JPH01122911A - 表面硬質化黒鉛材料の製造方法 - Google Patents
表面硬質化黒鉛材料の製造方法Info
- Publication number
- JPH01122911A JPH01122911A JP62280293A JP28029387A JPH01122911A JP H01122911 A JPH01122911 A JP H01122911A JP 62280293 A JP62280293 A JP 62280293A JP 28029387 A JP28029387 A JP 28029387A JP H01122911 A JPH01122911 A JP H01122911A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- graphite
- carbon
- diamond
- hydrogen
- hydrogen plasma
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000007770 graphite material Substances 0.000 title claims abstract description 16
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 7
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 47
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 42
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims abstract description 42
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 37
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 23
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 22
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims abstract description 22
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 claims abstract description 22
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 14
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims abstract description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 13
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract description 7
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 abstract description 5
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 abstract description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 4
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 abstract description 3
- 229920000049 Carbon (fiber) Polymers 0.000 abstract description 2
- 239000004917 carbon fiber Substances 0.000 abstract description 2
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 abstract description 2
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 abstract description 2
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 abstract 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 abstract 1
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 abstract 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 abstract 1
- 238000002407 reforming Methods 0.000 abstract 1
- 238000001237 Raman spectrum Methods 0.000 description 12
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 3
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 1
- 239000003575 carbonaceous material Substances 0.000 description 1
- 238000003763 carbonization Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005672 electromagnetic field Effects 0.000 description 1
- 238000002003 electron diffraction Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 229910021397 glassy carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- -1 hydrogen ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000006253 pitch coke Substances 0.000 description 1
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 238000001308 synthesis method Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001845 vibrational spectrum Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
- C01B32/20—Graphite
- C01B32/21—After-treatment
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- General Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Geology (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、表面がダイヤモンド状炭素に改質された黒鉛
材料の製造方法に関するものである。
材料の製造方法に関するものである。
黒鉛材料は耐熱性、耐腐食性、軽量性、熱伝導性等に優
れた材料であるが、摩耗し易いという欠点があり、この
欠点を補うために成形段階で黒鉛粉に金属粉、セラミッ
クス粉等を混合するという方法がこれまで採られてきた
(特公昭52−822号公、報、特開昭60−2384
02号公報、特開昭61−31355号公報)。
れた材料であるが、摩耗し易いという欠点があり、この
欠点を補うために成形段階で黒鉛粉に金属粉、セラミッ
クス粉等を混合するという方法がこれまで採られてきた
(特公昭52−822号公、報、特開昭60−2384
02号公報、特開昭61−31355号公報)。
本発明は前記の黒鉛の欠点を補う、表面硬度が高い黒鉛
材料の製造方法を提供するものである。
材料の製造方法を提供するものである。
本発明は、黒鉛を素材とする基体の表面を、ダイヤモン
ド状炭素に改質する事を特徴とする硬質化した黒鉛材料
の製造方法である。
ド状炭素に改質する事を特徴とする硬質化した黒鉛材料
の製造方法である。
本発明でいうダイヤモンド状炭素とは次のようなもので
ある。元素の構成の主体は炭素であり、天然ダイヤモン
ドに準する硬度を持ち、非晶質で電子線回折像はハロー
パターンを示す。ラマンスペクトルでは1580cm−
’付近と1360cm−’付近に非晶質特有の広いピー
クを示す。ダイヤモンド状炭素の薄膜を走査型電子顕微
鏡で10000倍に拡大して観察すると、結晶粒が認め
られない一様で平滑な膜である。ダイヤモンド状炭素は
一般に炭化水素化合物を原料とした気相合成法によって
生成され、約2Qatom%以下の水素を、含有してい
る。水素は炭素原子のダングリングボンドの部分に入り
、炭素の連鎖が閉じられることによって非晶質状態が安
定化されかつ高硬度の構造になると考えられている。
ある。元素の構成の主体は炭素であり、天然ダイヤモン
ドに準する硬度を持ち、非晶質で電子線回折像はハロー
パターンを示す。ラマンスペクトルでは1580cm−
’付近と1360cm−’付近に非晶質特有の広いピー
クを示す。ダイヤモンド状炭素の薄膜を走査型電子顕微
鏡で10000倍に拡大して観察すると、結晶粒が認め
られない一様で平滑な膜である。ダイヤモンド状炭素は
一般に炭化水素化合物を原料とした気相合成法によって
生成され、約2Qatom%以下の水素を、含有してい
る。水素は炭素原子のダングリングボンドの部分に入り
、炭素の連鎖が閉じられることによって非晶質状態が安
定化されかつ高硬度の構造になると考えられている。
本発明は黒鉛材料表面を直接、この様な非晶質で高硬度
の構造とするべく鋭意研究を進めた結果、水素プラズマ
処理を施す事が有効であることを見いだし、この知見を
もとに完成されたものである。
の構造とするべく鋭意研究を進めた結果、水素プラズマ
処理を施す事が有効であることを見いだし、この知見を
もとに完成されたものである。
本発明で用いる黒鉛材料としては、例えば黒鉛単結晶、
グラッシーカーボン、黒鉛粉末焼結体、炭素繊維、ピッ
チコークス等を原料として焼結された高密度炭素材とこ
れらの複合材料が使用できる。
グラッシーカーボン、黒鉛粉末焼結体、炭素繊維、ピッ
チコークス等を原料として焼結された高密度炭素材とこ
れらの複合材料が使用できる。
水素プラズマ処理によって黒鉛材料表面層を、ラマンス
ペクトルで1580cl’付近と1360cm−’付近
に広いピークを示す硬質のダイヤモンド状炭素に改質す
ることができる。水素プラズマ処理の仕方としては、特
公昭62−120号公報に記載されているようなプラズ
マCVD装置により生成した水素プラズマ中に基体を放
置する方法と、特開昭59−174507号公報に開示
されているプラズマCVD装置、特開昭61−1221
97号公報に見られるようなイオンビーム装置や、イオ
ンインプランテーション装置等により黒鉛基体に水素プ
ラズマ種を照射する方法などが挙げられる。本質的には
、熱や電磁場により水素分子、水素ラジカル、水素イオ
ン、水素原子を高速度で基体に衝突させることができれ
ばどのような方法でも良い。水素プラズマ処理を施した
試料表面層中の水素原子の濃度をISN共鳴核反応法に
より測定した結果、硬度を向上させ耐摩耗性を良くする
ためには表面層数十nmに水素原子が0.5〜20at
om%含まれている事が必要であると判明した。水素プ
ラズマ処理を施した黒鉛材料表面は、ラマンスペクトル
、および水素含有量ともダイヤモンド状炭素のそれらと
等しくなり電子線回折像がハローパターンを示し、かつ
硬度が高くなっていることから、黒鉛材料表面は水素プ
ラズマ処理によってダイヤモンド状炭素に改質されてい
ることがわかった。水素プラズマ処理による黒鉛のダイ
ヤモンド状炭素化のメカニズムについては、水素が黒鉛
を叩くことにより黒鉛の非晶質化と水素の注入が起こり
、その結果黒鉛の表面がダイヤモンド状炭素に改質され
るものと考えられる。
ペクトルで1580cl’付近と1360cm−’付近
に広いピークを示す硬質のダイヤモンド状炭素に改質す
ることができる。水素プラズマ処理の仕方としては、特
公昭62−120号公報に記載されているようなプラズ
マCVD装置により生成した水素プラズマ中に基体を放
置する方法と、特開昭59−174507号公報に開示
されているプラズマCVD装置、特開昭61−1221
97号公報に見られるようなイオンビーム装置や、イオ
ンインプランテーション装置等により黒鉛基体に水素プ
ラズマ種を照射する方法などが挙げられる。本質的には
、熱や電磁場により水素分子、水素ラジカル、水素イオ
ン、水素原子を高速度で基体に衝突させることができれ
ばどのような方法でも良い。水素プラズマ処理を施した
試料表面層中の水素原子の濃度をISN共鳴核反応法に
より測定した結果、硬度を向上させ耐摩耗性を良くする
ためには表面層数十nmに水素原子が0.5〜20at
om%含まれている事が必要であると判明した。水素プ
ラズマ処理を施した黒鉛材料表面は、ラマンスペクトル
、および水素含有量ともダイヤモンド状炭素のそれらと
等しくなり電子線回折像がハローパターンを示し、かつ
硬度が高くなっていることから、黒鉛材料表面は水素プ
ラズマ処理によってダイヤモンド状炭素に改質されてい
ることがわかった。水素プラズマ処理による黒鉛のダイ
ヤモンド状炭素化のメカニズムについては、水素が黒鉛
を叩くことにより黒鉛の非晶質化と水素の注入が起こり
、その結果黒鉛の表面がダイヤモンド状炭素に改質され
るものと考えられる。
被処理黒鉛材料が、水素プラズマ処理によって材料全体
がダイヤモンド状炭素に改質されるほど細かい粉状ある
いは薄い膜状である場合には、材料全体をダイヤモンド
状炭素に改質する方法としても本発明が適用できる。
がダイヤモンド状炭素に改質されるほど細かい粉状ある
いは薄い膜状である場合には、材料全体をダイヤモンド
状炭素に改質する方法としても本発明が適用できる。
実施例1゜
黒鉛単結晶110PG (ユニオンカーバイド社製)臂
開面にイオン化蒸着装置により気圧I X 10−2T
orr、基体バイアス電圧−tooo v、イオン電流
2mA/C11l −2、基体温度200°Cの条件で
水素プラズマを1時間照射した。この水素プラズマ処理
を施した部分のラマンスペクトルを測定した結果第1図
(イ)に示すように1580cnr’付近と1360c
m−’付近とに広いピークを持つダイヤモンド状炭素特
有のスペクトルが得られた。表面が非晶質のダイヤモン
ド状炭素に改質されているためにラマン不活性の振動モ
ードが現れて1580cm−’付近と1360cm−’
付近に広いピークを示している。また電子線回折像はハ
ローパターンを示した。15N共鳴核反応法により水素
プラズマ処理を施した部分の水素分布を測定したところ
、表面N500人内に2〜6atom%の水素が含まれ
ていた。一方、水素プラズマ処理を施していない無処理
のHOPGのラマンスペクトルは第1図(ア)に示すよ
うに単結晶黒鉛特有の1575cm−’に狭いピークを
示した。1575cm−’のピークは黒鉛の面内E2g
振動のスペクトルであり、単結晶のため狭い半値幅とな
っている。
開面にイオン化蒸着装置により気圧I X 10−2T
orr、基体バイアス電圧−tooo v、イオン電流
2mA/C11l −2、基体温度200°Cの条件で
水素プラズマを1時間照射した。この水素プラズマ処理
を施した部分のラマンスペクトルを測定した結果第1図
(イ)に示すように1580cnr’付近と1360c
m−’付近とに広いピークを持つダイヤモンド状炭素特
有のスペクトルが得られた。表面が非晶質のダイヤモン
ド状炭素に改質されているためにラマン不活性の振動モ
ードが現れて1580cm−’付近と1360cm−’
付近に広いピークを示している。また電子線回折像はハ
ローパターンを示した。15N共鳴核反応法により水素
プラズマ処理を施した部分の水素分布を測定したところ
、表面N500人内に2〜6atom%の水素が含まれ
ていた。一方、水素プラズマ処理を施していない無処理
のHOPGのラマンスペクトルは第1図(ア)に示すよ
うに単結晶黒鉛特有の1575cm−’に狭いピークを
示した。1575cm−’のピークは黒鉛の面内E2g
振動のスペクトルであり、単結晶のため狭い半値幅とな
っている。
実施例2゜
高密度黒鉛焼結体メタファイト(東北協和カーボン社製
)の表面を直径1μmアルミナ粉で研磨を施した平滑な
部分に、実施例1と同条件で水素プラズマ処理を施し、
ラマンスペクトルを測定した。その結果第2図(イ)に
示すように1580cm−’付近と1360cl’付近
とに広いピークを持つダイヤモンド状炭素特有のスペク
トルが得られる。一方、水素プラズマ処理を施していな
いメタファイト研磨面のラマンスペクトルは第2図(ア
)に示すように1575cm−’と1355cm−’と
に狭いピークを示す。
)の表面を直径1μmアルミナ粉で研磨を施した平滑な
部分に、実施例1と同条件で水素プラズマ処理を施し、
ラマンスペクトルを測定した。その結果第2図(イ)に
示すように1580cm−’付近と1360cl’付近
とに広いピークを持つダイヤモンド状炭素特有のスペク
トルが得られる。一方、水素プラズマ処理を施していな
いメタファイト研磨面のラマンスペクトルは第2図(ア
)に示すように1575cm−’と1355cm−’と
に狭いピークを示す。
1575cm−’のピークは黒鉛の面内E29振動のス
ペクトルであるが、結晶化度が低いのでHOPGのスペ
クトルと比べて弱(なっている。1355cm−’のピ
ークは研磨処理によって生成された黒鉛構造の乱れによ
るものである。”N共鳴核反応法′により水素プラズマ
処理を施した部分の水素分布を測定したところ、表面層
300人内に1〜7atom%の水素が含まれていた。
ペクトルであるが、結晶化度が低いのでHOPGのスペ
クトルと比べて弱(なっている。1355cm−’のピ
ークは研磨処理によって生成された黒鉛構造の乱れによ
るものである。”N共鳴核反応法′により水素プラズマ
処理を施した部分の水素分布を測定したところ、表面層
300人内に1〜7atom%の水素が含まれていた。
この試料の鉛筆硬度(JIS K−5400)を測定し
た結果、水素プラズマ処理を施した部分の硬度は3Hで
あり、水素プラズマ処理を施していない部分の硬度は2
Hであった。従って水素プラズマ処理によってメタファ
イトの表面が硬質化したことが判る。
た結果、水素プラズマ処理を施した部分の硬度は3Hで
あり、水素プラズマ処理を施していない部分の硬度は2
Hであった。従って水素プラズマ処理によってメタファ
イトの表面が硬質化したことが判る。
実施例3゜
黒鉛単結晶110PG (ユニオンカーバイド社製)臂
開面に、イオンインプランテーション法によりH4イオ
ンを5 keVに加速して1019個/c「2のイオン
流密度で照射した。この水素イオンを照射した部分のラ
マンスペクトルを測定した結果、1580cm″1付近
と1360cm−’付近とに広いピークを持つ、第1図
の(イ)と同様のダイヤモンド状炭素特有のスペクトル
が得られた。この面の水素含有料を調べたところ、表面
から1μmの深さにわたって2〜7atom%の水素を
含んでいた。
開面に、イオンインプランテーション法によりH4イオ
ンを5 keVに加速して1019個/c「2のイオン
流密度で照射した。この水素イオンを照射した部分のラ
マンスペクトルを測定した結果、1580cm″1付近
と1360cm−’付近とに広いピークを持つ、第1図
の(イ)と同様のダイヤモンド状炭素特有のスペクトル
が得られた。この面の水素含有料を調べたところ、表面
から1μmの深さにわたって2〜7atom%の水素を
含んでいた。
本発明により黒鉛を素材とする基体の表面を、水素プラ
ズマ処理によってダイヤモンド状炭素に改質する事がで
き、表面硬度が高く耐摩耗性の良好な黒鉛材料を製造す
ることができる。
ズマ処理によってダイヤモンド状炭素に改質する事がで
き、表面硬度が高く耐摩耗性の良好な黒鉛材料を製造す
ることができる。
第1図の(ア)に)IOPGのラマンスペクトルを示す
。 第1図の(イ)は水素プラズマ処理を施したHOPGの
ラマンスペクトルである。 第2図の(ア)にメタファイト表面を直径1μmアルミ
ナ粉で研磨を施した部分のラマンスペクトルを示す。 第2図の(イ)は、水素プラズマ処理を施したメタファ
イト研磨面のラマンスペクトルである。 特許出願人 新日本製鐵株式會社外1名第1図 (ア) (イ)第
2図
。 第1図の(イ)は水素プラズマ処理を施したHOPGの
ラマンスペクトルである。 第2図の(ア)にメタファイト表面を直径1μmアルミ
ナ粉で研磨を施した部分のラマンスペクトルを示す。 第2図の(イ)は、水素プラズマ処理を施したメタファ
イト研磨面のラマンスペクトルである。 特許出願人 新日本製鐵株式會社外1名第1図 (ア) (イ)第
2図
Claims (3)
- (1)黒鉛を素材とする基体の表面をダイヤモンド状炭
素に改質することを特徴とする表面硬質化黒鉛材料の製
造方法。 - (2)ダイヤモンド状炭素が原子数比で0.5〜20%
の水素原子を含有する特許請求の範囲第1項記載の表面
硬質化黒鉛材料の製造方法。 - (3)黒鉛を素材とする基体の表面を、水素プラズマ処
理を施すことによってダイヤモンド状炭素に改質するこ
とを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の表面硬質化
黒鉛材料の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62280293A JPH01122911A (ja) | 1987-11-07 | 1987-11-07 | 表面硬質化黒鉛材料の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62280293A JPH01122911A (ja) | 1987-11-07 | 1987-11-07 | 表面硬質化黒鉛材料の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01122911A true JPH01122911A (ja) | 1989-05-16 |
Family
ID=17622967
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62280293A Pending JPH01122911A (ja) | 1987-11-07 | 1987-11-07 | 表面硬質化黒鉛材料の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01122911A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2010003571A2 (de) | 2008-07-11 | 2010-01-14 | BAM Bundesanstalt für Materialforschung und -prüfung | Verfahren zur modifizierung von expandiertem graphit und verwendung des modifizierten expandierten graphits |
JP2013170093A (ja) * | 2012-02-20 | 2013-09-02 | Ihi Corp | 窒素導入方法 |
US20190040214A1 (en) * | 2016-02-04 | 2019-02-07 | Korea University Research And Business Foundation | Polymer composite strengthened with carbon fiber surface-modified by plasma treatment and method for producing polymer composite |
-
1987
- 1987-11-07 JP JP62280293A patent/JPH01122911A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2010003571A2 (de) | 2008-07-11 | 2010-01-14 | BAM Bundesanstalt für Materialforschung und -prüfung | Verfahren zur modifizierung von expandiertem graphit und verwendung des modifizierten expandierten graphits |
WO2010003571A3 (de) * | 2008-07-11 | 2010-07-22 | BAM Bundesanstalt für Materialforschung und -prüfung | Verfahren zur modifizierung von expandiertem graphit und verwendung des modifizierten expandierten graphits |
JP2013170093A (ja) * | 2012-02-20 | 2013-09-02 | Ihi Corp | 窒素導入方法 |
US20190040214A1 (en) * | 2016-02-04 | 2019-02-07 | Korea University Research And Business Foundation | Polymer composite strengthened with carbon fiber surface-modified by plasma treatment and method for producing polymer composite |
US10647827B2 (en) * | 2016-02-04 | 2020-05-12 | Korea University Research And Business Foundation | Polymer composite strengthened with carbon fiber surface-modified by plasma treatment and method for producing polymer composite |
US11008428B2 (en) | 2016-02-04 | 2021-05-18 | Korea University Research And Business Foundation | Polymer composite strengthened with carbon fiber surface-modified by plasma treatment and method for producing polymer composite |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Schreck et al. | Ion bombardment induced buried lateral growth: the key mechanism for the synthesis of single crystal diamond wafers | |
US4957591A (en) | Method for preparing needle-like, fibrous or porous diamond, or an aggregate thereof | |
Anders et al. | Thermal stability of amorphous hard carbon films produced by cathodic arc deposition | |
Nistor et al. | Nanocrystalline diamond films: transmission electron microscopy and Raman spectroscopy characterization | |
US5772760A (en) | Method for the preparation of nanocrystalline diamond thin films | |
US5488774A (en) | Cutting edges | |
Stubhan et al. | Heteroepitaxial nucleation of diamond on Si (001) in hot filament chemical vapor deposition | |
JPH01122911A (ja) | 表面硬質化黒鉛材料の製造方法 | |
Fujita et al. | Structure and resonant characteristics of amorphous carbon pillars grown by focused-ion-beam-induced chemical vapor deposition | |
Ouyang et al. | Deposition of diamond-like carbon films via excimer laser ablation of polybutadiene | |
Karaseov et al. | Effect of ion bombardment on the phase composition and mechanical properties of diamond-like carbon films | |
Mallik et al. | Effect of seed size, suspension recycling and substrate pre-treatment on the CVD growth of diamond coatings | |
JP3082979B2 (ja) | a−DLC−Si膜の形成方法 | |
Morrison et al. | Growth of CVD diamond films over bio-medical materials | |
Ono et al. | Effects of oxygen and substrate temperature on properties of amorphous carbon films fabricated by plasma-assisted pulsed laser deposition method | |
JPS61210179A (ja) | ミクロト−ム用コ−ティング刃の製造方法 | |
Harada et al. | Investigation of the structure and tribological properties of laser-irradiated hydrogenated amorphous carbon films | |
Qian et al. | The effects of magnetic field on the properties of diamond-like carbon films produced by high-density helicon wave plasma | |
JPH01203293A (ja) | ダイヤモンド結晶の形成方法 | |
Okhlupin et al. | Discrete friction mechanisms of a metal tool with polycrystalline diamond-coated detail | |
L’vov et al. | Formation of Carbon-Nanotube Layers on Bulk Nickel: The Effect of Surface Topography Defects | |
JPH0643280B2 (ja) | 膜状ダイヤモンドの気相合成法 | |
US5780851A (en) | Method of forming a diamond on the pointed tip | |
Fenker et al. | Deposition of CVD diamond onto ion beam modified ASP 23 cutting tools | |
Collins et al. | Textured structure of diamond-like carbon prepared without hydrogen |