JPH01183202A - Voltage controlled oscillator - Google Patents
Voltage controlled oscillatorInfo
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- JPH01183202A JPH01183202A JP719288A JP719288A JPH01183202A JP H01183202 A JPH01183202 A JP H01183202A JP 719288 A JP719288 A JP 719288A JP 719288 A JP719288 A JP 719288A JP H01183202 A JPH01183202 A JP H01183202A
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は周波数シンセサイザ等に使用する電圧制御発振
器に関し、特Ｋｇ圧可変素子として可変容量ダイオード
を用いた電圧制御発振器に関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a voltage controlled oscillator used in a frequency synthesizer, etc., and particularly relates to a voltage controlled oscillator using a variable capacitance diode as a variable pressure element.
従来の電圧制御発振器の一例を第２図′Ｊｔ参照して説
明すると、この電圧制御発振器は、第２図に示すように
、トランジスタを用いた負性抵抗発生回路１と、共振周
波数を決定する共振回路２と、可変容量回路３とから構
成されている。このとき、負性抵抗発生回路１は、電界
効果トランジスタ（以下、ＦＥＴと略称する）４と、ソ
ース抵抗５、ゲート・ソース間容量（容１に’ｃコンデ
ンサともいう）６、ソース容量７、直流バイアス抵抗８
、共振回路２への結合容量９、電源端子１０．出力結合
容ｉ１１、出力端子１２からなる。そして、共振回路２
は共振用コイル１３と共振用容量１４からなる。また、
可変容量回路３は、一端が接地てれた可変容量ダイオー
ド１５と、共振回路２との結合容量１６、可変容量ダイ
オード１５の直流バイアス端子１７、寄生発振防止用抵
抗１８、高周波阻止用インダクタ１９、接地用容量２ｏ
からなっている。An example of a conventional voltage controlled oscillator will be explained with reference to FIG. 2'Jt. As shown in FIG. It is composed of a resonant circuit 2 and a variable capacitance circuit 3. At this time, the negative resistance generation circuit 1 includes a field effect transistor (hereinafter abbreviated as FET) 4, a source resistance 5, a gate-source capacitance (capacitance 1 is also referred to as a 'c capacitor) 6, a source capacitance 7, DC bias resistance 8
, a coupling capacitance 9 to the resonant circuit 2, a power supply terminal 10. It consists of an output coupling capacitor i11 and an output terminal 12. And resonant circuit 2
consists of a resonance coil 13 and a resonance capacitor 14. Also,
The variable capacitance circuit 3 includes a variable capacitance diode 15 whose one end is grounded, a coupling capacitance 16 with the resonant circuit 2, a DC bias terminal 17 of the variable capacitance diode 15, a parasitic oscillation prevention resistor 18, a high frequency blocking inductor 19, Grounding capacity 2o
It consists of
ここで、直流バイアス端子１Ｔに供給する直流のバイア
ス電圧を変化させることにより、可変容量ダイオード１
５の容量を変化させて電圧制御発振器の発振周波数を変
化させることができる。Here, by changing the DC bias voltage supplied to the DC bias terminal 1T, the variable capacitance diode 1
By changing the capacitance of 5, the oscillation frequency of the voltage controlled oscillator can be changed.
しかし、上記した従来のものでは、寄生発振防止用抵抗
１８の熱雑音のため、気圧制御発振器のＣ／Ｎ （キャ
リア対ノイズ比）を高くできない欠点がある。また、寄
生発振防止用抵抗１８を取シ去ると、直流バイアス電圧
が約１．５ｖ以下で可変容量ダイオード１５の整流作用
により寄生発振するという問題があった。However, the conventional device described above has the disadvantage that the C/N (carrier-to-noise ratio) of the air pressure controlled oscillator cannot be increased due to the thermal noise of the parasitic oscillation prevention resistor 18. Further, if the resistor 18 for preventing parasitic oscillation is removed, there is a problem that parasitic oscillation occurs due to the rectification action of the variable capacitance diode 15 when the DC bias voltage is about 1.5 V or less.
本発明は以上の点に鑑み、このような問題を解決すべく
なされたもので、その目的は、高Ｃ／Ｎで、しかも寄生
発振しない電圧制御発振器を提供することにある。In view of the above points, the present invention has been made to solve such problems, and its purpose is to provide a voltage controlled oscillator that has a high C/N and does not cause parasitic oscillation.
上記の目的を達成するため、本発明は、電圧可変素子と
して可変容量ダイオードを用いた電圧制御発振器におい
て、可変容量ダイオードのバイアス電圧供給ラインに寄
生発振防止用抵抗を挿入せず、その可変容量ダイオード
に並列にコンデンサと抵抗を直列接続した回路を接続し
、この抵抗に並列に２個のショットキーバリアダイオー
ドを互いに逆極性で接続したものである。To achieve the above object, the present invention provides a voltage controlled oscillator using a variable capacitance diode as a voltage variable element, without inserting a parasitic oscillation prevention resistor into the bias voltage supply line of the variable capacitance diode. A circuit in which a capacitor and a resistor are connected in series is connected in parallel to the resistor, and two Schottky barrier diodes are connected in parallel to this resistor with opposite polarities.
したがって、本発明においては、可変容量ダイオードの
直流バイアス電圧ラインに抵抗が挿入されないので、−
との抵抗による熱雑音電圧が発生しなくなり、高Ｃ／Ｎ
が実現できる。また、可変容量ダイオードに対してショ
ットキーバリアダイオードを並列接続することにより、
可変容量ダイオードの整流作用をなくシ、かつ電圧制御
発振器の寄生発振を生じなくすることができる。Therefore, in the present invention, since no resistor is inserted in the DC bias voltage line of the variable capacitance diode, -
Thermal noise voltage due to resistance between the
can be realized. In addition, by connecting a Schottky barrier diode in parallel to a variable capacitance diode,
It is possible to eliminate the rectification effect of the variable capacitance diode and to prevent the generation of parasitic oscillation of the voltage controlled oscillator.
以下、本発明を図面に示す実施例に基づいて詳細に説明
する。Hereinafter, the present invention will be described in detail based on embodiments shown in the drawings.
第１図は本発明による電圧制御発振器の一実施例を示す
回路図である。同図において、１は負性抵抗発生回路で
あって、ＦＥＴ４と、ソース抵抗５、ゲート・ソース間
容量６、ソース容量７、直流バイアス抵抗８、共振回路
２との結合容量９、電源端子１０．出力結合容量１１、
出力端子１２から構成されている。そして、共振回路２
は共振用コイル１３と共振用容ｆ１４からなる。また、
可変容量回路３は、一端が接地され六回変容量ダイオー
ド１５と、共振回路２との結合容量１６、可変容量ダイ
オード１５の直流バイアス端子１７．高周波阻止用イン
ダクタ１９、接地用容ｆｉ２０．可変容量ダイオード１
５との結合容量（コンデンサ）２１、直流バイアス抵抗
２２、寄生発振防止用ショットキーバリアダイオード２
３および２４かも構成されている。FIG. 1 is a circuit diagram showing an embodiment of a voltage controlled oscillator according to the present invention. In the figure, 1 is a negative resistance generation circuit, which includes an FET 4, a source resistance 5, a gate-source capacitance 6, a source capacitance 7, a DC bias resistance 8, a coupling capacitance 9 with the resonance circuit 2, and a power supply terminal 10. ．． Output coupling capacitance 11,
It is composed of an output terminal 12. And resonant circuit 2
consists of a resonant coil 13 and a resonant capacitor f14. Also,
The variable capacitance circuit 3 has one end grounded, a six-time variable capacitance diode 15, a coupling capacitance 16 with the resonant circuit 2, and a DC bias terminal 17 of the variable capacitance diode 15. High frequency blocking inductor 19, grounding capacitor fi20. Variable capacitance diode 1
5, a coupling capacitor (capacitor) 21, a DC bias resistor 22, a Schottky barrier diode 2 for preventing parasitic oscillation.
3 and 24 are also configured.
すなわち、本実施例が第２図の従来例のものと異なる点
は、可変容量回路３を構成する直流バイアス電圧供給ラ
インに抵抗を挿入することなく、可変容量ダイオード１
５に対して並列に結合容量２１と直流バイアス抵抗２２
を直列接続した直列回路を接続し、この直流バイアス抵
抗２２に並列に２個のショットキーバリアダイオード２
３．２４を互いに逆極性で接続したものである。なお、
図中、同一符号は同一または和尚部分を示している。That is, the difference between this embodiment and the conventional example shown in FIG. 2 is that the variable capacitance diode 1 is
A coupling capacitor 21 and a DC bias resistor 22 are connected in parallel to 5.
A series circuit is connected in series, and two Schottky barrier diodes 2 are connected in parallel to this DC bias resistor 22.
3.24 are connected with opposite polarity. In addition,
In the drawings, the same reference numerals indicate the same or monk parts.
このように、上記実施例のものによると、直流バイアス
端子１７と高周波阻止用イ？ダクタ１９の間に寄生発振
防止用抵抗１８（第２図参照）が挿入されていないので
、その抵抗の熱雑音によるＣ／Ｎ低下がなく、高Ｃ／Ｎ
が得られる。また、可変容量ダイオード１５に、鈷合容
ｔ２１を介して互いに逆極性のショットキーバリアダイ
オード２３．２４を並列接続することにより、可変容量
ダイオード１５に発生する発振出力１ノベルが減少し、
可変容量ダイオード１５の整流作用がなくなシ、寄生発
振を防ぐことができる。さらに、可変容量ダイオード１
５での発振出力レベルが小さくなるため、低い制御電圧
（１，５Ｖ以下）でもＣ／Ｎ劣化が少なくなり、広い範
囲で高Ｃ／Ｎが得られる等の利点を有する。As described above, according to the above embodiment, the DC bias terminal 17 and the high frequency blocking terminal are connected to each other. Since the parasitic oscillation prevention resistor 18 (see Figure 2) is not inserted between the inductor 19, there is no C/N drop due to thermal noise of the resistor, resulting in a high C/N.
is obtained. In addition, by connecting Schottky barrier diodes 23 and 24 of opposite polarity to the variable capacitance diode 15 in parallel via the coupling capacitor t21, the oscillation output 1 novel generated in the variable capacitance diode 15 is reduced.
Since the rectifying effect of the variable capacitance diode 15 is eliminated, parasitic oscillation can be prevented. Furthermore, variable capacitance diode 1
Since the oscillation output level at 5 is small, C/N deterioration is reduced even with a low control voltage (1.5 V or less), and a high C/N can be obtained over a wide range.
以上説明したように、本発明によれば、可変容量ダイオ
ードの直流バイアス電圧供給ラインに寄生発振防止用抵
抗を挿入しなくても、その可変容量ダイオードに並列に
互いに逆向きのショットキーバリアダイオードを接続す
ることによって、寄生発振を防止できるため、高Ｃ／Ｎ
の電圧制御発振器が実現でき、実用上の効果は頗る大で
ある。As explained above, according to the present invention, Schottky barrier diodes in opposite directions are connected in parallel to the variable capacitance diode without inserting a parasitic oscillation prevention resistor into the DC bias voltage supply line of the variable capacitance diode. By connecting, parasitic oscillation can be prevented, resulting in high C/N.
A voltage-controlled oscillator can be realized, and the practical effects are extremely large.
第１図は本発明の一実施例を示す回路図、第２図は従来
の電圧制御発振器の一例を示す回路図である。
１・尋φ・負性抵抗発生回路、２・・・・共振回路、３
・・・・可変容量回路、４・・・・ＦＥＴ 。
５．８．２２・・・・抵抗、６．７．９．１１，１４゜
１６．２０．２１−・・・容量（コンデンサ）、１３−
・・・共振用コイル、１５・・・・可変容量ダイオード
、１Ｔ・・・−［流バイアス端子、１９・・・・高周波
阻止用インダクタ、２３，２４・・−・ショットキーバ
リアダイオード。FIG. 1 is a circuit diagram showing an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a circuit diagram showing an example of a conventional voltage controlled oscillator. 1. Thickness φ. Negative resistance generation circuit, 2. Resonance circuit, 3
...Variable capacitance circuit, 4...FET. 5.8.22...Resistance, 6.7.9.11,14゜16.20.21-...Capacitance (capacitor), 13-
... Resonance coil, 15 ... Variable capacitance diode, 1T ... - [current bias terminal, 19 ... High frequency blocking inductor, 23, 24 ... Schottky barrier diode.
Claims (1)
た共振回路と、この共振回路に対しその共振周波数を可
変すべく挿入された可変容量ダイオード、該可変容量ダ
イオードに並列に接続されかつコンデンサと抵抗が直列
接続された回路および前記抵抗に並列に互いに逆極性で
接続された２個のショットキーバリアダイオードからな
る可変容量回路を具備し、前記可変容量ダイオードに供
給される直流電圧によつて発振周波数を制御するように
したことを特徴とする電圧制御発振器。a negative resistance generating circuit, a resonant circuit coupled to the negative resistance generating circuit, a variable capacitance diode inserted in this resonant circuit to vary its resonant frequency, and connected in parallel to the variable capacitance diode. The variable capacitance circuit includes a circuit in which a capacitor and a resistor are connected in series, and two Schottky barrier diodes connected in parallel to the resistor with opposite polarities. A voltage-controlled oscillator characterized in that the oscillation frequency is controlled by the voltage control oscillator.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP719288A JPH01183202A (en) | 1988-01-16 | 1988-01-16 | Voltage controlled oscillator |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP719288A JPH01183202A (en) | 1988-01-16 | 1988-01-16 | Voltage controlled oscillator |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01183202A true JPH01183202A (en) | 1989-07-21 |
Family
ID=11659174
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP719288A Pending JPH01183202A (en) | 1988-01-16 | 1988-01-16 | Voltage controlled oscillator |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01183202A (en) |
-
1988
- 1988-01-16 JP JP719288A patent/JPH01183202A/en active Pending
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