JPH01149960A - Ion implantation device - Google Patents
Ion implantation deviceInfo
- Publication number
- JPH01149960A JPH01149960A JP30852887A JP30852887A JPH01149960A JP H01149960 A JPH01149960 A JP H01149960A JP 30852887 A JP30852887 A JP 30852887A JP 30852887 A JP30852887 A JP 30852887A JP H01149960 A JPH01149960 A JP H01149960A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- power source
- ion
- source
- acceleration
- accelerating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 title abstract description 12
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims abstract description 13
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims abstract description 11
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 63
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 claims description 60
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims description 19
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000004949 mass spectrometry Methods 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 230000007248 cellular mechanism Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000007943 implant Substances 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、イオン源から引き出したイオンを加速してタ
ーゲットヘ注入するイオン注入装置に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (Field of Industrial Application) The present invention relates to an ion implantation apparatus that accelerates ions extracted from an ion source and implants them into a target.
（従来の技術）
従来、イオン注入装置として、第１図示のように、イオ
ン源ａからシリコンウェハ等のターゲットｂへ向うイオ
ンビーム経路Ｃの途中に、多段の電極と絶縁物で構成さ
れ加速電源ｄにより電位差が与えられた加速管ｅを設け
、該加速電源ｄとイオン源ａを引出電源ｆを介して直列
に接続し、該イオン源ａから引出したイオンのエネルギ
ーを該加速管ｅにより制御してターゲットｂヘイオン注
入するようにしたものが知られている。これに於いて、
イオン源ａ１引出電源ｆや質量分析マグネットｇ等をボ
ックス状の高電圧ターミナルｈ内に収納し、該高電圧タ
ーミナルｈの外周を接地されたグランドエンクロージャ
ーｌで更に覆い、該高電圧ターミナルｈ及びグランドエ
ンクロージャー１間に前記加速管ｅ、加速型［ｄ及びイ
オン源ａを真空排気するための多段の電極及び絶縁物で
構成されたボンビングチューブｊを設け、該高電圧ター
ミナルｈ及びグランドエフロ−ジャーｉを母線として加
速電源ｄと引出型［ｆと加速管ｅの電気回路が構成され
る。(Prior Art) Conventionally, as shown in FIG. 1, an ion implantation apparatus has been equipped with an accelerating power source, which is composed of multiple electrodes and insulators, in the middle of an ion beam path C from an ion source a to a target b such as a silicon wafer. An acceleration tube e given a potential difference by d is provided, the acceleration power source d and the ion source a are connected in series via an extraction power source f, and the energy of the ions extracted from the ion source a is controlled by the acceleration tube e. There is a known method in which target b hay ions are injected. In this regard,
The ion source a1 extraction power supply f, mass spectrometry magnet g, etc. are housed in a box-shaped high voltage terminal h, and the outer periphery of the high voltage terminal h is further covered with a grounded enclosure l, which connects the high voltage terminal h and the ground. A bombing tube j composed of multi-stage electrodes and insulators for evacuating the acceleration tube e, the acceleration type [d and the ion source a] is provided between the enclosure 1, and the high voltage terminal h and the ground effluent An electric circuit is constructed with i as a bus bar, an accelerating power source d, a drawer type f, and an accelerating tube e.
ｋは加速管ｅの各段に均等な電場を形成させるための抵
抗器、ｌはボンピングチューブｊの各段に均等な電場を
形成させるための抵抗器、ｍは引出電源出カケープル、
ｎは加速電源出カケープル、０はイオン源ａと引出電極
を絶縁する絶縁碍子、ｐはイオンビームを示す。k is a resistor for forming a uniform electric field in each stage of the accelerating tube e, l is a resistor for forming a uniform electric field in each stage of the bombing tube j, m is a power source output cable,
n indicates an acceleration power supply output cable, 0 indicates an insulator that insulates the ion source a and the extraction electrode, and p indicates an ion beam.
この第１図示の装置では、イオン源ａから引き出された
イオンは、アースレベルのグランドエンクロージャーｉ
に設置しである加速電源ｄの電圧と、高電圧ターミナル
ｈに設置しである引出電源ｆの電圧の和に応じた比較的
高いエネルギーが与えられ、ターゲットｂに高いイオン
エネルギーでイオン注入を行なえる。In this first illustrated apparatus, ions extracted from an ion source a are placed in a ground enclosure i at earth level.
Relatively high energy is given according to the sum of the voltage of the accelerating power supply d installed at Ru.
ターゲットｂに引出電圧以下の低電圧で加速した低いイ
オンエネルギーでイオン注入を行なう場合、第２図示の
ように加速電源ｄの出カケープルｎをイオンｆｉａに接
続し、エネルギー安定化のために加速管ｅ及びボンピン
グチューブｊに配置した抵抗器に、ｌを取外して電気的
に高電圧ターミナルｈとグランドエンクロージャー１間
を絶縁状態として使用する。この場合のイオンエネルギ
ーは加速電源ｄの電圧で決定され、該加速電源ｄの電圧
と引出電源ｆの電圧との差だけ加速管ｅ内でイオンが減
速される。該高電圧ターミナルｈはアースレベルより電
圧の差の分マイナス側の電位を与えられることになる。When implanting ions into target b with low ion energy accelerated at a low voltage below the extraction voltage, connect the output cable n of the acceleration power source d to the ion fia as shown in the second diagram, and connect the acceleration tube to stabilize the energy. The resistors 1 and 1 are removed from the resistors placed in the pumping tubes j and e, and used to electrically insulate between the high voltage terminal h and the ground enclosure 1. The ion energy in this case is determined by the voltage of the acceleration power source d, and the ions are decelerated within the acceleration tube e by the difference between the voltage of the acceleration power source d and the voltage of the extraction power source f. The high voltage terminal h is given a potential on the negative side by the difference in voltage from the ground level.
こうしたイオン注入装置の使い方はデイセル機構と呼ば
れている。This method of using an ion implanter is called a day cell mechanism.
（発明が解決しようとする問題点）
前記のように引出電圧以下の低電圧でイオンを加速した
い場合、高電圧ターミナルｈ即ち加速電源ｄと引出電源
ｆを結ぶ回路がマイナス電位になるため、従来のイオン
注入装置では環境雰囲気からのリーク電流がアース側よ
り高電圧ターミナルｈに流れ込み、高電圧ターミナルｈ
はアースレベルまである時間内電位が上昇し、その結果
イオンのエネルギーが不安定になり、ターゲットに対す
るイオン注入状態が悪くなる問題があった。(Problems to be Solved by the Invention) As mentioned above, when it is desired to accelerate ions at a low voltage lower than the extraction voltage, the high voltage terminal h, that is, the circuit connecting the acceleration power source d and the extraction power source f has a negative potential. In the ion implanter, leakage current from the environmental atmosphere flows from the ground side to the high voltage terminal h.
There was a problem in that the potential rose to the ground level within a certain period of time, resulting in unstable ion energy and poor ion implantation conditions into the target.
また低電圧でイオンを加速するために回路の接続を変更
し、抵抗器に％ｌを取外す作業が煩わしい不都合がある
。Further, in order to accelerate ions at low voltage, the circuit connection must be changed and the %l must be removed from the resistor, which is troublesome.
本発明は、こうした問題点を解消し、簡単な操作で安定
した低電圧でのイオンの加速を行なえるイオン注入装置
を提供することを目的とするものである。SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to solve these problems and provide an ion implantation device that can perform stable ion acceleration at low voltage with simple operation.
（問題点を解決するための手段）
本発明では、イオン源からターゲットヘ向うイオンビー
ム経路の途中に、加速電源により電位が与えられる加速
管を設け、該加速電源とイオン源の電源端子を引出電源
を介して直列に接続し、該イオン源から引出したイオン
のエネルギーを該加速管により制御してターゲットヘイ
オン注入するようにしたものに於いて、該加速電源と引
出電源を結ぶ回路に、該加速管と加速電源の接続を遮断
すると共に該加速電源をイオン源の電源端子へ接続し、
更に該イオン源の電源端子を抵抗器を介して該加速電源
へダミー電流を流すショーテイング機構へと接続する選
択スイッチを設けることにより、前記問題点を解決する
ようにした。(Means for Solving the Problems) In the present invention, an acceleration tube to which a potential is applied by an acceleration power source is provided in the middle of the ion beam path from the ion source to the target, and the acceleration power source and the power terminal of the ion source are connected to each other. In a circuit that connects the acceleration power source and the extraction power source in series through a power source, and injects the target heyon by controlling the energy of ions extracted from the ion source using the acceleration tube, cutting off the connection between the acceleration tube and the acceleration power source, and connecting the acceleration power source to the power terminal of the ion source;
Furthermore, the above problem is solved by providing a selection switch that connects the power supply terminal of the ion source to a shorting mechanism that flows a dummy current to the acceleration power supply via a resistor.
（作 用）
該イオン源に於いて発生するイオンは、加速電源と引出
電源が直列に接続されている状態では両型源の電圧の和
に応じた比較的高いエネルギーが与えられ、ターゲット
に高いイオンエネルギーでイオン注入を行なえる。ター
ゲットに低いイオンエネルギーでイオン注入するときは
選択スイッチが操作され、これによって加速管と加速電
源との接続が断たれ、代わってイオン源の電源端子と加
速電源とが接続され、同時に該イオン源の電源端子が抵
抗器を介してショーテイング機構へと接続される。イオ
ン源から引出されたイオンは引出電源と加速電源との差
だけ加速管内で減速され、抵抗体及びショーテイング機
構を介して加速電源にダミー電流が流れるので、該加速
電源に流れる電流を正電流となし得、加速電源と環境雰
囲気に係わらず正常に作動させ得てイオンを安定に低エ
ネルギーで加速出来る。(Function) When the acceleration power source and the extraction power source are connected in series, the ions generated in the ion source are given relatively high energy according to the sum of the voltages of both types of sources, and the target is given a relatively high energy. Ion implantation can be performed using ion energy. When implanting ions into a target with low ion energy, a selection switch is operated, which disconnects the acceleration tube from the acceleration power source and instead connects the power terminal of the ion source to the acceleration power source, and at the same time connects the ion source to the acceleration power source. The power terminal of is connected to the shorting mechanism via a resistor. Ions extracted from the ion source are decelerated in the acceleration tube by the difference between the extraction power source and the acceleration power source, and a dummy current flows through the acceleration power source through the resistor and shorting mechanism, so the current flowing through the acceleration power source is converted into a positive current. It can operate normally regardless of the accelerating power source and the environmental atmosphere, and ions can be stably accelerated with low energy.
（実施例）
本発明の実施例を図面第３図に基づき説明すると、同図
に於いて符号（１）はイオン源、（２）は該イオン源（
１）から真空中をシリコンウェハ等のターゲット（３）
へ向うイオンビーム経路、（４）は該イオンビーム経路
（２）の途中に設けられた加速管、（５）は該加速管（
４）に電位を与える直流の加速電源、（６）はイオン源
（１）の電源端子にケーブル（７）を介して接続した直
流の引出電源を示す。該イオン源（１）は引出電源（６
）や質量分析マグネット（８）と共に導電性材料からな
るボックス状の高電圧ターミナル（９）内に収容され、
該高電圧ターミナル（９）の更に外周を接地したグラン
ドエンクロージャーａＯで覆い、該高電圧ターミナル（
９）とグランドエンクロージャーａＯとの間の空間に前
記加速管（４）、加速電源（５）及びイオン源（１）を
真空排気するための多段の電極（１１ａ）と絶縁物（１
１ｂ）で構成したボンピングチューブａ１が配置される
。該高電圧ターミナル（９）には引出電源（６）のマイ
ナス側が接続され、グランドエンクロージャー（ＩＧに
は加速電源（５）のマイナス側が接続される。(Embodiment) An embodiment of the present invention will be explained based on FIG.
1) to a target such as a silicon wafer in vacuum (3)
(4) is an acceleration tube provided in the middle of the ion beam path (2), (5) is the acceleration tube (
4) is a DC accelerating power source that provides a potential, and (6) is a DC extraction power source connected to the power terminal of the ion source (1) via a cable (7). The ion source (1) is connected to an extraction power source (6
) and a mass spectrometry magnet (8) in a box-shaped high voltage terminal (9) made of conductive material,
The outer periphery of the high voltage terminal (9) is further covered with a grounded enclosure aO, and the high voltage terminal (9) is covered with a ground enclosure aO.
9) and the ground enclosure aO, there are multistage electrodes (11a) and an insulator (1) for evacuating the acceleration tube (4), acceleration power source (5), and ion source (1).
1b) is arranged. The high voltage terminal (9) is connected to the negative side of the extraction power source (6), and the ground enclosure (IG) is connected to the negative side of the acceleration power source (5).
該加速管（４）は抵抗器（４Ｃ）を介して互に直列に接
続した多段の電極（４ａ）とその中間の絶縁物（４ｂ）
とで構成され、該加速管（４）の出口側の電極（４ａ）
はグランドエンクロージャー（ＩＧに接続される。また
ボンピングチューブａ１の多段の電極（１１ａ）間にも
抵抗器（１１ｅ）が設けられ、該チューブ１１ｖの外側
の電極（１１ａ）はグランドエンクロージャー（ＩＯに
接続される。The accelerator tube (4) has multi-stage electrodes (4a) connected in series through resistors (4C) and an insulator (4b) between them.
an electrode (4a) on the exit side of the acceleration tube (4);
is connected to the ground enclosure (IG).A resistor (11e) is also provided between the multi-stage electrodes (11a) of the pumping tube a1, and the outer electrode (11a) of the tube 11v is connected to the ground enclosure (IO). Connected.
高電圧ターミナル（９）は加速電源（５）のプラス側に
設けたケーブル■と接続され、加速電源（５）を引出電
源（６）及びイオン源（１）へ直列に接続する回路ａ３
を構成し、該回路ａ３にエアアクチュエータ等で旋回駆
動される扇形接点ａΦを備えた選択スイッチ（１５１が
設けられる。該選択スイッチ（ＩＳｌは第１乃至第４の
接点（１５ａ）（１５ｂ）（１５ｃ）（１５ｄ）を備え
、第１の接点（１５ａ）は高電圧ターミナル（９）に接
続され、第２の接点（１５ｂ）は抵抗器（４ｃ）を介し
て加速管（４）の出口側の電極（４ａ）と抵抗器（１１
ｃ）を介してボンピンクチューブ（１１の内側の電極（
１１ａ）に接続される。また第３の接点（１５ｃ）は加
速電源（５）にケーブルＣＩつを介して接続され、第４
の接点（１５ｄ ）はイオン源（１）へ接続されると共
に抵抗器ａＧ及びショーテイング機構（＋７１を構成す
るショーテイングバー（１７ａ）を介してグランドエン
クロージャー（ＩＱに接続される。ＣＩ＆はイオン源（
１）と共に抵抗器（ＩＧ及びショーティン機構Ωを構成
するショーテイングバー （１７ａ）を介してグランド
エンクロージャー（１０に接続される。（１８はイオン
源（１）の絶縁碍子、（１９は抵抗器（４ｃ）（１１ｃ
）の取付用碍子である。The high voltage terminal (9) is connected to the cable ■ provided on the positive side of the acceleration power source (5), and the circuit a3 connects the acceleration power source (5) in series to the extraction power source (6) and the ion source (1).
The circuit a3 is provided with a selection switch (151) having a fan-shaped contact aΦ which is driven by an air actuator or the like. 15c) (15d), the first contact (15a) is connected to the high voltage terminal (9), and the second contact (15b) is connected to the exit side of the acceleration tube (4) through the resistor (4c). electrode (4a) and resistor (11
c) Through the inner electrode of the pink tube (11)
11a). Further, the third contact (15c) is connected to the acceleration power source (5) via cable CI, and the fourth
The contact (15d) is connected to the ion source (1) and connected to the ground enclosure (IQ) via the resistor aG and the shorting bar (17a) that constitutes the shorting mechanism (+71). (
1) together with a resistor (IG and a shorting bar (17a) constituting the shorting mechanism Ω) are connected to the ground enclosure (10). (18 is the insulator of the ion source (1), (19 is the resistor) (4c) (11c
) is an insulator for installation.
該選択スイッチ（ＩＳの扇形接点ａΦは、常時は第１乃
至第３の接点（１５ａ）（１５ｂ）（１５ｃ）を互に接
続する第３図示の位置に存し、エアアクチュエータ等に
より旋回駆動が与えられると第３及び第４の接点（１５
ｃ）（１５ｄ）を互に接続する第４図示の位置へ移動す
る。ショーテイングバー（１７ａ）はエアシリンダ等に
より抵抗器ＧＧと接触すべく出没作動し、選択スイッチ
（ＩＳが第３図示の位置にあるときは該ショーテイング
バ＝（１７ａ）は抵抗器ａＧと接触せず、選択スイッチ
（１５１が第４図示の位置に移動すると同時にショーテ
イングバー（１７ａ）は抵抗器（ｌＧと接触し、接点（
１５ｄ）から抵抗器ａＧを介してグランドエンクロージ
ャー（１Ｇへの回路が形成され、加速電源（５）にダミ
ー電流が流れるようになる。The sector-shaped contact aΦ of the selection switch (IS) is normally located at the position shown in the third figure, connecting the first to third contacts (15a), (15b, and 15c), and is rotated by an air actuator or the like. When given, the third and fourth contacts (15
c) Move (15d) to the position shown in the fourth figure where they are connected together. The shorting bar (17a) is moved in and out to contact the resistor GG by an air cylinder or the like, and when the selection switch (IS) is in the position shown in the third figure, the shorting bar (17a) is in contact with the resistor aG. At the same time as the selection switch (151) moves to the position shown in the fourth figure, the shorting bar (17a) contacts the resistor (lG) and the contact (
15d) to the ground enclosure (1G) via the resistor aG, and a dummy current flows to the acceleration power source (5).
図示の実施例の作動を説明するに、第３図の場合、イオ
ン源（１）に於いて発生するイオンは質量分析マグネッ
ト（８）を介して引出電源（６）の電圧により引き出さ
れ、加速電源（５）の電圧が作用する加速管（４）によ
り加速されてターゲット（３）に突入し、該ターゲット
（３）にイオン注入処理が施される。この場合、イオン
エネルギーは引出電源（６）の電圧と加速電源（５）の
電圧の和にて決定され、比較的大きなエネルギーでター
ゲット（３）にイオン注入が行なわれる。To explain the operation of the illustrated embodiment, in the case of FIG. 3, ions generated in the ion source (1) are extracted by the voltage of the extraction power source (6) via the mass spectrometry magnet (8) and accelerated. The ions are accelerated by the accelerating tube (4) to which the voltage of the power source (5) is applied and rush into the target (3), where the ion implantation process is performed on the target (3). In this case, ion energy is determined by the sum of the voltage of the extraction power source (6) and the voltage of the acceleration power source (5), and ions are implanted into the target (3) with relatively high energy.
以上の作動は従来のものと同様であるが、ターゲット（
３）に低エネルギーでイオン注入する場合、選択スイッ
チａＳとショーテイング機構（７）を作動させれば足り
、その作動によれば加速電源（５）がイオン源（１）の
電源端子及び抵抗器００を介してグランドエンクロージ
ャー（ＩＯとに接続され、加速管（４）の入口側の電極
（４ａ）及びボンピングチューブａｖの内側の電極（１
１ａ）が高電圧ターミナル（９）から切り離されるので
、イオンビームは引出電源（６）の電圧と加速電源（５
）の電圧の差だけ加速管（４）に於いて減速され、しか
もイオンのビームエネルギーを安定させることが出来る
。この場合、イオンのビームエネルギーは、アースレベ
ルより低い電圧となる回路ａ３へ外部からリーク電流が
流れ込むことを制限することにより安定化されるもので
、グラウンドエンクロージャー（ＩＧから回路（１３を
構成する高電圧ターミナル（９）に絶縁物を介して流れ
る電流を１ｘとし、加速電源（５）に流れる電流１１１
１抵抗器ｑＯからショーテイングバー（７ａ）を介して
アースレベルのグランドエンクロージャー（ＩＧに流れ
る電流をＩＲ，イオンビームノミ流を１８とすると、Ｉ
Ｘ＋ ＩＨ−ＩＢ＋ ＩＩ？）関係にありしかもＩＩ＋
＞０でないと加速電源（５）は正常に作動しなくなり加
速電源（５）の電圧の変動を引き起こし、ビームエネル
ギーは不安定になるが、イオンビームの電流ＩＢが０に
近い状態でもＩＲ＞ＩＸになるように抵抗器（ＩＧの抵
抗値を定めてオケば、１ＩＩ−ＩＢ＋ ＩＲ−ＩＸ＞
０となし得、ビームエネルギーが安定になる。The above operation is the same as the conventional one, but the target (
3), when ion implantation is performed at low energy, it is sufficient to operate the selection switch aS and the shorting mechanism (7). The electrode (4a) on the inlet side of the acceleration tube (4) and the electrode (1) inside the pumping tube av are connected to the ground enclosure (IO) through the
1a) is disconnected from the high voltage terminal (9), the ion beam is connected to the voltage of the extraction power source (6) and the acceleration power source (5).
) is decelerated in the accelerator tube (4) by the difference in voltage between the ions and the ions, and the beam energy of the ions can be stabilized. In this case, the ion beam energy is stabilized by limiting leakage current from the outside to circuit a3, which has a voltage lower than the ground level. Let the current flowing to the voltage terminal (9) through the insulator be 1x, and the current flowing to the acceleration power source (5) 111
1 resistor qO through the shorting bar (7a) to the ground enclosure at earth level (assuming that the current flowing to IG is IR and the ion beam current is 18, I
X+ IH-IB+ II? ) There is a relationship and II+
If it is not >0, the accelerating power source (5) will not operate normally, causing fluctuations in the voltage of the accelerating power source (5), and the beam energy will become unstable, but even when the ion beam current IB is close to 0, IR > IX (If you decide the resistance value of IG, 1II-IB+ IR-IX>
It can be set to 0, and the beam energy becomes stable.
（発明の効果）
以上のように本発明に於いては、イオン注入装置の加速
電源と引出電源を結ぶ回路に選択スイッチを設け、該ス
イッチの操作により該加速管と加速電源の接続を遮断す
ると共に加速電源がイオン源に接続されるようにしたの
で、低エネルギーのイオン注入を簡単に行なえ、またそ
の操作により抵抗器を介して設けられたショーテイング
機構にイオン源が接続されるので、加速電源の電圧変動
を防止出来、低エネルギーでしかもビーム電流の安定し
たイオンビームによりターゲットに均質なイオン注入処
理を施せる等の効果がある。(Effects of the Invention) As described above, in the present invention, a selection switch is provided in the circuit connecting the acceleration power source and the extraction power source of the ion implantation device, and the connection between the acceleration tube and the acceleration power source is cut off by operating the switch. At the same time, the acceleration power source is connected to the ion source, making it easy to perform low-energy ion implantation, and the ion source is connected to the shorting mechanism provided via the resistor through this operation. It has the advantage of being able to prevent voltage fluctuations in the power supply and perform homogeneous ion implantation on the target using an ion beam with low energy and stable beam current.
第１図及び第２図は従来例の断面線図、第３図は本発明
の実施例の断面線図、第４図は第３図の作動状態の断面
線図である。
（１）・・・イオン源 （２）・・・イオンビー
ム経路（３）・・・ターゲット（４）・・・加速管（５
）・・・加速電源 （６）・・・引出電源ＣＩ３
・・・回路 ０９・・・選択スイッチ００・
・・抵抗器 （＋７３・・・ショーテイング機
構第１図
第３図
第２図
第４図1 and 2 are cross-sectional diagrams of the conventional example, FIG. 3 is a cross-sectional diagram of the embodiment of the present invention, and FIG. 4 is a cross-sectional diagram of the operating state of FIG. 3. (1)...Ion source (2)...Ion beam path (3)...Target (4)...Acceleration tube (5
)...Acceleration power supply (6)...Output power supply CI3
...Circuit 09...Selection switch 00.
...Resistor (+73...Shorting mechanism Fig. 1 Fig. 3 Fig. 2 Fig. 4
Claims (1)
に、加速電源により電位が与えられる加速管を設け、該
加速電源とイオン源の電源端子を引出電源を介して直列
に接続し、該イオン源から引出したイオンのエネルギー
を該加速管により制御してターゲットへイオン注入する
ようにしたものに於いて、該加速電源と引出電源を結ぶ
回路に、該加速管と加速電源の接続を遮断すると共に該
加速電源をイオン源の電源端子へ接続し、更に該イオン
源の電源端子を抵抗器を介して該加速電源へダミー電流
を流すショーティング機構へと接続する選択スイッチを
設けたことを特徴とするイオン注入装置。In the middle of the ion beam path from the ion source to the target, an acceleration tube to which a potential is applied by an acceleration power source is provided, and the acceleration power source and the power terminal of the ion source are connected in series via an extraction power source, and the ion beam is extracted from the ion source. In a device in which the energy of the ions is controlled by the acceleration tube and ions are implanted into the target, the connection between the acceleration tube and the acceleration power source is cut off, and the acceleration An ionizer characterized in that a selection switch is provided for connecting a power supply to a power supply terminal of an ion source and further connecting the power supply terminal of the ion source to a shorting mechanism that flows a dummy current to the acceleration power supply via a resistor. Injection device.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62308528A JP2662960B2 (en) | 1987-12-08 | 1987-12-08 | Ion implanter |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62308528A JP2662960B2 (en) | 1987-12-08 | 1987-12-08 | Ion implanter |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01149960A true JPH01149960A (en) | 1989-06-13 |
| JP2662960B2 JP2662960B2 (en) | 1997-10-15 |
Family
ID=17982117
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62308528A Expired - Lifetime JP2662960B2 (en) | 1987-12-08 | 1987-12-08 | Ion implanter |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2662960B2 (en) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20140061236A (en) | 2012-11-13 | 2014-05-21 | 가부시키가이샤 에스이엔 | Ion implanting device and ion implanting method |
| KR20150026701A (en) | 2013-08-29 | 2015-03-11 | 가부시키가이샤 에스이엔 | Ion implanting device and ion implanting method |
| KR20150026702A (en) | 2013-08-29 | 2015-03-11 | 가부시키가이샤 에스이엔 | Ion implanting device, beam parallelizing device and ion implanting method |
| KR20150063940A (en) | 2013-12-02 | 2015-06-10 | 가부시키가이샤 에스이엔 | Ion implanting device |
| KR20150112785A (en) | 2014-03-27 | 2015-10-07 | 스미도모쥬기가이 이온 테크놀로지 가부시키가이샤 | Ion implanting device, final energy filter and ion implanting method |
| KR20150136007A (en) | 2014-05-26 | 2015-12-04 | 스미도모쥬기가이 이온 테크놀로지 가부시키가이샤 | Ion implanting device |
| KR20150136006A (en) | 2014-05-26 | 2015-12-04 | 스미도모쥬기가이 이온 테크놀로지 가부시키가이샤 | Ion implanting device |
| KR20150141141A (en) | 2014-06-09 | 2015-12-17 | 스미도모쥬기가이 이온 테크놀로지 가부시키가이샤 | Ion implanting device and ion implanting method |
| KR20150146427A (en) | 2014-06-23 | 2015-12-31 | 스미도모쥬기가이 이온 테크놀로지 가부시키가이샤 | Ion implanting device |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5867869A (en) * | 1981-10-16 | 1983-04-22 | Hitachi Ltd | Controlling means for ion source |
-
1987
- 1987-12-08 JP JP62308528A patent/JP2662960B2/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5867869A (en) * | 1981-10-16 | 1983-04-22 | Hitachi Ltd | Controlling means for ion source |
Cited By (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9208996B2 (en) | 2012-11-13 | 2015-12-08 | Sumitomo Heavy Industries Ion Technology Co., Ltd. | Ion implantation apparatus and ion implantation method |
| KR20140061236A (en) | 2012-11-13 | 2014-05-21 | 가부시키가이샤 에스이엔 | Ion implanting device and ion implanting method |
| KR20150026701A (en) | 2013-08-29 | 2015-03-11 | 가부시키가이샤 에스이엔 | Ion implanting device and ion implanting method |
| KR20150026702A (en) | 2013-08-29 | 2015-03-11 | 가부시키가이샤 에스이엔 | Ion implanting device, beam parallelizing device and ion implanting method |
| US9343262B2 (en) | 2013-08-29 | 2016-05-17 | Sumitomo Heavy Industries Ion Technology Co., Ltd. | Ion implantation apparatus, beam parallelizing apparatus, and ion implantation method |
| US9117627B2 (en) | 2013-08-29 | 2015-08-25 | Sumitomo Heavy Industries Technology Co., Ltd. | Ion implantation apparatus and ion implantation method |
| KR20150063940A (en) | 2013-12-02 | 2015-06-10 | 가부시키가이샤 에스이엔 | Ion implanting device |
| US9520265B2 (en) | 2013-12-02 | 2016-12-13 | Sumitomo Heavy Industries Ion Technology Co., Ltd. | Ion implantation apparatus |
| KR20150112785A (en) | 2014-03-27 | 2015-10-07 | 스미도모쥬기가이 이온 테크놀로지 가부시키가이샤 | Ion implanting device, final energy filter and ion implanting method |
| US9293295B2 (en) | 2014-03-27 | 2016-03-22 | Sumitomo Heavy Industries Ion Technology Co., Ltd. | Ion implantation apparatus, final energy filter, and ion implantation method |
| KR20150136006A (en) | 2014-05-26 | 2015-12-04 | 스미도모쥬기가이 이온 테크놀로지 가부시키가이샤 | Ion implanting device |
| US9208991B1 (en) | 2014-05-26 | 2015-12-08 | Sumitomo Heavy Industries Ion Technology Co., Ltd. | Ion implantation apparatus |
| KR20150136007A (en) | 2014-05-26 | 2015-12-04 | 스미도모쥬기가이 이온 테크놀로지 가부시키가이샤 | Ion implanting device |
| TWI671780B (en) * | 2014-05-26 | 2019-09-11 | 日商住友重機械離子技術有限公司 | Ion implantation device |
| US9431214B2 (en) | 2014-05-26 | 2016-08-30 | Sumitomo Heavy Industries Ion Technology Co., Ltd. | Ion implantation apparatus |
| KR20150141141A (en) | 2014-06-09 | 2015-12-17 | 스미도모쥬기가이 이온 테크놀로지 가부시키가이샤 | Ion implanting device and ion implanting method |
| US9236222B2 (en) | 2014-06-09 | 2016-01-12 | Sumitomo Heavy Industries Ion Technology Co., Ltd. | Ion implantation apparatus and ion implantation method |
| US9336992B2 (en) | 2014-06-23 | 2016-05-10 | Sumitomo Heavy Industries Ion Technology Co., Ltd. | Ion implantation apparatus |
| CN105280468A (en) * | 2014-06-23 | 2016-01-27 | 斯伊恩股份有限公司 | Ion implantation apparatus |
| CN105280468B (en) * | 2014-06-23 | 2018-04-20 | 斯伊恩股份有限公司 | Ion implantation apparatus |
| KR20150146427A (en) | 2014-06-23 | 2015-12-31 | 스미도모쥬기가이 이온 테크놀로지 가부시키가이샤 | Ion implanting device |
| TWI674613B (en) * | 2014-06-23 | 2019-10-11 | 日商住友重機械離子技術有限公司 | Ion implantation device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2662960B2 (en) | 1997-10-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4870284A (en) | Ion source and method of drawing out ion beam | |
| JP4345895B2 (en) | Ion source operation method and ion implantation apparatus | |
| JP4920033B2 (en) | Arrangement of cathode and counter cathode in ion source | |
| JP2003522398A (en) | Method and apparatus for operating a high energy accelerator in a low energy mode | |
| JPH01149960A (en) | Ion implantation device | |
| US4608513A (en) | Dual filament ion source with improved beam characteristics | |
| JP2000054126A (en) | Electric charge neutralizing device and method for monitoring its neutralizing operation | |
| JP5260660B2 (en) | Technology for controlling charged particle beams | |
| US6501081B1 (en) | Electron flood apparatus for neutralizing charge build up on a substrate during ion implantation | |
| JPH0531260B2 (en) | ||
| JPH02312141A (en) | Ion source | |
| US6414327B1 (en) | Method and apparatus for ion beam generation | |
| JPH0676775A (en) | Ion implantation method | |
| JP3475563B2 (en) | Ion beam accelerator | |
| JP3395265B2 (en) | Neutral particle removal method and ion implanter in ion implanter | |
| US6326630B1 (en) | Ion implanter | |
| JP2503604Y2 (en) | Tandem accelerator | |
| Koudijs et al. | A 1 and 2 MV ion implantation facility | |
| JPH0567445A (en) | Accelerator for wide-range accelerating voltage ion source | |
| JPH0411975B2 (en) | ||
| JPH02284342A (en) | Ion implanting device | |
| JP3265987B2 (en) | Ion irradiation equipment | |
| JPH0572720B2 (en) | ||
| JPH0728716Y2 (en) | Charged particle accelerator | |
| Moffett et al. | An Intense H-Source for the IPNS-I Rapid Cycling Synchrotron |