JPH0119105Y2 - - Google Patents
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- JPH0119105Y2 JPH0119105Y2 JP1984127472U JP12747284U JPH0119105Y2 JP H0119105 Y2 JPH0119105 Y2 JP H0119105Y2 JP 1984127472 U JP1984127472 U JP 1984127472U JP 12747284 U JP12747284 U JP 12747284U JP H0119105 Y2 JPH0119105 Y2 JP H0119105Y2
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- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この考案は、半導体ICなどの一連の製造工程
終了後、この半導体ICなどを高温下で一定時間
電源電圧、入力信号を与えて動作させる場合に、
マルチゾーン毎に内部に開閉ダンパを設け、外部
に扉を設け、炉温度をコントロールせずに自由に
半導体装置を処理できるようにした半導体装置の
バーンイン装置に関する。[Detailed explanation of the invention] (Industrial application field) This invention is used to operate semiconductor ICs by applying power supply voltage and input signals for a certain period of time at high temperatures after completing a series of manufacturing processes of semiconductor ICs, etc. To,
The present invention relates to a semiconductor device burn-in device in which an opening/closing damper is provided inside each multi-zone and a door is provided on the outside so that semiconductor devices can be processed freely without controlling the furnace temperature.
（従来の技術）
先ず、ここで云うバーンイン装置について既述
する。このバーンイン装置とは半導体ICなどの
一連の製造工程終了後、ICなどを高温（100〜
150℃）下で一定時間（10〜100H程度）、電源電
圧、入力信号を与えて動作させる一種の恒温槽で
ある。(Prior Art) First, the burn-in device referred to here will be described. This burn-in equipment is used to heat ICs and other devices at high temperatures (100 to 100℃) after completing a series of manufacturing processes.
It is a type of thermostatic chamber that operates under a temperature of 150°C for a certain period of time (approximately 10 to 100 hours) by applying power supply voltage and input signals.
このバーンインは半導体ICなどの客先の出荷
後、初期不良の発生を防止するため、顧客への出
荷前に高温下で動作テストを行う。これをバーン
インと云い、ICなどの高信頼度化に有効な手法
である。 This burn-in involves testing the operation of semiconductor ICs and other products at high temperatures before shipping them to the customer, in order to prevent initial defects from occurring. This is called burn-in, and is an effective method for increasing the reliability of ICs and other devices.
第６図は従来のバーンイン装置の概略的構成を
示す側断面図である。この第６図において、１は
筐体であり、筐体１の前面には扉２が設けられて
いる。この扉２を開けることにより、バーンイン
ボード３が挿脱されるようになつている。 FIG. 6 is a side sectional view showing a schematic configuration of a conventional burn-in device. In FIG. 6, 1 is a housing, and a door 2 is provided on the front surface of the housing 1. By opening this door 2, a burn-in board 3 can be inserted or removed.
筐体１の上方にはヒータ４とフアン５が配置さ
れ、ヒータ４とフアン５で発生した熱風６がバー
ンインボード３を加熱するようにしている。バー
ンインボード３には、第７図に示すような半導体
IC７を第８図に示すように多数個実装し、大型
のバーンイン装置では、このバーンインボード３
の多数枚収納し、合計で15000個程度の半導体IC
を実装して、高温でかつ電圧印加して、バーンイ
ンしている。 A heater 4 and a fan 5 are arranged above the casing 1, and hot air 6 generated by the heater 4 and fan 5 heats the burn-in board 3. The burn-in board 3 includes semiconductors as shown in Figure 7.
A large number of IC7s are mounted as shown in Figure 8, and in a large burn-in device, this burn-in board 3
A total of about 15,000 semiconductor ICs are stored.
are mounted and burn-in by applying voltage at high temperature.
（考案が解決しようとする問題点）
しかし、バーンイン時間は集積密度、要求され
る信頼度、デバイス種別により一般に異なる。そ
して、多品種少量生産の場合はバーンイン時間の
異なる品種を一つの槽によりバーンインしたい場
合が生じる。(Problem that the invention attempts to solve) However, burn-in time generally varies depending on integration density, required reliability, and device type. In the case of high-mix, low-volume production, there may be cases where it is desired to burn in products with different burn-in times in one tank.
たとえば、50HのＡ品種のものと、100HのＢ
品種のものを同時にバーンインを開始すると、
50H経過後Ａ品種を取り出すと、扉の開閉により
熱が逃げてしまい、温度分布が乱れてしまい、Ｂ
品種については、バーンインを再度やりなおさな
ければならないという欠点があつた。 For example, 50H of A type and 100H of B type.
If you start burn-in of different varieties at the same time,
If you take out the A type after 50 hours, the heat will escape by opening and closing the door, and the temperature distribution will be disturbed, and the B type will be removed.
As for the variety, there was a drawback that the burn-in had to be done again.
つまり、同じバーンイン装置内でバーンイン時
間が違う半導体装置を処理するとき、最も長い時
間の半導体装置のバーンインが終了するまで待ち
時間を必要とする。 That is, when semiconductor devices having different burn-in times are processed in the same burn-in apparatus, a waiting time is required until the burn-in of the semiconductor device having the longest time is completed.
（問題点を解決するための手段）
この考案は、複数の収納ゾーンと、この各収納
ゾーンに設けられたバーンインボードを挿脱する
ラツクと一体に形成された扉と、この扉と連動し
扉の開閉とは逆に収納ゾーンに対して開閉するダ
ンパとを設けたものである。(Means for solving the problem) This invention consists of a plurality of storage zones, a door formed integrally with a rack for inserting and removing the burn-in board provided in each storage zone, and a door that interlocks with the door. A damper is provided that opens and closes the storage zone in the opposite way.
（作用）
この考案によれば、以上のように半導体装置の
バーンイン装置を構成したので、バーンイン時間
に達した収納ゾーンのそれぞれの扉を開けたとき
にダンパが閉じ、半導体装置の冷却が開始でき、
炉温度をコントロールせずに自由に半導体装置が
処理でき、前記問題点を解決できるものである。(Function) According to this invention, since the semiconductor device burn-in device is configured as described above, the damper closes when each door of the storage zone whose burn-in time has been reached is opened, and cooling of the semiconductor device can begin. ,
Semiconductor devices can be processed freely without controlling the furnace temperature, and the above-mentioned problems can be solved.
（実施例）
以下、この考案の半導体装置のバーンイン装置
の実施例について図面に基づき説明する。第１図
はその一実施例の構成を示す斜視図であり、バー
ンインボードが収納ゾーンに収納されている状態
を示し、複数の収納ゾーンに対して単一の扉を設
けた例を示している。(Example) Hereinafter, an example of the burn-in apparatus for a semiconductor device of this invention will be described based on the drawings. FIG. 1 is a perspective view showing the configuration of an embodiment of the present invention, showing a state in which a burn-in board is stored in a storage zone, and shows an example in which a single door is provided for a plurality of storage zones. .
この第１図において、１１はバーンイン装置で
あり、本体となるものである。このバーンイン装
置１１の向かつて左側にはコントロール部１６が
収納されており、右側には収納ゾーン１１Ａ〜１
１Ｃが設けられている。 In FIG. 1, 11 is a burn-in device, which is the main body. A control section 16 is housed on the left side facing the burn-in device 11, and storage zones 11A to 1 are housed on the right side.
1C is provided.
この収納部１１Ａ〜１１Ｃによりマルチゾーン
化されており、各収納部１１Ａ〜１１Ｃには、そ
れぞれラツク１７が挿脱されるようになつてお
り、各ラツク１７には複数のバーンインボード１
２が複数枚挿脱されるようになつている。各バー
ンインボード１２には、それぞれ複数個バーンイ
ンする半導体装置が配設されている。各半導体装
置は第７図で示したように側面に外部リードが設
けられている。 These storage sections 11A to 11C form a multi-zone structure, and racks 17 can be inserted into and removed from each storage section 11A to 11C, and each rack 17 has a plurality of burn-in boards 1.
2 can be inserted and removed multiple times. Each burn-in board 12 is provided with a plurality of semiconductor devices to be burn-in. As shown in FIG. 7, each semiconductor device is provided with external leads on its side surface.
各収納ゾーン１１Ａ〜１１Ｃにそれぞれ挿脱可
能に収納されたラツク１７に上述のようにバーン
インボード１２が収納され、ラツク１７ごとに収
納ゾーン１１Ａ〜１１Ｃからバーンインボード１
２が挿脱されるようになつている。 As described above, the burn-in boards 12 are stored in the racks 17 that are removably stored in the respective storage zones 11A to 11C.
2 can be inserted and removed.
各収納ゾーン１１Ａ〜１１Ｃに対して、第１図
では１枚の扉１３がバーンイン装置１１の前面側
で開閉可能に取り付けられている。扉１３は第１
図では１枚使用されている場合を示しているが、
第２図に示すように、各収納ゾーン１１Ａ〜１１
Ｃごとに扉１３Ａ〜１３Ｃを設けてもよい。 In FIG. 1, one door 13 is attached to each of the storage zones 11A to 11C on the front side of the burn-in device 11 so as to be openable and closable. Door 13 is the first
The figure shows the case where one sheet is used, but
As shown in FIG. 2, each storage zone 11A to 11
You may provide doors 13A-13C for each C.
各収納ゾーン１１Ａ〜１１Ｃの開口面には第３
図に示すように、遮蔽用のダンパ１５（第３図で
は１５Ａ〜１５Ｃが示されている）が設けられて
いる。この扉１３あるいは１３Ａ〜１３Ｃとダン
パ１５あるいは１５Ａ〜１５Ｃとの構成は同一で
あるから、第２図および第３図に示すように、３
個設けた場合を例にとつて説明する。この第２図
および第３図に示すように、各収納ゾーン１１Ａ
〜１１Ｃごとに、扉１３Ａ〜１３Ｃの開閉に対し
て逆にダンパ１５Ａ〜１５Ｃが個別に開閉するよ
うになつている。 The opening surface of each storage zone 11A to 11C has a third
As shown in the figure, shielding dampers 15 (15A to 15C are shown in FIG. 3) are provided. Since the configurations of the door 13 or 13A to 13C and the damper 15 or 15A to 15C are the same, as shown in FIGS.
An example will be explained in which a number of units are provided. As shown in FIGS. 2 and 3, each storage zone 11A
11C, the dampers 15A to 15C are individually opened and closed in contrast to the opening and closing of the doors 13A to 13C.
これらのダンパ１５あるいは１５Ａ〜１５Ｃ
は、たとえば、700×400mm2の大きさで、厚さは１
〜２mm程度のアルミ板またはステンレス板が好適
である。扉１３Ａ〜１３Ｃは鉄板製で、内部に断
熱材を含み、シリコンゴムなどのリングにより、
バーンイン装置１１を密着する構造になつてい
る。そして、このダンパ１５Ａ〜１５Ｃはバーン
インボード１２が挿入されていないときは、第３
図に示すごとく、ばね１８Ａ〜１８Ｃにより閉じ
られるようになつている。 These dampers 15 or 15A to 15C
For example, the size is 700 x 400 mm 2 and the thickness is 1
An aluminum plate or a stainless steel plate with a thickness of about 2 mm is suitable. Doors 13A to 13C are made of iron plates, contain heat insulating material inside, and are protected by rings made of silicone rubber, etc.
It has a structure in which the burn-in device 11 is brought into close contact with the burn-in device 11. When the burn-in board 12 is not inserted, the dampers 15A to 15C are the third dampers.
As shown in the figure, it is closed by springs 18A to 18C.
すなわち、ばね１８Ａ〜１８Ｃはそれぞれダン
パ１５Ａ〜１５Ｃの裏面側とラツク１７間に取り
付けられ、このばね１８Ａ〜１８Ｃの弾力によ
り、扉１３Ａ〜１３Ｃの開閉とは逆に、ダンパ１
５Ａ〜１５Ｃが開閉するようになつている。 That is, the springs 18A to 18C are respectively attached between the back side of the dampers 15A to 15C and the rack 17, and due to the elasticity of the springs 18A to 18C, the damper 1
5A to 15C are designed to open and close.
第４図は一つの収納ゾーン、たとえば収納ゾー
ン１１Ａに対応する扉１３Ａ、ダンパ１５Ａ、ラ
ツク１７の部分のいわゆる１ユニツト分が示され
ている。この第４図より明らかなように、扉１３
Ａの裏面にラツク１７が一体的に取り付けられて
おり、扉１３Ａが開くと、ダンパ１５Ａが弾力を
有するばね１８Ａにより自動的に復元され収納ゾ
ーン１１Ａを閉じ、逆に扉１３Ａを閉じるとラツ
ク１７によりダンパ１５Ａが押し開かれ収納ゾー
ン１１Ａを開いて、収納ゾーン１１Ａ内にラツク
１７とともにバーンインボード１２が収納ゾーン
１１Ａ内に収納されるようになつている。 FIG. 4 shows one unit of the door 13A, damper 15A, and rack 17 corresponding to one storage zone, for example, the storage zone 11A. As is clear from this Figure 4, door 13
A rack 17 is integrally attached to the back side of A. When the door 13A is opened, a damper 15A is automatically restored by an elastic spring 18A to close the storage zone 11A, and conversely, when the door 13A is closed, the rack 17 is closed. The damper 15A is pushed open to open the storage zone 11A, and the burn-in board 12 is stored together with the rack 17 in the storage zone 11A.
なお、第３図から明らかなように、バーンイン
装置１１の上部にはヒータ１９、フアン２０が配
設されており、また収納ゾーン１１Ａ〜１１Ｃの
後には、熱風２１の通過用のダクト２２が形成さ
れている。 As is clear from FIG. 3, a heater 19 and a fan 20 are provided at the top of the burn-in device 11, and a duct 22 for passing hot air 21 is formed behind the storage zones 11A to 11C. has been done.
これにより、ヒータ１９およびフアン２０で発
生した熱風２１はダクト２２を通して、最下部の
収納ゾーン１１Ｃから最上部の収納ゾーン１１Ａ
に送られ、各ラツク１７のバーンインボード１２
に実装された半導体ICが加熱されるようになつ
ている。 As a result, the hot air 21 generated by the heater 19 and the fan 20 passes through the duct 22 from the lowermost storage zone 11C to the uppermost storage zone 11A.
burn-in board 12 of each rack 17
Semiconductor ICs mounted on devices are becoming heated.
次に、以上のように構成されたこの考案の半導
体装置のバーンイン装置の動作について説明す
る。まず、各収納ゾーン１１Ａ〜１１Ｃのラツク
１７にバーンインボード１２を挿入し、ダンパ１
５Ａ〜１５Ｃを押し開け、扉１３Ａ〜１３Ｃを閉
じ、コントロール部１６でバーンイン動作させ、
ヒータ１９、フアン２０により熱風２１を発生さ
せ、ダクト２２を経てこれらのバーンインボード
１２を加熱する。 Next, the operation of the semiconductor device burn-in apparatus of this invention constructed as described above will be explained. First, the burn-in board 12 is inserted into the rack 17 of each storage zone 11A to 11C, and the damper 1
5A to 15C are pushed open, doors 13A to 13C are closed, and the burn-in operation is performed using the control unit 16.
Hot air 21 is generated by a heater 19 and a fan 20 to heat these burn-in boards 12 through a duct 22.
この加熱により、設定温度到達後、時間をカウ
ントアツプさせ、バーンインボード１２に実装さ
れた半導体装置のバーンイン時間に達した収納ゾ
ーン１１Ａ〜１１Ｃのいずれか、たとえば、収納
ゾーン１１Ａの扉１３Ａを開けると、この扉１３
Ａとともにラツク１７が前面で外部に取り出すこ
とが可能となり、且つこのラツク１７に収納され
たバーンインボード１２がこの収納ゾーン１１Ａ
の開口面より離れ収納ゾーン内の熱から回避され
完全な外気に触れることでそれに実装された半導
体装置がどれも均一に外気で冷却される。 By this heating, after reaching the set temperature, the time is counted up, and when one of the storage zones 11A to 11C, for example, the door 13A of the storage zone 11A is opened, the burn-in time of the semiconductor device mounted on the burn-in board 12 has been reached. , this door 13
Along with A, the rack 17 can be taken out from the front side, and the burn-in board 12 stored in this rack 17 is in this storage zone 11A.
By being away from the opening surface of the storage zone and away from the heat in the storage zone and fully exposed to the outside air, all the semiconductor devices mounted thereon are uniformly cooled by the outside air.
これと同時に、収納ゾーン１１Ａ内のダンパ１
５Ａがばね１８Ａの弾力により自動的に復元され
収納ゾーン１１Ａを閉じ、第４図に示す状態とな
る。半導体装置の冷却完了後、バーンインボード
１２をラツク１５から取り外す。 At the same time, the damper 1 in the storage zone 11A
5A is automatically restored by the elasticity of the spring 18A to close the storage zone 11A, resulting in the state shown in FIG. After cooling of the semiconductor device is completed, the burn-in board 12 is removed from the rack 15.
このようにすることにより、収納ゾーン１１Ａ
から熱が逃げることなく、もつて他の収納ゾーン
１１Ｂ，１１Ｃへの温度分布を乱すことがなく、
影響をなくすことができる。そして、ダンパ１５
を押し開き、バーンインボード１２を収納ゾーン
１１Ａに挿入した時間から、次にこの収納ゾーン
１１Ａから取り出すまでの時間を管理することに
より、目的が達せられるため、炉温度のコントロ
ールが必要とせず、自由に処理できる。 By doing this, storage zone 11A
The heat does not escape from the storage zone, and the temperature distribution to the other storage zones 11B and 11C is not disturbed.
effect can be eliminated. And damper 15
The purpose is achieved by pushing open the burn-in board 12 and managing the time from when it is inserted into the storage zone 11A to when it is removed from the storage zone 11A, so there is no need to control the furnace temperature, and the burn-in board 12 can be freely can be processed.
なお、第１図および第２図で示した実施例は、
収納ゾーン１１Ａ〜１１Ｃをバーンイン装置１１
の縦方向に複数個配置した例を示したが、第５図
に示すように、横方向に配列させてもよいことは
白明である。 Note that the embodiment shown in FIGS. 1 and 2 is as follows:
Burn-in device 11 stores storage zones 11A to 11C.
Although an example has been shown in which a plurality of cells are arranged in the vertical direction, it is obvious that they may be arranged in the horizontal direction as shown in FIG.
この第５図の多扉による場合は半導体装置を同
一条件で一度に大量にバーンインする場合に大型
ユニツトのブロツク化として利用することができ
る。 The multi-door structure shown in FIG. 5 can be used as a large unit block when a large number of semiconductor devices are burn-in at once under the same conditions.
（考案の効果）
以上詳細に説明したように、この考案によれ
ば、収納ゾーンにそれぞれバーンインボードを挿
脱するラツクと一体的に扉を設け、この扉と連動
して扉の開閉とは逆に収納ゾーンに対して開閉す
るダンパを設けることを技術的手段としたので、
以下に列挙するごとき効果を奏する。(Effects of the invention) As explained in detail above, according to this invention, a door is provided in each storage zone integrally with the rack for inserting and removing the burn-in board, and the opening and closing of the door is reversed by interlocking with this door. The technical solution was to provide a damper that opens and closes to the storage zone.
The effects listed below are achieved.
(1) 炉温度コントロールせずに自由に半導体装置
のバーンイン処理ができる。(1) Burn-in processing of semiconductor devices can be performed freely without controlling the furnace temperature.
(2) 各収納ゾーン毎に異なつたバーンイン時間の
半導体装置のバーンインができる。(2) Burn-in of semiconductor devices can be performed with different burn-in times for each storage zone.
(3) 各収納ゾーン毎に必要時に扉を180゜開け、前
面でのカセツトの取り出しと完全な外気による
半導体装置の冷却をすることができる。(3) When necessary, the door of each storage zone can be opened 180 degrees, allowing cassettes to be removed from the front and semiconductor devices to be completely cooled by outside air.
(4) 扉のメンテナンス時に扉を開けて行つてもダ
ンパにより収納ゾーン内は密閉されるので、炉
温度を下げずに行うことが可能となり、メンテ
ナンス後再び設定炉温度まで上げる必要がな
く、もつてバーンイン装置の有効利用と多大の
時間が節約できる。(4) Even if the door is opened during door maintenance, the inside of the storage zone is sealed by the damper, so it is possible to perform maintenance without lowering the furnace temperature, and there is no need to raise the furnace temperature to the set temperature again after maintenance. This allows efficient use of burn-in equipment and saves a lot of time.
(5) ドライバーインボードを含め、前面扉実装で
あるため、メンテナンスが容易である。(5) Maintenance is easy because it is mounted on the front door, including the driver inboard.
第１図はこの考案の半導体装置のバーンイン装
置の一実施例の斜視図、第２図はこの考案の半導
体装置のバーンイン装置の他の実施例の斜視図、
第３図は第２図の半導体装置のバーンイン装置の
内部構成を概略的に示した断面図、第４図はこの
考案の半導体装置のバーンイン装置における１ユ
ニツト分を取り出して示す拡大斜視図、第５図は
この考案の半導体装置のバーンイン装置のさらに
異なる他の実施例の要部の斜視図、第６図は従来
の半導体装置のバーンイン装置の概略的構成を示
す図、第７図は第６図の半導体装置のバーンイン
装置にバーンインされる半導体装置の斜視図、第
８図は第６図の半導体装置のバーンイン装置に適
用されるバーンインボードの斜視図である。
１１……バーンイン装置、１１Ａ〜１１Ｃ……
収納ゾーン、１２……バーンインボード、１３，
１３Ａ〜１３Ｃ……扉、１５，１５Ａ〜１５Ｃ…
…ダンパ、１６……コントロール部、１７……ラ
ツク。
FIG. 1 is a perspective view of one embodiment of the burn-in apparatus for semiconductor devices of this invention, and FIG. 2 is a perspective view of another embodiment of the burn-in apparatus for semiconductor devices of this invention.
3 is a sectional view schematically showing the internal structure of the burn-in apparatus for semiconductor devices of FIG. 2; FIG. 4 is an enlarged perspective view showing one unit of the burn-in apparatus for semiconductor devices of this invention; 5 is a perspective view of the essential parts of yet another embodiment of the burn-in apparatus for semiconductor devices of this invention, FIG. 6 is a diagram showing a schematic configuration of a conventional burn-in apparatus for semiconductor devices, and FIG. FIG. 8 is a perspective view of a burn-in board applied to the semiconductor device burn-in apparatus of FIG. 6. FIG. 11... Burn-in device, 11A to 11C...
Storage zone, 12...Burn-in board, 13,
13A~13C...Door, 15,15A~15C...
...damper, 16...control section, 17...easy.
Claims (1)
ンのそれぞれに挿脱可能に取り付けられ側面に外
部リードが設けられてバーンインする半導体装置
を実装するバーンインボートを挿脱するラツク
と、このラツクと一体的に取り付けられ開閉に応
じて上記収納ゾーンから上記ラツクを挿脱する扉
と、上記収納ゾーンに弾力を有するばねとともに
取り付けられ上記ラツクの挿入で押し開かれ取り
出しで復元され該ラツクの挿脱部なる上記収納ゾ
ーンの開口面を開閉するダンパとよりなる半導体
装置のバーンイン装置。 A plurality of storage zones, a rack that is removably attached to each of the storage zones and has an external lead on the side surface for inserting and removing a burn-in boat that mounts a semiconductor device to be burned in, and a rack that is integrated with the rack. a door that is attached to the storage zone and that inserts and removes the rack from the storage zone when opened and closed; and a door that is attached to the storage zone with an elastic spring that is pushed open when the rack is inserted and restored when the rack is taken out, and serves as an insertion and removal part for the rack. A burn-in device for semiconductor devices comprising a damper that opens and closes the opening surface of the storage zone.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12747284U JPS6142478U (en) | 1984-08-24 | 1984-08-24 | Burn-in equipment for semiconductor devices |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12747284U JPS6142478U (en) | 1984-08-24 | 1984-08-24 | Burn-in equipment for semiconductor devices |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6142478U JPS6142478U (en) | 1986-03-19 |
| JPH0119105Y2 true JPH0119105Y2 (en) | 1989-06-02 |
Family
ID=30686116
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12747284U Granted JPS6142478U (en) | 1984-08-24 | 1984-08-24 | Burn-in equipment for semiconductor devices |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6142478U (en) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100219406B1 (en) * | 1996-04-04 | 1999-09-01 | 윤종용 | Air flow guiding apparatus of wafer loading chamber in chemical vapor deposition system |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59970B2 (en) * | 1975-05-22 | 1984-01-10 | 三菱電機株式会社 | How to use the handbook |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56131476U (en) * | 1980-03-06 | 1981-10-06 | ||
| JPS59970U (en) * | 1982-06-24 | 1984-01-06 | 日本電気株式会社 | Constant temperature chamber for semiconductor device testing |
-
1984
- 1984-08-24 JP JP12747284U patent/JPS6142478U/en active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59970B2 (en) * | 1975-05-22 | 1984-01-10 | 三菱電機株式会社 | How to use the handbook |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6142478U (en) | 1986-03-19 |
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