JPH01196850A - Dicing of semiconductor wafer - Google Patents
Dicing of semiconductor waferInfo
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- JPH01196850A JPH01196850A JP63023068A JP2306888A JPH01196850A JP H01196850 A JPH01196850 A JP H01196850A JP 63023068 A JP63023068 A JP 63023068A JP 2306888 A JP2306888 A JP 2306888A JP H01196850 A JPH01196850 A JP H01196850A
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、ダイシングを行なう予定部分に保護膜を被着
してダイシングを行なう半導体ウエノ＼−のダイシング
方法に関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Field of the Invention The present invention relates to a method for dicing a semiconductor wafer, in which a protective film is applied to a portion to be diced.
従来の技術
近年、半導体素子の微細化及び大集積化が進み、半導体
素子も大型になってきている。これに伴ない半導体の素
子間の間隔、スクライブラインもせばめられてきている
。2. Description of the Related Art In recent years, semiconductor elements have become smaller and more integrated, and semiconductor elements have also become larger. Along with this, the spacing between semiconductor elements and scribe lines are also becoming narrower.
以下に従来の半導体ウェハーのダイシング方法について
、第３図に示したスクライブライン付近の断面図を参照
して説明する。A conventional method for dicing a semiconductor wafer will be described below with reference to a cross-sectional view near the scribe line shown in FIG.
これは、半導体ウェハー１の上に半導体素子２が形成さ
れ、半導体素子２の表面には半導体素子２を保護する為
の保護膜３が形成され、隣接する半導体素子２，２の間
にスクライブライン４が形成された構造であり、ダイヤ
モンドブレード５でスクライブライン４のほぼ中央を切
断することにより多数の半導体チップに分割される。A semiconductor element 2 is formed on a semiconductor wafer 1, a protective film 3 is formed on the surface of the semiconductor element 2 to protect the semiconductor element 2, and a scribe line is formed between adjacent semiconductor elements 2. 4 is formed, and is divided into a large number of semiconductor chips by cutting approximately the center of the scribe line 4 with a diamond blade 5.
発明が解決しようとする課題
ところが、ダイヤモンドブレード５を高速回転で移動し
ながら半導体ウェハー１を切断した場合、スクライブラ
イン４の表面状態の硬度が高い場合、あるいは低い場合
又は粘度が高い場合、あるいは低い場合等様々な条件に
よって、ダイヤモンドブレード５により、スクライブラ
イン４の表面に亀裂が発生する場合がある。第４図にダ
イヤモンドブレード５により亀裂が発生して、この亀裂
が半導体素子２にまで達している場合をＡで示した。Problems to be Solved by the Invention However, when cutting the semiconductor wafer 1 while moving the diamond blade 5 at high speed rotation, the hardness of the surface state of the scribe line 4 is high or low, or the viscosity is high or low. Depending on various conditions, the diamond blade 5 may generate cracks on the surface of the scribe line 4. In FIG. 4, a case where a crack is generated by the diamond blade 5 and the crack reaches the semiconductor element 2 is indicated by A.
このようにして、スクライブライン４に亀裂が発生した
場合、界面からの水の進入等により信頼性に悪影響を及
ぼす。これらは、微細化及び大集積化により半導体素子
間の距離が狭（なるにつれてより一層大きな問題となっ
てきている。In this way, if a crack occurs in the scribe line 4, the reliability will be adversely affected due to water entering from the interface. These problems are becoming more serious as the distance between semiconductor elements becomes narrower due to miniaturization and larger integration.
本発明は、ダイヤモンドブレードを高速回転で移動しな
がらスクライブラインを切断した場合においても亀裂な
どの発生しにくい半導体ウェハーのダイシング方法を提
供することを目的とするものである。SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a method for dicing semiconductor wafers in which cracks are less likely to occur even when cutting a scribe line while moving a diamond blade at high speed.
課題を解決するための手段
本発明の半導体ウェハーのダイシング方法は、スクライ
ブライン予定部分に、半導体素子上に設けた保護膜とは
分離された保護膜を設け、この分離された保護膜の部分
をダイシングするものである。Means for Solving the Problems The semiconductor wafer dicing method of the present invention provides a protective film that is separated from the protective film provided on the semiconductor element in the area where the scribe line is planned, and the separated protective film part. It is for dicing.
作用
このようにすれば、スクライブライン上の保護膜が、ダ
イシング時に半導体ウェハーに加わる無理な力を緩和あ
るいは吸収するため、スクライブラインの亀裂を抑制す
ることができる。In this manner, the protective film on the scribe line alleviates or absorbs the excessive force applied to the semiconductor wafer during dicing, so that cracks in the scribe line can be suppressed.
実施例
本発明の半導体ウェハーのダイシング方法の一実施例に
ついて、第１図のスクライブライン付近の断面図を参照
しながら説明する。Embodiment An embodiment of the semiconductor wafer dicing method of the present invention will be described with reference to a sectional view near the scribe line in FIG.
これは、半導体ウェハー１の上にトランジスタ等の半導
体素子２が形成され、同半導体素子２の表面には半導体
素子２を保護する為の保護膜３が形成され、隣接する半
導体素子２，２の間のスクライブライン４のほぼ中央部
に半導体素子２の表面を保護する為の保護膜３とは分離
された保護膜３１が形成された構造であり、この保護膜
３１の部分をダイヤモンドブレード５によりダイシング
する−ものである。A semiconductor element 2 such as a transistor is formed on a semiconductor wafer 1, and a protective film 3 is formed on the surface of the semiconductor element 2 to protect the semiconductor element 2. It has a structure in which a protective film 31 separate from a protective film 3 for protecting the surface of the semiconductor element 2 is formed approximately at the center of the scribe line 4 between the two, and a portion of this protective film 31 is cut with a diamond blade 5. Dicing - something.
なお、保護膜３１は酸化膜やシリコンナイトライド等で
あり、ダイシングを行なう予定部分に半導体素子２の保
護膜３とは分離して形成される必要がある。Note that the protective film 31 is an oxide film, silicon nitride, or the like, and needs to be formed separately from the protective film 3 of the semiconductor element 2 in a portion to be diced.
本実施例の半導体ウェハーのダイシング方法において、
ダイシングによる影響について以下に説明する。第２図
は第１図の分離された保護膜３１の部分をダイシングし
たときの様子を示したものである。ダイヤモンドブレー
ド５を高速回転で移動しながらスクライブライン４を切
断しても、ダイシングを行なう予定部分に保護膜３１を
設けてあり、この保護膜３１でダイシング時に半導体ウ
ェハーＩに加わる無理な力を緩和あるいは吸収すること
ができるため、亀裂などの不安定なカットを抑制するこ
とができる。特にスクライブライン４の保護膜３１を半
導体素子２上の保護膜３から分離して形成すれば、保護
膜３１に加わった力が半導体素子２上の保護膜３１にま
で伝わることがない。このため半導体素子２に達する亀
裂は殆どな（なる。また、このように亀裂が発生しにく
いため半導体素子２，２間のスクライブラインの幅を狭
（することができ、半導体ウェハー上に形成される素子
数量を増加させることができる。In the semiconductor wafer dicing method of this example,
The influence of dicing will be explained below. FIG. 2 shows the state when the separated portion of the protective film 31 shown in FIG. 1 is diced. Even if the scribe line 4 is cut while the diamond blade 5 is moving at high speed, a protective film 31 is provided in the area to be diced, and this protective film 31 alleviates the excessive force applied to the semiconductor wafer I during dicing. Alternatively, since it can be absorbed, unstable cuts such as cracks can be suppressed. In particular, if the protective film 31 of the scribe line 4 is formed separately from the protective film 3 on the semiconductor element 2, the force applied to the protective film 31 will not be transmitted to the protective film 31 on the semiconductor element 2. Therefore, there are almost no cracks that reach the semiconductor element 2.Furthermore, since cracks are less likely to occur, the width of the scribe line between the semiconductor elements 2 can be narrowed, and the width of the scribe line between the semiconductor elements 2 can be narrowed. The number of elements used can be increased.
発明の効果
本発明の半導体ウェハーのダイシング方法によれば、ス
クライブラインに半導体素子の保護膜とは分離された保
護膜を備えることによって、ダイヤモンドブレードを高
速回転で移動しながら切断してもスクライブラインの亀
裂等の不安定なカットを抑えることができる。Effects of the Invention According to the semiconductor wafer dicing method of the present invention, by providing the scribe line with a protective film that is separate from the protective film of the semiconductor element, the scribe line can be maintained even when cutting while moving the diamond blade at high speed. Unstable cuts such as cracks can be suppressed.
第１図は本発明の半導体ウェハーのダイシング方法の一
実施例を示す断面図、第２図は同実施例においてダイシ
ングしたときの状態を表わす断面図、第３図、第４図は
従来の半導体ウェハーのダイシング方法断面図である。
１・・・・・・半導体ウェハー、２・・・・・・半導体
素子、３・・・・・・保護膜、３１・・・・・・分離さ
れた保護膜、４・旧・・スクライブライン、５・・・・
・・ダイヤモンドブレード。FIG. 1 is a sectional view showing an embodiment of the semiconductor wafer dicing method of the present invention, FIG. 2 is a sectional view showing the state when dicing is performed in the same embodiment, and FIGS. 3 and 4 are sectional views of conventional semiconductor wafers. FIG. 3 is a cross-sectional view of a wafer dicing method. 1: Semiconductor wafer, 2: Semiconductor element, 3: Protective film, 31: Separated protective film, 4: Old scribe line , 5...
...Diamond blade.
Claims (1)
つダイシングを行なう予定部分に前記半導体ウェハーの
半導体素子の保護膜とは分離された保護膜を設け、この
分離された保護膜の部分をダイシングすることを特徴と
する半導体ウェハーのダイシング方法。A protective film separated from the protective film of the semiconductor elements of the semiconductor wafer is provided on the main surface of the semiconductor wafer on the side to be diced and is scheduled to be diced, and the separated protective film portion is diced. A semiconductor wafer dicing method characterized by:
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63023068A JPH01196850A (en) | 1988-02-02 | 1988-02-02 | Dicing of semiconductor wafer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63023068A JPH01196850A (en) | 1988-02-02 | 1988-02-02 | Dicing of semiconductor wafer |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01196850A true JPH01196850A (en) | 1989-08-08 |
Family
ID=12100087
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63023068A Pending JPH01196850A (en) | 1988-02-02 | 1988-02-02 | Dicing of semiconductor wafer |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01196850A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03184360A (en) * | 1989-12-13 | 1991-08-12 | Canon Inc | Manufacture of semiconductor device |
| US5462636A (en) * | 1993-12-28 | 1995-10-31 | International Business Machines Corporation | Method for chemically scribing wafers |
| DE19713172A1 (en) * | 1997-03-27 | 1998-07-30 | Siemens Ag | Semiconductor component with edges coated for separation from wafer |
-
1988
- 1988-02-02 JP JP63023068A patent/JPH01196850A/en active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03184360A (en) * | 1989-12-13 | 1991-08-12 | Canon Inc | Manufacture of semiconductor device |
| US5462636A (en) * | 1993-12-28 | 1995-10-31 | International Business Machines Corporation | Method for chemically scribing wafers |
| DE19713172A1 (en) * | 1997-03-27 | 1998-07-30 | Siemens Ag | Semiconductor component with edges coated for separation from wafer |
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