JP7705482B2 - 並列散乱計測オーバーレイ計測 - Google Patents
並列散乱計測オーバーレイ計測 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7705482B2 JP7705482B2 JP2023571649A JP2023571649A JP7705482B2 JP 7705482 B2 JP7705482 B2 JP 7705482B2 JP 2023571649 A JP2023571649 A JP 2023571649A JP 2023571649 A JP2023571649 A JP 2023571649A JP 7705482 B2 JP7705482 B2 JP 7705482B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- illumination
- cell
- illumination beam
- collection
- overlay
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
- G01B11/26—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring angles or tapers; for testing the alignment of axes
- G01B11/27—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring angles or tapers; for testing the alignment of axes for testing the alignment of axes
- G01B11/272—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring angles or tapers; for testing the alignment of axes for testing the alignment of axes using photoelectric detection means
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70491—Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
- G03F7/70633—Overlay, i.e. relative alignment between patterns printed by separate exposures in different layers, or in the same layer in multiple exposures or stitching
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B2210/00—Aspects not specifically covered by any group under G01B, e.g. of wheel alignment, caliper-like sensors
- G01B2210/56—Measuring geometric parameters of semiconductor structures, e.g. profile, critical dimensions or trench depth
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Description
Claims (31)
- オーバーレイ計測ツールであって、
第1の直線偏光を有する第1の照明ビーム分布と、前記第1の直線偏光に直交する第2の直線偏光を有する第2の照明ビーム分布とを生成するように構成された照明源と、
試料上のオーバーレイターゲットの2つ以上のセル対を順次照明する照明サブシステムであって、前記2つ以上のセル対のうちの特定の1つが、第1の方向に沿って周期性を有する格子オーバー格子構造を有する第1の方向セルと、前記第1の方向に直交する第2の方向に沿って周期性を有する格子オーバー格子構造を有する第2の方向セルとを含み、第1の照明ビーム分布で前記第1の方向セルを、第2の照明ビーム分布で前記第2の方向セルを同時に照明する、照明サブシステムと、
収集サブシステムであって、
第1のチャネル検出平面に1つ以上の第1のチャネル検出器を含む第1の収集チャネルと、
第2のチャネル検出平面に1つ以上の第2のチャネル検出器を含む第2の収集チャネルと、
前記試料からの光を収集光として集光する対物レンズと、
2つ以上のセル対の前記第1の方向セルに関連する前記収集光の部分を第1の収集チャネルに向け、2つ以上のセル対の前記第2の方向セルに関連する前記収集光の部分を第2の収集チャネルに向ける1つ以上のフィルタリング光学系と、
を備える収集サブシステムと、
前記第1および第2の収集チャネルに通信可能に結合されたコントローラであって、
前記1つ以上の第1のチャネル検出器からの2つ以上のセル対の前記第1の方向セルに関連するデータに基づいて、前記第1の方向に沿って第1のオーバーレイ測定値を生成するステップと、
前記1つ以上の第2チャネル検出器からの2つ以上のセル対の前記第2の方向セルに関連するデータに基づいて、前記第2の方向に沿った第2オーバーレイ測定値を生成するステップと、
を行わせるプログラム命令を実行するように構成された1つ以上のプロセッサを含む、コントローラと、
を備えるオーバーレイ計測ツール。 - 前記第1及び第2の照明ビーム分布との間の分離を調整するように構成された1つ以上のビーム走査光学系
をさらに備える請求項1に記載のオーバーレイ計測ツール。 - 前記1つ以上のビーム走査光学系は、前記第1の照明ビーム分布と前記第2の照明ビーム分布との間の分離を調整して、前記第1の照明ビーム分布と前記第2の照明ビーム分布とを、2つ以上のセル対のうちの照明されたセルの前記第1の方向セル及び前記第2の方向セル上にセンタリングすることを特徴とする請求項2に記載のオーバーレイ計測ツール。
- 第1の照明ビーム分布の空間範囲を規定する第1の照明視野絞りと、
第2の照明ビーム分布の空間範囲を規定する第2の照明視野絞りと、
をさらに備え、前記第1の照明視野絞り又は前記第2の照明視野絞りの少なくとも1つは、前記第1の照明ビーム分布と前記第2の照明ビーム分布との間の分離が調整されるときに前記第1の照明視野絞り及び前記第2の照明視野絞りに前記第1の照明ビーム分布及び前記第2の照明ビーム分布がセンタリングされるように調整可能で前記1つ以上のビーム走査光学系に同期される、
請求項2に記載のオーバーレイ計測ツール。 - 第1の収集チャネルのための収集視野を規定するための第1の収集視野絞りと、
第2の収集チャネルのための収集視野を規定する第2の収集視野絞りと、
をさらに備え、前記第1の収集視野絞りまたは前記第2の収集視野絞りのうちの少なくとも1つは、前記第1の照明ビーム分布と前記第2の照明ビーム分布との間の分離が調整されるときに、前記第1の収集視野および前記第2の収集視野が前記第1の照明ビーム分布および前記第2の照明ビーム分布と位置合わせされるように調整可能で前記1つ以上のビーム走査光学系に同期される、
請求項2に記載のオーバーレイ計測ツール。 - 測定中に2つ以上のセル対のうちの照明されたセルの前記第1の方向セル及び前記第2の方向セルにわたって前記第1及び第2の照明ビーム分布を変調するように構成された1つ以上のビーム走査光学系、
をさらに備える請求項1に記載のオーバーレイ計測ツール。 - 前記2つ以上のセル対の前記第1の方向セル内の格子オーバー格子構造は、前記オーバーレイターゲットの第1行に沿って配置され、2つ以上のセル対の前記第2の方向セル内の格子オーバー格子構造は、前記オーバーレイターゲットの第2行に沿って配置されることを特徴とする請求項1に記載のオーバーレイ計測ツール。
- 前記2つ以上のセル対の前記第1の方向セル内の格子オーバー格子構造は、前記第1の方向に沿った異なる意図されたオーバーレイオフセットを有し、2つ以上のセル対の前記第2の方向セル内の格子オーバー格子構造は、前記第2の方向に沿った異なる意図されたオーバーレイオフセットを有することを特徴とする請求項1に記載のオーバーレイ計測ツール。
- 前記2つ以上のセル対は、
第1のセル対および第2のセル対、
をさらに備え、前記第1のセル対の前記第1の方向セルおよび前記第2のセル対の前記第1の方向セルは、前記第1の方向に沿って等しくかつ反対の意図されたオフセットを有し、前記第1のセル対の前記第2の方向セルおよび前記第2のセル対の前記第2の方向セルは、前記第2の方向に沿って等しくかつ反対の意図されたオフセットを有することを特徴とする請求項1に記載のオーバーレイ計測ツール。 - 前記第2の照明ビーム分布は、前記第1の照明ビーム分布に等しいことを特徴とする請求項1に記載のオーバーレイ計測ツール。
- 前記第2の照明ビーム分布は、前記第1の照明ビーム分布とは異なることを特徴とする請求項1に記載のオーバーレイ計測ツール。
- 前記第2の照明ビーム分布は、複数の照明ビーム、1つ以上の照明ビームの波長、または1つ以上の照明ビームの入射角のうちの少なくとも1つに基づいて、前記第1の照明ビーム分布とは異なることを特徴とする請求項1に記載のオーバーレイ計測ツール。
- 前記第1または前記第2の照明ビーム分布の少なくとも1つは、
単一の照明ビーム、
を備えることを特徴とする請求項1に記載のオーバーレイ計測ツール。 - 前記第1の照明ビーム分布は、
前記第1の方向に沿って整列された双極子分布の2つの照明ビーム、
を備え、前記第2の照明ビーム分布は、
前記第2の方向に沿って整列された双極子分布の2つの照明ビーム、
を備えることを特徴とする請求項1に記載のオーバーレイ計測ツール。 - 前記1つ以上のフィルタリング光学系は、1つ以上の偏光フィルタリング光学系、1つ以上の瞳平面フィルタ、または1つ以上の視野平面フィルタのうちの少なくとも1つを備えることを特徴とする請求項1に記載のオーバーレイ計測ツール。
- 前記1つ以上の偏光フィルタリング光学系は、
第1の直線偏光を有する前記収集光の部分を前記第1の収集チャネルに向け、第2の直線偏光を有する前記収集光の部分を前記第2の収集チャネルに向ける1つ以上の偏光ビームスプリッタ、
を備えることを特徴とする請求項15に記載のオーバーレイ計測ツール。 - 前記1つ以上の偏光フィルタリング光学系は、
第1の直線偏光を通過させるように配向された前記第1の収集チャネル内の第1の偏光子、または第2の直線偏光を通過させるように配向された前記第2の収集チャネル内の第2の偏光子のうちの少なくとも1つ、
を備えることを特徴とする請求項15に記載のオーバーレイ計測ツール。 - 前記1つ以上の瞳面フィルタは、
前記第1の方向に沿った回折に関連する前記収集光の部分を通過させる前記第1の収集チャネルの瞳面内の第1の開口、前記第2の方向に沿った回折に関連する前記収集光の部分を通過させる前記第2の収集チャネルの瞳面内の第2の開口、または、前記第1の方向に沿って前記第1の収集チャネルに回折に関連する前記収集光の部分を向け、前記第2の方向に沿って前記第2の収集チャネルに回折に関連する前記収集光の部分を向ける前記第1および第2の収集チャネルに共通の瞳平面内のビームスプリッタのうちの少なくとも1つ、
を備えることを特徴とする請求項15に記載のオーバーレイ計測ツール。 - 前記1つ以上の視野平面フィルタは、
前記第1の方向セルに関連する前記収集光の部分を通過させるための前記第1の収集チャネルの視野平面内の開口、または前記第2の方向セルに関連する前記収集光の部分を通過させるための前記第2の収集チャネルの視野平面内の開口のうちの少なくとも1つ、
を備えることを特徴とする請求項15に記載のオーバーレイ計測ツール。 - 照明サブシステムによる照明のために2つ以上のセル対を順次配置する並進ステージ、
をさらに備える請求項1に記載のオーバーレイ計測ツール。 - 前記第1または第2の照明ビーム分布の少なくとも1つの焦点位置を調整するための1つ以上の焦点制御光学系、
をさらに備える請求項1に記載のオーバーレイ計測ツール。 - 前記第1または第2の検出平面の少なくとも1つは、
瞳面、
を備えることを特徴とする請求項1に記載のオーバーレイ計測ツール。 - 前記第1または第2の検出平面の少なくとも1つは、
視野平面、
を備えることを特徴とする請求項1に記載のオーバーレイ計測ツール。 - オーバーレイ計測ツールであって、
第1の直線偏光を有する第1の照明ビーム分布と、前記第1の直線偏光に直交する第2の直線偏光を有する第2の照明ビーム分布とを生成するように構成された照明源と、
試料上のオーバーレイターゲットの2つ以上のセル対を順次照明する照明サブシステムであって、前記2つ以上のセル対のうちの特定の1つが、第1の方向に沿って周期性を有する格子オーバー格子構造を有する第1の方向セルと、前記第1の方向に直交する第2の方向に沿って周期性を有する格子オーバー格子構造を有する第2の方向セルとを含む、照明サブシステムと、
を備え、
前記照明サブシステムは、
前記第1の照明ビーム分布を前記2つ以上のセル対のうちの1つの第1の方向セルに向ける第1の照明チャネルであって、前記第1の照明ビーム分布は、前記第1の直線偏光を有する1つ以上の第1の照明ビームを含む、第1の照明チャネルと、
前記第1の照明ビーム分布と同時に第2の照明ビーム分布を前記2つ以上のセル対のうちの1つの第2の方向セルに向ける第2の照明チャネルであって、前記第2の照明ビーム分布は、前記第2の直線偏光を有する1つ以上の第2の照明ビームを含む、第2の照明チャネルと、
を備え、
収集サブシステムであって、
第1のチャネル検出平面に1つ以上の第1のチャネル検出器を含む第1の収集チャネルと、
第2のチャネル検出平面に1つ以上の第2のチャネル検出器を含む第2の収集チャネルと、
前記試料からの光を収集光として集光する対物レンズと、
前記第1の直線偏光を有する前記第1の方向セルに関連する前記収集光の部分を前記第1の収集チャネルに向け、第2の直線偏光を有する2つ以上のセル対の第2の方向セルに関連する前記収集光の部分を前記第2の収集チャネルに向ける偏光ビームスプリッタと、
を備える収集サブシステムと、
前記第1および第2の収集チャネルに通信可能に結合されたコントローラであって、
前記1つ以上の第1のチャネル検出器からの前記2つ以上のセル対の前記第1の方向セルに関連するデータに基づいて、前記第1の方向に沿って第1のオーバーレイ測定値を生成するステップと、
前記1つ以上の第2チャネル検出器からの前記2つ以上のセル対の前記第2の方向セルに関連するデータに基づいて、前記第2の方向に沿った第2オーバーレイ測定値を生成するステップと、
を行わせるプログラム命令を実行するように構成された1つ以上のプロセッサを含む、コントローラと、
を備えるオーバーレイ計測ツール。 - 前記第1の方向に沿った回折に関連する前記収集光の部分を通過させる前記第1の収集チャネルの瞳面内の第1の開口、前記第2の方向に沿った回折に関連する前記収集光の部分を通過させる前記第2の収集チャネルの瞳面内の第2の開口、または、前記第1の方向に沿って前記第1の収集チャネルに回折に関連する前記収集光の部分を向け、前記第2の方向に沿って前記第2の収集チャネルに回折に関連する前記収集光の部分を向ける、前記第1および第2の収集チャネルに共通の瞳平面内のビームスプリッタ、のうちの少なくとも1つをさらに備える請求項24に記載のオーバーレイ計測ツール。
- 前記第1の方向セルに関連する前記収集光の部分を通過させるための前記第1の収集チャネルの視野平面内の開口、または前記第2の方向セルに関連する前記収集光の部分を通過させるための前記第2の収集チャネルの視野平面内の開口のうちの少なくとも1つをさらに備える請求項24に記載のオーバーレイ計測ツール。
- 前記第1および第2の照明ビーム分布との間の分離を調整するように構成された1つ以上のビーム走査光学系、
をさらに備える請求項24に記載のオーバーレイ計測ツール。 - 前記1つ以上のビーム走査光学系は、前記第1および第2の照明ビーム分布を2つ以上のセル対のうちの照明されたセルの前記第1の方向セルおよび前記第2の方向セル上にセンタリングするように前記第1および第2の照明ビーム分布の間の分離を調整することを特徴とする請求項27に記載のオーバーレイ計測ツール。
- 第1の照明ビーム分布の空間範囲を規定する第1の照明視野絞りと、
第2の照明ビーム分布の空間範囲を規定する第2の照明視野絞りと、
をさらに備え、前記第1の照明視野絞り又は前記第2の照明視野絞りの少なくとも1つは、前記第1の照明ビーム分布と前記第2の照明ビーム分布との間の分離が調整されるときに前記第1の照明視野絞り及び前記第2の照明視野絞りに前記第1の照明ビーム分布及び前記第2の照明ビーム分布がセンタリングされるように調整可能で前記1つ以上のビーム走査光学系に同期される、
請求項27に記載のオーバーレイ計測ツール。 - 前記第1の収集チャネルのための収集視野を規定する第1の収集視野絞りと、
前記第2の収集チャネルのための収集視野を規定する第2の収集視野絞りと、
をさらに備え、前記第1の収集視野絞りまたは前記第2の収集視野絞りのうちの少なくとも1つは、前記第1の照明ビーム分布と前記第2の照明ビーム分布との間の分離が調整されるときに、前記第1の収集視野および前記第2の収集視野が前記第1の照明ビーム分布および前記第2の照明ビーム分布と位置合わせされるように調整可能で前記1つ以上のビーム走査光学系に同期される、
請求項27に記載のオーバーレイ計測ツール。 - オーバーレイ計測方法であって、
第1の直線偏光を有する第1の照明ビーム分布と、前記第1の直線偏光に直交する第2の直線偏光を有する第2の照明ビーム分布とを生成するステップと、
照明システムを用いて試料上のオーバーレイターゲットの2つ以上のセル対を順次照明するステップであって、前記2つ以上のセル対の各々は、第1の方向に沿って周期性を有する格子オーバー格子構造を有する第1の方向セルと、第1の方向に直交する第2の方向に沿って周期性を有する格子オーバー格子構造を有する第2の方向セルとを含み、前記照明システムは、前記第1の照明ビーム分布で前記第1の方向セルを、前記第2の照明ビーム分布で前記第2の方向セルを同時に照明する、ステップと、
前記試料からの光を収集光として収集するステップと、
前記2つ以上のセル対の前記第1の方向セルに関連する前記収集光の部分を第1の収集チャネルに向けるステップと、
前記2つ以上のセル対の前記第2の方向セルに関連する前記収集光の部分を第2の収集チャネルに向けるステップと、
前記2つ以上のセル対の前記第1の方向セルに関連するデータに基づいて、前記第1の方向に沿って第1のオーバーレイ測定値を生成するステップと、
前記2つ以上のセル対の前記第2の方向セルに関連するデータに基づいて、前記第2の方向に沿って第2のオーバーレイ測定値を生成するステップと、
を備えるオーバーレイ計測方法。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US17/411,539 US11531275B1 (en) | 2021-08-25 | 2021-08-25 | Parallel scatterometry overlay metrology |
| US17/411,539 | 2021-08-25 | ||
| PCT/US2022/040824 WO2023027947A1 (en) | 2021-08-25 | 2022-08-19 | Parallel scatterometry overlay metrology |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2024538857A JP2024538857A (ja) | 2024-10-24 |
| JPWO2023027947A5 JPWO2023027947A5 (ja) | 2025-05-27 |
| JP7705482B2 true JP7705482B2 (ja) | 2025-07-09 |
Family
ID=84492602
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2023571649A Active JP7705482B2 (ja) | 2021-08-25 | 2022-08-19 | 並列散乱計測オーバーレイ計測 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US11531275B1 (ja) |
| EP (1) | EP4323751A4 (ja) |
| JP (1) | JP7705482B2 (ja) |
| KR (1) | KR20240047335A (ja) |
| CN (1) | CN117480377B (ja) |
| TW (1) | TW202309599A (ja) |
| WO (1) | WO2023027947A1 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US12111580B2 (en) * | 2021-03-11 | 2024-10-08 | Kla Corporation | Optical metrology utilizing short-wave infrared wavelengths |
| US11841621B2 (en) * | 2021-10-29 | 2023-12-12 | KLA Corporation CA | Moiré scatterometry overlay |
| JP2024098435A (ja) * | 2023-01-10 | 2024-07-23 | キオクシア株式会社 | 計測装置、及び、計測方法 |
| US20240302751A1 (en) * | 2023-03-09 | 2024-09-12 | Kla Corporation | Multi-overlay stacked grating metrology target |
| US12411420B2 (en) * | 2023-09-29 | 2025-09-09 | Kla Corporation | Small in-die target design for overlay measurement |
| US12373936B2 (en) * | 2023-12-08 | 2025-07-29 | Kla Corporation | System and method for overlay metrology using a phase mask |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20180335346A1 (en) | 2016-07-28 | 2018-11-22 | Kla-Tencor Corporation | Simultaneous Capturing of Overlay Signals From Multiple Targets |
| US20210116819A1 (en) | 2019-10-18 | 2021-04-22 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company. Ltd. | Overlay metrology tool and methods of performing overlay measurements |
| WO2021151754A1 (en) | 2020-01-29 | 2021-08-05 | Asml Netherlands B.V. | Metrology method and device for measuring a periodic structure on a substrate |
Family Cites Families (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6710876B1 (en) * | 2000-08-14 | 2004-03-23 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Metrology system using optical phase |
| US7440105B2 (en) | 2002-12-05 | 2008-10-21 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Continuously varying offset mark and methods of determining overlay |
| US7349105B2 (en) | 2004-09-01 | 2008-03-25 | Intel Corporation | Method and apparatus for measuring alignment of layers in photolithographic processes |
| IL217843A (en) * | 2011-02-11 | 2016-11-30 | Asml Netherlands Bv | A system and method for testing, a lithographic system, a cell for lithographic processing, and a method for producing a device |
| US9255787B1 (en) | 2013-01-21 | 2016-02-09 | Kla-Tencor Corporation | Measurement of critical dimension and scanner aberration utilizing metrology targets |
| US10371626B2 (en) | 2016-08-17 | 2019-08-06 | Kla-Tencor Corporation | System and method for generating multi-channel tunable illumination from a broadband source |
| US10551749B2 (en) | 2017-01-04 | 2020-02-04 | Kla-Tencor Corporation | Metrology targets with supplementary structures in an intermediate layer |
| US10444161B2 (en) * | 2017-04-05 | 2019-10-15 | Kla-Tencor Corporation | Systems and methods for metrology with layer-specific illumination spectra |
| JP2020519928A (ja) * | 2017-05-08 | 2020-07-02 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 構造を測定する方法、検査装置、リソグラフィシステム、及びデバイス製造方法 |
| US10401738B2 (en) * | 2017-08-02 | 2019-09-03 | Kla-Tencor Corporation | Overlay metrology using multiple parameter configurations |
| US10510623B2 (en) * | 2017-12-27 | 2019-12-17 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Overlay error and process window metrology |
| CN112020677B (zh) * | 2018-04-26 | 2023-03-21 | Asml荷兰有限公司 | 用于工艺灵敏度补偿的对准传感器装置 |
| WO2020046408A1 (en) * | 2018-08-28 | 2020-03-05 | Kla-Tencor Corporation | Off-axis illumination overlay measurement using two-diffracted orders imaging |
| WO2020043582A1 (en) * | 2018-08-29 | 2020-03-05 | Asml Holding N.V. | Compact alignment sensor arrangements |
| US11118903B2 (en) | 2018-10-17 | 2021-09-14 | Kla Corporation | Efficient illumination shaping for scatterometry overlay |
| US11073768B2 (en) | 2019-06-26 | 2021-07-27 | Kla Corporation | Metrology target for scanning metrology |
| US11256177B2 (en) | 2019-09-11 | 2022-02-22 | Kla Corporation | Imaging overlay targets using Moiré elements and rotational symmetry arrangements |
| US11662562B2 (en) | 2020-02-09 | 2023-05-30 | Kla Corporation | Broadband illumination tuning |
| US11300405B2 (en) * | 2020-08-03 | 2022-04-12 | Kla Corporation | Grey-mode scanning scatterometry overlay metrology |
| US11428642B2 (en) * | 2021-01-04 | 2022-08-30 | Kla Corporation | Scanning scatterometry overlay measurement |
-
2021
- 2021-08-25 US US17/411,539 patent/US11531275B1/en active Active
-
2022
- 2022-06-30 TW TW111124424A patent/TW202309599A/zh unknown
- 2022-08-19 KR KR1020237042491A patent/KR20240047335A/ko active Pending
- 2022-08-19 EP EP22861914.4A patent/EP4323751A4/en active Pending
- 2022-08-19 WO PCT/US2022/040824 patent/WO2023027947A1/en not_active Ceased
- 2022-08-19 CN CN202280038375.XA patent/CN117480377B/zh active Active
- 2022-08-19 JP JP2023571649A patent/JP7705482B2/ja active Active
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20180335346A1 (en) | 2016-07-28 | 2018-11-22 | Kla-Tencor Corporation | Simultaneous Capturing of Overlay Signals From Multiple Targets |
| JP2019526053A (ja) | 2016-07-28 | 2019-09-12 | ケーエルエー コーポレイション | 複数の目標からのオーバレイ信号の同時取得 |
| US20210116819A1 (en) | 2019-10-18 | 2021-04-22 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company. Ltd. | Overlay metrology tool and methods of performing overlay measurements |
| WO2021151754A1 (en) | 2020-01-29 | 2021-08-05 | Asml Netherlands B.V. | Metrology method and device for measuring a periodic structure on a substrate |
| JP2023511729A (ja) | 2020-01-29 | 2023-03-22 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 基板上の周期構造を測定するための計測方法およびデバイス |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN117480377B (zh) | 2025-01-14 |
| KR20240047335A (ko) | 2024-04-12 |
| JP2024538857A (ja) | 2024-10-24 |
| WO2023027947A1 (en) | 2023-03-02 |
| US11531275B1 (en) | 2022-12-20 |
| TW202309599A (zh) | 2023-03-01 |
| EP4323751A1 (en) | 2024-02-21 |
| CN117480377A (zh) | 2024-01-30 |
| EP4323751A4 (en) | 2025-07-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP7705482B2 (ja) | 並列散乱計測オーバーレイ計測 | |
| JP7527400B2 (ja) | オーバーレイ計測ツールおよび方法 | |
| KR102347059B1 (ko) | 다수의 파라미터 구성들을 사용한 오버레이 계측 | |
| US11841621B2 (en) | Moiré scatterometry overlay | |
| US11428642B2 (en) | Scanning scatterometry overlay measurement | |
| JP7662805B2 (ja) | マルチフィールド走査オーバレイ計測 | |
| JP7675828B2 (ja) | 計測のための瞳面ビーム走査 | |
| TW202405378A (zh) | 使用多個照明參數及隔離成像之多方向疊對度量衡 | |
| JP2024518237A (ja) | オーバーレイ計測用の傾斜照明 | |
| US20250306477A1 (en) | Single grab pupil landscape via outside the objective lens broadband illumination | |
| US20250093786A1 (en) | Multi-column large field of view imaging platform |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20250519 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20250519 |
|
| A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20250519 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20250624 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20250627 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7705482 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |