JPH0124377B2 - - Google Patents

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JPH0124377B2
JPH0124377B2 JP55018357A JP1835780A JPH0124377B2 JP H0124377 B2 JPH0124377 B2 JP H0124377B2 JP 55018357 A JP55018357 A JP 55018357A JP 1835780 A JP1835780 A JP 1835780A JP H0124377 B2 JPH0124377 B2 JP H0124377B2
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JP
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circuit
transistor
integrated injection
injection logic
collector
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Yukihiko Ido
Kyoji Baba
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Sony Corp
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    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K19/00Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
    • H03K19/0175Coupling arrangements; Interface arrangements
    • H03K19/018Coupling arrangements; Interface arrangements using bipolar transistors only
    • H03K19/01806Interface arrangements
    • H03K19/01818Interface arrangements for integrated injection logic (I2L)

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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、原理的にマルチコレクタのインバー
タ用のトランジスタとベース電流供給用のインジ
エクタ用のトランジスタとから構成されるI2L
(Integrated−Injection Logic)回路に適用され
るインターフエース回路に関し、特に、I2L回路
の出力側にリニア回路等の出力側接続回路を接続
する場合のインターフエース回路に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention basically consists of an I 2 L transistor consisting of a multi-collector inverter transistor and a base current supply injector transistor.
The present invention relates to an interface circuit applied to an (Integrated-Injection Logic) circuit, and particularly relates to an interface circuit when an output side connection circuit such as a linear circuit is connected to the output side of an I 2 L circuit.

I2L回路は、その基本的構成を第1図に示すよ
うに、マルチ出力のインバータ素子としてのマル
チコレクタのバーチカルNPNトランジスタ1と、
これにベース電流を供給するインジエクタと呼ば
れるラテラルPNPトランジスタ2とで、多出力
ゲートを構成したもので、ワイアードロジツクの
可能な論理回路として知られている。例えば、異
なるインバータ素子のコレクタ出力を接続すれば
ワイアードNORが構成され、また、インバータ
素子の入力と出力とを接続すればワイアード
ANDが構成される。
The basic configuration of the I 2 L circuit, as shown in Figure 1, includes a multi-collector vertical NPN transistor 1 as a multi-output inverter element,
This and a lateral PNP transistor 2 called an injector that supplies base current constitute a multi-output gate, and is known as a logic circuit capable of wire logic. For example, connecting the collector outputs of different inverter elements constitutes a wired NOR, and connecting the input and output of inverter elements constitutes a wired NOR.
AND is constructed.

上述の如きI2L回路は、通常のバイポーラと同
様に、P基板にN+埋込層、Nエピタキシヤル層
を形成し、Nエピタキシヤル層をNPNトランジ
スタのエミツタとすることにより、従来のバイポ
ーラ技術を用いて製造することができるので、
LSI化に適しているばかりでなく他のロジツクや
リニア回路と1チツプ上で共存可能である。ま
た、I2L回路は、基本的に数μA程度の動作電流、
0.6V程度の電源電圧で動作し、論理振幅も0.6V
程度であるので低消費電力のLSI化が可能であ
る。
The above-mentioned I 2 L circuit is similar to a conventional bipolar circuit by forming an N + buried layer and an N epitaxial layer on a P substrate, and using the N epitaxial layer as the emitter of an NPN transistor. Because it can be manufactured using technology,
Not only is it suitable for LSI implementation, but it can coexist with other logic and linear circuits on a single chip. In addition, the I 2 L circuit basically has an operating current of about several μA,
Operates with a power supply voltage of about 0.6V, logic amplitude is also 0.6V
It is possible to implement LSI with low power consumption.

ところで、I2L回路は基本的に小電流(数μA)、
低電圧(0.6V)で動作し、論理振幅〔0.6V)
も小さいので、大電流、高電圧で動作する他の論
理回路やリニア回路と、組合せて用いる場合に、
I2Lのゲートと他の回路との間にインターフエー
ス回路を設けて、電流や電圧レベルを合せる必要
がある。
By the way, the I 2 L circuit basically uses a small current (several μA),
Operates at low voltage (0.6V), logic amplitude [0.6V]
It is also small, so when used in combination with other logic circuits or linear circuits that operate at large currents and high voltages,
It is necessary to provide an interface circuit between the I 2 L gate and other circuits to match the current and voltage levels.

例えば、I2L回路からの論理出力信号によつて
TTL(Trangistor−Trangistor Logic)やリニ
ア回路等を動作させる場合には、第2図や第3図
に示すような回路構成とすることによつてインタ
ーフエースを行つている。
For example, by the logic output signal from the I 2 L circuit
When operating TTL (Trangistor-Trangistor Logic), linear circuits, etc., the interface is performed by using a circuit configuration as shown in FIGS. 2 and 3.

すなわち、第2図に示す従来例では、I2L回路
3の出力側に外部駆動用のPNPトランジスタ4
を他のインジエクタ用のPNPトランジスタ2と
同様に設け、この外部駆動用のPNPトランジス
タ4のコレクタと最終出力段のインバータ素子と
してのNPNトランジスタ1のコレクタとを出力
側接続回路(この例ではTTL回路)5の入力用
NPNトランジスタ6のベースに共通接続するよ
うな構成となつている。しかし、このような構成
の従来例においては、上記I2L回路3に設けた外
部駆動用のPNPトランジスタ4と出力側接続回
路5の入力用のNPNトランジスタ6との各ベー
ス・エミツタ間電圧VBEの相違によつて、上記
NPNトランジスタ6に充分なベース電流を供給
することができないことがある。また、第3図に
示す従来例では、I2L回路13に接続される外部
接続回路15に、その入力用NPNトランジスタ
16のベースと電源供給端子17との間に抵抗1
8を設け、該抵抗18を介して上記NPNトラン
ジスタ16にベース電流を供給するような構成と
なつている。従つて、この例では、I2L回路13
の最終出力段のインバータ素子としてのNPNト
ランジスタ1のコレクタを出力側接続回路15の
入力用NPNトランジスタ16のベースに接続す
るだけで、I2L回路13と外部接続回路15との
インターフエースを行い出力側接続回路15を確
実に動作させることができる。しかし、上記第3
図に示した従来例においては、出力側接続回路1
5中に抵抗18を設けなければならないので、集
積回路化する場合に、大きなチツプ面積が必要に
なつてしまう。
That is, in the conventional example shown in FIG. 2, a PNP transistor 4 for external driving is connected to the output side of the I 2 L circuit 3.
is provided in the same way as the PNP transistor 2 for other injectors, and the collector of this external drive PNP transistor 4 and the collector of the NPN transistor 1 as an inverter element in the final output stage are connected to an output side connection circuit (in this example, a TTL circuit). )5 input
The configuration is such that it is commonly connected to the bases of the NPN transistors 6. However, in the conventional example with such a configuration, each base-emitter voltage V between the external drive PNP transistor 4 provided in the I 2 L circuit 3 and the input NPN transistor 6 of the output side connection circuit 5 is Due to differences in BE , the above
It may not be possible to supply sufficient base current to the NPN transistor 6. In addition, in the conventional example shown in FIG .
8 is provided, and the base current is supplied to the NPN transistor 16 via the resistor 18. Therefore, in this example, the I 2 L circuit 13
The I 2 L circuit 13 and the external connection circuit 15 can be interfaced by simply connecting the collector of the NPN transistor 1 as an inverter element in the final output stage to the base of the input NPN transistor 16 of the output side connection circuit 15. The output side connection circuit 15 can be operated reliably. However, the third
In the conventional example shown in the figure, the output side connection circuit 1
Since the resistor 18 must be provided in the circuit 5, a large chip area is required when it is integrated into an integrated circuit.

そこで、本発明は、上述の如き各従来例の問題
点に鑑み、I2L回路とTTL回路やリニア回路等の
出力側接続回路とのインターフエースを容易に且
つ確実に行うとともに、集積回路化してもチツプ
面積があまり大きくならないような新規な構成の
インターフエース回路を提供するものである。
Therefore, in view of the problems of the conventional examples as described above, the present invention facilitates and reliably interfaces an I 2 L circuit with an output side connection circuit such as a TTL circuit or a linear circuit, and also integrates it into an integrated circuit. The present invention provides an interface circuit with a novel configuration in which the chip area does not become too large even when the chip area is increased.

以下、本発明について、一実施例を示す図面に
従い詳細に説明する。
Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the drawings showing one embodiment.

第4図に示す実施例において、I2L回路23は、
インバータ素子としてのマルチコレクタNPNト
ランジスタ1とインジエクタ用のPNPトランジ
スタ2とから成る単位構成要素を、それぞれ異な
るレベルで動作する各ブロツク23a,23b,
…,23nに分配し、上記各ブロツク23a,2
3b,…,23nを直列接続した多層積み重ね方
式の回路構成によつて、所望の論理演算を行うよ
うに構成されている。このI2L回路23による演
算出力信号は、最下位レベルで動作するブロツク
23aに設けた最終出力段のインバータ素子とし
てのNPNトランジスタ1Aのコレクタから出力
される。
In the embodiment shown in FIG. 4, the I 2 L circuit 23 is
A unit component consisting of a multi-collector NPN transistor 1 as an inverter element and a PNP transistor 2 for an injector is connected to each block 23a, 23b, which operates at a different level.
..., 23n, and each of the above blocks 23a, 23n.
3b, . . . , 23n are connected in series to form a multilayer stacked circuit configuration to perform desired logical operations. The calculated output signal from the I 2 L circuit 23 is output from the collector of the NPN transistor 1A, which serves as an inverter element at the final output stage, provided in the block 23a operating at the lowest level.

上述の如きI2L回路23の最下位レベルよりも
1つ上のレベルで動作するブロツク23bには、
外部駆動用のPNPトランジスタ24が設けられ
ている。上記NPNトランジスタ24は、そのブ
ロツク23bにおけるインジエクタ用のPNPト
ランジスタ2とベースおよびエミツタが共通接続
されており、また、そのコレクタが最下位レベル
で動作するブロツク23aに設けられている最終
出力段のNPNトランジスタ1Aのコレクタに接
続されている。そして、上記外部駆動用のPNP
トランジスタ24のコレクタと最終出力段の
NPNトランジスタ1Aのコレクタとが、出力側
接続回路25の入力用NPNトランジスタ26の
ベースに共通接続され、インターフエース回路3
0を構成している。
The block 23b that operates at a level one level higher than the lowest level of the I 2 L circuit 23 as described above includes:
A PNP transistor 24 for external driving is provided. The base and emitter of the NPN transistor 24 are commonly connected to the injector PNP transistor 2 in the block 23b, and the collector is connected to the final output stage NPN transistor 24 provided in the block 23a which operates at the lowest level. It is connected to the collector of transistor 1A. And PNP for the above external drive
The collector of transistor 24 and the final output stage
The collector of the NPN transistor 1A is commonly connected to the base of the input NPN transistor 26 of the output side connection circuit 25, and the interface circuit 3
It constitutes 0.

上述の如き構成の実施例において、多層積み重
ね方式の回路構成を有するI2L回路23では、最
上位レベルで動作するブロツク23nの各単位構
成要素に流れたインジエクタ電流を、次のレベル
のレベルで動作するブロツクの各単位要素に分配
し、各ブロツク23n,…,23b,23aに順
次に流しているので、各ブロツク23a,23
b,…,23n毎の電源電圧をVFとし、各ブロ
ツク23a,23b,…,23nの数すなわち積
み重ねの層数nとすると、n・VFなる電源電圧
VCCにて出力側接続回路25とともに動作させる
ことができ、電源利用率の向上を図ることができ
る。しかも、出力側接続回路25の入力用の
NPNトランジスタ26のベースには、I2L回路2
3の最終出力段のNPNトランジスタ1Aの設け
られているブロツク23aよりも上のレベルで動
作するブロツク23bに設けた外部駆動用の
PNPトランジスタ24から十分に大きなベース
電流を供給することができる。なお上記外部駆動
用のPNPトランジスタ24は、そのコレクタ・
エミツタ間電圧VCEがベース・エミツタ間電圧
VBEに略等しくなり、上記出力側接続回路25の
入力用のNPNトランジスタ26に十分なベース
電流を供給することができ、また、上記外部駆動
用のPNPトランジスタ24は、I2L回路23のイ
ンジエクタ用のPNPトランジスタ2と同様に通
常のバイポーラ技術により製造できるので、I2L
回路23と出力側接続回路25とを集積回路化す
る場合でもチツプの大きさをあまり大きくさせる
ことがない。
In the embodiment with the above-described configuration, the I 2 L circuit 23 having a multilayer stacked circuit configuration transfers the injector current flowing through each unit component of the block 23n operating at the highest level to the next level. Since it is distributed to each unit element of the operating block and sequentially flows to each block 23n, . . . , 23b, 23a, each block 23a, 23
If the power supply voltage for each block 23a, 23b, ..., 23n is VF , and the number of blocks 23a, 23b, ..., 23n, that is, the number of stacked layers n, then the power supply voltage is n・VF.
It can be operated together with the output side connection circuit 25 at V CC , and the power utilization rate can be improved. Moreover, for the input of the output side connection circuit 25,
The base of the NPN transistor 26 has an I 2 L circuit 2
An external drive circuit provided in block 23b that operates at a level higher than that of block 23a in which the NPN transistor 1A of the final output stage of 3 is provided.
A sufficiently large base current can be supplied from the PNP transistor 24. Note that the PNP transistor 24 for external drive has its collector
The emitter voltage V CE is the base-emitter voltage
V BE is approximately equal to VBE, and can supply a sufficient base current to the input NPN transistor 26 of the output side connection circuit 25, and the external drive PNP transistor 24 Like the PNP transistor 2 for the injector, it can be manufactured using normal bipolar technology, so I 2 L
Even when the circuit 23 and the output side connection circuit 25 are integrated into an integrated circuit, the size of the chip is not increased too much.

なお、上述の実施例では、I2L回路23に出力
側接続回路25としてTTL回路を接続したが、
上記出力側接続回路25は、TTL回路でなくて
も、リニア回路等その他の回路構成のものであつ
ても良い。
Note that in the above embodiment, a TTL circuit was connected to the I 2 L circuit 23 as the output side connection circuit 25;
The output side connection circuit 25 does not have to be a TTL circuit, but may have another circuit configuration such as a linear circuit.

上述の実施例の説明からも明らかなように、本
発明によれば、電源と接地間にそれぞれ異なる動
作レベルで動作する複数個の回路ブロツクが多段
接続され、上記回路ブロツクのうち少なくとも2
個は集積注入論理回路により構成され、下位レベ
ルで動作する集積注入論理回路ブロツクに最終出
力段の設けられた論理回路において、上記最終出
力段の設けられた集積注入論理回路ブロツクより
も上位のレベルで動作する集積注入論理回路ブロ
ツクの電流インジエクタ用トランジスタを外部駆
動用トランジスタとして用い、上記最終出力段の
設けられた集積注入論理回路ブロツクの信号出力
用トランジスタのコレクタと上記外部駆動用トラ
ンジスタのコレクタを出力側接続回路の信号入力
端子に共通接続してインターフエース回路を構成
したことによつて、I2L回路にインジエクタ用の
トランジスタと同様な外部駆動用のトランジスタ
を形成しただけの極めて簡単な構成にて、I2L回
路と出力側接続回路との間の信号伝送を確実に行
うことができ、しかも、上記外部駆動用のトラン
ジスタはI2L回路の各単位構成要素とともに集積
回路化が容易であり、所期の目的を十分に達成で
きる。
As is clear from the description of the above embodiments, according to the present invention, a plurality of circuit blocks operating at different operating levels are connected in multiple stages between the power supply and the ground, and at least two of the circuit blocks are connected in multiple stages.
In a logic circuit in which a final output stage is provided in an integrated injection logic circuit block that operates at a lower level, the integrated injection logic circuit block is constructed from an integrated injection logic circuit and operates at a lower level than the integrated injection logic circuit block in which the final output stage is provided. The current injector transistor of the integrated injection logic circuit block operating at By configuring an interface circuit by common connection to the signal input terminals of the output side connection circuits, an extremely simple configuration is achieved by simply forming an external drive transistor similar to the injector transistor in the I 2 L circuit. , it is possible to reliably transmit signals between the I 2 L circuit and the output side connection circuit, and the above external drive transistor can be easily integrated into an integrated circuit together with each unit component of the I 2 L circuit. Therefore, the intended purpose can be fully achieved.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は、本発明の適用されるI2L回路の基本
的な構成を示す回路図である。第2図および第3
図は、インターフエース回路の各従来例の構成を
それぞれ示す回路図である。第4図は、本発明に
係るインターフエース回路の一実施例の構成を示
す回路図である。 1……インバータ用のマルチコネクタNPNト
ランジスタ、1A……最終出力段のNPNトラン
ジスタ、2……インジエクタ用のPNPトランジ
スタ、23……I2L回路、23a,23b,…,
23n……回路ブロツク、24……外部駆動用の
PNPトランジスタ、25……出力側外部接続回
路、26……入力用のNPNトランジスタ。
FIG. 1 is a circuit diagram showing the basic configuration of an I 2 L circuit to which the present invention is applied. Figures 2 and 3
Each figure is a circuit diagram showing the configuration of each conventional example of an interface circuit. FIG. 4 is a circuit diagram showing the configuration of an embodiment of the interface circuit according to the present invention. 1... Multi-connector NPN transistor for inverter, 1A... NPN transistor in final output stage, 2... PNP transistor for injector, 23... I 2 L circuit, 23a, 23b,...,
23n...Circuit block, 24...For external drive
PNP transistor, 25... Output side external connection circuit, 26... NPN transistor for input.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 電源と接地間にそれぞれ異なる動作レベルで
動作する複数個の回路ブロツクが多段接続され、
上記回路ブロツクのうち少なくとも2個は集積注
入論理回路により構成され、下位レベルで動作す
る集積注入論理回路ブロツクに最終出力段の設け
られた論理回路において、 上記最終出力段の設けられた集積注入論理回路
ブロツクよりも上位のレベルで動作する集積注入
論理回路ブロツクの電流インジエクタ用トランジ
スタを外部駆動用トランジスタとして用い、上記
最終出力段の設けられた集積注入論理回路ブロツ
クの信号出力用トランジスタのコレクタと上記外
部駆動用トランジスタのコレクタを出力側接続回
路の信号入力端子に共通接続して成ることを特徴
とするインターフエース回路。
[Claims] 1. A plurality of circuit blocks operating at different operating levels are connected in multiple stages between a power supply and a ground,
At least two of the circuit blocks are configured with integrated injection logic circuits, and the integrated injection logic block operating at a lower level is provided with a final output stage, the integrated injection logic provided with the final output stage. The current injector transistor of the integrated injection logic circuit block operating at a higher level than the circuit block is used as an external drive transistor, and the collector of the signal output transistor of the integrated injection logic circuit block provided with the final output stage is connected to the collector of the signal output transistor of the integrated injection logic circuit block provided with the final output stage. An interface circuit characterized in that collectors of external drive transistors are commonly connected to signal input terminals of an output side connection circuit.
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