JPH01218036A - Inker apparatus - Google Patents

Inker apparatus

Info

Publication number
JPH01218036A
JPH01218036A JP63044992A JP4499288A JPH01218036A JP H01218036 A JPH01218036 A JP H01218036A JP 63044992 A JP63044992 A JP 63044992A JP 4499288 A JP4499288 A JP 4499288A JP H01218036 A JPH01218036 A JP H01218036A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
laser
inker
chip
semiconductor wafer
electric signal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP63044992A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Kazuyuki Kobayashi
和幸 小林
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP63044992A priority Critical patent/JPH01218036A/en
Publication of JPH01218036A publication Critical patent/JPH01218036A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Feedback Control In General (AREA)
  • Dot-Matrix Printers And Others (AREA)
  • Laser Beam Printer (AREA)

Abstract

PURPOSE:To enhance the reliability of a P/W test and to enhance the yield of a product by a method wherein a defective chip is marked and, at the same time, it is recognized whether the chip has been marked surely, and in case the chip has not been marked, it is marked again. CONSTITUTION:A gate circuit 7 is used to irradiate a wafer 6 with a laser 2; a first electric signal M1 with an intensity value P1 of its reflected beam detected by an optical detector 4 is passed in accordance with a keying control signal from a control signal input terminal 11. A comparator 9 is used to radiate a laser beam 3 of the laser 2 toward a bad mark 5 added onto a defective chip out of chips 6a; it compares a second electric signal M2 with an intensity value P2 of its reflected beam detected by the detector 4; it outputs an instruction signal to execute a marking operation again when P1<=P2. A laser marker 1 applies a laser beam 1a onto the corresponding defective chip during an operation of a switching circuit 10, and applies the bad mark 5 again. By this setup, the reliability of a P/W test can be enhanced; the yield of a product can be enhanced.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はインカー装置に関し、特に半導体ウェーハ上の
不良チップの除去手段としてインカーによる不良マーク
を付加するインカー装置に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to an inker device, and more particularly to an inker device that adds defective marks using an inker as a means for removing defective chips on a semiconductor wafer.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

従来、この種のインカー装置は、第5図に示すように、
レーザを用いるレーザインカー1が半導体ウェーハ6上
のそれぞれのチップの良又は不良の判定試験(以下、P
/W試験と称す)に用いる図示しないウェーハプローバ
の一部として設けられていて、このウェーハプローバに
よって半導体ウェーハ上の各チップは所定の選別プログ
ラムを用いて自動的に試験され、良又は不良が判定され
、不良チップにはレーザインカー1によシネ良マーり5
が付加されていた。レーザインカー1は半導体ウェーハ
6の表面上に任意の大きさの傷を付加できるだけの光出
力を有するレーザ光源であシ、対象とするチップが不良
と判定された場合にはレーザインカー1からレーザ光1
aを不良チップの表面上に発射して不良マーク5を付加
する。この不良マーク5によシ、目視によるチップの良
又は不良の選別が行われる。
Conventionally, this type of inker device, as shown in FIG.
A laser inker 1 using a laser performs a test to determine whether each chip on a semiconductor wafer 6 is good or bad (hereinafter referred to as P
This wafer prober automatically tests each chip on a semiconductor wafer using a predetermined selection program and determines whether it is good or bad. The defective chips are marked with a good cine mark by laser inker 1.
was added. The laser inker 1 is a laser light source that has enough light output to inflict scratches of arbitrary size on the surface of the semiconductor wafer 6. If the target chip is determined to be defective, the laser inker 1 emits laser light. 1
A is ejected onto the surface of the defective chip to add a defective mark 5. This defective mark 5 is used to visually select chips as good or defective.

〔発明が解決しようとする課題〕[Problem to be solved by the invention]

上述した従来のインカー装置は、不良マークをチエツク
して打ちもれを検出し再インカーするという手段を有し
ていないので、インカーの故障、インカーの方向設定の
ずれ等の原因によって、対象とする不良チップに不良マ
ークが付加されていないとき、選別工程で不良チップを
成品と判定して以後の工程が進められ、結果として製品
の歩留りを悪化させるという欠点がある。
The conventional inker device described above does not have a means to check for defective marks, detect omissions, and re-inker. When a defect mark is not added to a defective chip, the defective chip is determined to be a finished product in the sorting process and subsequent processes are proceeded with, resulting in a disadvantage that the yield of the product is deteriorated.

〔課題を解決するための手段〕[Means to solve the problem]

本発明のインカー装置は、半導体ウェーハ上のチップ領
域を照射するレーザと、該レーザから発射された光の前
記半導体ウェーハ表面からの反射光を検出する光検出器
と、それぞれの前記チップ領域の特性試験に先立ち前記
レーザで前記半導体ウェーハ表面の所定箇所を照射しそ
の反射光を前記光検出器で検出した第1の電気信号を取
出すゲート回路と、該ゲート回路の出力の前記第1の電
気信号を記憶するメモリ回路と、前記チップ領域上に付
された不良マークに向けて前記レーザから光を発射しそ
の反射光を前記光検出器で検出した第2の電気信号と前
記メモリ回路から読出した前記第1の電気信号とを比較
し前記第1の電気信号と前記第2の電気信号とが等しい
とき及び前記第2の電気信号が大きいとき再インカー指
示信号を出力する比較器と、前記再インカー指示信号を
受けて再インカーを制御するスイッチ回路とを含んで構
成される。
The inker device of the present invention includes a laser that irradiates a chip area on a semiconductor wafer, a photodetector that detects reflected light from the semiconductor wafer surface of the light emitted from the laser, and characteristics of each of the chip areas. a gate circuit that outputs a first electrical signal obtained by irradiating a predetermined location on the surface of the semiconductor wafer with the laser and detecting the reflected light with the photodetector prior to the test; and the first electrical signal output from the gate circuit. a second electrical signal that is read from the memory circuit; a second electric signal that is generated by emitting light from the laser toward a defective mark placed on the chip area and detecting the reflected light by the photodetector; a comparator that compares the first electrical signal and outputs a re-inker instruction signal when the first electrical signal and the second electrical signal are equal and when the second electrical signal is large; and a switch circuit that receives an inker instruction signal and controls re-inkering.

〔実施例〕〔Example〕

次に、本発明釦ついて図面を参照して説明する。 Next, the button of the present invention will be explained with reference to the drawings.

第1図は本発明の第1の実施例のブロック図である。FIG. 1 is a block diagram of a first embodiment of the present invention.

第1図に示すように、半導体ウェーハ6上のチップ領域
を照射するレーf2と、レーザ2から発射されたレーザ
光3の半導体ウェー66表面からの反射光を検出する光
検出器4と、それぞれのチップ6aの特性試験に先立っ
てレーザ2で半導体ウェー66表面の所定箇所を照射し
その反射光を光検出器4で検出した強度P8の第1の電
気信号M1を制御信号入力端子11からの開閉制御信号
に応じて通過させるゲート回路7と、ゲート回路7から
供給される電気信号M、を記憶するメモリ回路8と、チ
ップ6aのうち不良チップ上に付加された不良マーク5
に向けてレーザ2のレーザ光3を照射しその反射光を光
検出器4で検出した強度P、の第2の電気信号M2とメ
モリ回路8から読出した電気信号M、とを比較しP1≦
P、のとき再インカー指示信号を出力する比較器9と、
再インカー指示信号を受けて作動するスイッチ回路10
と、スイッチ回路10の作動時に対応する不良チップ上
にレーザ光1aを発射して不良マークを再インカーする
レーザインカー1とを含む。
As shown in FIG. 1, a laser f2 irradiates a chip area on a semiconductor wafer 6, and a photodetector 4 detects reflected light from the surface of the semiconductor wafer 66 of the laser beam 3 emitted from the laser 2, respectively. Prior to the characteristic test of the chip 6a, a laser 2 is used to irradiate a predetermined location on the surface of the semiconductor wafer 66, and a photodetector 4 detects the reflected light. A gate circuit 7 to be passed through in response to an opening/closing control signal, a memory circuit 8 for storing an electric signal M supplied from the gate circuit 7, and a defective mark 5 added on a defective chip among the chips 6a.
A second electric signal M2 of intensity P, which is obtained by irradiating the laser beam 3 of the laser 2 toward the target and detecting the reflected light by the photodetector 4, is compared with the electric signal M read from the memory circuit 8, and P1≦
a comparator 9 that outputs a re-inker instruction signal when P;
Switch circuit 10 that operates upon receiving a re-inker instruction signal
and a laser inker 1 that emits a laser beam 1a onto a corresponding defective chip when the switch circuit 10 is activated to re-ink a defective mark.

図示しないステージ上の半導体ウェーハ6はチップ長単
位で各方向に移動することによシ、スキャンされながら
、図示しないウェーハプローバでP/W検査され、該当
するテップ6aが不良でありた場合には、レーザインカ
ー1から発射されたレーザ光laによりて、そのチップ
上に不良マーク5としての傷が付加される。
A semiconductor wafer 6 on a stage (not shown) is scanned by moving in each direction in units of chip length, and is subjected to a P/W inspection with a wafer prober (not shown), and if the corresponding step 6a is defective, The laser beam la emitted from the laser inker 1 adds a scratch as a defective mark 5 on the chip.

光検出器4はインカーチエツク用のレーザ2から発射さ
れたレーザ光3の半導体ウェーハ6の表面からの反射光
を検出可能な位置に設定されている。
The photodetector 4 is set at a position where it can detect the reflected light from the surface of the semiconductor wafer 6 of the laser light 3 emitted from the inker check laser 2.

第2図は第1図の第1の実施例の動作を説明するための
訛れ図である。以下に、第2図を参照して第1図の第1
の実施例の動作を説明する。り妙の手順21において、
P/W試験に先立って半導体ウェーハ6をスキャンする
前に制御信号入力端子11からの開閉制御信号によって
ゲート回路7を開き、手順22において、レーザ2から
発射されたレーザ光3が半導体ウェーハ6の表面で反射
され、光検出器4で検出されたときの光強度に対応した
強度P、をもつ電気信号M1をメモリ回路8に記憶する
。次に、手順23において、ゲート回路7を閉じる。
FIG. 2 is a simplified diagram for explaining the operation of the first embodiment shown in FIG. Below, with reference to FIG. 2, the first part of FIG.
The operation of the embodiment will be explained. In step 21 of Rimyo,
Before scanning the semiconductor wafer 6 prior to the P/W test, the gate circuit 7 is opened by the opening/closing control signal from the control signal input terminal 11, and in step 22, the laser beam 3 emitted from the laser 2 is applied to the semiconductor wafer 6. An electrical signal M1 having an intensity P corresponding to the light intensity reflected by the surface and detected by the photodetector 4 is stored in the memory circuit 8. Next, in step 23, the gate circuit 7 is closed.

反射光の強度が弱い場合には、半導体ウェーハ6の位置
を微調整して、レーザ光3の照射点を半導体ウェーハ6
上のアルミニウム配線等の反射率の高い箇所に設定する
。以上の作業はP/W試験開始前Vc1回行えば良い。
If the intensity of the reflected light is weak, finely adjust the position of the semiconductor wafer 6 so that the irradiation point of the laser beam 3 is on the semiconductor wafer 6.
Set it at a location with high reflectance, such as the upper aluminum wiring. The above work only needs to be performed once at Vc before the start of the P/W test.

なお、レーザ2の光出力は半導体ウェーハ6の表面には
損傷を与えず、光検出器4には充分な反射光が到達可能
な大きさに予め設定しておく。
Note that the optical output of the laser 2 is set in advance to a size that does not damage the surface of the semiconductor wafer 6 and allows sufficient reflected light to reach the photodetector 4.

次に、手順24において、半導体ウェーハ6上の各チッ
プ6aを通常の手順で試験し、手III 25において
、良品であった場合には次のチップへ移動し、不良チッ
プであった場合には、手l1a26 において、予めそ
の光出力をチップ6aの表面に傷を付加できる程度に設
定しておいたレーザインカー1で不良マーク5を付加す
る。
Next, in step 24, each chip 6a on the semiconductor wafer 6 is tested in the normal procedure, and in step III 25, if it is a good chip, it is moved to the next chip, and if it is a defective chip, it is moved to the next chip. , in hand l1a26, a defective mark 5 is added using the laser inker 1 whose optical output has been set in advance to an extent that can add scratches to the surface of the chip 6a.

次に、手順27において、レーザ2でその不良マーク5
を照射しその反射光を光検出器4で検出した反射光の強
度に対応した強度P:をもつ電気信号M、を得る。
Next, in step 27, the defective mark 5 is
is irradiated and the reflected light is detected by the photodetector 4. An electric signal M having an intensity P: corresponding to the intensity of the reflected light is obtained.

確実に付加されてbると判定し、手順29において、次
のテップ6aへと進み、手順30において未試験のチッ
プ6aがないときはその半導体ウェーハ6の処理を終る
。何故なら、実際に不良マークが付加されていれば、レ
ーザ光3は傷により散乱されるはずであるから、このと
きの光検出器4に入射4に入射する反射光の強兵は小さ
くなり先に記憶しておいた電気信号M1の強度P、より
小さくなると考えられるからである。
It is determined that the semiconductor wafer 6 has been definitely added, and in step 29 the process proceeds to the next step 6a, and if in step 30 there is no untested chip 6a, the processing of that semiconductor wafer 6 ends. This is because if a defective mark is actually added, the laser beam 3 should be scattered by the scratch, so the intensity of the reflected light that enters the photodetector 4 at this time becomes smaller and the laser beam 3 is scattered first. This is because the intensity P of the stored electrical signal M1 is considered to be smaller.

逆に、P1≦P、のときは不良マークが確実に付加され
ていないことを示すから、比較器9がら再インカー指示
信号が出力され、再インカー指示信号によシスイッチ回
路10が作動してレーザインカー1がレーザ光1aを発
射して対応するチップ6a上に不良マーク5を再インカ
ーする。
On the other hand, when P1≦P, it indicates that the defective mark has not been definitely added, so the comparator 9 outputs a re-inker instruction signal, and the re-inker instruction signal activates the switch circuit 10. A laser inker 1 emits a laser beam 1a to re-ink a defective mark 5 on a corresponding chip 6a.

第3図は本発明の第2の実施例のブロック図である。FIG. 3 is a block diagram of a second embodiment of the invention.

第3図に示すように、第2の実施例ではレーザイアカー
12は光出力切換回路13によシ強弱2段階の光出力が
出せるようになっていて、上述した第1図の第1の実施
例におけるインカーチエツク用のレーザ2とレーザイン
力1とを兼ねている。
As shown in FIG. 3, in the second embodiment, the laser aker 12 is capable of outputting light output in two levels of strength and weakness by means of a light output switching circuit 13. It also serves as the laser 2 for inker check and the laser input power 1.

即ち、弱い光出力時は第1図のレーザ2に相当する光出
力で、強い光出力時はレーザインカー1に相当する光出
力になる。更に、第3図に示すように、レーザインカー
12の2種類の光出力を必要に応じて切換えるための光
出力切換回路13を比較器9とレーザインカー12の間
に設けている。
That is, when the light output is weak, the light output is equivalent to the laser inker 1 in FIG. 1, and when the light output is strong, the light output is equivalent to the laser inker 1. Further, as shown in FIG. 3, an optical output switching circuit 13 is provided between the comparator 9 and the laser inker 12 for switching between two types of optical output of the laser inker 12 as necessary.

光出力切換回路13は、外部から切換えを制御する切換
信号入力端子14を有している。
The optical output switching circuit 13 has a switching signal input terminal 14 that controls switching from the outside.

第4図は第3図の第2の実施例の動作を説明するための
流れ図である。
FIG. 4 is a flow chart for explaining the operation of the second embodiment shown in FIG.

第4図に示すように、手順41〜43においてレーザイ
アカー12の光出力の切換えを行うよう手順を追加した
点、及び第2図に示す手順2’2.27のレーザ2を弱
出力のレーザインカー12とした手順22a、27aの
点を除き、上述した第2図の流れ図と同様である。
As shown in FIG. 4, steps 41 to 43 have been added to switch the optical output of the laser inker 12, and in steps 2' and 2.27 shown in FIG. The process is similar to the flowchart of FIG. 2 described above except for steps 22a and 27a, which are numbered 12.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以上説明したように本発明のインカー装置は、不良チッ
プにインカーを付加すると同時に、そのインカーが確実
に付加されたか否かを認識し、打ちもれていた場合に再
インカーすることによシ、P/W試験の信頼性を向上で
き、従って、その半導体ウェーハのチップをダイシング
して製品化したときの製品の歩留シを向上できる効果が
ある。
As explained above, the inker device of the present invention adds an inker to a defective chip, and at the same time recognizes whether or not the inker has been reliably added, and re-inks if the inker is missed. The reliability of the P/W test can be improved, and therefore, the yield of products obtained by dicing the semiconductor wafer chips can be improved.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明の第1の実施例のブロック図、第2図は
第1図の第1の実施例の動作を説明するだめの流れ図、
第3図は本発明の第2の実施例のブロック図、第4図は
第3図の第2の実施例の動作を説明するための流れ図、
第5図は従来のインカー装置の一例のブロック図である
。 1・・・・・・レーザインカー、1a・・・・・・レー
ザ光、2・・・・・・レーザ、3・・・・・・レーザ光
、4−・・・・・光検出器、5・・・・・・不良マーク
、6・・・・・・半導体ウェーハ、7・・・・・・ゲー
ト回路、8・・・・・・メモリ回路、9・・・・・・比
較器、10・・・・・・スイッチ回路、11・・・・・
・制御信号入力端子、12・・・・・・レーザインカー
、13・・・・・・光出力切換回路、14・・・・・・
切換信号入力端子、M、、M、・・・・・・電気信号、
P1*P1・・・・・・電気信号の強度。 代理人 弁理士  内 原   晋 5丁良7−グ 7 L−サ7二27−2L−サ゛° 4光才剣出没艮1
1 41イ卸佑予夛入え1立制i/’ブIy虫力芝A/
)す昏−り℃イ占ミラ。 M2刊U艷P1の電気信号 躬1■ 第2 図 /2  L−ザ才二1− 13米士広厚援1打路尭3図 予f図
FIG. 1 is a block diagram of a first embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a flowchart for explaining the operation of the first embodiment of FIG.
3 is a block diagram of the second embodiment of the present invention, FIG. 4 is a flowchart for explaining the operation of the second embodiment of FIG. 3,
FIG. 5 is a block diagram of an example of a conventional inker device. 1...Laser inker, 1a...Laser light, 2...Laser, 3...Laser light, 4-...Photodetector, 5...Failure mark, 6...Semiconductor wafer, 7...Gate circuit, 8...Memory circuit, 9...Comparator, 10... Switch circuit, 11...
・Control signal input terminal, 12... Laser inker, 13... Optical output switching circuit, 14...
Switching signal input terminal, M,, M,... Electric signal,
P1*P1...Intensity of electrical signal. Agent Patent Attorney Susumu Uchihara 5Cho7-G7 L-Sa7227-2L-Sa゛° 4 Kozai Sword Appears 1
1 41 I Wholesale Yuyo addition 1 standing system i/'bu Iy Mushiki Shiba A/
) Sumo-ri ℃ i-san Mira. M2 publication U ship P1 electrical signal error 1 ■ Fig. 2/2 L-The Saiji 1- 13 Yoneshi Hiro Kousen 1 Utsuroya 3 Fig. f

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims]  半導体ウェーハ上のチップ領域を照射するレーザと、
該レーザから発射された光の前記半導体ウェーハ表面か
らの反射光を検出する光検出器と、それぞれの前記チッ
プ領域の特性試験に先立ち前記レーザで前記半導体ウェ
ーハ表面の所定箇所を照射しその反射光を前記光検出器
で検出した第1の電気信号を取出すゲート回路と、該ゲ
ート回路の出力の前記第1の電気信号を記憶するメモリ
回路と、前記チップ領域上に付された不良マークに向け
て前記レーザから光を発射しその反射光を前記光検出器
で検出した第2の電気信号と前記メモリ回路から読出し
た前記第1の電気信号とを比較し前記第1の電気信号と
前記第2の電気信号とが等しいとき及び前記第2の電気
信号が大きいとき再インカー指示信号を出力する比較器
と、前記再インカー指示信号を受けて再インカーを制御
するスイッチ回路とを含むことを特徴とするインカー装
置。
a laser that irradiates a chip area on a semiconductor wafer;
a photodetector for detecting reflected light from the semiconductor wafer surface of the light emitted from the laser; and a photodetector for detecting the reflected light from the semiconductor wafer surface by irradiating a predetermined location on the semiconductor wafer surface with the laser prior to characteristic testing of each of the chip regions. a gate circuit for extracting a first electrical signal detected by the photodetector; a memory circuit for storing the first electrical signal output from the gate circuit; A second electric signal obtained by emitting light from the laser and detecting the reflected light by the photodetector is compared with the first electric signal read from the memory circuit, and the first electric signal and the first electric signal are compared. The present invention is characterized by comprising a comparator that outputs a re-inker instruction signal when the two electric signals are equal and when the second electric signal is large, and a switch circuit that receives the re-inker instruction signal and controls the re-inker. Inker device.
JP63044992A 1988-02-26 1988-02-26 Inker apparatus Pending JPH01218036A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63044992A JPH01218036A (en) 1988-02-26 1988-02-26 Inker apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63044992A JPH01218036A (en) 1988-02-26 1988-02-26 Inker apparatus

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH01218036A true JPH01218036A (en) 1989-08-31

Family

ID=12706936

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP63044992A Pending JPH01218036A (en) 1988-02-26 1988-02-26 Inker apparatus

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH01218036A (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6380753B1 (en) Screening method of semiconductor device and apparatus thereof
JPH01218036A (en) Inker apparatus
KR970019779A (en) Magnetic insertion defect inspection device and method of printed circuit board
JPH085569A (en) Particle measuring apparatus and particle inspection method
JPS62136041A (en) Wafer prober
US6046803A (en) Two and a half dimension inspection system
JP2001077164A (en) Defect tester of wafer
JPS61190955A (en) Method and apparatus for inspecting wiring pattern
US20060076965A1 (en) Contact-free test system for semiconductor device
JPS6326510A (en) Inspection device for packaging component
JP2004117016A (en) Semiconductor wafer defect inspecting apparatus
KR100502405B1 (en) Semiconductor device DS method
JPH0794559A (en) Prober
KR19990071141A (en) Semiconductor device ID method using ID process equipment
JP2001296250A (en) Apparatus and method for bottle inspection
KR20030097365A (en) Method for electrical die Sorting of semiconductor chip
JPH0380600A (en) Electronic component inspection device
JPH02115752A (en) Foreign matter checking device
JPH09318562A (en) X-ray liquid quantity inspection apparatus
JPH06123711A (en) Method and device for detecting chipping
JPH04239145A (en) Marking method for semiconductor integrated circuit device
JPH05326653A (en) Discriminating method of failed ic and tester therefor
JPH03264851A (en) Method and apparatus for inspecting defect in edge of plate material
JPS6086803A (en) Trimming device
JPH0871782A (en) Welding result judging device