JPH0112544B2 - - Google Patents
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- JPH0112544B2 JPH0112544B2 JP16408781A JP16408781A JPH0112544B2 JP H0112544 B2 JPH0112544 B2 JP H0112544B2 JP 16408781 A JP16408781 A JP 16408781A JP 16408781 A JP16408781 A JP 16408781A JP H0112544 B2 JPH0112544 B2 JP H0112544B2
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Description
【発明の詳細な説明】
この発明は電気集じん機の集じん極に生じる逆
電離現象の発生を速やかに検知する方法に関する
ものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a method for quickly detecting the occurrence of a reverse ionization phenomenon occurring in a dust collecting electrode of an electrostatic precipitator.
電気集じん機において、ダストの電気抵抗が1
×1011Ω・cmをこえると、逆電離と呼ばれる現象
が発生し、集じん性能が著しく低下することは周
知のとおりである。この逆電離現象は、集じん極
堆積ダスト層に過度に電荷が蓄積するため絶縁破
壊をおこすものであるから、集じん効率の低下を
防止するためには、逆電離の発生と同時に集じん
機印加電圧を下げ、ダスト層に蓄積している電荷
が実質的になくなるダスト放電必要時間経過後、
再び印加電圧を回復させるよう制御するのが有効
で、このような制御方式については、別の発明を
提案した(昭和56年9月28日付特許願(ロ)「電気集
じん装置における自動電圧制御装置」)。 In an electrostatic precipitator, the electrical resistance of dust is 1
It is well known that when it exceeds ×10 11 Ω·cm, a phenomenon called reverse ionization occurs, and the dust collection performance is significantly reduced. This reverse ionization phenomenon causes dielectric breakdown due to the excessive accumulation of charge in the dust layer deposited on the dust collection electrode. Therefore, in order to prevent a decrease in dust collection efficiency, it is necessary to remove the dust collector at the same time as reverse ionization occurs. After the applied voltage has been lowered and the charge accumulated in the dust layer has substantially disappeared, the required time for dust discharge has elapsed.
It is effective to control the applied voltage so that it recovers again, and for such a control method, he proposed another invention (patent application (b) dated September 28, 1981) entitled "Automatic Voltage Control in Electrostatic Precipitator". Device").
ただし、このような制御のためには逆電離の発
生をできるだけ早く検知する検知方法が不可欠で
ある。 However, for such control, a detection method that detects the occurrence of reverse ionization as quickly as possible is essential.
そこで本出願人は、逆電離が発生すると第1図
に示すように、二次電圧Vと二次電流Iの特性
(V−I特性)が、正常な場合とは大きく異なる
ことに着目し、このV−I特性のちがい特に、こ
のかたむきdV/dIが大きく変わることを利用し
て、dV/dIの大きさから逆電離を検出する方法
を先に提案した(昭和56年9月28日付特許願(イ)
「電気集じん装置における逆電離検出方法」)。 Therefore, the present applicant focused on the fact that when reverse ionization occurs, the characteristics of the secondary voltage V and secondary current I (V-I characteristics) differ greatly from those in the normal case, as shown in FIG. We previously proposed a method of detecting reverse ionization from the magnitude of dV/dI by taking advantage of the difference in V-I characteristics, especially the large change in skewed dV/dI (Patented on September 28, 1982). wish (a)
"Method for detecting reverse ionization in electrostatic precipitators").
しかし、この方法は電圧、電流を電源交流の半
サイクルの期間における平均値として求めている
ので、平均値算出に半サイクルの時間が必要で、
さらにdV/dIを算出するには、このような平均
電圧、電流の値(V,I)を2組比較的演算する
必要があり、半サイクル×2、すなわち1サイク
ルの時間がdV/dIの算出には必要である。さら
に集じん機電圧を上昇させる過程においては、後
述する“充電々流”が大きくなるため、このとき
の誤動作を防ぐためには集じん機電圧を急上昇さ
せる期間は検出機能が働かないようにしなければ
ならない。 However, this method calculates the voltage and current as average values over a half-cycle period of the AC power source, so it takes half a cycle to calculate the average value.
Furthermore, in order to calculate dV/dI, it is necessary to calculate two sets of average voltage and current values (V, I), and the time required for one cycle (half cycle x 2) is equal to dV/dI. Necessary for calculation. Furthermore, in the process of increasing the dust collector voltage, the "charging current" (described later) increases, so in order to prevent malfunctions at this time, the detection function must be disabled during the period when the dust collector voltage is rapidly increasing. It won't happen.
この発明は上記検出方法を改良して検出時間を
短縮し、逆電離を検出する際に制御電圧を変化さ
せることなく電源周波数の半サイクルにて検出可
能な高速逆電離検出方法を提供するものである。 This invention improves the detection method described above to shorten the detection time, and provides a high-speed reverse ionization detection method that can detect reverse ionization in half a cycle of the power supply frequency without changing the control voltage when detecting reverse ionization. be.
電圧、電流の瞬時値から逆電離の発生を検知で
きれば、上記方法より、ずつと早く逆電離を検知
できるであろう。 If the occurrence of reverse ionization can be detected from the instantaneous values of voltage and current, it will be possible to detect reverse ionization much more quickly than with the above method.
ところが、電気集じん機は、電気回路でいうコ
ンデンサーの機能(静電容量と呼ぶ)があるため
観測される二次電流の瞬時値は、真のコロナ放電
電流(逆電離によるものも含む)に、充電電流が
加わつた値となる。 However, since electrostatic precipitators have the function of a capacitor in an electric circuit (called capacitance), the instantaneous value of the observed secondary current is not the true corona discharge current (including that due to reverse ionization). , the charging current is added.
第2図で示す電気集じん機の等価回路を第3図
に示す。 FIG. 3 shows an equivalent circuit of the electrostatic precipitator shown in FIG. 2.
第3図においてVは放電極、Tは集じん極、S
は整流器、Wはトランス、Cは集じん機の静電容
量、Rはコロナ放電と等価な抵抗、I0は二次電
流、I3はコロナ電流、I2は充電電流である。 In Figure 3, V is the discharge electrode, T is the dust collection electrode, and S
is the rectifier, W is the transformer, C is the capacitance of the dust collector, R is the resistance equivalent to corona discharge, I 0 is the secondary current, I 3 is the corona current, and I 2 is the charging current.
トランス二次巻線の起電力の絶対値V0が第4
図a実線のように変化するとき、静電容量Cのた
め集じん機の電圧(二次電圧)は点線のように変
化する。V1>V0の期間は、シリコン整流器Sは
逆バイアスとなり電流を阻止するため第4図bの
実線のように、二次電流は断続波形となる。しか
し、この場合もコロナ電流I3は連続しており、両
者は別の波形となる。 The absolute value V 0 of the electromotive force of the transformer secondary winding is the fourth
When the voltage changes as shown by the solid line in Figure A, the voltage (secondary voltage) of the dust collector changes as shown by the dotted line due to the capacitance C. During the period when V 1 >V 0 , the silicon rectifier S is reverse biased and blocks the current, so that the secondary current has an intermittent waveform as shown by the solid line in FIG. 4b. However, in this case as well, the corona current I 3 is continuous, and the two have different waveforms.
(なお、I3を直接的に観測することはできない。)
第3図の等価回路によると
I0=I3+CdV1/dt
で示される。ここで右辺第二項が充電電流I2であ
る。(Note that I 3 cannot be directly observed.) According to the equivalent circuit shown in FIG. 3, I 0 =I 3 +CdV 1 /dt. Here, the second term on the right side is the charging current I2 .
以上でわかるように、観測される二次電流I0の
瞬時値をコロナ電流I3とみなすことはできず、特
に集じん機電圧を急速に上昇させる場合は、充電
電流が大きくなることがわかる。 As can be seen from the above, the instantaneous value of the observed secondary current I 0 cannot be regarded as the corona current I 3 , and it can be seen that the charging current becomes large, especially when the precipitator voltage is rapidly increased. .
ところで、第4図bにおいてI0=0の期間にお
いては
I3=−CdV1/dt
で示されるので、真のコロナ電流は二次電圧波形
の電圧減衰の速さから推定できる。 By the way, in FIG. 4b, in the period when I 0 =0, it is shown as I 3 =-CdV 1 /dt, so the true corona current can be estimated from the speed of voltage attenuation of the secondary voltage waveform.
逆電離が発生するとコロナ電流が著しく大きく
なるので二次電圧の減衰巾が大きくなる。二次電
圧波形から逆電離の発生を検知することが可能で
あり、発生するとすぐ検知できる。本発明はその
具体的方法に関するものである。 When reverse ionization occurs, the corona current increases significantly, and the attenuation width of the secondary voltage increases. It is possible to detect the occurrence of reverse ionization from the secondary voltage waveform, and it can be detected immediately when it occurs. The present invention relates to a specific method thereof.
前述の観点から二次電圧の波形を実機集じん機
でいろいろ観測した結果、
二次電圧波形のピーク値(VPと呼ぶ)と谷底
値(VBと呼ぶ)の間に次の関係があることがわ
かつた。 As a result of various observations of the waveform of the secondary voltage using an actual dust collector from the above-mentioned perspective, we found the following relationship between the peak value (referred to as V P ) and the bottom value (referred to as V B ) of the secondary voltage waveform. I found out.
コロナ開始以前の電圧では、VP,VBとも低
く、両者はほぼ一致している。(第5図参照)
逆電離がおきない場合は、出力を増加させる
に伴い、VPもVBも増加し、その差VP−VBも大
きくなる。しかし、VP−VBが過度に大きくは
ならない。(第6図参照)
逆電離がおきると、出力を増加させてもVB
は増大せず、逆に減少する。VPは大きくなる
のでVN(=VP−VB)は、非常に大きくなる。
(第7図参照)
さらに、VN(=VP−VB)とVBの特性を求める
と、第1図に類似した第8図が得られた。 At the voltage before the start of corona, both V P and V B are low, and they almost match. (See Figure 5) When reverse ionization does not occur, as the output increases, both V P and V B increase, and the difference V P -V B also increases. However, V P −V B does not become excessively large. (See Figure 6) When reverse ionization occurs, V B
does not increase; on the contrary, it decreases. Since V P becomes large, V N (=V P −V B ) becomes very large.
(See FIG. 7) Furthermore, when the characteristics of V N (=V P −V B ) and V B were determined, FIG. 8, which is similar to FIG. 1, was obtained.
そこで第8図の点線で示す線を想定し、この線
のどちら側にあるかで逆電離の発生を検出するの
が本発明の原理である。 Therefore, the principle of the present invention is to assume the dotted line in FIG. 8 and detect the occurrence of reverse ionization depending on which side of this line it is on.
第8図では、正常荷電と逆電離の境界線(点
線)がVBとVN(=VP−VB)の関係として求めら
れているが、この図から境界線をVPとVBの関係
として求める。それを第9図に示す。(折れ線で
近似した。)
逆電離境界電圧Vnはピーク電圧VPに対し、飽
和特性をもつた関数形状となつている。この飽和
レベル(第9図ではVn=15KV)は逆電離がま
だ生じない条件たとえば、荷電開始直後における
2次電圧波形のボトム値より3〜5KV低く設定
すればよいことを実験により確認した。逆電離が
おきていないときは、2次電圧波形のボトム値は
高く、逆電離が発生すると、ボトム値が低くなる
ので2次電圧のボトム値の最高値を検知してそれ
より3〜5KV低いところに逆電離境界電圧の飽
和レベルを設定すればよい。 In Figure 8, the boundary line ( dotted line) between normal charging and reverse ionization is determined as the relationship between V B and V N ( =V P - V B ). Find it as the relationship. This is shown in Figure 9. (Approximated by a polygonal line.) The reverse ionization boundary voltage Vn has a function shape with saturation characteristics with respect to the peak voltage V P. It has been experimentally confirmed that this saturation level (Vn=15 KV in FIG. 9) can be set to a condition where reverse ionization has not yet occurred, for example, 3 to 5 KV lower than the bottom value of the secondary voltage waveform immediately after the start of charging. When reverse ionization does not occur, the bottom value of the secondary voltage waveform is high, but when reverse ionization occurs, the bottom value becomes low, so the highest value of the bottom value of the secondary voltage is detected and the voltage is 3 to 5 KV lower than that. However, it is sufficient to set the saturation level of the reverse ionization boundary voltage.
ピーク電圧VPが与えられた時谷底電圧VBが第
9図に示す、対応するVMの値を下まわれば逆電
離と判定される。さらに、このときVM−VBの値
が大きければ大きいほど逆電離の程度が大きい。 When the peak voltage V P is given, if the valley voltage V B falls below the corresponding value of V M shown in FIG. 9, it is determined that reverse ionization occurs. Furthermore, at this time, the larger the value of V M -V B , the greater the degree of reverse ionization.
ところで、電圧波形の瞬時値をVtとすると、
立ち下りから立ち上りに転ずる時点、すなわち立
ち下り過程の終局時におけるVtの値がVBになる。
立ち下り過程ではVt>VBであるから、Vtが第9
図のVMを下まわつておればVBは必ずVMを下まわ
り逆電離と判定される。そこで、瞬時値VtがVM
を下まわつた時点で、逆電離と判定することにす
る。このようにすれば谷底電圧VBによる判定よ
り早い時点で判定でき、自動電圧制御上、有利で
ある。(谷底電圧VBではすでに、立ち下り過程か
ら立ち上りに転じようとしているが、これは一次
側でサイリスタ制御している電源においては、サ
イリスタが点弧した結果としておきたものであ
る。すなわち、サイリスタのゲートパルスが発せ
られた結果であり、この時点での逆電離検出は、
ゲートパルスが発せられた後であるので、制御が
手遅れになる。)
瞬時値Vtで逆電離を検出したら、その時点あ
るいは、その後さらにVtが低下した時点でのVt
の値を、VMと比較しVM−Vtを逆電離の大きさを
あらわす信号として出力する。 By the way, if the instantaneous value of the voltage waveform is V t , then
The value of V t at the time of transition from falling to rising, that is, at the end of the falling process, becomes V B.
Since V t > V B in the falling process, V t is the 9th
If V B is below V M in the figure, then V B is always below V M and is determined to be reverse ionization. Therefore, the instantaneous value V t is V M
When the value falls below , it is determined that reverse ionization has occurred. In this way, the determination can be made earlier than the determination based on the valley bottom voltage V B , which is advantageous for automatic voltage control. (At the valley bottom voltage V B , the falling process is already about to turn to rising, but in a power supply controlled by a thyristor on the primary side, this is the result of the thyristor firing. In other words, the thyristor This is the result of the gate pulse being emitted, and the reverse ionization detection at this point is
Since this is after the gate pulse has been issued, control is too late. ) When reverse ionization is detected at the instantaneous value V t , V t at that point or at a time when V t further decreases.
The value of is compared with V M and V M −V t is output as a signal representing the magnitude of reverse ionization.
なお、このときVtがほとんど0まで落ちこん
でいるときは、これは逆電離ではなくスパークが
生じたのであるから、逆電離とはみなさない。 Note that when V t has fallen to almost 0 at this time, this is not considered to be reverse ionization, since sparks have occurred rather than reverse ionization.
次にこのような検出回路の一実施例を述べる。 Next, an embodiment of such a detection circuit will be described.
第10図は、検出回路を集じん機電圧制御に組
み込んだ状態を示す。二次電圧をR1,R2で分圧
し、逆電離検出回路の入力1とする。 FIG. 10 shows a state in which the detection circuit is incorporated into the dust collector voltage control. The secondary voltage is divided by R 1 and R 2 and used as input 1 of the reverse ionization detection circuit.
サイリスタ点弧開始信号2′は、逆電離検出回
路の1回の動作(電源交流半サイクルごとに1回
の検出動作をくりかえす。)のはじまりをトリガ
する信号として与えられる。 The thyristor firing start signal 2' is given as a signal that triggers the start of one operation of the reverse ionization detection circuit (one detection operation is repeated for every half cycle of AC power supply).
逆電離検出回路3は、逆電離の発生とその大き
さを検知し出力する。この出力4により別の発明
(昭和56年9月28日付特許願(ロ)「電気集じん機に
おける自動電圧制御装置」)で述べたように、制
御回路5は動作する。すなわち、逆電離の検知と
同時に低荷電に切り換え、逆電離の大きさに応じ
た時間経過後高荷電に出力を回復させるような制
御を行う制御回路5は、自動電圧検出回路7の出
力2を制御する。 The reverse ionization detection circuit 3 detects and outputs the occurrence and magnitude of reverse ionization. This output 4 causes the control circuit 5 to operate as described in another invention (patent application (b) ``Automatic voltage control device for electrostatic precipitator'' dated September 28, 1981). That is, the control circuit 5 controls the output 2 of the automatic voltage detection circuit 7 to switch to low charge at the same time as reverse ionization is detected, and to restore the output to high charge after a period of time corresponding to the magnitude of reverse ionization. Control.
逆電離検出回路の一例を第11図に示す。(ア
ナログ回路)
二次電圧信号は、二次電圧が負の値であるので
負の信号として入つてくるが、これを正の信号に
反転する。 An example of a reverse ionization detection circuit is shown in FIG. (Analog circuit) Since the secondary voltage has a negative value, the secondary voltage signal comes in as a negative signal, but this is inverted to a positive signal.
集じん機電源一次側サイリスタの点弧開始信号
が発せられると、二次電圧は上昇に転ずるので、
この点弧開始信号は集じん機二次電圧の谷底点の
時期とほぼ一致する。この信号により瞬時、トラ
ンジスタTr1をONさせ、コンデンサC1の電圧VP
を0にする。次の瞬間、Tr1はOFFし、二次電圧
信号Vtをうけつける。Vt>VPなら、ダイオード
D1がONし、C1の電圧VPはVtに等しくなる。二
次電圧が谷底点からピーク値に達するまでは、そ
の動作が続くがピークを過ぎると、VP>Vtとな
りD1はOFFし、VPはピーク電圧が記憶される。 When the ignition start signal of the thyristor on the primary side of the dust collector power supply is issued, the secondary voltage starts to rise, so
This ignition start signal almost coincides with the bottom point of the dust collector secondary voltage. This signal momentarily turns on transistor Tr 1 , and the voltage V P of capacitor C 1
Set to 0. At the next moment, Tr 1 turns OFF and receives the secondary voltage signal V t . If V t > V P , the diode
D 1 turns on and the voltage V P of C 1 becomes equal to V t . This operation continues until the secondary voltage reaches the peak value from the bottom point, but once the peak has passed, V P > V t , D1 is turned OFF, and the peak voltage is stored in V P.
A1は高入力インピーダンスの増巾回路であり、
VPの値をそのまま出力する。 A 1 is a high input impedance amplifier circuit,
Outputs the value of V P as is.
A2は関数発生回路であり、第9図の折れ線の
ようにVPの値に応じた逆電離境界電圧VMの値を
出力する。 A2 is a function generating circuit, which outputs the value of the reverse ionization boundary voltage V M according to the value of V P as shown by the polygonal line in FIG.
A3は減算回路であり、VM−Vtの値を出力す
る。この値が負ならD2がONし、Vput→0とな
る。これは、正常荷電と判定され、信号を0とし
た訳である。 A3 is a subtraction circuit that outputs the value of V M −V t . If this value is negative, D 2 turns ON and V put →0. This means that the charge is determined to be normal and the signal is set to 0.
VM−Vtが正なら、この大きさが逆電離の大き
さを示す信号Vputとなる。Vtの大きさが、ある設
定値VSP(1〜5KVに設定)以下なら、これはスパ
ークと判定される。この設定値はポテンシヨメー
ターRで設定し、これとVtの値を比較器A4が比
較し、VSP>Vtなら、A4が出力となりトランジ
スタTr2がONし、A3の出力VM−Vtが正でも出力
Vputを0とする。 If V M −V t is positive, this magnitude becomes the signal V put indicating the magnitude of reverse ionization. If the magnitude of V t is less than a certain set value V SP (set to 1 to 5 KV ), this is determined to be a spark. This set value is set with potentiometer R, and comparator A4 compares this with the value of Vt . If V SP > Vt , A4 becomes the output, transistor Tr2 turns on, and the output of A3 Output even if V M −V t is positive
Let Vput be 0.
このような動作によりVM−Vtは、逆電離と判
定され、かつスパークではないと判定された時の
み出力Vputがあらわれる。A5は、スパーク時Tr2
がONするまでの短時間VM−VtがVputにあらわれ
るのを防ぐためのフイルターである。 Through such an operation, the output V put appears only when V M -V t is determined to be reverse ionization and not a spark. A 5 is Tr 2 when sparking
This is a filter to prevent V M −V t from appearing on V put for a short time until V M turns ON.
本回路で逆電離検出信号が発せられた結果、も
しサイリスタをしや断するような制御が行われる
と、サイリスタ点弧信号が入つてこないのでC1
に記憶されているVPの値は、いつまでもリセツ
トされずに残る。一方、この場合サイリスタでし
や断されているので、Vtはいつまでも立ち下り
が続き、検出回路の出力Vputは漸増する。 As a result of the reverse ionization detection signal being emitted by this circuit, if control is performed to turn off the thyristor, the thyristor ignition signal will not come in, so C 1
The value of V P stored in will remain without being reset forever. On the other hand, in this case, since the voltage is cut off by the thyristor, V t continues to fall, and the output V put of the detection circuit gradually increases.
このため弱い逆電離の場合でも放つておくと逆
電離信号Vputが大きくなる。これを防ぐため逆電
離の大きさの判定は、ある一定のタイミングたと
えば、サイリスタゲート信号があつてから一定の
時間(たとえば電源交流半サイクルの期間)経過
後に行い、この値をラツチするような回路が必要
になる場合もある。これは本検出器によりどのよ
うな集じん機電圧制御をするかにより選択される
ものである。 Therefore, even in the case of weak reverse ionization, if it is left to emit light, the reverse ionization signal V put will increase. To prevent this, the magnitude of reverse ionization is determined at a certain timing, for example, after a certain period of time (for example, half a cycle of AC power supply) has passed after the thyristor gate signal is applied, and a circuit that latches this value is used. may be necessary. This is selected depending on how the dust collector voltage is controlled by this detector.
逆電離検出回路の別の実施例を第12図、第1
3図に示す。(デジタル回路)ここでは電圧のピ
ークVPを検出後、電圧の瞬時値はある決められ
たタイミングで電圧波形立ち下がり中、1回のみ
検出される。この電圧をサンプリング値VTと呼
ぶ。 Another embodiment of the reverse ionization detection circuit is shown in FIG.
Shown in Figure 3. (Digital circuit) Here, after the voltage peak V P is detected, the instantaneous value of the voltage is detected only once during the fall of the voltage waveform at a certain predetermined timing. This voltage is called the sampling value VT .
第12図に逆電離検出装置の構成を示す本装置
はピーク値VP、サンプリング値VTを検出回路1
1と、それに二次電圧を絶縁して供する為の絶縁
増幅器13及びマイクロコン12とから成つてい
る。ピーク値、サンプリング値検出回路11及び
マイクロコン12には、検出開始の同期を取る為
のサイリスタ点弧開始信号111が入力されてい
る。マイクロコン12は、ピーク値、サンプリン
グ値検出回路11からピーク値検出信号15、ピ
ーク値16、サンプリング値検出信号17及びサ
ンプリング値18を受けとつて逆電離が発生した
か否かを判断し、送電離が発生したのであれば、
逆電離検出信号19と逆電離の大きさ110とを
出力する。 Figure 12 shows the configuration of the reverse ionization detection device.This device detects the peak value V P and the sampling value V
1, an isolation amplifier 13 and a microcontroller 12 for insulating and supplying a secondary voltage. A thyristor firing start signal 111 is input to the peak value/sampling value detection circuit 11 and the microcontroller 12 for synchronizing the start of detection. The microcomputer 12 receives a peak value detection signal 15, a peak value 16, a sampling value detection signal 17, and a sampling value 18 from the peak value and sampling value detection circuit 11, determines whether or not reverse ionization has occurred, and sends the signal. If ionization occurs,
A reverse ionization detection signal 19 and a magnitude 110 of reverse ionization are output.
ピーク値、サンプリング値検出回路11の構成
を第13図に示す。又、その処理流れ図を第14
図に示す。本回路は、まず最初にサイリスタ点弧
信号111の有無をチエツクする(第14図のブ
ロツク(以下BKと略す)1)。サイリスタ点弧
信号111が来れば、Aレジスタ113、Bレジ
ススタ115、Cレジスタ116、ピーク値検出
信号(以下VPFLAG)15、基底値検出信号
(以下VTFLAG)17を全てクリアする。(BK2)
クリア信号は制御部117から出される。 The configuration of the peak value and sampling value detection circuit 11 is shown in FIG. In addition, the processing flowchart is shown in the 14th
As shown in the figure. This circuit first checks the presence or absence of the thyristor firing signal 111 (block (hereinafter abbreviated as BK) 1 in FIG. 14). When the thyristor firing signal 111 comes, the A register 113, the B register 115, the C register 116, the peak value detection signal (hereinafter referred to as V P FLAG) 15, and the base value detection signal (hereinafter referred to as V T FLAG) 17 are all cleared. (BK2)
A clear signal is issued from the control section 117.
次に制御部117から、A/D変換器112に
変換開始指令が与えられ(BK3)、A/D変換完
了后、制御部117からの信号でAレジスタ11
3は変換結果を格納する。(BK4)Aレジスタ1
13の内容とBレジスタ115の内容とは比較器
114で常時比較されており、その比較結果を制
御部117でチエツクする(BK5)。その結果に
おいて、A<Bでなければ二次電圧は増加の途中
であると判断し、Aレジスタの内容をBレジスタ
に格納する(BK6)。そして、A/D変換を続け
て行ない上記処理をくりかえす。 Next, a conversion start command is given to the A/D converter 112 from the control unit 117 (BK3), and after the A/D conversion is completed, the A register 11 is
3 stores the conversion result. (BK4) A register 1
The contents of 13 and the contents of B register 115 are constantly compared by comparator 114, and the comparison result is checked by control section 117 (BK5). As a result, if A<B, it is determined that the secondary voltage is in the process of increasing, and the contents of the A register are stored in the B register (BK6). Then, A/D conversion is performed continuously and the above processing is repeated.
もしA<Bであれば、すなわちA<B信号11
8が立つていれば制御部117はBレジスタ11
5に格納されている値かピーク値と判断し、VP
FLAG15を立てる(BK7)。そして制御部11
7はサンプリング値を計測するタイミングを測る
為に、制御部117内のVTタイマをスタートさ
せる(BK8)。VTタイマがタイムアツプすれば
(BK9)、制御部117はA/D変換器112に
変換開始を指示する(BK10)。変換結果は制御
部117からの指示により、Cレジスタ116に
格納される(BK11)。ついで制御部117はVT
FLAG17を設定し(BK12)次のサイリスタ点
弧開始信号111の来るのを待つ(BK1)。 If A<B, that is, A<B signal 11
If 8 is set, the control unit 117 controls the B register 11.
The value stored in 5 is determined to be the peak value, and V P
Set up FLAG15 (BK7). and control section 11
7 starts the V T timer in the control unit 117 in order to measure the timing of measuring the sampling value (BK8). When the V T timer times up (BK9), the control unit 117 instructs the A/D converter 112 to start conversion (BK10). The conversion result is stored in the C register 116 according to an instruction from the control unit 117 (BK11). Then, the control unit 117 sets V T
Set FLAG17 (BK12) and wait for the next thyristor firing start signal 111 (BK1).
第15図がマイクロコン12に入つている処理
の流れ図である。マイクロコン12はまず、前記
検出回路11と同様にサイリスタ点弧開始信号1
11が来るのを待つている(BK21)。サイリス
タ点弧開始信号111が来ると、逆電離検出信号
(以下VBCFLAG)19及び逆電離の大きさ(以
下VBC)110が立つていたり設定されていれば
クリアする(BK22)。そしてVPFLAG15が前
記検出回路11から送られてくるのを待つ
(BK23)。VPFLAG15が送られてくるとピーク
値(以下VP)6を読込む(BK24)。マイクロコ
ン12は、ピーク値VPからそれに対応する逆電
離境界電圧VMを第9図のグラフに従つて求める。
(BK25)
サンプリング値VTがVMを下まわつていると逆
電離である。ただし、VTがほとんど0のときは、
逆電離でなく、スパークと考えられる。 FIG. 15 is a flowchart of the processing carried out in the microcomputer 12. First, the microcontroller 12 receives the thyristor firing start signal 1 similarly to the detection circuit 11.
Waiting for 11 to come (BK21). When the thyristor firing start signal 111 comes, the reverse ionization detection signal (hereinafter referred to as V BC FLAG) 19 and the magnitude of reverse ionization (hereinafter referred to as V BC ) 110 are cleared if they are set or set (BK22). Then, it waits for V P FLAG 15 to be sent from the detection circuit 11 (BK23). When V P FLAG15 is sent, the peak value (hereinafter referred to as V P )6 is read (BK24). The microcomputer 12 determines the corresponding reverse ionization boundary voltage V M from the peak value V P according to the graph of FIG.
(BK25) If the sampling value VT is less than VM , it is reverse ionization. However, when V T is almost 0,
It is thought to be a spark, not reverse ionization.
そうしてマイクロコン12は前記検出信号11
からサンプリング電圧検出信号(VTFLAG)1
9が送られてくるのを待つ(BK26)。VTFLAG
が送られてくるとマイクロコン12は、サンプリ
ング電圧(VT)を読む(BK27)。VTの値はスパ
ークが発生した場合は極端に小さくなるのでその
境界値をVSPとすると、逆電離が発生している場
合には逆電離境界電圧(VM)よりサンプリング
電圧(VT)が小さく、かつスパーク発生の境界
値(VSP)よりサンプリング値(VT)が大きくな
る。従つてマイクロコン12はVSP<VT<VMな
るチエツクを行う(BK28)。VTがこの範囲外で
あれば逆電離が起つていないのでBK21へ戻り、
次のサイリスタ点弧開始信号111がくるのを待
つ。 Then, the microcontroller 12 outputs the detection signal 11.
Sampling voltage detection signal (V T FLAG) 1
Wait for 9 to be sent (BK26). V T FLAG
When received, the microcontroller 12 reads the sampling voltage (V T ) (BK27). The value of V T becomes extremely small when a spark occurs, so if the boundary value is V SP , if reverse ionization occurs, the sampling voltage (V T ) is lower than the reverse ionization boundary voltage (V M ). is small, and the sampling value (V T ) is larger than the spark generation boundary value (V SP ). Therefore, the microcontroller 12 checks that V SP <V T <V M (BK28). If V T is outside this range, no reverse ionization has occurred, so return to BK21.
Wait for the next thyristor firing start signal 111 to arrive.
VTがVSP<VT<VMの範囲に入つていれば逆電
離が発生しているので、逆電離検出信号(BC−
FLAG)を直ちに出力し(BK29)、逆電離境界
電圧(VD)とサンプリング値(VT)との差を求
め、逆電離の大きさ(Vput)とする(BK30)。そ
してその逆電離の大きさ(Vput)を出力し
(BK31、BK21へ戻つて次のサイリスタ点弧開始
信号111がくるのを待つ。 If V T is within the range of V SP < V T < V M , back ionization has occurred, so the back ionization detection signal (BC-
FLAG) is immediately output (BK29), and the difference between the reverse ionization boundary voltage (V D ) and the sampled value (V T ) is determined and determined as the magnitude of reverse ionization (V put ) (BK30). Then, the magnitude of the reverse ionization (V put ) is output (returns to BK31 and BK21 and waits for the next thyristor firing start signal 111 to arrive).
第16図にサイリスタ点弧開始信号及び二次電
圧波形、検出器出力を示す。 FIG. 16 shows the thyristor firing start signal, secondary voltage waveform, and detector output.
サイリスタ点弧開始信号により検出器はVPの
値がリセツトされる。ほぼ同時に二次電圧波形
は、立ち上りはじめピークにおいてVPの値が検
出器のコンデンサ又はレジスタに記憶され、それ
に応じた逆電離限界電圧VMが演算される。 The value of V P in the detector is reset by the thyristor firing start signal. Almost simultaneously, the value of V P at the peak of the secondary voltage waveform is stored in the capacitor or register of the detector, and the reverse ionization limit voltage V M is calculated accordingly.
電圧の瞬時値がVMまで落ちなければ正常荷電
と判断される。(第16図の第1山目の場合)
電圧の瞬時の値がVMを下まわつても、さらに
VSPの設定値をも下まわつた場合は、スパークと
判定され逆電離検出信号は出ない。(第16図の
第2山目の場合)
電圧の瞬時値がVMを下まわりVSPの設定値より
大きい場合は、逆電離と判断されその大きさに応
じた信号Vputが出力される。(第16図の第3山
目の場合)この時、アナログの具体例では瞬時値
VtかVMを下まわるとすぐ出力Vputがあらわれる。
デジタルの具体例では、VTの検出があるタイミ
ングをもつて行われるので、この検出により逆電
離と判断されれば出力Vputがあらわれ、同時に検
出フラグが立つ。 If the instantaneous voltage value does not drop to V M , it is determined that charging is normal. (In the case of the first peak in Figure 16) Even if the instantaneous value of the voltage is below V M ,
If the value falls below the V SP set value, it is determined to be a spark and no reverse ionization detection signal is output. (In the case of the second peak in Figure 16) If the instantaneous value of the voltage is lower than V M and larger than the set value of V SP , it is determined that reverse ionization has occurred, and a signal V put is output according to the magnitude. . (In the case of the third peak in Figure 16) At this time, in the analog example, the instantaneous value
As soon as V t falls below V M , the output V put appears.
In a digital concrete example, the detection of V T is performed at a certain timing, so if it is determined that reverse ionization is caused by this detection, the output V put appears and a detection flag is set at the same time.
以上要するに本発明は、電気集じん装置の二次
電圧波形のピーク電圧と、該ピーク電圧時以後の
電圧の瞬時値を検出し、ピーク電圧の関数として
求められる逆電離の境界電圧と比較してその値の
大小により逆電離の発生を検知することを特徴と
する逆電離検知方法であつて、逆電離の発生を瞬
時(電源周波数の半サイクル以下)に検知するこ
とが可能であるから、その検知信号を電圧制御装
置にフイードバツクすることにより電気集じん装
置の最適制御を可能ならしめる効果が期待でき、
集じん効率の向上に寄与するところ大である。 In summary, the present invention detects the peak voltage of the secondary voltage waveform of an electrostatic precipitator and the instantaneous value of the voltage after the peak voltage, and compares the peak voltage with the boundary voltage of reverse ionization obtained as a function of the peak voltage. This is a reverse ionization detection method that detects the occurrence of reverse ionization based on the magnitude of the value, and it is possible to detect the occurrence of reverse ionization instantaneously (less than half a cycle of the power frequency). By feeding back the detection signal to the voltage control device, we can expect the effect of enabling optimal control of the electrostatic precipitator.
This greatly contributes to improving dust collection efficiency.
第1図は逆電離現象の発生状況を検出するV−
I特性図、第2図および第3図は電気集じん機の
一般的な電気回路図およびその等価回路を示す
図、第4図a,bはそれぞれ電気集じん装置にお
けるトランス二次巻線の起電力および二次電圧と
コロナ電流および二次電流の変化を表わす図、第
5図、第6図、第7図はそれぞれ二次電圧波形の
ピーク値と谷底値との関係を示す図、第8図は二
次電圧波形のピーク値と谷底値との差と谷底値と
の関係を示す図、第9図は逆電離境界電圧とピー
ク電圧との関係を示す図、第10図は電気集じん
装置の自動電圧制御回路を示す図、第11図は逆
電離検出回路の一例を示す図、第12図、第13
図は逆電離検出回路の別の実施例を示すデジタル
回路図、第14図は処理流れを示す図、第15図
はマイクロコン12に入つている処理の流れ図、
第16図はサイリスタ点弧開始信号および二次電
圧波形検出器出力を示す図である。なお、第14
図および第15図の1〜29は処理流れの順序を
示す数字である。
1……逆電離検出回路の入力、2,2′……信
号、3……逆電離検出回路、4……逆電離検出回
路の出力、5……制御回路、6……信号、7……
自動電圧制御回路、11……ピーク値、サンプリ
ング値検出回路、12……マイクロコン、13…
…絶縁増幅器、14……二次電圧、15……ピー
ク値検出信号(VPFLAG)、16……ピーク値
(VP)、17……サンプリング値検出信号(VT
FLAG)、18……サンプリング値(VT)、19
……逆電離検出信号(VBCFLAG)、110……
逆電離の大きさ(Vput)、111……サイリスタ
点弧開始信号、112……A/D変換器、113
……Aレジスタ、114……比較器、115……
Bレジスタ、116……Cレジスタ、117……
制御部、118……A<B信号、V……放電極、
T……集じん極、S……整流器、W……トラン
ス、C……静電容量、R……コロナ放電と等価な
抵抗。
Figure 1 shows the V-
I characteristic diagram, Figures 2 and 3 are diagrams showing a general electrical circuit diagram of an electrostatic precipitator and its equivalent circuit, and Figures 4a and b are diagrams of the transformer secondary winding in an electrostatic precipitator, respectively. Figures 5, 6, and 7 are diagrams showing the relationship between the peak value and trough value of the secondary voltage waveform, respectively. Figure 8 shows the relationship between the difference between the peak value and the valley bottom value of the secondary voltage waveform and the valley bottom value, Figure 9 shows the relationship between the reverse ionization boundary voltage and the peak voltage, and Figure 10 shows the relationship between the peak value and the valley bottom value of the secondary voltage waveform. Figure 11 is a diagram showing an example of a reverse ionization detection circuit, Figures 12 and 13 are diagrams showing an automatic voltage control circuit of a dust device.
The figure is a digital circuit diagram showing another embodiment of the reverse ionization detection circuit, FIG. 14 is a diagram showing the processing flow, and FIG. 15 is a flow chart of the processing included in the microcontroller 12.
FIG. 16 is a diagram showing a thyristor firing start signal and a secondary voltage waveform detector output. In addition, the 14th
Numbers 1 to 29 in the figure and FIG. 15 indicate the order of the processing flow. 1...Input of the reverse ionization detection circuit, 2, 2'...Signal, 3...Reverse ionization detection circuit, 4...Output of the reverse ionization detection circuit, 5...Control circuit, 6...Signal, 7...
automatic voltage control circuit, 11... peak value, sampling value detection circuit, 12... microcontroller, 13...
...Isolation amplifier, 14...Secondary voltage, 15...Peak value detection signal (V P FLAG), 16...Peak value (V P ), 17... Sampling value detection signal (V T
FLAG), 18... Sampling value (V T ), 19
...Reverse ionization detection signal (V BC FLAG), 110...
Magnitude of reverse ionization ( Vput ), 111...Thyristor firing start signal, 112...A/D converter, 113
...A register, 114...Comparator, 115...
B register, 116...C register, 117...
Control unit, 118...A<B signal, V...discharge electrode,
T... Dust collecting pole, S... Rectifier, W... Transformer, C... Capacitance, R... Resistance equivalent to corona discharge.
Claims (1)
と、該ピーク電圧時以後の電圧の瞬時値を検出
し、該ピーク電圧の関数として求められる逆電離
の境界電圧と比較してその値の大小により逆電離
の発生を検出することを特徴とする電気集塵装置
における逆電離現象検知方法。 2 逆電離の境界電圧はピーク電圧に対し、飽和
特性をもつた関数形状とし、飽和レベルは2次電
圧波形のボトム値の最高値により与えられること
を特徴とする上記特許請求の範囲第1項記載の逆
電離現象検知方法。[Claims] 1. Detecting the peak voltage of the secondary voltage waveform of the electrostatic precipitator and the instantaneous value of the voltage after the peak voltage, and comparing it with the boundary voltage of reverse ionization determined as a function of the peak voltage. A method for detecting a reverse ionization phenomenon in an electrostatic precipitator, characterized in that the occurrence of reverse ionization is detected based on the magnitude of the value. 2. Claim 1 above, characterized in that the boundary voltage of reverse ionization has a function shape with saturation characteristics with respect to the peak voltage, and the saturation level is given by the highest value of the bottom values of the secondary voltage waveform. The described reverse ionization phenomenon detection method.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16408781A JPS5867360A (en) | 1981-10-16 | 1981-10-16 | Detection of reverse ionization in electrostatic precipitator |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16408781A JPS5867360A (en) | 1981-10-16 | 1981-10-16 | Detection of reverse ionization in electrostatic precipitator |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5867360A JPS5867360A (en) | 1983-04-21 |
JPH0112544B2 true JPH0112544B2 (en) | 1989-03-01 |
Family
ID=15786523
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP16408781A Granted JPS5867360A (en) | 1981-10-16 | 1981-10-16 | Detection of reverse ionization in electrostatic precipitator |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5867360A (en) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6064652A (en) * | 1983-09-20 | 1985-04-13 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | Control of electric dust collector |
JPS6072113U (en) * | 1983-10-21 | 1985-05-21 | ヤンマー農機株式会社 | Fertilizer, seeding machine |
JPS6125650A (en) * | 1984-07-17 | 1986-02-04 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | Method for controlling electrical charge of electrical dust precipitator |
-
1981
- 1981-10-16 JP JP16408781A patent/JPS5867360A/en active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5867360A (en) | 1983-04-21 |
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