JPH01186013A - Semiconductor device - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 27
- 239000002887 superconductor Substances 0.000 claims abstract description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 4
- 238000004891 communication Methods 0.000 abstract description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 8
- 230000008859 change Effects 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 2
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000010365 information processing Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003079 width control Methods 0.000 description 1
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- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Pulse Circuits (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、遅延手段を含んで構成されたパルス幅伸張
回路を有する半導体装置に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a semiconductor device having a pulse width stretching circuit including delay means.
パルス技術は、ICなどの半導体技術と共に目覚ましい
発達を遂げており、特に高速パルス回路は高速のデジタ
ル情報処理技術を実現するためのハードウェアにとって
必要不可欠で、広く電子機器に利用されている。高速パ
ルス回路における基本的な回路技術としてパルス幅の制
御がある。この技術は極めて応用範囲が広いが、特に以
下の2つの応用にお、いては必要不可欠のものである。Pulse technology has made remarkable progress along with semiconductor technology such as ICs, and high-speed pulse circuits in particular are indispensable for hardware for realizing high-speed digital information processing technology, and are widely used in electronic devices. Pulse width control is a basic circuit technology in high-speed pulse circuits. Although this technology has an extremely wide range of applications, it is especially essential for the following two applications.
第1は、クロック時間内における精密なタイミング制御
のため、第2は、非線形回路におけるエレメントの出力
波形のパルス幅の変化を補正するためにそれぞれ使用さ
れる。代表的な非線形素子としては、例えば半導体レー
ザ、発光ダイオードなどがあるが、近年の光通信技術の
発達により、上述の応用はますます重要になってきた。The first is used for precise timing control within clock time, and the second is used to correct changes in pulse width of the output waveform of an element in a nonlinear circuit. Typical nonlinear elements include, for example, semiconductor lasers and light emitting diodes, and with the recent development of optical communication technology, the above-mentioned applications have become increasingly important.
第3図は、従来のパルス幅伸張回路を示すものである。FIG. 3 shows a conventional pulse width stretching circuit.
論理和ゲート回路1は、2つの入力端子及び1つの出力
端子を有し、一方の入力端子にはバッファ回路2が接続
されている(同図(a))。The OR gate circuit 1 has two input terminals and one output terminal, and a buffer circuit 2 is connected to one input terminal (FIG. 2(a)).
このバッファ回路1としては、簡便にインバータ回路3
.3を2段縦続して接続したものが用いられる場合もあ
る(同図(b))。As this buffer circuit 1, an inverter circuit 3 can be simply used.
.. 3 connected in two cascades may be used (FIG. 3(b)).
第4図は、第3図に示すパルス幅伸張回路の動作波形を
示すものである。例えば、回路に接続されたバッファ回
路2の遅延時間をtとすると、出力波形のパルス幅は2
tだけ広がる。なお、パルス幅を短縮する場合には出力
波形をさらに反転した波形が使用される。このように、
出力波形を伸張している。FIG. 4 shows operating waveforms of the pulse width expansion circuit shown in FIG. 3. For example, if the delay time of the buffer circuit 2 connected to the circuit is t, the pulse width of the output waveform is 2
It spreads by t. Note that when shortening the pulse width, a waveform obtained by further inverting the output waveform is used. in this way,
The output waveform is expanded.
しかし、従来のパルス幅伸張回路によると、近年の電子
回路の高速化に伴い、特に化合物半導体を用いた集積回
路などでは以下の問題があった。However, conventional pulse width stretching circuits have had the following problems, especially in integrated circuits using compound semiconductors, as electronic circuits have become faster in recent years.
第1に、パルス幅の変化量の設定において、自由度が狭
いことである。第4図の回路におけるパルス幅の変化量
は、バッファ回路2(あるいは、インバータ3.3)の
遅延時間の偶数倍(あるいは、それぞれのインバータの
遅延時間の和)になり、任意の値を自由に選定すること
が困難であった。First, there is a narrow degree of freedom in setting the amount of change in pulse width. The amount of change in pulse width in the circuit shown in Figure 4 is an even multiple of the delay time of buffer circuit 2 (or inverter 3.3) (or the sum of the delay times of each inverter), and can be set to any value. It was difficult to select the
第2に、精度が十分でないことである。従来のパルス幅
伸張回路によれば、時間的な精度は遅延時間の精度に依
存する。ところが、近年の高速集精回路、特に化合物半
導体を用いた集積回路においては製造が困難であるため
、論理和ゲート回路の遅延時間のばらつきを小さくする
こと及びロット間の再現性を確保することが極めて困難
である。Second, the accuracy is not sufficient. According to the conventional pulse width stretching circuit, the temporal accuracy depends on the accuracy of the delay time. However, in recent years, high-speed integrated circuits, especially integrated circuits using compound semiconductors, are difficult to manufacture, so it is difficult to reduce the variation in delay time of OR gate circuits and ensure lot-to-lot reproducibility. It is extremely difficult.
他方、高速パルス回路におけるクロックの高速化に伴い
、パルス幅の時間的精度の要求は一層厳しくなってきた
。On the other hand, as clock speeds in high-speed pulse circuits become faster, demands on the temporal accuracy of pulse widths have become more severe.
そこでこの発明は、パルス幅伸張回路の精度の向上を図
ることを目的とする。Therefore, an object of the present invention is to improve the accuracy of a pulse width expansion circuit.
上記問題点を解決するためこの発明は、複数の入力端子
を有する論理和ゲート回路のうちの少なくとも1つの入
力端子に一定の幅を有するパルス入力が直接与えられ、
他の少なくとも1つの入力端子にパルス入力が遅延手段
を介して与えられることにより、伸張されたパルス幅の
パルスが出力されるパルス幅伸張回路を有する半導体装
置であって、遅延手段が超電導線路による遅延線路であ
ることを特徴とする。In order to solve the above problems, the present invention provides a method in which a pulse input having a constant width is directly applied to at least one input terminal of an OR gate circuit having a plurality of input terminals.
A semiconductor device having a pulse width expansion circuit that outputs a pulse with an expanded pulse width by applying a pulse input to at least one other input terminal via a delay means, the delay means being based on a superconducting line. It is characterized by being a delay line.
また、複数の入力端子を有する論理ゲート回路の少なく
とも1つの入力端子にパルス入力を第1の遅延手段を介
して与え、他の少なくとも1つの入力端子にパルス人力
を第1の遅延手段と異なる遅延時間の第2の遅延手段を
介して与えることにより、伸張されたパルス幅のパルス
を出力するパルス幅伸張回路を有する半導体装置であっ
て、第1及び第2の遅延手段が超電導線路による遅延線
路であることを特徴とする。Further, the pulse input is applied to at least one input terminal of the logic gate circuit having a plurality of input terminals via the first delay means, and the pulse input is applied to at least one other input terminal at a delay different from the first delay means. A semiconductor device having a pulse width expansion circuit that outputs a pulse with an expanded pulse width by applying time through a second delay means, the first and second delay means being a delay line formed by a superconducting line. It is characterized by
この発明は、以上説明したように構成されているので、
超電導線路による遅延線路の作用により、入力パルスが
時間的にずれて2つの入力端子へ入力され、時間的なず
れに応じたパルス幅のパルスが出力される。Since this invention is configured as explained above,
Due to the action of the delay line formed by the superconducting line, input pulses are input to the two input terminals with a time lag, and a pulse having a pulse width corresponding to the time lag is output.
また、遅延時間の異なる2つの超電導線路をそれぞれの
入力端子に使用することにより、論理和ゲート回路に与
えられるパルス入力の遅延時間が変化し、出力されるパ
ルス幅やパルスタイミングが変化する。Furthermore, by using two superconducting lines with different delay times for the respective input terminals, the delay time of the pulse input given to the OR gate circuit changes, and the output pulse width and pulse timing change.
以下、この発明に係る半導体装置の一実施例を添付図面
に基づいて説明する。なお説明において、同一要素には
同一符号を用い、重複する説明は省略する。An embodiment of a semiconductor device according to the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings. In the description, the same elements are denoted by the same reference numerals, and redundant description will be omitted.
第1図(a)は、この発明に係る半導体装置の一実施例
を示すものであり、同図(b)はその回路構成を示すも
のである。第1図において、破線で囲まれた部分は論理
和ゲート回路1である。論理和ゲート回路1の2つの入
力端子の一方には、遅延線として超電導線路4が直列に
接続されており、他方には通常の信号線5が接続されて
いる。FIG. 1(a) shows an embodiment of a semiconductor device according to the present invention, and FIG. 1(b) shows its circuit configuration. In FIG. 1, a portion surrounded by a broken line is an OR gate circuit 1. A superconducting line 4 is connected in series as a delay line to one of the two input terminals of the OR gate circuit 1, and a normal signal line 5 is connected to the other.
超電導線路4は、一端が論理和ゲート回路1の入力端子
の一方に接続され、他端は上記信号線5に接続されてい
る。超電導線路4は、たとえば液体窒素温度(77°K
)で超電導状態になるセラミック系高温超電導体を窒化
シリコン膜で挾み込んだ5mm〜10mmのマイクロス
トリップ線路またはコプレーナ線路で構成されている。One end of the superconducting line 4 is connected to one of the input terminals of the OR gate circuit 1, and the other end is connected to the signal line 5. The superconducting line 4 is, for example, at a liquid nitrogen temperature (77°K).
) It consists of a 5 mm to 10 mm microstrip line or coplanar line in which a ceramic-based high-temperature superconductor that becomes superconducting is sandwiched between silicon nitride films.
なお、この実施例では面積を節約するため、いわゆるミ
アンダ構造で超電導線路4が作られており、微少な面積
中におさめられている。In this embodiment, in order to save area, the superconducting line 4 is formed in a so-called meander structure and is housed in a very small area.
超電導線路4は、たとえば「ジャーナル オブリサーチ
オブ ナショナル とニーロー オブ スタンダーズ
(R,L、Kautz; Journal of’Re
5earch of National Bureau
orStandards)Vol、84.No3.M
ay−June、1979.pl)、247−2594
の解析に示されるように、極めて帯域が広いためパルス
を劣化させることなく伝達することができる。The superconducting line 4 is described, for example, in the ``Journal of Research of National and Neelow of Standards (R, L, Kautz; Journal of'Re
5earch of National Bureau
orStandards) Vol, 84. No.3. M
ay-June, 1979. pl), 247-2594
As shown in the analysis, the extremely wide band allows pulses to be transmitted without deterioration.
以下、その作用を説明する。入力パルスは入力パッド6
で分岐し、一方は信号線5に送られ、直接論理和ゲート
回路1に入力される。他方は超電導線路4を経由し、論
理和ゲート回路1に入力される。ところが、超電導線路
の遅延時間は長さに依存するので、この実施例の長さ
5mm〜10mm程度の超電導線路4は約100ps〜
200ps程度の遅延時間を有する高品位の遅延線にな
る。そのため、入力バッド6から超電導線路4を経てゲ
ートFに入力するパルスは、信号線5に与えられゲート
Hに入力するパルスより、約100ps〜200ps遅
延したものになる。従って、出力パルスのパルス幅を入
力パルスより約100ps〜200ps広げることがで
きる。The effect will be explained below. Input pulse is input pad 6
One branch is sent to the signal line 5 and directly input to the OR gate circuit 1. The other one is input to the OR gate circuit 1 via the superconducting line 4. However, since the delay time of a superconducting line depends on its length, the length of this example
Superconducting line 4 of about 5 mm to 10 mm has a speed of about 100 ps
It becomes a high-quality delay line with a delay time of about 200 ps. Therefore, the pulse input from the input pad 6 to the gate F via the superconducting line 4 is delayed by about 100 ps to 200 ps from the pulse applied to the signal line 5 and input to the gate H. Therefore, the pulse width of the output pulse can be made wider than the input pulse by about 100 ps to 200 ps.
第2図は、第1図に示す実施例の動作波形を示すもので
ある。論理和ゲート回路1に接続された超電導線路4の
遅延時間をt、1とすれば、出力波形のパルス幅はtd
lだけ広がる。これを反転すれば、t、1だけ狭くなっ
た波形が得られる。FIG. 2 shows operational waveforms of the embodiment shown in FIG. If the delay time of the superconducting line 4 connected to the OR gate circuit 1 is t, 1, the pulse width of the output waveform is td
It spreads by l. If this is inverted, a waveform narrower by t,1 can be obtained.
第3図は、この発明に係る半導体装置の他の実施例を示
すものである。第1図の実施例と異なるのは、入力端子
にそれぞれ第1の超電導線路7、第2の超電導線路8を
遅延手段として接続している点である。ここで第1の超
電導線路7の遅延時間は、第2の超電導線路より長く構
成されているので、出力パルスが入力パルスより伸張さ
れて出力される。FIG. 3 shows another embodiment of the semiconductor device according to the present invention. The difference from the embodiment shown in FIG. 1 is that a first superconducting line 7 and a second superconducting line 8 are connected to the input terminals as delay means, respectively. Here, since the delay time of the first superconducting line 7 is configured to be longer than that of the second superconducting line, the output pulse is expanded more than the input pulse and output.
第4図は、第3図に示す実施例の動作波形を示すもので
ある。論理和ゲート回路1に接続された超電導線路7.
8の遅延時間を1 .1 とすれdi d2
ば、出力波形のパルス幅は(L d2t dI)だけ広
がる。この出力にインバータ回路を接続すれば、(td
2−td□)だけ狭くなった波形が得られる。FIG. 4 shows operational waveforms of the embodiment shown in FIG. 3. Superconducting line 7 connected to OR gate circuit 1.
The delay time of 8 is 1. 1, the pulse width of the output waveform is widened by (L d2t dI). If you connect an inverter circuit to this output, (td
A waveform narrower by 2-td□) is obtained.
第5図は、入力端子が3つの場合の一変形例を示すもの
である。超電導線路7.8の遅延時間を1 Sl
とすれば、出力波形のパルス幅をtd2di
d2
だけ広げることができる。この場合、入力パルスの幅を
Tとしたとき、t d2 > Tとなり、パルス幅を越
えるパルス幅の伸張回路として有用である。FIG. 5 shows a modified example in which there are three input terminals. Delay time of superconducting line 7.8 is 1 Sl
Then, the pulse width of the output waveform is td2di
It can be expanded by d2. In this case, when the width of the input pulse is T, t d2 > T, and the circuit is useful as an expansion circuit for a pulse width exceeding the pulse width.
上述したように、この発明の応用における入力端子の数
は2本に限定されるものではなく、多種多様のものが考
えられる。重要なことは、少なくとも1つ以上の入力端
子に超電導線路を接続する点である。As described above, the number of input terminals in the application of the present invention is not limited to two, and a wide variety of input terminals are possible. What is important is that the superconducting line is connected to at least one input terminal.
なお、この実施例ではパルス幅伸張回路を一例として説
明したが、この回路の出力端子にインバータ回路を付加
しパルス信号を反転すれば、パルス幅短縮回路に利用で
きる。Although this embodiment has been described using a pulse width expansion circuit as an example, if an inverter circuit is added to the output terminal of this circuit to invert the pulse signal, it can be used as a pulse width shortening circuit.
この発明は、以上説明したように構成されているので、
高精度なパルス幅を自由に選定することができる。特に
、パルス幅の変化量を超電導線路の物理的長さのみで決
定することができるので、パルス幅伸張回路の高精度化
が実現し、論理和ゲート回路の遅延時間のばらつきを小
さくすること及びロット間の再現性を確保することが容
易になる。Since this invention is configured as explained above,
Highly accurate pulse width can be freely selected. In particular, since the amount of change in pulse width can be determined only by the physical length of the superconducting line, it is possible to achieve higher precision in the pulse width expansion circuit, reduce the variation in delay time of the OR gate circuit, and It becomes easy to ensure reproducibility between lots.
またパルス幅の変化量は、CR積分回路とシュミット回
路、MOS FET、ミラー積分回路などの遅延素子
を必要個数だけ挿入する従来技術と異なり、選択しつる
値が段階的ではなく論理和ゲート回路の立ち上がり時間
程度から数百ps以上までの広範囲にわたる任意の時間
を容易に設定できる。In addition, the amount of change in pulse width is determined by the amount of change in the OR gate circuit, unlike the conventional technology in which the required number of delay elements such as CR integration circuits, Schmitt circuits, MOS FETs, and Miller integration circuits are inserted. Any time can be easily set over a wide range from about the rise time to several hundred ps or more.
さらに、パルス幅の変化量を確定するメカニズムがIC
パッケージ上の超電導線路の形状のみで定まるので、半
導体集積回路中の素子特性のばらつき要因に無関係であ
り、ウェーハ面内のみならずロット間においてもその変
動を小さく抑えることができる。Furthermore, the mechanism that determines the amount of change in pulse width is IC.
Since it is determined only by the shape of the superconducting line on the package, it is unrelated to factors that cause variations in element characteristics in semiconductor integrated circuits, and variations can be suppressed not only within the wafer surface but also between lots.
本発明では、パルス幅の変化がパッシブなコンポーネン
トのみで実現されるので、従来技術に比べ、消費電力が
低いという経済的なメリットがある。In the present invention, since pulse width variation is realized only by passive components, there is an economical advantage of lower power consumption compared to the prior art.
特に、論理和ゲート回路の入力端子の双方に超電導線路
を設けた発明においては、両超電導線路の長さを:J3
整することにより、パルス幅のみならず、パルスタイミ
ングも制御することができる。In particular, in the invention in which superconducting lines are provided on both input terminals of the OR gate circuit, the length of both superconducting lines is: J3
By adjusting the pulse width, not only the pulse width but also the pulse timing can be controlled.
第1図は、この発明に係る半導体装置の一実施例を示す
図、第2図は、第1図に示す実施例の動作波形を示す図
、第3図は、この発明に係る半導体装置の他の実施例を
示す図、第4図は、第3図に示す実施例の動作波形を示
す図、第5図は、この発明に係る半導体装置の変形例を
示す図、第6図は、従来のパルス幅伸張回路を示す図、
第7図は、第6図に示すパルス幅伸張回路の動作波形を
示す図である。
1・・・論理和ゲート回路 2・・・バッファ回路3・
・・インバータ回路 4・・・超電導線路5・・・通
常の信号線 6・・・入力バッド7・・・第1の超
電導線路 8・・・第2の超電導線路特許出願人 住
友電気工業株式会社
代理人弁理士 長谷用 芳 樹間
山 1) 行 −−1−+−
1d1−?−I−td。
実施例の動作波形
第2図
他の実施例の動作波形
第4図
入力
変形例
従来のパルス幅伸張回路
第6図
従来技術の動作波形
第7図1 is a diagram showing an embodiment of a semiconductor device according to the present invention, FIG. 2 is a diagram showing operating waveforms of the embodiment shown in FIG. 1, and FIG. 3 is a diagram showing an embodiment of a semiconductor device according to the present invention. 4 is a diagram showing operation waveforms of the embodiment shown in FIG. 3, FIG. 5 is a diagram showing a modification of the semiconductor device according to the present invention, and FIG. 6 is a diagram showing another embodiment. A diagram showing a conventional pulse width stretching circuit,
FIG. 7 is a diagram showing operating waveforms of the pulse width expansion circuit shown in FIG. 6. 1... OR gate circuit 2... Buffer circuit 3.
...Inverter circuit 4...Superconducting line 5...Ordinary signal line 6...Input pad 7...First superconducting line 8...Second superconducting line Patent applicant Sumitomo Electric Industries, Ltd. Representative Patent Attorney Yoshiki Hasejo
Mountain 1) Row −−1−+−
1d1-? -I-td. Operating waveforms of the embodiment Fig. 2 Operating waveforms of other embodiments Fig. 4 Input modification example Conventional pulse width expansion circuit Fig. 6 Operating waveforms of the prior art Fig. 7
Claims (1)
少なくとも1つの入力端子に一定の幅を有するパルス入
力が直接与えられ、他の少なくとも1つの入力端子に前
記パルス入力が遅延手段を介して与えられることにより
、伸張されたパルス幅のパルスが出力されるパルス幅伸
張回路を有する半導体装置であって、前記遅延手段が超
電導線路による遅延線路であることを特徴とする半導体
装置。 2、前記半導体装置が、化合物半導体を用いたものであ
るところの請求項1記載の半導体装置。 3、前記超電導線路が、高温超電導体であるところの請
求項1記載の半導体装置。 4、複数の入力端子を有する論理和ゲート回路の少なく
とも1つの入力端子にパルス入力を第1の遅延手段を介
して与え、他の少なくとも1つの入力端子に前記パルス
入力を前記第1の遅延手段と異なる遅延時間の第2の遅
延手段を介して与えることにより、伸張されたパルス幅
のパルスを出力するパルス幅伸張回路を有する半導体装
置であって、前記第1及び第2の遅延手段が超電導線路
による遅延線路であることを特徴とする半導体装置。 5、前記半導体装置が、化合物半導体を用いたものであ
るところの請求項4記載の半導体装置。 6、前記超電導線路が、高温超電導体であるところの請
求項4記載の半導体装置。[Claims] 1. A pulse input having a constant width is directly applied to at least one input terminal of an OR gate circuit having a plurality of input terminals, and the pulse input is applied to at least one other input terminal. A semiconductor device having a pulse width stretching circuit that outputs a pulse with an expanded pulse width by applying the pulse width through a delay means, the delay means being a delay line made of a superconducting line. Semiconductor equipment. 2. The semiconductor device according to claim 1, wherein the semiconductor device uses a compound semiconductor. 3. The semiconductor device according to claim 1, wherein the superconducting line is a high temperature superconductor. 4. Applying a pulse input to at least one input terminal of an OR gate circuit having a plurality of input terminals via a first delay means, and applying the pulse input to at least one other input terminal by the first delay means. A semiconductor device having a pulse width expansion circuit that outputs a pulse with an expanded pulse width by providing a delay time different from that of the second delay means through a second delay means, wherein the first and second delay means are superconducting. A semiconductor device characterized in that the delay line is a line. 5. The semiconductor device according to claim 4, wherein the semiconductor device uses a compound semiconductor. 6. The semiconductor device according to claim 4, wherein the superconducting line is a high temperature superconductor.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63011606A JPH01186013A (en) | 1988-01-20 | 1988-01-20 | Semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63011606A JPH01186013A (en) | 1988-01-20 | 1988-01-20 | Semiconductor device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01186013A true JPH01186013A (en) | 1989-07-25 |
Family
ID=11782566
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63011606A Pending JPH01186013A (en) | 1988-01-20 | 1988-01-20 | Semiconductor device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01186013A (en) |
-
1988
- 1988-01-20 JP JP63011606A patent/JPH01186013A/en active Pending
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