JPH01183661A - フォトマスクの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体装置及び集積回路等の製造工程で使用す
るフォトマスクの製造方法に関する。

〔従来の技術〕

従来、この種のフォトマスクは第２図に示すように、ガ
ラス基板１上に、例えばクロム膜５Ａを形成し、これを
フォトレジスト工程等で選択的に所望部のみ開口し、ガ
ラス基板１上にクロム膜５Ａからなる所望のパターンを
形成していた。

〔発明が解決しようとする問題点〕

上述した従来のフォトマスクの製造方法では、ガラス基
板１よりクロムＪＩ５Ａが突出した構造となっている。

そのため、例えば、微小パターンを半導体基板上に転写
する場合、フォトマスクと前記半導体基板を密着させ紫
外線等の感光線を照射するが、このとき前記ガラス基板
１上に形成された突出したクロム膜５Ａの周辺領域は、
感光線の乱反射のため所望の領域以外にも感光線がまわ
み込み、パターンがひずむため、微小なパターンを精度
よく形成できない。更にクロム膜が厚い場合には、半導
体基板上のフォトレジスト膜にクラックを生じさせる等
の欠点があった。

本発明の目的は、半導体基板上に微小パターンを精度よ
く形成することのできるフォトマスクの製造方法を提供
することにある。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明のフォトマスクの製造方法は、ガラス基板上に開
口部を有するフォトレジスト膜からなるマスクを形成す
る工程と、該マスクを用いて前記ガラス基板をエツチン
グし溝を設ける工程と、全面に金属膜または金属酸化膜
を形成し前記溝を埋める工程とを含んで構成される。

〔実施例〕

次に本発明について図面を参照して説明する。

第１図（ａ）〜（Ｃ）は、本発明の一実施例を説明する
ための工程順に示したガラス基板の断面図である。

まず第１図（ａ＞に示すように、ガラス基板１上に厚さ
約１μｍのフォトレジスト膜を形成したのちパターニン
グし、開口部３を有するマスク２を形成する。次でこの
マスク２を用い、ドライエツチング法でガラス基板１を
エツチングし、深さ約１０００人の溝４を形成する。

次に第１図（ｂ）に示すように、真空蒸着法で全面に厚
さ１０００人のクロム膜５を形成し、溝４を埋める。

次に第１図（Ｃ）に示すように、マスク２を溶剤で除去
することにより、ガラス基板１にクロム膜５が埋め込ま
れて形成されたパターンを有するフォトマスク１０が完
成する。

このようにして製造されたフォトマスク１０には、パタ
ーンとしてのクロム膜５が埋込まれているため、フォト
レジスト膜の形成された半導体基板にこのフォトマスク
１０を密着させても、従来のようにフォトレジスト膜に
クラックを生じさせることはなく、また感光線のまわり
込みもないため、微小なパターンを形成できる。

尚、上記実施例においては、ガラス基板１のエツチング
にドライエツチング法を用いたが、弗酸系溶液を用いる
ウェットエツチング法を用いてもよいことは勿論である
。またクロム膜の代りに酸化クロム膜を用いることもで
きる。

〔発明の効果〕

以上説明したように本発明は、ガラス基板に溝を設け、
この渦中に金属膜または金属酸化膜を埋めてフォトマス
クを形成することにより、半導体基板上に微小パターン
を精度よく形成できる効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）〜（Ｃ）は本発明の一実施例を説明するた
めの工程順に示したガラス基板の断面図、第２図は従来
のフォトマスクの断面図である。 １・・・ガラス基板、２・・・マスク、３・・・開口部
、４・・・溝、５，５Ａ・・・クロム膜、１０・・・フ
ォトマスク。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　ガラス基板上に開口部を有するフォトレジスト膜から
   なるマスクを形成する工程と、該マスクを用いて前記ガ
   ラス基板をエッチングし溝を設ける工程と、全面に金属
   膜または金属酸化膜を形成し前記溝を埋める工程とを含
   むことを特徴とするフォトマスクの製造方法。