JPH01243133A - Semiconductor integrated circuit device - Google Patents

Semiconductor integrated circuit device

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JPH01243133A
JPH01243133A JP63069460A JP6946088A JPH01243133A JP H01243133 A JPH01243133 A JP H01243133A JP 63069460 A JP63069460 A JP 63069460A JP 6946088 A JP6946088 A JP 6946088A JP H01243133 A JPH01243133 A JP H01243133A
Authority
JP
Japan
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ram
circuit
semiconductor integrated
state
integrated circuit
Prior art date
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Application number
JP63069460A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Shoichi Watanabe
昭一 渡辺
Manabu Shibata
学 柴田
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
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Publication of JPH01243133A publication Critical patent/JPH01243133A/en
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Abstract

PURPOSE:To fix a RAM in a fixed condition at the time of checking by providing a condition setting circuit to switch the control signal of the RAM to a prescribed fixing signal. CONSTITUTION:A condition setting circuit 30 is standardized as a kind of macro cells, incorporated in a RAM 20, and composed of a write address port 23, a read address port 24, and two-input logic gates G23-25 made to intervene in respective bit lines of a write control port 25. Respective logic gates G23-G25 are commonly operated by an external terminal Px provided for a test. Thus, even when the RAM 20 and a logic circuit 10 except for the RAM 20 are not completely separated and reconnected, while both are partially connected in a condition close to a real action condition, the logic circuit 10 can be checked regardless of the condition of the RAM 20.

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、半導体集積回路装置、さらにはRA   ’
M(ランダム・アクセス・メモリ)を内蔵する半導体集
積回路装置に適用して有効な技術に関するもので、例え
ばRAM内蔵型のゲートアレイに利用して有効な技術に
関するものである。
[Detailed Description of the Invention] [Industrial Application Field] The present invention relates to a semiconductor integrated circuit device, and furthermore, to an RA'
The present invention relates to a technique that is effective when applied to a semiconductor integrated circuit device incorporating M (Random Access Memory), for example, a technique that is effective when applied to a gate array with a built-in RAM.

[従来の技術] この種の半導体集積回路装置は、その動作条件がRAM
の記憶状態によって何通りにも変化するため、その検査
あるいは診断が非常に困難であった。
[Prior Art] This type of semiconductor integrated circuit device has operating conditions such as RAM
Because it changes in many different ways depending on the state of memory, it has been extremely difficult to test or diagnose it.

例えば、RAM内蔵型のゲートアレイの場合、スタンダ
ードセル方式によって構成されたRAM以外の周辺論理
回路の動作を検査しようとしても、その周辺論理回路の
動作条件が内蔵RAMの記憶状態によって複雑に変化す
るため、非常に多くのテスト動作が必要になる。
For example, in the case of a gate array with built-in RAM, even if you attempt to test the operation of peripheral logic circuits other than RAM configured using the standard cell method, the operating conditions of the peripheral logic circuits will vary in a complex manner depending on the storage state of the built-in RAM. Therefore, a large number of test operations are required.

通常、半導体集積回路装置の検査は、予め作成されたデ
ス1〜パターンを外部から与えて半導体集積回路装置を
疑似的動作させ、この疑似的な動作によって外部に現れ
る状態を観測し、この観測の結果を評価することによっ
て行なオ〕れる(例えば、オーム社発行rLSIハンド
ブック」]665〜166頁参照。
Normally, in testing a semiconductor integrated circuit device, a pre-prepared pattern is given from the outside to cause the semiconductor integrated circuit device to perform a simulated operation, and the state that appears externally due to this simulated operation is observed. This is done by evaluating the results (see, for example, "rLSI Handbook" published by Ohm Publishing Co., Ltd.), pages 665-166.

ところが、上述したR A M内蔵型半導体集積回路装
置では、その動作条件がRAMの状態によって非常に多
様に変化するため、検査用のテストパターンの作成が非
常に困難であるとともに、そのデス1〜パターンのデー
タサイズが非常に膨大なものになってしまう。
However, in the above-mentioned RAM-embedded semiconductor integrated circuit device, the operating conditions vary greatly depending on the state of the RAM, so it is extremely difficult to create a test pattern for inspection, and the The pattern data size becomes extremely large.

そこで、本発明者らは、上述した半導体非積回路装置の
検査あるいは診断を合理化するため、検査時にRAMと
RAM以外の論理回路を分割して両部分をそれぞれ外部
から直接アクセスできるように接続しなおす切替回路を
設けることを検討した。
Therefore, in order to streamline the inspection or diagnosis of the above-mentioned semiconductor non-product circuit device, the present inventors divided the RAM and logic circuits other than the RAM at the time of inspection, and reconnected both parts so that they could be accessed directly from the outside. We considered installing a switching circuit.

こうすれば、論理回路をRAMの状態に左右されずに検
査することができるため、検査用のテストパターンが作
りやすくなる。
In this way, the logic circuit can be tested without being affected by the state of the RAM, making it easier to create test patterns for testing.

[発明が解決しようとする課題] しかしながら、」二連した技術には、次のような問題の
あることが本発明者らによってあきらかとされた。
[Problems to be Solved by the Invention] However, the inventors have found that the two-part technique has the following problems.

すなわち、検査時にRA MとRAM以外の論理回路を
分割して両部分をそれぞれ外部から直接アクセスできる
ように接続しなおす切替回路は、非常に多くの信号切替
回路部を必要とするため、回路の規模が大きくなって、
半導体集積回路装置内で大きなレイアラ1−面積を占有
するようになってしまう。この結果、実動作で必要な回
路を形成するためのレイアラ1−面積か少なくなって、
半導体集積回路装置の機能低下を招いてしまう。とくに
、ゲートアレイにあっては、上記切替回路をスタングー
1−セルで構成することになるため、実動作に必要な回
路を形成するために使用できるセルが大幅に減ってしま
という問題が生じる。
In other words, a switching circuit that divides RAM and non-RAM logic circuits during inspection and reconnects both parts so that they can be accessed directly from the outside requires a large number of signal switching circuit sections, which reduces the circuit size. becomes larger,
This results in the layerer occupying a large area within the semiconductor integrated circuit device. As a result, the area of the layerer 1 for forming the circuits required for actual operation is reduced.
This results in a decline in the functionality of the semiconductor integrated circuit device. In particular, in the case of a gate array, since the switching circuit described above is composed of single cells, a problem arises in that the number of cells that can be used to form the circuits necessary for actual operation is greatly reduced.

また、上記切替回路は論理回路の構成内容ごとに異なっ
てくるため、論理回路と一緒に切替回路も新たに設計し
なければならない。このため、設計者の負担が増えると
いう問題も生じる。
Further, since the switching circuit described above differs depending on the configuration of the logic circuit, the switching circuit must be newly designed together with the logic circuit. This also causes the problem that the burden on the designer increases.

本発明の目的は、比較的簡単な付加回路でもって、実動
作に必要な機能を低下させることなく、かつ設計者の負
担を増大させることなく、半導体集積回路装置に内蔵さ
れたRAM以外の論理回路の検査を適正かつ効率良く行
なえるようにする、という技術を提供することにある。
An object of the present invention is to use a relatively simple additional circuit to remove logic other than RAM built into a semiconductor integrated circuit device without degrading the functions necessary for actual operation or increasing the burden on the designer. The objective is to provide a technology that allows circuit inspection to be performed properly and efficiently.

この発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴に
ついては、本明細書の記述および添附図面から明らかに
なるであろう。
The above and other objects and novel features of the present invention will become apparent from the description of this specification and the accompanying drawings.

[課題を解決するための手段] 本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を説明すれば、下記のとおりである。
[Means for Solving the Problems] Representative inventions disclosed in this application will be summarized as follows.

すなわち、半導体集積回路装置に内蔵されているR A
 Mの制御信号を所定の固定信号と切り換える状態設定
回路を設け、この状態設定回路によって検査時に上記R
AMを一定の状態に固定させる、というものである。
That is, the RA built in the semiconductor integrated circuit device
A state setting circuit is provided to switch the control signal of M to a predetermined fixed signal, and this state setting circuit allows the above R to be set during inspection.
This is to fix AM in a constant state.

[作用コ 上記した手段によれば、RAMとRAM以外の論理回路
を完全に切り離して接続しなおすことを行なわなくても
、両者を実動作状態に近い状態で部分的に接続させたま
までもって、RAMの状態に左右されずに論理回路の検
査を行なうことができる。
[Operation] According to the above-mentioned means, the RAM and the logic circuit other than the RAM do not have to be completely disconnected and reconnected, but they can be left partially connected in a state close to the actual operating state. Logic circuits can be tested without being affected by the state of RAM.

これにより、比較的簡単な付加回路でもって、実動作に
必要な機能を低下させることなく、かつ設計者の負担を
増大させることなく、半導体集積回路装置に内蔵された
RAM以外の論理回路の検査を適正かつ効率良く行なえ
るようにするという目的が達成される。
As a result, logic circuits other than RAM built into semiconductor integrated circuit devices can be tested using relatively simple additional circuits without degrading the functions necessary for actual operation or increasing the burden on designers. The purpose of being able to do this properly and efficiently is achieved.

[実施例] 以下、本発明の好適な実施例を図面を参照しながら説明
する。
[Embodiments] Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

なお、同図において、同一符号は同一あるいは相当部分
を示すものとする。
In addition, in the figure, the same reference numerals indicate the same or corresponding parts.

第1図は本発明の技術が適用された半導体集積回路装置
の概略構成を示す。
FIG. 1 shows a schematic configuration of a semiconductor integrated circuit device to which the technology of the present invention is applied.

同図に示す半導体集積回路装置100はRA’M内蔵型
のグー1−アレイとして構成され、周辺論理回路10と
、RAM20と、状態設定回路3oとが形成されている
A semiconductor integrated circuit device 100 shown in the figure is configured as a RAM'M built-in type array, and includes a peripheral logic circuit 10, a RAM 20, and a state setting circuit 3o.

周辺論理回路]Oと状態設定回路30は、スタンダード
セルを用いて任意に設計される。また、RAM20は、
一定の機能をもつものが一種のマクロセルとして規格化
されて用意されている。実動作に必要な機能は、周辺論
理回路10とRAM20によって構成される。
Peripheral logic circuit] O and the state setting circuit 30 are arbitrarily designed using standard cells. In addition, RAM20 is
Cells with certain functions are standardized and prepared as a type of macro cell. Functions necessary for actual operation are constituted by peripheral logic circuit 10 and RAM 20.

周辺論理回路10は、端子Pxを介して外部とデータお
よび信号のやりとりを行ないながら、必要に応じてRA
 M 20をアクセスすることにより、所定の機能を実
現する。
The peripheral logic circuit 10 exchanges data and signals with the outside via the terminal Px, and connects the RA as necessary.
By accessing M20, a predetermined function is realized.

RA M 20は外部の端子Pxから直接アクセスする
ことができず、周辺論理回路]0を介してアクセスされ
るようになっている。このRA M 20は、いわゆる
マルチポー1〜方式のものであって、書込データWDを
入力するための書込データポー1〜21と読出データR
I)を出力するための読出データポート22とを独立に
有する。これらに加えて、書込アドレスWAを入力する
ための書込ア1くレスポー1−23、読出アドレスRA
を入力するための読出アドレスポー1−24 、および
書込制御信号(ライト・イネーブル)WEを入力するた
めの書込制御ポー1〜25を有する。各ポート21〜2
5はそれぞれ上記周辺論理回路10に接続されている。
The RAM 20 cannot be directly accessed from an external terminal Px, but is accessed via a peripheral logic circuit. This RAM 20 is of a so-called multi-port type, and has write data ports 1 to 21 for inputting write data WD and read data R.
It independently has a read data port 22 for outputting I). In addition to these, write address 1-23 for inputting write address WA, read address RA
It has read address ports 1-24 for inputting , and write control ports 1-25 for inputting a write control signal (write enable) WE. Each port 21-2
5 are connected to the peripheral logic circuit 10, respectively.

状態設定回路30は上記RAM20内に一種のマクロセ
ルとして規格化されて組み込まれ、上記書込アドレスポ
ート23、上記読出アドレスポート24、および上記書
込制御ポート25の各ピッ1〜線にそれぞれ介在された
2入力論理ゲート(NORゲート)G23.G24.G
25によって構成される。各論理ゲー1−023.G2
4.G25は、テスト用に設けられた外部端子Pxによ
って共通に操作されるようになっている。
The state setting circuit 30 is standardized and incorporated as a kind of macro cell in the RAM 20, and is interposed in each pin 1 to line of the write address port 23, the read address port 24, and the write control port 25, respectively. 2-input logic gate (NOR gate) G23. G24. G
25. Each logic game 1-023. G2
4. G25 is commonly operated by an external terminal Px provided for testing.

ここで、上記テスト用外部端子ptがL(低レベル)の
ときには、各論理ゲーhG23.G24゜G 25はそ
れぞれ、周辺論理回路10側から与えられる書込アドレ
スWA、読出アドレスRA、書込制御信号WEをそのま
ま、RAM20側のポー1−23.24.25に伝達し
て入力させる状態にある。すなわち、このときの状態設
定回路30はRAM20の状態に関与しない。
Here, when the test external terminal pt is L (low level), each logic game hG23. G24 and G25 are states in which the write address WA, read address RA, and write control signal WE given from the peripheral logic circuit 10 side are transmitted as they are to the ports 1-23, 24, and 25 on the RAM 20 side and inputted. It is in. That is, the state setting circuit 30 at this time is not involved in the state of the RAM 20.

一方、上記テス1へ用外部端子ptが外部からの操作に
よってH(高レベル)にされると、周辺論理回路10側
から与えられる書込アドレスWAと読出アドレスRAが
それぞれ一定のアドレス(オール0)に固定されるとと
もに、書込制御信号WEも書込設定状態(H)に固定さ
れる。つまり、周辺論理回路10を介してRAM20に
入力されるアドレスWA、RAと制御信号WEが一定の
論理状態に固定される。
On the other hand, when the external terminal pt for test 1 is set to H (high level) by an external operation, the write address WA and read address RA given from the peripheral logic circuit 10 are fixed addresses (all 0 ), and the write control signal WE is also fixed to the write setting state (H). That is, the addresses WA and RA and the control signal WE input to the RAM 20 via the peripheral logic circuit 10 are fixed at a constant logic state.

これにより、周辺論理回路10からRAM20の書込デ
ータポート21に入力される書込データWDは、そのま
まRAM20の読出データポート22に伝達されて周辺
論理回路]0に返されるようになる。この状態でもって
、外部端子Pxから所定のデス1−パターンを与えて上
記周辺論理回路10の検査を行なうと、RAM20はた
だのデ夕のパスと見なされるので、そのRAM20の状
態に影響されずに、周辺論理回路10だけの検査を効率
良く行なうことができる。さらに、RAM20がデータ
のパス路として動作するので、検査時のときだけ使用す
るパス路を別に設けておく必要もなくなる。
As a result, the write data WD inputted from the peripheral logic circuit 10 to the write data port 21 of the RAM 20 is transmitted as is to the read data port 22 of the RAM 20 and returned to the peripheral logic circuit]0. In this state, when the peripheral logic circuit 10 is tested by applying a predetermined pattern from the external terminal Px, the RAM 20 is regarded as just a data path, so it is not affected by the state of the RAM 20. In addition, it is possible to efficiently test only the peripheral logic circuit 10. Furthermore, since the RAM 20 operates as a data path, there is no need to provide a separate path that is used only during inspection.

以上のようにして、RAM20とRAM20以外の論理
回路10を完全に切り離して接続しなおすことを行なわ
なくても、両者を実動作状態に近い状態で部分的に接続
させたままでもって、RAM20の状態に左右されずに
論理回路10の検査を行なうことができる。ここで注目
すべきことは、上記状態設定回路30は、RAM20の
ポー1−に介在する若干の論理ゲートだけで構成するこ
とができるとともに、その回路構成は、周辺論理回路1
0の構成にかかわりなく、同じにできるということであ
る。これにより、その状態設定回路30はRAM20と
ともにマクロセルとして規格化することができ、設計者
は状態設定回路30のことを考えずにシステムの設計を
行なうことができる。
As described above, even if the RAM 20 and the logic circuit 10 other than the RAM 20 are not completely disconnected and reconnected, the state of the RAM 20 can be changed by keeping them partially connected in a state close to the actual operating state. The logic circuit 10 can be tested without being influenced by the What should be noted here is that the state setting circuit 30 can be configured with only a few logic gates interposed in port 1- of the RAM 20, and that the circuit configuration is similar to that of the peripheral logic circuit 1.
This means that it can be made the same regardless of the configuration of 0. Thereby, the state setting circuit 30 can be standardized together with the RAM 20 as a macro cell, and the designer can design a system without considering the state setting circuit 30.

したがって、上述した半導体集積回路装置100では、
比較的簡単な付加回路でもって、実動作に必要な機能を
低下させることなく、かつ設計者の負担を増大させるこ
となく、半導体集積回路装置100に内蔵されたRAM
20以外の論理回路10の検査を適正かつ効率良く行な
うことができるようになっている。
Therefore, in the semiconductor integrated circuit device 100 described above,
With a relatively simple additional circuit, the RAM built into the semiconductor integrated circuit device 100 can be installed without degrading the functions necessary for actual operation or increasing the burden on the designer.
Logic circuits 10 other than 20 can be tested properly and efficiently.

第2図は本発明の第2の実施例による半導体集積回路装
置の概略構成を示す。
FIG. 2 shows a schematic configuration of a semiconductor integrated circuit device according to a second embodiment of the present invention.

前述した実施例との相違点に着目して説明すると、同図
に示す実施例では、状態設定回路30をRAM20のア
ドレスポート23,24だけに介在させ、書込制御ポー
l〜25は周辺論理回路10に直結されている。これに
より、検査状態でのRAM20は、周辺論理回路10か
ら書込制御ボー1〜25に入力される書込制御信号WE
をl・リガークロックとする並列ラッチ回路として動作
するようになっている。この場合も、RAM20を単純
なラッチ回路に見立てて検査を行なうことができるので
、上述の場合と同様に、比較的簡単な付加回路でもって
、実動作に必要な機能を低下さ仕ることなく、かつ設計
者の負担を増大させることなく、半導体集積回路装置]
OOに内蔵されたRAM20以外の論理回路10の検査
を適正かつ効率良く行なうことができる。
In the embodiment shown in the figure, the state setting circuit 30 is interposed only in the address ports 23 and 24 of the RAM 20, and the write control ports 1 to 25 are connected to the peripheral logic. It is directly connected to the circuit 10. As a result, the RAM 20 in the test state receives the write control signal WE input from the peripheral logic circuit 10 to the write control boards 1 to 25.
It is designed to operate as a parallel latch circuit using 1 as the rigger clock. In this case as well, the RAM 20 can be inspected as a simple latch circuit, so as in the case described above, a relatively simple additional circuit can be used without degrading the functions necessary for actual operation. , and without increasing the burden on designers]
The logic circuit 10 other than the RAM 20 built into the OO can be properly and efficiently tested.

以」二本発明者によってなされた発明を実施例に基づき
具体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいうまでもない。
Hereinafter, the invention made by the present inventor has been specifically explained based on examples, but the present invention is not limited to the above examples, and it is understood that various changes can be made without departing from the gist of the invention. Needless to say.

例えば、上記RAM20は、さらに多くのデータポー1
−を有するタイプのものであってもよい。
For example, the RAM 20 has more data ports.
- may be of the type.

以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野であるR AM内蔵型ゲー
トアレイに適用した場合について説明したが、それに限
定されるものではなく、例えばゲートアレイ以外の通常
の半導体RAMにも適用できる。
In the above explanation, the invention made by the present inventor was mainly applied to a RAM built-in gate array, which is the field of application that formed the background of the invention. It can also be applied to normal semiconductor RAM.

[発明の効果] 本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば下記のとおりである
[Effects of the Invention] The effects obtained by typical inventions disclosed in this application are briefly explained below.

すなわち、比較的簡単な付加回路でもって、実動作に必
要な機能を低下させることなく、かつ設計者の負担を増
大させることなく、半導体集積回路装置に内蔵されたR
AM以外の論理回路の検査を適正かつ効率良く行なわせ
ることができるという効果が得られる。
In other words, by using a relatively simple additional circuit, it is possible to improve the R
The effect is that logic circuits other than AM can be properly and efficiently tested.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明の一実施例による半導体集積回路装置の
概要を示すブロック図。 第2図は本発明の第2実施例による半導体集積回路装置
の概要を示すブロック図である。
FIG. 1 is a block diagram showing an outline of a semiconductor integrated circuit device according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a block diagram showing an outline of a semiconductor integrated circuit device according to a second embodiment of the present invention.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1、RAMを内蔵した半導体集積回路装置にあって、上
記RAMを外部からの指令に応じて一定の状態に固定す
る状態設定回路を内蔵したことを特徴とする半導体集積
回路装置。2、RAMと、このRAM以外の論理回路と
、この論理回路を介して上記RAMに入力されるアドレ
スと制御信号を所定の固定状態に設定する状態設定回路
とを備えた特許請求の範囲第1項記載の半導体集積回路
装置。 3、書込データポートと読出データポートをそれぞれ独
立に有するRAMと、このRAMを用いて所定の論理シ
ステムを構成する論理回路と、この論理回路から上記R
AMの書込データポートに入力された信号をそのまま読
出データポートへ伝達させる状態を設定する状態回路と
を備えたことを特徴とする特許請求の範囲第1項または
第2項記載の半導体集積回路装置。
[Scope of Claims] 1. A semiconductor integrated circuit device having a built-in RAM, characterized in that the semiconductor integrated circuit device has a built-in state setting circuit for fixing the RAM to a constant state in response to an external command. Device. 2. Claim 1 comprising a RAM, a logic circuit other than the RAM, and a state setting circuit that sets the address and control signal input to the RAM via the logic circuit to a predetermined fixed state. The semiconductor integrated circuit device described in . 3. A RAM having independent write data ports and read data ports, a logic circuit that configures a predetermined logic system using this RAM, and the above-mentioned R from this logic circuit.
A semiconductor integrated circuit according to claim 1 or 2, further comprising a state circuit that sets a state in which a signal input to a write data port of an AM is transmitted as is to a read data port. Device.
JP63069460A 1988-03-25 1988-03-25 Semiconductor integrated circuit device Pending JPH01243133A (en)

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JP (1) JPH01243133A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6185714B1 (en) 1997-06-06 2001-02-06 Nec Corporation Address trap comparator capable of carrying out high speed fault detecting test

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6185714B1 (en) 1997-06-06 2001-02-06 Nec Corporation Address trap comparator capable of carrying out high speed fault detecting test

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