JPH01149425A - 基板表面のクロム膜などのエッチング方法 - Google Patents

基板表面のクロム膜などのエッチング方法

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Publication number
JPH01149425A
JPH01149425A JP30742987A JP30742987A JPH01149425A JP H01149425 A JPH01149425 A JP H01149425A JP 30742987 A JP30742987 A JP 30742987A JP 30742987 A JP30742987 A JP 30742987A JP H01149425 A JPH01149425 A JP H01149425A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
gas
chlorine
etching
oxygen
ions
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP30742987A
Other languages
English (en)
Inventor
Takashi Aida
尚 合田
Teruo Ishikawa
石川 照雄
Yasutoshi Asahina
朝比奈 泰俊
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Japan Steel Works Ltd
Original Assignee
Japan Steel Works Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Japan Steel Works Ltd filed Critical Japan Steel Works Ltd
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Publication of JPH01149425A publication Critical patent/JPH01149425A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23FNON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F4/00Processes for removing metallic material from surfaces, not provided for in group C23F1/00 or C23F3/00

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (イ)産業上の利用分野 本発明は、基板表面のクロム膜などのエツチング方法に
関するものである。
(ロ)従来の技術 IC製造のためのマスクパターン、エンコーダディスク
の位置割り出しスリットなどを製造する場合、従来は四
塩化炭素ガスを使用するプラズマエツチング、フッ酸溶
液を使用するウェットエツチングなどの方法が用いられ
ていた。このような異方性のない方法によりクロム膜な
ど(なお、未明m書中では「クロム膜など」とは、クロ
ム膜、酸化ゲロム膜、及び両膜を積層したものを意味す
るものとする)のエツチングが行なわれていた。
(ハ)発明が解決しようとする問題点 しかしながら、上記のような従来のエツチング方法は異
方性がないため、アンダーカットの発生、すなわちレジ
ストの下側も部分的に除去されるという問題点があり、
高精度の加工を行うことが困難であった。また、四塩化
炭素ガスを使用する場合には、これが人体に有害である
ので取扱いに注意を必要とし、安全上の問題点がある。
本発明はこのような問題点を解決することを目的として
いる。
(ニ)問題点を解決するための手段 本発明は、電子サイクロトロン共鳴(以下、rECR」
とする)型反応性イオンビームエツチング装置を使用し
、エツチングガスとして塩素ガス又は塩素ガスに酸素ガ
スを混合したものを使用することにより、上記問題点を
解決する。すなわち、本発明によるエツチング方法は、
ECR型反型性応性イオンビームエツチング装置内板を
設置し、エツチングガスとして塩素又は塩素に酸素を加
えたものを使用し、これによって得られるイオンを基板
に垂直方向から照射することにより、エツチングを行な
う。
(ホ)作用 ECR型反型性応性イオンビームエツチング装置内CR
条件が満足されると、ガスはプラズマ化され、塩素のイ
オン又は塩素及び酸素の混合したイオンが発生し、これ
が基板の膜上に照射される。このイオンビームの照射に
より、レジストが設けられている部分以外のクロム膜な
どは揮発され、真空中に拡散除去される。次いで、レジ
ストを除去することにより所望どおりのパターンを有す
るクロム膜などを得ることができる。
(へ)実施例 第1図にECR型反型性応性イオンビームエツチング装
置10す。上部に開口を有する加工室12の上部に絶縁
材13を介してイオン化室14が設けられており、イオ
ン化室14の上部にはマイクロ波導波管16が連結され
ている。なあ、加工室12は図示していない真空ポンプ
によって排気可能である。マイクロ波導波管16とイオ
ン化室14との間にはガラス18が設けられており、こ
れの周囲は絶縁材20によって絶縁されている。また、
イオン化室14にはガス導入口22が設けられている。
更に、イオン化室14の外周にはコイル24が配置され
ている。加工室12とイオン化室14との接続部分には
電8i26が設けられている。電8i26には電源27
により電圧を作用可能である。加工室12内部の下面側
には加工台28が設けられており、これの上面に被エツ
チング基板30が設置される。被エツチング基板30は
第2図に示すように、石英ガラス32の上面にクロム膜
34を付着させ、これの上に酸化クロム+15!36を
生成させ、更に最上面に所定のパターンのレジスト38
を付着させた構成としである。
次にこの実施例の作用について説明する。イオン化室1
4内にガス導入口22から所定の流量の塩素ガス及び酸
素ガスが導入される。なお、酸素ガスは塩素ガスの5〜
50%の量である。一方、マイクロ波導波管16を通し
て所定のマイクロ波が導入され、またコイル24によっ
て所定の磁界か発生する。マイクロ波及び磁界が所定の
ECR条件(例えば、マイクロ波周波数2.45GH2
及び磁界875ガウス)が満足されると、塩素ガス及び
酸素ガスはプラズマ化する。この状態で電極26によっ
て電界を作用させると、プラズマから塩素イオン及び酸
素イオンが引き出され、これらのイオンは垂直下向きに
移動し、被エツチング基板30の上面に照射される。こ
のイオンビームの照射により、レジスト38が設けられ
た部分以外の酸化クロム膜36及びクロム膜34は揮発
し、除去される。この場合、次のような反応が行われて
いると考えられる。
Cr+02 +CJ2□−+CrO2CjZ2↑2Cr
203+Cn2+o□−+4CrO,Cl12↑これに
より、第3図に示すように、レジスト38のパターンに
従ってクロム膜34及び酸化クロム膜36が残されるこ
とになる。この第3図に示す状態のものからレジスト3
8を除去することにより、石英ガラス32上にクロム膜
34及び酸化クロム膜36が所定のパターンで形成され
ることになる。イオンは被エツチング基板30に上方か
ら垂直に照射されるため、第3図に示す断面のように、
アンダーカットを生ずることなくレジスト38のパター
ンどおりにクロム膜34及び酸化クロム膜36を除去す
ることができる。これにより従来のような異方性のない
エツチング方法と比較して非常に積度の高いエツチング
が可能となる。また、四塩化炭素などのような人体へ危
険性を有するカスを使用しないので、安全性が向上する
なお、上記実施例では、エツチングガスは塩素に酸素を
添加したものとしたが、塩素のみとすることもできる。
また石英ガラス32上の膜は、クロム膜のみにレジスト
を付着させたもの、又は酸化クロム膜のみにレジストを
付着させたものとすることもできる。
(ト)発明の詳細 な説明してきたように、本発明によると、ECR型反型
性応性イオンビームエツチング装置用し、エツチングガ
スとして塩素、又は塩素及び酸素を用いるようにしたの
で、アンダーカットの生ずることのない高精度なエツチ
ングが可能となり、また人体にとって危険性の高いガス
を使用しないため、安全性が向上する。
【図面の簡単な説明】
第1図はECR型反型性応性イオンビームエツチング装
置す図、第2図はエツチング前の被エツチング基板を示
す図、第3図はエツチング後の被エツチング基板を示す
図である。 10・・・ECR型反型性応性イオンビームエツチング
装置2・・・加工室、14・・・イオン化室、16・・
・マイクロ波導波管、22・・・ガス導入口、24・・
・コイル、26・・・電極、30・・・被エツチング基
板、32・・・石英ガラス、34・・・クロム膜、36
・・・酸化クロム膜、38・・・レジスト。 特許出願人 株式会社日本製鋼所

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】  基板表面に設けられたクロム膜及び酸化クロム膜の両
    方又はいずれか一方の膜面上に所定のパターンのレジス
    トを付着させてエッチングする基板表面のクロム膜など
    のエッチング方法において、 電子サイクロトロン共鳴型反応性イオンビームエッチン
    グ装置内に上記基板を設置し、エッチングガスとして塩
    素又は塩素に酸素を加えたものを使用し、これによって
    得られるイオンを基板に垂直方向から照射することによ
    りエッチングを行なうことを特徴とする基板表面のクロ
    ム膜などのエッチング方法。
JP30742987A 1987-12-07 1987-12-07 基板表面のクロム膜などのエッチング方法 Pending JPH01149425A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004093178A1 (ja) * 2003-04-11 2004-10-28 Hoya Corporation クロム系薄膜のエッチング方法及びフォトマスクの製造方法
KR100705225B1 (ko) * 2005-12-15 2007-04-06 엘지전자 주식회사 수직형 발광소자의 제조방법

Cited By (3)

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004093178A1 (ja) * 2003-04-11 2004-10-28 Hoya Corporation クロム系薄膜のエッチング方法及びフォトマスクの製造方法
US7575692B2 (en) 2003-04-11 2009-08-18 Hoya Corporation Method for etching chromium thin film and method for producing photomask
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