JPH01142753A - Developing device - Google Patents

Developing device

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Publication number
JPH01142753A
JPH01142753A JP62302014A JP30201487A JPH01142753A JP H01142753 A JPH01142753 A JP H01142753A JP 62302014 A JP62302014 A JP 62302014A JP 30201487 A JP30201487 A JP 30201487A JP H01142753 A JPH01142753 A JP H01142753A
Authority
JP
Japan
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toner
ceramics
developing device
raw material
atoms
Prior art date
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Pending
Application number
JP62302014A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Toshimasa Takano
高野 敏正
Kaoru Oshima
大島 薫
Mutsuki Yamazaki
六月 山崎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
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Publication of JPH01142753A publication Critical patent/JPH01142753A/en
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Abstract

PURPOSE:To obtain a high-grade image regardless of kinds of toners by coating ceramics contg. Si and/or Ge atoms on the surface of a toner holding body and a control member for forming a thinner layer. CONSTITUTION:The ceramics contg. the Si and/or Ge atoms is coated on at least the surface of a developing roller 55 as the toner holding body and an elastic blade 57 as the control member for forming the thinner layer. The above- mentioned ceramics has a small coefft. of friction and, therefore, the wear of the roller 55 and the blade 57 by the friction thereof is decreased and the good image is obtd. stably even if the developing device is operated for a long period of time. Since the above-mentioned ceramics can be changed in the electric conductivity and electrical conductiveness over a wide range, the ground fogging in the case of using a toner having low electrostatic chargeability and the degradation in density in the case of using the toner having the high electrostatic chargeability are prevented by selecting the compsn. of the ceramics so as to meet the electrostatic chargeability of the toner. The high-grade image is thus obtd. regardless of the kinds of the toners.

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の目的コ (産業上の利用分野) 本発明は、電子複写機などにおける画像形成装置に装備
される現像装置の改良に関するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Object of the Invention (Industrial Application Field) The present invention relates to an improvement in a developing device installed in an image forming apparatus such as an electronic copying machine.

(従来の技術) 一般に、電子複写装置などの画像形成装置における現像
装置には、像担持体である感光体上に形成された静電潜
像を可視化するための現像処理手段として、例えば二成
分系あるいは磁性−成分系た現像剤を用いるものが知ら
れている。
(Prior Art) In general, a developing device in an image forming apparatus such as an electronic copying device has a two-component developing device, for example, as a developing processing means for visualizing an electrostatic latent image formed on a photoreceptor, which is an image bearing member. A method using a developer based on a magnetic component or a magnetic component is known.

しかしながら、上記した二成分系現像剤を用いた現像処
理手段では、現像剤であるトナーとギヤリアとの濃度比
を正確にコントロールする必要があり、一方磁性一成分
系現像剤を用いる現像処理手段では、トナーが暗色系の
磁性体を含んでいるため、カラー化が困難であるなどの
不都合を右するばかりか、いずれの現像処理手段におい
ても、現像剤保持体である現像ローラとしてマグネット
ローラを必要とするため、コスト的に非常に高価なもの
となっていた。
However, in the development processing means using the above-mentioned two-component developer, it is necessary to accurately control the concentration ratio between the toner as the developer and the gear rear, whereas in the development processing means using the magnetic one-component developer, , since the toner contains a dark magnetic material, it not only causes problems such as difficulty in colorizing the toner, but also requires a magnetic roller as the developing roller that holds the developer in any development processing method. Therefore, the cost was extremely high.

そこで、上記のような不具合を解消するものとして、最
近非磁性の一成分現像剤を用いた現像処理手段が提案さ
れている。
Therefore, in order to solve the above-mentioned problems, a development processing means using a non-magnetic one-component developer has recently been proposed.

このような非磁性−成分系現像剤を用いた現像装置にお
いては、トナーを収納したホッパーにミキサーおよびト
ナー供給ローラを配設し、これらの回転作用によりトナ
ー保持体である現像ローラにトナーを供給すると共に、
この現像ローラの外周に薄層化規制部材としての弾性ブ
レードを当接させて、前記現像ローラ上に厚さ約30μ
m程度のトナー薄膜層を形成する。
In a developing device using such a non-magnetic component developer, a mixer and a toner supply roller are arranged in a hopper containing toner, and the rotational action of these supplies the toner to the developing roller, which is a toner holding member. At the same time,
An elastic blade serving as a thinning regulating member is brought into contact with the outer periphery of the developing roller, and a thickness of approximately 30 μm is applied onto the developing roller.
A thin toner film layer of about m is formed.

そして、このトナー薄膜層を像担持体である感光体に近
接対面させることにより、前記感光体上の静電潜像を現
像するようになっている。
The electrostatic latent image on the photoreceptor is developed by bringing this toner thin film layer close to and facing the photoreceptor, which is an image carrier.

ところで、上述した従来の非磁性−成分現像剤を用いた
現像装置においては、前記感光体として負極性のものを
用いているため、コーテイング後の帯電mが約+12μ
C/g程度となるような正帯電性のトナーが用いられて
いる。
By the way, in the above-mentioned developing device using the conventional non-magnetic component developer, since a negative polarity photoreceptor is used, the charge m after coating is approximately +12μ.
A positively chargeable toner having a charge of approximately C/g is used.

このような現像方式は、基本的に高抵抗の一成分系トナ
ーを用いるものであり、トナーの帯電は現像ローラと弾
性ブレードとの摩擦帯電によってなされる。
Such a developing system basically uses a high-resistance single-component toner, and the toner is charged by frictional charging between a developing roller and an elastic blade.

また、トナーは、トナーと現像ローラとの回転に連れて
搬送されるため、二成分系現像剤や磁性−成分系現像剤
のように、磁気による搬送を必要としない。
Furthermore, since the toner is conveyed as the toner and the developing roller rotate, it does not require magnetic conveyance unlike a two-component developer or a magnetic-component developer.

したがって、従来の非磁性−成分現像剤を用いた現像装
置によれば、きわめて簡単な構造で高品位の画像を実現
でき、コスト面でも有利で、カラー化にも最適であると
されていた。
Therefore, a conventional developing device using a non-magnetic component developer can produce high-quality images with an extremely simple structure, is advantageous in terms of cost, and is said to be optimal for color printing.

(発明が解決しようとする問題点) しかしながら、上述した従来の非磁性−成分系現像剤を
用いた現像装置においては、長時間運転している内に、
トナー保持体としての現像ローうおよび1illWJ化
規制部材としての弾性ブレードが、トナーとの摩擦によ
り摩耗し、画(il、13度の低下や文字のかすれが顕
著になるという問題があった。
(Problems to be Solved by the Invention) However, in the developing device using the above-mentioned conventional non-magnetic component type developer, while operating for a long time,
There was a problem in that the developing row as a toner holding member and the elastic blade as an illumination control member were worn out due to friction with the toner, resulting in a noticeable decrease in image (il) by 13 degrees and blurring of characters.

また、弾性ブレードとして金属製またはゴム類のものを
使用しているため、トナーとのII!FJが大きく、現
像装置の駆動トルクが増大するという問題があった。
Also, since the elastic blade is made of metal or rubber, it is difficult to use with toner! There was a problem in that the FJ was large and the driving torque of the developing device increased.

さらに、とくに帯電性の低いトナーを用いる場合には画
像に地かぶりを生じやすく、逆に帯電性の高いトナーを
用いる場合には画像の濃度が低下するため、使用するト
ナーの種類によって画像の品位が大きく変動するという
問題があった。
Furthermore, when toner with low chargeability is used, background fog is likely to occur in the image, and conversely, when toner with high chargeability is used, the density of the image decreases, so the quality of the image depends on the type of toner used. There was a problem that the value fluctuated greatly.

本発明は、上述した従来の現像装置における問題点を解
決するために検討した結果、達成されたものである。
The present invention was achieved as a result of studies aimed at solving the problems in the conventional developing device described above.

したがって、本発明の目的は、長時間使用しても、地か
ぶりや濃度低下のない高品位画像を安定して取得するこ
とができ、しかも駆動1〜ルクを軽減した現像装置を提
供することにある。
Therefore, an object of the present invention is to provide a developing device that can stably obtain high-quality images without background fog or density reduction even when used for a long time, and that also reduces driving torque. be.

[発明の構成] (問題点を解決するための手段) すなわち、本発明の現像装置は、静電潜像を現像するた
めに搬送される非磁性〜成分系トナーを保持するトナー
保持体と、このトナー保持体に前記トナーを供給する手
段と、前記トナー保持体上のトナーを薄層化する薄層化
規制部材とを具備する現像装置において、前記トナー保
持体および前記薄層化規制部材の少なくとも表面に、S
iおよび/またはGe原子を含有するセラミクスをコー
ティングしたことを特徴とする。
[Structure of the Invention] (Means for Solving the Problems) That is, the developing device of the present invention includes a toner holder that holds non-magnetic to component-based toner that is conveyed to develop an electrostatic latent image; In a developing device comprising means for supplying the toner to the toner holding body and a thinning regulating member for thinning the toner on the toner holding body, the toner holding body and the thinning regulating member are provided. At least on the surface, S
It is characterized by being coated with ceramics containing i and/or Ge atoms.

(作用) 本発明の現像装置は、トナー保持体および薄層化規制部
材の少なくとも表面に、S i J3よび/またはGe
原子を含有するセラミクスをコーティングしたため、複
写画像の長時間安定性および装置の駆動効率がすぐれて
おり、さらにはトナーの帯電性にかかわらず、地かぶり
や濃度低下がない高品位の画像を安定して(りることが
できる。
(Function) The developing device of the present invention has Si J3 and/or Ge
Because it is coated with ceramics containing atoms, the long-term stability of copied images and the drive efficiency of the device are excellent, and it also produces stable high-quality images with no background fog or loss of density, regardless of the chargeability of the toner. You can do it.

づなわち、前記セラミクスは硬度が高く、しかも耐摩耗
性にすぐれているため、トナー保持体およびil1層化
規制部材の摩擦による摩耗が減少し、現像装置を長時間
運転しても、安定して良好な画像を得ることができる。
In other words, since the ceramics have high hardness and excellent wear resistance, wear due to friction of the toner holding body and the IL1 layering regulating member is reduced, and the developing device remains stable even when operated for a long time. It is possible to obtain good images.

また、前記セラミクスは摩擦係数が小さいため、トナー
保持体と薄層化規制部材との間のN擦が減少し、現像装
置の駆動トルクを軽減することができる。
Further, since the ceramic has a small coefficient of friction, the N friction between the toner holding body and the layer thinning regulating member is reduced, and the driving torque of the developing device can be reduced.

さらに、前記セラミクスは電気伝導度および導電性を広
範囲に変化させることができるため、トナーの帯電性に
合せてセラミクスの組成を選択することにより、帯電性
の低いトナーを用いる場合にも地かぶりや、帯電性の高
いトナーを用いる場合の濃度低下が解消し、トナーの種
類にかかわらず高品位の画像を得ることができる。
Furthermore, since the electric conductivity and conductivity of the ceramics can be varied over a wide range, by selecting the composition of the ceramics according to the chargeability of the toner, background fog can be prevented even when toner with low chargeability is used. , the decrease in density that occurs when toner with high chargeability is used is eliminated, and high-quality images can be obtained regardless of the type of toner.

したがって、本発明の現像装置によれば、画像温度の低
下、文字のかすれおよび地かぶりなどを発生することが
なく、常に鮮明な画像を得ることができる。
Therefore, according to the developing device of the present invention, it is possible to always obtain clear images without causing a drop in image temperature, blurring of characters, background fogging, etc.

(実施例) 以下に、図面を参照しつつ、本発明の現像装置の実施例
について、詳細に説明する。
(Example) Examples of the developing device of the present invention will be described in detail below with reference to the drawings.

第1図は本発明の現像装置を搭載した電子複写□の概略
断面説明図、第2図は本発明の現像装置を示す概略断面
説明図、第3図は同部分正面説明図、第4図は本発明の
現像装置におけるトナー保持体と17IJ層化規制部材
の当接状態を示す概略断面説明図、第5図は薄層化規H
i+1部材に対するセラミクスのプラズマCVDコーテ
ィング装置を示す概略断面説明図、第6図はトナー保持
体に対するセラミクスのプラズマCVDコーティング装
置を示す概略側断面説明図、第7図は同概略平断面説明
図、第8図は薄層化規制部材に対するセラミクスのスパ
ッタリングコーティング装置を示す概略断面説明図であ
る。
FIG. 1 is a schematic cross-sectional explanatory diagram of an electronic copy □ equipped with the developing device of the present invention, FIG. 2 is a schematic cross-sectional explanatory diagram showing the developing device of the present invention, FIG. 3 is a front explanatory diagram of the same part, and FIG. 5 is a schematic cross-sectional explanatory diagram showing the state of contact between the toner holder and the 17IJ layering regulating member in the developing device of the present invention, and FIG.
6 is a schematic cross-sectional explanatory view showing a ceramic plasma CVD coating apparatus for an i+1 member, FIG. 6 is a schematic side cross-sectional explanatory view showing a ceramic plasma CVD coating apparatus for a toner holder, FIG. FIG. 8 is a schematic cross-sectional view showing a ceramic sputtering coating apparatus for a thinning regulating member.

第1図において、複写機本体1内の略中火には、像担持
体としての感光体2が矢印方向に回転自在に設けられて
いる。
In FIG. 1, a photoreceptor 2 serving as an image carrier is provided in a substantially medium-sized portion of a copying machine main body 1 so as to be rotatable in the direction of the arrow.

この感光体2の周囲には、その回転方向にしたがって、
帯電装置3、結像レンズ4、現像袋M5、転写装置6、
クリーナー7および除電装置8が順次配設されている。
Around the photoreceptor 2, there are
Charging device 3, imaging lens 4, developing bag M5, transfer device 6,
A cleaner 7 and a static eliminator 8 are arranged in this order.

また、本体1の上部側には、原稿を露光する光学系9が
設けられており、前記本体1の下部側には給紙カセット
10が装着されている。
Further, an optical system 9 for exposing a document to light is provided on the upper side of the main body 1, and a paper feed cassette 10 is installed on the lower side of the main body 1.

この給紙カセット10から用紙が供給され、供給された
用紙は搬送路11に沿って搬送されるように構成されて
いる。
Paper is supplied from this paper feed cassette 10, and the supplied paper is configured to be transported along a transport path 11.

搬送路11には用紙の搬送方向に沿ってレンズt・ロー
ラ12、定着装置13および排紙ローラ14が配設され
ている。
A lens T/roller 12, a fixing device 13, and a paper ejection roller 14 are arranged along the paper transport direction in the transport path 11.

なお、図中の15は排紙トレイ、16は原稿台である。Note that 15 in the figure is a paper discharge tray, and 16 is a document table.

上述した構成からなる複写機を用いて画像を形成するに
際しては、光学系9により原稿台16上の原稿に光が照
射され、その反射光が結像レンズ4を介して感光体2に
結像されることにより、前記感光体20表面に静電潜像
が形成される。
When forming an image using the copying machine configured as described above, the optical system 9 irradiates light onto the document on the document table 16, and the reflected light forms an image on the photoreceptor 2 via the imaging lens 4. As a result, an electrostatic latent image is formed on the surface of the photoreceptor 20.

そして、この静電潜像に対し、現像装置5から非磁性−
成分系現像剤(以下単にトナーと略称する)が供給され
て可視像化される。
Then, a non-magnetic film is applied to this electrostatic latent image from the developing device 5.
A component-based developer (hereinafter simply referred to as toner) is supplied and visualized.

一方、給紙カセット10から用紙が供給されて、感光体
2と転写波N6との間に送られ、前記感光体2上の可視
像が用紙に転写される。
On the other hand, paper is supplied from the paper feed cassette 10 and sent between the photoreceptor 2 and the transfer wave N6, and the visible image on the photoreceptor 2 is transferred to the paper.

転写された用紙は搬送路11に沿って定着装置13へ搬
送され、定着された後、排紙ローラ14を介して排紙ト
レイ15へと排紙されるようになっている。
The transferred paper is conveyed to a fixing device 13 along a conveyance path 11, and after being fixed, the paper is discharged to a paper discharge tray 15 via a paper discharge roller 14.

次に、本発明の現像装置について第2〜4図にしたがっ
て詳述する。
Next, the developing device of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 2 to 4.

第2図および第3図において、本発明の現像装置5はホ
ッパー状の現像ユニット51を具備し、この現像ユニッ
ト51内には非磁性−成分系現像剤(トナー)52が収
納されている。
In FIGS. 2 and 3, the developing device 5 of the present invention includes a hopper-shaped developing unit 51, and a non-magnetic component developer (toner) 52 is stored in the developing unit 51.

そして、現像ユニット51内には、トナー保持体として
の現像ローラ55にトナー52を供給する供給ロール5
4が、現像ローラ55に接つして設けられており、前記
現像ローラ55の回転方向と逆方向に回転するように構
成されている。
In the developing unit 51, a supply roll 5 that supplies toner 52 to a developing roller 55 serving as a toner holding body is provided.
4 is provided in contact with the developing roller 55, and is configured to rotate in a direction opposite to the rotating direction of the developing roller 55.

さらに、現像ユニット51内には、収納されているトナ
ー52を攪拌するミキサー(W1拌羽根)53が回転可
能に設けられている。
Further, within the developing unit 51, a mixer (W1 stirring blade) 53 for stirring the stored toner 52 is rotatably provided.

前記現像ローラ55には、その周面に現像剤の′a層を
形成する″RFI化規制部材としての弾性ブレード57
が、たとえば約20〜500Q/cm程度の圧力で圧接
されている。
The developing roller 55 has an elastic blade 57 as an ``RFI regulation member'' that forms a layer ``a'' of developer on the circumferential surface of the developing roller 55.
are pressed together, for example, at a pressure of about 20 to 500 Q/cm.

この弾性ブレード57の上端部はホルダー56によって
導通状態に保持されている。
The upper end of this elastic blade 57 is held in a conductive state by a holder 56.

また、前記現像ローラ55の下部には、この現像ローラ
55の表面に残存しているトナー52を回収するための
回収ブレード58が接触されている。
Further, a collecting blade 58 for collecting the toner 52 remaining on the surface of the developing roller 55 is in contact with the lower part of the developing roller 55 .

なお、前記現像ローラ55は感光体2に対向し、図示し
ない駆動手段により、前記感光体2の周速の1〜3倍の
周速で変速回転可能となっており、静電潜像が形成され
た感光体2と前記現像ローラ55との間には、直流バイ
アス、交流バイアスまたは直流と交流とを重畳したバイ
アスが印加されている。
The developing roller 55 faces the photoreceptor 2 and can be rotated at variable speeds at a circumferential speed of 1 to 3 times the circumferential speed of the photoreceptor 2 by a driving means (not shown), so that an electrostatic latent image is formed. A direct current bias, an alternating current bias, or a bias that is a combination of direct current and alternating current is applied between the photoreceptor 2 and the developing roller 55.

次に、この現像装置5の動作について説明する。Next, the operation of this developing device 5 will be explained.

現像ユニット51内に収納されているトナー52は、ミ
キサー53および供給ローラ54の回転により攪拌され
ると共に、供給ロール54により搬送されて、現像ロー
ラ55に擦り付けられ、ざらに弾性ブレード57により
圧接されて、その層厚が制御されつつ、摩擦帯電される
The toner 52 stored in the developing unit 51 is agitated by the rotation of the mixer 53 and the supply roller 54, is conveyed by the supply roller 54, is rubbed against the development roller 55, and is roughly pressed into contact with the elastic blade 57. Then, the layer thickness is controlled and triboelectrically charged.

そして、十分に帯電されたトナー52は、感光体2に対
面する位置に搬送され、この感光体2に形成された静電
潜像に対面して、これを可視間化する。
The sufficiently charged toner 52 is conveyed to a position facing the photoreceptor 2, faces the electrostatic latent image formed on the photoreceptor 2, and makes it visible.

また、現像ローラ55の表面に残存したトナー52は、
回収ブレード58により現像ユニット51内へと戻され
る。
Further, the toner 52 remaining on the surface of the developing roller 55 is
The collecting blade 58 returns the toner to the developing unit 51 .

そして、通常現像ローラ55は金属表面からなり、また
弾性ブレード57は金属またはゴムの薄膜から構成され
ているが、本発明においては、これら現像ローラ55お
よび/または弾性ブレード57の表面に、Siおよび/
またはGe原子を含むセラミクスがコーティングされて
いることを特徴としている。
Usually, the developing roller 55 is made of a metal surface, and the elastic blade 57 is made of a thin film of metal or rubber, but in the present invention, the surface of the developing roller 55 and/or the elastic blade 57 is made of Si /
Alternatively, it is characterized by being coated with ceramics containing Ge atoms.

すなわち、第4図に示したように、本発明の現像装置に
おいて、現像ローラ55の表面にはセラミクス層55△
が均一な厚みでコーティングされており、また弾性ブレ
ード57の表裏表面にもセラミクス層57Aおよび57
Bが均一な厚みでコーティングされている。
That is, as shown in FIG. 4, in the developing device of the present invention, a ceramic layer 55Δ is formed on the surface of the developing roller 55.
is coated with a uniform thickness, and the front and back surfaces of the elastic blade 57 are also coated with ceramic layers 57A and 57.
B is coated with a uniform thickness.

セラミクスとは、耐熱はうろうの1種であり、通常は酸
化アルミニウム、酸化ケイ素、酸化クロムおよび粘土な
どを主成分とするものであるが、本発明で用いるSiお
よび/またはGe原子を含むセラミクスは、とくに硬度
が高く、しかも耐摩耗性および絶縁性にすぐれていると
共に、電気伝導度および導電性を広範囲に変化させるこ
とができるため、これらをコーティングすることにより
、現像ローラ55および弾性ブレード57の摩擦による
摩耗を効果的に減少させることができるばかりか、トナ
ーの帯電性に合せてセラミクスの組成を選択することに
より、トナーの種類に関係なく高品位の画像を取得する
ことができる。
Ceramics is a type of heat-resistant material that usually has aluminum oxide, silicon oxide, chromium oxide, clay, etc. as its main components, but it also refers to ceramics containing Si and/or Ge atoms used in the present invention. has particularly high hardness, excellent abrasion resistance and insulation properties, and can vary electrical conductivity over a wide range. By coating them, the developing roller 55 and the elastic blade 57 Not only can wear due to friction be effectively reduced, but also high-quality images can be obtained regardless of the type of toner by selecting the ceramic composition according to the chargeability of the toner.

本発明でコーティングに用いるセラミクスは、Siおよ
び/またはGe原子の含有を必須とするが、その他の構
成成分としては、N、Oll」およびハロゲン原子など
が挙げられ、なかでもHまたはハロゲン原子が1〜40
 atomic%含有されていることが望ましい。
The ceramics used for coating in the present invention must contain Si and/or Ge atoms, but other constituents include N, Oll'', and halogen atoms, with H or halogen atoms being one of them. ~40
It is desirable that the content be atomic%.

本発明においては、Slおよび/またはQeli子を含
むセラミクスを、現像ローラ55および弾性ブレード5
7のいずれか一方の表面に]−ティングすることにより
、目的とする効果が得られるが、現像ローラ55および
弾性ブレード57の両者の表面にコーティングすること
により、さらに望ましい効果を取得することができる。
In the present invention, ceramics containing Sl and/or Qeli particles are applied to the developing roller 55 and the elastic blade 55.
The desired effect can be obtained by coating the surface of either one of the developing rollers 55 and the elastic blade 57, but a more desirable effect can be obtained by coating the surfaces of both the developing roller 55 and the elastic blade 57. .

また、Siおよび/またはGe原子を含むセラミクスを
、現像ローラ55および弾性ブレード57のいずれか一
方の表面にコーティングした場合には、残る他方の表面
にSiおよび/またはGe原子を含まない通常のセラミ
クスをコーティングすることができるが、この場合に他
方のセラミクスとして、なかでもとくにTi、W1AΩ
、BおよびCから選ばれた少なくとも1種の原子を含有
するセラミクスを使用することにより、たとえば画像品
位をざらに向上させるなどの効果を期待することができ
る。
Furthermore, when ceramics containing Si and/or Ge atoms are coated on the surface of either the developing roller 55 or the elastic blade 57, the remaining surface may be coated with a ceramic containing Si and/or Ge atoms. In this case, the other ceramic may be coated with Ti, W1AΩ, etc.
By using ceramics containing at least one type of atom selected from , B, and C, it is possible to expect effects such as a rough improvement in image quality, for example.

なかでも、Ti、W系のセラミクスは電気伝導度がとく
に高いため、とくに帯電性の低いトナーを用いる場合に
は、現像ローラ55および弾性ブレード57のいずれか
一方の表面にTi、W系のセラミクスをコーティングす
ることにより、−層十分な画像濃度を1ワることができ
る。
Among them, Ti and W-based ceramics have particularly high electrical conductivity, so when using toner with low chargeability, Ti and W-based ceramics may be used on the surface of either the developing roller 55 or the elastic blade 57. By coating one layer, sufficient image density can be achieved.

また、AΩ、F3r3よびC系のセラミクスは、絶縁性
がすぐれているため、現像ローラ55および弾性ブレー
ド57のいずれか一方の表面にAΩ、BおよびC系のセ
ラミクスをコーティングすることにより、未帯電トナー
が現像ローラ55から飛散して機械内部を汚染するなど
の不具合を効果的に解消することができる。
Furthermore, since AΩ, F3r3, and C-based ceramics have excellent insulating properties, by coating the surface of either the developing roller 55 or the elastic blade 57 with AΩ, B, or C-based ceramics, it is possible to Problems such as toner scattering from the developing roller 55 and contaminating the inside of the machine can be effectively eliminated.

本発明で用いるSiおよび/またはGe原子を含むセラ
ミクスは、上述したように電気伝導度および導電性を広
範囲に変化させることができる。
The electrical conductivity and electrical conductivity of the ceramics containing Si and/or Ge atoms used in the present invention can be varied over a wide range as described above.

なお、弾性ブレード57の表面にセラミクスをコーティ
ングする場合には、その表裏両面にセラミクスをコーテ
ィングすることが望ましく、片面にのみのコーティング
では、弾性ブレードにゆがみを生じ、寸法および形状安
定性が低下することがあるため好ましくない。
In addition, when coating the surface of the elastic blade 57 with ceramics, it is desirable to coat both the front and back sides with ceramics. Coating only on one side causes distortion of the elastic blade and reduces dimensional and shape stability. This is not desirable because it may occur.

以下に、現像ローラおよび/または弾性ブレードに対す
るセラミクスのコーティング方法について説明する。
A method of coating a developing roller and/or an elastic blade with ceramics will be described below.

本発明の方法においては、現像ローラおよび/または弾
性ブレードに対し、Siおよび/またはGe原子を母体
とするセラミクスをコーティングするが、−膜内なセラ
ミクスのコーティング方法としては、スパッタリング、
イオンブレーティング、真空蒸着、プラズマCVD、E
CRプラズマCVD1熱CVDおよび光CVDなどの方
法が挙げられる。
In the method of the present invention, the developing roller and/or the elastic blade are coated with ceramics containing Si and/or Ge atoms.
Ion blasting, vacuum deposition, plasma CVD, E
Examples include methods such as CR plasma CVD1 thermal CVD and photo CVD.

これらの方法のなかでも、模の密着性が良いこと、比較
的低温で処理でき、基板の特性が損われないことおよび
膜の電気的特性や光学的特性が容易にコントロールでき
ることなどの点から、本発明にとってはプラズマCVD
およびスパッタリングによる方法が最適である。
Among these methods, this method has the following advantages: it has good pattern adhesion, can be processed at relatively low temperatures, does not damage the properties of the substrate, and can easily control the electrical and optical properties of the film. For the present invention, plasma CVD
and sputtering methods are most suitable.

第5図は、現像スリーブに対するプラズマCVDコーテ
ィング装置の概略断面説明図であり、詳しくは平行平板
型の容量結合型プラズマCVD装置の概略図を示す。
FIG. 5 is a schematic cross-sectional view of a plasma CVD coating apparatus for a developing sleeve, and more specifically, a schematic view of a parallel plate type capacitively coupled plasma CVD apparatus.

第5図において、真空チャンバー101内には、平板状
接地電極102と高周波電極103が対向して設置され
、たとえば金R製弾性ブレードなどの基板104は前記
平板状接地電極102上に置かれる。
In FIG. 5, a flat ground electrode 102 and a high frequency electrode 103 are placed facing each other in a vacuum chamber 101, and a substrate 104, such as an elastic blade made of gold R, is placed on the flat ground electrode 102.

そして、図示しない真空ポンプによりチャンバー101
内を10“3Torr程度に排気した後、平板状接地電
極102に取付けたヒーター105により、基板104
を150〜450℃程度に加熱する。
Then, the chamber 101 is heated by a vacuum pump (not shown).
After evacuating the inside to about 10"3 Torr, the substrate 104 is heated by the heater 105 attached to the flat ground electrode 102.
Heat to about 150-450°C.

次いでガス導入口106より原料ガスをチャンバー10
1内に供給しツツ、0.05Torr〜1.0Torr
の真空度に保つようにして排気しながら、高周波電極1
03にマツチングボックス107を介して高周波電源1
08からの電力を投入する。
Next, the raw material gas is introduced into the chamber 10 from the gas inlet 106.
1, 0.05 Torr to 1.0 Torr
High frequency electrode 1 is evacuated while maintaining a vacuum level of
03 through the matching box 107.
Turn on the power from 08.

すると、電極問にてグロー放電が起こり、原料ガスがプ
ラズマ化してセラミクスの薄膜が基板104上に形成さ
れる。
Then, a glow discharge occurs between the electrodes, the source gas is turned into plasma, and a ceramic thin film is formed on the substrate 104.

次に、現像ローラに対するセラミクスのプラズマCVD
コーティング方法について、第6図および第7図にした
がって説明する。
Next, plasma CVD of ceramics was applied to the developing roller.
The coating method will be explained with reference to FIGS. 6 and 7.

第6図は現像ローラに対するセラミクスのプラズマCV
Dコーティング装置の概略側断面説明図、第7図は同概
略平断面説明図である。
Figure 6 shows the plasma CV of ceramics for the developing roller.
FIG. 7 is a schematic side sectional explanatory view of the D coating apparatus, and FIG. 7 is a schematic plan sectional explanatory view thereof.

第6図および第7図において、角筒状の平断面を有する
反応室201は、メカニカルブースターポンプおよび油
回転ポンプ(図示せず)などにより排気口202を介し
て排気され、約1(13Torrの真空度に保持される
ようになっている。
In FIGS. 6 and 7, a reaction chamber 201 having a rectangular cylindrical planar cross section is evacuated through an exhaust port 202 by a mechanical booster pump, an oil rotary pump (not shown), etc. It is designed to be maintained at a vacuum level.

また、反応u201内には、ガス導入口205を介して
種々の原料ガスが導入されるように構成されている。
Furthermore, various raw material gases are introduced into the reaction u201 through a gas inlet 205.

反応室201の上方には、絶縁体206を介して収納室
207が設置されており、この収納室207は前記絶縁
体206により前記反応室201と電気的に絶縁されて
いる。
A storage chamber 207 is installed above the reaction chamber 201 via an insulator 206, and this storage chamber 207 is electrically insulated from the reaction chamber 201 by the insulator 206.

また、収納室207は、反応室201と仕切板208に
より仕切られている。
Further, the storage chamber 207 is partitioned from the reaction chamber 201 by a partition plate 208.

仕切板208には、複数個の支持ロッド209が、その
長手方向を垂直として挿通されている。
A plurality of support rods 209 are inserted through the partition plate 208 with the longitudinal direction thereof being perpendicular.

各支持ロッド209には、カラー210が嵌合固定され
ており、前記カラー210が仕切り板208に係止され
ることにより、前記各支持ロッド209が1友は落ちな
いようになっている。
A collar 210 is fitted and fixed to each support rod 209, and by locking the collar 210 to the partition plate 208, each of the support rods 209 is prevented from falling.

各支持ロッド209の上端部には、駆動手段としてのギ
ア212が嵌合されており、その下方において前記各支
持ロッド209に嵌合固定された押え211により、前
記ギア212が各支持ロッド209に支持されている。
A gear 212 as a driving means is fitted to the upper end of each support rod 209, and a presser foot 211 fitted and fixed to each support rod 209 below the gear 212 causes the gear 212 to be attached to each support rod 209. Supported.

各ギア212は、隣接するもの同士が相互に噛合してお
り、駆動装置214により中央のギアが回転駆動される
と、全てのギア212が回転し、各支持ロッド209が
回転するようになっている。
Adjacent gears 212 are in mesh with each other, and when the central gear is rotationally driven by the drive device 214, all gears 212 rotate and each support rod 209 rotates. There is.

各支持ロッド209の下端部には、雌ネジ(図示せず)
が形成されており、コーティングに供する支持体く現像
ローラ)213の上端部には雄ネジ(図示せず)が形成
されている。
The lower end of each support rod 209 has a female thread (not shown).
A male thread (not shown) is formed at the upper end of the support (developing roller) 213 used for coating.

したがって、これらのネジを螺合することにより、前記
支持体213が各支持ロッド209に取付けられる。
Therefore, the support body 213 is attached to each support rod 209 by screwing these screws together.

また、駆動装置214が収納室207の上方に設けられ
ており、この駆動装置214の駆動によりギア212が
回転すると、支持体213はその軸を中心として回転す
る。
Further, a drive device 214 is provided above the storage chamber 207, and when the gear 212 is rotated by the drive of the drive device 214, the support body 213 is rotated about its axis.

第7図に示したように、支持体213は反応室201内
の実質的中央に一列に配列するように配設されている。
As shown in FIG. 7, the supports 213 are arranged substantially in the center of the reaction chamber 201 in a line.

そして、この支持体213の列を挟むようにしてその両
側に、一対の平板状電極215および216が対設され
ている。
A pair of flat electrodes 215 and 216 are provided oppositely on both sides of the row of supports 213.

この平板状電極215および216には多数の孔が開設
されているため、ガス導入口205を介して反応室20
1内に導入された原料ガスは、この孔を介して反応室2
01の中心部へと供給される。
Since the flat electrodes 215 and 216 have a large number of holes, the reaction chamber 20 can be connected through the gas inlet 205.
The raw material gas introduced into the reaction chamber 2 passes through this hole.
It is supplied to the center of 01.

また、平板状電極215および216は、反応室201
と同一の電位となるように、反応’?201に取付(プ
られており、マツチングボックス217を介して高周波
電源218に接続されている。
Further, the flat electrodes 215 and 216 are connected to the reaction chamber 201.
The reaction '? 201 and is connected to a high frequency power source 218 via a matching box 217.

上述の構成からなるプラズマCVDコーティング装置を
運転する場合には、まず反応室201内に複数個の支持
体213を取付けた後、駆動装置214により前記支持
体213を適宜の速度で回転させると共に、前記反応室
201内を約1O−3T orr程度に排気する。
When operating the plasma CVD coating apparatus configured as described above, first, a plurality of supports 213 are installed in the reaction chamber 201, and then the supports 213 are rotated at an appropriate speed by the drive device 214, and The inside of the reaction chamber 201 is evacuated to about 10-3 Torr.

このようにして排気を継続しつつ、ガス導入口205を
介して原料ガスを導入し、反応室201内をたとえば0
.1 Torr 〜1 、0Torrの圧力に調節する
と、前記支持体213は収納室207を介して接地され
ているから、平板状電極215および216と前記支持
体213との間にプラズマが生起され、原料ガス中の主
な構成元素を含有する組成の薄膜が前記支持体213上
に形成される。
While continuing the evacuation in this way, the raw material gas is introduced through the gas inlet 205 to bring the inside of the reaction chamber 201 to zero, for example.
.. When the pressure is adjusted to 1 Torr to 1.0 Torr, since the support body 213 is grounded through the storage chamber 207, plasma is generated between the flat electrodes 215 and 216 and the support body 213, and the raw material A thin film having a composition containing the main constituent elements in the gas is formed on the support 213.

この場合に、支持体213は回転しているので、薄膜は
前記支持体213の周面に均一に形成されることになる
In this case, since the support body 213 is rotating, the thin film is uniformly formed on the circumferential surface of the support body 213.

上述のプラズマCVDコーティング方法においては、原
料ガスの混合比を適当にコントロールすることにより、
様々な特性を持つセラミクスが得られる。
In the plasma CVD coating method described above, by appropriately controlling the mixing ratio of raw material gases,
Ceramics with various properties can be obtained.

たとえば、SiH4のみで行なえば、非晶質シリコンが
得られ、これに周期律表第■族および第V族から選ばれ
た金属原子を含有するガス、B2H6、およびPH3な
どを混合すれば、価電子制御が可能となる。
For example, if SiH4 is used alone, amorphous silicon will be obtained; if mixed with a gas containing metal atoms selected from Groups I and V of the periodic table, B2H6, PH3, etc. Electronic control becomes possible.

また、S f H4に対しN2またはN83などを混合
すると非晶質窒化シリコンが得られ、02またはN20
を混合すると非晶質酸化シリコンが17られる。
Also, when N2 or N83 is mixed with S f H4, amorphous silicon nitride is obtained, and 02 or N20
When mixed, amorphous silicon oxide 17 is obtained.

さらに、これらのガスを複数混合することも可能で、た
とえばs + H4に対しCH4とN2を混合すること
により、窒素を含む非晶質炭化シリコンを形成すること
ができる。
Furthermore, it is also possible to mix a plurality of these gases; for example, by mixing CH4 and N2 with s + H4, amorphous silicon carbide containing nitrogen can be formed.

これらの材料の中では、非晶質シリコンが光学的バンド
ギャップおよび比抵抗が最も小さく、炭化物、窒化物お
よび酸化物の順に大きくなる。
Among these materials, amorphous silicon has the smallest optical bandgap and resistivity, followed by carbides, nitrides, and oxides.

一方、改械的強度についてもそれぞれ異なり、たとえば
ビッカース硬度についていえば、非晶質シリコンが10
00、炭化シリコンが2500゜窒化シリコンが200
0、酸化シリコンが1500程度であるから、所望の硬
度のものを適宜選択することができる。
On the other hand, their mechanical strength also differs; for example, in terms of Vickers hardness, amorphous silicon has a hardness of 10
00, silicon carbide is 2500°, silicon nitride is 200
Since the hardness of silicon oxide is approximately 0.0 and 1500, a desired hardness can be appropriately selected.

また、上述したように、周117JtJ!表第■族およ
び第V族から選ばれた金属原子のドーピングにより価電
荷制御が可能であり、これにより電気抵抗を103〜1
00Cm程度にまで変化させることができるため、トナ
ーの特性および帯電性に合せて、セラミクスの比抵抗お
よび導電性を選択することができる。
Also, as mentioned above, Zhou 117JtJ! It is possible to control the valence charge by doping metal atoms selected from Groups Ⅰ and Ⅲ in the table, and this allows the electrical resistance to be increased from 103 to 1.
Since the specific resistance and conductivity of the ceramic can be changed up to approximately 0.00 Cm, the specific resistance and conductivity of the ceramic can be selected in accordance with the characteristics and chargeability of the toner.

Ge原子を含むセラミクスについては、GeH4を用い
ることにより非晶質ゲルマニウムを形成することができ
、上記のSiと同様に窒化物、炭化物および酸化物も得
ることができる。
Regarding ceramics containing Ge atoms, amorphous germanium can be formed by using GeH4, and nitrides, carbides, and oxides can also be obtained like the above-mentioned Si.

さらに、周期律表第■族および第V族がら選ばれた金属
原子のドーピングにより価電荷制御も可能である。
Furthermore, the valence charge can be controlled by doping with metal atoms selected from Groups I and V of the Periodic Table.

ただし、Geを用いる場合は、Slの場合と比較して、
セラミクスの機械的強度がやや劣り、光学的バンドギャ
ップおよび比抵抗が小さくなる。
However, when using Ge, compared to the case of Sl,
The mechanical strength of ceramics is slightly inferior, and the optical band gap and specific resistance are small.

CH4、C2HaおよびC2H2などの炭化水素とH2
が用いられる。
Hydrocarbons and H2 such as CH4, C2Ha and C2H2
is used.

さらに、BNまたはBCを母体とするセラミクスをコー
ティングする場合の原料ガスとしては、B2 Ha 、
BF3 、およびBOD5などと、N2、NH3、CH
4およびC2Haなどとの混合ガスが挙げられる。
Furthermore, raw material gases for coating ceramics based on BN or BC include B2 Ha,
BF3, BOD5, etc., and N2, NH3, CH
4 and C2Ha.

本発明の目的とする組成をプラズマコーティングするた
めに使用する原料ガス、圧力および電力の代表的な条件
を下記する。
Typical conditions for raw material gas, pressure, and electric power used for plasma coating the target composition of the present invention are shown below.

■、非晶質シリコン 1、原料ガス S i H4100SCCM圧力   
 1.0Torr 電力    100W 比抵抗   1010Ωcm(i型) 2、原料ガス S ! H4100SCCMB2 He
 /S i H41Xl 00−5SCC圧力    
1.0Torr 電力    100W 比抵抗   107Ωcm (P型) 3、原料ガス S i H4100SCCM82 Ha
 /S i H41X 100−2SCC圧力    
1.0Torr 電力    ioow 比抵抗   104Ωcn+ (p型)4、原料ガス 
S i H41003CCMPH3/S i H41X
 100−5SCC圧力    1.QTorr 電力    100W 比抵抗   107Ωcm (n型) 5、原料ガス S i H4100SCCMPH3/5
in41lX10−23CC圧力    1.0Tor
r 電力    100W 比抵抗   104Ωcm (n型) ■、非晶質炭化シリコン 1、原料ガス S i H4100SCCMCH420
0SCCM 圧力    1.□Torr 電力    ioow 比抵抗   1Qci(i型) 2、原料ガス S i H4100SCCMCH420
0SCCM B2Ha/SiH+  1lX10−5SCC圧力  
  1.0Torr 電力    ioow 比抵抗   109Ωcm (p型) 3、原料ガス 51g4 100S1005CC200
SCCM B2  He  /S  i  L12 1 X 10
0−2SCC圧力    1.0Torr 電力    100W 比抵抗   106Ωcm (P型) 4、原料ガス S i H4100SCCMCH420
0SCCM PH3/S  i  H41X 100−5SCC圧力
    1.Qlorr 電力    100W 比抵抗   109Ωcm (n型) 5、原料ガス S i H4100SCCMCH420
0SCCM PH3/S  i  H41X 100−2SCC圧力
    1.0Torr 電力    100W 比抵抗   106Ωcm (n型) ■、非晶質窒化シリコン 1、原料ガス S i H450SCCMN2    
800〃 圧力    1.0Torr 電力    300W 比抵抗   10 0cm(i型) 2、原料ガス S i H4500SCCMN 2  
    800 n 82  He  /S  + H41X 10−’SC
CM圧力    1.Ql”Orr 電力    300W fi[抗   109Ωam (P型)3、原料fj:
1.  SiH41001005CC800I/ B2 Hs/SiH41X10″ISCCM圧力   
 1.0王orr 電力    300W 比抵抗   106Ωcm (p型〉 4、原料ガス S i H4100SCCMN 2  
    800 n PH3/SiH41X’10−’SCCM圧力    
1.0Torr 電力    300W 比抵抗   109Ωam (n型) 5、原料ガス S i H4100SCCMN2   
   800II PH3/S  ! H41X 10−’ 800M圧力
    1.0Torr 電力    300W 比抵抗   108Ωcm (n型) IV 、非晶質酸化シリコン 1、原料ガス S i H4100SCCMO2200
1! Y王 力            1.0Torr電力
    100W +4 比抵抗   100cm(i型) 2、原料ガス S i H4100SCGM02   
 200II B2Ha/SiH41XIO−”800M圧力    
1.0TOrr 電力    100W 比抵抗   100cm (P型) 3、原料ガス S i H4100SCCMO2200
1I B2 Ha /S i t−1i   1 X 110
−2SCC圧力    1.0Torr 電力    100W 比抵抗   1070cm (P型) 4、原料ガス S i H41008CGM02   
   2001/ PI−(3/5it−141lX10−5SCC圧力 
   1、○T orr 電力    100W 比抵抗   10ゝ0Ωcm (n型)5、原料ガス 
S i H4100SCCMPH3/S i H41X
 100−2SCC圧力1.0Torr 電力    100W 比抵抗   107Ωcm (n型) ■、非晶質ゲルマニウム 1、原料ガス GeH4100SCCM圧力    1
.0Torr 電力    100W 比抵抗   1070107O型) 2.原料ガス Gem4  100SCCMB2  H
a  /Ge  H41X 100−58CC圧力  
  1.0Torr 電力    100W 比抵抗   105Ωcm (P型) 3、原料ガス Ge H4100SCCMB2   H
a   /Ge   ト1s      1  X  
1 0−2800M圧力    1.QTorr 電力    100W 比1a抗   10”0cm(P型) 4、原料ガス Ge H4100SCCMPH3/Ge
t−141x10−5SCCM圧力    1.0To
rr 電力    100W 比抵抗   1050cm (n型) 5、原料ガス Qe H4100SCCMPH3/Ge
H4’IlX10−2SCC圧力    1.0Tor
r 電力    100W 比抵抗   103Ωcm (n型) ■、非晶質炭化ゲルマニウム 1、原料ガス Ge H4100SCCMCH4200
SCCM 圧力    1.0Torr 電力    100W 比抵抗   100cm(i型) 2、原料ガス Ge H4100SCCMC11420
0SCCM B2Hs/GeHq  lXl0−”800M圧力  
  1.0Torr 電力    100W 比抵抗   1080cm (P型) 3、原料ガス Ge H4100SCCMCH4200
SCCM 82 Ha /Ge H41X 100−2SCC圧力
    1.0Torr 電力    100W 比抵抗   105Ωcm(p型) 4、原料ガス Qe H4100SCCMCH4200
SCCM PH3/Ge  84  1 X 100−5SCC圧
力    1.0Torr 電力    100W 比抵抗   108Ωcm (n型) 5、Ij414ガス Qe H4100SCGMCII
 4     200 S CCMPH3’Ge  H
41X  1 0−2800M圧力    1.0TO
rr 電力    100W 比抵抗   105Ωam < n型)■I、非晶非晶
化窒化ゲルマニ ウム原料ガスGe上Ls     50SCCMN2 
  800〃 圧力    1.0Torr ミノ)     Ge    300W比抵抗   1
0 ΩCll1(i型)2、原料ガス Ge H450
SCCMN2   800〃 82Ha/GeH41xlO−’SCCM圧力    
1.0Torr 電力    300W 比抵抗   108Ωcm (P型) 3、原料ガス Ge H450SCCMN2     
  800 !I B2  Ha  /Ge  H41X 10−’ 80
0M圧力    1.QTorr 電力    300W 比抵抗   1080cm (P型) 4、原料ガス Qe H450s c c xiN 2
       8001l PH3/Ge   t−1+      1  X  
1 0−’  SCC〜1圧 ツノ         
    1.Q7orr電力    300W 比抵抗   108Ωcm (n ’M )5、原料ガ
ス Ge H450SCCMN2      800I
I PH3/Ge  H41X 10−’ 5CCfvl圧
力    1.0TOrr 電力    300W 比抵抗   105Ωcm (n型) ■、非晶’14M化ゲルマニウム 1、原料ガス GeH41001005CC200〃 圧力    1.0Torr 電力    100W 比抵抗   10 Ωam(i型) 2、原料ガス GeH,s   1001005CC2
00IJ 82  1−1a   /Ge   H41X  1 
0−5800M圧力    1.0Torr 電力    100W 比抵抗   109Ωcm (P型) 3、原料ガス Ge H4100SCCMO22001
I B21−16/GQ H41X 100−23CC圧力
    1.0Torr 電力    100W 比抵抗   1060cm (P型) 4、原料ガス Ge H4100SCCM02    
   2007/ PI−13/Ge  H41X 1 00−5SCC圧
力    1.0Torr 電力    100W 比抵抗   109ΩCll1(n型)5、原料ガス 
GeH41001008CG       200JI PH3/GeH41lX10−2SCC圧力     
1.0Torr 電力    100W 比抵抗   106Ωcm (n型) また、第8図は弾性スリーブに対するセラミクスのスパ
ッタリングコーティング装置を示す概略断面説明図であ
る。
■, Amorphous silicon 1, Raw material gas S i H4100SCCM pressure
1.0Torr Power 100W Specific resistance 1010Ωcm (I type) 2. Raw material gas S! H4100SCCMB2 He
/S i H41Xl 00-5SCC pressure
1.0Torr Power 100W Specific resistance 107Ωcm (P type) 3. Raw material gas S i H4100SCCM82 Ha
/S i H41X 100-2SCC pressure
1.0 Torr Power ioow Specific resistance 104Ωcn+ (p type) 4, raw material gas
S i H41003CCMPH3/S i H41X
100-5 SCC pressure 1. QTorr Power 100W Specific resistance 107Ωcm (n type) 5, Raw material gas S i H4100SCCMPH3/5
in41lX10-23CC pressure 1.0 Tor
r Power 100W Specific resistance 104Ωcm (n type) ■, Amorphous silicon carbide 1, Raw material gas S i H4100SCCMCH420
0SCCM Pressure 1. □Torr Power ioow Specific resistance 1Qci (I type) 2, Raw material gas S i H4100SCCMCH420
0SCCM B2Ha/SiH+ 1lX10-5SCC pressure
1.0Torr Power ioow Specific resistance 109Ωcm (p type) 3. Raw material gas 51g4 100S1005CC200
SCCM B2 He /S i L12 1 X 10
0-2SCC pressure 1.0Torr Power 100W Specific resistance 106Ωcm (P type) 4. Raw material gas S i H4100SCCMCH420
0SCCM PH3/S i H41X 100-5SCC Pressure 1. Qlorr Power 100W Specific resistance 109Ωcm (n type) 5, Raw material gas S i H4100SCCMCH420
0SCCM PH3/S i H41X 100-2SCC Pressure 1.0 Torr Power 100W Specific resistance 106Ωcm (n type) ■, Amorphous silicon nitride 1, Source gas S i H450SCCMN2
800〃 Pressure 1.0Torr Power 300W Specific resistance 100cm (I type) 2, Raw material gas S i H4500SCCMN 2
800 n 82 He /S + H41X 10-'SC
CM pressure 1. Ql”Orr Power 300W fi [Anti 109Ωam (P type) 3, Raw material fj:
1. SiH41001005CC800I/B2 Hs/SiH41X10″ISCCM pressure
1.0Ωorr Power 300W Specific resistance 106Ωcm (p type> 4, Raw material gas S i H4100SCCMN 2
800 n PH3/SiH41X'10-'SCCM pressure
1.0 Torr Power 300W Specific resistance 109Ωam (n type) 5. Raw material gas S i H4100SCCMN2
800II PH3/S! H41
1! Y King power 1.0 Torr power 100W +4 specific resistance 100cm (i type) 2, raw material gas S i H4100SCGM02
200II B2Ha/SiH41XIO-”800M pressure
1.0 TOrr Power 100W Specific resistance 100cm (P type) 3. Raw material gas S i H4100SCCMO2200
1I B2 Ha /S i t-1i 1 X 110
-2SCC pressure 1.0Torr Power 100W Specific resistance 1070cm (P type) 4. Raw material gas S i H41008CGM02
2001/ PI-(3/5it-141lX10-5SCC pressure
1, ○T orr Power 100W Specific resistance 10ゝ0Ωcm (n type) 5, Raw material gas
S i H4100SCCMPH3/S i H41X
100-2SCC pressure 1.0Torr Power 100W Specific resistance 107Ωcm (n type) ■, Amorphous germanium 1, Source gas GeH4100SCCM Pressure 1
.. 0Torr Power 100W Specific resistance 1070107O type) 2. Raw material gas Gem4 100SCCMB2 H
a /Ge H41X 100-58CC pressure
1.0 Torr Power 100W Specific resistance 105Ωcm (P type) 3. Raw material gas Ge H4100SCCMB2 H
a /Ge t1s 1X
1 0-2800M pressure 1. QTorr power 100W ratio 1a resistance 10”0cm (P type) 4. Raw material gas Ge H4100SCCMPH3/Ge
t-141x10-5SCCM pressure 1.0To
rr Power 100W Specific resistance 1050cm (n type) 5. Raw material gas Qe H4100SCCMPH3/Ge
H4'IlX10-2SCC pressure 1.0 Tor
r Power 100W Specific resistance 103Ωcm (n type) ■, Amorphous germanium carbide 1, Raw material gas Ge H4100SCCMCH4200
SCCM Pressure 1.0 Torr Power 100W Specific resistance 100cm (I type) 2. Raw material gas Ge H4100SCCMC11420
0SCCM B2Hs/GeHq lXl0-”800M pressure
1.0 Torr Power 100W Specific resistance 1080cm (P type) 3. Raw material gas Ge H4100SCCMCH4200
SCCM 82 Ha /Ge H41X 100-2SCC Pressure 1.0 Torr Power 100W Specific resistance 105Ωcm (p type) 4. Raw material gas Qe H4100SCCMCH4200
SCCM PH3/Ge 84 1
4 200 S CCMPH3'Ge H
41X 1 0-2800M pressure 1.0TO
rr Power 100W Specific resistance 105Ωam < n-type) I, amorphous amorphous germanium nitride raw material gas Ge Ls 50SCCMN2
800〃 Pressure 1.0Torr Mino) Ge 300W Specific resistance 1
0 ΩCll1 (i type) 2, raw material gas Ge H450
SCCMN2 800〃 82Ha/GeH41xlO-'SCCM pressure
1.0 Torr Power 300W Specific resistance 108Ωcm (P type) 3. Raw material gas Ge H450SCCMN2
800! I B2 Ha /Ge H41X 10-' 80
0M pressure 1. QTorr Power 300W Specific resistance 1080cm (P type) 4, Raw material gas Qe H450s c c xiN 2
8001l PH3/Ge t-1+ 1X
1 0-' SCC~1 pressure horn
1. Q7orr Power 300W Specific resistance 108Ωcm (n'M)5, Raw material gas Ge H450SCCMN2 800I
I PH3/Ge H41 ) 2. Raw material gas GeH,s 1001005CC2
00IJ 82 1-1a /Ge H41X 1
0-5800M Pressure 1.0 Torr Power 100W Specific resistance 109Ωcm (P type) 3. Raw material gas Ge H4100SCCMO22001
I B21-16/GQ H41X 100-23CC Pressure 1.0 Torr Power 100W Specific resistance 1060cm (P type) 4. Raw material gas Ge H4100SCCM02
2007/ PI-13/Ge H41X 1 00-5SCC Pressure 1.0 Torr Power 100W Specific resistance 109ΩCl1 (n type) 5, source gas
GeH41001008CG 200JI PH3/GeH41lX10-2SCC pressure
1.0 Torr Power 100 W Specific resistance 106 Ωcm (n-type) FIG. 8 is a schematic cross-sectional view showing a ceramic sputtering coating apparatus for an elastic sleeve.

第8図に示した装置は、原料が固体であり、しかも通常
ターゲット119と呼ばれる部位に高周波または直流電
圧を印加する点以外は、上述の第5図に示したプラズマ
CVD装置とほとんど類似している。
The apparatus shown in FIG. 8 is almost similar to the plasma CVD apparatus shown in FIG. There is.

このスパッタリングコーティング装置においては、ガス
導入口106からArガスまたは場合によってはこれに
原料ガスを混合したものを導入するが、それらのガスが
プラズマ化し、△rイオンがターゲットとなる金属を原
子状あるいは分子状にしてたたき出した後、反応ガスの
プラズマ中で反応しながら、様々な組成のセラミクスを
形成し、基板104に薄層として付着する。
In this sputtering coating apparatus, Ar gas or, in some cases, a mixture of Ar gas and raw material gas is introduced from the gas inlet 106, and these gases turn into plasma, and △r ions attack the target metal in atomic or After being blown out in the form of molecules, ceramics of various compositions are formed while reacting in the plasma of the reactive gas, and are adhered to the substrate 104 as a thin layer.

本発明の目的とする組成をスパッタリングコーティング
するために使用するターゲット、原料ガス、圧力および
電力の代表的な条件を下2する。
Typical conditions for the target, raw material gas, pressure, and power used for sputtering coating the target composition of the present invention are shown below.

■、炭化シリコン 1、ターゲット  焼結炭化シリコン 原料ガス Ar     1108CC 圧力  1 、 Qx 10−3Torr電力    
500W 2゜ターゲット  単結晶シリコン 原料ガス 八r     108C10 8CC5011 圧力  1 、 Ox 10’ Torr電力    
500W ■、窒化シリコン 1、ターゲット  焼結窒化シリコン 原料ガス Ar     1108CC 圧力  1 、 Ox 10’ Torr電力    
500W 2、ターゲット  単結晶シリコン 原料ガス Ar     10800M NH350// 圧力  1 、 OX 10’ Torr電力    
500W ■、R化シリコン 1、ターゲット  酸化シリコン 原料ガス Ar     1105CC 圧力  1.OXI○−3Torr 電力    500W 以下に、本発明の現像装置を用いる場合の効果を具体的
に示す試験例および比較例について説明する。
■, Silicon carbide 1, Target Sintered silicon carbide raw material gas Ar 1108CC Pressure 1, Qx 10-3Torr power
500W 2゜Target Single crystal silicon raw material gas 8r 108C10 8CC5011 Pressure 1, Ox 10' Torr Power
500W ■, Silicon nitride 1, Target Sintered silicon nitride raw material gas Ar 1108CC Pressure 1, Ox 10' Torr Power
500W 2. Target Single crystal silicon raw material gas Ar 10800M NH350 // Pressure 1. OX 10' Torr Power
500W ■, Rized silicon 1, target Silicon oxide raw material gas Ar 1105CC Pressure 1. OXI○-3 Torr Power 500 W Test examples and comparative examples specifically showing the effects of using the developing device of the present invention will be described below.

(試験例1) SUS304製の弾性ブレードの表裏両面に、第5図に
示したプラズマCVDコーティング装置によりSi原子
を含有するセラミクスを厚み081〜20μmでコーテ
ィングした。
(Test Example 1) Both the front and back surfaces of an elastic blade made of SUS304 were coated with ceramics containing Si atoms to a thickness of 081 to 20 μm using the plasma CVD coating apparatus shown in FIG.

また、アルミニウム製のローラの表面をサンドブラスト
により表面粗さが3.0μmRZとなるようにrII暦
した現像ローラの表面に、第6図および第7図に示した
プラズマCVDコーティング装置によりSi原子を含有
するセラミクスを厚み0゜1〜20μmでコーティング
した。
In addition, the surface of the developing roller was sandblasted to have a surface roughness of 3.0 μmRZ, and the surface of the developing roller was coated with Si atoms using the plasma CVD coating apparatus shown in FIGS. 6 and 7. The ceramic was coated with a thickness of 0°1 to 20 μm.

上記の弾性スリーブおよび現像ローラをセットした現像
装置のホッパー内に、磁性粉10重猪%を含有する非磁
性−成分系トナーを収納し、これに20koの線荷重を
かけた状態とし、この現@装置を第1図に示した構)4
の複写機に搭載して、用紙10万枚の画像形成を行なっ
たところ、前記弾性スリーブおよび現像ローラのセラミ
クスコーティング層は、いずれも表面粗さに変化を生じ
ておらず、10万枚の画像形成後にも継続して良好な画
像を得ることができた。
A non-magnetic component toner containing 10% magnetic powder was stored in the hopper of the developing device in which the above elastic sleeve and developing roller were set, and a line load of 20 ko was applied to it. @Structure of the device shown in Figure 1) 4
When the image was formed on 100,000 sheets of paper using a copying machine of Good images could be continuously obtained even after formation.

また、画像形成中の現像装置における駆動トルクを71
111定したところ、1.8kg−cmであり、装置本
体にはトナーの飛散による汚染が全く認められなかった
In addition, the driving torque in the developing device during image formation is reduced to 71
111 was determined to be 1.8 kg-cm, and no contamination due to toner scattering was observed in the main body of the apparatus.

次に、非磁性−成分系トナーの組成を、スヂレンーアク
リロニトリル共重合体にカーボン4.0重量%およびそ
の他の添加剤4重】%を配合した正帯電非磁性−成分系
トナーに変更した以外は、上記と同様の条件で画像の形
成を行なったところ、上記と同様に地かぶりのない鮮明
な画像を(qることができた。
Next, the composition of the non-magnetic component toner was changed to a positively charged non-magnetic component toner containing a styrene-acrylonitrile copolymer, 4.0% by weight of carbon, and 4% other additives. When an image was formed under the same conditions as above except for the above, a clear image without background fog could be obtained (q).

なお、この場合のトナーの帯電量を測定したところ、1
2μC/gときわめて十分に帯電していた。
In addition, when the amount of charge of the toner in this case was measured, it was found to be 1
It was extremely sufficiently charged at 2 μC/g.

(比較例1) 上述した試験例において、セラミクスをコーティングし
ない5US304Hの弾性ブレードおよびアルミニウム
製のローラの表面に無電解Niメツキを施した現像ロー
ラを用いて、上記試験例と同一の条件で用紙10万枚の
画像形成を行なったところ、前記弾性スリーブは前記現
像ローラとの接触部分が2.0μm摩耗し、また前記現
像ローラは初期の表面粗さ3.0μmRzであったもの
が、0.6μmRZまで低下したため、前記現像ローラ
上のトナー搬送量が減少し、以後の画像形成において、
十分な画像濃度を(qることができなかった。
(Comparative Example 1) In the above-mentioned test example, using a 5US304H elastic blade not coated with ceramics and a developing roller with electroless Ni plating on the surface of the aluminum roller, paper 10 was developed under the same conditions as in the above test example. When images were formed on 10,000 sheets, the contact portion of the elastic sleeve with the developing roller wore out by 2.0 μm, and the surface roughness of the developing roller, which had an initial surface roughness of 3.0 μmRZ, decreased to 0.6 μmRZ. As a result, the amount of toner conveyed on the developing roller decreases, and in subsequent image formation,
It was not possible to obtain sufficient image density.

また、画像形成中の現像装置における駆動トルクを測定
したところ、2.5kg−arIIと高く、上述した試
験例に比較して駆動装置に対する負担が大きかった。
Further, when the driving torque in the developing device during image formation was measured, it was as high as 2.5 kg-arII, and the load on the driving device was large compared to the above-mentioned test example.

ざらに、非磁性−成分系トナーの組成を、スチレン−ア
クリロニトリル共重合体に対し、カーボン4.0ff1
1%およびその他の添加剤4[1%を配合した正帯電非
磁性−成分系トナーに変更した以外は、上記と同様の条
件で画像の形成を行なったところ、トナーの帯電量が1
0μC/Qと低く、画像に地かぶりが見られた。
Roughly speaking, the composition of the non-magnetic component toner was changed to styrene-acrylonitrile copolymer and carbon 4.0ff1.
When an image was formed under the same conditions as above, except that the toner was changed to a positively charged non-magnetic component toner containing 1% and other additives 4 [1%], the charge amount of the toner was 1%.
It was as low as 0 μC/Q, and background fog was seen in the image.

(試験例2) 上述した試験例1で用いた弾性ブレードおよび現像ロー
ラに対し、非晶質シリコンおよび非晶質炭化シリコンを
母体とづるセラミクスを、前記第25〜28頁の成膜条
件にてコーティングしたものについて、種々のトナーを
適用して画像形成を行ない、トナーの適性を評価したと
ころ、下記に示したように、セラミクスの組成に応じて
、最適のトナーを選択し得ることが判明した。
(Test Example 2) Ceramics containing amorphous silicon and amorphous silicon carbide as a matrix were applied to the elastic blade and developing roller used in Test Example 1 above under the film forming conditions described on pages 25 to 28 above. When we formed images using various toners on the coated products and evaluated the suitability of the toners, we found that the optimal toner could be selected depending on the composition of the ceramics, as shown below. .

(以下余白) [発明の効果1 以上詳細に説明したとおり、本発明の現像装置は、トナ
ー保持体および薄層化規制部材の少なくとも表面に、S
iおよび/またはGe原子を含有するセラミクスをコー
ティングしたため、複写画像の長時間安定性および装置
の駆動効率がすぐれており、さらには帯電性の低いトナ
ーを用いる場合にも、地かぶりのない高品位の画像を得
ることができる。
(The following is a blank space) [Effect of the Invention 1 As explained in detail above, the developing device of the present invention has S
Coated with ceramics containing i and/or Ge atoms, the long-term stability of the copied image and the driving efficiency of the device are excellent.Furthermore, even when using toner with low chargeability, high-quality images can be produced without background fog. images can be obtained.

すなわち、前記セラミクスは硬度が高く、しかも耐摩耗
性にすぐれているため、トナー保持体および薄層化規制
部材の摩擦による摩耗が減少し、現像装置を長時間運転
しても、安定して良好な画像を得ることができる。
In other words, since the ceramics have high hardness and excellent wear resistance, wear due to friction of the toner holding body and the layer thinning regulating member is reduced, and the developing device remains stable and good even when operated for a long time. You can get a good image.

また、前記セラミクスは摩擦係数が小さいため、トナー
保持体と薄層化規制部材との間の摩擦が減少し、現像装
置の駆動トルクを軽減することができる。
Further, since the ceramic has a small coefficient of friction, the friction between the toner holding body and the layer thinning regulating member is reduced, and the driving torque of the developing device can be reduced.

さらに、前記セラミクスは電気伝導度および導電性を広
笥囲に変化させることができるため、トナーの帯電性に
合せてセラミクスの組成を選択することにより、帯電性
の低いトナーを用いる場合にも地かぶりや、帯電性の高
いトナーを用いる場合の濃度低下が解潤し、トナーの種
類にかかわらず高品位の画像を得ることができる。
Furthermore, since the electric conductivity and conductivity of the ceramics can be varied over a wide range, by selecting the composition of the ceramics according to the chargeability of the toner, it is possible to change the electrical conductivity even when using toner with low chargeability. This eliminates fogging and density loss when using highly chargeable toner, making it possible to obtain high-quality images regardless of the type of toner.

したがって、本発明の現像装置によれば、画像濃度の低
下、文字のかすれおよび地かぶりなどを発生することが
なく、常に鮮明な画像を得ることができる。
Therefore, according to the developing device of the present invention, it is possible to always obtain clear images without causing a decrease in image density, blurring of characters, background fogging, etc.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明の現像装置を搭載した電子複写礪の概略
断面説明図、第2図は本発明の現像装置を示す概略断面
説明図、第3図は同部分正面説明図、第4図は本発明の
現像装置にお番ノるトナー保持体と薄層化規制部材の当
接状態を示す断面説明図、第5図は薄層化規制部材に対
するセラミクスのプラズマCVDコーティング装置を示
す概略断面説明図、第6図はトナー保持体に対するセラ
ミクスのプラズマCVDコーティング装置を示す概略側
断面説明図、第7図は同概略平断面説明図、第8図は7
yJ層化規制部材に対するセラミクスのスパッタリング
コーティング装置を示す概略断面説明図である。 5・・・現像装置
FIG. 1 is a schematic cross-sectional explanatory diagram of an electronic copying unit equipped with the developing device of the present invention, FIG. 2 is a schematic cross-sectional explanatory diagram showing the developing device of the present invention, FIG. 3 is a front explanatory diagram of the same part, and FIG. 5 is a cross-sectional explanatory diagram showing the contact state of the toner holding body and the thinning regulating member in the developing device of the present invention, and FIG. 6 is a schematic side cross-sectional view showing a ceramic plasma CVD coating apparatus for a toner holder, FIG. 7 is a schematic plan cross-sectional view of the same, and FIG.
FIG. 2 is a schematic cross-sectional explanatory diagram showing a ceramic sputtering coating apparatus for a yJ layering regulating member. 5...Developing device

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)静電潜像を現像するために搬送される非磁性一成
分系トナーを保持するトナー保持体と、このトナー保持
体に前記トナーを供給する手段と、前記トナー保持体上
のトナーを薄層化する薄層化規制部材とを具備する現像
装置において、前記トナー保持体および前記薄層化規制
部材の少なくとも表面に、Siおよび/またはGe原子
を含有するセラミクスをコーティングしたことを特徴と
する現像装置。
(1) A toner holder that holds non-magnetic one-component toner conveyed to develop an electrostatic latent image, a means for supplying the toner to the toner holder, and a means for supplying the toner to the toner holder, and a means for supplying the toner to the toner holder. The developing device is equipped with a thinning regulating member that thins the layer, characterized in that at least the surfaces of the toner holder and the thinning regulating member are coated with ceramics containing Si and/or Ge atoms. developing device.
(2)Siおよび/またはGe原子を含有するセラミク
ス中には、さらに周期律表第III族および第V族から選
ばれた金属原子が含有されていることを特徴とする特許
請求の範囲第(1)項に記載の現像装置。
(2) The ceramic containing Si and/or Ge atoms further contains metal atoms selected from Groups III and V of the periodic table. The developing device according to item 1).
(3)コーティングに使用するセラミクス中には、N、
O、Hおよびハロゲンから選ばれた少なくとも1種の原
子が含有されていることを特徴とする特許請求の範囲第
(1)及び(2)項に記載の現像装置。
(3) Ceramics used for coating contain N,
The developing device according to claims (1) and (2), characterized in that the developing device contains at least one type of atom selected from O, H, and halogen.
(4)コーティングに使用するセラミクス中には、Hま
たはハロゲン原子が1〜40atomic%含有されて
いることを特徴とする特許請求の範囲第(1)乃至(3
)項に記載の現像装置。
(4) Claims (1) to (3) characterized in that the ceramic used for coating contains 1 to 40 atomic% of H or halogen atoms.
) The developing device described in item 1.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
USRE35698E (en) * 1992-10-02 1997-12-23 Xerox Corporation Donor roll for scavengeless development in a xerographic apparatus
US6244657B1 (en) 1998-01-14 2001-06-12 Kabushikikaisya Kotobuki Seat erecting/folding structure for movable spectators' stand
JP2010049172A (en) * 2008-08-25 2010-03-04 Canon Inc Electrophotographic image forming apparatus

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