JPH0123179B2 - - Google Patents
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J27/00—Catalysts comprising the elements or compounds of halogens, sulfur, selenium, tellurium, phosphorus or nitrogen; Catalysts comprising carbon compounds
- B01J27/14—Phosphorus; Compounds thereof
- B01J27/186—Phosphorus; Compounds thereof with arsenic, antimony, bismuth, vanadium, niobium, tantalum, polonium, chromium, molybdenum, tungsten, manganese, technetium or rhenium
- B01J27/188—Phosphorus; Compounds thereof with arsenic, antimony, bismuth, vanadium, niobium, tantalum, polonium, chromium, molybdenum, tungsten, manganese, technetium or rhenium with chromium, molybdenum, tungsten or polonium
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J23/00—Catalysts comprising metals or metal oxides or hydroxides, not provided for in group B01J21/00
- B01J23/16—Catalysts comprising metals or metal oxides or hydroxides, not provided for in group B01J21/00 of arsenic, antimony, bismuth, vanadium, niobium, tantalum, polonium, chromium, molybdenum, tungsten, manganese, technetium or rhenium
- B01J23/24—Chromium, molybdenum or tungsten
- B01J23/30—Tungsten
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C5/00—Preparation of hydrocarbons from hydrocarbons containing the same number of carbon atoms
- C07C5/42—Preparation of hydrocarbons from hydrocarbons containing the same number of carbon atoms by dehydrogenation with a hydrogen acceptor
- C07C5/48—Preparation of hydrocarbons from hydrocarbons containing the same number of carbon atoms by dehydrogenation with a hydrogen acceptor with oxygen as an acceptor
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Description
【発明の詳細な説明】
アルケニル置換芳香族化合物は樹脂、プラスチ
ツク、ゴム、溶剤、化学中間体等の重要な出発物
質である。
ツク、ゴム、溶剤、化学中間体等の重要な出発物
質である。
アルケニル置換芳香族化合物の製造工程はしば
しば大量の未反応チヤージの再循環を必要とする
低い変換率により特徴ずけられる。多くの公知法
は大きな容量の水蒸気又は他のガス状希釈剤の存
在を必要とし、これは経済的に不利である。いく
つかの方法においてはアルケニル置換芳香族化合
物への変換率は酸化炭素及びその他の副生成物の
比較的多量の形成のために減少する。
しば大量の未反応チヤージの再循環を必要とする
低い変換率により特徴ずけられる。多くの公知法
は大きな容量の水蒸気又は他のガス状希釈剤の存
在を必要とし、これは経済的に不利である。いく
つかの方法においてはアルケニル置換芳香族化合
物への変換率は酸化炭素及びその他の副生成物の
比較的多量の形成のために減少する。
たとえばある公知法では、C2〜C3アルキル芳
香族炭化水素(例えば、エチルベンゼン、エチル
トルエン及びイソプロピルベンゼン)を、アルキ
ル芳香族炭化水素供給物及び水蒸気をF2O3触媒
上を通過させて相応するスチレン誘導体に変換す
る。通過あたりの変換率は35〜40%の範囲であ
り、比較的高い温度がこの酸化的脱水素反応にと
つて必要である。
香族炭化水素(例えば、エチルベンゼン、エチル
トルエン及びイソプロピルベンゼン)を、アルキ
ル芳香族炭化水素供給物及び水蒸気をF2O3触媒
上を通過させて相応するスチレン誘導体に変換す
る。通過あたりの変換率は35〜40%の範囲であ
り、比較的高い温度がこの酸化的脱水素反応にと
つて必要である。
他の酸化的脱水素法の例としては、米国特許第
3299155号明細書中にエチル(又はイソプロピル)
置換ベンゼン化合物及び二酸化イオウの混合物を
燐酸カルシウムのような金属燐酸塩触媒と気相で
接触させることよりなるアルミケニルベンゼンの
製法が記載されている。
3299155号明細書中にエチル(又はイソプロピル)
置換ベンゼン化合物及び二酸化イオウの混合物を
燐酸カルシウムのような金属燐酸塩触媒と気相で
接触させることよりなるアルミケニルベンゼンの
製法が記載されている。
米国特許第3409696号明細書中にはC2〜C4アル
キル芳香族炭化水素及び水蒸気の混合物を燐酸カ
ルシウムにビスムート化合物(例えば酸化ビスム
ート)20〜60重量%を含有し、それの担体が少な
くとも全細孔容量の90%まで1000〜6000Åの直径
を有する細孔で構成されている触媒と500゜〜650
℃の温度で接触させることより成る方法が記載さ
れている。
キル芳香族炭化水素及び水蒸気の混合物を燐酸カ
ルシウムにビスムート化合物(例えば酸化ビスム
ート)20〜60重量%を含有し、それの担体が少な
くとも全細孔容量の90%まで1000〜6000Åの直径
を有する細孔で構成されている触媒と500゜〜650
℃の温度で接触させることより成る方法が記載さ
れている。
出発物質と酸素の混合物を燐酸セリウム又はセ
リウム/ジルコニウム−燐酸塩触媒と400゜〜650
℃で接触させることより成るC2〜C6−アルキル
芳香族化合物を相応するC2〜C6−アルケニル芳
香族化合物に変換するための酸化脱水素法が米国
特許第3733327号明細書中に記載されている。
リウム/ジルコニウム−燐酸塩触媒と400゜〜650
℃で接触させることより成るC2〜C6−アルキル
芳香族化合物を相応するC2〜C6−アルケニル芳
香族化合物に変換するための酸化脱水素法が米国
特許第3733327号明細書中に記載されている。
米国特許第3957897号明細書中には酸素、450〜
650℃の温度の反応域、55〜2500の空間速度及び
少なくともピロ燐酸カルシウム、ピロ燐酸マグネ
シウム及びピロ燐酸ストロンチウムの1つである
触媒の使用を包含するC2〜C6アルキル芳香族化
合物の酸化脱水素法が記載されている。
650℃の温度の反応域、55〜2500の空間速度及び
少なくともピロ燐酸カルシウム、ピロ燐酸マグネ
シウム及びピロ燐酸ストロンチウムの1つである
触媒の使用を包含するC2〜C6アルキル芳香族化
合物の酸化脱水素法が記載されている。
更に最近、合成樹脂生成物の製造にともなう潜
在的に有害な環境への影響に対する関心が高まつ
てきている。大きな形状の製品の成形において、
例えば、重合可能なモノマーコンパウンドの揮発
性成分は新らしく塗布されたさらされている型表
面からしばしば蒸発しやすい。
在的に有害な環境への影響に対する関心が高まつ
てきている。大きな形状の製品の成形において、
例えば、重合可能なモノマーコンパウンドの揮発
性成分は新らしく塗布されたさらされている型表
面からしばしば蒸発しやすい。
種々の方法が合成樹脂製造装置において揮発す
る気体の量を低下させるために考慮された。1方
法はコンパウンドの揮発性モノマーを低い蒸気圧
を有するモノマーと置換することよりなる。この
ようにして、コモノマーとして揮発性スチレンを
含有する重合性コンパウンド中にスチレンのかわ
りにtert−ブチルスチレンのようなアルケニル芳
香族化合物を使用するのが有利である。
る気体の量を低下させるために考慮された。1方
法はコンパウンドの揮発性モノマーを低い蒸気圧
を有するモノマーと置換することよりなる。この
ようにして、コモノマーとして揮発性スチレンを
含有する重合性コンパウンド中にスチレンのかわ
りにtert−ブチルスチレンのようなアルケニル芳
香族化合物を使用するのが有利である。
もう1つの理由としては、tert−ブチルスチレ
ンが重合性コンパウンドの成形性を改良し、成形
されたプラスチツク製品の成形収縮を減少させる
ので、コポリマーのコンパウンド中のコモノマー
として又は繊維強化プラスチツクのための硬化剤
として好ましいということが判明したからであ
る。
ンが重合性コンパウンドの成形性を改良し、成形
されたプラスチツク製品の成形収縮を減少させる
ので、コポリマーのコンパウンド中のコモノマー
として又は繊維強化プラスチツクのための硬化剤
として好ましいということが判明したからであ
る。
樹脂系中のコモノマーとしてのtert−ブチルス
チレンの利点はこのタイプのより高い分子量のア
ルケニル芳香族化合物の改良された合成法に対す
る興味を刺激した。
チレンの利点はこのタイプのより高い分子量のア
ルケニル芳香族化合物の改良された合成法に対す
る興味を刺激した。
米国特許明細書第3932549号明細書中にはtert
−ブチルベンゼンとエチレン及び酸素とを金属パ
ラジウム又はその脂肪酸塩をピリジンで処理する
ことにより製造された触媒の存在下に50゜〜300℃
で反応させることよりなるtert−ブチルスチレン
の製法が記載されている。
−ブチルベンゼンとエチレン及び酸素とを金属パ
ラジウム又はその脂肪酸塩をピリジンで処理する
ことにより製造された触媒の存在下に50゜〜300℃
で反応させることよりなるtert−ブチルスチレン
の製法が記載されている。
tert−ブチルベンゼンを製造するための他の公
知法はtert−ブチルエチルベンゼンの酸化脱水素
を包含する。C2〜C6アルキル芳香族化合物の酸
化脱水素のための前記のこれらタイプの特許記載
方法は一般にtert−ブチルエチルベンゼンのtert
−ブチルスチレンへの変換に適用可能である。
知法はtert−ブチルエチルベンゼンの酸化脱水素
を包含する。C2〜C6アルキル芳香族化合物の酸
化脱水素のための前記のこれらタイプの特許記載
方法は一般にtert−ブチルエチルベンゼンのtert
−ブチルスチレンへの変換に適用可能である。
しかしながら、酸化脱水素条件下でのtert−ブ
チルエチルベンゼンの化学反応性はエチルベンゼ
ン又はエチルトルエンのような単純な化学構造の
ものより複雑である。tert−ブチルエチルベンゼ
ンのtert−ブチル置換分は酸化脱水素条件下でク
ラツキングを受けやすく、メタン及び残りのベン
ゼン核上のイソプロペニル置換分が得られる。従
つて、tert−ブチルエチルベンゼン酸化脱水素の
最終的な副生成物の1つはイソプロペニルスチレ
ンのようなジアルケニルベンゼンである。
チルエチルベンゼンの化学反応性はエチルベンゼ
ン又はエチルトルエンのような単純な化学構造の
ものより複雑である。tert−ブチルエチルベンゼ
ンのtert−ブチル置換分は酸化脱水素条件下でク
ラツキングを受けやすく、メタン及び残りのベン
ゼン核上のイソプロペニル置換分が得られる。従
つて、tert−ブチルエチルベンゼン酸化脱水素の
最終的な副生成物の1つはイソプロペニルスチレ
ンのようなジアルケニルベンゼンである。
二個以上の重合可能なアルケニル基が存在する
のでイソプロペニルスチレンのような化合物は酸
化脱水素工程の出発物質の変換及び生成物の回収
の高温度のサイクルの間、交叉結合活性を受けや
すくかつ不溶性副生成物を形成しやすい。熱交換
器や蒸留塔は高分子量ポリマー残分の付着により
効力がなくなることがある。
のでイソプロペニルスチレンのような化合物は酸
化脱水素工程の出発物質の変換及び生成物の回収
の高温度のサイクルの間、交叉結合活性を受けや
すくかつ不溶性副生成物を形成しやすい。熱交換
器や蒸留塔は高分子量ポリマー残分の付着により
効力がなくなることがある。
更に、精製されたtert−ブチルスチレン中にイ
ソプロピレン型の不純物が特に変動する量で存在
すると、この汚染されたtert−ブチルスチレン生
成物を重合性コンパウンド中にコモノマーとして
適用することを複雑とし又は妨げることさえあ
る。
ソプロピレン型の不純物が特に変動する量で存在
すると、この汚染されたtert−ブチルスチレン生
成物を重合性コンパウンド中にコモノマーとして
適用することを複雑とし又は妨げることさえあ
る。
従つて、本発明の課題はC2〜C6アルキル置換
芳香族化合物を相応するアルケニル置換芳香族誘
導体に酸化脱水素するための方法を得ることであ
る。
芳香族化合物を相応するアルケニル置換芳香族誘
導体に酸化脱水素するための方法を得ることであ
る。
本発明のもう1つの課題は、高い出発物質の変
換率及び生成物の選択性を伴なう修正した条件下
にtert−ブチルエチルベンゼンをtert−ブチルス
チレンに変換するための方法を得ることである。
換率及び生成物の選択性を伴なう修正した条件下
にtert−ブチルエチルベンゼンをtert−ブチルス
チレンに変換するための方法を得ることである。
本発明のもう1つの課題はジアルケニルベンゼ
ン副生成物の生成なしに、もしくは僅かな生成下
にtert−ブチルエチルベンゼンをtert−ブチルス
チレンに変換する方法をうることである。
ン副生成物の生成なしに、もしくは僅かな生成下
にtert−ブチルエチルベンゼンをtert−ブチルス
チレンに変換する方法をうることである。
本発明のもう1つの課題は酸化脱水素工程に適
合する新規な触媒を得ることである。
合する新規な触媒を得ることである。
本発明の他の課題及び利点は次の記載及び例か
ら明らかになる。
ら明らかになる。
本発明の1つ以上の課題はtert−ブチルエチル
ベンゼン及び酸素を含有する供給流を気相でアル
ミニウム/カルシウム/珪素/タングステン−燐
酸塩からなる触媒と接触させることより成る方法
をつくることにより成し遂げられる。
ベンゼン及び酸素を含有する供給流を気相でアル
ミニウム/カルシウム/珪素/タングステン−燐
酸塩からなる触媒と接触させることより成る方法
をつくることにより成し遂げられる。
更に詳細な実施形式において、本発明はtert−
ブチルエチルベンゼン及び酸素の供給混合物を約
350℃〜650℃の間の範囲の温度で共沈アルミニウ
ム/カルシウム/珪素/タングステン−燐酸塩触
媒と接触させることよりなり、かつここでtert−
ブチルスチレンへの変換選択性が少なくとも80モ
ル%であり、ジビニルベンゼンへの変換選択性が
本質的に0モル%である酸化脱水素条件下での
tert−ブチルスチレンの製法を提供する。
ブチルエチルベンゼン及び酸素の供給混合物を約
350℃〜650℃の間の範囲の温度で共沈アルミニウ
ム/カルシウム/珪素/タングステン−燐酸塩触
媒と接触させることよりなり、かつここでtert−
ブチルスチレンへの変換選択性が少なくとも80モ
ル%であり、ジビニルベンゼンへの変換選択性が
本質的に0モル%である酸化脱水素条件下での
tert−ブチルスチレンの製法を提供する。
酸化脱水素反応の有利な反応温度は約400℃〜
600℃の間の範囲内である。
600℃の間の範囲内である。
tert−ブチルエチルベンゼン及び酸素の供給混
合物は本発明の酸化脱水素反応に不利な影響を与
えない多量の他の炭化水素、例えばパラフイン及
び/又はオレフイン系炭化水素のような市販のア
ルキルベンゼン中に存在することのある炭化水素
を含有してもよい。
合物は本発明の酸化脱水素反応に不利な影響を与
えない多量の他の炭化水素、例えばパラフイン及
び/又はオレフイン系炭化水素のような市販のア
ルキルベンゼン中に存在することのある炭化水素
を含有してもよい。
供給混合物の酸素分子成分がtert−ブチルエチ
ルベンゼン1モル当り約0.2〜5モルの量で存在
するのが有利であり、0.8〜2:1のモル比がも
つとも有利である。酸素は空気、市販の純粋な酸
素又は酸素で富ませた空気として供給することが
できる。
ルベンゼン1モル当り約0.2〜5モルの量で存在
するのが有利であり、0.8〜2:1のモル比がも
つとも有利である。酸素は空気、市販の純粋な酸
素又は酸素で富ませた空気として供給することが
できる。
供給流中にガス状希釈剤を含有することは有利
である。好適な希釈剤を例証すると、二酸化炭
素、窒素、蒸気及び希ガスを個々に又は混合した
ものである。希釈剤を通常供給流中tert−ブチル
エチルベンゼン1モルあたり約2〜20モルの間の
量で適用する。
である。好適な希釈剤を例証すると、二酸化炭
素、窒素、蒸気及び希ガスを個々に又は混合した
ものである。希釈剤を通常供給流中tert−ブチル
エチルベンゼン1モルあたり約2〜20モルの間の
量で適用する。
気相酸化脱水素法において使用される圧力は減
圧、大気圧又は過圧であつてよい。気相法の有利
な圧力は約0.07〜13.6アトム(1〜200psi)の間
である。
圧、大気圧又は過圧であつてよい。気相法の有利
な圧力は約0.07〜13.6アトム(1〜200psi)の間
である。
気相法のための有利な反応器は本発明のアルミ
ニウム/カルシウム/珪素/タングステン−燐酸
塩触媒組成物を含有する固定床又は流動床の反応
器を包含する。方法は連続的又は非連続的に行な
うことができ、触媒は固定床又は流動システムの
ような種々の形で存在してよい。
ニウム/カルシウム/珪素/タングステン−燐酸
塩触媒組成物を含有する固定床又は流動床の反応
器を包含する。方法は連続的又は非連続的に行な
うことができ、触媒は固定床又は流動システムの
ような種々の形で存在してよい。
気相法における供給流の滞留時間(すなわち、
触媒接触時間)は約0.5〜20秒の間で変化し、有
利に平均して約1〜15秒の間である。滞留時間は
25℃及び大気に調整した接触時間に関連する。接
触時間は触媒床の容量(空間を含む)を常温常圧
での供給流の単位時間あたりの流量容量で分割す
ることにより計算される。
触媒接触時間)は約0.5〜20秒の間で変化し、有
利に平均して約1〜15秒の間である。滞留時間は
25℃及び大気に調整した接触時間に関連する。接
触時間は触媒床の容量(空間を含む)を常温常圧
での供給流の単位時間あたりの流量容量で分割す
ることにより計算される。
本発明方法の重要な点は新規な共沈アルミニウ
ム/カルシウム/珪素/タングステン−燐酸塩触
媒組成物を使用することである。この触媒はtert
−ブチルエチルベンゼンのtert−ブチルスチレン
生成物への変換の際高変換率を有し、かつジアル
ケニルベンゼンタイプの副生成物を全く生成しな
いか又はわずかに生成するという特異な性質を示
す。
ム/カルシウム/珪素/タングステン−燐酸塩触
媒組成物を使用することである。この触媒はtert
−ブチルエチルベンゼンのtert−ブチルスチレン
生成物への変換の際高変換率を有し、かつジアル
ケニルベンゼンタイプの副生成物を全く生成しな
いか又はわずかに生成するという特異な性質を示
す。
触媒組成物の金属原子比をアルミニウム:カル
シウム:珪素:タングステン≒1〜12:1〜12:
0.2〜5:2〜20の範囲で変化させてよい。燐酸
塩成分は少なくとも触媒中のカチオン元素の原子
価を満たすために十分な量で存在する。
シウム:珪素:タングステン≒1〜12:1〜12:
0.2〜5:2〜20の範囲で変化させてよい。燐酸
塩成分は少なくとも触媒中のカチオン元素の原子
価を満たすために十分な量で存在する。
この触媒はアルミニウム、カルシウム、珪素及
びタングステン元素の水溶性又は部分的水溶性化
合物の水溶液又はスラリーに燐酸アンモニウムの
水溶液を加えることにより製造される。水溶性又
は部分的水溶性化合物の例はアルミニウム及びカ
ルシウムの塩化物、硝酸塩、硫酸塩、及びシリコ
ンタングステン酸のような他の化合物である。珪
素成分を触媒組成物中に水溶性化合物、例えばシ
リコンタングステン酸、シリコンタングステン酸
アンモニウム等の形で触媒組成物中に混合するこ
とは本発明の触媒製法の重要な点である。もし珪
素を不溶性のシリカの形で導入するならば(これ
はバインダー又は内部希釈剤として作用する)、
異なる触媒結晶構造が得られる。
びタングステン元素の水溶性又は部分的水溶性化
合物の水溶液又はスラリーに燐酸アンモニウムの
水溶液を加えることにより製造される。水溶性又
は部分的水溶性化合物の例はアルミニウム及びカ
ルシウムの塩化物、硝酸塩、硫酸塩、及びシリコ
ンタングステン酸のような他の化合物である。珪
素成分を触媒組成物中に水溶性化合物、例えばシ
リコンタングステン酸、シリコンタングステン酸
アンモニウム等の形で触媒組成物中に混合するこ
とは本発明の触媒製法の重要な点である。もし珪
素を不溶性のシリカの形で導入するならば(これ
はバインダー又は内部希釈剤として作用する)、
異なる触媒結晶構造が得られる。
アルミニウム、カルシウム、珪素、タングステ
ン及び燐酸塩成分の生じた溶液又はスラリーのPH
を水酸化アンモニウムのようなアルカリ性試薬で
約7に調整するのが有利な方法である。共沈した
固体及びすべてのあらかじめ存在した固体を回収
し、水で洗浄し、乾燥させる。溶液からの固体の
共沈は溶液の冷却又は濃縮によつて促進される。
ン及び燐酸塩成分の生じた溶液又はスラリーのPH
を水酸化アンモニウムのようなアルカリ性試薬で
約7に調整するのが有利な方法である。共沈した
固体及びすべてのあらかじめ存在した固体を回収
し、水で洗浄し、乾燥させる。溶液からの固体の
共沈は溶液の冷却又は濃縮によつて促進される。
共沈生成物を約1〜24時間の間約300〜600℃の
間の温度で不活性雰囲気中〓焼するならば触媒組
成物の活性は上昇するということが見い出され
た。
間の温度で不活性雰囲気中〓焼するならば触媒組
成物の活性は上昇するということが見い出され
た。
前記共沈アルミニウム/カルシウム/珪素/タ
ングステン−燐酸塩組成物は触媒自体として使用
することもできるし、又は該組成物を好適な内部
希釈剤又は担持物質と組み合わせて使用すること
もできる。この担持物質は触媒製造の溶解及び共
沈形成段階の間有利に組み入れられる。
ングステン−燐酸塩組成物は触媒自体として使用
することもできるし、又は該組成物を好適な内部
希釈剤又は担持物質と組み合わせて使用すること
もできる。この担持物質は触媒製造の溶解及び共
沈形成段階の間有利に組み入れられる。
担持物質は本発明方法で使用される条件に比較
的超耐熱性を有すべきである。好適な担持物質材
料は(1)シリカ又はシリカゲル、炭化珪素、クレ
ー、及び合成されたか又は天然産の、酸処理をさ
れているか又はされていないもの例えばアタパル
ガス・クレー、チヤイナ・クレー、珪藻土、漂布
土、カオリン及びアスベストを包含する珪酸塩;
(2)セラミツク、磁器、粉砕粘土質煉瓦及びボーキ
サイト;(3)アルミナ、二酸化チタン、二酸化ジル
コニウム、酸化クロム、酸化ベリリウム、酸化バ
ナジウム、酸化セシウム、酸化ハフニウム、酸化
亜鉛、酸化モリブデン、酸化ビスムート、酸化タ
ングステン、酸化ウラン、マグネシア、ボリア
(boria)、トリア(thoria)、シリカ−アルミナ、
シリカーマグネシア、クロミア−アルミナ、アル
ミナ−ボリア及びシリカ−ジルコニアのような超
耐熱性無機酸化物;(4)天然産又は合成のモルデン
沸石及び/又はホージヤサイトのような水素型又
は多価カチオンで処理された結晶性沸石型アルミ
ノ−珪酸塩;及び(5)MgAl2O4、FeAl2O4、
ZnAl2O4、MnAl2O4、CaAl2O4、及び式MO・
Al2O3(ここでMは原子価2を有する金属である)
を有する他の類似化合物のようなスピネルであ
る。
的超耐熱性を有すべきである。好適な担持物質材
料は(1)シリカ又はシリカゲル、炭化珪素、クレ
ー、及び合成されたか又は天然産の、酸処理をさ
れているか又はされていないもの例えばアタパル
ガス・クレー、チヤイナ・クレー、珪藻土、漂布
土、カオリン及びアスベストを包含する珪酸塩;
(2)セラミツク、磁器、粉砕粘土質煉瓦及びボーキ
サイト;(3)アルミナ、二酸化チタン、二酸化ジル
コニウム、酸化クロム、酸化ベリリウム、酸化バ
ナジウム、酸化セシウム、酸化ハフニウム、酸化
亜鉛、酸化モリブデン、酸化ビスムート、酸化タ
ングステン、酸化ウラン、マグネシア、ボリア
(boria)、トリア(thoria)、シリカ−アルミナ、
シリカーマグネシア、クロミア−アルミナ、アル
ミナ−ボリア及びシリカ−ジルコニアのような超
耐熱性無機酸化物;(4)天然産又は合成のモルデン
沸石及び/又はホージヤサイトのような水素型又
は多価カチオンで処理された結晶性沸石型アルミ
ノ−珪酸塩;及び(5)MgAl2O4、FeAl2O4、
ZnAl2O4、MnAl2O4、CaAl2O4、及び式MO・
Al2O3(ここでMは原子価2を有する金属である)
を有する他の類似化合物のようなスピネルであ
る。
本発明に適用される触媒は顆粒、ペレツト、押
出物、粉末、錠剤、繊維状、又は他の有利な物理
的な形であつてよい。
出物、粉末、錠剤、繊維状、又は他の有利な物理
的な形であつてよい。
本明細書の有利な触媒組成物は式:
Al1〜12Ca1〜12Si0.2〜5W2〜20(PO4)x
〔式中、xは金属組成物の原子価を満たすために
十分な数値である〕に相応するものである。
十分な数値である〕に相応するものである。
本発明の有利な触媒組成物はC3〜C10アルケン、
C4〜C10シクロアルケン及びC2〜C6アルキル芳香
族化合物のような炭化水素化合物の酸化脱水素の
ために適用され、かつこれはtert−ブチルベンゼ
ン及びエチルトルエンの緩和な酸化条件下での酸
化脱水素のために特に有利である。
C4〜C10シクロアルケン及びC2〜C6アルキル芳香
族化合物のような炭化水素化合物の酸化脱水素の
ために適用され、かつこれはtert−ブチルベンゼ
ン及びエチルトルエンの緩和な酸化条件下での酸
化脱水素のために特に有利である。
本発明の前記触媒組成物
Al1〜12Ca1〜12Si0.2〜5W2〜20(PO4)x中のアルミニウ
ム金属成分の存在は摩耗抵抗を付与し、炭化水素
の酸化脱水素条件下での触媒の寿命を伸ばす。
ム金属成分の存在は摩耗抵抗を付与し、炭化水素
の酸化脱水素条件下での触媒の寿命を伸ばす。
次に実施例につき本発明を詳細に説明する。反
応成分及び他の特定な成分は典型的なものとして
記載されており、本発明の範囲内において前述の
事柄を考慮して種々の改変を誘導することができ
る。
応成分及び他の特定な成分は典型的なものとして
記載されており、本発明の範囲内において前述の
事柄を考慮して種々の改変を誘導することができ
る。
例
この例はアルミニウム/カルシウム/珪素/タ
ングステン−燐酸塩触媒組成物の製造及び適用を
示す。
ングステン−燐酸塩触媒組成物の製造及び適用を
示す。
A 水20ml中に硝酸アルミニウム5g〔0.013モ
ル、Al(NO3)3・9H2O〕を溶かし、硝酸カル
シウム50g〔0.21モル、Ca(NO3)2・4H2O〕を
水100ml中に溶かし、シリコタングステン酸
〔0.0007モル、H4〔Si(W3O10)4・24H2O〕〕を水
50ml中に溶解し、次いでこの溶液を一緒に混合
する。
ル、Al(NO3)3・9H2O〕を溶かし、硝酸カル
シウム50g〔0.21モル、Ca(NO3)2・4H2O〕を
水100ml中に溶かし、シリコタングステン酸
〔0.0007モル、H4〔Si(W3O10)4・24H2O〕〕を水
50ml中に溶解し、次いでこの溶液を一緒に混合
する。
一塩基性燐酸アンモニウム35g〔0.30モル、
(NH4)2HPO4〕を水150ml中に溶かす。この溶
液のPHを水酸化アンモニウムで7.6にあわせる。
この溶液をあらかじめ製造した溶液と合する
と、固形の沈殿物が形成される。
(NH4)2HPO4〕を水150ml中に溶かす。この溶
液のPHを水酸化アンモニウムで7.6にあわせる。
この溶液をあらかじめ製造した溶液と合する
と、固形の沈殿物が形成される。
生じたスラリーを1時間加熱し、次いで冷却
し、固体触媒前駆物質を濾過により分離する。
回収された触媒前駆物質を水で洗浄し、120℃
で真空中乾燥させる。乾燥した触媒前駆物質を
窒素雰囲気下に550℃で5時間〓焼すると、触
媒組成物24.5gが得られる。
し、固体触媒前駆物質を濾過により分離する。
回収された触媒前駆物質を水で洗浄し、120℃
で真空中乾燥させる。乾燥した触媒前駆物質を
窒素雰囲気下に550℃で5時間〓焼すると、触
媒組成物24.5gが得られる。
担持物質を使用する場合、最初の触媒前駆物
質形成段階で混合するのが有利である。
質形成段階で混合するのが有利である。
B アルミニウム/カルシウム/珪素/タングス
テン−燐酸塩触媒の1部を粉砕し、篩にかけて
10〜20の範囲のメツシユ巾のものとする。触媒
1cm3(0.35g)量を電気的に加熱されるステン
レス・スチール反応器に装入し、この反応器を
約460℃に加熱する。
テン−燐酸塩触媒の1部を粉砕し、篩にかけて
10〜20の範囲のメツシユ巾のものとする。触媒
1cm3(0.35g)量を電気的に加熱されるステン
レス・スチール反応器に装入し、この反応器を
約460℃に加熱する。
空気流10ml/分及びtert−ブチルエチルベン
ゼン1ml/時間を反応器の入口に導入する。反
応器からの流出流を冷却し、生じた液体成分を
集める。
ゼン1ml/時間を反応器の入口に導入する。反
応器からの流出流を冷却し、生じた液体成分を
集める。
tert−ブチルエチルベンゼンの変換率は40%
で、tert−ブチルスチレンへのモル%選択性は
86.6である。ジアルケニルベンゼンの比選択性
は約0.22モル%である。
で、tert−ブチルスチレンへのモル%選択性は
86.6である。ジアルケニルベンゼンの比選択性
は約0.22モル%である。
例
アルミニウム/カルシウム/珪素/タングステ
ン−燐酸塩触媒は例と同様にして製造される
が、触媒成分をその比率で3倍増加量にふやす。
ン−燐酸塩触媒は例と同様にして製造される
が、触媒成分をその比率で3倍増加量にふやす。
触媒粉末(10〜20メツシユ)の100cm3部(62g)
を長さ73cm(24インチ)及び巾1.3cm(0.5イン
チ)のステンレス・スチール・パイプである反応
器に装入する。反応器及び供給管の1部を溶融塩
浴に浸す。
を長さ73cm(24インチ)及び巾1.3cm(0.5イン
チ)のステンレス・スチール・パイプである反応
器に装入する。反応器及び供給管の1部を溶融塩
浴に浸す。
供給流はtert−ブチルエチルベンゼン60ml/時
間、空気400ml/分及び窒素1000ml/分を混合し、
酸化反応域の温度は約440℃である。時間あたり
の液体空間速度は約2.3g/g/時間である。
間、空気400ml/分及び窒素1000ml/分を混合し、
酸化反応域の温度は約440℃である。時間あたり
の液体空間速度は約2.3g/g/時間である。
tert−ブチルエチルベンゼンの変換率は28%
で、tert−ブチルスチレンへのモル%選択性は
89.4である。流出生成混合物のガスクロマトグラ
フイー分析はジアルケニルベンゼン副生成物が約
0.04モル%の選択性収率で生成されるということ
を示す。
で、tert−ブチルスチレンへのモル%選択性は
89.4である。流出生成混合物のガスクロマトグラ
フイー分析はジアルケニルベンゼン副生成物が約
0.04モル%の選択性収率で生成されるということ
を示す。
前記酸化法にtert−ブチルエチルベンゼンのか
わりにエチルトルエンを使用する場合、少なくと
も80のビニルトルエンへのモル%選択性が得られ
る。
わりにエチルトルエンを使用する場合、少なくと
も80のビニルトルエンへのモル%選択性が得られ
る。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 tert−ブチルスチレンを製造するために、
tert−ブチルエチルベンゼン及び酸素を含有する
供給流を気相でアルミニウム/カルシウム/珪
素/タングステン−燐酸塩から成る触媒と接触さ
せることを特徴とするtert−ブチルスチレンの製
法。 2 酸化脱水素条件下にtert−ブチルスチレンを
製造するために、tert−ブチルエチルベンゼン及
び酸素の供給混合物を約350℃〜650℃の間の範囲
の温度で共沈アルミニウム/カルシウム/珪素/
タングステン−燐酸塩触媒と接触させることより
なり、ここでtert−ブチルスチレンへの変換選択
性が少なくとも80モル%であり、ジアルケニルベ
ンゼンへの変換選択性が本質的に0モル%である
ことを特徴とするtert−ブチルスチレンの製法。 3 供給混合物がtert−ブチルエチルベンゼン1
モル当り分子酸素約0.2〜5モルを含有する特許
請求の範囲第2項記載の方法。 4 供給混合物がガス状不活性希釈剤を含有する
特許請求の範囲第2項記載の方法。 5 供給混合物が窒素及び/又は二酸化炭素及
び/又は水蒸気をガス状不活性希釈剤として含有
する特許請求の範囲第2項記載の方法。 6 供給流と触媒の接触時間は約0.5〜20秒の間
の範囲である特許請求の範囲第2項記載の方法。 7 それぞれアルミニウム:カルシウム:珪素:
タングステン元素は約1〜12:1〜12:0.2〜
5:2〜20の原子比で触媒中に存在する特許請求
の範囲第2項記載の方法。 8 触媒が担持物質上に担持されている特許請求
の範囲第2項記載の方法。 9 ビニルトルエンを製造するためにエチルトル
エン及び酸素を含有する供給流を気相でアルミニ
ウム/カルシウム/珪素/タングステン−燐酸塩
から成る触媒と接触させることを特徴とするビニ
ルトルエンの製法。 10 ビニルトルエンへの変換選択性が少なくと
も80モル%である特許請求の範囲第9項記載の方
法。 11 酸化脱水素反応に適用される共沈触媒組成
物において、この触媒組成物が式: Al1〜12Ca1〜12Si0.2〜5W2〜20(PO4)x 〔式中、xは触媒中の金属元素の原子価を満たす
ために十分な数値を表わす〕に相応することを特
徴とする酸化脱水素反応のための触媒組成物。 12 担持物質と組み合わさつている特許請求の
範囲第11項記載の組成物。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US06/116,659 US4393263A (en) | 1980-01-29 | 1980-01-29 | Tertiary-butylstyrene production |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS56155648A JPS56155648A (en) | 1981-12-01 |
JPH0123179B2 true JPH0123179B2 (ja) | 1989-05-01 |
Family
ID=22368494
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1089881A Granted JPS56155648A (en) | 1980-01-29 | 1981-01-29 | Manufacture of tert-butylstyrene and vinyltoluene and catalyst composition for oxidation dehydrogenation reaction |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4393263A (ja) |
JP (1) | JPS56155648A (ja) |
CA (1) | CA1149368A (ja) |
DE (1) | DE3103003A1 (ja) |
FR (1) | FR2474486A1 (ja) |
GB (1) | GB2068253B (ja) |
IT (1) | IT1170667B (ja) |
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---|---|---|---|---|
US4639358A (en) * | 1983-12-19 | 1987-01-27 | Mobil Oil Corporation | Crystalline silicophosphoaluminate MCM-1 |
US4639357A (en) * | 1983-12-19 | 1987-01-27 | Mobil Oil Corporation | Crystalline silicophosphoaluminate MCM-5 |
US4664897A (en) * | 1983-12-19 | 1987-05-12 | Mobil Oil Corporation | Crystalline silicophosphoaluminate MCM-4 |
US4673559A (en) * | 1983-12-19 | 1987-06-16 | Mobil Oil Corporation | Silicoaluminophosphate crystallization using hydrolysis |
US4898722A (en) * | 1984-12-19 | 1990-02-06 | Mobil Oil Corp. | Synthesis of crystalline SAPO-37 |
DE3506022A1 (de) * | 1985-02-21 | 1986-08-21 | Basf Ag, 6700 Ludwigshafen | Dehydrierungskatalysator und dessen verwendung |
US4810361A (en) * | 1987-05-18 | 1989-03-07 | Mobil Oil Corporation | Resid hydrotreating process using lanthana-alumina-aluminum phosphate catalyst |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US3299155A (en) * | 1964-02-24 | 1967-01-17 | Shell Oil Co | Oxidative dehydrogenation of alkyl benzenes with canipo4 and so2 |
US3403192A (en) * | 1965-03-29 | 1968-09-24 | Exxon Research Engineering Co | Sulfur-promoted oxidative dehydrogenation process |
US3456026A (en) * | 1967-11-01 | 1969-07-15 | Exxon Research Engineering Co | Sulfur dehydrogenation of organic compounds |
US3733327A (en) * | 1971-06-28 | 1973-05-15 | Dow Chemical Co | Catalytic oxydehydrogenation of alkyl aromatics and alkyl pyridines |
JPS5323823B2 (ja) * | 1973-01-22 | 1978-07-17 |
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-
1981
- 1981-01-13 CA CA000368357A patent/CA1149368A/en not_active Expired
- 1981-01-14 GB GB8101010A patent/GB2068253B/en not_active Expired
- 1981-01-28 MX MX185748A patent/MX156574A/es unknown
- 1981-01-28 FR FR8101613A patent/FR2474486A1/fr active Granted
- 1981-01-29 DE DE19813103003 patent/DE3103003A1/de not_active Withdrawn
- 1981-01-29 IT IT47666/81A patent/IT1170667B/it active
- 1981-01-29 JP JP1089881A patent/JPS56155648A/ja active Granted
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