JPH01147175A - Coating method for cryopanel - Google Patents

Coating method for cryopanel

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JPH01147175A
JPH01147175A JP30565187A JP30565187A JPH01147175A JP H01147175 A JPH01147175 A JP H01147175A JP 30565187 A JP30565187 A JP 30565187A JP 30565187 A JP30565187 A JP 30565187A JP H01147175 A JPH01147175 A JP H01147175A
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JP
Japan
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cryopanel
aluminum
vacuum
coating
vacuum chamber
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Application number
JP30565187A
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Japanese (ja)
Inventor
Seitaro Oishi
鉦太郎 大石
Takao Sawada
沢田 孝夫
Hiroshi Maeda
宏 前田
Takeyoshi Shibata
柴田 猛順
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Hitachi Ltd
Japan Atomic Energy Agency
Original Assignee
Hitachi Ltd
Japan Atomic Energy Research Institute
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Publication date
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Abstract

PURPOSE:To form such coating that is uniform in film thickness in a short time by coating aluminum on the surface of a cryopanel by means of a sputtering process. CONSTITUTION:A vacuum tank 31 is deevacuated by a vacuum pump from an evaculating port 35, and afterward, argon gas is sealed into this vacuum tank 31 from a gas inlet port 34, whereby DC glow discharge is generated there. With this discharge, ionization energy has targets 32A, 32B set up in outer cylinders 31A, 31B inside the vacuum tank subjected to sputtering, whereby aluminum is scattered. The scattered aluminum floats in the vacuum tank 31, and it is stuck and stored up on a cryopanel 30, and thus such an aluminum coating film that is high in stable adhesion is formed.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は中性子入射装置(Neutral BeamI
njector以下NBIという)のクライオポンプの
主要構成部品であるクライオパネルに係り、特に、プラ
ズマ試験装置運転時のサイクロトロン放射による電磁波
の侵入で生ずるクライオポンプの熱負荷を低減するため
のアルミニウムコーティングを形成するコーティング方
法に関する。
[Detailed Description of the Invention] [Industrial Application Field] The present invention is directed to a neutron injection device (Neutral Beam I).
Regarding the cryopanel, which is a main component of the cryopump (hereinafter referred to as NBI), we form an aluminum coating to reduce the thermal load on the cryopump caused by the penetration of electromagnetic waves due to cyclotron radiation during plasma test equipment operation. Relating to a coating method.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

プラズマの2段加熱装匝の1つであるNBIは第4図に
示す機器で構成される。即ち、水素ガスを供給してプラ
ズマ状の高速イオンを生成するイオン源1.これを中性
化して中性粒子に変換する中性化セル、高速イオン粒子
を偏向させる磁石。
NBI, which is one of the two-stage plasma heating devices, is composed of the equipment shown in FIG. That is, an ion source that supplies hydrogen gas to generate plasma-like high-speed ions 1. A neutralization cell that neutralizes this and converts it into neutral particles, and a magnet that deflects high-speed ion particles.

偏向させられたイオン粒子を熱に変換するビーム・ダン
プ、中性化した粒子のエネルギーを測定するカロリーメ
ーター、主タンク内の圧力を超高真空状態にまで高める
ためのクライオポンプ7,8゜仕切板9などを含むビー
ムライン機器2.中性粒子をプラズマ真空容器5に入れ
るのにビームライン機器2と、このビームライン機器2
とプラズマ容器5を連結するドリフト管3、プラズマ容
器5とビームライン機器2間を切り離すゲート弁4、プ
ラズマを閉じこめるために設けられた各種コイルの磁場
の影響がイオン源1に及ばないようにする磁気シールド
6などで構成される。
A beam dump that converts deflected ion particles into heat, a calorimeter that measures the energy of neutralized particles, and a cryopump with 7 and 8 degree partitions that increases the pressure inside the main tank to an ultra-high vacuum state. Beamline equipment including plate 9 etc. 2. The beam line equipment 2 and this beam line equipment 2 are used to introduce neutral particles into the plasma vacuum vessel 5.
A drift tube 3 connects the plasma vessel 5 and the plasma vessel 5, a gate valve 4 separates the plasma vessel 5 from the beam line equipment 2, and prevents the ion source 1 from being influenced by the magnetic fields of various coils provided to confine the plasma. It is composed of a magnetic shield 6 and the like.

クライオポンプ7.8は通常第5図に示す機器で構成さ
れる6すなわち、薄板を2枚キルテイング構造で重ね合
わせし、その中にヘリウムHeを流通させ水素ガスを大
量に凝縮排気させるクライオパネル11.水素ガスに対
して最も大きなコンダクタンスを有し、また常温からの
クライオパネルへの放射透過を最小にするシェブロンバ
ッフル10、タンク側板からの放射透過を防止するため
のシールド板12である。このうち、シェブロンバッフ
ル10、およびシールド板12は液体窒素LNzで冷却
され、クライオパネル11をシールドしている。この他
クライオパネル11とシェブロンバッフル10とシール
ド板12とを相互組立連結するクライオ枠13、このク
ライオ枠13にクライオパネル11を支持固定する支持
絶縁物14、シェブロンバッフル10、およびシールド
板12にLN2を供給するマニホールド15゜LN2配
管などがある。
The cryopump 7.8 usually consists of the equipment shown in Fig. 56, namely, the cryopanel 11, which consists of two thin plates superimposed in a quilted structure, through which helium He flows to condense and exhaust a large amount of hydrogen gas. .. A chevron baffle 10 has the largest conductance for hydrogen gas and minimizes radiation transmission from room temperature to the cryopanel, and a shield plate 12 prevents radiation transmission from the tank side plate. Of these, the chevron baffle 10 and the shield plate 12 are cooled with liquid nitrogen LNz and shield the cryopanel 11. In addition, a cryo frame 13 that mutually assembles and connects the cryo panel 11, chevron baffle 10, and shield plate 12, a support insulator 14 that supports and fixes the cryo panel 11 to this cryo frame 13, a chevron baffle 10, and a LN2 There is a manifold 15°LN2 piping that supplies .

クライオパネル11は第6図に示す構造で、2枚の薄板
をキルテイング構造で重ね合わせて部分19をスポット
溶接し、端面を全周TiG溶接でふさいである。パネル
上下端に液体ヘリウムLlleの供給口16と排出口1
7を設け、パネル縦方向2ケ所に吊り用のヒンジ18を
取付ける。クライオパネルはLHeを封入するため、通
常ステンレス鋼(SUS316L )を用いるが、本体
のプラズマ試験装置を運転する場合、プラズマのサイク
ロトロン放射からパネルへの電磁波吸収が大きく、これ
による熱負荷からポンプ作用が低下し、排気不能になる
可能性がある。このためクライオパネル表面にはサイク
ロトロン放射の電磁波に対する数倍の表皮厚さをもった
アルミニウムコーティングを施こし、熱負荷を低減させ
る必要がある。一方、アルミニウムコーティング膜厚を
必要以上にすると、プラズマ本体周囲の磁場の影響によ
りクライオパネルに渦電流を生じ、これに基づくロスで
前記クライオパネルの熱負荷を逆に上昇させるから、ア
ルミニウムコーティングの膜厚の上限がもとのクライオ
パネルの導電率の1.2倍以下になるよう設定する。
The cryopanel 11 has a structure shown in FIG. 6, in which two thin plates are overlapped in a quilted structure, a portion 19 is spot welded, and the end face is closed with TiG welding all around. Supply port 16 and discharge port 1 for liquid helium Llle at the upper and lower ends of the panel
7, and hanging hinges 18 are attached at two locations in the longitudinal direction of the panel. Cryopanels are usually made of stainless steel (SUS316L) in order to encapsulate LHe, but when operating the main body's plasma test equipment, the panel absorbs large electromagnetic waves from the plasma's cyclotron radiation, and the pumping action is affected by the heat load caused by this. It may drop and become impossible to pump. Therefore, it is necessary to apply an aluminum coating on the surface of the cryopanel with a skin thickness several times that of the electromagnetic waves of cyclotron radiation to reduce the heat load. On the other hand, if the aluminum coating is made thicker than necessary, eddy currents will be generated in the cryopanel due to the influence of the magnetic field around the plasma body, and the loss caused by this will conversely increase the heat load on the cryopanel. The upper limit of the thickness is set to be 1.2 times or less the conductivity of the original cryopanel.

従来このような条件で設定されたコーティング膜厚0.
5〜2.0μ程度の形成方法としては真空蒸着法が一般
的であった。第7図に真空蒸着法によるクライオパネル
のアルミニウムコーティング法の作業状態を示す。クラ
イオパネル11(ステンレス鋼板)にアルミニウムを蒸
着させるには、まずクライオパネル11を中性洗剤、ト
リフレン。
Conventionally, the coating film thickness set under these conditions was 0.
Vacuum deposition has been a common method for forming a thickness of about 5 to 2.0 microns. FIG. 7 shows the working status of the aluminum coating method for cryopanels using the vacuum evaporation method. To deposit aluminum on the cryopanel 11 (stainless steel plate), first wash the cryopanel 11 with a neutral detergent, Triflene.

超音波フロン蒸気などによりよく洗浄し、真空槽20内
に横向きに設置する。その後、真空槽20の真空排気口
21から真空ポンプ(通常、油拡散ポンプを使用)でI
 X 10−I!Torr程度に真空引きした後、基板
28近傍に設置した基板予熱ヒータ24、基板予熱電源
25を通電することにより300℃、2時間程度加熱し
、クライオパネル表面に付着したゴミや有機物を除去し
た上、基板28を活性状態に保っておく。一般に、この
ような状態でないとステンレスとアルミニウムは接合し
ない。次に、蒸発源ヒータ22に蒸発源電源23を投入
し、所定の位置に配置された蒸発源26を加熱蒸発して
やれば、アルミニウムが飛散しクライオパネル11表面
に付着堆積する。また、真空槽20内面にはアルミニウ
ム箔27を全周に貼り付け、ル板子熱ヒータや蒸発源ヒ
ータの熱が逃げないように、また真空槽内が蒸発源の飛
散物で汚染されないようにカバーしている。尚、クライ
オパネルに関しては、特開昭60−142067号公報
等に開示がある。
It is thoroughly cleaned using ultrasonic freon vapor, etc., and placed horizontally in the vacuum chamber 20. After that, I
X 10-I! After evacuation to about Torr, the substrate preheating heater 24 and substrate preheating power supply 25 installed near the substrate 28 are heated to 300° C. for about 2 hours to remove dust and organic substances attached to the surface of the cryopanel. , keeping the substrate 28 in an active state. Generally, stainless steel and aluminum cannot be bonded together unless this condition is met. Next, when the evaporation source power source 23 is turned on to the evaporation source heater 22 and the evaporation source 26 placed at a predetermined position is heated and evaporated, aluminum is scattered and deposited on the surface of the cryopanel 11. In addition, an aluminum foil 27 is pasted all around the inner surface of the vacuum chamber 20 to cover the inside of the vacuum chamber so that the heat from the plate heater and the evaporation source heater does not escape, and the inside of the vacuum chamber is not contaminated with scattered objects from the evaporation source. are doing. Incidentally, cryopanels are disclosed in Japanese Patent Application Laid-open No. 142067/1983.

〔発明が解決しようとする問題点〕[Problem that the invention seeks to solve]

アルミニウムの付着力は通常加熱蒸発源22の熱エネル
ギーとクライオパネル11の前処理条件(主に加熱温度
と時間)により左右されるが、クライオパネルの面積が
0 、5 r! (550no X900m程度)と大
きく、1回の加熱蒸発で堆積させ得る厚さも1000〜
3000人に限定されるので、何回も蒸発源26を取換
え、真空引きと加熱をくり返さないと所定の膜厚が得ら
れない欠点があった。また、クライオパネル11に予熱
ヒータ24を使用しての加熱でも、ヒータは片側からし
か加熱できない。ところが、2枚合わせ板状のクライオ
パネル中間部には空気層があり、蒸着させる面と加熱面
で温度差が生じ、付着力の点からも信頼性に乏しい製品
しかできなかった。また、真空蒸着法で付着堆積したア
ルミニウムコーテイング膜は一般に多孔質で膜厚の均一
性に乏しく、何回も蒸発源を取換えてアルミニウムコー
テイング膜を堆積させた場合は、最終的にコーテイング
膜を焼鈍するなどの熱処理が必要になる欠点があった。
The adhesion force of aluminum usually depends on the thermal energy of the heating evaporation source 22 and the pretreatment conditions of the cryopanel 11 (mainly the heating temperature and time), but when the area of the cryopanel is 0.5 r! (approximately 550mm x 900m), and the thickness that can be deposited with one heating evaporation is 1000mm~
Since the number of participants was limited to 3,000, there was a drawback that the desired film thickness could not be obtained without replacing the evaporation source 26 many times and repeating evacuation and heating. Furthermore, even when the cryopanel 11 is heated using the preheater 24, the heater can only heat from one side. However, there is an air layer in the middle of the cryopanel, which is made of two laminated plates, and there is a temperature difference between the deposition surface and the heating surface, resulting in a product with poor reliability in terms of adhesion. In addition, aluminum coating films deposited by vacuum evaporation are generally porous and have poor uniformity in film thickness, and if the aluminum coating film is deposited by changing the evaporation source many times, the final coating film may It had the disadvantage of requiring heat treatment such as annealing.

本発明の目的は、膜厚が均一で高信頼性のクライオパネ
ルコーティングを短時間で経済的に形成することのでき
るクライオパネルのコーティング方法を提供するにある
An object of the present invention is to provide a cryopanel coating method that can economically form a cryopanel coating with uniform thickness and high reliability in a short time.

〔問題点を解決するための手段〕[Means for solving problems]

本発明は、真空蒸着法よりもコーティング膜厚が均一で
、かつ、付着力が強いアルミニウムコーテイング膜を安
価に形成する方法として陰極スパッタリング法を用い、
しかもクライオパネル両面を同時にスパッタリングする
ようにしたものである。
The present invention utilizes a cathode sputtering method as a method for inexpensively forming an aluminum coating film with a more uniform coating thickness and stronger adhesion than the vacuum evaporation method.
Moreover, both sides of the cryopanel are sputtered at the same time.

〔作用〕[Effect]

本発明のように陰極スパッタリングを用いれば、アルゴ
ンガスを電離する際のエネルギーによりイオン化したア
ルゴンガス粒子をターゲットのアルミニウムに衝突させ
、放出されたスパッタリングアルミニウムをクライオパ
ネルに付着堆積させることができ、そのエネルギーは真
空蒸着エネルギーに比較し、10〜100倍と大きく、
安定した付着力の高いアルミニウムコーテイング膜が形
成1〜第3図により説明する。
If cathode sputtering is used as in the present invention, argon gas particles ionized by the energy generated when ionizing argon gas collide with the target aluminum, and the emitted sputtered aluminum can be deposited on the cryopanel. The energy is 10 to 100 times larger than vacuum evaporation energy,
Formation of an aluminum coating film with stable and high adhesion will be explained with reference to FIGS. 1 to 3.

本実施例におけるスパッタリング装置の真空系全般の構
成は、真空蒸着装置と概略同一である。
The general configuration of the vacuum system of the sputtering apparatus in this embodiment is approximately the same as that of the vacuum evaporation apparatus.

該図において、上下端の配管供給口と排出口とをふさぎ
、パネル表面を所定のペーパ、または機材でみがいた後
に、中性洗剤洗浄、トリクレン浸漬。
In the figure, the pipe supply ports and discharge ports at the upper and lower ends are blocked, the panel surface is polished with a designated paper or material, and then washed with a neutral detergent and soaked in Triclean.

アセトン拭き上げ、超音波フロン蒸気洗浄などの前処理
を完了したクライオパネル30は、パネル側面に設定し
たヒンジを利用して竪形に配置され、スパッタリング固
定治具に設置される。このクライオパネル3oからリー
ド線を引出し、真空槽31とは絶縁された高圧端子33
とリード線36を介して直流電源37のプラス側に接続
される。
The cryopanel 30, which has undergone pre-treatments such as acetone wiping and ultrasonic freon vapor cleaning, is arranged vertically using a hinge set on the side of the panel and installed in a sputtering fixture. A lead wire is drawn out from this cryopanel 3o, and a high voltage terminal 33 is insulated from the vacuum chamber 31.
and is connected to the positive side of a DC power source 37 via a lead wire 36.

また、第3図に示した真空槽外筒31A、内筒31Bに
は各々純アルミニウムのターゲット材32A、32Bが
埋込まれ、これらは真空槽31と同じく直流電源37の
マイナス側に接続され、一方は接地される。この状態で
真空槽内31を真空排気口35から真空ポンプにより1
×10″″fiTorr程度真空引きし、その後、真空
槽31に数箇所設けられたガス導入口34からアルゴン
(Ar)ガスを封入し、直流グロー放電を生じさせる。
Further, pure aluminum target materials 32A and 32B are embedded in the vacuum chamber outer cylinder 31A and inner cylinder 31B shown in FIG. One side is grounded. In this state, the inside of the vacuum chamber 31 is pumped through the vacuum exhaust port 35 by a vacuum pump.
The vacuum chamber 31 is evacuated to approximately x10'' fiTorr, and then argon (Ar) gas is filled in from the gas inlets 34 provided at several locations in the vacuum chamber 31 to generate a direct current glow discharge.

このグロー放電は印加電圧、真空槽31内の圧力、およ
びクライオパネル30と真空槽31の内外筒のギャップ
により左右される。放電によりArの電離エネルギーが
、真空槽内外筒31A、31Bに設置されたターゲット
32A、32Bをスパッタリングさせ、アルミニウムを
飛散させる。これら飛散したアルミニウムは真空槽内3
1を浮遊し、第3図に示した如く、回転機構によって真
空槽内を回転せられるクライオパネル30に付着堆積し
、直流電流が真空槽外部のリード線36を介して流れる
ことになる。陰極スパッタリングは、Arガスを?IJ
iしその電離エネルギーによりイオン化したArガス粒
子をターゲットのアルミニウムに衝突させ、放出された
スパツタリングアルミニウムをクライオパネル30に付
着堆積させるものであり、そのエネルギーは真空蒸着の
エネルギーに比較し10〜100倍と大きく、安定した
付着力の高いアルミニウムコーテイング膜が形成される
This glow discharge is influenced by the applied voltage, the pressure inside the vacuum chamber 31, and the gap between the cryopanel 30 and the inner and outer cylinders of the vacuum chamber 31. The ionization energy of Ar due to the discharge sputters the targets 32A and 32B installed in the inner and outer cylinders 31A and 31B of the vacuum chamber, scattering aluminum. These scattered aluminum are inside the vacuum chamber 3.
1 is suspended and deposited on the cryopanel 30 which is rotated within the vacuum chamber by a rotating mechanism as shown in FIG. 3, and a direct current flows through the lead wire 36 outside the vacuum chamber. Does cathode sputtering use Ar gas? I.J.
The ionized Ar gas particles are caused to collide with the target aluminum by the ionization energy of the ionizing energy, and the emitted sputtering aluminum is deposited on the cryopanel 30.The energy is 10~10% compared to the energy of vacuum evaporation. An aluminum coating film that is 100 times larger and has a stable and highly adhesive strength is formed.

このようにして形成された膜質を走査型電子顕微鏡で観
察しても、スパッタリング法のそれは蒸着法のものに比
較し、ち密でピンホールも少ない。
When the quality of the film formed in this way is observed using a scanning electron microscope, it is found that the sputtering method is denser and has fewer pinholes than the vapor deposition method.

また、真空蒸着の場合と異なり、真空槽の中へ一旦入れ
たものは電圧、電流、真空度9時間のみの管理だけでコ
ントロールが可能であり、真空蒸着の場合のように何回
も蒸着源を入換えたり加熱したりする必要はない。特に
、加熱する必要がないことから、第2図に示した如く、
クライオパネルの両面にアルミニウムコーティングを同
時形成することができる。本発明者らは、アルミニウム
コーティングしたクライオパネルをLNzタンクの中に
浸漬した後、気中に引出し放置するヒートサイクル試験
を100回実施したが、本発明の陰極スパッタリング法
のものは何らはがれることはなかった。これに対して真
空蒸着法のものについては、加熱法がうまくゆかない場
合ははがれが生ずる。
In addition, unlike in the case of vacuum evaporation, once the material is placed in the vacuum chamber, it can be controlled by simply controlling the voltage, current, and degree of vacuum for 9 hours, and unlike in the case of vacuum evaporation, the evaporation source can be There is no need to replace or heat it. In particular, since there is no need for heating, as shown in Figure 2,
Aluminum coatings can be formed on both sides of the cryopanel simultaneously. The present inventors conducted a heat cycle test 100 times in which an aluminum-coated cryopanel was immersed in an LNz tank and then pulled out and left in the air, but the cathode sputtering method of the present invention did not show any peeling. There wasn't. On the other hand, with vacuum evaporation methods, peeling occurs if the heating method is not successful.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

本発明によれば、従来の方法に比較して、膜厚が均一で
、かつ、付着力が強いアルミニウムコーテイング膜を短
時間で安価に製作でき、しかも、クライオパネル両面を
同時にコーティング可能な方法が提供される。
According to the present invention, compared to conventional methods, an aluminum coating film with a uniform thickness and strong adhesion can be produced in a short time and at a low cost, and also can coat both sides of a cryopanel at the same time. provided.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明の陰極スパッタリング法によるクライオ
パネルアルミニウムコーティング方法の原理を示す図、
第2図は両面コーティング方法の縦断面図、第3図はそ
の横断面図、第4図はNBIの概要システムを示す図、
第5図はクライオポンプの構造を示す図、第6図はクラ
イオパネルの構造を示す図、第7図は真空蒸着法による
クライオパネルアルミニウムコーティング方法を示す図
である。 1・・・イオン源、2・・・ビームライン機器、3・・
・ドリフト管、4・・・ゲート弁、5・・・プラズマ真
空容器、6・・・磁気シールド、7,8・・・クライオ
ポンプ、10・・・シェブロンバッフル、11・・・ク
ライオパネル、12・・・シールド板、15・・・マニ
ホールド、16・・・供給口、17・・・排出口、2o
・・・真空槽、21・・・真空排気口、22・・・蒸発
源ヒータ、23・・・蒸発源電源、24・・・基板予熱
ヒータ、25・・・基板予熱電源、26・・・蒸発源、
30・・・クライオパネル、31・・・真空槽、31A
・・・真空槽外筒、31B・・・真空槽内筒、32.3
2A、32B・・・ターゲット、33・・・高圧端子、
34・・・ガス導入口、35・・・真空排気口、36・
・・リード線、37・・・直流電源。
FIG. 1 is a diagram showing the principle of the cryopanel aluminum coating method using the cathode sputtering method of the present invention.
Fig. 2 is a longitudinal cross-sectional view of the double-sided coating method, Fig. 3 is a cross-sectional view thereof, Fig. 4 is a diagram showing the general system of NBI,
FIG. 5 is a diagram showing the structure of a cryopump, FIG. 6 is a diagram showing the structure of a cryopanel, and FIG. 7 is a diagram showing a cryopanel aluminum coating method using a vacuum evaporation method. 1...Ion source, 2...Beam line equipment, 3...
・Drift tube, 4... Gate valve, 5... Plasma vacuum vessel, 6... Magnetic shield, 7, 8... Cryopump, 10... Chevron baffle, 11... Cryopanel, 12 ... Shield plate, 15... Manifold, 16... Supply port, 17... Discharge port, 2o
... Vacuum chamber, 21... Vacuum exhaust port, 22... Evaporation source heater, 23... Evaporation source power source, 24... Substrate preheating heater, 25... Substrate preheating power source, 26... evaporation source,
30... Cryopanel, 31... Vacuum chamber, 31A
...Vacuum chamber outer cylinder, 31B...Vacuum chamber inner cylinder, 32.3
2A, 32B...Target, 33...High voltage terminal,
34... Gas inlet, 35... Vacuum exhaust port, 36.
...Lead wire, 37...DC power supply.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1、薄板を2枚キルテイング構造で重ね合わせ、その中
に液体ヘリウムを流通させ、水素ガスを大量に凝縮排気
させるためのクライオポンプに用いるクライオパネルの
表面にアルミニウムをコーティングする方法において、
不活性ガスを電離し、その電離エネルギーによりイオン
化した不活性ガス粒子をターゲットのアルミニウムに衝
突させ、これにより放出されたスパツタリングアルミニ
ウムを前記クライオパネルに付着堆積させる陰極スパッ
タリング法によりコーティングすることを特徴とするク
ライオパネルのコーティング方法。 2、特許請求の範囲第1項記載のものにおいて、前記ク
ライオパネルを竪形に配置し、該クライオパネルの両表
面を同時にスパッタリングすることを特徴とするクライ
オパネルのコーティング方法。
[Claims] 1. The surface of a cryopanel used in a cryopump for condensing and exhausting a large amount of hydrogen gas by stacking two thin plates in a quilted structure and flowing liquid helium therein to condense and exhaust a large amount of hydrogen gas is coated with aluminum. In the method,
Coating is carried out by a cathode sputtering method in which an inert gas is ionized, inert gas particles ionized by the ionization energy collide with the target aluminum, and the sputtering aluminum released thereby is deposited on the cryopanel. Characteristic cryopanel coating method. 2. A cryopanel coating method according to claim 1, characterized in that the cryopanel is arranged vertically and both surfaces of the cryopanel are sputtered simultaneously.
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