JPH01101673A - 超伝導薄膜の転移温度制御装置 - Google Patents
超伝導薄膜の転移温度制御装置Info
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- JPH01101673A JPH01101673A JP62260388A JP26038887A JPH01101673A JP H01101673 A JPH01101673 A JP H01101673A JP 62260388 A JP62260388 A JP 62260388A JP 26038887 A JP26038887 A JP 26038887A JP H01101673 A JPH01101673 A JP H01101673A
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- Japan
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- thin film
- transition temperature
- superconducting thin
- piezoelectric substrate
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Landscapes
- Containers, Films, And Cooling For Superconductive Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、超伝導薄膜の超伝導転移温度等を外部から
制御する超伝導薄膜の転移温度制御装置に関するもので
ある。
制御する超伝導薄膜の転移温度制御装置に関するもので
ある。
第２図は静水圧によって超伝導薄膜の転移温度を制御す
る装置の概念図である。図において、１は超伝導薄膜、
２は超伝導薄膜を保持する基板、６は耐圧容器、７は超
伝導薄膜１及び基板２を冷却するための冷媒（例えば、
液体窒素、液体ヘリウム等）、８は冷媒を入れる容器（
デユワ−瓶）である。
る装置の概念図である。図において、１は超伝導薄膜、
２は超伝導薄膜を保持する基板、６は耐圧容器、７は超
伝導薄膜１及び基板２を冷却するための冷媒（例えば、
液体窒素、液体ヘリウム等）、８は冷媒を入れる容器（
デユワ−瓶）である。
次に動作について説明する。
耐圧容器６の室温部分から圧力Ｐを加えることにより、
超伝導薄膜１に静水圧が加わる。この時、超伝導薄膜１
には等友釣な圧力が働くことになる。
超伝導薄膜１に静水圧が加わる。この時、超伝導薄膜１
には等友釣な圧力が働くことになる。
一般に超伝導体に圧力が加わると、超伝導体の結晶の格
子間隔が短縮し、これに伴って超伝導転移温度が変化す
る。このことは例えば、Ｍ、クリスーズ ジャーナル
オブ アプライド フィジックス、２６巻、Ｎ００４．
３６１−３６２頁、１９８７年４月（Ｍ、Ｋｕｒｉｓｕ
ｅｔ、 ａｌｌＢｆｆｅｃｔ ｏｆ Ｈｙｄｒｏｓ
ｔａｔｉｃＰｒｅｓｓｕｒｅ ｏｎ ｔｈｅ Ｓｕｐｅ
ｒｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ ＴｒａｎｓｉｔｉｏｎＴｅｍ
ｐｅｒａｔｕｒｅ ｏｆ （Ｌａ、−Ｘ Ｂａ
ｘ ）ｔｃｕ０４．−ｙ ｗｉｔｈ ＸＪ、
０７５ ”、 Ｊｐｎ、 Ｊ、 Ａｐｐｌ、 Ｐｈｙｓ
、 Ｖｏｌ、２６．Ｎｏ、４゜′Ａｐｒ、 １９８７．
− ｐｐ、Ｌ３６１−３６２ ）に記載されテイル。
子間隔が短縮し、これに伴って超伝導転移温度が変化す
る。このことは例えば、Ｍ、クリスーズ ジャーナル
オブ アプライド フィジックス、２６巻、Ｎ００４．
３６１−３６２頁、１９８７年４月（Ｍ、Ｋｕｒｉｓｕ
ｅｔ、 ａｌｌＢｆｆｅｃｔ ｏｆ Ｈｙｄｒｏｓ
ｔａｔｉｃＰｒｅｓｓｕｒｅ ｏｎ ｔｈｅ Ｓｕｐｅ
ｒｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ ＴｒａｎｓｉｔｉｏｎＴｅｍ
ｐｅｒａｔｕｒｅ ｏｆ （Ｌａ、−Ｘ Ｂａ
ｘ ）ｔｃｕ０４．−ｙ ｗｉｔｈ ＸＪ、
０７５ ”、 Ｊｐｎ、 Ｊ、 Ａｐｐｌ、 Ｐｈｙｓ
、 Ｖｏｌ、２６．Ｎｏ、４゜′Ａｐｒ、 １９８７．
− ｐｐ、Ｌ３６１−３６２ ）に記載されテイル。
従来の超伝導薄膜の転移温度制御装置は以上のように構
成されているので、超伝導体には静水圧によって等友釣
な圧力が加えられることになり、超伝導体の特定方向の
格子間隔だけを変化させることはできず、また、格子間
隔を短縮させるだけで伸長させることはできない。さら
に、装置自体が大がかりになる等の欠点があった。
成されているので、超伝導体には静水圧によって等友釣
な圧力が加えられることになり、超伝導体の特定方向の
格子間隔だけを変化させることはできず、また、格子間
隔を短縮させるだけで伸長させることはできない。さら
に、装置自体が大がかりになる等の欠点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、−軸性の結晶格子の歪を与えることができ、
しかも小型の超伝導薄膜の転移温度制御装置を提供する
ことを目的としている。
たもので、−軸性の結晶格子の歪を与えることができ、
しかも小型の超伝導薄膜の転移温度制御装置を提供する
ことを目的としている。
〔問題点を解決するための手段〕
この発明に係る超伝導薄膜の転移温度制御装置は、圧電
体基板上に超伝導薄膜を形成し、この超伝導薄膜の両側
に圧電体基板に電圧を印加するための電極を設けたもの
である。
体基板上に超伝導薄膜を形成し、この超伝導薄膜の両側
に圧電体基板に電圧を印加するための電極を設けたもの
である。
この発明における超伝導薄膜の転移温度制御装置におい
ては、圧電体基板に電圧を印加することにより圧電体基
板が歪み、この歪が超伝導薄膜を伝達され、その結果、
超伝導体の結晶格子が歪み、転移温度が変化する。
ては、圧電体基板に電圧を印加することにより圧電体基
板が歪み、この歪が超伝導薄膜を伝達され、その結果、
超伝導体の結晶格子が歪み、転移温度が変化する。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。
第１図は本発明の一実施例による超伏ｉｆ膜の転移温度
制御装置を示す。図において、ｌは超伝導薄膜、２は例
えばＬｉＮｂＯ３，ＰＺＴ、 ＢａＴｉＯ３等の圧電体
基板、３は圧電体基板２に電圧を印加するための電極、
４は電圧印加用リード線、５は電源である。
制御装置を示す。図において、ｌは超伝導薄膜、２は例
えばＬｉＮｂＯ３，ＰＺＴ、 ＢａＴｉＯ３等の圧電体
基板、３は圧電体基板２に電圧を印加するための電極、
４は電圧印加用リード線、５は電源である。
次に動作について説明する。
電極３の間に電圧を印加し、圧電体基板２に電界を印加
する。このとき、圧電体基板２の内部には電界Ｅに比例
する内部応力が発生し、圧電体基板２は変形する。例え
ば、第１図の圧電体基板２の長手方向に電界Ｅ、及び変
位Ｕが発生するものとする。電界Ｅと変位Ｕの間には、 Ｕ＝Ｊ の関係示ある。ここで、αは圧電定数であり、−般には
テンソル量であるが、ここではスカラ量と−する。圧電
定数αは圧電体によって決まる定数で→ ある。電界Ｅによって圧電体基板２が変形すると、この
変形が超伝導薄膜１を変形させる。これば実効的に超伝
導薄膜１に圧縮力または伸長力を加えたことに等しい。
する。このとき、圧電体基板２の内部には電界Ｅに比例
する内部応力が発生し、圧電体基板２は変形する。例え
ば、第１図の圧電体基板２の長手方向に電界Ｅ、及び変
位Ｕが発生するものとする。電界Ｅと変位Ｕの間には、 Ｕ＝Ｊ の関係示ある。ここで、αは圧電定数であり、−般には
テンソル量であるが、ここではスカラ量と−する。圧電
定数αは圧電体によって決まる定数で→ ある。電界Ｅによって圧電体基板２が変形すると、この
変形が超伝導薄膜１を変形させる。これば実効的に超伝
導薄膜１に圧縮力または伸長力を加えたことに等しい。
この圧縮力または伸長力によって超伝導薄膜１の結晶格
子が歪み、静水圧を加えた場合と同様の機構で超伝導転
移温度が変化する。
子が歪み、静水圧を加えた場合と同様の機構で超伝導転
移温度が変化する。
ここで、強調されるべきことは、静水圧を加える場合は
伸長力を超伝導体に加えることは不可能であったが、本
発明の方式では、圧電定数αすなわち圧電体の材料及び
電界の印加方向を適当に定めることにより、伸長力を超
伝導薄膜に印加することもできることである。
伸長力を超伝導体に加えることは不可能であったが、本
発明の方式では、圧電定数αすなわち圧電体の材料及び
電界の印加方向を適当に定めることにより、伸長力を超
伝導薄膜に印加することもできることである。
また、上記実施例では転移温度の制御のみを示したが、
転移温度の変化に伴って、超伏Ｈ１，薄膜の臨界電流も
変化するので、臨界電流の制御を行うこともできる。
転移温度の変化に伴って、超伏Ｈ１，薄膜の臨界電流も
変化するので、臨界電流の制御を行うこともできる。
なお、上記実施例では電圧印加用電極を超伝導薄膜と同
一平面上に形成した例を示したが、これらの電極は、超
伝導薄膜を形成した平面と直交する圧電体基板の対向す
る端面に形成しても同様の効果を奏する。
一平面上に形成した例を示したが、これらの電極は、超
伝導薄膜を形成した平面と直交する圧電体基板の対向す
る端面に形成しても同様の効果を奏する。
以上のようにこの発明によれば、超伝導体の転移温度を
制御するのに圧電効果を利用し、電圧制御により超伝導
体の結晶格子間隔を変化させ、−軸性の結晶格子の歪を
与えることにより転移温度の制御を行うようにしたので
、結晶格子間隔を短縮するばかりでなく伸長させること
もでき、しかも簡略化、小型化し、安価にできる超伝導
薄膜の転移温度制御装置を提供できる効果がある。
制御するのに圧電効果を利用し、電圧制御により超伝導
体の結晶格子間隔を変化させ、−軸性の結晶格子の歪を
与えることにより転移温度の制御を行うようにしたので
、結晶格子間隔を短縮するばかりでなく伸長させること
もでき、しかも簡略化、小型化し、安価にできる超伝導
薄膜の転移温度制御装置を提供できる効果がある。
第１図は本発明の一実施例による超伝導薄膜の転移温度
制御装置の概念図、第２図は従来の超伝導薄膜の転移温
度制御装置の概念図である。 ｌは超伝導薄膜、２は基板、３は電極、４はリード線、
５は電源、６は耐圧容器、７は冷媒、８゛はデユワ−瓶
である。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
制御装置の概念図、第２図は従来の超伝導薄膜の転移温
度制御装置の概念図である。 ｌは超伝導薄膜、２は基板、３は電極、４はリード線、
５は電源、６は耐圧容器、７は冷媒、８゛はデユワ−瓶
である。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (1)
- （１）超伝導薄膜を圧電体基板上に載置し、該超伝導薄
膜の転移温度を制御する装置において、上記圧電体基板
に電界を印加し、該圧電体基板内に歪を発生させる電圧
印加手段を備え、 上記歪を圧電体基板上の上記超伝導薄膜に伝達し、該超
伝導薄膜の結晶格子を変形させて、超伝導薄膜の転移温
度を制御するようにしたことを特徴とする超伝導薄膜の
転移温度制御装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62260388A JPH01101673A (ja) | 1987-10-15 | 1987-10-15 | 超伝導薄膜の転移温度制御装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62260388A JPH01101673A (ja) | 1987-10-15 | 1987-10-15 | 超伝導薄膜の転移温度制御装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01101673A true JPH01101673A (ja) | 1989-04-19 |
Family
ID=17347224
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62260388A Pending JPH01101673A (ja) | 1987-10-15 | 1987-10-15 | 超伝導薄膜の転移温度制御装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01101673A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7288877B2 (en) | 2003-12-16 | 2007-10-30 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Piezoelectric film device, and driving method of the same |
-
1987
- 1987-10-15 JP JP62260388A patent/JPH01101673A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7288877B2 (en) | 2003-12-16 | 2007-10-30 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Piezoelectric film device, and driving method of the same |
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