heater 2 changes depending on the temperature near the gas sensing section 3 detected by the temperature detection resistor 4.

また、半導体ガスセンサ1のガス感知部3は、一端が電
源Eの負極側に接続され、他端が抵抗18を介して電源
Eの正極側に接続され、これによりガス感知部3の抵抗
値と抵抗18とで電源Eの電圧を分圧した分圧電圧が状
態判断部13に供給され、この結果、ガス感知部3の抵
抗値の変化、すなわちガス感知部3が検出したガス濃度
の変化が状態判断部13に供給されるようになっている
Further, the gas sensing section 3 of the semiconductor gas sensor 1 has one end connected to the negative electrode side of the power source E, and the other end connected to the positive electrode side of the power source E via the resistor 18, so that the resistance value of the gas sensing section 3 and A divided voltage obtained by dividing the voltage of the power source E with the resistor 18 is supplied to the state determining section 13, and as a result, a change in the resistance value of the gas sensing section 3, that is, a change in the gas concentration detected by the gas sensing section 3 is detected. The information is supplied to the state determining section 13.

状態判断部13はこのガス感知部3から抵抗値の変化と
して供給されるガス濃度信号の所定の設定値と比較し、
各処理工程の終了を識別するようになっている。なお、
前記オペアンプ10、トランジスタ11および抵抗6〜
9からなる回路は電圧制御回路5を構成している。
The state determining unit 13 compares the gas concentration signal supplied as a change in resistance value from the gas sensing unit 3 with a predetermined set value,
The end of each processing step is identified. In addition,
The operational amplifier 10, the transistor 11, and the resistor 6~
The circuit consisting of 9 constitutes the voltage control circuit 5.

第2図は半導体ガスセンサ1のガス感知部3の近傍の雰
囲気温度に対するヒータ電圧の変化、すなわちヒータ2
に供給されるオペアンプ10からの出力電圧の変化を示
すグラフである。横軸の雰囲気温度には発酵処理におけ
る温度と焼き処理における温度が示されているが、発酵
処理時の温度は例えば30℃近辺とかなり低いが、焼き
処理時の例えば150℃近辺とかなり高いものであるの
で、同図において、曲線(a)で示す発酵処理時にヒー
タ2に供給されるヒータ電圧は、曲線(b)で示す焼き
処理時にヒータ2に供給されるヒータ電圧よりも高くな
るように設定され、これにより発酵処理時のガス感知部
3の近傍の温度は約400℃に制御され、また焼き処理
時のガス感知部3の近傍の温度は約350℃に制御され
るようになっている。
FIG. 2 shows the change in heater voltage with respect to the ambient temperature near the gas sensing section 3 of the semiconductor gas sensor 1, that is, the heater 2
2 is a graph showing changes in the output voltage from the operational amplifier 10 supplied to the operational amplifier 10; The atmospheric temperature on the horizontal axis shows the temperature during fermentation and the temperature during baking. The temperature during fermentation is quite low, for example around 30°C, but the temperature during baking is quite high, for example around 150°C. Therefore, in the figure, the heater voltage supplied to the heater 2 during the fermentation process shown by the curve (a) is set to be higher than the heater voltage supplied to the heater 2 during the baking process shown by the curve (b). As a result, the temperature near the gas sensing section 3 during fermentation processing is controlled to approximately 400°C, and the temperature near the gas sensing section 3 during baking processing is controlled to approximately 350°C. There is.

次に、第3図の処理工程の流れ図も参照して作用を説明
する。
Next, the operation will be explained with reference to the flowchart of the processing steps shown in FIG.

まず、パン材料を製パン器に入れると、製パン工程実行
部12の制御によりこねモータ15、ファン16、ヒー
タ14が逐次動作し、これにより第3図の(a) 、 
(b) 、 (c) 、 (d)に示すように、パン材
料をこねる処理、−次発酵処理、ガス抜き、二次発酵処
理、ガスI友き、成形梵酵処理、焼ぎ処理、熱さまし処
理等が順次実施される。
First, when bread ingredients are put into the bread maker, the kneading motor 15, fan 16, and heater 14 are sequentially operated under the control of the bread making process execution unit 12, and as a result, as shown in FIG. 3(a),
As shown in (b), (c), and (d), the process of kneading the bread ingredients, the secondary fermentation process, degassing, secondary fermentation process, gas I release, forming and fermentation process, baking process, and heat treatment. Improvement processing etc. will be carried out sequentially.

また、このような処理動作によりパン材料の体積および
温度は第3図の(c)、 (f)に示すように変化する
とともに、パン材料がこねる処理、発酵処理、また焼き
処理等を施されることにより、これらの各処理において
パン材料からエタノール等のガスが発生する。このガス
81度は第3図の(0)に示すように変化し、このガス
濃度は半導体ガスセンサ1の感知部3によって検出され
る。
In addition, due to such processing operations, the volume and temperature of the bread ingredients change as shown in Figure 3 (c) and (f), and the bread ingredients are subjected to kneading, fermentation, baking, etc. As a result, gas such as ethanol is generated from the bread ingredients in each of these processes. The 81 degrees of this gas changes as shown in (0) in FIG. 3, and the gas concentration is detected by the sensing section 3 of the semiconductor gas sensor 1.

一方、製パン器の初期時、および焼き処理前のこねる処
理や発酵処理においては、電圧制御回路5のトランジス
タ11は、製パン工程実行部12の制御によりオン状態
にあり、これにより半導体ガスセンυ1の温度検出抵抗
体4と抵抗6および7とによる分圧電圧■2に対応する
ヒータ電圧がオペアンプ10を介して半導体ガスセンサ
1のヒータ2に供給されているが、この時の分圧電圧V
2に対応するヒータ電圧は温度検出抵抗体4の抵抗値に
対して抵抗6および7の並列抵抗で形成されるため、前
jホした第2図の曲線(a)に対応する比較的高いヒー
タ電圧に設定され、これによりガス感知部3の近傍の雰
囲気温度は前述したように約400 ’Cに設定される
ようになっている。
On the other hand, at the initial stage of the bread maker and during the kneading process and the fermentation process before the baking process, the transistor 11 of the voltage control circuit 5 is in an on state under the control of the bread making process execution unit 12, and as a result, the semiconductor gas sensor υ1 The heater voltage corresponding to the divided voltage (2) generated by the temperature detection resistor 4 and the resistors 6 and 7 is supplied to the heater 2 of the semiconductor gas sensor 1 via the operational amplifier 10. At this time, the divided voltage V
Since the heater voltage corresponding to 2 is formed by the parallel resistance of the resistors 6 and 7 with respect to the resistance value of the temperature detection resistor 4, a relatively high heater voltage corresponding to the curve (a) in FIG. As a result, the ambient temperature near the gas sensing section 3 is set to approximately 400'C as described above.

このようにヒータ2によりガス感知部3の近傍の雰囲気
温度が約400℃に設定された状態でこねる処理、発酵
処理等が行われている間に、パン材料が発生する雰囲気
中のガス濃度は、第3図((+ )に示すように徐々に
増加し、成形発酵の終わりにおいては第1の設定値P1
に達する濃度までに増加するが、このガスm度は半導体
ガスセンサ1のガス感知部3で検出され、電圧信号とし
て状態判断部13に供給され、状態判断部13において
前記第1の設定値P1と比較される。そして、状態判断
部13は、ガス感知部3で検出したガス′a度が第1の
設定値P1に達したことを識別すると、状態判断部13
はこの識別信号を製パン工程実行部12に供給し、成形
発酵が終了したことを検出する。
In this way, while the kneading process, fermentation process, etc. are being performed with the ambient temperature near the gas sensing unit 3 set to approximately 400°C by the heater 2, the gas concentration in the atmosphere generated by the bread ingredients is , gradually increases as shown in FIG.
The gas concentration increases until the concentration reaches the first setting value P1, and this gas temperature is detected by the gas sensing section 3 of the semiconductor gas sensor 1, and is supplied as a voltage signal to the state determining section 13. be compared. Then, when the state determining section 13 identifies that the gas 'a degree detected by the gas sensing section 3 has reached the first set value P1, the state determining section 13
supplies this identification signal to the bread making process execution section 12 and detects that the forming fermentation has ended.

製パン工程実行部12は、状態判断部13からの識別信
号により成形発酵が終了したことを検出すると、製パン
器は焼き工程に入り、電圧制御回路5のトランジスタ1
1をオフし、抵抗7を分圧回路から除去する。この結果
、温度検出抵抗体4に対する分圧回路の抵抗は抵抗6の
みとなるので、該分圧回路からの分圧電圧■2は小さく
なる。従って、この小さくなった分圧電圧■2をオペア
ンプ10を介してヒータ2に印加し、これによりガス感
知部3の近傍の雰囲気温度をあまり上昇させないように
Lノでいる。
When the bread making process execution unit 12 detects that the forming fermentation has been completed based on the identification signal from the status determination unit 13, the bread making machine enters the baking process, and the transistor 1 of the voltage control circuit 5 is activated.
1 is turned off and resistor 7 is removed from the voltage divider circuit. As a result, the only resistance of the voltage dividing circuit with respect to the temperature detecting resistor 4 is the resistor 6, so that the divided voltage (2) from the voltage dividing circuit becomes small. Therefore, this reduced partial voltage (2) is applied to the heater 2 via the operational amplifier 10, so that the ambient temperature in the vicinity of the gas sensing section 3 does not rise too much.

すなわち、焼き工程においては、製パン器からの発熱は
非常に大きく、このため半導体ガスセンサ1のガス感知
部3の近傍の温度もかなり高くなるので、ヒータ2に印
加されるヒータ電圧をトランジスタ11のオフによる抵
抗7の除去により低減し、これによりヒータ2からの発
熱を低減し、ガス感知部3の近傍の雰囲気温度を前述し
たように約350℃程度の比較的低い温度に設定するよ
うに制御し、半導体ガスセンサ1のガス濃度感度があま
りの高温のために低下しないようにするとともに、また
半導体ガスセンサ1の劣化も防止しているのである。
That is, in the baking process, the heat generated from the bread maker is very large, and the temperature near the gas sensing part 3 of the semiconductor gas sensor 1 also becomes quite high. By removing the resistance 7 by turning off, the heat generation from the heater 2 is reduced, and the ambient temperature near the gas sensing part 3 is controlled to be set to a relatively low temperature of about 350°C as described above. This prevents the gas concentration sensitivity of the semiconductor gas sensor 1 from decreasing due to excessively high temperatures, and also prevents the semiconductor gas sensor 1 from deteriorating.

焼き工程においてパン材料から発生するガス濃度は、発
酵工程に比較して少なく、第3図((1’)に示すよう
に低減してくるが、このガス濃度はガス感知部3で検出
されて、状態判断部13に供給され、第2の設定値P2
と比較される。ガス感知部3で検出したガス濃度が第2
の設定値P2に達すると、焼き工程が終了する。焼き工
程の後は、熱さまし処理を行い、これにより製パン処理
は終了する。
The gas concentration generated from the bread ingredients in the baking process is lower than that in the fermentation process, and decreases as shown in FIG. , is supplied to the state determination unit 13, and the second set value P2
compared to The gas concentration detected by the gas sensing section 3 is the second
When the set value P2 is reached, the baking process ends. After the baking process, a cooling process is performed, thereby completing the bread making process.

第4図は本発明の他の実施例の回路図である。FIG. 4 is a circuit diagram of another embodiment of the present invention.

この実施例の処理装置の加熱制御装置は、第1図の実施
例における半導体ガスセンサ1がガス感知部3およびヒ
ータ2を有する以外に温度検出抵抗体4を有していたも
のに対して、このような温度検出抵抗体4を有さず、前
記ガス感知部3およびヒータ2にそれぞれ対応するガス
感知部103およびヒータ102のみを有する半導体ガ
スセンサ101を使用するとともに、電圧制御回路5に
対応する電圧制御回路105として前記温度検出抵抗体
4で検出したようなガス感知部3の近傍の雰囲気温度に
応じてヒータ電圧を可変することを行わず、半導体ガス
センサ101のガス感知部103が感知したガス濃度を
サーミスタ121およびオペアンプ122で温度に対し
て補正する補正回路を有するようにした点が異なるもの
であり、その他の構成、すなわち製パン工程実行部12
、状態判断部13、ヒータ14、こねモータ15、ファ
ン16の構成および作用は第1図のものと同じである。
The heating control device for the processing apparatus of this embodiment is different from the semiconductor gas sensor 1 in the embodiment shown in FIG. A semiconductor gas sensor 101 is used which does not have a temperature detection resistor 4 and has only a gas sensing section 103 and a heater 102 corresponding to the gas sensing section 3 and heater 2, respectively, and a voltage corresponding to the voltage control circuit 5. The control circuit 105 does not vary the heater voltage according to the atmospheric temperature near the gas sensing section 3 as detected by the temperature detection resistor 4, and the gas concentration sensed by the gas sensing section 103 of the semiconductor gas sensor 101 is controlled. is different in that it has a correction circuit that corrects for temperature using a thermistor 121 and an operational amplifier 122, and the other configuration, that is, the bread making process execution unit 12
, the state determining section 13, the heater 14, the kneading motor 15, and the fan 16 have the same structure and function as those shown in FIG.

すなわち、第4図の処理装置の加熱側611装買は電源
Eの両端に直列に接続された抵抗119.118と該抵
抗118にトランジスタ116を介して並列に接続され
ている抵抗117とからなる分圧回路によってヒータ1
02に対して供給されるヒータ電圧に対応する分圧電圧
V102が決定されている。この分圧電圧V102は、
発酵工程においてトランジスタ116が製パン工程実行
部12によってオフに制御されている場合には高く設定
され、これにより発酵処理時には大きなヒータ電圧をヒ
ータ102に供給し、また焼き工程においてトランジス
タ116がオンに制御されている場合には抵抗118に
抵抗117を並列接続することで抵抗値を小さくし、こ
れによりヒータ102に供給されるヒータ電圧を低く設
定し、焼き工程においてガス感知部103の近傍の雰囲
気温度が異常に高くならないように制御し、半導体ガス
センサの感度低下および劣化を防止しているものである
That is, the heating side 611 equipment of the processing apparatus shown in FIG. Heater 1 by voltage divider circuit
A divided voltage V102 corresponding to the heater voltage supplied to the heater voltage V102 has been determined. This divided voltage V102 is
When the transistor 116 is turned off by the bread making process execution unit 12 during the fermentation process, it is set high, thereby supplying a large heater voltage to the heater 102 during the fermentation process, and turning on the transistor 116 during the baking process. If it is controlled, the resistance value is reduced by connecting the resistor 117 in parallel with the resistor 118, thereby setting the heater voltage supplied to the heater 102 low, and reducing the atmosphere near the gas sensing section 103 during the baking process. This controls the temperature so that it does not become abnormally high, and prevents a decrease in sensitivity and deterioration of the semiconductor gas sensor.

なお、抵抗117,118,119およびトランジスタ
116による分圧回路からの分圧電圧■102はトラン
ジスタ114,115を介して半導体ガスセンサ101
のヒータ102にヒータ電圧として供給されている。前
記分圧回路を構成する抵抗117,118,119、ト
ランジスタ116.114.115等から前記電圧制御
回路5に対応する電圧制御回路105を構成している。
Note that the divided voltage 102 from the voltage dividing circuit including the resistors 117, 118, 119 and the transistor 116 is applied to the semiconductor gas sensor 101 via the transistors 114, 115.
The voltage is supplied to the heater 102 as a heater voltage. A voltage control circuit 105 corresponding to the voltage control circuit 5 is constructed from resistors 117, 118, 119, transistors 116, 114, 115, etc., which constitute the voltage dividing circuit.

また、半導体ガスセンサ102のガス感知部103で検
出されたガス濃度に対応する検出電圧は出力と反転入力
との間にサーミスタ122が接続されたオペアンプ12
2によって温度に関して補正され、この補正されたガス
澗度検出信号が状態判断部13に供給されるようになっ
ている。この結果、前記電圧制御回路105によってヒ
ータ102に供給されるヒータ電圧が一定で、かつガス
濃度も一定であったとしても、半導体ガスセンサ101
の近傍の雰囲気温度が変化することによるガス感知部1
03の抵抗値の変化をサーミスタ121を使用した温度
補正回路で補正しているものである。
Further, the detection voltage corresponding to the gas concentration detected by the gas sensing section 103 of the semiconductor gas sensor 102 is applied to the operational amplifier 12 with a thermistor 122 connected between the output and the inverting input.
2, the temperature is corrected, and the corrected gas latitude detection signal is supplied to the state determining section 13. As a result, even if the heater voltage supplied to the heater 102 by the voltage control circuit 105 is constant and the gas concentration is also constant, the semiconductor gas sensor 101
Gas sensing unit 1 due to changes in ambient temperature near the
03 is corrected by a temperature correction circuit using a thermistor 121.

[発明の効果] 以上説明したように、本発明によれば、ガス検出器近傍
の温度を検出し、この検出した温度に応じた加熱動作を
行うようにガス検出器の加熱手段を制御しているので、
ガス検出器近傍は常に適正な温度に維持されているため
、ガス検出器の検出感度が低下することもないし、また
異常な高温のためにガス検出器が著しく経時劣化するこ
となく、高い信頼性および長寿命を達成することができ
る。
[Effects of the Invention] As explained above, according to the present invention, the temperature near the gas detector is detected and the heating means of the gas detector is controlled to perform a heating operation according to the detected temperature. Because there are
Since the area near the gas detector is always maintained at an appropriate temperature, the detection sensitivity of the gas detector does not decrease, and the gas detector does not deteriorate significantly over time due to abnormally high temperatures, resulting in high reliability. and long service life can be achieved.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明の一実施例に係る処理装置の加熱制御装
置の回路図、第2図は第1図の装置に使用される雰囲気
温度に対するヒータ電圧および半導体ガスセンサの温度
の関係を示すグラフ、第3図は第1図の装置の処理工程
の流れを示す図、第4図は本発明の他の実施例の回路図
、第5図は半導体ガスセンサの温度と抵抗値との関係を
示すグラフである。 1.101・・・半導体ガスセンサ 2.102・・・ヒータ 3.103・・・ガス感知部 4・・・温度検出抵抗体 5.105・・・電圧制御回路 11.116・・・トランジスタ 12・・・製パン工程実行部 13・・・状態判断部
Fig. 1 is a circuit diagram of a heating control device for a processing apparatus according to an embodiment of the present invention, and Fig. 2 is a graph showing the relationship between the heater voltage and the temperature of the semiconductor gas sensor with respect to the ambient temperature used in the apparatus of Fig. 1. , FIG. 3 is a diagram showing the flow of the processing steps of the apparatus shown in FIG. 1, FIG. 4 is a circuit diagram of another embodiment of the present invention, and FIG. 5 is a diagram showing the relationship between temperature and resistance value of a semiconductor gas sensor. It is a graph. 1.101... Semiconductor gas sensor 2.102... Heater 3.103... Gas sensing section 4... Temperature detection resistor 5.105... Voltage control circuit 11.116... Transistor 12. ...Bread making process execution unit 13...Status judgment unit

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 被処理物を処理することで被処理物から発生するガスの
濃度をガス検出器で検出し、この検出したガス濃度に応
じて被処理物の処理工程を制御する処理装置の加熱制御
装置であつて、前記ガス検出器を加熱する加熱手段と、
前記ガス検出近傍の温度を検出する温度検出手段と、該
温度検出手段で検出した温度に応じた加熱動作を行うよ
うに前記加熱手段を制御する加熱制御手段とを有するこ
とを特徴とする処理装置の加熱制御装置。
A heating control device for a processing device that detects the concentration of gas generated from the object by processing the object using a gas detector, and controls the processing process of the object according to the detected gas concentration. a heating means for heating the gas detector;
A processing apparatus comprising: a temperature detecting means for detecting a temperature near the gas detection means; and a heating control means for controlling the heating means to perform a heating operation according to the temperature detected by the temperature detecting means. heating control device.
JP8415688A 1988-04-07 1988-04-07 Heating controller of treating device Pending JPH01256336A (en)

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