JPH01157036A - カラー陰極線管 - Google Patents
カラー陰極線管Info
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- JPH01157036A JPH01157036A JP31443987A JP31443987A JPH01157036A JP H01157036 A JPH01157036 A JP H01157036A JP 31443987 A JP31443987 A JP 31443987A JP 31443987 A JP31443987 A JP 31443987A JP H01157036 A JPH01157036 A JP H01157036A
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- electron beam
- shadow mask
- layer
- color cathode
- ray tube
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- Pending
Links
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Landscapes
- Electrodes For Cathode-Ray Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野J
この発明はカラー陰極線管に関し、詳しくは熱応力によ
る変形の軽減を図ったシャドウマスクに関する。
る変形の軽減を図ったシャドウマスクに関する。
[従来の技術]
第3図は、例えば特公昭61−6969号公報に示され
た従来のシャドウマスク式カラー陰極線管の一部破断断
面図、第4図はその一部拡大断面図で、(1)はパネル
、(2)はファンネル部。
た従来のシャドウマスク式カラー陰極線管の一部破断断
面図、第4図はその一部拡大断面図で、(1)はパネル
、(2)はファンネル部。
(3)はネック管でカラー陰極線管の管体を構成してい
る。(4)はパネル(3)の内面に形成された蛍光面、
(8)はネック管(3)内に配設される3つの電子銃、
(5)は蛍光面(4)に対向するように保持されている
シャドウマスクで、電子ビーム透過孔(7)が形成され
、電子銃側の表面に“はBi。
る。(4)はパネル(3)の内面に形成された蛍光面、
(8)はネック管(3)内に配設される3つの電子銃、
(5)は蛍光面(4)に対向するように保持されている
シャドウマスクで、電子ビーム透過孔(7)が形成され
、電子銃側の表面に“はBi。
Bi2O3、ρb、pbo等の重金属薄膜が被着された
電子ビーム反射層(8)が形成されている。
電子ビーム反射層(8)が形成されている。
つぎに、上記構成の動作について説明する。
電子銃(6)から発した電子ビームの約20%はシャド
ウマスク(5)の透過孔(7)を通過して、蛍光面(4
)に到達するが、残りの約80%の電子ビームはシャド
ウマスク(5)の非開孔部で遮ぎられ、このシャドウマ
スク(5)内でその運動エネルギが然エネルギに変換さ
れる。これによってカラー陰極線管の動作状態において
、シャドウマスク(5)は75〜80℃に温度上昇し、
その結果、シャドウマスク(5)に熱歪を生じ、シャド
ウマスク(5)の電子ビーム透過孔(7)を通過した電
子ビームにより蛍光面(a) ’+こ形成されるスポッ
トの位置ずれを生じる。
ウマスク(5)の透過孔(7)を通過して、蛍光面(4
)に到達するが、残りの約80%の電子ビームはシャド
ウマスク(5)の非開孔部で遮ぎられ、このシャドウマ
スク(5)内でその運動エネルギが然エネルギに変換さ
れる。これによってカラー陰極線管の動作状態において
、シャドウマスク(5)は75〜80℃に温度上昇し、
その結果、シャドウマスク(5)に熱歪を生じ、シャド
ウマスク(5)の電子ビーム透過孔(7)を通過した電
子ビームにより蛍光面(a) ’+こ形成されるスポッ
トの位置ずれを生じる。
シャドウマスク(5)の電子銃側の表面に形成した電子
ビーム反射層(8)は、遮断された電子ビームの約40
%を反射する作用を行い熱エネルギ変換率を低減させ、
シャドラマラフ(5)の温度上昇を抑制する。
ビーム反射層(8)は、遮断された電子ビームの約40
%を反射する作用を行い熱エネルギ変換率を低減させ、
シャドラマラフ(5)の温度上昇を抑制する。
[発明が解決しようとする問題点]
従来のシャドウマスク式カラー陰極線管は、以上のよう
に構成されていたので、シャドウマスクの構成材である
鉄の表面に生成された酸化鉄の熱輻射率が0.7である
のに対し、電子ビーム反射層は、その反射作用に加えて
熱輻射率が酸化鉄よりも高い0.8程度であるから、シ
ャドウマスク(5)の温度上昇を抑制できるものの、そ
の抑制効果は実測値で25%位であり、パネルのフラッ
ト化、蛍光面ピッチのファイン化が進んでいる近年のカ
ラー陰極線管においては不十分で、シャドウマスクの熱
変形をより小さくすることが要請されている。
に構成されていたので、シャドウマスクの構成材である
鉄の表面に生成された酸化鉄の熱輻射率が0.7である
のに対し、電子ビーム反射層は、その反射作用に加えて
熱輻射率が酸化鉄よりも高い0.8程度であるから、シ
ャドウマスク(5)の温度上昇を抑制できるものの、そ
の抑制効果は実測値で25%位であり、パネルのフラッ
ト化、蛍光面ピッチのファイン化が進んでいる近年のカ
ラー陰極線管においては不十分で、シャドウマスクの熱
変形をより小さくすることが要請されている。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、シャドウマスクの温度上昇、熱歪をより一層
抑制して、画質の向上を達成することができるシャドウ
マスク式カラー陰極線管を得ることを目的とする。
たもので、シャドウマスクの温度上昇、熱歪をより一層
抑制して、画質の向上を達成することができるシャドウ
マスク式カラー陰極線管を得ることを目的とする。
c問題点を解決するための手段]
この発明にかかわるシャドウマスク式カラー陰極線管は
、シャドウマスクの電子銃側の表面に形成された電子ビ
ーム反射層の上に、この電子ビーム反射層より輻射率の
大きい熱輻射層を設けたことを特徴とする。
、シャドウマスクの電子銃側の表面に形成された電子ビ
ーム反射層の上に、この電子ビーム反射層より輻射率の
大きい熱輻射層を設けたことを特徴とする。
[作用]
この発明によれば、電子ビーム反射層で反射された残り
の電子ビームの大部分が当該電子ビーム反射層内で熱エ
ネルギに変換されるが、熱輻射層はこの熱エネルギを大
きな輻射率でもって発散させ、シャドウマスクの温度上
昇を抑制する。
の電子ビームの大部分が当該電子ビーム反射層内で熱エ
ネルギに変換されるが、熱輻射層はこの熱エネルギを大
きな輻射率でもって発散させ、シャドウマスクの温度上
昇を抑制する。
[発明の実施例]
以下、この発明の一実施例を図面にもとづいて説明する
。
。
第1図はこの発明の一実施例の要部であるシャドウマス
クの一部拡大断面図で、シャドウマスク(5)は一般に
鉄で構成され、その表面はカラー陰極線管の製造工程中
における酸化を防ぐためにFe30aの酸化膜で覆われ
ている。また、電子ビーム反射層(8)は、たとえば酸
化ビスマスなどを主体にした厚さ1〜3ILmの薄い層
に形成されている。(8)は電子ビーム反射層(8)の
表面に被着された熱輻射層で1例えば黒鉛、グラファイ
トなどの高熱輻射材で、電子ビームが透過できる厚さ。
クの一部拡大断面図で、シャドウマスク(5)は一般に
鉄で構成され、その表面はカラー陰極線管の製造工程中
における酸化を防ぐためにFe30aの酸化膜で覆われ
ている。また、電子ビーム反射層(8)は、たとえば酸
化ビスマスなどを主体にした厚さ1〜3ILmの薄い層
に形成されている。(8)は電子ビーム反射層(8)の
表面に被着された熱輻射層で1例えば黒鉛、グラファイ
トなどの高熱輻射材で、電子ビームが透過できる厚さ。
例えば約17zmに形成されている。
つぎに、上記構成の動作について説明する。
電子銃(8)から発した電子ビームは高電圧により高速
に加速されて、その1部がシャドウマスク(5)の透過
孔(7)を通過し蛍光面に到達する。残りの電子ビーム
は熱輻射層(9)を通過して電子ビーム反射層(8)に
到達し、ここで約40%の電子ビームが反射されて電子
銃側に散乱され、残りの電子ビームの大部分は電子ビー
ム反射層(8)内で熱エネルギに変換される。このとき
、電子ビーム反射層(8)は非常に薄く、したがって熱
、容量が小さいため急激に温度上昇する。
に加速されて、その1部がシャドウマスク(5)の透過
孔(7)を通過し蛍光面に到達する。残りの電子ビーム
は熱輻射層(9)を通過して電子ビーム反射層(8)に
到達し、ここで約40%の電子ビームが反射されて電子
銃側に散乱され、残りの電子ビームの大部分は電子ビー
ム反射層(8)内で熱エネルギに変換される。このとき
、電子ビーム反射層(8)は非常に薄く、したがって熱
、容量が小さいため急激に温度上昇する。
すなわち、電子ビーム反射層(8)をもたないカラー陰
極線管の動作開始時からのビーム移動量、つまりシャド
ウマスク(5)の変位量は、第2図中に特性曲線イで示
したように、最大変形までに5分を要するのに対し、同
一仕様のシャドウマスク(5)の表面に酸化ビスマスに
よる電子ビーム反射層(8)を形成したものでは、第2
図中の特性曲線口で示すように、最大変形量が25%程
度軽減されるものの、最大変形までの所要時間は2.5
分であり、このことは電子ビーム反射層(8)の温度上
昇が急激であることを示し、その結果、シャドウマスク
(5)への伝導および輻射による熱伝導によってシャド
ウマスク(5)の温度が上昇することを示唆している。
極線管の動作開始時からのビーム移動量、つまりシャド
ウマスク(5)の変位量は、第2図中に特性曲線イで示
したように、最大変形までに5分を要するのに対し、同
一仕様のシャドウマスク(5)の表面に酸化ビスマスに
よる電子ビーム反射層(8)を形成したものでは、第2
図中の特性曲線口で示すように、最大変形量が25%程
度軽減されるものの、最大変形までの所要時間は2.5
分であり、このことは電子ビーム反射層(8)の温度上
昇が急激であることを示し、その結果、シャドウマスク
(5)への伝導および輻射による熱伝導によってシャド
ウマスク(5)の温度が上昇することを示唆している。
熱輻射層(3)を設けたこの実施例のカラー陰極線管で
は、第251J中に特性曲線ハで示したように、シャド
ウマスク(5)の熱応力変形の抑朋効来が一層発揮され
た。これは、熱輻射層(9)が、2激に温度が上昇する
電子ビーム反射層(8)の熱エネルギを、効率よく放散
させることを示唆している。
は、第251J中に特性曲線ハで示したように、シャド
ウマスク(5)の熱応力変形の抑朋効来が一層発揮され
た。これは、熱輻射層(9)が、2激に温度が上昇する
電子ビーム反射層(8)の熱エネルギを、効率よく放散
させることを示唆している。
実験によれば、Bi2O3の電子ビーム反射層(8)を
設けた構造では、約25%の熱変形抑制効果が得られた
が、この電子ビーム反射層(8)の上に、高熱輻射物質
(約0.95)である炭素(無定形)、Tie、ニクロ
ムの酸化物等の少なくともいずれかの物質を主成分とし
て熱輻射層(8)を構成したものでは、約50%の同抑
制効果が達成された。
設けた構造では、約25%の熱変形抑制効果が得られた
が、この電子ビーム反射層(8)の上に、高熱輻射物質
(約0.95)である炭素(無定形)、Tie、ニクロ
ムの酸化物等の少なくともいずれかの物質を主成分とし
て熱輻射層(8)を構成したものでは、約50%の同抑
制効果が達成された。
[発明の効果]
以上のように、この発明によればシャドウマスクの電子
ビーム反射層の表面に高い輻射率をもつ物質で薄い熱輻
射層を形成したので、カラー陰極線管の動作中において
電子ビーム反射層内で変換生成される熱を熱輻射層を通
して発散することが出来るので、シャドウマスクの温度
上昇、それに起因する熱応力変形を抑えることができ、
色ずれの小さいカラー陰極線管が得られる効果がある。
ビーム反射層の表面に高い輻射率をもつ物質で薄い熱輻
射層を形成したので、カラー陰極線管の動作中において
電子ビーム反射層内で変換生成される熱を熱輻射層を通
して発散することが出来るので、シャドウマスクの温度
上昇、それに起因する熱応力変形を抑えることができ、
色ずれの小さいカラー陰極線管が得られる効果がある。
第1図はこの発明の一実施例の要部であるシャドウマス
クの一部拡大断面図、第2図はカラー陰極線管の動作開
始からの時間と電子ビームの移動量との関係を示す特性
図、第3図は従来のカラー陰極線管の1部破断側面図、
第4図はそのシャドウマスクの一部拡大断面図である。 (5)・・・シャドウマスク、(7)・・・電子ビーム
透過孔、(8)・・・電子ビーム反射層、(9)・・・
熱輻射層。 なお、各図中、同一符号は同一、または相当部分をす。
クの一部拡大断面図、第2図はカラー陰極線管の動作開
始からの時間と電子ビームの移動量との関係を示す特性
図、第3図は従来のカラー陰極線管の1部破断側面図、
第4図はそのシャドウマスクの一部拡大断面図である。 (5)・・・シャドウマスク、(7)・・・電子ビーム
透過孔、(8)・・・電子ビーム反射層、(9)・・・
熱輻射層。 なお、各図中、同一符号は同一、または相当部分をす。
Claims (1)
- (1)電子銃側の表面に形成された電子ビーム反射層と
、この電子ビーム反射層の表面に当該電子ビーム反射層
より輻射率の大きい物質で形成された薄い熱輻射層とを
有するシヤドウマスクを備えたカラー陰極線管。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP31443987A JPH01157036A (ja) | 1987-12-11 | 1987-12-11 | カラー陰極線管 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP31443987A JPH01157036A (ja) | 1987-12-11 | 1987-12-11 | カラー陰極線管 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01157036A true JPH01157036A (ja) | 1989-06-20 |
Family
ID=18053371
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP31443987A Pending JPH01157036A (ja) | 1987-12-11 | 1987-12-11 | カラー陰極線管 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01157036A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5814928A (en) * | 1995-09-18 | 1998-09-29 | Hitachi, Ltd. | Cathode ray tube having reduced doming effect |
KR20000026831A (ko) * | 1998-10-23 | 2000-05-15 | 구자홍 | 칼라음극선관용 섀도우마스크의 전자반사막 조성물 및 그 형성방법 |
KR20030039845A (ko) * | 2001-11-15 | 2003-05-22 | 씨엘디 주식회사 | 새도우 마스크 및 그의 제조 방법 |
-
1987
- 1987-12-11 JP JP31443987A patent/JPH01157036A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5814928A (en) * | 1995-09-18 | 1998-09-29 | Hitachi, Ltd. | Cathode ray tube having reduced doming effect |
US6246163B1 (en) | 1995-09-18 | 2001-06-12 | Hitachi, Ltd. | Cathode ray tube having bismuth oxide layer on color selective electrode |
US6346291B2 (en) | 1995-09-18 | 2002-02-12 | Hitachi, Ltd. | Method of producing a cathode ray tube |
KR20000026831A (ko) * | 1998-10-23 | 2000-05-15 | 구자홍 | 칼라음극선관용 섀도우마스크의 전자반사막 조성물 및 그 형성방법 |
KR20030039845A (ko) * | 2001-11-15 | 2003-05-22 | 씨엘디 주식회사 | 새도우 마스크 및 그의 제조 방법 |
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