JPH01233911A - Operating method for photoelectric switch - Google Patents
Operating method for photoelectric switchInfo
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
発明の要約
半導体レーザを投光部に用いた光電スイッチにおいて、
出力光を連続発振とパルス発振に切り換えできるように
する。またはパルス発振のデユーティ比を任意に設定で
きるようにする。このことにより、任意の出力光強度を
得られる構成とし。[Detailed Description of the Invention] Summary of the Invention In a photoelectric switch using a semiconductor laser in a light projecting section,
To enable output light to be switched between continuous oscillation and pulse oscillation. Alternatively, the duty ratio of pulse oscillation can be set arbitrarily. This makes it possible to obtain any output light intensity.
調整時には出力光を強くして調整容易に、動作時には出
力光を弱くして半導体レーザを長寿命化する効果を得る
。During adjustment, the output light is strengthened to facilitate adjustment, and during operation, the output light is weakened to prolong the life of the semiconductor laser.
発明の背景
この発明は、半導体レーザを光源に用いた光電スイッチ
の動作方法、とくに光軸調整のための動作方法に関する
。BACKGROUND OF THE INVENTION The present invention relates to a method of operating a photoelectric switch using a semiconductor laser as a light source, and particularly to a method of operating a photoelectric switch for adjusting an optical axis.
光電スイッチ、とくに投光器と受光器とを対向配置する
透過形の光電スイッチの設置時や調整時におけ不光軸調
整は困難な作業の1つである。光電スイッチからの投射
光が弱いと投射光が見えないかまたは見えにくいので光
軸調整作業に長い時間がかかる。とくに投射光が赤外光
または近赤外光の場合にはたいへんやりずらい。Adjustment of the non-optical axis is one of the difficult tasks when installing or adjusting a photoelectric switch, especially a transmission type photoelectric switch in which a light emitter and a light receiver are arranged facing each other. If the projected light from the photoelectric switch is weak, the projected light cannot be seen or is difficult to see, so it takes a long time to adjust the optical axis. This is especially difficult when the projected light is infrared or near-infrared light.
一方、光電スイッチの投射光強度を大きくすると、投射
光が見えるまたは見えやすくなるので。On the other hand, if the intensity of the projected light of the photoelectric switch is increased, the projected light becomes visible or easier to see.
光軸調整はその分やりやすくなる。しかしながら、光源
としての半導体レーザを大電流で駆動することになるの
でその寿命が短くなる。また。Optical axis adjustment becomes easier. However, since the semiconductor laser serving as the light source is driven with a large current, its lifespan is shortened. Also.
レーザ光はビーム径が比較的小さくエネルギが大きいの
で高強度のレーザ光は人体とくに目に対して危険である
。Since laser light has a relatively small beam diameter and high energy, high-intensity laser light is dangerous to the human body, especially the eyes.
発明の概要
この発明は上記実情に鑑み、光軸調整が容易でしかも長
寿命化を図りかつ安全な光電スイッチの動作方法を提供
することを目的とする。SUMMARY OF THE INVENTION In view of the above-mentioned circumstances, an object of the present invention is to provide a method for operating a photoelectric switch that facilitates optical axis adjustment, extends life, and is safe.
半導体レーザを光源とする光電スイッチのこの発明によ
る動作方法は、光電スイッチの調整、設置にさいしては
半導体レーザを連続発光またはデユーティ比が相対的に
大きなパルス発光により駆動して出力光強度を相対的に
大きく設定し5通常動作時には半導体レーザをデユーテ
ィ比が相対的に小さなパルス発光駆動することにより出
力光強度を相対的に小さく設定することを特徴とする。The operating method of a photoelectric switch using a semiconductor laser as a light source according to the present invention is to drive the semiconductor laser with continuous light emission or pulsed light emission with a relatively large duty ratio to adjust the output light intensity when adjusting and installing the photoelectric switch. 5. During normal operation, the output light intensity is set relatively low by driving the semiconductor laser to emit pulses with a relatively small duty ratio.
この発明によると、yJ整、設置時における光軸調整に
さいしては光源としての半導体レーザを連続発振または
デユーティ比の大きなパルス発振にすることにより出力
光強度を大きくしている。したがって、投射光ビームが
目視できるかまたは目視しやすくなるので、光軸調整が
容易となる。他方、動作時にはパルス発振またはデユー
ティ比の小さなパルス発振にすることにより、半導体レ
ーザの寿命を長<シ、かつ出力光強度が弱いので。According to this invention, for yJ adjustment and optical axis adjustment during installation, the output light intensity is increased by using a semiconductor laser as a light source to perform continuous oscillation or pulse oscillation with a large duty ratio. Therefore, the projected light beam is visible or easy to see, making it easy to adjust the optical axis. On the other hand, by using pulse oscillation or pulse oscillation with a small duty ratio during operation, the life of the semiconductor laser can be extended and the output light intensity is low.
直接光に対しても安全となる。It is also safe against direct light.
とくにこの発明は、フレネル・レンズを採用した光電ス
イッチについて有用である。通常の凸レンズを用いた場
合には半導体レーザ光はあまり(たとえば直径5rII
m程度)絞ることはできないが、フしネル・レンズを用
いると極端に小さく(たとえば1mm程度)接続ること
が可能となり。This invention is particularly useful for photoelectric switches that employ Fresnel lenses. When a normal convex lens is used, the semiconductor laser light is not very strong (for example, the diameter is 5rII
Although it is not possible to narrow down the aperture (approximately 1 mm), it is possible to make the connection extremely small (for example, approximately 1 mm) using a finnel lens.
投射レーザ光の単位面積当りのエネルギは強大となる。The energy per unit area of the projected laser beam becomes strong.
したがって、このレーザ光は人体に対して危険である。Therefore, this laser light is dangerous to the human body.
この発明では通常動作時はデユーティ比の比較的大きな
パルス発振としているので、比較的安全となる。また半
導体レーザ光が近赤外光の場合にはレーザ・ビームを連
続発振またはデユーティ比の大きなパルス発振とし、か
つ小さく絞ると見えるようになり、光軸調整が容易とな
る。In the present invention, pulse oscillation with a relatively large duty ratio is used during normal operation, so it is relatively safe. Further, when the semiconductor laser light is near-infrared light, the laser beam can be made into continuous oscillation or pulse oscillation with a large duty ratio, and it can be seen by narrowing down to a small size, making it easier to adjust the optical axis.
この発明は透過形のみならず反射形の光電スイッチに対
してももちろん適用可能である。This invention is of course applicable not only to transmission type photoelectric switches but also to reflective type photoelectric switches.
実施例の説明
第1図は、光電スイッチの光源としての半導体レーザを
調整時(設置時を含む)には連続発振とし1通常の検知
動作時にはパルス発振したときの出力光強度の様子を示
すものである。Description of Examples Figure 1 shows the output light intensity when the semiconductor laser as the light source of the photoelectric switch is continuous oscillation during adjustment (including installation) and pulse oscillation during normal detection operation. It is.
このような制御はたとえば第2図に示す構成によって実
現できる。この図において、半導体レーザ1の出力制御
回路2はパルス点灯駆動回路21と直流点灯駆動回路2
2とを含んでいる。そして、これらの回路2r、 22
は切換スイッチ4によって電源3に接続される。Such control can be realized, for example, by the configuration shown in FIG. In this figure, the output control circuit 2 of the semiconductor laser 1 includes a pulse lighting drive circuit 21 and a DC lighting drive circuit 2.
2. And these circuits 2r, 22
is connected to the power source 3 by a changeover switch 4.
光軸調整等にさいしては切換スイッチ4は直流点灯駆動
回路22に接続され、半導体レーザ1は連続駆動により
連続発振する。光軸調整等が終了。For optical axis adjustment and the like, the changeover switch 4 is connected to a DC lighting drive circuit 22, and the semiconductor laser 1 is continuously driven to oscillate continuously. Optical axis adjustment etc. are completed.
通常の検知動作を行なわせるときにはスイッチ4をパル
ス点灯駆動回路21側に切換える。この駆動回路21は
たとえば発振回路とスイッチング・トランジスタとを含
み2発振回路の発振出力によってスイッチング・トラン
ジスタをオン、オフ制御し、半導体レーザ1の駆動電流
を断続する。When performing a normal detection operation, the switch 4 is switched to the pulse lighting drive circuit 21 side. This drive circuit 21 includes, for example, an oscillation circuit and a switching transistor, and controls the switching transistor to be turned on and off by the oscillation outputs of the two oscillation circuits, thereby intermittent the drive current of the semiconductor laser 1.
デユーティ比は第1図においてb / aで与えられる
。The duty ratio is given by b/a in FIG.
第3図および第4図は、半導体レーザに、調整時にはデ
ユーティ比の大きなパルス発振を、動作時には小さなパ
ルス発振をさせたときの出力光強度の様子を示すもので
ある。FIGS. 3 and 4 show the output light intensity when the semiconductor laser is caused to emit pulses with a large duty ratio during adjustment and emit small pulses during operation.
第3図はパルス周期を一定としてデユーティ比を変え゛
たものである。調整時のデユーティ比b/a>動作時1
のデユーティ比b1/a1〉動作時2のデユーティ比b
/a、の関係にある。動作時1と2は必要に応じて切換
えればよい。In FIG. 3, the pulse period is kept constant and the duty ratio is varied. Duty ratio b/a during adjustment > 1 during operation
duty ratio b1/a1> duty ratio b of 2 during operation
The relationship is /a. During operation, 1 and 2 may be switched as necessary.
第4図はパルス111(オン時間)を一定としてデユー
ティ比を変えたものであり、調整時、動作時1,2にお
けるデユーティ比の関係は第3図に示すものと同じであ
る。In FIG. 4, the pulse 111 (on time) is kept constant and the duty ratio is changed, and the relationship between the duty ratios during adjustment and during operation 1 and 2 is the same as that shown in FIG.
このような動作制御は第5図に示す回路を用いて実現で
きる。この図において第2図に示すものと同一物には同
一符号が付けられている。パルス点灯駆動回路21に含
まれている可変抵抗5を変えることにより1発振のパル
ス中や周波数を変えるまたは切換えることができる。Such operation control can be realized using the circuit shown in FIG. In this figure, the same parts as shown in FIG. 2 are given the same reference numerals. By changing the variable resistor 5 included in the pulse lighting drive circuit 21, it is possible to change or switch the pulse duration or frequency of one oscillation.
第1図および第2図は第1実施例を示し、第1図は出力
信号波形図、第2図は動作制御回路を示すブロック図で
ある。
第3図から第5図は第2の実施例を示し、第3図および
第4図は出力信号波形図、第5図は動作制御回路のブロ
ック図である。
1・・・半導体レーザ、 2・・・出力制御回路。
3・・・電源、 4・・・切換スイッチ5・
・・可変抵抗。
21・・・パルス点灯駆動回路。
22・・・直流点灯駆動回路。
以 上
第1図
第2図1 and 2 show a first embodiment, FIG. 1 is an output signal waveform diagram, and FIG. 2 is a block diagram showing an operation control circuit. 3 to 5 show the second embodiment, FIGS. 3 and 4 are output signal waveform diagrams, and FIG. 5 is a block diagram of the operation control circuit. 1... Semiconductor laser, 2... Output control circuit. 3...Power supply, 4...Selector switch 5.
...Variable resistance. 21...Pulse lighting drive circuit. 22...DC lighting drive circuit. Above Figure 1 Figure 2
Claims (1)
スイッチの調整、設置にさいしては半導体レーザを連続
発光またはデューティ比が相対的に大きなパルス発光に
より駆動して出力光強度を相対的に大きく設定し、通常
動作時には半導体レーザをデューティ比が相対的に小さ
なパルス発光駆動することにより出力光強度を相対的に
小さく設定することを特徴とする光電スイッチの動作方
法。In a photoelectric switch that uses a semiconductor laser as a light source, when adjusting and installing the photoelectric switch, drive the semiconductor laser with continuous light emission or pulsed light emission with a relatively large duty ratio to set the output light intensity relatively high. A method for operating a photoelectric switch, characterized in that during normal operation, the output light intensity is set relatively low by driving a semiconductor laser to emit pulses with a relatively small duty ratio.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5941588A JPH01233911A (en) | 1988-03-15 | 1988-03-15 | Operating method for photoelectric switch |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP5941588A JPH01233911A (en) | 1988-03-15 | 1988-03-15 | Operating method for photoelectric switch |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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JPH01233911A true JPH01233911A (en) | 1989-09-19 |
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Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP5941588A Pending JPH01233911A (en) | 1988-03-15 | 1988-03-15 | Operating method for photoelectric switch |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JPH01233911A (en) |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6342213A (en) * | 1986-08-07 | 1988-02-23 | Hokuyo Automatic Co | Photoelectric switch |
-
1988
- 1988-03-15 JP JP5941588A patent/JPH01233911A/en active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPS6342213A (en) * | 1986-08-07 | 1988-02-23 | Hokuyo Automatic Co | Photoelectric switch |
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