JPH01113990A - 磁気バブル素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はイオン打込み転送路とパーマロイ転送路が共存
する複合型磁気バブルメモリ素子（以下複合素子と略す
）に係り、特に動作特性が良好なイオン打込みマイナル
ープに関する。

〔従来の技術〕

高密度かつ完全不揮発性を保証した磁気バブルメモリと
して、特開昭５７−４０７９１号公報にて開示されたよ
うな、イオン打込み転送路とパーマロイ転送路とを１つ
の素子に共存させた複合素子が提案されている。複合素
子とは、高密度化に有利なイオン打込み転送路を素子面
積の大部分を占めるマイナループに用い、情報の書き込
み読み出しに関する機能的な部分には従来から実績のあ
るパーマロイ転送路を用いた素子である。

複合素子では、これら２種類の転送路を接続しバブルを
転送させる部分（以下接続部と呼ぶ）が必要である。第
２図に複合素子における接続部の一例を示す０図に示す
ように、マイナループを数回折り畳み、接続部やゲート
部分の空間に余裕を持たせた構造が通常用いられている
。このため接続部近傍のイオン打込み転送路の隣りあっ
た凹部の間隔であるパターン周期は、マイナループの高
密度部分の周期より大きい。

高密度のマイナルーブ部分と接続部との間をできるだけ
短くすることが、複合素子を高密度化する上の重要な課
題である。第２図に示した形状の転送路は１周期が大き
い転送路と周期が小さい転送路を転送路の凸部１で接続
し高密度化を図ったものである。

〔発明が解決しようとする問題点〕

しかし、この形状の転送路は多くの素子を評価するにつ
れて素子内の各部で特性が大きくばらつく問題があるこ
とが分かった。第３図は、複合素子の接続部近傍におけ
るバブルの動作バイアス磁界マージンを示したグラフで
ある。図に示すように、接続部と直線転送路の動作特性
のばらつきは±２０ｅ程度であるのに対し、周期が大き
く変わる部分の時性は±１００ｅ８度と大きくばらつい
ている。このように従来技術は、特性のばらつきについ
て問題であった。

本発明の目的は、特性のばらつきが少ない転送路形状を
提供することである。

〔問題点を解決するための手段〕

上記目的は、転送路の四部の間隔であるパターン周期が
最も大きく変化する部分のイオン打ち込み凹部の一辺に
接続部のパーマロイパタンの先端部分を設けることによ
り、達成される。

ｒ問題点を解決するための手段〕 上記問題点を解決するための手段の作用を詳述するため
に、まず動作マージンの狭い転送路においてバブルのエ
ラーモードを説明する。第４図は、バブルのエラーモー
ドを示す図である。本来、特性が良好な転送路では図中
に破線で示す経路に沿ってバブルは移動するが、特性が
悪い転送路では実線で示すように本来の転送方向とは逆
方向２に移動しこの凹部から先には進まないということ
が分かった。

この原因は、バブルを駆動するチャージドウオールと呼
ばれる特殊磁壁の挙動と密接に係わり次のように考えら
れる。第５図は、バブルが四部から脱出する際に、バブ
ルに影響を与える磁極の分布をビッタ−法により観察し
た図であ。図に示すように凹部付近には正常にバブルを
転送させるチャージドウオール３以外に不要な磁極４が
同時に生じることが分かった。この磁極は面内磁化が図
のように集中して生じると考えられる。バブルはバイア
ス磁界が低くその直径が大きい状態でこの不要な磁極の
影響を受は正常に転送する方向とは反対の方向に移動す
ることが分かった。不要磁極の強さや大きさは四部の形
状の微小なばらつきによって変化し、これが特性のばら
つきに反映したと考えられる。

特性のばらつきをなくすためには、上記不要磁極の影響
からバブルを回避する必要がある。

このバブルの転送を妨げる不要磁極はパーマロイパタン
の反発磁極によって打ち消すことができると考えた。

接続部に用いるパーマロイパタンの先端部１ｆｆには、
回転磁界の方向によってバブルを反発する磁極が生じる
。この先端位置を上記のバブルの誤動作を引き起こす不
要磁極の位置に重ねるように配置すると不要磁極が弱め
られ、バブルがこの不要磁極に吸引されて誤動作を起こ
すことがなくなる。

〔実施例〕

第１図は本発明の実施例である。パーマロイパタン５の
先端位置はイオン打込み転送路の不要磁極が生じる位１
αに重ねて配置されている。この実施例においては、バ
ブルは、接続部を通過した後。

拡大周期部１に転送される。バブルは、パーマロイパタ
ン５の先端部に生じる磁極の反発力を受はイオン打込み
凹部からイオン打込み転送路１に正常に転送することが
できる。

第６図は本発明の第２の実施例である。イオン打込みパ
タン６の形状を直線状とすることによって、パーマロイ
パタン５の磁極の反発力をより効果的に利用することが
できる。

これらの実施例によれば、複合素子のイオン打込み転送
路における拡大周期部での動作時性のばらつきがなくな
り、素子の信頼性が向上する。

〔発明の効果〕

本発明によれば、複合型磁気バブルメモリ素子のイオン
打込み転送路において、信頼性の高い拡大周期部が得ら
れるので、高密度の複合素子を実現することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例を示す平面図、第２図は従来
の接続部近傍の拡大周期部を示す平面図、第３図は動作
特性のばらつきの測定結果を示す図、第４図はバブルの
誤動作を説明するための平面図。 第５図は拡大周期部の磁極分布の１１５ｉａ結果を示す
図、第６図は本発明の第２図の実施例を示す平面図であ
る。 １・・・拡大周期部、２・・・バブル、３・・・チャー
ジドウオール、４・・・不要磁極、５・・・パーマロイ
バタン、６・・・イオン打込みバタン。 葵１図 茅２図　　　　茅３図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、イオン打込み転送路とパーマロイ転送路とを用いた
   磁気バブルメモリ素子の転送路間接続部近傍のイオン打
   込み転送路において、転送路の凹部の間隔であるパター
   ン周期が最も大きく変化する部分のイオン打込み凹部の
   一辺に接続部のパーマロイパタンの先端部分を設けたこ
   とを特徴とする磁気バブル素子。