JPH01211911A - Annealing apparatus utilizing energy beam - Google Patents
Annealing apparatus utilizing energy beamInfo
- Publication number
- JPH01211911A JPH01211911A JP3653388A JP3653388A JPH01211911A JP H01211911 A JPH01211911 A JP H01211911A JP 3653388 A JP3653388 A JP 3653388A JP 3653388 A JP3653388 A JP 3653388A JP H01211911 A JPH01211911 A JP H01211911A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor substrate
- laser
- reflected light
- pattern
- control device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000137 annealing Methods 0.000 title claims description 15
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 91
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 90
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 31
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 28
- 238000003909 pattern recognition Methods 0.000 claims description 27
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims description 14
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 abstract description 9
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 23
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 238000005224 laser annealing Methods 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 2
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 2
- 206010041662 Splinter Diseases 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Recrystallisation Techniques (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
レーザ光や電子ビームなどのエネルギー・ビームを用い
たアニール装置に関し。[Detailed Description of the Invention] [Summary] This invention relates to an annealing device that uses an energy beam such as a laser beam or an electron beam.
安定した状態で半導体基板の表面を再結晶化させること
を可能にすることを目的とし。The purpose is to make it possible to recrystallize the surface of a semiconductor substrate in a stable state.
半導体基板の表面にエネルギー・ビームを照射して、半
導体基板の表面を再結晶化させるアニール装置において
、半導体基板の表面の溶融部を照射する光ビームを発生
させる照明用光源と、半導体基板の表面の溶融部からの
反射光を結像させる結像用光学系と、結像された反射光
のイメージを検出するイメージ検出器と、イメージ検出
器の出力から反射光のパターンを認識するパターン認識
装置と、パターン認識装置の認識結果に基づいて。In an annealing apparatus that recrystallizes the surface of a semiconductor substrate by irradiating an energy beam onto the surface of the semiconductor substrate, a light source for illumination that generates a light beam that irradiates the melted portion of the surface of the semiconductor substrate, and a surface of the semiconductor substrate. an imaging optical system that forms an image of the reflected light from the melted part of the molten part, an image detector that detects the image of the formed reflected light, and a pattern recognition device that recognizes the pattern of the reflected light from the output of the image detector. and based on the recognition results of the pattern recognition device.
エネルギー・ビームの強度、入射角度および焦点位置を
変えるようにエネルギー・ビーム発生装置を制御する制
御装置とを設けるように構成する。and a controller for controlling the energy beam generator to vary the intensity, angle of incidence, and focal position of the energy beam.
本発明は、レーザ光や電子ビームなどのエネルギー・ビ
ームを用いたアニール装置に関する。The present invention relates to an annealing apparatus using an energy beam such as a laser beam or an electron beam.
半導体デバイスの製造プロセスにおいては、半導体基板
にある処理を行ったのち、結晶性の回復および物性の安
定化を行うことが多い。In the manufacturing process of semiconductor devices, after a certain treatment is performed on a semiconductor substrate, crystallinity is often restored and physical properties are stabilized.
結晶性の回復の例としては、イオン注入により非晶質化
した層の単結晶への回復などがある。An example of recovery of crystallinity is recovery of a layer made amorphous by ion implantation into a single crystal.
物性の安定化の例としては、Ｎのシンタリングや５ｉ−
５ＬＯｔ界面の特性向上、歪の除去などがある。Examples of stabilizing physical properties include N sintering and 5i-
This includes improving the characteristics of the 5LOt interface and eliminating strain.
従来、このようなことは、熱アニールにより達成され９
通常の拡散炉中での熱処理として行われていた。しかし
なから、プロセスの低温化の要求から、近年、レーザ・
ビームや電子ビームなどのエネルギー・ビームを用いた
アニールが行われるようになってきた。また、レーザ・
ビームや電子ビームによるアニールは、Ｓｏｌ構造を実
現するための手段としても重要である。Traditionally, this has been accomplished by thermal annealing9.
This was done as a heat treatment in a normal diffusion furnace. However, due to the demand for lower process temperatures, laser
Annealing using energy beams such as beams and electron beams has come to be performed. In addition, laser
Annealing using a beam or an electron beam is also important as a means for realizing a Sol structure.
レーザ・ビームや電子ビームなどのエネルギー・ビーム
を用いたアニール装置により半導体基板をアニールする
際、半導体基板の表面における再結晶化の状態をモニタ
ーする必要があるが、従来は、顕微鏡を用いて観察して
いた。When a semiconductor substrate is annealed using an annealing device that uses energy beams such as laser beams or electron beams, it is necessary to monitor the state of recrystallization on the surface of the semiconductor substrate, but conventionally, observation was performed using a microscope. Was.
レーザ・ビームや電子ビームなどのエネルギー・ビーム
を用いたアニール装置により半導体基板をアニールする
際、従来のように、半導体基板の表面における再結晶化
の状態を顕微鏡を用いて観察していたのでは、再結晶化
中にハガレが生じているかどうか程度の情報しか得られ
ず、半導体基板の表面が充分に溶融しているかどうか分
からないという問題が生じていた。したがって、安定し
た状態で半導体基板の表面を再結晶化させることができ
ないという問題も生じていた。When a semiconductor substrate is annealed using an annealing device that uses an energy beam such as a laser beam or an electron beam, the state of recrystallization on the surface of the semiconductor substrate is traditionally observed using a microscope. However, there was a problem in that only information about whether peeling occurred during recrystallization could be obtained, and it was unclear whether the surface of the semiconductor substrate was sufficiently melted. Therefore, there has been a problem that the surface of the semiconductor substrate cannot be recrystallized in a stable state.
本発明は、安定した状態で半導体基板の表面を再結晶化
させることを可能にしたエネルギー・ビームを用いたア
ニール装置を提供することを目的とする。An object of the present invention is to provide an annealing apparatus using an energy beam that makes it possible to recrystallize the surface of a semiconductor substrate in a stable state.
本発明は、半導体基板の表面にエネルギー・ビームを照
射して、半導体基板の表面を再結晶化させるアニール装
置において、半導体基板の表面の溶融部を照射する光ビ
ームを発生させる照明用光源と、半導体基板の表面の熔
融部からの反射光を結像させる結像用光学系と、結像さ
れた反射光のイメージを検出するイメージ検出器と、イ
メージ検出器の出力から反射光のパターンを認識するパ
ターン認識装置と、パターン認識装置の認識結果に基づ
いて、エネルギー・ビームの強度、入射角度および焦点
位置を変えるようにエネルギー・ビーム発生装置を制御
する制御装置とを設けるように構成することにより、安
定した状態で半導体基板の表面を再結晶化させることを
可能にしたエネルギー・ビームを用いたアニール装置を
提供するものである。The present invention provides an annealing apparatus that recrystallizes the surface of a semiconductor substrate by irradiating the surface of the semiconductor substrate with an energy beam; An imaging optical system that forms an image of the reflected light from the molten part of the surface of the semiconductor substrate, an image detector that detects the image of the formed reflected light, and a pattern of the reflected light that is recognized from the output of the image detector. and a control device that controls the energy beam generator to change the intensity, incident angle, and focal position of the energy beam based on the recognition result of the pattern recognition device. The present invention provides an annealing apparatus using an energy beam that makes it possible to recrystallize the surface of a semiconductor substrate in a stable state.
第１図は９本発明の原理説明図（その１）であり２本発
明をエネルギー・ビームとしてレーザ光を用いるレーザ
・アニール装置に通用した例を示している。FIG. 1 is a diagram (part 1) for explaining the principle of the present invention, and shows an example in which the present invention is applied to a laser annealing apparatus that uses laser light as an energy beam.
第１図において、１０１は半導体基板、１０２はレーザ
、１０３はレーザ光、１０４は電動ミラー、１０５は穴
開きミラー、１０７はレンズ、１０８は反射光、１０９
は結像用光学系、１１０はイメージ検出器、１１１はパ
ターン認識装置、１１２は制御装置である。In FIG. 1, 101 is a semiconductor substrate, 102 is a laser, 103 is a laser beam, 104 is an electric mirror, 105 is a mirror with a hole, 107 is a lens, 108 is reflected light, 109
110 is an image detector, 111 is a pattern recognition device, and 112 is a control device.
半導体基板１０１は＋Ｓｉなどの半導体からなる。The semiconductor substrate 101 is made of a semiconductor such as +Si.
レーザ１０２は、レーザ光１０３を発生させる。Laser 102 generates laser light 103.
レーザ光１０３は、半導体基板１０１のア二一ルに用い
られると共に照明用光ビームとしても用いられる。The laser beam 103 is used to anneal the semiconductor substrate 101 and is also used as a light beam for illumination.
電動ミラー１０４は、モータ駆動により反射角が変えら
れ、レーザ光１０３が半導体基板１０１の表面へ入射す
る角度を変える。The reflection angle of the electric mirror 104 is changed by driving a motor, and the angle at which the laser beam 103 is incident on the surface of the semiconductor substrate 101 is changed.
穴開きミラー１０５は、中心部に設けられた開孔部でレ
ーザ光１０３を通過させると共に周辺のミラ一部で反射
光１０８を結像用光学系１０９へ向けて反射させる。The apertured mirror 105 allows the laser beam 103 to pass through an aperture provided in the center, and reflects reflected light 108 toward an imaging optical system 109 at a portion of the peripheral mirror.
レンズ１０７は、レーザ光１０３が半導体基板１０１の
表面でスポットを形成するように焦点を定めると共に反
射光１０８の集光を行う。The lens 107 focuses the laser beam 103 to form a spot on the surface of the semiconductor substrate 101 and collects the reflected light 108.
反射光１０８は、レーザ光１０３が半導体基板１０１の
表面の溶融部から反射された光である。The reflected light 108 is the light that is the laser beam 103 reflected from the melted portion of the surface of the semiconductor substrate 101 .
結像用光学系１０９は９反射光１０８を結像させるため
のものである。The imaging optical system 109 is for imaging the nine reflected lights 108.
イメージ検出器１１０は、結像用光学系１０９により結
像された反射光１０８のイメージを検出して電気信号に
変換する。The image detector 110 detects an image of the reflected light 108 formed by the imaging optical system 109 and converts it into an electrical signal.
パターン認識装置１１１は、イメージ検出器１１０が検
出し、電気信号に変換した反射光１０８のイメージをパ
ターンとして認識すると共に蓄積されている標準パター
ンと比較して、そのズレ量を制御装置１１２へ通知する
。The pattern recognition device 111 recognizes the image of the reflected light 108 detected by the image detector 110 and converted into an electrical signal as a pattern, compares it with the stored standard pattern, and notifies the control device 112 of the amount of deviation. do.
制御装置１１２は、パターン認識装置１１１からの通知
に基づいて、レーザ１０２の出力の制御。The control device 112 controls the output of the laser 102 based on the notification from the pattern recognition device 111.
電動ミラー１０４の角度の制御およびレンズ１０７の位
置の制御を行う。The angle of the electric mirror 104 and the position of the lens 107 are controlled.
第２図は１本発明の原理説明図（その２）であり２本発
明を電子ビーム・アニール装置に適用した例を示してい
る。FIG. 2 is a diagram (part 2) explaining the principle of the present invention, and 2 shows an example in which the present invention is applied to an electron beam annealing apparatus.
第２図において、２０１は半導体基板、２０２は電子ビ
ーム発生装置、２０３は電子ビーム、２０４は照明用光
源、２０５は照明用光ビーム、２０６は反射光、２０７
はミラー、２０８は結像用光学系、２０９はイメージ検
出器、２１０はパターン認識装置、２１１は制御装置で
ある。In FIG. 2, 201 is a semiconductor substrate, 202 is an electron beam generator, 203 is an electron beam, 204 is an illumination light source, 205 is an illumination light beam, 206 is reflected light, 207
208 is a mirror, 208 is an imaging optical system, 209 is an image detector, 210 is a pattern recognition device, and 211 is a control device.
半導体基板２０１は、 Ｓｔなどの半導体からなる。The semiconductor substrate 201 is made of a semiconductor such as St.
電子ビーム発生装置２０２は、電子ビーム２０３を発生
させる。An electron beam generator 202 generates an electron beam 203.
電子ビーム２０３は、半導体基板２０１のアニールに用
いられる。The electron beam 203 is used to anneal the semiconductor substrate 201.
照明用光＃２０４は、照明用光ビーム２０５を発生させ
る。Illumination light #204 generates illumination light beam 205.
照明用光ビーム２０５は、半導体基板２０１の表面の溶
融部に照射される。The illumination light beam 205 is irradiated onto the melted portion of the surface of the semiconductor substrate 201 .
反射光２０６は、照明用光ビーム２０５が半導体基板２
０１の表面の溶融部から反射された光である。The reflected light 206 is reflected when the illumination light beam 205 reaches the semiconductor substrate 2.
This is the light reflected from the melted part on the surface of 01.
ミラー２０．７は２反射光２０６を結像用光学系２０８
へ向けて反射させる。The mirror 20.7 converts the two reflected beams 206 into an imaging optical system 208.
reflect it towards.
結像用光学系２０８は１反射光２０６を結像させるため
のものである。The imaging optical system 208 is for imaging one reflected light 206.
イメージ検出器２０９は、結像光学系２０８によち結像
された反射光２０６のイメージを検出して電気信号に変
換する。The image detector 209 detects an image of the reflected light 206 formed by the imaging optical system 208 and converts it into an electrical signal.
パターン認識装置２１０は、・イメージ検出器２０９が
検出し、電気信号に変換した反射光２０６のイメージを
パターンとして認識すると共に蓄積されている標準パタ
ーンと比較して、そのズレ量を制御装置２１１へ通知す
る。The pattern recognition device 210 recognizes the image of the reflected light 206 detected by the image detector 209 and converted into an electrical signal as a pattern, compares it with the stored standard pattern, and sends the amount of deviation to the control device 211. Notice.
制御装置２１１は、パターン認識装置２１０からの通知
に基づいて、電子ビーム発生装置２０２の出力の制御、
電子ビーム２０３の発射角度および焦点位置の制御を行
う。The control device 211 controls the output of the electron beam generator 202 based on the notification from the pattern recognition device 210;
The emission angle and focal position of the electron beam 203 are controlled.
まず、第１図を用いて９本発明をレーザ・アニール装置
に適用した例について、その作用を説明する。First, the operation of an example in which the present invention is applied to a laser annealing apparatus will be explained using FIG.
レーザ１０２により発生されたレーザ光１０３は、電動
ミラー１０４により反射され、穴開きミラー１０５の開
孔部を通過した後、レンズ１０７により集光されて、″
半導体基板１０１の表面に焦点を結ぶ。Laser light 103 generated by laser 102 is reflected by electric mirror 104, passes through the aperture of perforated mirror 105, and is focused by lens 107, resulting in
The surface of the semiconductor substrate 101 is focused.
その結果、半導体基板１０１の表面は溶融されると共に
再結晶化される。As a result, the surface of the semiconductor substrate 101 is melted and recrystallized.
一方、レーザ光１０３は、半導体基板１０１の表面の溶
融部において反射され１反射光１０８を発生させる。On the other hand, the laser beam 103 is reflected at the melted portion of the surface of the semiconductor substrate 101 to generate one reflected beam 108.
反射光１０８は、レンズ１０７により集光され。The reflected light 108 is focused by the lens 107.
穴開きミラー１０５で反射された後、結像用光学系１０
９へ導かれる。After being reflected by the perforated mirror 105, the imaging optical system 10
Leads to 9.
結像用光学系１０９へ導かれた反射光１０８は。The reflected light 108 is guided to the imaging optical system 109.
結像してパターンを生成する。Form an image to generate a pattern.
生成されたパターンは、イメージ検出器１１０により電
気信号に変換される。The generated pattern is converted into an electrical signal by the image detector 110.
電気信号に変換された反射光１０８のパターンは、パタ
ーン認識装置１１１において、蓄積されている標準パタ
ーンと比較され、そのズレ量が制御装置１１２へ通知さ
れる。The pattern of the reflected light 108 converted into an electrical signal is compared with the stored standard pattern in a pattern recognition device 111, and the amount of deviation is notified to the control device 112.
制御装置１１２は、パターン認識装置１１１から通知さ
れた１反射光１０８のパターンと標準パターンとのズレ
量に基づいて、レーザ１０２の出力、電動ミラー１０４
の反射角度およびレンズ１０７の位置を制御して、レー
ザ光１０３の強度。The control device 112 adjusts the output of the laser 102 and the electric mirror 104 based on the amount of deviation between the pattern of one reflected light 108 and the standard pattern notified from the pattern recognition device 111.
The intensity of the laser beam 103 is controlled by controlling the reflection angle of the lens 107 and the position of the lens 107.
レーザ光１０３が半導体基板ｌｏｔの表面へ入射する角
度およびレーザ光１０３の焦点位置を最適な値にする。The angle at which the laser beam 103 is incident on the surface of the semiconductor substrate lot and the focal position of the laser beam 103 are set to optimal values.
次に、第２図を用いて０本発明を電子ビーム・アニール
装置に適用した例について、その作用を説明する。Next, the operation of an example in which the present invention is applied to an electron beam annealing apparatus will be explained using FIG.
電子ビーム発生装置２０２により発生された電子ビーム
２０３は、半導体基板２０１の表面に照射される。An electron beam 203 generated by the electron beam generator 202 is irradiated onto the surface of the semiconductor substrate 201 .
その結果、半導体基板２０１の表面は溶融されると共に
再結晶化される。As a result, the surface of the semiconductor substrate 201 is melted and recrystallized.
一方、照明用光源２０４から照明用光ビーム２０５が発
生される。照明用光ビーム２０５は、半導体基板２０１
の表面の溶融部において反射され。On the other hand, an illumination light beam 205 is generated from an illumination light source 204 . The illumination light beam 205 is applied to the semiconductor substrate 201
is reflected at the molten part of the surface of
反射光２０６を発生させる。Reflected light 206 is generated.
反射光２０６は、ミラー２０７で反射された後。After the reflected light 206 is reflected by a mirror 207.
結像用光学系２０８へ導かれる。It is guided to an imaging optical system 208.
結像用光学系２０８へ導かれた反射光２０６は。The reflected light 206 is guided to the imaging optical system 208.
結像してパターンを生成する。Form an image to generate a pattern.
生成されたパターンは、イメージ検出器２０９により電
気信号に変換される。The generated pattern is converted into an electrical signal by the image detector 209.
電気信号に変換された反゛射光２０６のパターンは、パ
ターン認識装置２１０に“おいて、蓄積されている標準
パターンと比較され、そのズレ量が制御装置２１１へ通
知される。The pattern of the reflected light 206 converted into an electrical signal is compared with the stored standard pattern in a pattern recognition device 210, and the amount of deviation is notified to the control device 211.
制御装置２１１は、パターン認識装置２１０から通知さ
れた１反射光２０６のパターンと標準パターンとのズレ
量に基づいて、電子ビーム発生装置２０２を制御して、
電子ビーム２０３の強度。The control device 211 controls the electron beam generator 202 based on the amount of deviation between the pattern of one reflected light 206 and the standard pattern notified from the pattern recognition device 210.
Intensity of electron beam 203.
電子ビーム２０３が半導体基板２０１の表面へ入射する
角度および電子ビーム２０３の焦点位置を最適な値にす
る。The angle at which the electron beam 203 is incident on the surface of the semiconductor substrate 201 and the focal position of the electron beam 203 are set to optimal values.
（実施例１） 第３図は、実施例１を示す図である。 (Example 1) FIG. 3 is a diagram showing the first embodiment.
本実施例は１本発明を１本のレーザ光を使用するシング
ル・ビーム・レーザ・アニール装置に適用したものであ
る。In this embodiment, the present invention is applied to a single beam laser annealing apparatus that uses one laser beam.
第３図において、３０１はステージ、３０２は半導体基
板、３０３はレー・ザ、３０４はレーザ光。In FIG. 3, 301 is a stage, 302 is a semiconductor substrate, 303 is a laser, and 304 is a laser beam.
３０５は電動ミラー、３０６は固定ミラー、３０７は穴
開きミラー、３０８はレンズ、３０９は反射光、３１０
は結像用光学系、３１１はイメージ検出器、３１２はパ
ターン認識装置、３１３は中央制御装置、３１４はレー
ザ出力制御装置、３１５はミラー角度制御装置、３１６
はレンズ位置制御装置である。305 is an electric mirror, 306 is a fixed mirror, 307 is a perforated mirror, 308 is a lens, 309 is a reflected light, 310
is an imaging optical system, 311 is an image detector, 312 is a pattern recognition device, 313 is a central control device, 314 is a laser output control device, 315 is a mirror angle control device, 316
is a lens position control device.
ステージ３０１は、半導体基板３０２を載置するための
ものである。The stage 301 is for placing a semiconductor substrate 302 on it.
半導体基板３０２は、 Ｓｔなどの半導体からなる。The semiconductor substrate 302 is made of a semiconductor such as St.
レーザ３０３は、レーザ光３０４を発生させる。Laser 303 generates laser light 304.
レーザ光３０４は、半導体基板３０２のアニールに用い
られると共に半導体基板３０２の表面の溶融状態を検出
するために用いられる。The laser beam 304 is used to anneal the semiconductor substrate 302 and to detect the melted state of the surface of the semiconductor substrate 302.
電動ミラー３０５は、モータ駆動により反射角度が変え
られ、レーザ光３０４が半導体基板３０２の表面へ入射
する角度を変える。The reflection angle of the electric mirror 305 is changed by driving a motor, and the angle at which the laser beam 304 is incident on the surface of the semiconductor substrate 302 is changed.
固定ミラー３０６は、レーザ光３０４の方向を変えるた
めのものである。Fixed mirror 306 is for changing the direction of laser light 304.
穴開きミラー３０７は、中心部に設けられた開孔部でレ
ーザ光３０４を通過させると共に周辺のミラ一部で反射
光３０９を結像用光学系３１０へ向けて反射させる。The apertured mirror 307 allows the laser beam 304 to pass through an aperture provided at the center, and reflects reflected light 309 toward the imaging optical system 310 at a portion of the peripheral mirror.
レンズ３０８は、レーザ光３０４が半導体基板３０２の
表面でスポットを形成するように焦点を定めると共に反
射光３０９の集光を行う。The lens 308 focuses the laser beam 304 to form a spot on the surface of the semiconductor substrate 302 and collects the reflected light 309.
反射光３０９は、レーザ光３０４が半導体基板３０２の
表面の溶融部から反射された光である。Reflected light 309 is light that is the laser light 304 reflected from the melted portion on the surface of the semiconductor substrate 302 .
結像用光学系３１０は１反射光３０９を結像させるため
のものである。The imaging optical system 310 is for imaging one reflected light beam 309.
イメージ検出器３１１は、結像用光学系３１０により結
像された反射光３０９のイメージを検出して電気信号に
変換する。The image detector 311 detects an image of the reflected light 309 formed by the imaging optical system 310 and converts it into an electrical signal.
パターン認識装置３１２は、イメージ検出器３１１によ
り電気信号に変換された反射光３０９のイメージをパタ
ーンとして認識すると共に蓄積されている標準パターン
と比較して、そのズレ量を中央制御装置３１３へ通知す
る。The pattern recognition device 312 recognizes the image of the reflected light 309 converted into an electric signal by the image detector 311 as a pattern, compares it with the stored standard pattern, and notifies the central control device 313 of the amount of deviation. .
中央制御装置３１３は、パターン認識装置３１２からの
通知に基づいて、レーザ出力制御袋Ｗ３１４、ミラー角
度制御装置３１５およびレンズ位置制御装置へそれぞれ
制御信号を送出する。Based on the notification from the pattern recognition device 312, the central control device 313 sends control signals to the laser output control bag W314, the mirror angle control device 315, and the lens position control device, respectively.
レーザ出力制御装置３１４は、レーザ３０３の出力を制
御して、レーザ光３０４の強度を調節する。Laser output control device 314 controls the output of laser 303 and adjusts the intensity of laser light 304.
ミラー角度制御装置３１５は、電動ミラー３０５を回動
させて、レーザ光３０４の反射角度を制御する。The mirror angle control device 315 rotates the electric mirror 305 to control the reflection angle of the laser beam 304.
レンズ位置制御装置３１６は、レンズ３０８の位置を上
下に移動させて、レーザ光３０４が半導体基板３０２の
表面で結ぶ焦点の位置を制御する。The lens position control device 316 moves the position of the lens 308 up and down to control the focal point of the laser beam 304 on the surface of the semiconductor substrate 302.
以下、第３図の動作を説明する。The operation shown in FIG. 3 will be explained below.
レーザ３０３により発生されたレーザ光３０４は、電動
ミラー３０５により反射され、さらに固定ミラー３０６
により反射され、穴開きミラー３０７の開孔部を通過し
た後、レンズ３０８により集光されて、半導体基板３０
２の表面に焦点を結ぶ。Laser light 304 generated by laser 303 is reflected by electric mirror 305 and further reflected by fixed mirror 306.
After passing through the aperture of the perforated mirror 307, the light is focused by the lens 308 and is directed onto the semiconductor substrate 30.
Focus on the surface of 2.
その結果、半導体基板３０２の表面は溶融されると共に
再結晶化される。As a result, the surface of the semiconductor substrate 302 is melted and recrystallized.
一方、レーザ光３０４は、半導体基板３０２の表面の溶
融部において反射され１反射光３０９を発生させる。On the other hand, the laser beam 304 is reflected at the melted portion of the surface of the semiconductor substrate 302 to generate one reflected beam 309.
反射光３０９は、レンズ３０８により集光され。The reflected light 309 is focused by a lens 308.
穴開きミラー３０７で反射された後、結像用光学系３１
０へ導かれる。After being reflected by the perforated mirror 307, the imaging optical system 31
It leads to 0.
結像用光学系３１０へ導かれた反射光３０９は。The reflected light 309 is guided to the imaging optical system 310.
結像してパターンを生成する。Form an image to generate a pattern.
生成されたパターンは、イメージ検出器３１１により電
気信号に変換される。The generated pattern is converted into an electrical signal by the image detector 311.
電気信号に変換された反射光３０９のパターンは、パタ
ーン認識装置３１２において、蓄積されている標準パタ
ーンと比較され、そのズレ量が中央制御装置３１３へ通
知される。The pattern of the reflected light 309 converted into an electrical signal is compared with the stored standard pattern in the pattern recognition device 312, and the amount of deviation is notified to the central control device 313.
中央制御装置３１３は、パターン認識装置３１２から通
知された１反射光３０９のパターンと標準パターンとの
ズレ量に基づいて、レーザ出力制御装置３１４．ミラー
角度制御装置３１５およびレンズ位置制御装置３１６へ
それぞれ制御信号を送出する。The central control device 313 controls the laser output control device 314 based on the amount of deviation between the pattern of one reflected light beam 309 notified from the pattern recognition device 312 and the standard pattern. Control signals are sent to mirror angle control device 315 and lens position control device 316, respectively.
レーザ出力制御装置３１４は、レーザ３０３の出力を制
御して、レーザ光３０４の強度を最適の値にする。A laser output control device 314 controls the output of the laser 303 to make the intensity of the laser beam 304 an optimal value.
ミラー角度制御装置３１５は、電動ミラー３０５を回動
させることによりレーザ光３０４の反射角度を変化させ
、レーザ光３０４が半導体基板３０２の表面へ入射する
角度を最適の値にする。The mirror angle control device 315 changes the reflection angle of the laser beam 304 by rotating the electric mirror 305, and sets the angle at which the laser beam 304 is incident on the surface of the semiconductor substrate 302 to an optimum value.
レンズ位置制御装置３１６は、レンズ３０８の位置を上
下に移動させることにより、レーザ光３０４が半導体基
板３０２の上で結ぶ焦点の位置を最適の値にする。The lens position control device 316 moves the position of the lens 308 up and down to optimize the focal position of the laser beam 304 on the semiconductor substrate 302.
（実施例２） 第４図は、実施例２を示す図である。(Example 2) FIG. 4 is a diagram showing the second embodiment.
本実施例は１本発明を２本のレーザ光を使用するツイン
・ビーム・レーザ・アニール装置に適用したものである
。In this embodiment, the present invention is applied to a twin beam laser annealing apparatus using two laser beams.
第４図において、４０１はステージ、４０２は半導体基
板、４０３はレーザｌ、４０４はレーザ光１，４．０５
はレーザ２．４０６はレーザ光２゜４０７は電動ミラー
１，４０８は電動ミラー２゜４０９はビーム・スプリッ
タ、４１１は固定ミラー、４１２は穴開きミラー、４１
３はレンズ、４１４は反射光、４１５は結像用光学系、
４１６はイメージ検出器、４１７はパターン認識装置、
４１８は中央制御装置、４１９はレーザ出力制御装置１
．４２０はレーザ出力制御装置２，４２１はミラー角度
制御装置１，４２２はミラー角度制御装置２，４２３は
レンズ位置制御装置である。In FIG. 4, 401 is a stage, 402 is a semiconductor substrate, 403 is a laser l, 404 is a laser beam 1, 4.05
is the laser 2, 406 is the laser beam 2, 407 is the electric mirror 1, 408 is the electric mirror 2, 409 is the beam splitter, 411 is the fixed mirror, 412 is the perforated mirror, 41
3 is a lens, 414 is reflected light, 415 is an imaging optical system,
416 is an image detector, 417 is a pattern recognition device,
418 is a central control device, 419 is a laser output control device 1
．． 420 is a laser output control device 2, 421 is a mirror angle control device 1, 422 is a mirror angle control device 2, and 423 is a lens position control device.
ステージ４０１は、半導体基板４０２を載置するための
ものである。The stage 401 is for placing a semiconductor substrate 402 on it.
半導体基板４０２は、Ｓｉなどの半導体からなる。The semiconductor substrate 402 is made of a semiconductor such as Si.
レーザ１（４０３）は、レーザ光１（４０４）を発生さ
せる。Laser 1 (403) generates laser light 1 (404).
レーザ光１（４０４）は、半導体基板４０２のアニール
に用いられると共に半導体基板４０２の表面の溶融状態
を検出するために用いられる。Laser light 1 (404) is used to anneal the semiconductor substrate 402 and to detect the melted state of the surface of the semiconductor substrate 402.
レーザ２（４０５）は、レーザ光２（４０６）を発生さ
せる。Laser 2 (405) generates laser light 2 (406).
レーザ光２（４０６）は、半導体基板４０２のアニール
に用いられると共に半導体基板４０２の表面の溶融状態
を検出するために用いられる。Laser light 2 (406) is used to anneal the semiconductor substrate 402 and to detect the melted state of the surface of the semiconductor substrate 402.
電動ミラー１ （４０７）は、モータ駆動により反射
角度が変えられ、レーザ光１（４０４）が半導体基板４
０２の表面へ入射する角度を変える。The electric mirror 1 (407) is driven by a motor to change the reflection angle, and the laser beam 1 (404) is directed to the semiconductor substrate 4.
Change the angle of incidence on the surface of 02.
電動ミラー２（４０８）は、モータ駆動により反射角度
が変えられ、レーザ光２（４０６）が半導体基板４０２
の表面へ入射する角度を変える。The electric mirror 2 (408) is driven by a motor to change the reflection angle, and the laser beam 2 (406) is directed to the semiconductor substrate 402.
change the angle of incidence on the surface.
ビーム・スプリッタ４０９は、レーザ光１（４０４）お
よびレーザ光２（４０６）を合成する。Beam splitter 409 combines laser beam 1 (404) and laser beam 2 (406).
合成レーザ光４１０は、ビーム・スプリンタ４０９によ
り、レーザ光１（４０４）およびレーザ光２（４０６）
が合成されたものである。The combined laser beam 410 is split into laser beam 1 (404) and laser beam 2 (406) by a beam splitter 409.
are synthesized.
固定ミラー４１１は９合成レーザ光４１０の方向を変え
るためのものである。The fixed mirror 411 is for changing the direction of the nine combined laser beams 410.
穴開きミラー４１２は、中心部に設けられた開孔部で合
成レーザ光４１０を通過させると共に周辺のミラ一部で
反射光４１４を結像用光学系４１５へ向けて反射させる
。The apertured mirror 412 allows the combined laser beam 410 to pass through an aperture provided at the center, and reflects reflected light 414 toward an imaging optical system 415 at a portion of the peripheral mirror.
レンズ４１３は１合成レーザ光４１０が半導体基板４０
２の表面でスポットを形成するように焦点を定めると共
に反射光４１４の集光を行う。The lens 413 is 1 combined laser beam 410 is the semiconductor substrate 40
A focus is determined so as to form a spot on the surface of 2, and reflected light 414 is focused.
反射光４１４は８合成レーザ光４１０が半導体基板４０
２の表面の溶融部から反射された光であ結像用光学系４
１５は２反射光４１４を結像させるためのものである。The reflected light 414 is 8 combined laser beams 410 are reflected from the semiconductor substrate 40.
The imaging optical system 4 uses the light reflected from the melted part on the surface of 2.
Reference numeral 15 is for forming an image of the two reflected lights 414.
イメージ検出器４１６は、結像用光学系４１５により結
像された反射光４１４のイメージを検出して電気信号に
変換する。The image detector 416 detects an image of the reflected light 414 formed by the imaging optical system 415 and converts it into an electrical signal.
パターン認識装置４１７は、イメージ検出器４１６によ
り電気信号に変換された反射光４１４のイメージをパタ
ーンとして認識すると共に蓄積されている標準パターン
と比較して、そのズレ量を中央制御装置４１Ｂへ通知す
る。The pattern recognition device 417 recognizes the image of the reflected light 414 converted into an electrical signal by the image detector 416 as a pattern, compares it with the stored standard pattern, and notifies the central control device 41B of the amount of deviation. .
中央制御装置４１８は、パターン認識装置４１７からの
通知に基づいて、レーザ出力制御装置１（４１９） 、
レーザ出力制御装置２（４２０）。Based on the notification from the pattern recognition device 417, the central control device 418 controls the laser output control device 1 (419),
Laser output control device 2 (420).
ミラー角度制御装置１（４２１）、 ミラー角度制御
装置２（４２２）およびレンズ位置制御装置４２３へそ
れぞれ制御信号を送出する。Control signals are sent to mirror angle control device 1 (421), mirror angle control device 2 (422), and lens position control device 423, respectively.
レーザ出力制御装置１（４１９）は、レーザ１（４０３
）の出力を制御する。Laser output control device 1 (419) controls laser output control device 1 (403).
) output.
レーザ出力制御装置２（４２０）は、レーザ２（４０５
） （７）出力をｌ１ｌＪａｌする。Laser output control device 2 (420)
) (7) l1lJal the output.
ミラー角度制御装置１（４２１）は、電動ミラー１
（４０７）を回動させて、レーザ光１ （４０４）の反
射角度を制御する。The mirror angle control device 1 (421) is an electric mirror 1
(407) to control the reflection angle of laser beam 1 (404).
ミラー角度制御装置２（４２２）は、電動ミラー２ （
４０８）を回動させて、レーザ光２（４０６）の反射角
度を制御する。The mirror angle control device 2 (422) controls the electric mirror 2 (
408) to control the reflection angle of the laser beam 2 (406).
レンズ位置制御装置４２３は、レンズ４１３の位置を上
下に移動させて２合成レーザ光４１０が半導体基板４０
２の表面で結ぶ焦点の位置を制御する。The lens position control device 423 moves the position of the lens 413 up and down to direct the two combined laser beams 410 to the semiconductor substrate 40.
The position of the focal point on the surface of 2 is controlled.
以下、第４図の動作を説明する。The operation shown in FIG. 4 will be explained below.
レーザ１（４０３）により発生されたレーザ光１（４０
４）は、電動ミラー１ （４０？）により反射され、
レーザ２（４０５）により発生されたレーザ光２ （４
０６）は、電動ミラー２（４０８）により反射される。Laser light 1 (403) generated by laser 1 (403)
4) is reflected by electric mirror 1 (40?),
Laser light 2 (4) generated by laser 2 (405)
06) is reflected by electric mirror 2 (408).
レーザ光１（４０４）およびレーザ光２（４０６）は、
ビーム・スプリンタ４０９により合成されて１合成レー
ザ光４１０となる。Laser light 1 (404) and laser light 2 (406) are
They are combined by a beam splinter 409 into one combined laser beam 410.
合成レーザ光４１０は、固定ミラー４１１により反射さ
れ、穴開きミラー４１２の開孔部を通過した後、レンズ
４１３により集光されて、半導体基板４０２の表面に焦
点を結ぶ。The combined laser beam 410 is reflected by a fixed mirror 411, passes through an aperture in a perforated mirror 412, and is then condensed by a lens 413 to focus on the surface of a semiconductor substrate 402.
その結果、半導体基板４０２の表面は溶融されると共に
再結晶化される。As a result, the surface of the semiconductor substrate 402 is melted and recrystallized.
一方１合成レーザ光４１０は、半導体基板４０２の表面
の溶融部において反射され１反射光４１４を発生させる
。On the other hand, one combined laser beam 410 is reflected at the melted portion of the surface of the semiconductor substrate 402 to generate one reflected beam 414.
反射光４１４は、レンズ４１３により集光され。The reflected light 414 is focused by a lens 413.
穴開きミラー４１２で反射された後、結像用光学系４１
５へ導かれる。After being reflected by the perforated mirror 412, the imaging optical system 41
Leads to 5.
結像用光学系４１５へ導かれた反射光４１４は。The reflected light 414 is guided to the imaging optical system 415.
結像してパターンを生成する。Form an image to generate a pattern.
生成されたパターンは、イメージ検出器４１６により電
気信号に変換される。The generated pattern is converted into an electrical signal by image detector 416.
電気信号に変換された反射光４１４のパターンは、パタ
ーン認識装置４１７において、蓄積されている標準パタ
ーンと比較され、そのズレ量が中央制御装置４１８へ通
知される。The pattern of reflected light 414 converted into an electrical signal is compared with the stored standard pattern in pattern recognition device 417, and the amount of deviation is notified to central control device 418.
中央制御装置４１８は、パターン認識装置４１７から通
知された２反射光４１４のパターンと標準パターンとの
ズレ量に基づいて、レーザ出力制御装置１（４１９）、
レーザ出力制御装置２（４２０）、ミラー角度制御
装置１（４２１）、 ミラー角度制御装置２（４２２
）およびレンズ位置制御装置４２３へそれぞれ制御信号
を送出する。Based on the amount of deviation between the pattern of the two reflected lights 414 and the standard pattern notified from the pattern recognition device 417, the central control device 418 controls the laser output control device 1 (419),
Laser output control device 2 (420), mirror angle control device 1 (421), mirror angle control device 2 (422)
) and the lens position control device 423, respectively.
レーザ出力制御装置１（４１９）は、レーザｌ（４０３
）の出力を制御して、レーザ光１（４０４）の強度を最
適の値にする。Laser output control device 1 (419) controls laser output control device 1 (403).
) to bring the intensity of laser beam 1 (404) to an optimal value.
レーザ出力制御袋！２（４２０）は、レーザ２（４０５
）の出力を制御して、レーザ光２（４０６）の強度を最
適の値にする。Laser output control bag! 2 (420) is laser 2 (405)
) to bring the intensity of laser beam 2 (406) to an optimal value.
ミラー角度制御装置１（４２１）は、電動ミラーｌ
（４０７）を回動させることによりレーザ光１（４０４
）の反射角度を変化させ、レーザ光１（４０４）が半導
体基板４０２の表面へ入射する角度を最適の値にする。The mirror angle control device 1 (421) is an electric mirror angle control device 1 (421).
(407) by rotating the laser beam 1 (404).
) to optimize the angle at which laser beam 1 (404) enters the surface of semiconductor substrate 402.
ミラー角度制御装置２（４２２）は、電動ミラー２
（４０８）を回動させることによりレーザ光２（４０６
）の反射角度を変化させ、レーザ光２（４０６）が半導
体基板４０２の表面へ入射する角度を最適の値にする。The mirror angle control device 2 (422) is the electric mirror 2
(408) by rotating the laser beam 2 (406).
) to optimize the angle at which the laser beam 2 (406) enters the surface of the semiconductor substrate 402.
レンズ位置制御装置４２３は、レンズ４１３の位置を上
下に移動させることにより９合成レーザ光４１０が半導
体基板４０２の上で結ぶ焦点の位置を最適の値にする。The lens position control device 423 moves the position of the lens 413 up and down to optimize the focal position of the nine combined laser beams 410 on the semiconductor substrate 402.
本実施例ではレーザ光を２本使用しているので。In this embodiment, two laser beams are used.
レーザ光を１本しか使用しない実施例１に比べて多様な
制御を行うことが可能になる。It becomes possible to perform a variety of controls compared to the first embodiment in which only one laser beam is used.
（成果） 実施例１および実施例２による成果を述べる。(Achievement) The results obtained in Example 1 and Example 2 will be described.
第５図（ａ）〜（Ｃ）は２反射光のパターンの例を示す
図である。FIGS. 5(a) to 5(C) are diagrams showing examples of patterns of two reflected lights.
第５図（ａ）は、半導体基板の表面の溶融状態が良好で
ない場合の反射光のパターンである。FIG. 5(a) shows a pattern of reflected light when the surface of the semiconductor substrate is not in a good melting state.
第５図（ｂ）および（Ｃ）は、半導体基板の表面の溶融
状態が良好な場合の反射光のパターンである。FIGS. 5(b) and 5(C) show patterns of reflected light when the surface of the semiconductor substrate is in a good melted state.
第６図は、アニール後のシリコン基板の表面を２０倍に
拡大した写真である。シリコン基板が載置されているス
テージを移動させて、シリコン基板の表面を走査するよ
うにアニールしているので。FIG. 6 is a 20 times enlarged photograph of the surface of the silicon substrate after annealing. This is because the stage on which the silicon substrate is placed is moved to scan the surface of the silicon substrate during annealing.
縞模様が形成されている。A striped pattern is formed.
白っぽい部分は再結晶化が良好でない部分である。この
部分を１００倍に拡大したものを第７図に示す。The whitish areas are areas where recrystallization is not good. FIG. 7 shows this part enlarged 100 times.
黒っぽい部分は再結晶化が良好な部分である。The dark areas are areas where recrystallization is good.
この部分を１００倍に拡大したものを第８図に示す。FIG. 8 shows this part enlarged 100 times.
本発明では、半導体基板の表面の溶融状態に応じて、エ
ネルギー・ビームの強度、半導体基板表面への入射角度
および焦点位置が最適の値になるようにフィードバック
をかけているので、半導体基板のアニールにおいて、非
常に安定した状態で再結晶化することが可能になる。In the present invention, feedback is applied so that the intensity of the energy beam, the angle of incidence on the surface of the semiconductor substrate, and the focal position are optimized depending on the melting state of the surface of the semiconductor substrate. It becomes possible to recrystallize in a very stable state.
また、エネルギー・ビームの強度、半導体基板表面への
入射角度および焦点位置が最適の値になるようにするフ
ィードバンク機構は全て自動化されているので９人手を
煩わせることなく、最適の状態で半導体基板をアニール
することができる。In addition, the feedbank mechanism that ensures that the intensity of the energy beam, the angle of incidence on the surface of the semiconductor substrate, and the focal point position are all set to the optimum value is fully automated, so it is possible to control the semiconductor in the optimum state without the need for nine people. The substrate can be annealed.
第１図は本発明の原理説明図（その１）、第２図は本発
明の原理説明図（その２）、第３図は実施例１を示す図
、第４図は実施例２を示す図、第５図は反射光のパター
ンの例を示す図、第６図はアニール後のシリコン基板の
表面を示す写真、第７図は再結晶化が良好でない部分を
示す写真、第８図は再結晶化が良好な部分を示す写真で
ある。
第１図において
１０１：半導体基板
１０２：レーザ
１０３：レーザ光
１０４：電動ミラー
１０５：穴開きミラー
１０７：レンズ
１０８：反射光
１０９：結像用光学系
１１０：イメージ検出器
１１１：パターン認識装置
１１２：制御装置
第２図において
２０１：半導体基板
２０２：電子ビーム発生装置
２０３：電子ビーム
２０４：照明用光源
２０５：照明用光ビーム
２０６：反射光
２０７：ミラー
２０８：結像用光学系
２０９：イメージ検出器
２１０：パターン認識装置
２１１：制御装置Fig. 1 is a diagram explaining the principle of the present invention (part 1), Fig. 2 is a diagram explaining the principle of the invention (part 2), Fig. 3 is a diagram showing the first embodiment, and Fig. 4 is a diagram showing the second embodiment. Figure 5 is a diagram showing an example of a pattern of reflected light, Figure 6 is a photograph showing the surface of a silicon substrate after annealing, Figure 7 is a photograph showing a portion where recrystallization is not good, and Figure 8 is a photograph showing an example of a pattern of reflected light. This is a photograph showing a portion with good recrystallization. In FIG. 1, 101: semiconductor substrate 102: laser 103: laser beam 104: electric mirror 105: perforated mirror 107: lens 108: reflected light 109: imaging optical system 110: image detector 111: pattern recognition device 112: In FIG. 2, the control device includes 201: semiconductor substrate 202: electron beam generator 203: electron beam 204: illumination light source 205: illumination light beam 206: reflected light 207: mirror 208: imaging optical system 209: image detector 210: Pattern recognition device 211: Control device
Claims (1)
ビーム（１０３、２０３）を照射して、半導体基板（１
０１、２０１）の表面を再結晶化させるアニール装置に
おいて、 半導体基板（１０１、２０１）の表面の溶融部を照射す
る光ビーム（１０３、２０５）を発生させる照明用光源
（１０２、２０４）と、 半導体基板（１０１、２０１）の表面の溶融部からの反
射光（１０８、２０６）を結像させる結像用光学系（１
０９、２０８）と、 結像された反射光のイメージを検出するイメージ検出器
（１１０、２０９）と、 イメージ検出器（１１０、２０９）の出力から反射光の
パターンを認識するパターン認識装置（１１１、２１０
）と、 パターン認識装置（１１１、２１０）の認識結果に基づ
いて、エネルギー・ビーム（１０３、２０３）の強度、
入射角度および焦点位置を変えるようにエネルギー・ビ
ーム発生装置（１０２、２０２）を制御する制御装置（
１１２、２１１）とを設けたことを特徴とするエネルギ
ー・ビームを用いたアニール装置。[Claims] Energy and energy are applied to the surface of the semiconductor substrate (101, 201).
Semiconductor substrate (1) is irradiated with beams (103, 203).
In the annealing apparatus for recrystallizing the surface of the semiconductor substrate (101, 201), an illumination light source (102, 204) generates a light beam (103, 205) that irradiates the melted part of the surface of the semiconductor substrate (101, 201); An imaging optical system (1) that forms an image of reflected light (108, 206) from the melted part on the surface of the semiconductor substrate (101, 201).
09, 208), an image detector (110, 209) that detects an image of the formed reflected light, and a pattern recognition device (111) that recognizes the pattern of the reflected light from the output of the image detector (110, 209). , 210
), and the intensity of the energy beam (103, 203) based on the recognition result of the pattern recognition device (111, 210),
a controller (102, 202) for controlling the energy beam generator (102, 202) to change the angle of incidence and focal position;
112, 211).
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63036533A JP2683241B2 (en) | 1988-02-19 | 1988-02-19 | Annealing device using energy beam |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63036533A JP2683241B2 (en) | 1988-02-19 | 1988-02-19 | Annealing device using energy beam |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01211911A true JPH01211911A (en) | 1989-08-25 |
| JP2683241B2 JP2683241B2 (en) | 1997-11-26 |
Family
ID=12472423
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63036533A Expired - Lifetime JP2683241B2 (en) | 1988-02-19 | 1988-02-19 | Annealing device using energy beam |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2683241B2 (en) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002252182A (en) * | 2001-02-22 | 2002-09-06 | Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd | Illumination optical system and laser processor equipped with the same |
| JP2005142506A (en) * | 2003-11-10 | 2005-06-02 | Shimada Phys & Chem Ind Co Ltd | Method of measuring state of laser annealing apparatus |
| JP2005340788A (en) * | 2004-04-28 | 2005-12-08 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Laser irradiation method, and semiconductor device formation method using the same |
| JP2006344844A (en) * | 2005-06-10 | 2006-12-21 | Sony Corp | Laser processing device |
| WO2007114031A1 (en) * | 2006-03-30 | 2007-10-11 | Hitachi Computer Peripherals Co., Ltd. | Laser irradiation device, laser irradiation method, and method for manufacturing modified object |
| JP2009111257A (en) * | 2007-10-31 | 2009-05-21 | Kobe Steel Ltd | Crystallinity evaluation device for silicon semiconductor thin film |
| JP2012238864A (en) * | 2002-04-18 | 2012-12-06 | Applied Materials Inc | Thermal flux processing by scanning |
| US8644665B2 (en) | 2008-09-29 | 2014-02-04 | Hitachi Information & Telecommunication Engineering, Ltd. | Semiconductor manufacturing apparatus |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59125612A (en) * | 1983-01-06 | 1984-07-20 | Nec Corp | Device for forming single crystal thin-film |
-
1988
- 1988-02-19 JP JP63036533A patent/JP2683241B2/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59125612A (en) * | 1983-01-06 | 1984-07-20 | Nec Corp | Device for forming single crystal thin-film |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002252182A (en) * | 2001-02-22 | 2002-09-06 | Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd | Illumination optical system and laser processor equipped with the same |
| JP2012238864A (en) * | 2002-04-18 | 2012-12-06 | Applied Materials Inc | Thermal flux processing by scanning |
| JP2005142506A (en) * | 2003-11-10 | 2005-06-02 | Shimada Phys & Chem Ind Co Ltd | Method of measuring state of laser annealing apparatus |
| JP2005340788A (en) * | 2004-04-28 | 2005-12-08 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Laser irradiation method, and semiconductor device formation method using the same |
| JP2006344844A (en) * | 2005-06-10 | 2006-12-21 | Sony Corp | Laser processing device |
| WO2007114031A1 (en) * | 2006-03-30 | 2007-10-11 | Hitachi Computer Peripherals Co., Ltd. | Laser irradiation device, laser irradiation method, and method for manufacturing modified object |
| JPWO2007114031A1 (en) * | 2006-03-30 | 2009-08-13 | 日立コンピュータ機器株式会社 | Laser irradiation apparatus, laser irradiation method, and modified object manufacturing method |
| JP2009111257A (en) * | 2007-10-31 | 2009-05-21 | Kobe Steel Ltd | Crystallinity evaluation device for silicon semiconductor thin film |
| US8644665B2 (en) | 2008-09-29 | 2014-02-04 | Hitachi Information & Telecommunication Engineering, Ltd. | Semiconductor manufacturing apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2683241B2 (en) | 1997-11-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5580826B2 (en) | Laser processing apparatus and laser processing method | |
| TW201351506A (en) | Laser annealing systems and methods with ultra-short dwell times | |
| JP2001096386A (en) | Method of and equipment for positioning focal point of laser beam | |
| JP2007059431A (en) | Process for fabricating semiconductor device and laser processing system | |
| JP2002217125A (en) | Surface treatment apparatus and its method | |
| JPH01211911A (en) | Annealing apparatus utilizing energy beam | |
| JPS61289617A (en) | Manufacturing device for single-crystal thin film | |
| JP3784543B2 (en) | Pattern correction apparatus and correction method | |
| JPH11254171A (en) | Laser beam machining device for wiring board | |
| JPS62160781A (en) | Laser light projecting apparatus | |
| JP2004335717A (en) | Laser repairing apparatus | |
| JP2001001171A (en) | Laser beam machine for display substrate | |
| JP2605090B2 (en) | Beam annealing equipment | |
| JPH10296468A (en) | Laser beam machining device | |
| JPS6235597Y2 (en) | ||
| JPS59125612A (en) | Device for forming single crystal thin-film | |
| JPS63260018A (en) | Lamp annealer | |
| JPS60176221A (en) | Method and device for beam annealing | |
| JPH05226275A (en) | Laser annealing device | |
| JPH01246827A (en) | Beam annealing device | |
| JPS6247114A (en) | Manufacture of semiconductor single crystal film | |
| JPH0456454B2 (en) | ||
| JP2000305039A (en) | Beam shaping device | |
| JPH0673346B2 (en) | Laser annealing device | |
| JPS6074513A (en) | Manufacture of semiconductor device |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20070808 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080808 Year of fee payment: 11 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080808 Year of fee payment: 11 |