JPH01109222A - 液体ヘリウム用液面計 - Google Patents
液体ヘリウム用液面計Info
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- JPH01109222A JPH01109222A JP26584087A JP26584087A JPH01109222A JP H01109222 A JPH01109222 A JP H01109222A JP 26584087 A JP26584087 A JP 26584087A JP 26584087 A JP26584087 A JP 26584087A JP H01109222 A JPH01109222 A JP H01109222A
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Landscapes
- Measurement Of Levels Of Liquids Or Fluent Solid Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
(産業上の利用分野)
極低温にして用いられる液体ヘリウム用の容器に設置さ
れ、液体ヘリウムの液深を液にほぼ鉛直に支持された超
伝導線材の超伝導遷移現象を用いて測定することのでき
る液体ヘリウム用液面計の改良に関するもので、液面計
のプローブとして利用されるものである。
れ、液体ヘリウムの液深を液にほぼ鉛直に支持された超
伝導線材の超伝導遷移現象を用いて測定することのでき
る液体ヘリウム用液面計の改良に関するもので、液面計
のプローブとして利用されるものである。
(従来の技術)
本発明に係る従来技術としては、第4図に示す高圧高磁
場型液体ヘリウム液面計がある。
場型液体ヘリウム液面計がある。
第4図(イ)は前記液面計の液体ヘリウム中に浸漬させ
るプローブ部で、(ロ)はプローブからの信号を処理し
表示する表示部であり、内部に電源を持ち交流100V
で駆動する。
るプローブ部で、(ロ)はプローブからの信号を処理し
表示する表示部であり、内部に電源を持ち交流100V
で駆動する。
前記プローブ(イ)は測定部lと支持部2より成り超伝
導線材は測定部1の中に張られている。
導線材は測定部1の中に張られている。
(ロ)は表示部でプローブからの信号をケーブル3を通
じて計算し、デジタルLED4で液深を表示する。
じて計算し、デジタルLED4で液深を表示する。
容器内に鉛直に設置されたプローブは第5図に示すよう
にその下端の穴5からヘリウムが内部に入るようになっ
ており、中央付近に張られた超伝導線材6を冷却する。
にその下端の穴5からヘリウムが内部に入るようになっ
ており、中央付近に張られた超伝導線材6を冷却する。
前部液体ヘリウムで超伝導遷移温度(以下Tcという)
以下に冷却された液中の線材6は超伝導になり抵抗は零
になる。逆に液体ヘリウム液面以上の冷却されない線材
7は常伝導の状態にあり、体積固有抵抗をもつ。この常
伝導部の抵抗値を検出することによってプローブ内の液
体ヘリウムで冷却された領域即ち液深が検出できる。
以下に冷却された液中の線材6は超伝導になり抵抗は零
になる。逆に液体ヘリウム液面以上の冷却されない線材
7は常伝導の状態にあり、体積固有抵抗をもつ。この常
伝導部の抵抗値を検出することによってプローブ内の液
体ヘリウムで冷却された領域即ち液深が検出できる。
前記超伝導線材6はMoRuB系アモルファス合金で、
MoRuB系アモルファス合金は例えばMO*sRux
tBg。なる組成比で製造された場合、そのTcは約6
.7にとなり液体ヘリウムの常圧での温度4.2Kに近
くなる。これが液面計としての機能上必要事項で、この
線材は急体急冷法なる成形法で作製される(特願昭61
−120834号)。
MoRuB系アモルファス合金は例えばMO*sRux
tBg。なる組成比で製造された場合、そのTcは約6
.7にとなり液体ヘリウムの常圧での温度4.2Kに近
くなる。これが液面計としての機能上必要事項で、この
線材は急体急冷法なる成形法で作製される(特願昭61
−120834号)。
6.7にのTcを持つ線材は液体ヘリウムの温度4.2
にとわずかな温度差を持つが、この温度は液面直上の線
材も超伝導としてしまうために誤差を生むが、超伝導線
材に流す電流により熱伝達の悪い気相中の線材を加熱し
て液面で遷移するようにし高精度な測定を行うものであ
る。
にとわずかな温度差を持つが、この温度は液面直上の線
材も超伝導としてしまうために誤差を生むが、超伝導線
材に流す電流により熱伝達の悪い気相中の線材を加熱し
て液面で遷移するようにし高精度な測定を行うものであ
る。
前記プローブの上下端に設ける電極部については第6図
の(ロ)に示し、電極は双方共に圧着端子で、各々ポリ
アミドイミド、ポリイミド、エポキシ系充填剤の樹脂で
覆われ固定しており超伝導線の抵抗値を表示部へ送り出
している。
の(ロ)に示し、電極は双方共に圧着端子で、各々ポリ
アミドイミド、ポリイミド、エポキシ系充填剤の樹脂で
覆われ固定しており超伝導線の抵抗値を表示部へ送り出
している。
抵抗値は液体ヘリウムにプローブが触れないときに最大
で、プローブ上端の穴まで浸漬した時に最小となる。尚
上端の穴より液深が深くなってもプローブ内には液体ヘ
リウムが入っていかないために穴の位置での液深を表示
したままになる。
で、プローブ上端の穴まで浸漬した時に最小となる。尚
上端の穴より液深が深くなってもプローブ内には液体ヘ
リウムが入っていかないために穴の位置での液深を表示
したままになる。
第6図(ロ)に於いてプローブ上端電極は線材の張力調
整用のアジャスタ8と、それを固定するナツト9.10
−プ下端はソケット10に各々保持されておりエポキシ
系充填剤11で充填固定されており、そのプローブ測定
部は(イ)に示す支持部12とジャック13で支持され
ている。
整用のアジャスタ8と、それを固定するナツト9.10
−プ下端はソケット10に各々保持されておりエポキシ
系充填剤11で充填固定されており、そのプローブ測定
部は(イ)に示す支持部12とジャック13で支持され
ている。
(発明が解決しようとする問題点)
前記プローブは2端子法と呼ばれる方式により抵抗値が
測定されており、2端子法は構造が簡単であるが、測定
時にプローブ内のリード線14の抵抗値を含んでおり測
定精度に欠けるという問題点がある。
測定されており、2端子法は構造が簡単であるが、測定
時にプローブ内のリード線14の抵抗値を含んでおり測
定精度に欠けるという問題点がある。
液面計プローブに用いられる超伝導線の抵抗値は常温で
ほぼ150Ω/mであるが、例えば1mの測定長をもつ
プローブに使用されるCuのリード線は約3mでその抵
抗値は、はぼ0.5Ω/mであるから1本のプローブ(
3m)では1.5Ω即ち全抵抗値の1%がリード線の抵
抗値となっている。
ほぼ150Ω/mであるが、例えば1mの測定長をもつ
プローブに使用されるCuのリード線は約3mでその抵
抗値は、はぼ0.5Ω/mであるから1本のプローブ(
3m)では1.5Ω即ち全抵抗値の1%がリード線の抵
抗値となっている。
M ORu B系の線材のTCR(抵抗値の温度係数)
は約200ppm/’C程度であり、常lから極低温ま
での温度変化によっても約6%程度しかその抵抗は変化
しない。然しリード線の抵抗は常温から極低温までのほ
ぼ300K (ケルビン)の温度変化で極端に少なく変
わってしまい、プローブの温度分布によって最大1%程
度の誤差を計上しており測定精度を悪くしている。例え
ばプローブ全体がほぼ冷却されるような大型容器の場合
のプローブの全抵抗はリード線部分の抵抗がほぼ無視で
きるのに比べ、プローブの測定部のみが収まるような小
型容器の場合では支持部の内にあるほぼ常温に近いリー
ド線の抵抗値約lΩが加わって、前者の場合に比べて約
0.7%の誤差を生むことになる。
は約200ppm/’C程度であり、常lから極低温ま
での温度変化によっても約6%程度しかその抵抗は変化
しない。然しリード線の抵抗は常温から極低温までのほ
ぼ300K (ケルビン)の温度変化で極端に少なく変
わってしまい、プローブの温度分布によって最大1%程
度の誤差を計上しており測定精度を悪くしている。例え
ばプローブ全体がほぼ冷却されるような大型容器の場合
のプローブの全抵抗はリード線部分の抵抗がほぼ無視で
きるのに比べ、プローブの測定部のみが収まるような小
型容器の場合では支持部の内にあるほぼ常温に近いリー
ド線の抵抗値約lΩが加わって、前者の場合に比べて約
0.7%の誤差を生むことになる。
本発明は液体ヘリウム液面計に於いて極めて高精度に測
定出来る液面計を技術的課題とするものである。
定出来る液面計を技術的課題とするものである。
(問題点を解決するための手段)
前記技術的課題を解決するために講じた技術的手段は次
のとおりである。すなわち、液体ヘリウム液面計に使用
する超伝導線材としてM o Ru B系アモルファス
合金リボンを用い、ステンレスチューブ、FRPチュー
ブ、テフロンチューブ内に前記超伝導線材をチューブに
沿う方向に設置し、その超伝導遷移特性によって液体ヘ
リウムの液深を検知し測定する液体ヘリウム用液面計に
於いて、該超伝導線の両端に設置した四つの端子電極に
より直流四端子法にて測定するものである。
のとおりである。すなわち、液体ヘリウム液面計に使用
する超伝導線材としてM o Ru B系アモルファス
合金リボンを用い、ステンレスチューブ、FRPチュー
ブ、テフロンチューブ内に前記超伝導線材をチューブに
沿う方向に設置し、その超伝導遷移特性によって液体ヘ
リウムの液深を検知し測定する液体ヘリウム用液面計に
於いて、該超伝導線の両端に設置した四つの端子電極に
より直流四端子法にて測定するものである。
(作用)
前記技術的手段は次のように作用する。すゎなち、直流
四端子法を用いたプローブの構成であり、超伝導線の両
端に電流を流し、この電流は定電流電源により供給され
超伝導線の抵抗値の変化によりその電流量が変化しない
ことが必要である。
四端子法を用いたプローブの構成であり、超伝導線の両
端に電流を流し、この電流は定電流電源により供給され
超伝導線の抵抗値の変化によりその電流量が変化しない
ことが必要である。
この2つの電極よりも内側の位置に電圧測定用の電極を
2ケ所設けて定電流によって作られる線内の電位を内側
の二極で測定する方法で、内側の電極の電位差測定では
殆ど電流の流れはないので、この部分の抵抗値を無視で
き、線材だけの抵抗値が測定できるものである。
2ケ所設けて定電流によって作られる線内の電位を内側
の二極で測定する方法で、内側の電極の電位差測定では
殆ど電流の流れはないので、この部分の抵抗値を無視で
き、線材だけの抵抗値が測定できるものである。
このようにして構成したプローブはその抵抗がリード線
の温度変化による抵抗値変化に無縁であるから極めて精
度の高い測定を可能にするものである。
の温度変化による抵抗値変化に無縁であるから極めて精
度の高い測定を可能にするものである。
従来の超伝導式液面計はNb−Tiなどの合金線材を用
いる場合が多く、そのTcは約10にであった。この超
伝導線の抵抗値の温度変化は大きく、300にの温度変
化に対して70゛%程度もの抵抗値が減少し、極低温の
常伝導抵抗は常温でのそれの1/3近くになっており、
超伝導線材の1本の中の温度分布に対しても誤差が大き
いものであり、TCHの小さいM o Ru B系を使
うことによって温度分布に強い液面計プローブができる
。
いる場合が多く、そのTcは約10にであった。この超
伝導線の抵抗値の温度変化は大きく、300にの温度変
化に対して70゛%程度もの抵抗値が減少し、極低温の
常伝導抵抗は常温でのそれの1/3近くになっており、
超伝導線材の1本の中の温度分布に対しても誤差が大き
いものであり、TCHの小さいM o Ru B系を使
うことによって温度分布に強い液面計プローブができる
。
これを更に四端子法によってリード線抵抗の温度変化に
よる誤差を無くすることにより更に高精度な液面計とな
るものである。
よる誤差を無くすることにより更に高精度な液面計とな
るものである。
(実施例)
以下実施例について説明する。
第1図は本実施例の液面計で番号1〜14は従来例のも
のを援用し、1はプローブで、2は支持部である。
のを援用し、1はプローブで、2は支持部である。
プローブはステンレススチール、又はFRPチューブ又
はテフロンチューブからできており、ステンレススチー
ルのチューブを使う場合には絶縁のためにパイプ内側に
ポリイミド、フッ素チューブ、テフロンチューブ等の樹
脂製の皮膜19を設ける。
はテフロンチューブからできており、ステンレススチー
ルのチューブを使う場合には絶縁のためにパイプ内側に
ポリイミド、フッ素チューブ、テフロンチューブ等の樹
脂製の皮膜19を設ける。
プローブ内部にはその中央にM u Ru B系超伝導
線材20が張られており、その両端は4ケの圧着端子で
電極が形成され、それぞれポリアミドイミドのアジャス
タ8とソケット10に収められ、エポキシ系充填剤で密
封充填されている。またアジャスタ8は線材20に張力
を与えるためにナツト9が嵌め込まれている。
線材20が張られており、その両端は4ケの圧着端子で
電極が形成され、それぞれポリアミドイミドのアジャス
タ8とソケット10に収められ、エポキシ系充填剤で密
封充填されている。またアジャスタ8は線材20に張力
を与えるためにナツト9が嵌め込まれている。
線材2Gにはほぼ25gの張力が加えられている。四ヶ
の電極は各々電流端子15.16.電圧端子17.18
からできており、電流端子15゜16間を流れる電流に
よる電圧端子17.18の間の電位差を測定することに
より全抵抗の1%にもなるリード線の抵抗をキャンセル
し、そのリード線抵抗の温度変化による測定誤差を無(
している。
の電極は各々電流端子15.16.電圧端子17.18
からできており、電流端子15゜16間を流れる電流に
よる電圧端子17.18の間の電位差を測定することに
より全抵抗の1%にもなるリード線の抵抗をキャンセル
し、そのリード線抵抗の温度変化による測定誤差を無(
している。
従来例の場合と同じように超伝導線材20にはその誤差
を少なくするために気相中の線材の加熱が必要でその状
況を第2図に示す、120mAから順次に測定電流を上
げてゆくと誤差は次第に小さくなり、約120mA以上
の電流ではほぼ正確な液面の測定ができたことが示され
ている。
を少なくするために気相中の線材の加熱が必要でその状
況を第2図に示す、120mAから順次に測定電流を上
げてゆくと誤差は次第に小さくなり、約120mA以上
の電流ではほぼ正確な液面の測定ができたことが示され
ている。
第3図にタライオスタット中に設置した液面計の液面位
置(液深)を変化させた場合の1mの測定長のプローブ
の性能を示した。目視による実際の液面に対し、本発明
による液面計の指示した液深は極めて良い精度を示し、
その非直線性は1%以下で、ヒステリシスも0.3%以
下であった。
置(液深)を変化させた場合の1mの測定長のプローブ
の性能を示した。目視による実際の液面に対し、本発明
による液面計の指示した液深は極めて良い精度を示し、
その非直線性は1%以下で、ヒステリシスも0.3%以
下であった。
本発明は次の効果を有する。すなわち、高圧高磁場用液
体ヘリウム液面計の持つ高精度な測定性能を、直流四端
子法による精密な抵抗測定法を取り入れたために、より
更に高精度で、温度変化に対しても正しい表示が出来る
液体ヘリウム液面計である。
体ヘリウム液面計の持つ高精度な測定性能を、直流四端
子法による精密な抵抗測定法を取り入れたために、より
更に高精度で、温度変化に対しても正しい表示が出来る
液体ヘリウム液面計である。
第1図は本実施例で、(イ)は外観図、(ロ)は測定部
の断面図、第2図はプローブの誤差に対する測定電流の
値を示す図、第3図はプローブの性能図、第4図は従来
例の液面計の外観図で、(イ)はプローブで、(ロ)は
表示部、第5図は第1図の作動説明図、第6図は従来例
の液面計で、(イ)は外観図、(ロ)は測定部の断面図
である。 l・・・プローブ。 2・・・電極。 15.16.17.18・・・四つの端子電極。
の断面図、第2図はプローブの誤差に対する測定電流の
値を示す図、第3図はプローブの性能図、第4図は従来
例の液面計の外観図で、(イ)はプローブで、(ロ)は
表示部、第5図は第1図の作動説明図、第6図は従来例
の液面計で、(イ)は外観図、(ロ)は測定部の断面図
である。 l・・・プローブ。 2・・・電極。 15.16.17.18・・・四つの端子電極。
Claims (1)
- 超伝導線材としてMoRuB系アモルファス合金リボン
を用い、ステンレスチューブ、FRPチューブ或いはテ
フロンチューブ内に該超伝導線材をチューブに沿う方向
に設置し、その超伝導遷移特性によつて液体ヘリウムの
液深を検知し測定する液体ヘリウム用液面計に於いて、
該超伝導線材の両端に設置した四つの端子電極により直
流四端子法で測定する、液体ヘリウム用液面計。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26584087A JPH01109222A (ja) | 1987-10-21 | 1987-10-21 | 液体ヘリウム用液面計 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26584087A JPH01109222A (ja) | 1987-10-21 | 1987-10-21 | 液体ヘリウム用液面計 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01109222A true JPH01109222A (ja) | 1989-04-26 |
Family
ID=17422795
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP26584087A Pending JPH01109222A (ja) | 1987-10-21 | 1987-10-21 | 液体ヘリウム用液面計 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01109222A (ja) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS54112691A (en) * | 1978-02-23 | 1979-09-03 | Hitachi Chemical Co Ltd | Method of measuring electric resistance |
JPS5616820A (en) * | 1979-07-20 | 1981-02-18 | Mitsubishi Electric Corp | Level indicator element |
-
1987
- 1987-10-21 JP JP26584087A patent/JPH01109222A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS54112691A (en) * | 1978-02-23 | 1979-09-03 | Hitachi Chemical Co Ltd | Method of measuring electric resistance |
JPS5616820A (en) * | 1979-07-20 | 1981-02-18 | Mitsubishi Electric Corp | Level indicator element |
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