JPH01138491A - Plasma current controller - Google Patents

Plasma current controller

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Publication number
JPH01138491A
JPH01138491A JP62296786A JP29678687A JPH01138491A JP H01138491 A JPH01138491 A JP H01138491A JP 62296786 A JP62296786 A JP 62296786A JP 29678687 A JP29678687 A JP 29678687A JP H01138491 A JPH01138491 A JP H01138491A
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JP
Japan
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current
plasma
signal
coil
output signal
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Pending
Application number
JP62296786A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Ryuichi Shimada
隆一 嶋田
Tetsuo Aoyanagi
青柳 哲雄
Toshio Yamagishi
山岸 俊雄
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Japan Atomic Energy Agency
Original Assignee
Toshiba Corp
Japan Atomic Energy Research Institute
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Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp, Japan Atomic Energy Research Institute filed Critical Toshiba Corp
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    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E30/00Energy generation of nuclear origin
    • Y02E30/10Nuclear fusion reactors

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Abstract

PURPOSE:To control a plasma current by providing a selection part which inputs the output signal of a current limitation control part and a signal corresponding to the terminal voltage across an ohm heating coil and selects and outputs one of them. CONSTITUTION:A current detector 30 detects the current IOH of the ohm heating coil 3, the current limitation control part 31 amplifies the sum of said current and the value corresponding to a permissible current IN, and its output signal x2 is compared with the output signal x1 of a plasma control part 22. The result is inputted to the selection part 32 which selects and outputs the smaller current, and the output voltage V2 of a 2nd thyristor converting device 21 is adjusted according to the output signal x3 of the selection part 32.

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 (産業上の利用分野) 本発明はトカマク型核融合装置のプラズマ電流制御装置
の改良に関するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Object of the Invention] (Field of Industrial Application) The present invention relates to an improvement of a plasma current control device for a tokamak type nuclear fusion device.

(従来の技術) まず、トカマク型核融合装置のプラズマ電流制御の基本
原理について簡単に説明する。
(Prior Art) First, the basic principle of plasma current control in a tokamak-type nuclear fusion device will be briefly explained.

第3図は、トカマク型核融合装置におけるプラズマ電流
制御の原理を説明するだめの模式図である。第3図にお
いて、1は真空容器であり、この中にプラズマ2が生成
される。トカマク型核融合装置においては、このプラズ
マ2に図示のようにプラズマ電流Ipを流してプラズマ
2をオーム加熱するために、オーム加熱コイル(以下、
OHコイルと略称する)3が設けられてお9、このOH
コイル3に流れる電流IOHによる鉄心4に磁束Φが作
られる。(鉄心4がない空心のトカマク型核融合装置も
めるが原理的には同じである。)いま、OHコイル3に
第4図(a)のように電流IOHを流すと、第3図から
れかるように、OHコイル3を一次巻線とし、プラズマ
2を二次巻線(巻回数は1回)とする変流器が形成され
るので、第4図(b)に示すようにプラズマ電流Ipが
流れる。
FIG. 3 is a schematic diagram for explaining the principle of plasma current control in a tokamak type nuclear fusion device. In FIG. 3, reference numeral 1 denotes a vacuum vessel in which plasma 2 is generated. In a tokamak-type fusion device, an ohmic heating coil (hereinafter referred to as
(abbreviated as OH coil) 3 is provided, and this OH
A magnetic flux Φ is created in the iron core 4 by the current IOH flowing through the coil 3. (We also consider an air-core tokamak-type fusion device without the iron core 4, but the principle is the same.) Now, if we apply a current IOH to the OH coil 3 as shown in Fig. 4(a), we can see the difference from Fig. 3. As shown in FIG. 4(b), a current transformer is formed in which the OH coil 3 is the primary winding and the plasma 2 is the secondary winding (the number of turns is 1), so the plasma current Ip is as shown in FIG. flows.

即ち、OI(コイル3の端子に印加される電圧VOHの
大きさを変えて、OHコイル3に流れる電流IOHを制
御することにより、プラズマ電流Ipを制御することが
できる。
That is, by changing the magnitude of OI (voltage VOH applied to the terminal of the coil 3) and controlling the current IOH flowing through the OH coil 3, the plasma current Ip can be controlled.

第5図は、従来のプラズマ制御装置の構成を示す図、第
6図はその動作を説明するだめの図である。
FIG. 5 is a diagram showing the configuration of a conventional plasma control device, and FIG. 6 is a diagram for explaining its operation.

まず、スイッチS、をON、スイッチS、をOFFの状
態にしておき、電流制御部(ACR1)10によって第
6図のCの期間Aに示すように、OHコイル3に電流I
OHを所定の値まで第1のサイリスタ変換装置11によ
って流す。13は位相制御器である。この場合、期間A
の電流変化率は次に述べろ期間Bに比べて十分に小さい
ので、プラズマ2にはほとんど誘起電圧が加わらず、従
ってプラズマ電流Ipはほとんど流れない。次に、時刻
t1において、第1のサイリスタ変換装置、11をバイ
ノ4スペア(BPP )にするとともに、スイッチS1
を開放すると、OHコイル3の電流工0■は第6図のC
の期間Bに示すように、時定数Lf/Rで急激に減少す
るので、前述したようにプラズマ電流IPが第6図のd
に示すように上昇する。時刻も。
First, the switch S is turned ON and the switch S is turned OFF, and the current controller (ACR1) 10 causes the OH coil 3 to receive a current I, as shown in period A of C in FIG.
OH is made to flow by the first thyristor conversion device 11 to a predetermined value. 13 is a phase controller. In this case, period A
Since the current change rate is sufficiently small compared to period B, which will be described next, almost no induced voltage is applied to the plasma 2, and therefore almost no plasma current Ip flows. Next, at time t1, the first thyristor conversion device 11 is set to Bino 4 spare (BPP), and the switch S1
When , the electric current of OH coil 3 becomes C in Fig. 6.
As shown in period B of FIG.
rise as shown in . Also the time.

において、スイッチS、をONし、第2のサイリスタ変
換装置21を活かし、第3図に示すようにプラズマ電流
基準値Iprefと、ロゴスキーコイル24の出力電圧
(これはプラズマ電流Ipの微分値に比例している)を
積分器25で積分して検出されるプラズマ電流検出値I
PDとの差を増幅する、プラズマ制御部(APR) 2
2から出力される信号x1に基づいて、位相制御器23
のダートパルスで第2のサイリスタ変換装置21の点弧
位相を制御して、このサイリスタ変換装置2ノの出力電
圧■、を調整する。スイッチS、が閉じているので、O
Hコイル3の端子にはV。、=−V、なる関係で電圧が
印加され、第6図の期間Cに示すようにプラズマ電流I
pが制御される。時刻t、において、第2のサイリスタ
変換装f21をパイノfスペア(EPP)にすると、O
Hコイル3の電流IOHは第6図のCの期間りに示すよ
うに減少し、これにともなりでプラズマ電流Ipは第6
図のdに示すように減少して消滅する。
Then, the switch S is turned on and the second thyristor converter 21 is utilized to set the plasma current reference value Ipref and the output voltage of the Rogowski coil 24 (which is the differential value of the plasma current Ip) as shown in FIG. plasma current detection value I detected by integrating the plasma current (proportional) with an integrator 25
Plasma control unit (APR) 2 that amplifies the difference with PD
Based on the signal x1 output from the phase controller 23
The firing phase of the second thyristor converter 21 is controlled by the dart pulse of , and the output voltage (1) of this thyristor converter 2 is adjusted. Since switch S is closed, O
V at the terminal of H coil 3. , = -V, and the plasma current I
p is controlled. At time t, when the second thyristor converter f21 is set to pino f spare (EPP), O
The current IOH of the H coil 3 decreases as shown in the period C of FIG.
It decreases and disappears as shown in d in the figure.

(発明が解決しようとする問題点) ところで、何らかの原因例えば不純物イオンがプラズマ
2に混入して、プラズマ2の温度が予想値よりも低く、
プラズマ抵抗Rpが予想値よりも大きいような場合には
、第7図に示すように同一のプラズマ電流Ipを流すた
めに必要なOHコイル電流IOHの傾きは大きくなけれ
ばならない。従って、第5図の従来のプラズマ制御装置
において、このような場合にもプラズマ電流Ipを基準
値Iprsfに一致するように無理に制御しようとする
と、第7図に示すようにある時刻txにおいて、OHコ
イル3の電流IOHはOHコイル3、または第2のサイ
リスタ変換装[21の許容電流Inよシも絶対値が大き
くなってしまい、これらの機器を損傷する恐れがある。
(Problems to be Solved by the Invention) By the way, for some reason, for example, impurity ions are mixed into the plasma 2, and the temperature of the plasma 2 is lower than the expected value.
If the plasma resistance Rp is larger than the expected value, the slope of the OH coil current IOH required to flow the same plasma current Ip must be large, as shown in FIG. Therefore, in the conventional plasma control device shown in FIG. 5, if an attempt is made to forcibly control the plasma current Ip to match the reference value Iprsf in such a case, at a certain time tx as shown in FIG. The absolute value of the current IOH of the OH coil 3 becomes large as well as the allowable current In of the OH coil 3 or the second thyristor converter [21], and there is a risk of damaging these devices.

また、プラズマ抵抗Rpは予想通りでろっても、停止時
刻t、になってもBPP信号が来ない場合には、第7図
の太い点線で示すようになり、やはシ時刻tyにおいて
電流IOHの絶対値が許容電流Inよりも大きくなって
しまう恐れがある。
In addition, even if the plasma resistance Rp is as expected, if the BPP signal does not come even at the stop time t, the current IOH at the time ty will become as shown by the thick dotted line in FIG. There is a possibility that the absolute value of In may become larger than the allowable current In.

本発明の目的は、電流IOHの絶対値が許容電流In以
下の場合には従来と同様に、OHコイルの端子電圧VO
Hを、プラズマの制御に必要な値に制御し、電流IOH
の絶対値が許容電流Inに達したら、電流IOHの絶対
値がそれ以上増加しないように制限することが可能なプ
ラズマ電流制御装置を提供することにある。
The purpose of the present invention is to prevent the terminal voltage VO of the OH coil from increasing when the absolute value of the current IOH is less than or equal to the allowable current In, as in the conventional case.
H is controlled to a value necessary for plasma control, and the current IOH is
It is an object of the present invention to provide a plasma current control device capable of restricting the absolute value of the current IOH so that it does not increase any further once the absolute value of the current IOH reaches the allowable current In.

〔発明の構成〕[Structure of the invention]

(問題点を解決するだめの手段) 上記目的を達成するために本発明では、プラズマ電流を
制御するためのOHコイルの端子電圧に対応する信号x
1と、OHコイルの電流IOHの絶対値が許容値Inを
超過しないように制限する電流制限制御部の出力信号x
2とを選択部に入力し、当該選択部は信号x1 と出力
信号x2とをOHコイル電流IOHの絶対値が許容値I
nを超過しない範囲では信号x1を、超過するようにな
ったときには信号x2を夫々選択的に信号x3として出
力し、この信号x1に基づいてOHコイルの端子電圧に
対応する量を制御するようにしている。
(Means for solving the problem) In order to achieve the above object, the present invention provides a signal x corresponding to the terminal voltage of the OH coil for controlling the plasma current.
1, and the output signal x of the current limit control unit that limits the absolute value of the current IOH of the OH coil so that it does not exceed the allowable value In.
2 to the selection section, and the selection section selects the signal x1 and the output signal x2 so that the absolute value of the OH coil current IOH is the allowable value I.
The signal x1 is selectively outputted as the signal x3 in a range where n is not exceeded, and the signal x2 is selectively outputted when the value exceeds n, and the amount corresponding to the terminal voltage of the OH coil is controlled based on this signal x1. ing.

(作用) 従って、本発明のプラズマ電流制御装置においては、プ
ラズマ電流を制御するためのOHコイルの端子電圧に対
応する信号x1と、OHコイルの電流IOHの絶対値が
許容値Inを超過しないように制限する電流制限制御部
の出力信号x2とが選択部に入力され、選択部では上記
信号Xl と出力信号x2とをOHコイル電流IOHの
絶対値が許容値Inを超過しない範囲では信号X、が、
超過するようになったときには信号xtが選択的に信号
x3として出力され、信号x1に基づいてOHコイルの
端子電圧に対応する量が制御される。
(Function) Therefore, in the plasma current control device of the present invention, the absolute value of the signal x1 corresponding to the terminal voltage of the OH coil for controlling the plasma current and the current IOH of the OH coil does not exceed the allowable value In. The output signal x2 of the current limit control section is input to the selection section, and the selection section selects the signal Xl and the output signal x2 as the signal X, as long as the absolute value of the OH coil current IOH does not exceed the allowable value In. but,
When the voltage is exceeded, the signal xt is selectively outputted as the signal x3, and the amount corresponding to the terminal voltage of the OH coil is controlled based on the signal x1.

(実施例) 以下、本発明を図面に示す一実施例について説明する。(Example) An embodiment of the present invention shown in the drawings will be described below.

第1図は、本発明によるプラズマ電流制御装置の構成例
を示したもので、第5図と同一部分には同一符号を付し
てその説明を省略する。つまシ、第1図において第5図
と異なるのは、電流検出器30によってOHコイル3の
電流l011を検出し、前記許容電流Inに対応する値
(第1図ではこれもInで記しである)との和を電流制
限制御部3ノで増幅し、その出力信号x2とプラズマ制
御部22の出力信号x1 との大小を比較してその小さ
い方を選択して出力する選択部32へ入力し、この選択
部32の出力信号x3に基づいて第2のサイリスタ変換
装置21の出力電圧V、を調整するように構成している
点でるる。
FIG. 1 shows an example of the configuration of a plasma current control device according to the present invention, and the same parts as those in FIG. 5 are given the same reference numerals, and the explanation thereof will be omitted. What is different in Fig. 1 from Fig. 5 is that the current l011 of the OH coil 3 is detected by the current detector 30, and the value corresponding to the allowable current In (this is also indicated as In in Fig. 1) is detected by the current detector 30. ) is amplified by the current limit control section 3, and inputted to the selection section 32 which compares the magnitude of the output signal x2 and the output signal x1 of the plasma control section 22, selects the smaller one, and outputs it. , the output voltage V of the second thyristor conversion device 21 is adjusted based on the output signal x3 of the selection section 32.

次に、第1図に示した本発明の一実施例の作用を説明す
る。
Next, the operation of the embodiment of the present invention shown in FIG. 1 will be explained.

第7図かられかるように、プラズマ抵抗Rpが予想以上
に大きい場合、または時刻tXになってもパイ・母スペ
ア(BPP )指令が来ない場合に、OHコイル3の電
流IOHが負側(即ち、第1図の主回路に示した電流I
OHの矢印と逆方向)で許容電流Inを超過する。従っ
て、第1図において Ion (0、In) Oなる場合を考える。もし、l
n=50kA、 IO,=−55kAならば、In+I
□B= 50+(−55)=−5kAとなシx、〈0で
ある。
As can be seen from Fig. 7, when the plasma resistance Rp is larger than expected, or when the pie/mother spare (BPP) command does not arrive at time tX, the current IOH of the OH coil 3 changes to the negative side ( That is, the current I shown in the main circuit of FIG.
(in the opposite direction to the OH arrow), the allowable current In is exceeded. Therefore, consider the case of Ion (0, In) O in FIG. If, l
If n=50kA, IO,=-55kA, In+I
□B=50+(-55)=-5kA, and x, <0.

一方、第6図のfに示したように期間Cではv、〉0で
あるから、プラズマ制御部22のゲインを正とすればx
l)Oである。従って、! ! < x Iとなり、選
択部32の出力信号x2としてはX。
On the other hand, as shown in FIG.
l) It is O. Therefore,! ! < x I, and the output signal x2 of the selection section 32 is X.

の方が出てくることになシ、x、く0であるから第2の
サイリスタ変換装置21の出力電圧vtは負となシ、電
流Ionは増加方向(即ち、−55kA→0の方向)、
換言すれば絶対値としては減少する方向へ動く。この電
流IOHの負側の絶対値が減少して l0H=−50kAになると、 In+Ioi=50+(−50)=OkAとなpx、=
Oとなる。更に、電流IOHの負側の絶対値が減少して
例えばIOH”−49,5kAになると、In+Ioi
=50+(−49,5)=0.5kAとな#)!!>0
となる。例えば、この時のX、の値がxlに等しくなれ
ば、これ以上は電流IoHの負側の絶対値は減少しなく
なシ、電流Ionは−49,5kA(一定値)に制御さ
れる。即ち、電流Ionは0.5kAのオフセットを保
って一定に制御される。このオフセットの値は、電流制
限制御部31のダインを調整すれば適宜調整できる。電
流IoHの絶対値が49.5 kA以下の場合には、上
記の説明かられかるように!+<Xt となシ、選択部
32の出力信号x3にはX、の方が出てくるので、第5
図の従来方式と同様にプラズマ制御部22の出力信号x
1に基づいてプラズマの制御が行なわれる。
Since the output voltage VT of the second thyristor conversion device 21 is negative, the current Ion is increasing (in other words, from -55 kA to 0). ,
In other words, the absolute value moves in the direction of decreasing. When the absolute value on the negative side of this current IOH decreases to l0H=-50kA, In+Ioi=50+(-50)=OkA, px,=
It becomes O. Furthermore, when the absolute value of the negative side of the current IOH decreases to, for example, IOH''-49.5 kA, In+Ioi
=50+(-49,5)=0.5kA #)! ! >0
becomes. For example, if the value of X at this time becomes equal to xl, the absolute value of the negative side of the current IoH will no longer decrease, and the current Ion will be controlled to -49.5 kA (constant value). That is, the current Ion is controlled to be constant with an offset of 0.5 kA. The value of this offset can be adjusted as appropriate by adjusting the dyne of the current limit control section 31. As you can see from the above explanation, if the absolute value of the current IoH is 49.5 kA or less! +<Xt. Since X appears in the output signal x3 of the selection section 32, the fifth
Similarly to the conventional method shown in the figure, the output signal x of the plasma control section 22
Plasma control is performed based on 1.

即ち、上記のオフセットを無視できる程度に電流制限制
御部3ノのダインを調整すれば、電流Ionが許容電流
Inを(負側で)超過するまでは従来通りのプラズマ制
御が行われるが、何らかの原因で電流Ionが許容電流
Inを(負側で)超過するような条件になった場合には
、電流制限をして、OHコイル3及び第2のサイリスタ
変換装置21に許容電流In以上の電流が流れて損傷す
るのを防ぐことができる。この状態を示すと、第2図の
ようになる。
In other words, if the dyne of the current limit control section 3 is adjusted to such an extent that the above offset can be ignored, conventional plasma control will be performed until the current Ion exceeds the allowable current In (on the negative side), but if some If the current Ion exceeds the allowable current In (on the negative side) for some reason, the current is limited and the current exceeding the allowable current In is applied to the OH coil 3 and the second thyristor converter 21. This can prevent water from flowing and causing damage. This state is shown in FIG. 2.

次に、本発明の他の実施例について説明する。Next, other embodiments of the present invention will be described.

第1図の実施例においては、信号X、はプラズマ電流I
pをフィードバック制御するように構成されたプラズマ
制御部22の出力信号として与えられる場合を示したが
、プラズマ制御部22はこのような構成とは限らず、他
の制御量例えばプラズマ温度や密度に基づくフィードバ
ック制御ループを構成したり、またフィードバック制御
の結果ではなくプレプログラム量として信号x1を出力
するように構成されたものであっても、本発明を適用で
きることは明らかである。要するに、何らかの閉ルーf
または開ループ制御を行なうプラズマ制御部22から、
OHコイル3の端子電圧に対応する信号がxl として
与えられる場合には本発明をそのまま適用することがで
きる。なお、以上の説明で述べた各種制御信号(”1 
t xt + ”3jIn +IOH等)、及び各種制
御ダイン(プラズマ制御部22、電流制限制御部31、
位相制御器23等)の符号のとり方は種々の組合せがあ
り、それらに対応して第1図の各部の加減算符号を入替
えたシ、選択部32として2つの入力信号のうちの大き
い方を選択したシする必要があるが、これらの取扱いは
制御システムの分野においてよく知られた方法であるの
で、ここではその説明を省略する。
In the embodiment of FIG. 1, the signal X is the plasma current I
Although a case has been shown in which the plasma control unit 22 is provided as an output signal of the plasma control unit 22 configured to perform feedback control of It is clear that the present invention can be applied even if a feedback control loop is configured based on the above-described feedback control loop, or even if the signal x1 is configured to output the signal x1 as a pre-programmed amount rather than as a result of feedback control. In short, some closed loop f
Or from the plasma control section 22 that performs open loop control,
When the signal corresponding to the terminal voltage of the OH coil 3 is given as xl, the present invention can be applied as is. Note that the various control signals ("1"
t
There are various combinations of codes for the phase controller 23, etc.), and the addition/subtraction codes of each part in FIG. However, since these procedures are well known in the field of control systems, their explanation will be omitted here.

更に、第1図の構成図はあたかもアナログ制御システム
の如く画かれているが、デジタル制御システムでも何ら
問題なく適用できることは、当業者であれば容易にわか
ることである。
Further, although the configuration diagram in FIG. 1 is drawn as if it were an analog control system, those skilled in the art will easily understand that it can be applied to a digital control system without any problem.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以上説明したように本発明のプラズマ電流制御装置によ
れば、プラズマ電流を制御するだめのOHコイルの端子
電圧に対応する信号x2と、OHコイルの電流IOHの
絶対値が許容値Inを超過しないように制限する電流制
限制御部の出力信号x2とを選択部に入力し、該選択部
は上記信号Xl  と出力信号x2とをOHコイル電流
IOHの絶対値が許容値Inを超過しない範囲では信号
x2を、超過するようになったときには信号x2を選択
的に信号x2として出力し、信号x1に基づいてOHコ
イルの端子電圧に対応する量を制御するようにしたので
、正常時には意図したとおシのプラズマ制御が行ない得
、かつOI(コイルの電流■。Hが許容値Inを超過し
ないように制限することができ、プラズマのように不確
定要素の多くしかも、コイルの過負荷耐量を大きく設計
することが困難なトカマク型核融合装置におけるプラズ
マ電流を制御することができる。
As explained above, according to the plasma current control device of the present invention, the signal x2 corresponding to the terminal voltage of the OH coil for controlling the plasma current and the absolute value of the current IOH of the OH coil do not exceed the allowable value In. The output signal x2 of the current limit control section that limits the current is input to the selection section, and the selection section selects the signal Xl and the output signal When x2 is exceeded, signal x2 is selectively output as signal x2, and the amount corresponding to the terminal voltage of the OH coil is controlled based on signal x1. It is possible to control the plasma, and to limit the OI (coil current ■.H so that it does not exceed the allowable value In). It is possible to control the plasma current in a tokamak-type fusion device, which is difficult to control.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明によるプラズマ電流制御装置の一実施例
を示す構成図、第2図は同実施例における効果を説明す
るための図、第3図及び$4図(a)。 (b)はトカマクを核融合装置におけるプラズマ電流制
御の原理を夫々説明するだめの図、第5図は従来のプラ
ズマ電流制御装置の一例を示す構成図、第6図は第5図
における正常時の動作を説明するだめのタイムチャート
図、第7図は従来方法における異常時の不具合を説明す
るだめの図である。 1・・・真空容器、2・・・プラズマ、3・・・OHコ
イル、4・・・鉄心、11.21・・・サイリスタ変換
装置、22・・・プラズマ制御部、13.23・・・位
相制御器、25・・・積分器、30・・・電流検出器、
31・・・電流制限制御部、32・・・選択部。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第 1 図 第3図
FIG. 1 is a block diagram showing an embodiment of a plasma current control device according to the present invention, FIG. 2 is a diagram for explaining the effects of the embodiment, and FIGS. 3 and 4 (a). (b) is a diagram used to explain the principle of plasma current control in a tokamak and fusion device, Figure 5 is a configuration diagram showing an example of a conventional plasma current control device, and Figure 6 is a normal diagram in Figure 5. FIG. 7 is a time chart diagram for explaining the operation of the conventional method, and FIG. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1... Vacuum vessel, 2... Plasma, 3... OH coil, 4... Iron core, 11.21... Thyristor conversion device, 22... Plasma control part, 13.23... Phase controller, 25... Integrator, 30... Current detector,
31... Current limit control section, 32... Selection section. Applicant's agent Patent attorney Takehiko Suzue Figure 1 Figure 3

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)プラズマ電流を制御するために必要なオーム加熱
コイルの端子電圧に対応する信号x_1が与えられ、該
信号x_1に対応して前記オーム加熱コイルの端子に電
圧を発生するように接続されたサイリスタ変換装置と、
このサイリスタ変換装置の点弧位相を制御する位相制御
器と、前記オーム加熱コイルに流れる電流I_O_Hを
検出する手段と、この手段により検出された電流が前記
オーム加熱コイルと前記サイリスタ変換装置の少なくと
も一方の許容電流I_nを与える手段と、前記電流I_
O_Hが許容電流I_nを超えないように制限する電流
制限制御部と、この電流制限制御部の出力信号x_2と
前記信号X_1とを入力してその両者のうちの一方を選
択して出力する選択部とを具備したことを特徴とするプ
ラズマ電流制御装置。
(1) A signal x_1 corresponding to the terminal voltage of the ohmic heating coil necessary for controlling the plasma current is provided, and the terminals of the ohmic heating coil are connected to generate a voltage in response to the signal x_1. a thyristor conversion device;
a phase controller for controlling the firing phase of the thyristor conversion device; a means for detecting a current I_O_H flowing through the ohmic heating coil; means for providing an allowable current I_n of the current I_n;
A current limit control section that limits O_H so that it does not exceed the allowable current I_n, and a selection section that inputs the output signal x_2 of this current limit control section and the signal X_1 and selects and outputs one of the two. A plasma current control device characterized by comprising:
(2)選択部はオーム加熱コイル電流I_O_Hが許容
電流I_nを超過しない範囲では信号X_1を出力し、
オーム加熱コイル電流I_O_Hが許容電流I_nを超
過するような条件になった場合に信号x_2を出力する
ように構成したものである特許請求の範囲第(1)項記
載のプラズマ電流制御装置。
(2) The selection unit outputs the signal X_1 in the range where the ohmic heating coil current I_O_H does not exceed the allowable current I_n,
The plasma current control device according to claim 1, wherein the plasma current control device is configured to output the signal x_2 when the ohmic heating coil current I_O_H exceeds the allowable current I_n.
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