JPH01149425A - 基板表面のクロム膜などのエッチング方法 - Google Patents
基板表面のクロム膜などのエッチング方法Info
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- JPH01149425A JPH01149425A JP30742987A JP30742987A JPH01149425A JP H01149425 A JPH01149425 A JP H01149425A JP 30742987 A JP30742987 A JP 30742987A JP 30742987 A JP30742987 A JP 30742987A JP H01149425 A JPH01149425 A JP H01149425A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F4/00—Processes for removing metallic material from surfaces, not provided for in group C23F1/00 or C23F3/00
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）産業上の利用分野
本発明は、基板表面のクロム膜などのエツチング方法に
関するものである。
関するものである。
（ロ）従来の技術
ＩＣ製造のためのマスクパターン、エンコーダディスク
の位置割り出しスリットなどを製造する場合、従来は四
塩化炭素ガスを使用するプラズマエツチング、フッ酸溶
液を使用するウェットエツチングなどの方法が用いられ
ていた。このような異方性のない方法によりクロム膜な
ど（なお、未明ｍ書中では「クロム膜など」とは、クロ
ム膜、酸化ゲロム膜、及び両膜を積層したものを意味す
るものとする）のエツチングが行なわれていた。
の位置割り出しスリットなどを製造する場合、従来は四
塩化炭素ガスを使用するプラズマエツチング、フッ酸溶
液を使用するウェットエツチングなどの方法が用いられ
ていた。このような異方性のない方法によりクロム膜な
ど（なお、未明ｍ書中では「クロム膜など」とは、クロ
ム膜、酸化ゲロム膜、及び両膜を積層したものを意味す
るものとする）のエツチングが行なわれていた。
（ハ）発明が解決しようとする問題点
しかしながら、上記のような従来のエツチング方法は異
方性がないため、アンダーカットの発生、すなわちレジ
ストの下側も部分的に除去されるという問題点があり、
高精度の加工を行うことが困難であった。また、四塩化
炭素ガスを使用する場合には、これが人体に有害である
ので取扱いに注意を必要とし、安全上の問題点がある。
方性がないため、アンダーカットの発生、すなわちレジ
ストの下側も部分的に除去されるという問題点があり、
高精度の加工を行うことが困難であった。また、四塩化
炭素ガスを使用する場合には、これが人体に有害である
ので取扱いに注意を必要とし、安全上の問題点がある。
本発明はこのような問題点を解決することを目的として
いる。
いる。
（ニ）問題点を解決するための手段
本発明は、電子サイクロトロン共鳴（以下、ｒＥＣＲ」
とする）型反応性イオンビームエツチング装置を使用し
、エツチングガスとして塩素ガス又は塩素ガスに酸素ガ
スを混合したものを使用することにより、上記問題点を
解決する。すなわち、本発明によるエツチング方法は、
ＥＣＲ型反型性応性イオンビームエツチング装置内板を
設置し、エツチングガスとして塩素又は塩素に酸素を加
えたものを使用し、これによって得られるイオンを基板
に垂直方向から照射することにより、エツチングを行な
う。
とする）型反応性イオンビームエツチング装置を使用し
、エツチングガスとして塩素ガス又は塩素ガスに酸素ガ
スを混合したものを使用することにより、上記問題点を
解決する。すなわち、本発明によるエツチング方法は、
ＥＣＲ型反型性応性イオンビームエツチング装置内板を
設置し、エツチングガスとして塩素又は塩素に酸素を加
えたものを使用し、これによって得られるイオンを基板
に垂直方向から照射することにより、エツチングを行な
う。
（ホ）作用
ＥＣＲ型反型性応性イオンビームエツチング装置内ＣＲ
条件が満足されると、ガスはプラズマ化され、塩素のイ
オン又は塩素及び酸素の混合したイオンが発生し、これ
が基板の膜上に照射される。このイオンビームの照射に
より、レジストが設けられている部分以外のクロム膜な
どは揮発され、真空中に拡散除去される。次いで、レジ
ストを除去することにより所望どおりのパターンを有す
るクロム膜などを得ることができる。
条件が満足されると、ガスはプラズマ化され、塩素のイ
オン又は塩素及び酸素の混合したイオンが発生し、これ
が基板の膜上に照射される。このイオンビームの照射に
より、レジストが設けられている部分以外のクロム膜な
どは揮発され、真空中に拡散除去される。次いで、レジ
ストを除去することにより所望どおりのパターンを有す
るクロム膜などを得ることができる。
（へ）実施例
第１図にＥＣＲ型反型性応性イオンビームエツチング装
置１０す。上部に開口を有する加工室１２の上部に絶縁
材１３を介してイオン化室１４が設けられており、イオ
ン化室１４の上部にはマイクロ波導波管１６が連結され
ている。なあ、加工室１２は図示していない真空ポンプ
によって排気可能である。マイクロ波導波管１６とイオ
ン化室１４との間にはガラス１８が設けられており、こ
れの周囲は絶縁材２０によって絶縁されている。また、
イオン化室１４にはガス導入口２２が設けられている。
置１０す。上部に開口を有する加工室１２の上部に絶縁
材１３を介してイオン化室１４が設けられており、イオ
ン化室１４の上部にはマイクロ波導波管１６が連結され
ている。なあ、加工室１２は図示していない真空ポンプ
によって排気可能である。マイクロ波導波管１６とイオ
ン化室１４との間にはガラス１８が設けられており、こ
れの周囲は絶縁材２０によって絶縁されている。また、
イオン化室１４にはガス導入口２２が設けられている。
更に、イオン化室１４の外周にはコイル２４が配置され
ている。加工室１２とイオン化室１４との接続部分には
電８ｉ２６が設けられている。電８ｉ２６には電源２７
により電圧を作用可能である。加工室１２内部の下面側
には加工台２８が設けられており、これの上面に被エツ
チング基板３０が設置される。被エツチング基板３０は
第２図に示すように、石英ガラス３２の上面にクロム膜
３４を付着させ、これの上に酸化クロム＋１５！３６を
生成させ、更に最上面に所定のパターンのレジスト３８
を付着させた構成としである。
ている。加工室１２とイオン化室１４との接続部分には
電８ｉ２６が設けられている。電８ｉ２６には電源２７
により電圧を作用可能である。加工室１２内部の下面側
には加工台２８が設けられており、これの上面に被エツ
チング基板３０が設置される。被エツチング基板３０は
第２図に示すように、石英ガラス３２の上面にクロム膜
３４を付着させ、これの上に酸化クロム＋１５！３６を
生成させ、更に最上面に所定のパターンのレジスト３８
を付着させた構成としである。
次にこの実施例の作用について説明する。イオン化室１
４内にガス導入口２２から所定の流量の塩素ガス及び酸
素ガスが導入される。なお、酸素ガスは塩素ガスの５〜
５０％の量である。一方、マイクロ波導波管１６を通し
て所定のマイクロ波が導入され、またコイル２４によっ
て所定の磁界か発生する。マイクロ波及び磁界が所定の
ＥＣＲ条件（例えば、マイクロ波周波数２．４５ＧＨ２
及び磁界８７５ガウス）が満足されると、塩素ガス及び
酸素ガスはプラズマ化する。この状態で電極２６によっ
て電界を作用させると、プラズマから塩素イオン及び酸
素イオンが引き出され、これらのイオンは垂直下向きに
移動し、被エツチング基板３０の上面に照射される。こ
のイオンビームの照射により、レジスト３８が設けられ
た部分以外の酸化クロム膜３６及びクロム膜３４は揮発
し、除去される。この場合、次のような反応が行われて
いると考えられる。
４内にガス導入口２２から所定の流量の塩素ガス及び酸
素ガスが導入される。なお、酸素ガスは塩素ガスの５〜
５０％の量である。一方、マイクロ波導波管１６を通し
て所定のマイクロ波が導入され、またコイル２４によっ
て所定の磁界か発生する。マイクロ波及び磁界が所定の
ＥＣＲ条件（例えば、マイクロ波周波数２．４５ＧＨ２
及び磁界８７５ガウス）が満足されると、塩素ガス及び
酸素ガスはプラズマ化する。この状態で電極２６によっ
て電界を作用させると、プラズマから塩素イオン及び酸
素イオンが引き出され、これらのイオンは垂直下向きに
移動し、被エツチング基板３０の上面に照射される。こ
のイオンビームの照射により、レジスト３８が設けられ
た部分以外の酸化クロム膜３６及びクロム膜３４は揮発
し、除去される。この場合、次のような反応が行われて
いると考えられる。
Ｃｒ＋０２ ＋ＣＪ２□−＋ＣｒＯ２ＣｊＺ２↑２Ｃｒ
２０３＋Ｃｎ２＋ｏ□−＋４ＣｒＯ，Ｃｌ１２↑これに
より、第３図に示すように、レジスト３８のパターンに
従ってクロム膜３４及び酸化クロム膜３６が残されるこ
とになる。この第３図に示す状態のものからレジスト３
８を除去することにより、石英ガラス３２上にクロム膜
３４及び酸化クロム膜３６が所定のパターンで形成され
ることになる。イオンは被エツチング基板３０に上方か
ら垂直に照射されるため、第３図に示す断面のように、
アンダーカットを生ずることなくレジスト３８のパター
ンどおりにクロム膜３４及び酸化クロム膜３６を除去す
ることができる。これにより従来のような異方性のない
エツチング方法と比較して非常に積度の高いエツチング
が可能となる。また、四塩化炭素などのような人体へ危
険性を有するカスを使用しないので、安全性が向上する
。
２０３＋Ｃｎ２＋ｏ□−＋４ＣｒＯ，Ｃｌ１２↑これに
より、第３図に示すように、レジスト３８のパターンに
従ってクロム膜３４及び酸化クロム膜３６が残されるこ
とになる。この第３図に示す状態のものからレジスト３
８を除去することにより、石英ガラス３２上にクロム膜
３４及び酸化クロム膜３６が所定のパターンで形成され
ることになる。イオンは被エツチング基板３０に上方か
ら垂直に照射されるため、第３図に示す断面のように、
アンダーカットを生ずることなくレジスト３８のパター
ンどおりにクロム膜３４及び酸化クロム膜３６を除去す
ることができる。これにより従来のような異方性のない
エツチング方法と比較して非常に積度の高いエツチング
が可能となる。また、四塩化炭素などのような人体へ危
険性を有するカスを使用しないので、安全性が向上する
。
なお、上記実施例では、エツチングガスは塩素に酸素を
添加したものとしたが、塩素のみとすることもできる。
添加したものとしたが、塩素のみとすることもできる。
また石英ガラス３２上の膜は、クロム膜のみにレジスト
を付着させたもの、又は酸化クロム膜のみにレジストを
付着させたものとすることもできる。
を付着させたもの、又は酸化クロム膜のみにレジストを
付着させたものとすることもできる。
（ト）発明の詳細
な説明してきたように、本発明によると、ＥＣＲ型反型
性応性イオンビームエツチング装置用し、エツチングガ
スとして塩素、又は塩素及び酸素を用いるようにしたの
で、アンダーカットの生ずることのない高精度なエツチ
ングが可能となり、また人体にとって危険性の高いガス
を使用しないため、安全性が向上する。
性応性イオンビームエツチング装置用し、エツチングガ
スとして塩素、又は塩素及び酸素を用いるようにしたの
で、アンダーカットの生ずることのない高精度なエツチ
ングが可能となり、また人体にとって危険性の高いガス
を使用しないため、安全性が向上する。
第１図はＥＣＲ型反型性応性イオンビームエツチング装
置す図、第２図はエツチング前の被エツチング基板を示
す図、第３図はエツチング後の被エツチング基板を示す
図である。 １０・・・ＥＣＲ型反型性応性イオンビームエツチング
装置２・・・加工室、１４・・・イオン化室、１６・・
・マイクロ波導波管、２２・・・ガス導入口、２４・・
・コイル、２６・・・電極、３０・・・被エツチング基
板、３２・・・石英ガラス、３４・・・クロム膜、３６
・・・酸化クロム膜、３８・・・レジスト。 特許出願人 株式会社日本製鋼所
置す図、第２図はエツチング前の被エツチング基板を示
す図、第３図はエツチング後の被エツチング基板を示す
図である。 １０・・・ＥＣＲ型反型性応性イオンビームエツチング
装置２・・・加工室、１４・・・イオン化室、１６・・
・マイクロ波導波管、２２・・・ガス導入口、２４・・
・コイル、２６・・・電極、３０・・・被エツチング基
板、３２・・・石英ガラス、３４・・・クロム膜、３６
・・・酸化クロム膜、３８・・・レジスト。 特許出願人 株式会社日本製鋼所
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 基板表面に設けられたクロム膜及び酸化クロム膜の両
方又はいずれか一方の膜面上に所定のパターンのレジス
トを付着させてエッチングする基板表面のクロム膜など
のエッチング方法において、 電子サイクロトロン共鳴型反応性イオンビームエッチン
グ装置内に上記基板を設置し、エッチングガスとして塩
素又は塩素に酸素を加えたものを使用し、これによって
得られるイオンを基板に垂直方向から照射することによ
りエッチングを行なうことを特徴とする基板表面のクロ
ム膜などのエッチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30742987A JPH01149425A (ja) | 1987-12-07 | 1987-12-07 | 基板表面のクロム膜などのエッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30742987A JPH01149425A (ja) | 1987-12-07 | 1987-12-07 | 基板表面のクロム膜などのエッチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01149425A true JPH01149425A (ja) | 1989-06-12 |
Family
ID=17968956
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30742987A Pending JPH01149425A (ja) | 1987-12-07 | 1987-12-07 | 基板表面のクロム膜などのエッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01149425A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004093178A1 (ja) * | 2003-04-11 | 2004-10-28 | Hoya Corporation | クロム系薄膜のエッチング方法及びフォトマスクの製造方法 |
| KR100705225B1 (ko) * | 2005-12-15 | 2007-04-06 | 엘지전자 주식회사 | 수직형 발광소자의 제조방법 |
-
1987
- 1987-12-07 JP JP30742987A patent/JPH01149425A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004093178A1 (ja) * | 2003-04-11 | 2004-10-28 | Hoya Corporation | クロム系薄膜のエッチング方法及びフォトマスクの製造方法 |
| US7575692B2 (en) | 2003-04-11 | 2009-08-18 | Hoya Corporation | Method for etching chromium thin film and method for producing photomask |
| KR100705225B1 (ko) * | 2005-12-15 | 2007-04-06 | 엘지전자 주식회사 | 수직형 발광소자의 제조방법 |
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