JPH01155347A - Exposing device - Google Patents
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- JPH01155347A JPH01155347A JP62314125A JP31412587A JPH01155347A JP H01155347 A JPH01155347 A JP H01155347A JP 62314125 A JP62314125 A JP 62314125A JP 31412587 A JP31412587 A JP 31412587A JP H01155347 A JPH01155347 A JP H01155347A
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Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体集積回路をはじめとする薄膜集積回路
、電子回路のプリント配線板等の形成に適用されるマス
クパタンを、レジストを塗布した基板上に転写する露光
装置に関するものである。[Detailed Description of the Invention] [Industrial Application Field] The present invention provides a mask pattern applied to the formation of thin film integrated circuits including semiconductor integrated circuits, printed wiring boards of electronic circuits, etc. The present invention relates to an exposure device that transfers images onto a substrate.
一般に半導体集積回路、光集積回路、薄膜トランジスタ
集積回路等、薄膜集積回路や電子回路のプリント配線板
等を形成するために(1)膜堆積技術。In general, (1) film deposition technology is used to form printed wiring boards for thin film integrated circuits and electronic circuits such as semiconductor integrated circuits, optical integrated circuits, and thin film transistor integrated circuits.
(2)マスクパタン転写技術および(3)膜の不用部分
を削除するエツチング技術の3つの技術が必須であシ、
所望の薄膜集積回路等を製造するためKこれらの技術が
繰シ返し使用される。Three technologies are essential: (2) mask pattern transfer technology and (3) etching technology to remove unnecessary parts of the film.
These techniques are used repeatedly to produce desired thin film integrated circuits and the like.
(1)の膜堆積技術は、S1ウエハ、 GaAsウェハ
。The film deposition technology of (1) is S1 wafer, GaAs wafer.
ガラス基板、セラミック基板、ガラスエポキシ基板等の
平坦な基板上に各種材料の膜を均一に堆積する技術であ
る。また、(2)のマスクパタン転写技術は、堆積され
た平坦な膜の上に光(可視光のみならず紫外光や遠紫外
光を含む)に感光するレジストを均一に塗布し、バタン
か描画されている石英ガラス等のフォトマスクを介して
その上に光を当て、所望のバタンをレジスト上に焼きつ
ける技術である。(3)のエツチング技術は、マスクパ
タン転写後、所望のバタン膜を残し不要部分を削除する
技術である。本発明は、上記3つの技術のうちの(2)
のマスクパタン転写技術に適用される露光装置に関する
ものである。This is a technique for uniformly depositing films of various materials on flat substrates such as glass substrates, ceramic substrates, and glass epoxy substrates. In addition, the mask pattern transfer technology (2) uniformly coats a deposited flat film with a resist that is sensitive to light (including not only visible light but also ultraviolet light and deep ultraviolet light), and then draws a pattern with a click. This is a technique in which a desired pattern is printed onto the resist by shining light onto it through a photomask made of quartz glass or the like. The etching technique (3) is a technique for removing unnecessary portions while leaving a desired batten film after transferring a mask pattern. The present invention is based on (2) of the above three techniques.
The present invention relates to an exposure apparatus applied to mask pattern transfer technology.
従来のマスクパタン転写装置としては、マスクパタンと
等しいサイズのバタンを基板上に焼きつける等倍投影露
光装置、フォトマスクと基板とを密着させる密着露光装
置、よシ微細なパタンを形成するためにマスクパタンを
1710等に縮小投影する縮小投影露光装置および大面
積にわたってバタンを焼きつけるため分割して露光する
分割露光装置等がある。いずれの装置も石英ガラス等の
透明な基板上に所望のパタンを電子ビーム等で描画した
フォトマスクを用い、このフォトマスクを介して光をレ
ジストを塗布した基板に露光し、マスクパタンの転写を
行っている。Conventional mask pattern transfer devices include a full-size projection exposure device that prints a pattern of the same size as the mask pattern onto the substrate, a contact exposure device that brings the photomask and substrate into close contact, and a mask pattern transfer device that prints a pattern with the same size as the mask pattern on the substrate. There are reduction projection exposure apparatuses that reduce and project a pattern to 1710, etc., and divisional exposure apparatuses that divide and expose a pattern to print a pattern over a large area. Both devices use a photomask on which a desired pattern is drawn using an electron beam or the like on a transparent substrate such as quartz glass. Light is exposed to the substrate coated with resist through this photomask, and the mask pattern is transferred. Is going.
第5図は半導体集積回路の製造において最も良く使用さ
れている縮小投影露光装置の構成を示す断面図である。FIG. 5 is a sectional view showing the configuration of a reduction projection exposure apparatus most commonly used in the manufacture of semiconductor integrated circuits.
同図に訃いて、縮小投影露光装置本体1内の上部に配設
された光源2からの光は、コンデンサレンズ3.フォト
マスク4.フォトマスクホルダ5および縮小投影系レン
ズ6を順次通してX−YステージT上のウニ八8に到達
する。In the figure, light from a light source 2 disposed at the upper part of the reduction projection exposure apparatus main body 1 is transmitted through a condenser lens 3. Photomask 4. It passes sequentially through the photomask holder 5 and the reduction projection system lens 6 and reaches the sea urchin 8 on the XY stage T.
9は光の光路である。9 is the optical path of light.
通常、半導体集積回路の製造には、上記フォトマスクが
数枚から十数枚必要とし、順次フォトマスク4を交換・
設置する必要がある。このフォトマスク設置操作は、次
のような手順で実施される。Normally, the manufacturing of semiconductor integrated circuits requires several to ten or more photomasks, and the photomasks 4 are replaced and replaced one after another.
It is necessary to install it. This photomask installation operation is performed in the following steps.
即チ、まず、フォトマスク4をフォトマスクホルダ5に
所定の寸法精度を維持して固定する。次に上記フォトマ
スク4を固定したフォトマスクホルダ5を縮小投影露光
装置本体1に所定の精度で位置合わせし、固定設置する
。々お、縮小投影露光装置の種類によっては、フォトマ
スクホルダ5がなく、フォトマスク4を同装置本体1に
直接設置する方式のものもある。First, the photomask 4 is fixed to the photomask holder 5 while maintaining a predetermined dimensional accuracy. Next, the photomask holder 5 to which the photomask 4 is fixed is aligned with the reduction projection exposure apparatus main body 1 with a predetermined accuracy and fixedly installed. Depending on the type of reduction projection exposure apparatus, there are those in which the photomask holder 5 is not provided and the photomask 4 is directly installed in the apparatus main body 1.
従来の露光装置で半導体集積回路等の薄膜集積回路を製
造するには、−枚数中万円から数百万円のフォトマスク
4を数枚から十数枚を必要とし、大変不経済なばかルで
なく、フォトマスク4の製作に数日から数週間を要し、
製造に入ってからもフォトマスク4の交換・設置に時間
を要するという問題があった。また、フォトマスク4の
設置精度が所望の精度内で行われなかった場合には、複
数のマスク間の位置関係に不都合を生じ、製造後の薄膜
集積回路が正常に動作しない結果となシ、フォトマスク
4の設置精度が歩留に影響する問題もあつ九。さらにマ
スク交換を頻繁に行わなければならないため、フォトマ
スク4をごみの入らない密閉構造の中に設置できず、フ
ォトマスク4上におちたごみが欠陥の発生原因となシ、
歩留を低下させる場合が生じるという問題があった。In order to manufacture thin film integrated circuits such as semiconductor integrated circuits using conventional exposure equipment, it is necessary to use several to ten or more photomasks 4, each costing between 10,000 yen and several million yen, which is extremely uneconomical and expensive. Instead, it takes several days to several weeks to make photomask 4,
There was a problem in that even after manufacturing began, it took time to replace and install the photomask 4. Furthermore, if the photomask 4 is not placed within the desired accuracy, the positional relationship between the multiple masks may become inconvenient, resulting in the thin film integrated circuit not operating properly after manufacturing. There is also the problem that the installation accuracy of the photomask 4 affects the yield. Furthermore, since the mask must be replaced frequently, the photomask 4 cannot be installed in a sealed structure that does not allow dust to enter, and dust that falls on the photomask 4 may cause defects.
There is a problem in that the yield may be lowered.
本発明の目的は、高価で製作に長期間を要し、交換・設
置操作が必要なフォトマスクを除去し、経済的でマスク
合わせ操作が不要で、かつ高歩留シが得られる露光装置
を提供することにある。The purpose of the present invention is to eliminate photomasks that are expensive, take a long time to manufacture, and require replacement and installation operations, and to provide an exposure apparatus that is economical, does not require mask alignment operations, and provides high yields. It is about providing.
本発明は、マスクパタン転写装置としてフォトマスクの
代わシに透過形平面ディスプレイを用いたものである。The present invention uses a transmissive flat display instead of a photomask as a mask pattern transfer device.
本発明においては、透過形平面ディスプレイ上に描画し
た表示画像をマスクパタンとしてレジストを塗布した基
板上に該表示画像が転写される。In the present invention, a display image drawn on a transmissive flat display is used as a mask pattern, and the display image is transferred onto a substrate coated with resist.
以下、本発明の実施例について図面を用いて説明する。 Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
第1図は本発明による露光装置の一実施例を示す断面構
成図であシ、前述の図と同一部分には同一符号を付しで
ある。同図において、縮小投影露光装置本体1の内部に
配設されたコンデンサレンズ3と縮小投影系レンズ6と
の間の光路上には、マトリクス駆動形の透過形液晶ディ
スプレイ10が配設され、さらにこの露光装置本体1の
外部には上記透過形液晶ディスプレイ10を駆動し描画
データを送出する制御装置11が配設されて両者間がイ
ンタフェース線12によシミ気的に接続されている。ま
た、この露光装置本体1の内部に配設されたコンデンサ
レンズ3および透過形液晶ディスプレイ10の周辺部に
は、ごみの浸入を遮断する密閉板13がそれぞれ配設さ
れている。FIG. 1 is a sectional view showing an embodiment of an exposure apparatus according to the present invention, and the same parts as in the previous figures are given the same reference numerals. In the figure, a matrix-driven transmissive liquid crystal display 10 is disposed on the optical path between a condenser lens 3 and a reduction projection system lens 6 disposed inside a reduction projection exposure apparatus main body 1, and further A control device 11 for driving the transmissive liquid crystal display 10 and transmitting drawing data is disposed outside the exposure apparatus main body 1, and the two are airtightly connected by an interface line 12. Furthermore, sealing plates 13 are provided around the condenser lens 3 and the transmissive liquid crystal display 10 disposed inside the exposure apparatus main body 1 to prevent dust from entering.
第2図は上述したマ) IJクス駆動形の透過形液晶デ
ィスプレイ10の構造を示す断面図である。FIG. 2 is a sectional view showing the structure of the above-mentioned IJ drive type transmissive liquid crystal display 10. As shown in FIG.
同図において、20はTN液晶層、21a 、21bは
TN液晶層20内の液晶分子を90度ねじって配向する
分子配向層、22m 、 22bは透明電極、23はア
クティブマトリクスを構成する薄膜トランジスタ(TP
T)層、24& 、 24bは透光性ガラス基板、25
はTN液晶層20を密封する周辺封人材、26m 、
26bは偏光方向が互いに90度異なる偏光板である。In the figure, 20 is a TN liquid crystal layer, 21a and 21b are molecular alignment layers that twist and align the liquid crystal molecules in the TN liquid crystal layer 20, 22m and 22b are transparent electrodes, and 23 is a thin film transistor (TP) constituting an active matrix.
T) layer 24 & , 24b is a transparent glass substrate 25
is the peripheral sealing personnel for sealing the TN liquid crystal layer 20, 26m;
26b is a polarizing plate whose polarization directions are different from each other by 90 degrees.
このような構成において、マトリクスの各交点に対応す
る液晶セルに電界が印加されると、液晶分子は電界の方
向と並び、偏光板zsa 、 26bと垂直となるため
、TN液晶層20に入射した光は、下部偏光板26bに
遮ぎられ、液晶ディスプレイ10を透過できない。一方
、電界が印加されていない液晶セルでは上部偏光板26
mを通過してきた光は、液晶分子の配列状態に沿って進
行し、90度ねじれて下部偏光板26bに到達し、その
tま偏光板26bを通過する。すなわち、電界が印加さ
れていない場合、光は液晶セルを透過することができる
。In such a configuration, when an electric field is applied to the liquid crystal cell corresponding to each intersection of the matrix, the liquid crystal molecules are aligned with the direction of the electric field and perpendicular to the polarizing plates zsa, 26b, so that the liquid crystal molecules incident on the TN liquid crystal layer 20 are The light is blocked by the lower polarizing plate 26b and cannot pass through the liquid crystal display 10. On the other hand, in a liquid crystal cell to which no electric field is applied, the upper polarizing plate 26
The light that has passed through m travels along the alignment state of the liquid crystal molecules, is twisted by 90 degrees, reaches the lower polarizing plate 26b, and passes through the polarizing plate 26b for the tth time. That is, when no electric field is applied, light can pass through the liquid crystal cell.
次に第1図の動作を半導体集積回路の製造プロ七スを例
に説明する。まず、該半導体集積回路を製造するために
必要な全てのマスクについてそのバタンデータを制御装
置11内のメモリに蓄積し、最初のマスクのバタンデー
タを制御装置11からインタフェース線12を通して透
過形液晶ディスプレイ10に送出し、アクティブマトリ
クス駆動液晶ディスプレイの動作原理にしたがって透過
形液晶ディスプレイ10上に最初のマスクパタンを描画
する。その状態で、光源2から光を照射し、透過形液晶
ディスプレイ10上のパタンをマスクとしてウニ八8上
に最初のパタンを焼きつける。量産の場合はウェハ8を
取シ換えながら、同様の方法で投影露光を繰シ返す。そ
の後、最初のマスクパタン転写済のウェハ8にエツチン
グ処理なシ、膜堆積処理なシ、洗浄処理なシを施した後
、レジストを塗布して再び同図のように本露光装置に設
置する。この後、最初のフォトマスク4で行ったと同様
の処理を2枚目のマスクについて繰シ返す。Next, the operation shown in FIG. 1 will be explained using a semiconductor integrated circuit manufacturing process as an example. First, the button data for all the masks necessary for manufacturing the semiconductor integrated circuit is stored in the memory in the control device 11, and the button data for the first mask is sent from the control device 11 to the transmissive liquid crystal display via the interface line 12. 10, and a first mask pattern is drawn on the transmissive liquid crystal display 10 according to the operating principle of an active matrix liquid crystal display. In this state, light is irradiated from the light source 2 to print a first pattern on the sea urchin 8 using the pattern on the transmissive liquid crystal display 10 as a mask. In the case of mass production, projection exposure is repeated in the same manner while replacing the wafer 8. Thereafter, the wafer 8 to which the first mask pattern has been transferred is subjected to etching processing, film deposition processing, and cleaning processing, after which a resist is applied and the wafer 8 is again installed in the exposure apparatus as shown in the same figure. Thereafter, the same process as performed for the first photomask 4 is repeated for the second mask.
すなわち、制御装置11から2枚目のマスクのバタンデ
ータを透過形液晶ディスプレイ10に送出し、この透過
形液晶ディスプレイ1θ上に2枚目のマスクパタンを描
画し、これをウニ八8上に再び焼きつける。以下同様に
最後のマスクまで露光処理を繰シ返す。That is, the control device 11 sends the button data for the second mask to the transmissive liquid crystal display 10, draws the second mask pattern on the transmissive liquid crystal display 1θ, and draws this pattern again on the sea urchin 8. Burn it. The exposure process is repeated in the same manner until the last mask.
このような構成によると、実際にフォトマスクを製作す
る必要が全くなく、また何枚マスクが必要であろうとも
、マスクの交換・設置が不要である。また、透過形液晶
ディスプレイ10上に各マスク共通の座標原点を定め、
それを基準にすべてΩマスクを描画すれば、マスクずれ
を生ずることなく、各マスクパタンを透過形液晶ディス
プレイ10上に描画させることができる。さらにマスク
交換が不要であるため、透過形液晶ディスプレイ10を
密閉構造の中に封じ込め、ごみから保護することができ
歩留シを大幅に向上させることができる。With this configuration, there is no need to actually manufacture photomasks, and no matter how many masks are needed, there is no need to replace or install masks. In addition, a common coordinate origin for each mask is determined on the transmissive liquid crystal display 10,
If all Ω masks are drawn based on this, each mask pattern can be drawn on the transmissive liquid crystal display 10 without causing mask displacement. Furthermore, since there is no need to replace masks, the transmissive liquid crystal display 10 can be enclosed in a sealed structure and protected from dust, thereby significantly improving yield.
第3図は本発明による露光装置の他の実施例を示す構成
の断面図であり、前述の図と同一部分には同一符号を付
しである。同図において第1図と異なる点は、コンデン
サレンズ3と縮小投影系レンズ6との間の光路上には、
熱書込み相転移形の透過形液晶ディスプレイ14および
ハーフミラ−15が配設され、さらにハーフミラ−15
に対向してバタン書込み機構16が配設されている。ま
た、この露光装置本体1の外部には熱書込み制御装置1
7およびバタン消去回路18が設けられ、それぞれイン
タフェースM12によシミ気的に接続されている。FIG. 3 is a cross-sectional view of the structure of another embodiment of the exposure apparatus according to the present invention, and the same parts as in the previous figures are given the same reference numerals. The difference between this figure and FIG. 1 is that on the optical path between the condenser lens 3 and the reduction projection system lens 6,
A thermal writing phase change type transmissive liquid crystal display 14 and a half mirror 15 are provided, and the half mirror 15
A slam writing mechanism 16 is disposed opposite to. Also, a thermal writing control device 1 is provided outside the exposure apparatus main body 1.
7 and a button erase circuit 18 are provided, each of which is electrically connected to the interface M12.
第4図は上述した熱書込み相転移形の透過形液晶ディス
プレイ14の断面構造図である。同図に訃いて、30は
スメテイック液晶またはコレステリック液晶を規則的に
配列した液晶層、31m。FIG. 4 is a cross-sectional structural diagram of the thermal writing phase change type transmission type liquid crystal display 14 described above. In the figure, 30 is a liquid crystal layer 31m in which smethic liquid crystals or cholesteric liquid crystals are regularly arranged.
31bは透明電極、32m 、 32bは透光性ガラス
基板である。31b is a transparent electrode, and 32m and 32b are transparent glass substrates.
このような構成において、熱書込み相転移形の液晶ディ
スプレイの表示原理は液晶層30内の液晶分子が規則的
配列状態にあるときは、入力光33は液晶層30を透過
し、投影光34として外部に出ていくが、レーザビーム
35で照射され、液晶分子配列が乱された所は光散乱状
態となシ、入力光33は液晶層30を透過できない。こ
のような原理でレーザビーム35の照射走査によシ、液
晶層30上にマスクパタンの描画が可能となる。また、
透明電極31m 、 31b間に交流電圧をかけること
により、−度描画した画像を消去し、液晶層30をもと
の規則的配列状態に戻すことができる。In such a configuration, the display principle of the thermal writing phase change type liquid crystal display is that when the liquid crystal molecules in the liquid crystal layer 30 are in a regular arrangement state, the input light 33 is transmitted through the liquid crystal layer 30 and is projected as projection light 34. However, the input light 33 cannot pass through the liquid crystal layer 30 because the input light 33 is not transmitted through the liquid crystal layer 30 because it is irradiated with the laser beam 35 and the alignment of the liquid crystal molecules is disturbed. Based on this principle, a mask pattern can be drawn on the liquid crystal layer 30 by irradiation scanning with the laser beam 35. Also,
By applying an alternating current voltage between the transparent electrodes 31m and 31b, the drawn image can be erased and the liquid crystal layer 30 can be returned to its original regularly arranged state.
次に、第3図の本発明による露光装置の動作を、第1図
と同様に半導体集積回路のプロセスを例に説明する。ま
ず、該半導体集積回路を製造するために必要な全てのマ
スクについてそのパタンデータを熱書込み制御装置17
に蓄積し、最初のマスクのバタンデータをバタン書込み
機構16に送出する。このバタン書込み機構16ではそ
のバタンデータにしたがってレーザビーム35による照
射走査を行い、レーザビーム35をバー7ミ9−15で
反射させながら、熱書込み相転移形の透過形液晶ディス
プレイ14上に最初のマスクパタンを描画する。その状
態で光源2から光を照射し、透過形液晶ディスプレイ1
4上のパタンをウェハ8上に転写する。量産の場合は、
ウニへ8を取シ換えながら、同様の方法で投影露光を繰
シ返す。その後、最初のマスクパタン転写済のウニへに
各種処理を施した後、再び本露光装置に設置し、熱書込
み制御装置17からパタン消去回路18に指令を発し、
透過形液晶ディスプレイ14上の以前のパタンを消去す
る。しかる後に熱書込み制御装置17からバタン書込み
機構16に2枚目のマスクのバタンデータを送出し、透
過形液晶ディスプレイ14上にそのパタンを描画し、該
ウェハ8上に転写する。以下同様に3枚目以降のマスク
についても露光操作を繰シ返す。ここで投射光の光路上
にあるハーフミラ−15は、投射光を透過させることが
でき特に問題ない。Next, the operation of the exposure apparatus according to the present invention shown in FIG. 3 will be explained using the semiconductor integrated circuit process as an example, similar to FIG. 1. First, the thermal writing control device 17 transfers pattern data for all masks necessary for manufacturing the semiconductor integrated circuit.
and sends the first mask's baton data to the baton writing mechanism 16. The button writing mechanism 16 performs irradiation scanning with the laser beam 35 according to the button data, and while the laser beam 35 is reflected by the bar 7mi 9-15, the first image is written on the thermal writing phase change transmissive liquid crystal display 14. Draw a mask pattern. In this state, light is irradiated from the light source 2, and the transmissive liquid crystal display 1 is
The pattern on 4 is transferred onto wafer 8. For mass production,
Repeat the projection exposure in the same manner while replacing 8 with the sea urchin. Thereafter, after performing various processes on the sea urchin to which the first mask pattern has been transferred, it is placed in the main exposure apparatus again, and a command is issued from the thermal writing control device 17 to the pattern erasing circuit 18.
The previous pattern on the transmissive liquid crystal display 14 is erased. Thereafter, the thermal writing control device 17 sends the baton data of the second mask to the baton writing mechanism 16, and the pattern is drawn on the transmissive liquid crystal display 14 and transferred onto the wafer 8. Similarly, the exposure operation is repeated for the third and subsequent masks. Here, the half mirror 15 located on the optical path of the projected light can transmit the projected light without any particular problem.
なお、前述した第1図の実施例では、液晶ディスプレイ
のアドレッシング方式がマトリクスアドレッシング方式
であるため、描画像はドツトの集合体で表現され、縮小
投影しないと隣接ドツトが重なシ合った連続線や一面黒
の任意のパタンを表現できなかったが、第3図の実施例
では、アドレッシング方式がレーザビームによる走査方
式であるため、液晶ディスプレイ上に連続した線や一面
黒の任意のパタンを描画でき、等倍投影露光方式。In the embodiment shown in FIG. 1 described above, since the addressing method of the liquid crystal display is a matrix addressing method, the drawn image is expressed as a collection of dots, and unless it is reduced and projected, it will be a continuous line with overlapping adjacent dots. However, in the embodiment shown in Figure 3, the addressing method is a scanning method using a laser beam, so it is possible to draw continuous lines or any arbitrary pattern that is all black on the liquid crystal display. 1-size projection exposure method.
密着露光方式、縮小投影露光方式の何れにも適用可能で
ある。また、第3図の構成においても、従来のフォトマ
スクの製作が不要、マスクの交換・設置が不要で、透過
形液晶ディスプレイを密閉し、ごみから保膿できること
は言うまでもない。It is applicable to both a contact exposure method and a reduction projection exposure method. It goes without saying that in the configuration shown in FIG. 3, there is no need to manufacture a conventional photomask, there is no need to replace or install a mask, and the transmissive liquid crystal display can be sealed and kept from dust.
また、前述した実施例では、透過形平面ディスプレイと
して、アクティブマトリクス駆動の透過形液晶ディスプ
レイと熱書込み相転移形の透過形液晶ディスプレイとを
例に本発明の詳細な説明してきたが、透過形でコントラ
スト比の高い平面ディスプレイであれば、上記以外の単
純マトリクス形液晶ディスプレイでも、強誘電性液晶デ
ィスプレイでも、さらKその他の平面ディスプレイであ
っても、上記2例と同様に本発明の露光装置に使用でき
る。Further, in the above-mentioned embodiments, the present invention has been explained in detail using an active matrix driven transmissive liquid crystal display and a thermal writing phase change type transmissive liquid crystal display as examples of transmissive flat displays. As long as it is a flat display with a high contrast ratio, whether it is a simple matrix liquid crystal display other than the above, a ferroelectric liquid crystal display, or another flat display, the exposure apparatus of the present invention can be used in the same manner as in the above two examples. Can be used.
以上説明したように本発明による露光装置は、透過形平
面ディスプレイ上に必要なマスクパタンを描画し、その
表示画像をマスクパタンとして用いたことKよシ、半導
体集積回路、光集積回路。As explained above, the exposure apparatus according to the present invention draws a necessary mask pattern on a transmissive flat display and uses the displayed image as a mask pattern, a semiconductor integrated circuit, and an optical integrated circuit.
TPT集積回路等の薄膜集積回路や電子回路のプリント
配線板、セラミック配線板等の厚膜集積回路等の品種毎
に数枚から十数枚ずつ製作していた従来のフォトマスク
が不要となシ、以下のような極めて優れた効果が得られ
る。This system eliminates the need for conventional photomasks, which were manufactured in batches of several to ten or more for each type of thin film integrated circuits such as TPT integrated circuits, printed wiring boards for electronic circuits, and thick film integrated circuits such as ceramic wiring boards. , the following extremely excellent effects can be obtained.
第1は、高価で製造に数週間を要するフォトマスクを全
く製作する必要がなく、上記薄膜集積回路等の開発費お
よびに製品コストを大幅に低減できるとともに開発期間
本また大幅に短縮できる。First, there is no need to manufacture photomasks that are expensive and take several weeks to manufacture, and the development costs and product costs for the thin film integrated circuits and the like can be significantly reduced, and the development period can also be significantly shortened.
第2は、薄膜集積回路等の製造段階において、従来フォ
トマスクを交換する毎に必要であったフォトマスクとフ
ォトマスクホルダとの間のアライメント操作およびフォ
トマスクホルダと投影露光装置本体との間の7ライメン
ト操作を一切省略することができ、製造時間を大幅に短
縮できる。The second problem is the alignment operation between the photomask and photomask holder, which was previously required every time the photomask was replaced, and the alignment operation between the photomask holder and the projection exposure equipment main body during the manufacturing stage of thin film integrated circuits. 7. It is possible to omit any alignment operation, and the manufacturing time can be significantly shortened.
第3は、透過形平面ディスプレイの特定の座標位置を各
マスクパタンの共通の座標原点とすることによシ、パタ
ン間の位置ずれが生ぜず、従来のマスク合わせエラーに
よる歩留の低下を回避できる0
第4は、透過多平面ディスプレイをごみの入らない密閉
構造の中に設置でき、薄膜集積回路等の製造歩留シを大
幅に向上させ、製品のコストを大幅に低減させることが
できる。Third, by using a specific coordinate position of the transmissive flat display as a common coordinate origin for each mask pattern, positional deviations between patterns do not occur, and the decrease in yield due to conventional mask alignment errors is avoided. Fourth, the transmissive multi-plane display can be installed in a sealed structure that does not allow dust to enter, greatly improving the manufacturing yield of thin film integrated circuits and the like, and significantly reducing the cost of the product.
第5は、描画バタンの修正が必要となった場合でも、実
際にフォトマスクを製作することなく、制御装置内のメ
モリーに記憶されているバタンデータを修正することで
容易に対処でき、薄膜集積回路等の検証試作のターンア
ラウンドタイムを大幅に短縮できる。Fifth, even if it becomes necessary to modify the drawing pattern, it can be easily handled by modifying the pattern data stored in the memory in the control device, without actually manufacturing a photomask. The turnaround time for verification prototypes of circuits, etc. can be significantly shortened.
第1図は本発明による露光装置の一実施例を示す透過多
平面ディスプレイとしてアクティブマトリクス駆動の透
過形液晶ディスプレイを用いた構成の断面図、第2図は
アクティブマトリクス駆動の透過形液晶ディスプレイの
要部拡大断面図、第3図は本発明による露光装置の他の
実施例を示す透過多平面ディスプレイとして熱書込み相
転移形の透過形ディスプレイを用いた構成の断面図、第
4図は熱書込み相転移形の透過形ディスプレイの要部拡
大断面図、第5図は従来の縮小投影露光装置の構成を示
す断面図である。
1・・・e縮小投影露光装置本体、2φ・・・光源、3
−−−−コンデンサレンズ、6#−・・縮小投影系レン
ズ、T・・拳・X−Yステージ、8・・−・ウェハ、9
・・・・光路、10・・・・マ) IJクス駆動形の透
過形液晶ディスプレイ、11・・・・制御装置、12・
・・・インタフェース線、13・・・・密閉板、14・
・・・熱書込み相転移形の透過形液晶ディスプレイ、1
5・・・・ハーフミラ−116・・・・バタン書込み機
構、1T・・・・熱書込み制御装置、18・・・・バタ
ン消去回路、20・・・・TN液晶層、21m、21b
・・・・分子配向層、22a、22bIIII・・透明
電極、23・嗜・嗜薄膜トランジスタ(TPT )層、
24m 、 24b・・・・透光性ガラス基板、25・
・・・周辺対人材、zsa 、 26b・−・・偏光板
、30・・・・スメティック液晶またはコレステリック
液晶を規則的に配列し九液晶層、31m。
31b・・・・透明電極、32m 、 32b・・・・
透光性ガラス基板、33・・・・入力光、34・・・・
投影光、35@−・・レーザビーム。
特許出願人 日本電信電話株式会社FIG. 1 is a sectional view of a structure using an active matrix driven transmissive liquid crystal display as a transmissive multi-plane display showing an embodiment of an exposure apparatus according to the present invention, and FIG. 2 is a schematic diagram of an active matrix driven transmissive liquid crystal display. FIG. 3 is a cross-sectional view of a configuration using a thermal writing phase change type transmission type display as a transmission multi-plane display showing another embodiment of the exposure apparatus according to the present invention, and FIG. FIG. 5 is an enlarged cross-sectional view of a main part of a transmissive display of a transition type, and is a cross-sectional view showing the configuration of a conventional reduction projection exposure apparatus. 1... e reduction projection exposure apparatus main body, 2φ... light source, 3
-----Condenser lens, 6#---Reduction projection system lens, T...Fist/X-Y stage, 8...Wafer, 9
... optical path, 10... ma) IJ drive type transmissive liquid crystal display, 11... control device, 12...
...Interface line, 13... Sealing plate, 14.
...Thermal writing phase change type transmissive liquid crystal display, 1
5... Half mirror 116... Bang writing mechanism, 1T... Thermal writing control device, 18... Bang erasing circuit, 20... TN liquid crystal layer, 21m, 21b
...Molecular orientation layer, 22a, 22bIII...Transparent electrode, 23. Thin film transistor (TPT) layer,
24m, 24b...transparent glass substrate, 25.
...Peripheral human resources, zsa, 26b...Polarizing plate, 30...Nine liquid crystal layers with regularly arranged smectic liquid crystal or cholesteric liquid crystal, 31m. 31b...Transparent electrode, 32m, 32b...
Transparent glass substrate, 33... input light, 34...
Projection light, 35@-...Laser beam. Patent applicant Nippon Telegraph and Telephone Corporation
Claims (1)
転写を行なうマスクパタン転写装置を備えた露光装置に
おいて、前記マスクパタン転写装置を、表示画像をマス
クパタンとして描画する透過形平面ディスプレイとした
ことを特徴とする露光装置。In an exposure apparatus equipped with a mask pattern transfer device that transfers a mask pattern by exposing a substrate coated with a resist, the mask pattern transfer device is a transmissive flat display that draws a display image as a mask pattern. Characteristic exposure equipment.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62314125A JPH01155347A (en) | 1987-12-14 | 1987-12-14 | Exposing device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62314125A JPH01155347A (en) | 1987-12-14 | 1987-12-14 | Exposing device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01155347A true JPH01155347A (en) | 1989-06-19 |
Family
ID=18049544
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62314125A Pending JPH01155347A (en) | 1987-12-14 | 1987-12-14 | Exposing device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01155347A (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0293536A (en) * | 1988-09-30 | 1990-04-04 | Nec Yamagata Ltd | Liquid crystal mask for producing semiconductor device |
JP2018536193A (en) * | 2015-11-09 | 2018-12-06 | マクダーミッド グラフィックス ソリューションズ エルエルシー | Method and apparatus for making a liquid flexographic printing plate |
-
1987
- 1987-12-14 JP JP62314125A patent/JPH01155347A/en active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0293536A (en) * | 1988-09-30 | 1990-04-04 | Nec Yamagata Ltd | Liquid crystal mask for producing semiconductor device |
JP2018536193A (en) * | 2015-11-09 | 2018-12-06 | マクダーミッド グラフィックス ソリューションズ エルエルシー | Method and apparatus for making a liquid flexographic printing plate |
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