JPH01173666A - Semiconductor substrate containing superconductor layer - Google Patents
Semiconductor substrate containing superconductor layerInfo
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Classifications
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- Y02E40/642—
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、半導体基板に関する。より詳細には、少なく
とも１層の超電導体層を有する半導体単結晶基板に関す
るものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Field of the Invention The present invention relates to semiconductor substrates. More specifically, the present invention relates to a semiconductor single crystal substrate having at least one superconductor layer.
本発明の半導体基板は上記超電導体層を半導体集積回路
の線材料として用いるだけで無く、上記超電導体にジョ
セフソン結合を形成したジョセフソン素子あるいは超電
導体と半導体とを組み合わせた超電導トランジスタやホ
ットエレクトロントランジスタ等の素子の材料として用
いることができる。The semiconductor substrate of the present invention not only uses the superconductor layer as a line material for a semiconductor integrated circuit, but also a Josephson element in which a Josephson bond is formed in the superconductor, a superconducting transistor in which a superconductor and a semiconductor are combined, and a hot electron It can be used as a material for elements such as transistors.
従来の技術
従来の半導体集積回路はシリコン等の半導体単結晶基板
上に絶縁膜を形成してパターニングを施し、熱拡散、イ
オン注入等で不純物をドープすることにより必要な素子
を作製し、金属を蒸着させて配線している。Conventional technology Conventional semiconductor integrated circuits are made by forming an insulating film on a semiconductor single crystal substrate such as silicon, patterning it, doping with impurities by thermal diffusion, ion implantation, etc. to fabricate the necessary elements, and then metal. Wiring is done by vapor deposition.
上記金属配線パターンは、蒸着で形成されるため断面積
が非常に微小となり、信号電流のロスがあった。Since the metal wiring pattern is formed by vapor deposition, its cross-sectional area is extremely small, resulting in loss of signal current.
寸１こ、Ｂ電導体と半導体とを組み合わせた超電導トラ
ンジスタやホット毛しクトロントランジスタ等の集積回
路素子は概念的には提案されているが複合酸化物超電導
材料を具体的に用いたものは作製さ才１ていない。Although integrated circuit devices such as superconducting transistors that combine B conductors and semiconductors, and hot catalytic transistors have been conceptually proposed, there have been no concrete proposals using complex oxide superconducting materials. It has not been made yet.
滲ブ１．が解１をうとずゲ（塀透忠
半導体集積回路の金属配線パターンは、蒸着等てル成さ
れるため断面積が微小で信号電流のロスが避けられなか
った。また、半導体集積回路の動作速度を向上させるに
は、素子そのものの動作速度を向上させることも重要で
あるが、配線における信号伝播速度を向上させることも
必要である。Bleeding 1. However, solution 1 is not solved (Toruyoshi Ken) The metal wiring pattern of semiconductor integrated circuits is formed by vapor deposition, so the cross-sectional area is minute, and loss of signal current is unavoidable.In addition, the operation of semiconductor integrated circuits In order to increase speed, it is important to improve the operating speed of the element itself, but it is also necessary to improve the signal propagation speed in the wiring.
ところが、従来の半導体集積回路では配線部分における
ロスのため信号伝播速度を向上させるのに限界があった
。また、配線部分におけるロスのため素子の集積度があ
がり高密度化が進むと、消費電力が上昇し、それに伴う
発熱のため集積度の限界も自ずから決まってしまってい
た。However, in conventional semiconductor integrated circuits, there is a limit to improving the signal propagation speed due to loss in the wiring portion. Furthermore, as the degree of integration of elements increases due to loss in wiring portions and density increases, power consumption increases, and the heat generated thereby naturally limits the degree of integration.
ざらに、超電導体と半導体とを組み合わせた超電導トラ
ンジスタやｈ ットエレクトロントランジスタ、ＦＥＴ
等の素子を形成する場合には半導体単結晶基板上に超電
導材料の層を均一に形成した基板が必須であるが、従来
のＮｂ系の超電導材料では半導体基板上に超電導材料の
層を均一に形成したものはなかった。また、金属系超電
導体は、臨界温度が低く実用的でなかった。In general, there are superconducting transistors, electron transistors, and FETs that combine superconductors and semiconductors.
When forming such devices, a substrate with a uniform layer of superconducting material formed on a semiconductor single crystal substrate is essential. None were formed. Furthermore, metal-based superconductors have low critical temperatures and are not practical.
本発明の目的は、上記の問題を解決して半導体単結晶基
板上に、臨界温度を始めとする超電導特性がイ憂れた複
合酸化物超電導体薄膜層を有する半導体基板を提供する
ことにある。An object of the present invention is to solve the above-mentioned problems and provide a semiconductor substrate having a composite oxide superconductor thin film layer having poor superconducting properties including critical temperature on a semiconductor single crystal substrate. .
問題点を解決するための手段
本発明に従うと、ＩｎＰ単結晶基板上に周期律表Ｉｌａ
族元素から選択された少なくとも１種の元素α、周期律
表ｌｌＩＩａ族元素から選択された少なくとも１種の元
素β、周期律表ｘｂ、ｎｂ、Ｉｂ、ｒＶａ、■ａ族元素
から選択された少なくとも１種の元素Ｔを含有する複合
酸化物超電導体よりなる薄膜層が形成されていることを
特徴とする超電導体層を有する半導体基板が提供される
。Means for Solving the Problems According to the present invention, periodic table Ila is formed on an InP single crystal substrate.
At least one element α selected from group elements α, at least one element β selected from group llIIa elements of the periodic table, at least one element selected from group xb, nb, Ib, rVa, ■a group elements of the periodic table A semiconductor substrate having a superconductor layer characterized in that a thin film layer made of a composite oxide superconductor containing one type of element T is provided.
本発明に従うと、上記超電導体は複合酸化物超電導材料
によって形成されているのが好ましい。According to the invention, the superconductor is preferably formed of a composite oxide superconducting material.
この複合酸化物超電導材料としては公知の任意の材料を
用いることができる。特に、下記一般式：％式％）
（但し、αは周期律表Ｉａ族に含まれる元素であり、β
は周期律表ＩＩＩａ族に含まれる元素であり、γは周期
律表Ｉ ｂ、 ＩＩ ｂ、 ｌｌＩｂ、 ＩＶａおよび
■ａ族から選択される少なくとも一つの元素であり、ｘ
ＳｙＳｚはそれぞれ０．１ ≦Ｘ≦０．９．０．４≦ｙ
≦３．０．１≦Ｚ≦５を満たす数である）
で示される複合酸化物が好ましい。これらの複合酸化物
はペロブスカイト型または擬似ペロブスカイト型酸化物
を主体としたものと考えられる。Any known material can be used as this composite oxide superconducting material. In particular, the following general formula: % formula %) (However, α is an element included in Group Ia of the periodic table, and β
is an element included in group IIIa of the periodic table, γ is at least one element selected from groups Ib, IIb, llIb, IVa and ■a of the periodic table, x
SySz is each 0.1 ≦X≦0.9.0.4≦y
≦3.0.1≦Z≦5) A composite oxide represented by the following is preferable. These composite oxides are thought to be mainly composed of perovskite-type or pseudo-perovskite-type oxides.
上記周期律表ＩＩａ族元素αとしては、Ｂａ、 Ｓｒ。The Group IIa element α of the periodic table includes Ba and Sr.
Ｃａ、 Ｍｇ、 Ｂｅ等が好ましく、例えば、Ｂａ５Ｓ
ｒを挙げることができ、この元素αの１０〜８０％をＭ
ｇ、 Ｃａ。Ca, Mg, Be, etc. are preferable, for example, Ba5S
r, and 10 to 80% of this element α is M
g, Ca.
Ｓｒから選択された１種または２種の元素で置換するこ
ともできる。また上記周期律表１１Ｊａ族元素βはとし
ては、Ｙの他Ｌａ、 Ｓｃ、 Ｃｅ、 Ｇｄ、 Ｈｏ、
８ｒＸＴｍ。It can also be replaced with one or two elements selected from Sr. In addition to Y, the elements β of Ja group 11 of the periodic table include La, Sc, Ce, Gd, Ho,
8rXTm.
Ｙｂ、 ｌｕ等ランタノイド元素が好ましく、例えばＹ
、しａ、Ｈｏとすることができ、この元素βのうち、１
０〜８０％をＳｃまたはランタンイド元素から選択され
た１種または２種の元素で置換することもできる。Lanthanide elements such as Yb and lu are preferred, for example Y
, Shia, and Ho, and of this element β, 1
0 to 80% can also be replaced with one or two elements selected from Sc or lanthanide elements.
前記元素Ｔは一般にＣｕであるが、その一部を周期律表
１ｂ、Ｉ［ｂ、ｌｌＩｂ、ｒＶａおよび■ａ族から選択
される他の元素、例えば、Ｔｉ５Ｖ等で置換することも
できる。The element T is generally Cu, but a part thereof can be replaced with other elements selected from groups 1b, I[b, llIb, rVa and Ⅰa of the periodic table, for example, Ti5V.
作用
本発明の超電導体層を有する半導体基板は、半導体単結
晶基板上に、複合酸化物超電導体層が形成されていると
ころにその主要な特徴がある。すなわち、本発明の超電
導体層を有する半導体基板は、従来の半導体と複合酸化
物超電導体を組み合わせた新規な半導体デバイスの基本
材料となるものである。Function The main feature of the semiconductor substrate having a superconductor layer of the present invention is that a composite oxide superconductor layer is formed on a semiconductor single crystal substrate. That is, the semiconductor substrate having a superconductor layer of the present invention serves as a basic material for a novel semiconductor device that combines a conventional semiconductor and a composite oxide superconductor.
本発明の超電導体層を有する半導体基板は、配線部を従
来の金属から複合酸化物超電導体に置き換えた半導体集
積回路基板としてのみ使用できるだけでなく、複合酸化
物超電導体の部分にジョセフソン接合を形成した半導体
デバイスあるいは半導体基板と超電導体とを組み合わせ
た超電導トランジスタや熱量子トランジスタのような新
規な半導体素子を形成するためのデバイス用材料として
も用いることができる。The semiconductor substrate having the superconductor layer of the present invention can not only be used as a semiconductor integrated circuit board in which the wiring part is replaced with a composite oxide superconductor from conventional metal, but also can be used as a semiconductor integrated circuit board in which the wiring part is replaced with a composite oxide superconductor. It can also be used as a device material for forming semiconductor devices or new semiconductor elements such as superconducting transistors and thermal quantum transistors in which a semiconductor substrate and a superconductor are combined.
第１図に本発明の超電導体層を有する半導体基板を材料
とした超電導トランジスタを示す。超電導トランジスタ
は、超電導近接効果を利用し、半導体中に超電導電流を
流すものである。第１図に示す超電導トランジスタは、
本発明の超電導体層を有する半導体基板を用い、超電導
体層を分割加工して超電導電極としたものである。すな
わち、第１図に示す超電導トランジスタは、以下の工程
で作製するものである。FIG. 1 shows a superconducting transistor made from a semiconductor substrate having a superconductor layer according to the present invention. A superconducting transistor utilizes the superconducting proximity effect to cause a superconducting current to flow through a semiconductor. The superconducting transistor shown in Figure 1 is
A superconducting electrode is obtained by using a semiconductor substrate having a superconductor layer of the present invention and dividing the superconductor layer. That is, the superconducting transistor shown in FIG. 1 is manufactured through the following steps.
半導体単結晶基板上の一部に、予め熱酸化等で絶縁体層
を形成してから、超電導体層を形成する半導体単結晶基
板の反対側の面をエツチングし、単結晶薄膜を形成し、
その表面にさらに絶縁層を形成し、該絶縁層上に金属を
蒸着して電極を形成したものである。その後、超電導体
層をイオンエツチングを用い、２個の電極に分割加工す
る。An insulating layer is formed in advance on a part of the semiconductor single crystal substrate by thermal oxidation or the like, and then the opposite surface of the semiconductor single crystal substrate on which the superconductor layer will be formed is etched to form a single crystal thin film,
An insulating layer is further formed on the surface, and a metal is deposited on the insulating layer to form an electrode. Thereafter, the superconductor layer is divided into two electrodes using ion etching.
本発明の超電導体層を有する半導体基板に使用する複合
酸化物超電導体としては、ＹＢＣＯと称されるＹ１Ｂａ
２Ｃｕ３Ｏ７−１１で代表されるような多層ペロブスカ
イト結晶構造を有する複合酸化物が好ましい。しかしな
がらこれに限定されるものではなく、公知の超電導体の
任意のものを使用することが可能である。The composite oxide superconductor used in the semiconductor substrate having a superconductor layer of the present invention is Y1Ba, also called YBCO.
A composite oxide having a multilayer perovskite crystal structure such as 2Cu3O7-11 is preferred. However, the present invention is not limited thereto, and any known superconductor may be used.
また、本発明の超電導体層を有する半導体基板を作製す
るには、半導体単結晶基板上にスパッタリング、イオン
ブレーティング、分子線エピタキシー、ＣＶＤ （化学
的気相反応法）等の蒸着法あるいは蒸着法に類似の方法
で複合酸化物超電導体層を形成するのが好ましい。その
際、半導体単結晶の物性を損なわないよう基板温度を７
００℃以下で複合酸化物超電導体層を形成させることが
好ましい。In addition, in order to fabricate a semiconductor substrate having a superconductor layer of the present invention, a vapor deposition method such as sputtering, ion blating, molecular beam epitaxy, CVD (chemical vapor phase reaction method), or vapor deposition method is used on a semiconductor single crystal substrate. It is preferable to form the composite oxide superconductor layer by a method similar to . At this time, the substrate temperature should be kept at 70% so as not to impair the physical properties of the semiconductor single crystal.
It is preferable to form the composite oxide superconductor layer at a temperature of 00°C or lower.
さらに、複合酸化物超電導体層はＩｎＰ単結晶基板の（
１００）面に形成することが好ましい。これは、複合酸
化物超電導体の結晶性を向上させるためで、ＩｎＰ単結
晶基板の上記の面に形成された複合酸化物超電導体薄膜
は、結晶のＣ軸が基板成膜面に平行に近い角度で揃う配
向性を有するため特定の面方向および深さ方向の臨界電
流密度Ｊｃが向上する。Furthermore, the composite oxide superconductor layer (
100) is preferably formed. This is to improve the crystallinity of the composite oxide superconductor, and in the composite oxide superconductor thin film formed on the above-mentioned surface of the InP single crystal substrate, the C axis of the crystal is close to parallel to the substrate deposition surface. Since it has an orientation that is aligned at an angle, the critical current density Jc in a specific surface direction and depth direction is improved.
また、半導体単結晶基板と複合酸化物超電導体層の界面
の状態を改善するため、半導体基板上にバッファ層を予
め形成し、該バッファ層上に複合酸化物超電導体層を形
成することも好ましい。このバッファ層としては、Ｍｇ
Ｏ等が好ましい。Furthermore, in order to improve the state of the interface between the semiconductor single crystal substrate and the composite oxide superconductor layer, it is also preferable to form a buffer layer on the semiconductor substrate in advance and form the composite oxide superconductor layer on the buffer layer. . As this buffer layer, Mg
O etc. are preferred.
実施例
以下、本発明を実施例により具体的に説明するが、以下
に記載するものは本発明の単なる実施例に過ぎず、以下
の開示により、本発明の範囲が同等制限されないことは
勿論である。EXAMPLES Hereinafter, the present invention will be specifically explained by examples, but the following are merely examples of the present invention, and it goes without saying that the scope of the present invention is not similarly limited by the following disclosure. be.
ＩｎＰ単結晶基板上に複合酸化物超電導体層を形成し、
本発明の超電導体層を有する半導体基板を作製した。Forming a composite oxide superconductor layer on an InP single crystal substrate,
A semiconductor substrate having a superconductor layer according to the present invention was manufactured.
ＹＢａ２Ｃｕ、； ｓ Ｏｘ焼結体粉末およびＨｏＢａ
、 ２Ｃｕ４．７０ｘ焼結体粉末をターゲットとして、
公知のマグネトロンスパッタリング法により、ＩｎＰ半
導体単結晶基板の（１００）面上に複合酸化物超電導体
層を形成する。基板とターゲットの位置関係および高周
波電力の大きさに特に注意し、基板温度７００℃でスパ
ッタリングを行い、複合酸化物超電導体層を１００ＯＡ
まで成長させ、試料とする。YBa2Cu; s Ox sintered powder and HoBa
, 2Cu4.70x sintered powder as a target,
A complex oxide superconductor layer is formed on the (100) plane of an InP semiconductor single crystal substrate by a known magnetron sputtering method. Paying particular attention to the positional relationship between the substrate and target and the magnitude of high-frequency power, sputtering was performed at a substrate temperature of 700°C, and the composite oxide superconductor layer was
Grow it to a maximum size and use it as a sample.
上記の本発明の超電導体層を有する半導体装置は、いず
れのものも半導体と超電導体との界面の状態がよく、半
導体デバイス材料として優れた特性を有している。また
、それぞれの試料の超電導体層の超電導臨界温度および
７７Ｋにおける臨界電流を以下に示す。All of the above-mentioned semiconductor devices having the superconductor layer of the present invention have good interface conditions between the semiconductor and the superconductor, and have excellent properties as semiconductor device materials. Further, the superconducting critical temperature and critical current at 77K of the superconducting layer of each sample are shown below.
以上説明したように、本発明の超電導体層を有する半導
体基板は、半導体デバイス用基板としてたいへん有効で
ある。As explained above, the semiconductor substrate having the superconductor layer of the present invention is very effective as a substrate for semiconductor devices.
発明の効果
本発明（こより、新規な半導体デバイス材料としてたい
へん有効な超電導体層を有する半導体基板が提供される
。本発明により、半導体デバイスの高速化、高密度化が
さらに推進される。さらに、本発明はジョセフソン素子
と異なり、３端子以上の端子を有する超電導体を利用し
た半導体デバイス等に応用が可能である。Effects of the Invention The present invention provides a semiconductor substrate having a superconductor layer that is very effective as a new semiconductor device material.The present invention further promotes higher speed and higher density of semiconductor devices.Furthermore, Unlike the Josephson element, the present invention can be applied to semiconductor devices using superconductors having three or more terminals.
第１図は、本発明の超電導体層を有する半導体基板を用
いて作製した超電導トランジスタの断面模式図である。
〔主な参照番号〕
１・・・超電導電極、
２・・・絶縁層、
３・・・半導体単結晶、
４・・・ゲート絶縁層、
５・・・ゲート電極、
特許出願人 住友電気工業株式会社FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of a superconducting transistor manufactured using a semiconductor substrate having a superconducting layer of the present invention. [Main reference numbers] 1...Superconducting electrode, 2...Insulating layer, 3...Semiconductor single crystal, 4...Gate insulating layer, 5...Gate electrode, Patent applicant Sumitomo Electric Industries, Ltd. company
Claims (26)
択された少なくとも１種の元素α、周期律表IIIａ族元
素から選択された少なくとも１種の元素β、周期律表Ｉ
ｂ、IIｂ、IIIｂ、IVａ、VIIIａ族元素から選択された
少なくとも１種の元素γを含有する複合酸化物超電導体
よりなる薄膜層が形成されていることを特徴とする超電
導体層を有する半導体基板。(1) On an InP single crystal substrate, at least one element α selected from group IIa elements of the periodic table, at least one element β selected from group IIIa elements of the periodic table, and I
A semiconductor substrate having a superconductor layer, characterized in that a thin film layer made of a composite oxide superconductor containing at least one element γ selected from group b, IIb, IIIb, IVa, and VIIIa elements is formed. .
、α、β、γは、上記定義の元素であり、ｘはα＋βに
対するβの原子比で、０．１≦Ｘ≦０．９であり、ｙお
よびｚは（α＿１＿−＿ｘβ＿ｘ）を１とした場合に０
．４≦ｙ≦３．０、１≦ｚ≦５となる原子比である） で表される組成の酸化物であることを特徴とする特許請
求の範囲第１項に記載の超電導体層を有する半導体基板
。(2) The above composite oxide superconductor has a general formula: (α_1_−_xβ_x)γ_yO_z (where α, β, and γ are the elements defined above, x is the atomic ratio of β to α+β, and is 0.1 ≦X≦0.9, and y and z are 0 when (α_1_−_xβ_x) is 1
．． 4≦y≦3.0, 1≦z≦5) semiconductor substrate.
晶または多層ペロブスカイト型結晶を有する酸化物であ
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項または第２項
に記載の超電導体層を有する半導体基板。(3) A semiconductor having a superconductor layer according to claim 1 or 2, wherein the composite oxide superconductor is an oxide having a perovskite crystal or a multilayer perovskite crystal. substrate.
、さらにＡｌ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｃｕ、Ａｇ、
Ｔｉによって構成される群から選択される少なくとも１
種の元素を含む複合酸化物超電導体であることを特徴と
する特許請求の範囲第１項乃至第３項のいずれか１項に
記載の超電導体層を有する半導体基板。(4) The composite oxide superconductor contains Ba and Y, and further contains Al, Fe, Co, Ni, Zn, Cu, Ag,
At least one selected from the group consisting of Ti
A semiconductor substrate having a superconductor layer according to any one of claims 1 to 3, which is a composite oxide superconductor containing a seed element.
＜ｘ＜１を満たす数である） で表される複合酸化物であることを特徴とする特許請求
の範囲第４項に記載の超電導体層を有する半導体基板。(5) The above composite oxide superconductor has Y_1Ba_2Cu_3O_7_-_x (where x is 0
<x<1) A semiconductor substrate having a superconductor layer according to claim 4, which is a composite oxide represented by the following formula.
み、さらにＡｌ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｃｕ、Ａｇ
、Ｔｉによって構成される群から選択される少なくとも
１種の元素を含むことを特徴とする特許請求の範囲第１
項乃至第３項のいずれか１項に記載の超電導体層を有す
る半導体基板。(6) The composite oxide superconductor contains Ba and La, and further contains Al, Fe, Co, Ni, Zn, Cu, Ag.
, at least one element selected from the group consisting of Ti.
A semiconductor substrate having a superconductor layer according to any one of items 1 to 3.
０＜ｘ＜１を満たす数である） で表される複合酸化物であることを特徴とする特許請求
の範囲第６項に記載の超電導体層を有する半導体基板。(7) Claim 6, characterized in that the composite oxide superconductor is a composite oxide represented by La_1Ba_2Cu_3O_7_-_x (where x is a number satisfying 0<x<1). A semiconductor substrate having a superconductor layer according to .
み、さらにＡｌ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｃｕ、Ａｇ
、Ｔｉによって構成される群から選択される少なくとも
１種の元素を含むことを特徴とする特許請求の範囲第１
項乃至第３項のいずれか１項に記載の超電導体層を有す
る半導体基板。(8) The composite oxide superconductor contains Sr and La, and further contains Al, Fe, Co, Ni, Zn, Cu, Ag.
, at least one element selected from the group consisting of Ti.
A semiconductor substrate having a superconductor layer according to any one of items 1 to 3.
０＜ｘ＜１を満たす数である） で表される複合酸化物であることを特徴とする特許請求
の範囲第８項に記載の超電導体層を有する半導体基板。(9) Claim 8, wherein the composite oxide superconductor is a composite oxide represented by La_1Sr_2Cu_3O_7_-_x (where x is a number satisfying 0<x<1). A semiconductor substrate having a superconductor layer according to .
含み、さらにＡｌ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｃｕ、Ａ
ｇ、Ｔｉによって構成される群から選択される少なくと
も１種の元素を含むことを特徴とする特許請求の範囲第
１項乃至第３項のいずれか１項に記載の超電導体層を有
する半導体基板。(10) The composite oxide superconductor contains Ba and Ho, and further contains Al, Fe, Co, Ni, Zn, Cu, A
A semiconductor substrate having a superconductor layer according to any one of claims 1 to 3, characterized in that the semiconductor substrate contains at least one element selected from the group consisting of Ti, Ti, and Ti. .
０＜ｘ＜１を満たす数である） で表される複合酸化物であることを特徴とする特許請求
の範囲第１０項に記載の超電導体層を有する半導体基板
。(11) Claim 10, wherein the composite oxide superconductor is a composite oxide represented by Ho_1Ba_2Cu_3O_7_-_x (where x is a number satisfying 0<x<1). A semiconductor substrate having a superconductor layer according to .
含み、さらにＡｌ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｃｕ、Ａ
ｇ、Ｔｉによって構成される群から選択される少なくと
も１種の元素を含むことを特徴とする特許請求の範囲第
１項乃至第３項のいずれか１項に記載の超電導体層を有
する半導体基板。(12) The composite oxide superconductor contains Ba and Nd, and further contains Al, Fe, Co, Ni, Zn, Cu, A
A semiconductor substrate having a superconductor layer according to any one of claims 1 to 3, characterized in that the semiconductor substrate contains at least one element selected from the group consisting of Ti, Ti, and Ti. .
０＜ｘ＜１を満たす数である） で表される複合酸化物であることを特徴とする特許請求
の範囲第１２項に記載の超電導体層を有する半導体基板
。(13) Claim 12, characterized in that the composite oxide superconductor is a composite oxide represented by Nd_1Ba_2Cu_3O_7_-_x (where x is a number satisfying 0<x<1). A semiconductor substrate having a superconductor layer according to .
含み、さらにＡｌ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｃｕ、Ａ
ｇ、Ｔｉによって構成される群から選択される少なくと
も１種の元素を含むことを特徴とする特許請求の範囲第
１項乃至第３項のいずれか１項に記載の超電導体層を有
する半導体基板。(14) The composite oxide superconductor contains Ba and Sm, and further contains Al, Fe, Co, Ni, Zn, Cu, A
A semiconductor substrate having a superconductor layer according to any one of claims 1 to 3, characterized in that the semiconductor substrate contains at least one element selected from the group consisting of Ti, Ti, and Ti. .
０＜ｘ＜１を満たす数である） で表される複合酸化物であることを特徴とする特許請求
の範囲第１４項に記載の超電導体層を有する半導体基板
。(15) Claim 14, wherein the composite oxide superconductor is a composite oxide represented by Sm_1Ba_2Cu_3O_7_-_x (where x is a number satisfying 0<x<1). A semiconductor substrate having a superconductor layer according to .
含み、さらにＡｌ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｃｕ、Ａ
ｇ、Ｔｉによって構成される群から選択される少なくと
も１種の元素を含むことを特徴とする特許請求の範囲第
１項乃至第３項のいずれか１項に記載の超電導体層を有
する半導体基板。(16) The composite oxide superconductor contains Ba and Eu, and further contains Al, Fe, Co, Ni, Zn, Cu, A
A semiconductor substrate having a superconductor layer according to any one of claims 1 to 3, characterized in that the semiconductor substrate contains at least one element selected from the group consisting of Ti, Ti, and Ti. .
０＜ｘ＜１を満たす数である） で表される複合酸化物であることを特徴とする特許請求
の範囲第１６項に記載の超電導体層を有する半導体基板
。(17) Claim 16, wherein the composite oxide superconductor is a composite oxide represented by Eu_1Ba_2Cu_3O_7_-_x (where x is a number satisfying 0<x<1). A semiconductor substrate having a superconductor layer according to .
含み、さらにＡｌ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｃｕ、Ａ
ｇ、Ｔｉによって構成される群から選択される少なくと
も１種の元素を含むことを特徴とする特許請求の範囲第
１項乃至第３項のいずれか１項に記載の超電導体層を有
する半導体基板。(18) The composite oxide superconductor contains Ba and Gd, and further contains Al, Fe, Co, Ni, Zn, Cu, A
A semiconductor substrate having a superconductor layer according to any one of claims 1 to 3, characterized in that the semiconductor substrate contains at least one element selected from the group consisting of Ti, Ti, and Ti. .
０＜ｘ＜１を満たす数である） で表される複合酸化物であることを特徴とする特許請求
の範囲第１８項に記載の超電導体層を有する半導体基板
。(19) Claim 18, wherein the composite oxide superconductor is a composite oxide represented by Gd_1Ba_2Cu_3O_7_-_x (where x is a number satisfying 0<x<1). A semiconductor substrate having a superconductor layer according to .
含み、さらにＡｌ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｃｕ、Ａ
ｇ、Ｔｉによって構成される群から選択される少なくと
も１種の元素を含むことを特徴とする特許請求の範囲第
１項乃至第３項のいずれか１項に記載の超電導体層を有
する半導体基板。(20) The composite oxide superconductor contains Ba and Dy, and further contains Al, Fe, Co, Ni, Zn, Cu, A
A semiconductor substrate having a superconductor layer according to any one of claims 1 to 3, characterized in that the semiconductor substrate contains at least one element selected from the group consisting of Ti, Ti, and Ti. .
０＜ｘ＜１を満たす数である） で表される複合酸化物であることを特徴とする特許請求
の範囲第２０項に記載の超電導体層を有する半導体基板
。(21) Claim 20, characterized in that the composite oxide superconductor is a composite oxide represented by Dy_1Ba_2Cu_3O_7_-_x (where x is a number satisfying 0<x<1). A semiconductor substrate having a superconductor layer according to .
含み、さらにＡｌ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｃｕ、Ａ
ｇ、Ｔｉによって構成される群から選択される少なくと
も１種の元素を含むことを特徴とする特許請求の範囲第
１項乃至第３項のいずれか１項に記載の超電導体層を有
する半導体基板。(22) The composite oxide superconductor contains Ba and Er, and further contains Al, Fe, Co, Ni, Zn, Cu, A
A semiconductor substrate having a superconductor layer according to any one of claims 1 to 3, characterized in that the semiconductor substrate contains at least one element selected from the group consisting of Ti, Ti, and Ti. .
０＜ｘ＜１を満たす数である） で表される複合酸化物であることを特徴とする特許請求
の範囲第２２項に記載の超電導体層を有する半導体基板
。(23) Claim 22, wherein the composite oxide superconductor is a composite oxide represented by Er_1Ba_2Cu_3O_7_-_x (where x is a number satisfying 0<x<1). A semiconductor substrate having a superconductor layer according to .
含み、さらにＡｌ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｃｕ、Ａ
ｇ、Ｔｉによって構成される群から選択される少なくと
も１種の元素を含むことを特徴とする特許請求の範囲第
１項乃至第３項のいずれか１項に記載の超電導体層を有
する半導体基板。(24) The composite oxide superconductor contains Ba and Yb, and further contains Al, Fe, Co, Ni, Zn, Cu, A
A semiconductor substrate having a superconductor layer according to any one of claims 1 to 3, characterized in that the semiconductor substrate contains at least one element selected from the group consisting of Ti, Ti, and Ti. .
０＜ｘ＜１を満たす数である） で表される複合酸化物であることを特徴とする特許請求
の範囲第２４項に記載の超電導体層を有する半導体基板
。(25) Claim 24, wherein the composite oxide superconductor is a composite oxide represented by Yb_1Ba_2Cu_3O_7_-_x (where x is a number satisfying 0<x<1). A semiconductor substrate having a superconductor layer according to .
単結晶基板の（１００）面上に形成されていることを特
徴とする特許請求の範囲第１項乃至第２５項のいずれか
１項に記載の超電導体層を有する半導体基板。(26) The composite oxide superconductor thin film layer is formed of the InP
A semiconductor substrate having a superconductor layer according to any one of claims 1 to 25, characterized in that the superconductor layer is formed on a (100) plane of a single crystal substrate.
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62331208A JPH01173666A (en) | 1987-12-26 | 1987-12-26 | Semiconductor substrate containing superconductor layer |
| DE3888341T DE3888341T2 (en) | 1987-12-26 | 1988-12-26 | Semiconductor substrate with a superconducting thin film. |
| EP88403329A EP0325877B1 (en) | 1987-12-26 | 1988-12-26 | A semiconductor substrate having a superconducting thin film |
| US08/167,437 US5910662A (en) | 1987-12-26 | 1993-12-14 | Semiconductor substrate having a superconducting thin film |
| HK164695A HK164695A (en) | 1987-12-26 | 1995-10-19 | A semiconductor substrate having a superconducting thin film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62331208A JPH01173666A (en) | 1987-12-26 | 1987-12-26 | Semiconductor substrate containing superconductor layer |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01173666A true JPH01173666A (en) | 1989-07-10 |
Family
ID=18241106
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62331208A Pending JPH01173666A (en) | 1987-12-26 | 1987-12-26 | Semiconductor substrate containing superconductor layer |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01173666A (en) |
-
1987
- 1987-12-26 JP JP62331208A patent/JPH01173666A/en active Pending
Non-Patent Citations (3)
| Title |
|---|
| J.APPL.PHYS * |
| J.J.APPL.PHYS.LETT=1987 * |
| PHYSICAL REV.LET=1987 * |
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