JPH01206541A - Face plate of color cathode ray tube and method of forming color fluorescent material arrangement on it - Google Patents
Face plate of color cathode ray tube and method of forming color fluorescent material arrangement on itInfo
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 32
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims description 5
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 47
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims abstract description 28
- 238000003491 array Methods 0.000 claims description 15
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims description 8
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 4
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 claims description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract description 10
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract description 10
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 abstract description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 10
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 4
- 238000012864 cross contamination Methods 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 206010056740 Genital discharge Diseases 0.000 description 2
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 150000002734 metacrylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 2
- VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N perchloric acid Chemical compound OCl(=O)(=O)=O VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 2
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 2
- 238000009987 spinning Methods 0.000 description 2
- PAWQVTBBRAZDMG-UHFFFAOYSA-N 2-(3-bromo-2-fluorophenyl)acetic acid Chemical compound OC(=O)CC1=CC=CC(Br)=C1F PAWQVTBBRAZDMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethyl acetate Chemical compound CCOCCOC(C)=O SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WROUWQQRXUBECT-UHFFFAOYSA-N 2-ethylacrylic acid Chemical compound CCC(=C)C(O)=O WROUWQQRXUBECT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O Ammonium Chemical compound [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- UIERETOOQGIECD-UHFFFAOYSA-N Angelic acid Natural products CC=C(C)C(O)=O UIERETOOQGIECD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N alumane Chemical group [AlH3] AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- SOCTUWSJJQCPFX-UHFFFAOYSA-N dichromate(2-) Chemical compound [O-][Cr](=O)(=O)O[Cr]([O-])(=O)=O SOCTUWSJJQCPFX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005686 electrostatic field Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000010977 jade Substances 0.000 description 1
- VHRYZQNGTZXDNX-UHFFFAOYSA-N methacryloyl chloride Chemical compound CC(=C)C(Cl)=O VHRYZQNGTZXDNX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005022 packaging material Substances 0.000 description 1
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 1
- 235000011121 sodium hydroxide Nutrition 0.000 description 1
- UIERETOOQGIECD-ONEGZZNKSA-N tiglic acid Chemical compound C\C=C(/C)C(O)=O UIERETOOQGIECD-ONEGZZNKSA-N 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
- H01J9/20—Manufacture of screens on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted or stored; Applying coatings to the vessel
- H01J9/22—Applying luminescent coatings
- H01J9/227—Applying luminescent coatings with luminescent material discontinuously arranged, e.g. in dots or lines
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、螢光体スクリーンを準備する方法に関する
ものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION This invention relates to a method of preparing a phosphor screen.
カラー陰極線管(CRT)は、電子ビームに応答して異
なる色の光を放出する異なる螢光体の配列がジャドーマ
スゲにおける穴(またはスリット)に関してCRTのス
クリーン上に正確に位置決めされる、スクリーンを備え
ている。電子銃配置は、各色に対し異なる電子ビームを
発生する。螢光体の配列を作る多くの方法が公知である
。A color cathode ray tube (CRT) comprises a screen in which an array of different phosphors that emit light of different colors in response to an electron beam are precisely positioned on the screen of the CRT with respect to the holes (or slits) in the jade maze. ing. The electron gun arrangement produces a different electron beam for each color. Many methods of making phosphor arrays are known.
米国特許第4251610号(テクトロニクス・インコ
ーホレーテッド(TektronixInc、))は、
不透明層がまずスクリーンの内部表面に形成される例示
の方法を開示している。U.S. Patent No. 4,251,610 (Tektronix Inc.)
An exemplary method is disclosed in which an opaque layer is first formed on the interior surface of the screen.
3個の異なる「色の」螢光体が使用されると仮定すると
、不透明層には穴の3個の配列が生じられる。これは、
フォトレジストで不透明層を被覆することにより、かつ
3個の電子ビームをシミュレートする光源からの光でシ
ャドーマスクを介してその被覆を照らし、レジストを現
像し、現像されたレジストをマスクとして利用する層を
エツチングしさらにそのレジストを除去することにより
行なわれる。Assuming that three different "colored" phosphors are used, three arrays of holes are created in the opaque layer. this is,
By coating an opaque layer with a photoresist and illuminating the coating through a shadow mask with light from a light source simulating three electron beams, developing the resist and using the developed resist as a mask. This is done by etching the layer and removing the resist.
1色の、たとえば緑の螢光体が、次の工程を利用して配
列の1個に置かれる。A phosphor of one color, for example green, is placed in one of the arrays using the following process.
フォトレジストの被覆が、全不透明層および穴の上に置
かれる。この被覆は、シャドーマスクを介して緑の電子
ビームをシミュレートする光源からの紫外(UV)光に
対し露光される。次に被覆は、レジストにより被覆され
る2個の他の配列を残して、穴の「緑の」配列を露光す
るように現像される。「緑の」螢光体と光電感応性接合
材がスクリーン上に置かれる。螢光体と接合材は、緑の
穴において緑の螢光体を固定するようにスクリーンを介
して紫外光に対し露光される。過度の螢光体および接合
材は除去され、さらに、フォトレジストは除去される。A coating of photoresist is placed over the entire opaque layer and holes. This coating is exposed to ultraviolet (UV) light from a light source simulating a green electron beam through a shadow mask. The coating is then developed to expose the "green" array of holes, leaving two other arrays covered by resist. A "green" phosphor and a photosensitive adhesive are placed on the screen. The phosphor and bonding material are exposed to ultraviolet light through a screen to fix the green phosphor in the green hole. Excess phosphor and binder are removed, and the photoresist is removed.
この工程が他の色に対して繰返される。各繰返しは、先
に置かれた螢光体を被覆するフォトレジストの新たな被
覆で始まり、こうして先に置かれた螢光体を相互汚染か
ら保護する。This process is repeated for other colors. Each iteration begins with a new coat of photoresist covering the previously deposited phosphor, thus protecting the previously deposited phosphor from cross-contamination.
光ビームは直線において移動するが、電子ビームは磁界
および静電界により制御される経路に従う。不透明層に
おいて穴の配列を正確に形成するために、電子ビーム自
体を利用することが公知である。それは特に、たとえば
、1986年12月31日に公告された英国特許出願G
B 2 176 647A(ランク・エレクトロニッ
ク・チューブズ・リミテッド(Rank Elect
r。While the light beam moves in a straight line, the electron beam follows a path controlled by magnetic and electrostatic fields. It is known to use the electron beam itself to precisely form an array of holes in an opaque layer. It refers in particular to, for example, the British patent application G published on 31 December 1986.
B 2 176 647A (Rank Electronic Tubes Limited)
r.
ni’c Tubes Ltd))から公知である
。Ni'c Tubes Ltd)).
CB 2 176 647Aにおいて開示された1つ
の例示の方法においては、まず不透明層がCRTのスク
リーンの内部表面上に形成される。In one exemplary method disclosed in CB 2 176 647A, an opaque layer is first formed on the inner surface of a CRT screen.
次の工程を利用して、螢光体の配列が置かれる。An array of phosphors is placed using the following steps.
層は、シャドーマスクを介してたとえば「緑の」電子ビ
ームに対し露光される電子ビーム感応性レジストで被覆
される。電子ビームレジストは現像され、さらに、層は
その上に「緑の」アパーチャまたは穴の配列を生じるよ
うにエツチングされる。The layer is coated with an electron beam-sensitive resist that is exposed to, for example, a "green" electron beam through a shadow mask. The electron beam resist is developed and the layer is etched to create an array of "green" apertures or holes thereon.
「緑の」螢光体に光電感応性結合剤を加えたものが付与
され、かつ、アパーチャの螢光体を固定するようにスク
リーンを介してUV光に対し露光される。電子ビームレ
ジストは除去される。次に、電子ビームレジストの新た
な被覆が置かれ、前記工程がその色のまたは各地の色の
螢光体に対繰返される。この方法は有効であるけれども
、実際には色純度を減じる螢光体の何らかの相互汚染が
存在する。A "green" phosphor plus a photosensitive binder is applied and exposed to UV light through a screen to fix the phosphor in the aperture. The electron beam resist is removed. A new coat of electron beam resist is then placed and the process repeated for that or each color of phosphor. Although this method is effective, there is some cross-contamination of phosphors that actually reduces color purity.
GB 2 176 647Aに提案されている別な方
法においては、アパーチャの3個の配列は、除去される
電子ビーム感応性レジストの電子ビーム露光を利用して
、不透明層に最初に生成される。In another method proposed in GB 2 176 647A, three arrays of apertures are first created in an opaque layer using electron beam exposure of an electron beam sensitive resist to be removed.
次に、別な電子ビームレジストが置かれ、たとえば「緑
の」電子ビームを利用して露光され、現像され、さらに
、「緑の」螢光体および光電感応性バインダがスクリー
ンを介して照射されるUVにより「緑の」アパーチャに
おいて固定される。その色のまたは各地の色の螢光体は
、同様の態様でアパーチャのその配列において固定され
る。テクトロニクスの米国特許第4251610号にお
けるように、UV光は不透明層におけるすべてのアパー
チャを照射する。テクトロニクスの特許においては、フ
ォトレジストの層が、置かれる螢光体の色と関連するア
パーチャ以外のアパーチャにおいてUV光を阻止し、と
いうのは、フォトレジストの層が厚いからである。しか
しながら、電子ビームレジストは通常はUV光を完全に
阻止するほど十分には厚くない。したがって、レジスト
は他の穴上で部分的に感光性を与えられ得て、それは現
像の際に他の穴の汚染を引き起こし得る。Another e-beam resist is then placed, exposed and developed using, for example, a "green" e-beam, and a "green" phosphor and photosensitive binder are irradiated through a screen. is fixed in the "green" aperture by UV. The phosphors of that color or of each color are fixed in the array of apertures in a similar manner. As in Tektronix US Pat. No. 4,251,610, UV light illuminates all apertures in the opaque layer. In the Tektronix patent, a layer of photoresist blocks UV light in apertures other than those associated with the color of the phosphor on which it is placed because the layer of photoresist is thick. However, e-beam resists are usually not thick enough to completely block UV light. Therefore, the resist may be partially photosensitized on other holes, which may cause contamination of other holes upon development.
この発明の一局面に従えば、螢光体の相互汚染が減じら
れる一方で螢光体の正確な配置を有する螢光体スクリー
ンを準備することが望ましい。According to one aspect of the invention, it is desirable to provide a phosphor screen with precise placement of phosphors while reducing cross-contamination of phosphors.
前記−局面に従えば、カラー陰極線管のフェースプレー
トの内側に螢光体の複数個の異なる散在された配列を形
成する方法が提供され、その方法においては、各配列に
対し、完成された管における配列に付勢する電子銃と配
列に関して実質的に同一位置にある取り外し可能な真空
管において電子銃で電子感応性レジスト層を照射するこ
とによりマスクが形成され、さらに、螢光体がそのマス
クにおいて適所に固定され、マスクは順次形成され、か
つ各マスクおよび螢光体配列は次のマスクおよび螢光体
配列が形成される前に次のマスクを製造するために使用
されるレジスト層により被覆され、すべてのレジスト層
はすべての螢光体配列が形成されるまで保持される。In accordance with the above-mentioned aspects, there is provided a method of forming a plurality of different interspersed arrays of phosphors inside a faceplate of a color cathode ray tube, the method comprising: for each array a completed tube; A mask is formed by irradiating the electron-sensitive resist layer with an electron gun in a removable vacuum tube substantially co-located with respect to the array with an electron gun energizing the array in the mask; Fixed in place, the masks are formed in sequence, and each mask and phosphor array is coated with a layer of resist that is used to fabricate the next mask before the next mask and phosphor array is formed. , all resist layers are held until all phosphor arrays are formed.
この発明の別な局面に従えば、過度の螢光体を除去する
ことに関する困難が少なくとも減じられる一方で、スク
リーンの動作に際しそれらに付勢する電子銃に関して良
好な色純度の異なる螢光体を正確に配置する、螢光体ス
クリーンを準備する方法を提供することが望ましい。According to another aspect of the invention, the difficulties associated with removing excess phosphor are at least reduced, while providing different phosphors of good color purity for the electron guns that energize them during operation of the screen. It would be desirable to provide a method of preparing a phosphor screen that is accurately positioned.
前記別な局面に従えば、カラー陰極線管のフェ−スプレ
ートの内側に複数個の散在されたカラー螢光体配列を形
成する方法が提供され、それはA) フェースプレート
の内側に不透明層を形成する段階と、
B) 不透明層上に電子感応性レジストの第1の層を提
供する段階と、
C) シャドーマスクと、複数個の電子ビームを発生さ
せるための電子銃手段とを含む取り外し可能な真空管へ
とフェースプレートを組入れ、かつ真空状態までポンプ
作用する段階と、D) シャドーマスクにおける開口お
よび前記ビームのうちの1個に対応する位置においてレ
ジストの層を活性状態にするように、前記1個のビーム
でシャドーマスクを介してレジストの前記層を照射する
段階と、
E) フェースプレートを真空管から取り外す段階と、
F) 前記位置にアパーチャを有するマスクを不透明層
に形成するように、活性状態にされた電子レジスト材料
を利用してフェースプレートを処理する段階と、
G) 形成されたマスク上に螢光体および光電感応性結
合剤を提供する段階と、
H) フェースプレートの他方側からの光に対し前記ア
パーチャを介して前記螢光体および光電感応性結合剤を
露光させ、マスクにおいてアパーチャと整合状態に配置
されるそれの部分が活性状態にされるようにさせる段階
と、
■) 前記アパーチャと整合状態で第1の色の螢光体の
第1の前記配列を形成するように、フェースプレートを
さらに処理する段階と、J) 前記第1の層上にかつ螢
光体の前記第1の配列上に電子感応性レジストの第2の
層を提供する段階と、
K) 第2の色の螢光体の第2の前記配列を形成するよ
うに、前記ビームの第2のものを利用して上の段階C)
ないしl)を繰返す段階とを含んでいる。According to another aspect, a method is provided for forming a plurality of interspersed color phosphor arrays on the inside of a faceplate of a color cathode ray tube, which comprises: A) forming an opaque layer on the inside of the faceplate; B) providing a first layer of electron-sensitive resist on the opaque layer; C) a removable mask comprising a shadow mask and electron gun means for generating a plurality of electron beams; D) assembling a faceplate into a vacuum tube and pumping to a vacuum; irradiating said layer of resist through a shadow mask with a beam of at least one of the following: E) removing the faceplate from the vacuum tube; G) providing a phosphor and a photosensitive binder on the formed mask; (i) exposing the phosphor and photosensitive binder through the aperture to light such that the portion thereof that is located in alignment with the aperture in the mask is activated; J) further processing the faceplate to form a first said array of phosphors of a first color in registration with the aperture; K) providing a second layer of electron-sensitive resist over the first array; K) directing a second of said beams to form a second said array of phosphors of a second color; Step C)
repeating steps 1) to 1).
この発明のより良い理解のために、かつこの発明がどの
ようにして実行され得るかを示すために、具体例として
添付の図面に対しここで参照がなされるであろう。For a better understanding of the invention, and to show how the invention may be carried out, reference will now be made to the accompanying drawings by way of example.
第1図は、実際のCRTフェースプレート1とその整合
するシャドーマスク2およびシャドーマスクフレーム3
を使用する、完成されたCRTを正確にシミュレートす
る、「取り外し可能な」CRTシステムを例示している
。これらは外被4に装設され、それは金属、ガラスまた
はセラミックから製造され得て、かつそれは管5により
真空ポンプシステム6に接続される。外被4のネックの
内側には複式電子銃8が設けられ、かつネック7の外部
にはCRT走査コイル9が設けられ、それにより、電子
銃8により放出される電子ビームは適当な電圧波形の印
加により走査するようにされ得る。明瞭にするために、
2個の電子ビームしか示されていないけれども、どのよ
うな数の電子ビームおよびそれらの対応する螢光体配列
でも使用され得る。使用に際し、外被4内の全アセンブ
リは真空的に気密であり、フェースプレート1はガスケ
ット10により外被4に結合される。FIG. 1 shows an actual CRT face plate 1 and its matching shadow mask 2 and shadow mask frame 3.
1 illustrates a "removable" CRT system that accurately simulates a completed CRT using a . These are installed in a jacket 4, which can be made of metal, glass or ceramic, and which is connected by a tube 5 to a vacuum pump system 6. A dual electron gun 8 is provided inside the neck of the jacket 4, and a CRT scanning coil 9 is provided outside the neck 7, so that the electron beam emitted by the electron gun 8 has an appropriate voltage waveform. It can be made to scan by application. To be clear,
Although only two electron beams are shown, any number of electron beams and their corresponding phosphor arrays may be used. In use, the entire assembly within the envelope 4 is vacuum tight and the faceplate 1 is connected to the envelope 4 by a gasket 10.
螢光体スクリーンの製造の工程がここで第2A図ないし
第2M図を参照ながら説明される。The process of manufacturing a phosphor screen will now be described with reference to FIGS. 2A-2M.
CRTのフェースプレート1はシャドーマスク2から分
離され、不透明被覆30が付与される。The CRT faceplate 1 is separated from the shadow mask 2 and provided with an opaque coating 30.
この被覆は、たとえばアルミニウムのように、反射性で
あり得るか、または、周知でありかつ確立されて久しい
方法によりガスを含んだ雰囲気中で蒸着により付与され
る黒クロムのような黒色被覆であり得る。次に、電子感
応性レジスト31の薄い第1の層が、たとえばスピニン
グによりフェースプレート1に付与される。次に、レジ
スト層はベーキングにより硬化される。(レジストの型
は、m子ビームの作用の下でそれがそれぞれ軟化される
かまたは硬化されるかに従って「ポジティブ」または「
ネガティブ」と説明され得て、便宜上、ここで説明され
る方法は「ポジティブ」レジストに対する工程である)
。種々の型の電子感応性レジストが使用され得て、たと
えば、成るものはメチルメタクリル酸(metbyxm
ethacrylic acid)およびメタクリ口
イルクロライド(methacryloyl chl
oride)および他のメタクリレート(methac
rylates)の共重合体、すなわちPM型レジスト
を含む。代替案として、セロソルブアセテート(cel
losolve acetate)においてポリメチ
ルメタクリレート(polymethylmethac
rylates)を含むPMMA型の電子感応性レジス
トが使用され得る。This coating may be reflective, for example aluminum, or it may be a black coating, such as black chrome, applied by vapor deposition in a gaseous atmosphere by well-known and well-established methods. obtain. A thin first layer of electron-sensitive resist 31 is then applied to the faceplate 1, for example by spinning. Next, the resist layer is hardened by baking. (The type of resist is "positive" or "positive" depending on whether it is softened or hardened, respectively, under the action of the m-beam.
For convenience, the method described here is a process for a "positive" resist).
. Various types of electron-sensitive resists may be used, such as those consisting of methyl methacrylic acid (metbyxm
ethacrylic acid) and methacryloyl chl
oride) and other methacrylates (methac
rylates), i.e. PM type resist. As an alternative, cellosolve acetate (cel
polymethylmethacrylate (losolve acetate)
Electro-sensitive resists of the PMMA type may be used, including PMMA-type electron-sensitive resists (Rylates).
使用され得る特定の市場で入手可能な電子感応性レジス
トは、l5OFINE E−8ポジテイブレジストグ
レードP7である。A particular commercially available electron-sensitive resist that may be used is 15OFINE E-8 positive resist grade P7.
次に、フェースプレート1とシャドーマスク2がともに
組入れられ、第1図におけるように取り外し可能CRT
に配置される。適当な電圧が印加され、さらに、レジス
ト31はシャドーマスク2を介して、たとえばスクリー
ン上の緑の内容の原因である銃のような、電子銃ハウジ
ング8における1個の電子銃からの、第2C図において
矢印により示される方向からの走査電子ビームに対し露
光される。シャドーマスクの穴を介して電子ビームを受
けるレジスト31の部分は軟化された状態になる。次に
、フェースプレートアセンブリは取り外し可能なCRT
から除去され、レジスト層31は現像液で処理され、そ
の場合、適切に露光された小点または線は除去され、露
光されていない領域が残る。この段階階は第2D図に例
示されており、そこではフェースプレート1上の不透明
層30は現像されたレジスト31のアパーチャが設けら
れた層がその上に重畳される。Next, the face plate 1 and the shadow mask 2 are assembled together to form a removable CRT as in FIG.
will be placed in A suitable voltage is applied and the resist 31 is further exposed to the second C from one electron gun in the electron gun housing 8, such as the gun responsible for the green content on the screen, through the shadow mask 2. It is exposed to a scanning electron beam from the direction indicated by the arrow in the figure. The portions of the resist 31 that receive the electron beam through the holes in the shadow mask are softened. Next, the faceplate assembly is a removable CRT
The resist layer 31 is then treated with a developer solution, in which case the properly exposed dots or lines are removed, leaving unexposed areas. This step is illustrated in Figure 2D, where the opaque layer 30 on the faceplate 1 is overlaid with an apertured layer of developed resist 31.
次に、不透明層30の露光された部分がレジスト31に
おけるアパーチャまたは穴を介してエツチングで取り去
られ、第2E図に示されるように、不透明層30の露光
されていない部分が残ることを許容され、こうしてそこ
にアパーチャ32を有するマスクを形成する。不透明層
30が黒クロムである場合には、使用されるエツチング
剤は、硝酸第二鉄アンモニウム(ammon i um
f erric n1trate)と、過塩素酸
と、脱塩水との混合物であり得る。アルミニウムが不透
明層30を形成する場合には、これは希釈した苛性ソー
ダを用いてエツチングされ得る。The exposed portions of opaque layer 30 are then etched away through apertures or holes in resist 31, allowing unexposed portions of opaque layer 30 to remain, as shown in FIG. 2E. , thus forming a mask having an aperture 32 therein. If the opaque layer 30 is black chrome, the etchant used is ferric ammonium nitrate.
perchloric acid and demineralized water. If aluminum forms the opaque layer 30, it may be etched using dilute caustic soda.
たとえば緑のような第1の色を放出する第1の螢光体材
料は、電子によりボンバードされる場合には、フェース
プレート層上へとスラリーにされるかまたは沈澱させら
れる混合物33を形成するように重クロム酸アンモニウ
ム(ammonium bichromate)で感
応しやすくされるたとえばポリビニルアルコール(po
lyvinylalcohol)のようなUV感応性フ
ォトレジストと混合される。この段階階はm2F図に示
されている。フェースプレート1は第2G図に示される
矢印の方向へガラスのフェースプレート1を介して照ら
される光源からのUVに対し露光され、そのため、アパ
ーチャ32に存するフォトレジストと螢光体の混合物3
3の部分が重合する。レジストを現像した結果、第2G
図に示されるようにアパーチャ32に残留する硬化され
た螢光体の小点または線33′が生じる。残留する電子
感応性レジスト31は保持される。A first phosphor material emitting a first color, such as green, when bombarded with electrons forms a mixture 33 that is slurried or precipitated onto the faceplate layer. For example, polyvinyl alcohol (polyvinyl alcohol) is sensitized with ammonium bichromate.
lyvinylalcohol). This stage is shown in the m2F diagram. The faceplate 1 is exposed to UV from a light source shining through the glass faceplate 1 in the direction of the arrow shown in FIG. 2G, so that the photoresist and phosphor mixture 3 present in the apertures 32
Part 3 is polymerized. As a result of developing the resist, the second G
A dot or line 33' of cured phosphor remains in the aperture 32 as shown. The remaining electron-sensitive resist 31 is retained.
電子感応性レジストの第2の層34が、第2H図に示さ
れるように前と同様にスピニングによりここで付与され
る。レジストの第2の層34は、たとえば緑の螢光体と
レジストの第1の層とを被覆する。次に、フェースプレ
ート1はシャドーマスク2とともに一緒に組入れられ、
第1図に示される取り外し可能なCRT上に配置され、
さらに、レジストの第1の層と第2の層34がシャドー
マスク2を介して、第21図における矢印により示され
る方向から走査電子ビームに対し露光される。A second layer 34 of electron-sensitive resist is now applied by spinning as before, as shown in FIG. 2H. A second layer of resist 34 covers the first layer of resist, for example a green phosphor. Next, the face plate 1 is assembled together with the shadow mask 2,
placed on the removable CRT shown in FIG.
Furthermore, the first and second layers 34 of resist are exposed to a scanning electron beam through the shadow mask 2 from the direction indicated by the arrows in FIG.
この場合ビームを発生するために、たとえばスクリーン
上の赤い内容の原因となる銃のような、電子銃のうちの
異なるものが使用される。シャドーマスクの穴を介して
電子ビームを受けるレジストの第1の層31および第2
の層34の部分は軟化された状態になり、さらに、前と
同様、次にフェースプレートアセンブリが取り外し可能
なCRTから除去され、第1のレジスト層31および第
2のレジスト層34が現像液で処理され、その場合、レ
ジスト31および34の露光された小点または線35は
除去され、露光されていない領域が残る。In this case a different one of the electron guns is used to generate the beam, for example the gun responsible for the red content on the screen. A first layer 31 of resist and a second layer receiving an electron beam through holes in a shadow mask.
portions of layer 34 are now in a softened state, and as before, the faceplate assembly is then removed from the removable CRT and first resist layer 31 and second resist layer 34 are exposed to a developer solution. The exposed dots or lines 35 of the resists 31 and 34 are then removed, leaving unexposed areas.
次に、不透明層30のさらに露光された部分がレジスト
層31および34のアパーチャ35を介してエツチング
で取り去られ、第2に図に示されるように、不透明層3
0の露光されていない部分が残ることを許容される。The further exposed portions of the opaque layer 30 are then etched away through the apertures 35 in the resist layers 31 and 34, and the opaque layer 30 is then etched away, as shown in the figure.
0 unexposed areas are allowed to remain.
たとえば赤のような第2の色を放出する第2の螢光体材
料は、電子によりボンバードされた場合、前のようにフ
ェースプレート層上にスラリーにされる混合物を形成す
るように重クロム酸塩で処理されたポリビニルアルコー
ル(bLchromated polyvinyla
lcohol)のようなUV感応性フォトレジストと混
合される。A second phosphor material emitting a second color, for example red, is dichromated so as to form a mixture which, when bombarded with electrons, is slurried onto the faceplate layer as before. bLchromated polyvinyla
mixed with a UV sensitive photoresist such as lcohol).
フェースプレートはガラスのフェースプレート1を介し
て照らされる拡散源からのUVに対し露光され、そのた
め、アパーチャ35中に存するフォトレジストと螢光体
との混合物の部分が重合する。The faceplate is exposed to UV light from a diffuse source illuminated through the glass faceplate 1 so that the portions of the photoresist and phosphor mixture residing in the apertures 35 polymerize.
フォトレジストを現像した結果、第2L図に示されるよ
うにアパーチャ35に残留する硬化された螢光体の小点
または線36が生ずる。電子感応性レジストの第1の層
および第2の層は保持される。Developing the photoresist results in a dot or line 36 of hardened phosphor remaining in the aperture 35, as shown in FIG. 2L. The first and second layers of electron-sensitive resist are retained.
第1の層および第2の層上にかつ赤の螢光体および緑の
螢光体上にレジストの第3の層を付与することによりこ
の工程が繰返される。第3の層はシャドーマスクを介し
て「青の」電子銃に対し露光されかつ現像され、不透明
層はエツチングされ、かつ「青の」螢光体は上で説明さ
れたようにアパーチャにおいて固定される。その結果が
第2M図に示されている。This process is repeated by applying a third layer of resist over the first and second layers and over the red and green phosphors. The third layer is exposed to a "blue" electron gun through a shadow mask and developed, the opaque layer is etched, and the "blue" phosphor is fixed in the aperture as described above. Ru. The results are shown in Figure 2M.
第2M図に示されるように、赤の螢光体33′と、緑の
螢光体36と青の螢光体37の配列が、使用中それぞれ
赤の電子ビームと、緑の電子ビームと、青の電子ビーム
がフェースプレート1を照射する点と整合状態でフェー
スプレート1上に散在した関係で配置される。As shown in FIG. 2M, the arrays of red phosphor 33', green phosphor 36 and blue phosphor 37 are used to generate a red electron beam and a green electron beam, respectively. A blue electron beam is placed in a scattered relationship on the faceplate 1 in alignment with the point at which it irradiates the faceplate 1 .
この工程の第2の繰返しは、2色の螢光体しか有さない
スクリーンを作る必要がある場−合には、削除され得る
。同様に、3色を越える色でスクリーンを作るにはさら
なる繰返しが必要になり得る。The second iteration of this process can be omitted if it is necessary to make a screen with only two colors of phosphors. Similarly, creating screens with more than three colors may require additional iterations.
レジスト層を保持することにより、適所に固定されるべ
き各螢光体は、後の螢光体による相互汚染から保護され
る。By holding the resist layer, each phosphor to be fixed in place is protected from cross-contamination by later phosphors.
穴32.35などの組が一度に1組作られ、かつ不透明
層はこのようにマスクとして作用するので、2個または
それ以上のレジストの層が存在するときですら通常は薄
すぎてUV光に対してそれ自体マスクとして作用し得な
い電子感応性レジストを使用することが可能である。Because sets of holes 32, 35, etc. are made one at a time, and the opaque layer thus acts as a mask, even when two or more layers of resist are present, they are usually too thin to be exposed to UV light. It is possible to use an electron-sensitive resist that cannot itself act as a mask.
すべての所要の螢光体がスクリーン上で適所に固定され
てしえまえば、種々のレジストの層31.34などが除
去され、さらに、螢光体および不透明層は第2M図に示
されるような当該技術分野で公知の態様でラッカーを塗
られかつアルミニウムで処理される(38)。Once all the required phosphors are fixed in place on the screen, the various resist layers 31, 34 etc. are removed and the phosphors and opaque layers are removed as shown in FIG. 2M. It is lacquered and aluminized (38) in a manner known in the art.
赤の螢光体と、緑の螢光体と、青の螢光体に対し言及が
なされてきたが、たとえば黄色、赤紫および青緑のよう
な他の色の螢光体が使用され得る。Although reference has been made to red, green, and blue fluores, other colored fluores may be used, such as yellow, magenta, and blue-green. .
第1図は、この発明において使用するための「取り外し
可能な」陰極線管(CRT)の縦断面における側面図で
ある。
第2A図ないし第2M図は、陰極線管スクリーンの製造
の際の異なる段階を例示している、CRTのフェースプ
レートの断面における部分的概略図である。
図において、1はCRTフェースプレート、2はシャド
ーマスク、3はシャドーマスクフレーム、4は外被、8
は複式電子銃、9は走査コイル、10はガスケット、3
0は不透明層、31および34はレジスト層である。
特許出願人 ランク・ブリマー・リミテッド図面の浄8
(内容に変更なし)
手続補正占(方式)
%式%
1、事件の表示
昭和63年特許願第323162号
2、発明の名称
カラー陰極線管のフェースプレートおよびそこにカラー
螢光体配列を形成する方法
3、補正をする者
事件との関係 特許出願人
住所 イギリス、エム・24 トエス・エヌマンチェ
スター、ミドルトン
グリーンサイド・ウェイ(番地なし)
名称 ランク・ブリマー・リミテッド代表者 ジー・
アール・ボンイエ
4、代理人
住 所 大阪市北区南森町2丁目1番29号 住友銀行
南森町ビル6、補正の対染
願書の4.特許出願人の代表者の欄、図面全図、委任状
および訳文
7、補正の内容
別紙の通り。なお、図面は内容についての変更はありま
せん。
以上FIG. 1 is a side view in longitudinal section of a "removable" cathode ray tube (CRT) for use in the present invention. 2A-2M are partial schematic diagrams in cross-section of a CRT faceplate illustrating different stages in the manufacture of a cathode ray tube screen. In the figure, 1 is a CRT face plate, 2 is a shadow mask, 3 is a shadow mask frame, 4 is an outer cover, and 8
is a multiple electron gun, 9 is a scanning coil, 10 is a gasket, 3
0 is an opaque layer, 31 and 34 are resist layers. Patent Applicant: Rank Brimer Limited Drawing 8
(No change in content) Procedural amendment calculation (method) % formula % 1. Indication of the case 1988 Patent Application No. 323162 2. Name of the invention Face plate of color cathode ray tube and formation of color phosphor array thereon Method 3: Relationship with the person making the amendment Patent applicant address: Middleton Greenside Way, Middleton Greenside Way, Manchester, M24, UK (no street address) Name: Rank Brimer Limited Representative: G.
Earl Bonyer 4, Agent Address: 6, Sumitomo Bank Minamimorimachi Building, 2-1-29 Minamimorimachi, Kita-ku, Osaka, 4. Column for the representative of the patent applicant, all drawings, power of attorney and translation 7, and contents of the amendment as shown in the attached sheet. Please note that there are no changes to the content of the drawings. that's all
Claims (9)
する段階と、 C)シャドーマスクと複数の電子ビームを発生させるた
めの電子銃手段とを含む取り外し可能な真空管へとフェ
ースプレートを組入れ、かつ真空状態までポンプ作用す
る段階と、 D)シャドーマスクにおける開口と前記ビームのうちの
1個に対応する位置におけるレジストの層を活性状態に
するように、前記1個のビームでシャドーマスクを介し
てレジストの前記層を照射する段階と、 E)取り外し可能な真空管からフェースプレートを取り
外す段階と、 F)前記位置にアパーチャを有するマスクを不透明層に
形成するように、活性状態にされた電子レジスト材料を
利用してフェースプレートを処理する段階と、 G)形成されたマスク上に螢光体および光電感応性結合
剤を提供する段階と、 H)フェースプレートの他方側からの光に対し前記アパ
ーチャを介して前記螢光体および光電感応性結合剤を露
光させ、マスクにおいてアパーチャと整合状態に配置さ
れるそれの部分が活性状態にされるようにさせる段階と
、 I)前記アパーチャと整合状態で第1の色の螢光体の第
1の配列を形成するように、フェースプレートをさらに
処理する段階と、 J)第2の色の螢光体の第2の配列を形成するように、
前記ビームの第2のものを利用して上の段階C)ないし
段階I)を繰返す段階を含む、カラー陰極線管のフェー
スプレートの内側に複数個の散在するカラー螢光体配列
を形成する方法であって、 K)第1の段階I)と第2の段階C)の間で、前記第1
の層上にかつ螢光体前記第1の配列上に電子感応性レジ
ストの第2の層を提供する段階を特徴とする、方法。(1) A) forming an opaque layer on the inside of the faceplate; B) providing a first layer of electron-sensitive resist on the opaque layer; and C) generating a shadow mask and multiple electron beams. D) assembling the faceplate into a removable vacuum tube containing electron gun means for causing the shadow mask to emit an aperture in the shadow mask and the resist at a location corresponding to one of the beams; irradiating the layer of resist with the single beam through a shadow mask so as to activate the layer of resist; E) removing the faceplate from the removable vacuum tube; F) in the position. G) treating the faceplate utilizing an activated electronic resist material to form a mask in the opaque layer having apertures; and G) disposing a phosphor and a photosensitive binder on the formed mask. H) exposing the phosphor and photosensitive binder through the aperture to light from the other side of the faceplate, a portion thereof being positioned in alignment with the aperture in the mask; I) further processing the faceplate to form a first array of phosphors of a first color in alignment with the aperture; and J) forming a second array of phosphors of a second color;
A method for forming a plurality of interspersed color phosphor arrays inside a faceplate of a color cathode ray tube, the method comprising repeating steps C) to I) above using a second of said beams. K) between the first stage I) and the second stage C),
a second layer of electron-sensitive resist over the first array of phosphors.
光体の前記第1の配列と第2の配列の上に電子感応性レ
ジストの第3の層を提供する段階をさらに含み、さらに
、第3の色の螢光体の第3の前記配列を形成するように
前記ビームのうちの第3のものを利用して段階C)ない
し段階I)を繰返す、請求項1に記載の方法。(2) providing a third layer of electron-sensitive resist over the first and second layers of resist and over the first and second arrays of phosphors; 2. Further comprising repeating steps C) through I) utilizing a third of said beams to form a third said array of phosphors of a third color. The method described in.
成された後で、電子感応性レジストの層を除去する段階
をさらに含む、請求項1または請求項2に記載の方法。3. The method of claim 1 or claim 2, further comprising the step of: (3) removing the layer of electron-sensitive resist after all arrays of phosphors have been formed on the faceplate.
求項3のいずれかに記載の方法。(4) The method according to any one of claims 1 to 3, wherein the opaque layer is a metal layer.
項4のいずれかに記載の方法。(5) The method according to any one of claims 1 to 4, wherein the opaque layer is black.
体の複数個の異なる散在する配列を形成する方法であっ
て、その方法において、各配列に対し、完成されたCR
Tにおいてその配列を付勢する電子銃と配列に関して実
質的に同一位置にある取り外し可能な真空管における電
子銃で電子感応性レジスト層を照射することによりマス
クが形成され、かつ螢光体が前記マスクにおいて適所に
固定され、マスクが順次形成され、さらに、各マスクお
よび螢光体配列が次のマスクおよび螢光体配列が形成さ
れる前に次のマスクを作るために使用されるレジスト層
により被覆され、すべてのレジスト層がすべての螢光体
配列が形成されるまで保持されることを特徴とする、方
法。(6) A method of forming a plurality of different interspersed arrays of phosphors on the inside of a faceplate of a color cathode ray tube, the method comprising: forming a completed CR for each array;
A mask is formed by irradiating the electron-sensitive resist layer with an electron gun in a removable vacuum tube that is substantially co-located with respect to the array with an electron gun energizing the array at T, and the phosphor is in contact with said mask. the masks are formed in sequence, and each mask and phosphor array is covered with a layer of resist that is used to make the next mask before the next mask and phosphor array is formed. and all resist layers are retained until all phosphor arrays are formed.
さらに含み、前記マスクが前記レジスト層を用いて不透
明層上に形成され、前記マスクが不透明層においてアパ
ーチャのそれぞれの配列を形成するために使用され、さ
らに、螢光体が光電感応性結合剤と混合されかつ穴のそ
れぞれの配列においてそれらをフェースプレートを介す
る光で照射することにより固定される、請求項6に記載
の方法。(7) forming an opaque layer on the faceplate, the mask being formed on the opaque layer using the resist layer, the mask being used to form a respective array of apertures in the opaque layer; 7. The method of claim 6, wherein the phosphor is mixed with a photosensitive binder and fixed in each array of holes by illuminating them with light through the faceplate.
により製造される、フェースプレート。(8) A face plate manufactured by the method according to any one of claims 1 to 7.
線管。(9) A cathode ray tube comprising the face plate according to claim 8.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
GB8729791A GB2213982A (en) | 1987-12-22 | 1987-12-22 | Phosphor screen preparation |
GB8729791 | 1987-12-22 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01206541A true JPH01206541A (en) | 1989-08-18 |
Family
ID=10628821
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP32316288A Pending JPH01206541A (en) | 1987-12-22 | 1988-12-20 | Face plate of color cathode ray tube and method of forming color fluorescent material arrangement on it |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP0322200A1 (en) |
JP (1) | JPH01206541A (en) |
GB (1) | GB2213982A (en) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
MY118433A (en) * | 1994-12-26 | 2004-11-30 | Toshiba Kk | Display screen, method of manufacturing the same, and cathode ray tube |
EP0720201B1 (en) * | 1994-12-26 | 1999-02-17 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Display screen and method of manufacturing the same |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4505999A (en) * | 1983-09-12 | 1985-03-19 | North American Philips Consumer Electronics Corp. | Photographic process for applying phosphor pattern to color CRT shadow mask |
GB8507798D0 (en) * | 1985-03-26 | 1985-05-01 | Rank Electronic Tubes Ltd | Colour cathode ray tube |
-
1987
- 1987-12-22 GB GB8729791A patent/GB2213982A/en not_active Withdrawn
-
1988
- 1988-12-20 JP JP32316288A patent/JPH01206541A/en active Pending
- 1988-12-20 EP EP19880312077 patent/EP0322200A1/en not_active Withdrawn
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB2213982A (en) | 1989-08-23 |
EP0322200A1 (en) | 1989-06-28 |
GB8729791D0 (en) | 1988-02-03 |
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