JP7467769B2 - エアロゾル生成装置の電源ユニット - Google Patents

Description

本発明は、エアロゾル生成装置の電源ユニットに関する。

特許文献１、２には、電力を昇圧及び／又は降圧する電圧変換ＩＣを搭載したエアロゾル生成装置の電源ユニットが記載されている。これらのエアロゾル生成装置の電源ユニットでは、エアロゾルの生成効率を向上させるため、電源電圧を電圧変換ＩＣで変換してからヒータへ供給する。電圧変換ＩＣの入出力ラインに接続される素子のグランドは、電圧変動やノイズが生じるため、他の信号用のグランドとは分けることが好ましい。

電源用のグランドと信号用のグランドを分けた場合、これらのグランド間の電位のズレを解消するため共通グランドを設けることが考えられる。

中国特許出願公開第１１０５４７５１６号明細書 中国特許出願公開第１０４６６４６０５号明細書

しかし、共通グランドを設けると、電位のズレの解消に伴い熱やノイズが発生するため、回路基板上にどのように電子部品を配置するか検討の余地があった。

本発明は、回路基板上に適切に電子部品が配置されたエアロゾル生成装置の電源ユニットを提供する。

本発明のエアロゾル生成装置の電源ユニットは、
電源と、
前記電源から供給される電力を消費してエアロゾル源を加熱するヒータが接続されるヒータコネクタと、
前記ヒータコネクタへ接続され且つ入力される電圧を変換して出力する出力端子と、前記出力端子から出力される電圧を検出する検出端子と、を含む電圧変換ＩＣと、
前記電圧変換ＩＣが配置される第１面と、前記第１面の裏面である第２面とを含む回路基板と、
一端が前記出力端子へ接続されるコンデンサと、
前記回路基板の内部に設けられ、前記コンデンサの他端へ接続される第１グランドと、
前記回路基板の内部に設けられ、前記回路基板の内部で前記第１グランドから絶縁され、前記検出端子へ接続される第２グランドと、
前記第１グランドと前記第２グランドを電気的に接続する共通グランドと、を備え、
前記第２面には、前記回路基板に直交する方向から見て前記共通グランドと重なる共通グランド投影領域に電子部品が設けられていない。

本発明によれば、回路基板上に適切に電子部品を配置することができ、エアロゾル生成装置の電源ユニットの動作が安定する。

非燃焼式吸引器の斜視図である。 ロッドを装着した状態を示す非燃焼式吸引器の斜視図である。 非燃焼式吸引器の他の斜視図である。 非燃焼式吸引器の分解斜視図である。 非燃焼式吸引器の内部ユニットの斜視図である。 図５の内部ユニットの分解斜視図である。 電源及びシャーシを取り除いた内部ユニットの斜視図である。 電源及びシャーシを取り除いた内部ユニットの他の斜視図である。 吸引器の動作モードを説明するための模式図である。 内部ユニットの電気回路の概略構成を示す図である。 内部ユニットの電気回路の概略構成を示す図である。 内部ユニットの電気回路の概略構成を示す図である。 スリープモードにおける電気回路の動作を説明するための図である。 アクティブモードにおける電気回路の動作を説明するための図である。 加熱初期設定モードにおける電気回路の動作を説明するための図である。 加熱モードにおけるヒータの加熱時の電気回路の動作を説明するための図である。 加熱モードにおけるヒータの温度検出時の電気回路の動作を説明するための図である。 充電モードにおける電気回路の動作を説明するための図である。 ＭＣＵのリセット（再起動）時の電気回路の動作を説明するための図である。 昇圧ＤＣ／ＤＣコンバータの周辺回路をより具体的に示した要部回路図である。 非燃焼式吸引器の断面図である。 レセプタクル搭載基板の主面を示す図である。 レセプタクル搭載基板の副面を示す図である。 レセプタクル搭載基板の内部構造を説明する図である。 ＭＣＵ搭載基板の主面を示す図である。 ＭＣＵ搭載基板の副面を示す図である。

以下、本発明におけるエアロゾル生成装置の一実施形態である吸引システムについて図面を参照しながら説明する。この吸引システムは、本発明の電源ユニットの一実施形態である非燃焼式吸引器１００（以下、単に、「吸引器１００」ともいう）と、吸引器１００によって加熱されるロッド５００と、を備える。以下の説明では、吸引器１００が、加熱部を着脱不能に収容した構成を例に説明する。しかし、吸引器１００に対し加熱部が着脱自在に構成されていてもよい。例えば、ロッド５００と加熱部が一体化されたものを、吸引器１００に着脱自在に構成したものであってもよい。つまり、エアロゾル生成装置の電源ユニットは、構成要素として加熱部を含まない構成であってもよい。なお、着脱不能とは、想定される用途の限りにおいて、取外しが行えないような態様を指すものとする。または、吸引器１００に設けられる誘導加熱用コイルと、ロッド５００に内蔵されるサセプタが協働して加熱部を構成してもよい。

図１は、吸引器１００の全体構成を示す斜視図である。図２は、ロッド５００を装着した状態を示す吸引器１００の斜視図である。図３は、吸引器１００の他の斜視図である。図４は、吸引器１００の分解斜視図である。また、以下の説明では、互いに直交する３方向を、便宜上、前後方向、左右方向、上下方向とした、３次元空間の直交座標系を用いて説明する。図中、前方をＦｒ、後方をＲｒ、右側をＲ、左側をＬ、上方をＵ、下方をＤ、として示す。

吸引器１００は、エアロゾル源及び香味源を含む充填物などを有する香味成分生成基材の一例としての細長い略円柱状のロッド５００（図２参照）を加熱することによって、香味を含むエアロゾルを生成するように構成される。

＜香味成分生成基材（ロッド）＞
ロッド５００は、所定温度で加熱されてエアロゾルを生成するエアロゾル源を含有する充填物を含む。

エアロゾル源の種類は、特に限定されず、用途に応じて種々の天然物からの抽出物質及び／又はそれらの構成成分を選択することができる。エアロゾル源は、固体であってもよいし、例えば、グリセリン、プロピレングリコールといった多価アルコールや、水などの液体であってもよい。エアロゾル源は、加熱することによって香味成分を放出するたばこ原料やたばこ原料由来の抽出物等の香味源を含んでいてもよい。香味成分が付加される気体はエアロゾルに限定されず、例えば不可視の蒸気が生成されてもよい。

ロッド５００の充填物は、香味源としてたばこ刻みを含有し得る。たばこ刻みの材料は特に限定されず、ラミナや中骨等の公知の材料を用いることができる。充填物は、１種又は２種以上の香料を含んでいてもよい。当該香料の種類は特に限定されないが、良好な喫味の付与の観点から、好ましくはメンソールである。香味源は、たばこ以外の植物（例えば、ミント、漢方、又はハーブ等）を含有し得る。用途によっては、ロッド５００は香味源を含まなくてもよい。

＜非燃焼式吸引器の全体構成＞
続いて、吸引器１００の全体構成について、図１～図４を参照しながら説明する。
吸引器１００は、前面、後面、左面、右面、上面、及び下面を備える略直方体形状のケース１１０を備える。ケース１１０は、前面、後面、上面、下面、及び右面が一体に形成された有底筒状のケース本体１１２と、ケース本体１１２の開口部１１４（図４参照）を封止し左面を構成するアウターパネル１１５及びインナーパネル１１８と、スライダ１１９と、を備える。

インナーパネル１１８は、ケース本体１１２にボルト１２０で固定される。アウターパネル１１５は、ケース本体１１２に収容された後述する絶縁性のシャーシ１５０（図５参照）に保持されたマグネット１２４によって、インナーパネル１１８の外面を覆うようにケース本体１１２に固定される。アウターパネル１１５が、マグネット１２４によって固定されることで、ユーザは好みに合わせてアウターパネル１１５を取り替えることが可能となっている。

インナーパネル１１８には、マグネット１２４が貫通するように形成された２つの貫通孔１２６が設けられる。インナーパネル１１８には、上下に配置された２つの貫通孔１２６の間に、さらに縦長の長孔１２７及び円形の丸孔１２８が設けられる。この長孔１２７は、ケース本体１１２に内蔵された８つのＬＥＤ（Light Emitting Diode） Ｌ１～Ｌ８から出射される光を透過させるためのものである。丸孔１２８には、ケース本体１１２に内蔵されたボタン式の操作スイッチＯＰＳが貫通する。これにより、ユーザは、アウターパネル１１５のＬＥＤ窓１１６を介して８つのＬＥＤ Ｌ１～Ｌ８から出射される光を検知することができる。また、ユーザは、アウターパネル１１５の押圧部１１７を介して操作スイッチＯＰＳを押し下げることができる。

図２に示すように、ケース本体１１２の上面には、ロッド５００を挿入可能な開口１３２が設けられる。スライダ１１９は、開口１３２を閉じる位置（図１参照）と開口１３２を開放する位置（図２参照）との間を、前後方向に移動可能にケース本体１１２に結合される。

操作スイッチＯＰＳは、吸引器１００の各種操作を行うために使用される。例えば、ユーザは、図２に示すようにロッド５００を開口１３２に挿入して装着した状態で、押圧部１１７を介して操作スイッチＯＰＳを操作する。これにより、加熱部１７０（図５参照）によって、ロッド５００を燃焼させずに加熱する。ロッド５００が加熱されると、ロッド５００に含まれるエアロゾル源からエアロゾルが生成され、ロッド５００に含まれる香味源の香味が当該エアロゾルに付加される。ユーザは、開口１３２から突出したロッド５００の吸口５０２を咥えて吸引することにより、香味を含むエアロゾルを吸引することができる。

ケース本体１１２の下面には、図３に示すように、コンセントやモバイルバッテリ等の外部電源と電気的に接続して電力供給を受けるための充電端子１３４が設けられている。本実施形態において、充電端子１３４は、ＵＳＢ（Universal Serial Bus） Ｔｙｐｅ－Ｃ形状のレセプタクルとしているが、これに限定されるものではない。充電端子１３４を、以下では、レセプタクルＲＣＰとも記載する。

なお、充電端子１３４は、例えば、受電コイルを備え、外部電源から送電される電力を非接触で受電可能に構成されてもよい。この場合の電力伝送（Wireless Power Transfer）の方式は、電磁誘導型でもよいし、磁気共鳴型でもよいし、電磁誘導型と磁気共鳴型を組み合わせたものでもよい。別の一例として、充電端子１３４は、各種ＵＳＢ端子等が接続可能であり、且つ上述した受電コイルを有していてもよい。

図１～図４に示される吸引器１００の構成は一例にすぎない。吸引器１００は、ロッド５００を保持して例えば加熱等の作用を加えることで、ロッド５００から香味成分が付与された気体を生成させ、生成された気体をユーザが吸引することができるような、様々な形態で構成することができる。

＜非燃焼式吸引器の内部構成＞
吸引器１００の内部ユニット１４０について図５～図８を参照しながら説明する。
図５は、吸引器１００の内部ユニット１４０の斜視図である。図６は、図５の内部ユニット１４０の分解斜視図である。図７は、電源ＢＡＴ及びシャーシ１５０を取り除いた内部ユニット１４０の斜視図である。図８は、電源ＢＡＴ及びシャーシ１５０を取り除いた内部ユニット１４０の他の斜視図である。

ケース１１０の内部空間に収容される内部ユニット１４０は、シャーシ１５０と、電源ＢＡＴと、回路部１６０と、加熱部１７０と、通知部１８０と、各種センサと、を備える。

シャーシ１５０は、熱を通しにくい性質である絶縁性を有する材料、例えば樹脂から構成される。シャーシ１５０は、前後方向においてケース１１０の内部空間の略中央に配置され上下方向且つ前後方向に延設された板状のシャーシ本体１５１と、前後方向においてケース１１０の内部空間の略中央に配置され上下方向且つ左右方向に延びる板状の前後分割壁１５２と、上下方向において前後分割壁１５２の略中央から前方に延びる板状の上下分割壁１５３と、前後分割壁１５２及びシャーシ本体１５１の上縁部から後方に延びる板状のシャーシ上壁１５４と、前後分割壁１５２及びシャーシ本体１５１の下縁部から後方に延びる板状のシャーシ下壁１５５と、を備える。シャーシ本体１５１の左面は、上述したケース１１０のインナーパネル１１８及びアウターパネル１１５に覆われる。

ケース１１０の内部空間は、シャーシ１５０により前方上部に加熱部収容領域１４２が区画形成され、前方下部に基板収容領域１４４が区画形成され、後方に上下方向に亘って電源収容空間１４６が区画形成されている。

加熱部収容領域１４２に収容される加熱部１７０は、複数の筒状の部材から構成され、これらが同心円状に配置されることで、全体として筒状体をなしている。加熱部１７０は、その内部にロッド５００の一部を収納可能なロッド収容部１７２と、ロッド５００を外周または中心から加熱するヒータＨＴＲ（図１０～図１９参照）と、を有する。ロッド収容部１７２が断熱材で構成される、又は、ロッド収容部１７２の内部に断熱材が設けられることで、ロッド収容部１７２の表面とヒータＨＴＲは断熱されることが好ましい。ヒータＨＴＲは、ロッド５００を加熱可能な素子であればよい。ヒータＨＴＲは、例えば、発熱素子である。発熱素子としては、発熱抵抗体、セラミックヒータ、及び誘導加熱式のヒータ等が挙げられる。ヒータＨＴＲとしては、例えば、温度の増加に伴って抵抗値も増加するＰＴＣ（Positive Temperature Coefficient）特性を有するものが好ましく用いられる。これに代えて、温度の増加に伴って抵抗値が低下するＮＴＣ（Negative Temperature Coefficient）特性を有するヒータＨＴＲを用いてもよい。加熱部１７０は、ロッド５００へ供給する空気の流路を画定する機能、及びロッド５００を加熱する機能を有する。ケース１１０には、空気を流入させるための通気口（不図示）が形成され、加熱部１７０に空気が流入できるように構成される。

電源収容空間１４６に収容される電源ＢＡＴは、充電可能な二次電池、電気二重層キャパシタ等であり、好ましくは、リチウムイオン二次電池である。電源ＢＡＴの電解質は、ゲル状の電解質、電解液、固体電解質、イオン液体の１つ又はこれらの組合せで構成されていてもよい。

通知部１８０は、電源ＢＡＴの充電状態を示すＳＯＣ（State Of Charge）、吸引時の予熱時間、吸引可能期間等の各種情報を通知する。本実施形態の通知部１８０は、８つのＬＥＤ Ｌ１～Ｌ８と、振動モータＭと、を含む。通知部１８０は、ＬＥＤ Ｌ１～Ｌ８のような発光素子によって構成されていてもよく、振動モータＭのような振動素子によって構成されていてもよく、音出力素子によって構成されていてもよい。通知部１８０は、発光素子、振動素子、及び音出力素子のうち、２以上の素子の組合せであってもよい。

各種センサは、ユーザのパフ動作（吸引動作）を検出する吸気センサ、電源ＢＡＴの温度を検出する電源温度センサ、ヒータＨＴＲの温度を検出するヒータ温度センサ、ケース１１０の温度を検出するケース温度センサ、スライダ１１９の位置を検出するカバー位置センサ、及びアウターパネル１１５の着脱を検出するパネル検出センサ等を含む。

吸気センサは、例えば、開口１３２の近傍に配置されたサーミスタＴ２を主体に構成される。電源温度センサは、例えば、電源ＢＡＴの近傍に配置されたサーミスタＴ１を主体に構成される。ヒータ温度センサは、例えば、ヒータＨＴＲの近傍に配置されたサーミスタＴ３を主体に構成される。上述した通り、ロッド収容部１７２はヒータＨＴＲから断熱されることが好ましい。この場合において、サーミスタＴ３は、ロッド収容部１７２の内部において、ヒータＨＴＲと接する又は近接することが好ましい。ヒータＨＴＲがＰＴＣ特性やＮＴＣ特性を有する場合、ヒータＨＴＲそのものをヒータ温度センサに用いてもよい。ケース温度センサは、例えば、ケース１１０の左面の近傍に配置されたサーミスタＴ４を主体に構成される。カバー位置センサは、スライダ１１９の近傍に配置されたホール素子を含むホールＩＣ１４を主体に構成される。パネル検出センサは、インナーパネル１１８の内側の面の近傍に配置されたホール素子を含むホールＩＣ１３を主体に構成される。

回路部１６０は、４つの回路基板と、複数のＩＣ（Integrate Circuit）と、複数の素子と、を備える。４つの回路基板は、主に後述のＭＣＵ(Micro Controller Unit)１及び充電ＩＣ２が配置されたＭＣＵ搭載基板１６１と、主に充電端子１３４が配置されたレセプタクル搭載基板１６２と、操作スイッチＯＰＳ、ＬＥＤ Ｌ１～Ｌ８、及び後述の通信ＩＣ１５が配置されたＬＥＤ搭載基板１６３と、カバー位置センサを構成するホール素子を含む後述のホールＩＣ１４が配置されたホールＩＣ搭載基板１６４と、を備える。

ＭＣＵ搭載基板１６１及びレセプタクル搭載基板１６２は、基板収容領域１４４において互いに平行に配置される。具体的に説明すると、ＭＣＵ搭載基板１６１及びレセプタクル搭載基板１６２は、それぞれの素子配置面が左右方向及び上下方向に沿って配置され、ＭＣＵ搭載基板１６１がレセプタクル搭載基板１６２よりも前方に配置される。ＭＣＵ搭載基板１６１及びレセプタクル搭載基板１６２には、それぞれ開口部が設けられる。ＭＣＵ搭載基板１６１及びレセプタクル搭載基板１６２は、これら開口部の周縁部同士の間に円筒状のスペーサ１７３を介在させた状態で前後分割壁１５２の基板固定部１５６にボルト１３６で締結される。即ち、スペーサ１７３は、シャーシ１５０とともにケース１１０の内部におけるＭＣＵ搭載基板１６１及びレセプタクル搭載基板１６２の位置を固定し、且つ、ＭＣＵ搭載基板１６１とレセプタクル搭載基板１６２とを機械的に接続する。これにより、ＭＣＵ搭載基板１６１とレセプタクル搭載基板１６２が接触し、これらの間で短絡電流が生じることを抑制できる。また、スペーサ１７３は導電性を有し、ＭＣＵ搭載基板１６１のグランドとレセプタクル搭載基板１６２のグランドがスペーサ１７３を介して接続されてもよい。

便宜上、ＭＣＵ搭載基板１６１及びレセプタクル搭載基板１６２の前方を向く面を、それぞれの主面１６１ａ、１６２ａとし、主面１６１ａ、１６２ａの反対面をそれぞれの副面１６１ｂ、１６２ｂとすると、ＭＣＵ搭載基板１６１の副面１６１ｂと、レセプタクル搭載基板１６２の主面１６２ａとが、所定の隙間を介して対向する。ＭＣＵ搭載基板１６１の主面１６１ａはケース１１０の前面と対向し、レセプタクル搭載基板１６２の副面１６２ｂは、シャーシ１５０の前後分割壁１５２と対向する。ＭＣＵ搭載基板１６１とレセプタクル搭載基板１６２は、フレキシブル配線板１６５を介して電気的に接続されている。レセプタクル搭載基板１６２の副面１６２ｂには後述する熱拡散部材３００が設けられている。

ＬＥＤ搭載基板１６３は、シャーシ本体１５１の左側面、且つ上下に配置された２つのマグネット１２４の間に配置される。ＬＥＤ搭載基板１６３の素子配置面は、上下方向及び前後方向に沿って配置されている。換言すると、ＭＣＵ搭載基板１６１及びレセプタクル搭載基板１６２それぞれの素子配置面と、ＬＥＤ搭載基板１６３の素子配置面とは、直交している。このように、ＭＣＵ搭載基板１６１及びレセプタクル搭載基板１６２それぞれの素子配置面と、ＬＥＤ搭載基板１６３の素子配置面とは、直交に限らず、交差している（非平行である）ことが好ましい。なお、ＬＥＤ Ｌ１～Ｌ８とともに通知部１８０を構成する振動モータＭは、シャーシ下壁１５５の下面に固定され、ＭＣＵ搭載基板１６１に電気的に接続される。

ホールＩＣ搭載基板１６４は、シャーシ上壁１５４の上面に配置される。

＜吸引器の動作モード＞
図９は、吸引器１００の動作モードを説明するための模式図である。図９に示すように、吸引器１００の動作モードには、充電モード、スリープモード、アクティブモード、加熱初期設定モード、加熱モード、及び加熱終了モードが含まれる。

スリープモードは、主にヒータＨＴＲの加熱制御に必要な電子部品への電力供給を停止して省電力化を図るモードである。

アクティブモードは、ヒータＨＴＲの加熱制御を除くほとんどの機能が有効になるモードである。吸引器１００は、スリープモードにて動作している状態にて、スライダ１１９が開かれると、動作モードをアクティブモードに切り替える。吸引器１００は、アクティブモードにて動作している状態にて、スライダ１１９が閉じられたり、操作スイッチＯＰＳの無操作時間が所定時間に達したりすると、動作モードをスリープモードに切り替える。

加熱初期設定モードは、ヒータＨＴＲの加熱制御を開始するための制御パラメータ等の初期設定を行うモードである。吸引器１００は、アクティブモードにて動作している状態にて、操作スイッチＯＰＳの操作を検出すると、動作モードを加熱初期設定モードに切り替え、初期設定が終了すると、動作モードを加熱モードに切り替える。

加熱モードは、ヒータＨＴＲの加熱制御（エアロゾル生成のための加熱制御と、温度検出のための加熱制御）を実行するモードである。吸引器１００は、動作モードが加熱モードに切り替わると、ヒータＨＴＲの加熱制御を開始する。

加熱終了モードは、ヒータＨＴＲの加熱制御の終了処理（加熱履歴の記憶処理等）を実行するモードである。吸引器１００は、加熱モードにて動作している状態にて、ヒータＨＴＲへの通電時間又はユーザの吸引回数が上限に達したり、スライダ１１９が閉じられたりすると、動作モードを加熱終了モードに切り替え、終了処理が終了すると、動作モードをアクティブモードに切り替える。吸引器１００は、加熱モードにて動作している状態にて、ＵＳＢ接続がなされると、動作モードを加熱終了モードに切り替え、終了処理が終了すると、動作モードを充電モードに切り替える。図９に示したように、この場合において、動作モードを充電モードに切り替える前に、動作モードをアクティブモードへ切り替えてもよい。換言すれば、吸引器１００は、加熱モードにて動作している状態にて、ＵＳＢ接続がなされると、動作モードを加熱終了モード、アクティブモード、充電モードの順に切り替えてもよい。

充電モードは、レセプタクルＲＣＰに接続された外部電源から供給される電力により、電源ＢＡＴの充電を行うモードである。吸引器１００は、スリープモード又はアクティブモードにて動作している状態にて、レセプタクルＲＣＰに外部電源が接続（ＵＳＢ接続）されると、動作モードを充電モードに切り替える。吸引器１００は、充電モードにて動作している状態にて、電源ＢＡＴの充電が完了したり、レセプタクルＲＣＰと外部電源との接続が解除されたりすると、動作モードをスリープモードに切り替える。

＜内部ユニットの回路の概略＞
図１０、図１１、及び図１２は、内部ユニット１４０の電気回路の概略構成を示す図である。図１１は、図１０に示す電気回路のうち、ＭＣＵ搭載基板１６１に搭載される範囲１６１Ａ（太い破線で囲まれた範囲）と、ＬＥＤ搭載基板１６３に搭載される範囲１６３Ａ（太い実線で囲まれた範囲）とを追加した点を除いては、図１０と同じである。図１２は、図１０に示す電気回路のうち、レセプタクル搭載基板１６２に搭載される範囲１６２Ａと、ホールＩＣ搭載基板１６４に搭載される範囲１６４Ａとを追加した点を除いては、図１０と同じである。

図１０において太い実線で示した配線は、内部ユニット１４０の基準となる電位（グランド電位）と同電位となる配線（内部ユニット１４０に設けられたグランドに接続される配線）であり、この配線を以下ではグランドラインと記載する。図１０では、複数の回路素子をチップ化した電子部品を矩形で示しており、この矩形の内側に各種端子の符号を記載している。チップに搭載される電源端子ＶＣＣ及び電源端子ＶＤＤは、それぞれ、高電位側の電源端子を示す。チップに搭載される電源端子ＶＳＳ及びグランド端子ＧＮＤは、それぞれ、低電位側（基準電位側）の電源端子を示す。チップ化された電子部品は、高電位側の電源端子の電位と低電位側の電源端子の電位の差分が、電源電圧となる。チップ化された電子部品は、この電源電圧を用いて、各種機能を実行する。

図１１に示すように、ＭＣＵ搭載基板１６１（範囲１６１Ａ）には、主要な電子部品として、吸引器１００の全体を統括制御するＭＣＵ１と、電源ＢＡＴの充電制御を行う充電ＩＣ２と、コンデンサ、抵抗器、及びトランジスタ等を組み合わせて構成されたロードスイッチ（以下、ＬＳＷ）３、４、５と、ＲＯＭ（Read Only Memory）６と、スイッチドライバ７と、昇降圧ＤＣ／ＤＣコンバータ８（図では、昇降圧ＤＣ／ＤＣ８と記載）と、オペアンプＯＰ２と、オペアンプＯＰ３と、フリップフロップ（以下、ＦＦ）１６、１７と、吸気センサを構成するサーミスタＴ２と電気的に接続されるコネクタＣｎ（ｔ２）（図では、このコネクタに接続されたサーミスタＴ２を記載）と、ヒータ温度センサを構成するサーミスタＴ３と電気的に接続されるコネクタＣｎ（ｔ３）（図では、このコネクタに接続されたサーミスタＴ３を記載）と、ケース温度センサを構成するサーミスタＴ４と電気的に接続されるコネクタＣｎ（ｔ４）（図では、このコネクタに接続されたサーミスタＴ４を記載）と、ＵＳＢ接続検出用の分圧回路Ｐｃと、が設けられている。

充電ＩＣ２、ＬＳＷ３、ＬＳＷ４、ＬＳＷ５、スイッチドライバ７、昇降圧ＤＣ／ＤＣコンバータ８、ＦＦ１６、及びＦＦ１７の各々のグランド端子ＧＮＤは、グランドラインに接続されている。ＲＯＭ６の電源端子ＶＳＳは、グランドラインに接続されている。オペアンプＯＰ２及びオペアンプＯＰ３の各々の負電源端子は、グランドラインに接続されている。

図１１に示すように、ＬＥＤ搭載基板１６３（範囲１６３Ａ）には、主要な電子部品として、パネル検出センサを構成するホール素子を含むホールＩＣ１３と、ＬＥＤ Ｌ１～Ｌ８と、操作スイッチＯＰＳと、通信ＩＣ１５と、が設けられている。通信ＩＣ１５は、スマートフォン等の電子機器との通信を行うための通信モジュールである。ホールＩＣ１３の電源端子ＶＳＳ及び通信ＩＣ１５のグランド端子ＧＮＤの各々は、グランドラインに接続されている。通信ＩＣ１５とＭＣＵ１は、通信線ＬＮによって通信可能に構成されている。操作スイッチＯＰＳの一端はグランドラインに接続され、操作スイッチＯＰＳの他端はＭＣＵ１の端子Ｐ４に接続されている。

図１２に示すように、レセプタクル搭載基板１６２（範囲１６２Ａ）には、主要な電子部品として、電源ＢＡＴと電気的に接続される電源コネクタ（図では、この電源コネクタに接続された電源ＢＡＴを記載）と、電源温度センサを構成するサーミスタＴ１と電気的に接続されるコネクタ（図では、このコネクタに接続されたサーミスタＴ１を記載）と、昇圧ＤＣ／ＤＣコンバータ９（図では、昇圧ＤＣ／ＤＣ９と記載）と、保護ＩＣ１０と、過電圧保護ＩＣ１１と、残量計ＩＣ１２と、レセプタクルＲＣＰと、ＭＯＳＦＥＴで構成されたスイッチＳ３～Ｓ６と、オペアンプＯＰ１と、ヒータＨＴＲと電気的に接続される一対（正極側と負極側）のヒータコネクタＣｎと、が設けられている。

レセプタクルＲＣＰの２つのグランド端子ＧＮＤと、昇圧ＤＣ／ＤＣコンバータ９のグランド端子ＧＮＤと、保護ＩＣ１０の電源端子ＶＳＳと、残量計ＩＣ１２の電源端子ＶＳＳと、過電圧保護ＩＣ１１のグランド端子ＧＮＤと、オペアンプＯＰ１の負電源端子は、それぞれ、グランドラインに接続されている。

図１２に示すように、ホールＩＣ搭載基板１６４（範囲１６４Ａ）には、カバー位置センサを構成するホール素子を含むホールＩＣ１４が設けられている。ホールＩＣ１４の電源端子ＶＳＳは、グランドラインに接続されている。ホールＩＣ１４の出力端子ＯＵＴは、ＭＣＵ１の端子Ｐ８に接続されている。ＭＣＵ１は、端子Ｐ８に入力される信号により、スライダ１１９の開閉を検出する。

図１１に示すように、振動モータＭと電気的に接続されるコネクタは、ＭＣＵ搭載基板１６１に設けられている。

＜内部ユニットの回路の詳細＞
以下、図１０を参照しながら各電子部品の接続関係等について説明する。

レセプタクルＲＣＰの２つの電源入力端子Ｖ_ＢＵＳは、それぞれ、ヒューズＦｓを介して、過電圧保護ＩＣ１１の入力端子ＩＮに接続されている。レセプタクルＲＣＰにＵＳＢプラグが接続され、このＵＳＢプラグを含むＵＳＢケーブルが外部電源に接続されると、レセプタクルＲＣＰの２つの電源入力端子Ｖ_ＢＵＳにＵＳＢ電圧Ｖ_ＵＳＢが供給される。

過電圧保護ＩＣ１１の入力端子ＩＮには、２つの抵抗器の直列回路からなる分圧回路Ｐａの一端が接続されている。分圧回路Ｐａの他端はグランドラインに接続されている。分圧回路Ｐａを構成する２つの抵抗器の接続点は、過電圧保護ＩＣ１１の電圧検出端子ＯＶＬｏに接続されている。過電圧保護ＩＣ１１は、電圧検出端子ＯＶＬｏに入力される電圧が閾値未満の状態では、入力端子ＩＮに入力された電圧を出力端子ＯＵＴから出力する。過電圧保護ＩＣ１１は、電圧検出端子ＯＶＬｏに入力される電圧が閾値以上（過電圧）となった場合には、出力端子ＯＵＴからの電圧出力を停止（ＬＳＷ３とレセプタクルＲＣＰとの電気的な接続を遮断）することで、過電圧保護ＩＣ１１よりも下流の電子部品の保護を図る。過電圧保護ＩＣ１１の出力端子ＯＵＴは、ＬＳＷ３の入力端子ＶＩＮと、ＭＣＵ１に接続された分圧回路Ｐｃ（２つの抵抗器の直列回路）の一端と、に接続されている。分圧回路Ｐｃの他端はグランドラインに接続されている。分圧回路Ｐｃを構成する２つの抵抗器の接続点は、ＭＣＵ１の端子Ｐ１７に接続されている。

ＬＳＷ３の入力端子ＶＩＮには、２つの抵抗器の直列回路からなる分圧回路Ｐｆの一端が接続されている。分圧回路Ｐｆの他端はグランドラインに接続されている。分圧回路Ｐｆを構成する２つの抵抗器の接続点は、ＬＳＷ３の制御端子ＯＮに接続されている。ＬＳＷ３の制御端子ＯＮには、バイポーラトランジスタＳ２のコレクタ端子が接続されている。バイポーラトランジスタＳ２のエミッタ端子はグランドラインに接続されている。バイポーラトランジスタＳ２のベース端子は、ＭＣＵ１の端子Ｐ１９に接続されている。ＬＳＷ３は、制御端子ＯＮに入力される信号がハイレベルになると、入力端子ＶＩＮに入力された電圧を出力端子ＶＯＵＴから出力する。ＬＳＷ３の出力端子ＶＯＵＴは、充電ＩＣ２の入力端子ＶＢＵＳに接続されている。

ＭＣＵ１は、ＵＳＢ接続がなされていない間、バイポーラトランジスタＳ２をオンにする。これにより、ＬＳＷ３の制御端子ＯＮはバイポーラトランジスタＳ２を介してグランドラインへ接続されるため、ＬＳＷ３の制御端子ＯＮにはローレベルの信号が入力される。

ＬＳＷ３に接続されたバイポーラトランジスタＳ２は、ＵＳＢ接続がなされると、ＭＣＵ１によってオフされる。バイポーラトランジスタＳ２がオフすることで、分圧回路Ｐｆによって分圧されたＵＳＢ電圧Ｖ_ＵＳＢがＬＳＷ３の制御端子ＯＮに入力される。このため、ＵＳＢ接続がなされ且つバイポーラトランジスタＳ２がオフされると、ＬＳＷ３の制御端子ＯＮには、ハイレベルの信号が入力される。これにより、ＬＳＷ３は、ＵＳＢケーブルから供給されるＵＳＢ電圧Ｖ_ＵＳＢを出力端子ＶＯＵＴから出力する。なお、バイポーラトランジスタＳ２がオフされていない状態でＵＳＢ接続がなされても、ＬＳＷ３の制御端子ＯＮは、バイポーラトランジスタＳ２を介してグランドラインへ接続されている。このため、ＭＣＵ１がバイポーラトランジスタＳ２をオフしない限り、ＬＳＷ３の制御端子ＯＮにはローレベルの信号が入力され続ける点に留意されたい。

電源ＢＡＴの正極端子は、保護ＩＣ１０の電源端子ＶＤＤと、昇圧ＤＣ／ＤＣコンバータ９の入力端子ＶＩＮと、充電ＩＣ２の充電端子ｂａｔと、に接続されている。したがって、電源ＢＡＴの電源電圧Ｖ_ＢＡＴは、保護ＩＣ１０と、充電ＩＣ２と、昇圧ＤＣ／ＤＣコンバータ９とに供給される。電源ＢＡＴの負極端子には、抵抗器Ｒａと、ＭＯＳＦＥＴで構成されたスイッチＳａと、ＭＯＳＦＥＴで構成されたスイッチＳｂと、抵抗器Ｒｂと、がこの順に直列接続されている。抵抗器ＲａとスイッチＳａの接続点には、保護ＩＣ１０の電流検出端子ＣＳが接続されている。スイッチＳａとスイッチＳｂの各々の制御端子は、保護ＩＣ１０に接続されている。抵抗器Ｒｂの両端は、残量計ＩＣ１２に接続されている。

保護ＩＣ１０は、電流検出端子ＣＳに入力される電圧（抵抗器Ｒａの両端に印加される電圧）から、電源ＢＡＴの充放電時において抵抗器Ｒａに流れる電流値を取得し、この電流値が過大になった場合（過電流）に、スイッチＳａとスイッチＳｂの開閉制御を行って、電源ＢＡＴの充電又は放電を停止させることで、電源ＢＡＴの保護を図る。より具体的には、保護ＩＣ１０は、電源ＢＡＴの充電時に過大な電流値を取得した場合には、スイッチＳｂをオフすることで、電源ＢＡＴの充電を停止させる。保護ＩＣ１０は、電源ＢＡＴの放電時に過大な電流値を取得した場合には、スイッチＳａをオフすることで、電源ＢＡＴの放電を停止させる。また、保護ＩＣ１０は、電源端子ＶＤＤに入力される電圧から、電源ＢＡＴの電圧値が異常になった場合（過充電又は過電圧の場合）に、スイッチＳａとスイッチＳｂの開閉制御を行って、電源ＢＡＴの充電又は放電を停止させることで、電源ＢＡＴの保護を図る。より具体的には、保護ＩＣ１０は、電源ＢＡＴの過充電を検知した場合には、スイッチＳｂをオフすることで、電源ＢＡＴの充電を停止させる。保護ＩＣ１０は、電源ＢＡＴの過放電を検知した場合には、スイッチＳａをオフすることで、電源ＢＡＴの放電を停止させる。

電源ＢＡＴの近傍に配置されたサーミスタＴ１と接続されるコネクタには抵抗器Ｒｔ１が接続されている。抵抗器Ｒｔ１とサーミスタＴ１の直列回路は、グランドラインと、残量計ＩＣ１２のレギュレータ端子ＴＲＥＧとに接続されている。サーミスタＴ１と抵抗器Ｒｔ１の接続点は、残量計ＩＣ１２のサーミスタ端子ＴＨＭに接続されている。サーミスタＴ１は、温度の増加に従い抵抗値が増大するＰＴＣ（Positive Temperature Coefficient）サーミスタであってもよいし、温度の増加に従い抵抗値が減少するＮＴＣ（Negative Temperature Coefficient）サーミスタでもよい。

残量計ＩＣ１２は、抵抗器Ｒｂに流れる電流を検出し、検出した電流値に基づいて、電源ＢＡＴの残容量、充電状態を示すＳＯＣ（State Of Charge）、及び健全状態を示すＳＯＨ（State Of Health）等のバッテリ情報を導出する。残量計ＩＣ１２は、レギュレータ端子ＴＲＥＧに接続される内蔵レギュレータから、サーミスタＴ１と抵抗器Ｒｔ１の分圧回路に電圧を供給する。残量計ＩＣ１２は、この分圧回路によって分圧された電圧をサーミスタ端子ＴＨＭから取得し、この電圧に基づいて、電源ＢＡＴの温度に関する温度情報を取得する。残量計ＩＣ１２は、シリアル通信を行うための通信線ＬＮによってＭＣＵ１と接続されており、ＭＣＵ１と通信可能に構成されている。残量計ＩＣ１２は、導出したバッテリ情報と、取得した電源ＢＡＴの温度情報を、ＭＣＵ１からの要求に応じて、ＭＣＵ１に送信する。ＭＣＵ１は、残量計ＩＣ１２が取得した電源ＢＡＴの残容量に基づき電源ＢＡＴからヒータＨＴＲへの放電を制御する。即ち、ＭＣＵ１は、電源ＢＡＴの残容量が所定値以下の場合、ヒータＨＴＲへの放電を禁止し充電を促す表示を行う。なお、シリアル通信を行うためには、データ送信用のデータラインや同期用のクロックラインなどの複数の信号線が必要になる。図１０－図１９では、簡略化のため、１本の信号線のみが図示されている点に留意されたい。

残量計ＩＣ１２は、通知端子１２ａを備えている。通知端子１２ａは、ＭＣＵ１の端子Ｐ６と、後述するダイオードＤ２のカソードと、に接続されている。残量計ＩＣ１２は、電源ＢＡＴの温度が過大になった等の異常を検出すると、通知端子１２ａからローレベルの信号を出力することで、その異常発生をＭＣＵ１に通知する。このローレベルの信号は、ダイオードＤ２を経由して、ＦＦ１７のＣＬＲ（￣）端子にも入力される。

昇圧ＤＣ／ＤＣコンバータ９のスイッチング端子ＳＷには、リアクトルＬｃの一端が接続されている。このリアクトルＬｃの他端は昇圧ＤＣ／ＤＣコンバータ９の入力端子ＶＩＮに接続されている。昇圧ＤＣ／ＤＣコンバータ９は、スイッチング端子ＳＷに接続された内蔵トランジスタのオンオフ制御を行うことで、入力される電圧を昇圧して、出力端子ＶＯＵＴから出力する電圧変換制御を行う。なお、昇圧ＤＣ／ＤＣコンバータ９の入力端子ＶＩＮは、電源ＢＡＴに接続され昇圧ＤＣ／ＤＣコンバータ９の高電位側の電源端子を構成している。昇圧ＤＣ／ＤＣコンバータ９は、イネーブル端子ＥＮに入力される信号がハイレベルとなっている場合に、昇圧動作を行う。ＵＳＢ接続されている状態においては、昇圧ＤＣ／ＤＣコンバータ９のイネーブル端子ＥＮに入力される信号は、ＭＣＵ１によってローレベルに制御されてもよい。若しくは、ＵＳＢ接続されている状態においては、昇圧ＤＣ／ＤＣコンバータ９のイネーブル端子ＥＮに入力される信号をＭＣＵ１が制御しないことで、イネーブル端子ＥＮの電位を不定にしてもよい。

昇圧ＤＣ／ＤＣコンバータ９の出力端子ＶＯＵＴには、Ｐチャネル型ＭＯＳＦＥＴにより構成されたスイッチＳ４のソース端子が接続されている。スイッチＳ４のゲート端子は、ＭＣＵ１の端子Ｐ１５と接続されている。スイッチＳ４のドレイン端子には、抵抗器Ｒｓの一端が接続されている。抵抗器Ｒｓの他端は、ヒータＨＴＲの一端と接続される正極側のヒータコネクタＣｎに接続されている。スイッチＳ４と抵抗器Ｒｓの接続点には、２つの抵抗器からなる分圧回路Ｐｂが接続されている。分圧回路Ｐｂを構成する２つの抵抗器の接続点は、ＭＣＵ１の端子Ｐ１８と接続されている。スイッチＳ４と抵抗器Ｒｓの接続点は、更に、オペアンプＯＰ１の正電源端子と接続されている。

昇圧ＤＣ／ＤＣコンバータ９の出力端子ＶＯＵＴとスイッチＳ４のソース端子との接続ラインには、Ｐチャネル型ＭＯＳＦＥＴにより構成されたスイッチＳ３のソース端子が接続されている。スイッチＳ３のゲート端子は、ＭＣＵ１の端子Ｐ１６と接続されている。スイッチＳ３のドレイン端子は、抵抗器Ｒｓと正極側のヒータコネクタＣｎとの接続ラインに接続されている。このように、昇圧ＤＣ／ＤＣコンバータ９の出力端子ＶＯＵＴとヒータコネクタＣｎの正極側との間には、スイッチＳ３を含む回路と、スイッチＳ４及び抵抗器Ｒｓを含む回路とが並列接続されている。スイッチＳ３を含む回路は、抵抗器を有さないため、スイッチＳ４及び抵抗器Ｒｓを含む回路よりも低抵抗の回路である。

オペアンプＯＰ１の非反転入力端子は、抵抗器Ｒｓと正極側のヒータコネクタＣｎとの接続ラインに接続されている。オペアンプＯＰ１の反転入力端子は、ヒータＨＴＲの他端と接続される負極側のヒータコネクタＣｎと、Ｎチャネル型ＭＯＳＦＥＴにより構成されたスイッチＳ６のドレイン端子と、に接続されている。スイッチＳ６のソース端子はグランドラインに接続されている。スイッチＳ６のゲート端子は、ＭＣＵ１の端子Ｐ１４と、ダイオードＤ４のアノードと、昇圧ＤＣ／ＤＣコンバータ９のイネーブル端子ＥＮと、に接続されている。ダイオードＤ４のカソードは、ＦＦ１７のＱ端子と接続されている。オペアンプＯＰ１の出力端子には抵抗器Ｒ４の一端が接続されている。抵抗器Ｒ４の他端は、ＭＣＵ１の端子Ｐ９と、Ｎチャネル型ＭＯＳＦＥＴにより構成されたスイッチＳ５のドレイン端子と、に接続されている。スイッチＳ５のソース端子は、グランドラインに接続されている。スイッチＳ５のゲート端子は、抵抗器Ｒｓと正極側のヒータコネクタＣｎとの接続ラインに接続されている。

充電ＩＣ２の入力端子ＶＢＵＳは、ＬＥＤ Ｌ１～Ｌ８の各々のアノードに接続されている。ＬＥＤ Ｌ１～Ｌ８の各々のカソードは、電流制限ための抵抗器を介して、ＭＣＵ１の制御端子ＰＤ１～ＰＤ８に接続されている。すなわち、入力端子ＶＢＵＳには、ＬＥＤ Ｌ１～Ｌ８が並列接続されている。ＬＥＤ Ｌ１～Ｌ８は、レセプタクルＲＣＰに接続されたＵＳＢケーブルから供給されるＵＳＢ電圧Ｖ_ＵＳＢと、電源ＢＡＴから充電ＩＣ２を経由して供給される電圧と、のそれぞれによって動作可能に構成されている。ＭＣＵ１には、制御端子ＰＤ１～ＰＤ８の各々とグランド端子ＧＮＤとに接続されたトランジスタ（スイッチング素子）が内蔵されている。ＭＣＵ１は、制御端子ＰＤ１と接続されたトランジスタをオンすることでＬＥＤ Ｌ１に通電してこれを点灯させ、制御端子ＰＤ１と接続されたトランジスタをオフすることでＬＥＤ Ｌ１を消灯させる。制御端子ＰＤ１と接続されたトランジスタのオンとオフを高速で切り替えることで、ＬＥＤ Ｌ１の輝度や発光パターンを動的に制御できる。ＬＥＤ Ｌ２～Ｌ８についても同様にＭＣＵ１によって点灯制御される。

充電ＩＣ２は、入力端子ＶＢＵＳに入力されるＵＳＢ電圧Ｖ_ＵＳＢに基づいて電源ＢＡＴを充電する充電機能を備える。充電ＩＣ２は、不図示の端子や配線から、電源ＢＡＴの充電電流や充電電圧を取得し、これらに基づいて、電源ＢＡＴの充電制御（充電端子ｂａｔから電源ＢＡＴへの電力供給制御）を行う。また、充電ＩＣ２は、残量計ＩＣ１２からＭＣＵ１に送信された電源ＢＡＴの温度情報を、通信線ＬＮを利用したシリアル通信によってＭＣＵ１から取得し、充電制御に利用してもよい。

充電ＩＣ２は、更に、Ｖ_ＢＡＴパワーパス機能と、ＯＴＧ機能とを備える。Ｖ_ＢＡＴパワーパス機能は、充電端子ｂａｔに入力される電源電圧Ｖ_ＢＡＴと略一致するシステム電源電圧Ｖｃｃ０を、出力端子ＳＹＳから出力する機能である。ＯＴＧ機能は、充電端子ｂａｔに入力される電源電圧Ｖ_ＢＡＴを昇圧して得られるシステム電源電圧Ｖｃｃ４を、入力端子ＶＢＵＳから出力する機能である。充電ＩＣ２のＯＴＧ機能のオンオフは、通信線ＬＮを利用したシリアル通信によって、ＭＣＵ１により制御される。なお、ＯＴＧ機能においては、充電端子ｂａｔに入力される電源電圧Ｖ_ＢＡＴを、入力端子ＶＢＵＳからそのまま出力してもよい。この場合において、電源電圧Ｖ_ＢＡＴとシステム電源電圧Ｖｃｃ４は略一致する。

充電ＩＣ２の出力端子ＳＹＳは、昇降圧ＤＣ／ＤＣコンバータ８の入力端子ＶＩＮに接続されている。充電ＩＣ２のスイッチング端子ＳＷにはリアクトルＬａの一端が接続されている。リアクトルＬａの他端は、充電ＩＣ２の出力端子ＳＹＳに接続されている。充電ＩＣ２の充電イネーブル端子ＣＥ（￣）は、抵抗器を介して、ＭＣＵ１の端子Ｐ２２に接続されている。更に、充電ＩＣ２の充電イネーブル端子ＣＥ（￣）には、バイポーラトランジスタＳ１のコレクタ端子が接続されている。バイポーラトランジスタＳ１のエミッタ端子は、後述のＬＳＷ４の出力端子ＶＯＵＴに接続されている。バイポーラトランジスタＳ１のベース端子は、ＦＦ１７のＱ端子に接続されている。更に、充電ＩＣ２の充電イネーブル端子ＣＥ（￣）には、抵抗器Ｒｃの一端が接続されている。抵抗器Ｒｃの他端は、ＬＳＷ４の出力端子ＶＯＵＴに接続されている。

昇降圧ＤＣ／ＤＣコンバータ８の入力端子ＶＩＮとイネーブル端子ＥＮには抵抗器が接続されている。充電ＩＣ２の出力端子ＳＹＳから、昇降圧ＤＣ／ＤＣコンバータ８の入力端子ＶＩＮにシステム電源電圧Ｖｃｃ０が入力されることで、昇降圧ＤＣ／ＤＣコンバータ８のイネーブル端子ＥＮに入力される信号はハイレベルとなり、昇降圧ＤＣ／ＤＣコンバータ８は昇圧動作又は降圧動作を開始する。昇降圧ＤＣ／ＤＣコンバータ８は、リアクトルＬｂに接続された内蔵トランジスタのスイッチング制御により、入力端子ＶＩＮに入力されたシステム電源電圧Ｖｃｃ０を昇圧又は降圧してシステム電源電圧Ｖｃｃ１を生成し、出力端子ＶＯＵＴから出力する。昇降圧ＤＣ／ＤＣコンバータ８の出力端子ＶＯＵＴは、昇降圧ＤＣ／ＤＣコンバータ８のフィードバック端子ＦＢと、ＬＳＷ４の入力端子ＶＩＮと、スイッチドライバ７の入力端子ＶＩＮと、ＦＦ１６の電源端子ＶＣＣ及びＤ端子と、に接続されている。昇降圧ＤＣ／ＤＣコンバータ８の出力端子ＶＯＵＴから出力されるシステム電源電圧Ｖｃｃ１が供給される配線を電源ラインＰＬ１と記載する。

ＬＳＷ４は、制御端子ＯＮに入力される信号がハイレベルになると、入力端子ＶＩＮに入力されているシステム電源電圧Ｖｃｃ１を出力端子ＶＯＵＴから出力する。ＬＳＷ４の制御端子ＯＮと電源ラインＰＬ１は、抵抗器を介して接続されている。このため、電源ラインＰＬ１にシステム電源電圧Ｖｃｃ１が供給されることで、ＬＳＷ４の制御端子ＯＮにはハイレベルの信号が入力される。ＬＳＷ４が出力する電圧は、配線抵抗等を無視すればシステム電源電圧Ｖｃｃ１と同一であるが、システム電源電圧Ｖｃｃ１と区別するために、ＬＳＷ４の出力端子ＶＯＵＴから出力される電圧を、以下ではシステム電源電圧Ｖｃｃ２と記載する。

ＬＳＷ４の出力端子ＶＯＵＴは、ＭＣＵ１の電源端子ＶＤＤと、ＬＳＷ５の入力端子ＶＩＮと、残量計ＩＣ１２の電源端子ＶＤＤと、ＲＯＭ６の電源端子ＶＣＣと、バイポーラトランジスタＳ１のエミッタ端子と、抵抗器Ｒｃと、ＦＦ１７の電源端子ＶＣＣと、に接続されている。ＬＳＷ４の出力端子ＶＯＵＴから出力されるシステム電源電圧Ｖｃｃ２が供給される配線を電源ラインＰＬ２と記載する。

ＬＳＷ５は、制御端子ＯＮに入力される信号がハイレベルになると、入力端子ＶＩＮに入力されているシステム電源電圧Ｖｃｃ２を出力端子ＶＯＵＴから出力する。ＬＳＷ５の制御端子ＯＮは、ＭＣＵ１の端子Ｐ２３と接続されている。ＬＳＷ５が出力する電圧は、配線抵抗等を無視すればシステム電源電圧Ｖｃｃ２と同一であるが、システム電源電圧Ｖｃｃ２と区別するために、ＬＳＷ５の出力端子ＶＯＵＴから出力される電圧を、以下ではシステム電源電圧Ｖｃｃ３と記載する。ＬＳＷ５の出力端子ＶＯＵＴから出力されるシステム電源電圧Ｖｃｃ３が供給される配線を電源ラインＰＬ３と記載する。

電源ラインＰＬ３には、サーミスタＴ２と抵抗器Ｒｔ２の直列回路が接続され、抵抗器Ｒｔ２はグランドラインに接続されている。サーミスタＴ２と抵抗器Ｒｔ２は分圧回路を構成しており、これらの接続点は、ＭＣＵ１の端子Ｐ２１と接続されている。ＭＣＵ１は、端子Ｐ２１に入力される電圧に基づいて、サーミスタＴ２の温度変動（抵抗値変動）を検出し、その温度変動量によって、パフ動作の有無を判定する。

電源ラインＰＬ３には、サーミスタＴ３と抵抗器Ｒｔ３の直列回路が接続され、抵抗器Ｒｔ３はグランドラインに接続されている。サーミスタＴ３と抵抗器Ｒｔ３は分圧回路を構成しており、これらの接続点は、ＭＣＵ１の端子Ｐ１３と、オペアンプＯＰ２の反転入力端子と、に接続されている。ＭＣＵ１は、端子Ｐ１３に入力される電圧に基づいて、サーミスタＴ３の温度（ヒータＨＴＲの温度に相当）を検出する。

電源ラインＰＬ３には、サーミスタＴ４と抵抗器Ｒｔ４の直列回路が接続され、抵抗器Ｒｔ４はグランドラインに接続されている。サーミスタＴ４と抵抗器Ｒｔ４は分圧回路を構成しており、これらの接続点は、ＭＣＵ１の端子Ｐ１２と、オペアンプＯＰ３の反転入力端子と、に接続されている。ＭＣＵ１は、端子Ｐ１２に入力される電圧に基づいて、サーミスタＴ４の温度（ケース１１０の温度に相当）を検出する。

電源ラインＰＬ２には、ＭＯＳＦＥＴにより構成されたスイッチＳ７のソース端子が接続されている。スイッチＳ７のゲート端子は、ＭＣＵ１の端子Ｐ２０に接続されている。スイッチＳ７のドレイン端子は、振動モータＭが接続される一対のコネクタの一方に接続されている。この一対のコネクタの他方はグランドラインに接続されている。ＭＣＵ１は、端子Ｐ２０の電位を操作することでスイッチＳ７の開閉を制御し、振動モータＭを特定のパターンで振動させることができる。スイッチＳ７に代えて、専用のドライバＩＣを用いてもよい。

電源ラインＰＬ２には、オペアンプＯＰ２の正電源端子と、オペアンプＯＰ２の非反転入力端子に接続されている分圧回路Ｐｄ（２つの抵抗器の直列回路）と、が接続されている。分圧回路Ｐｄを構成する２つの抵抗器の接続点は、オペアンプＯＰ２の非反転入力端子に接続されている。オペアンプＯＰ２は、ヒータＨＴＲの温度に応じた信号（サーミスタＴ３の抵抗値に応じた信号）を出力する。本実施形態では、サーミスタＴ３としてＮＴＣ特性を持つものを用いているため、ヒータＨＴＲの温度（サーミスタＴ３の温度）が高いほど、オペアンプＯＰ２の出力電圧は低くなる。これは、オペアンプＯＰ２の負電源端子はグランドラインへ接続されており、オペアンプＯＰ２の反転入力端子に入力される電圧値（サーミスタＴ３と抵抗器Ｒｔ３による分圧値）が、オペアンプＯＰ２の非反転入力端子に入力される電圧値（分圧回路Ｐｄによる分圧値）より高くなると、オペアンプＯＰ２の出力電圧の値は、グランド電位の値と略等しくなるためである。つまり、ヒータＨＴＲの温度（サーミスタＴ３の温度）が高温になると、オペアンプＯＰ２の出力電圧はローレベルになる。
なお、サーミスタＴ３としてＰＴＣ特性を持つものを用いる場合には、オペアンプＯＰ２の非反転入力端子に、サーミスタＴ３及び抵抗器Ｒｔ３の分圧回路の出力を接続し、オペアンプＯＰ２の反転入力端子に、分圧回路Ｐｄの出力を接続すればよい。

電源ラインＰＬ２には、オペアンプＯＰ３の正電源端子と、オペアンプＯＰ３の非反転入力端子に接続されている分圧回路Ｐｅ（２つの抵抗器の直列回路）と、が接続されている。分圧回路Ｐｅを構成する２つの抵抗器の接続点は、オペアンプＯＰ３の非反転入力端子に接続されている。オペアンプＯＰ３は、ケース１１０の温度に応じた信号（サーミスタＴ４の抵抗値に応じた信号）を出力する。本実施形態では、サーミスタＴ４としてＮＴＣ特性を持つものを用いているため、ケース１１０の温度が高いほど、オペアンプＯＰ３の出力電圧は低くなる。これは、オペアンプＯＰ３の負電源端子はグランドラインへ接続されており、オペアンプＯＰ３の反転入力端子に入力される電圧値（サーミスタＴ４と抵抗器Ｒｔ４による分圧値）が、オペアンプＯＰ３の非反転入力端子に入力される電圧値（分圧回路Ｐｅによる分圧値）より高くなると、オペアンプＯＰ３の出力電圧の値は、グランド電位の値と略等しくなるためである。つまり、サーミスタＴ４の温度が高温になると、オペアンプＯＰ３の出力電圧が、ローレベルになる。
なお、サーミスタＴ４としてＰＴＣ特性を持つものを用いる場合には、オペアンプＯＰ３の非反転入力端子に、サーミスタＴ４及び抵抗器Ｒｔ４の分圧回路の出力を接続し、オペアンプＯＰ３の反転入力端子に、分圧回路Ｐｅの出力を接続すればよい。

オペアンプＯＰ２の出力端子には抵抗器Ｒ１が接続されている。抵抗器Ｒ１には、ダイオードＤ１のカソードが接続されている。ダイオードＤ１のアノードは、オペアンプＯＰ３の出力端子と、ＦＦ１７のＤ端子と、ＦＦ１７のＣＬＲ（￣）端子と、に接続されている。抵抗器Ｒ１とダイオードＤ１との接続ラインには、電源ラインＰＬ１に接続された抵抗器Ｒ２が接続されている。また、この接続ラインには、ＦＦ１６のＣＬＲ（￣）端子が接続されている。

ダイオードＤ１のアノード及びオペアンプＯＰ３の出力端子の接続点と、ＦＦ１７のＤ端子との接続ラインには、抵抗器Ｒ３の一端が接続されている。抵抗器Ｒ３の他端は電源ラインＰＬ２に接続されている。更に、この接続ラインには、残量計ＩＣ１２の通知端子１２ａと接続されているダイオードＤ２のアノードと、ダイオードＤ３のアノードと、ＦＦ１７のＣＬＲ（￣）端子と、が接続されている。ダイオードＤ３のカソードは、ＭＣＵ１の端子Ｐ５に接続されている。

ＦＦ１６は、ヒータＨＴＲの温度が過大となり、オペアンプＯＰ２から出力される信号が小さくなって、ＣＬＲ（￣）端子に入力される信号がローレベルになると、Ｑ（￣）端子からハイレベルの信号をＭＣＵ１の端子Ｐ１１に入力する。ＦＦ１６のＤ端子には電源ラインＰＬ１からハイレベルのシステム電源電圧Ｖｃｃ１が供給されている。このため、ＦＦ１６では、負論理で動作するＣＬＲ（￣）端子に入力される信号がローレベルにならない限り、Ｑ（￣）端子からはローレベルの信号が出力され続ける。

ＦＦ１７のＣＬＲ（￣）端子に入力される信号は、ヒータＨＴＲの温度が過大となった場合と、ケース１１０の温度が過大となった場合と、残量計ＩＣ１２の通知端子１２ａから異常検出を示すローレベルの信号が出力された場合のいずれかの場合に、ローレベルとなる。ＦＦ１７は、ＣＬＲ（￣）端子に入力される信号がローレベルになると、Ｑ端子からローレベルの信号を出力する。このローレベルの信号は、ＭＣＵ１の端子Ｐ１０と、スイッチＳ６のゲート端子と、昇圧ＤＣ／ＤＣコンバータ９のイネーブル端子ＥＮと、充電ＩＣ２に接続されたバイポーラトランジスタＳ１のベース端子と、にそれぞれ入力される。スイッチＳ６のゲート端子にローレベルの信号が入力されると、スイッチＳ６を構成するＮチャネル型ＭＯＳＦＥＴのゲート－ソース間電圧が閾値電圧未満となるため、スイッチＳ６がオフになる。昇圧ＤＣ／ＤＣコンバータ９のイネーブル端子ＥＮにローレベルの信号が入力されると、昇圧ＤＣ／ＤＣコンバータ９のイネーブル端子ＥＮは正論理であるため、昇圧動作が停止する。バイポーラトランジスタＳ１のベース端子にローレベルの信号が入力されると、バイポーラトランジスタＳ１がオンになる（コレクタ端子から増幅された電流が出力される）。バイポーラトランジスタＳ１がオンになると、充電ＩＣ２のＣＥ（￣）端子にバイポーラトランジスタＳ１を介してハイレベルのシステム電源電圧Ｖｃｃ２が入力される。充電ＩＣ２のＣＥ（￣）端子は負論理であるため、電源ＢＡＴの充電が停止される。これらにより、ヒータＨＴＲの加熱と電源ＢＡＴの充電が停止される。なお、ＭＣＵ１が端子Ｐ２２から充電ＩＣ２の充電イネーブル端子ＣＥ（￣）に対してローレベルのイネーブル信号を出力しようとしても、バイポーラトランジスタＳ１がオンされると、増幅された電流が、コレクタ端子からＭＣＵ１の端子Ｐ２２および充電ＩＣ２の充電イネーブル端子ＣＥ（￣）に入力される。これにより、充電ＩＣ２の充電イネーブル端子ＣＥ（￣）にはハイレベルの信号が入力される点に留意されたい。

ＦＦ１７のＤ端子には電源ラインＰＬ２からハイレベルのシステム電源電圧Ｖｃｃ２が供給されている。このため、ＦＦ１７では、負論理で動作するＣＬＲ（￣）端子に入力される信号がローレベルにならない限り、Ｑ端子からハイレベルの信号が出力され続ける。オペアンプＯＰ３の出力端子からローレベルの信号が出力されると、オペアンプＯＰ２の出力端子から出力される信号のレベルに拠らず、ＦＦ１７のＣＬＲ（￣）端子にはローレベルの信号が入力される。オペアンプＯＰ２の出力端子からハイレベルの信号が出力される場合には、オペアンプＯＰ３の出力端子から出力されるローレベルの信号は、ダイオードＤ１によってこのハイレベルの信号の影響を受けない点に留意されたい。また、オペアンプＯＰ２の出力端子からローレベルの信号が出力される場合には、オペアンプＯＰ３の出力端子からハイレベルの信号が出力されたとしても、ダイオードＤ１を介してこのハイレベルの信号はローレベルの信号に置き換わる。

電源ラインＰＬ２は、ＭＣＵ搭載基板１６１からＬＥＤ搭載基板１６３及びホールＩＣ搭載基板１６４側に向けて更に分岐している。この分岐した電源ラインＰＬ２には、ホールＩＣ１３の電源端子ＶＤＤと、通信ＩＣ１５の電源端子ＶＣＣと、ホールＩＣ１４の電源端子ＶＤＤと、が接続されている。

ホールＩＣ１３の出力端子ＯＵＴは、ＭＣＵ１の端子Ｐ３と、スイッチドライバ７の端子ＳＷ２と、に接続されている。アウターパネル１１５が外れると、ホールＩＣ１３の出力端子ＯＵＴからローレベルの信号が出力される。ＭＣＵ１は、端子Ｐ３に入力される信号により、アウターパネル１１５の装着有無を判定する。

ＬＥＤ搭載基板１６３には、操作スイッチＯＰＳと接続された直列回路（抵抗器とコンデンサの直列回路）が設けられている。この直列回路は、電源ラインＰＬ２に接続されている。この直列回路の抵抗器とコンデンサの接続点は、ＭＣＵ１の端子Ｐ４と、操作スイッチＯＰＳと、スイッチドライバ７の端子ＳＷ１と、に接続されている。操作スイッチＯＰＳが押下されていない状態では、操作スイッチＯＰＳは導通せず、ＭＣＵ１の端子Ｐ４とスイッチドライバ７の端子ＳＷ１にそれぞれ入力される信号は、システム電源電圧Ｖｃｃ２によりハイレベルとなる。操作スイッチＯＰＳが押下されて操作スイッチＯＰＳが導通状態になると、ＭＣＵ１の端子Ｐ４とスイッチドライバ７の端子ＳＷ１にそれぞれ入力される信号は、グランドラインへ接続されるためローレベルとなる。ＭＣＵ１は、端子Ｐ４に入力される信号により、操作スイッチＯＰＳの操作を検出する。

スイッチドライバ７には、リセット入力端子ＲＳＴＢが設けられている。リセット入力端子ＲＳＴＢは、ＬＳＷ４の制御端子ＯＮに接続されている。スイッチドライバ７は、端子ＳＷ１と端子ＳＷ２に入力される信号のレベルがいずれもローレベルとなった場合（アウターパネル１１５が外されており、且つ、操作スイッチＯＰＳが押下された状態）には、リセット入力端子ＲＳＴＢからローレベルの信号を出力することで、ＬＳＷ４の出力動作を停止させる。つまり、本来はアウターパネル１１５の押圧部１１７を介して押し下げられる操作スイッチＯＰＳが、アウターパネル１１５が外れた状態でユーザによって直接押し下げられると、スイッチドライバ７の端子ＳＷ１と端子ＳＷ２に入力される信号のレベルがいずれもローレベルになる。

＜吸引器の動作モード毎の動作＞
以下、図１３～図１９を参照して、図１０に示す電気回路の動作を説明する。図１３は、スリープモードにおける電気回路の動作を説明するための図である。図１４は、アクティブモードにおける電気回路の動作を説明するための図である。図１５は、加熱初期設定モードにおける電気回路の動作を説明するための図である。図１６は、加熱モードにおけるヒータＨＴＲの加熱時の電気回路の動作を説明するための図である。図１７は、加熱モードにおけるヒータＨＴＲの温度検出時の電気回路の動作を説明するための図である。図１８は、充電モードにおける電気回路の動作を説明するための図である。図１９は、ＭＣＵ１のリセット（再起動）時の電気回路の動作を説明するための図である。図１３～図１９の各々において、チップ化された電子部品の端子のうち、破線の楕円で囲まれた端子は、電源電圧Ｖ_ＢＡＴ、ＵＳＢ電圧Ｖ_ＵＳＢ、及びシステム電源電圧等の入力又は出力がなされている端子を示している。

いずれの動作モードにおいても、電源電圧Ｖ_ＢＡＴは、保護ＩＣ１０の電源端子ＶＤＤと、昇圧ＤＣ／ＤＣコンバータ９の入力端子ＶＩＮと、充電ＩＣ２の充電端子ｂａｔに入力されている。

＜スリープモード：図１３＞
ＭＣＵ１は、充電ＩＣ２のＶ_ＢＡＴパワーパス機能を有効とし、ＯＴＧ機能と充電機能を無効とする。充電ＩＣ２の入力端子ＶＢＵＳにＵＳＢ電圧Ｖ_ＵＳＢが入力されないことで、充電ＩＣ２のＶ_ＢＡＴパワーパス機能は有効になる。通信線ＬＮからＯＴＧ機能を有効にするための信号がＭＣＵ１から充電ＩＣ２へ出力されないため、ＯＴＧ機能は無効になる。このため、充電ＩＣ２は、充電端子ｂａｔに入力された電源電圧Ｖ_ＢＡＴからシステム電源電圧Ｖｃｃ０を生成して、出力端子ＳＹＳから出力する。出力端子ＳＹＳから出力されたシステム電源電圧Ｖｃｃ０は、昇降圧ＤＣ／ＤＣコンバータ８の入力端子ＶＩＮ及びイネーブル端子ＥＮに入力される。昇降圧ＤＣ／ＤＣコンバータ８は、正論理であるイネーブル端子ＥＮにハイレベルのシステム電源電圧Ｖｃｃ０が入力されることでイネーブルとなり、システム電源電圧Ｖｃｃ０からシステム電源電圧Ｖｃｃ１を生成して、出力端子ＶＯＵＴから出力する。昇降圧ＤＣ／ＤＣコンバータ８の出力端子ＶＯＵＴから出力されたシステム電源電圧Ｖｃｃ１は、ＬＳＷ４の入力端子ＶＩＮと、ＬＳＷ４の制御端子ＯＮと、スイッチドライバ７の入力端子ＶＩＮと、ＦＦ１６の電源端子ＶＣＣ及びＤ端子と、にそれぞれ供給される。

ＬＳＷ４は、制御端子ＯＮにシステム電源電圧Ｖｃｃ１が入力されることで、入力端子ＶＩＮに入力されたシステム電源電圧Ｖｃｃ１を、出力端子ＶＯＵＴからシステム電源電圧Ｖｃｃ２として出力する。ＬＳＷ４から出力されたシステム電源電圧Ｖｃｃ２は、ＭＣＵ１の電源端子ＶＤＤと、ＬＳＷ５の入力端子ＶＩＮと、ホールＩＣ１３の電源端子ＶＤＤと、通信ＩＣ１５の電源端子ＶＣＣと、ホールＩＣ１４の電源端子ＶＤＤと、に入力される。更に、システム電源電圧Ｖｃｃ２は、残量計ＩＣ１２の電源端子ＶＤＤと、ＲＯＭ６の電源端子ＶＣＣと、充電ＩＣ２の充電イネーブル端子ＣＥ（￣）に接続された抵抗器Ｒｃ及びバイポーラトランジスタＳ１と、ＦＦ１７の電源端子ＶＣＣと、オペアンプＯＰ３の正電源端子と、分圧回路Ｐｅと、オペアンプＯＰ２の正電源端子と、分圧回路Ｐｄと、にそれぞれ供給される。充電ＩＣ２に接続されているバイポーラトランジスタＳ１は、ＦＦ１７のＱ端子からローレベルの信号が出力されない限りはオフとなっている。そのため、ＬＳＷ４で生成されたシステム電源電圧Ｖｃｃ２は、充電ＩＣ２の充電イネーブル端子ＣＥ（￣）にも入力される。充電ＩＣ２の充電イネーブル端子ＣＥ（￣）は負論理のため、この状態では、充電ＩＣ２による充電機能はオフとなる。

このように、スリープモードにおいては、ＬＳＷ５はシステム電源電圧Ｖｃｃ３の出力を停止しているため、電源ラインＰＬ３に接続される電子部品への電力供給は停止される。また、スリープモードにおいては、充電ＩＣ２のＯＴＧ機能は停止しているため、ＬＥＤ Ｌ１～Ｌ８への電力供給は停止される。

＜アクティブモード：図１４＞
ＭＣＵ１は、図１３のスリープモードの状態から、端子Ｐ８に入力される信号がハイレベルとなり、スライダ１１９が開いたことを検出すると、端子Ｐ２３からＬＳＷ５の制御端子ＯＮにハイレベルの信号を入力する。これにより、ＬＳＷ５は入力端子ＶＩＮに入力されているシステム電源電圧Ｖｃｃ２を、システム電源電圧Ｖｃｃ３として、出力端子ＶＯＵＴから出力する。ＬＳＷ５の出力端子ＶＯＵＴから出力されたシステム電源電圧Ｖｃｃ３は、サーミスタＴ２と、サーミスタＴ３と、サーミスタＴ４と、に供給される。

更に、ＭＣＵ１は、スライダ１１９が開いたことを検出すると、通信線ＬＮを介して、充電ＩＣ２のＯＴＧ機能を有効化する。これにより、充電ＩＣ２は、充電端子ｂａｔから入力された電源電圧Ｖ_ＢＡＴを昇圧して得られるシステム電源電圧Ｖｃｃ４を、入力端子ＶＢＵＳから出力する。入力端子ＶＢＵＳから出力されたシステム電源電圧Ｖｃｃ４は、
ＬＥＤ Ｌ１～Ｌ８に供給される。

＜加熱初期設定モード：図１５＞
図１４の状態から、端子Ｐ４に入力される信号がローレベルになる（操作スイッチＯＰＳの押下がなされる）と、ＭＣＵ１は、加熱に必要な各種の設定を行った後、端子Ｐ１４から、昇圧ＤＣ／ＤＣコンバータ９のイネーブル端子ＥＮにハイレベルのイネーブル信号を入力する。これにより、昇圧ＤＣ／ＤＣコンバータ９は、電源電圧Ｖ_ＢＡＴを昇圧して得られる駆動電圧Ｖ_ｂｓｔを出力端子ＶＯＵＴから出力する。駆動電圧Ｖ_ｂｓｔは、スイッチＳ３とスイッチＳ４に供給される。この状態では、スイッチＳ３とスイッチＳ４はオフとなっている。また、端子Ｐ１４から出力されたハイレベルのイネーブル信号によってスイッチＳ６はオンされる。これにより、ヒータＨＴＲの負極側端子がグランドラインに接続されて、スイッチＳ３をＯＮにすればヒータＨＴＲを加熱可能な状態になる。ＭＣＵ１の端子Ｐ１４からハイレベルの信号のイネーブル信号が出力された後、加熱モードに移行する。

＜加熱モード時のヒータ加熱：図１６＞
図１５の状態において、ＭＣＵ１は、端子Ｐ１６に接続されたスイッチＳ３のスイッチング制御と、端子Ｐ１５に接続されたスイッチＳ４のスイッチング制御を開始する。これらスイッチング制御は、上述した加熱初期設定モードが完了すれば自動的に開始されてもよいし、さらなる操作スイッチＯＰＳの押下によって開始されてもよい。具体的には、ＭＣＵ１は、図１６のように、スイッチＳ３をオンし、スイッチＳ４をオフして、駆動電圧Ｖ_ｂｓｔをヒータＨＴＲに供給し、エアロゾル生成のためのヒータＨＴＲの加熱を行う加熱制御と、図１７のように、スイッチＳ３をオフし、スイッチＳ４をオンして、ヒータＨＴＲの温度を検出する温度検出制御と、を行う。

図１６に示すように、加熱制御時においては、駆動電圧Ｖ_ｂｓｔは、スイッチＳ５のゲートにも供給されて、スイッチＳ５がオンとなる。また、加熱制御時には、スイッチＳ３を通過した駆動電圧Ｖ_ｂｓｔが、抵抗器Ｒｓを介して、オペアンプＯＰ１の正電源端子にも入力される。抵抗器Ｒｓの抵抗値は、オペアンプＯＰ１の内部抵抗値と比べると無視できるほど小さい。そのため、加熱制御時において、オペアンプＯＰ１の正電源端子に入力される電圧は、駆動電圧Ｖ_ｂｓｔとほぼ同等になる。

なお、抵抗器Ｒ４の抵抗値は、スイッチＳ５のオン抵抗値よりも大きくなっている。加熱制御時にもオペアンプＯＰ１は動作するが、加熱制御時にはスイッチＳ５がオンになる。スイッチＳ５がオンの状態では、オペアンプＯＰ１の出力電圧が、抵抗器Ｒ４とスイッチＳ５の分圧回路によって分圧されて、ＭＣＵ１の端子Ｐ９に入力される。抵抗器Ｒ４の抵抗値がスイッチＳ５のオン抵抗値よりも大きくなっていることで、ＭＣＵ１の端子Ｐ９に入力される電圧は十分に小さくなる。これにより、オペアンプＯＰ１からＭＣＵ１に対して大きな電圧が入力されるのを防ぐことができる。

＜加熱モード時のヒータ温度検出：図１７＞
図１７に示すように、温度検出制御時には、駆動電圧Ｖ_ｂｓｔがオペアンプＯＰ１の正電源端子に入力されると共に、分圧回路Ｐｂに入力される。分圧回路Ｐｂによって分圧された電圧は、ＭＣＵ１の端子Ｐ１８に入力される。ＭＣＵ１は、端子Ｐ１８に入力される電圧に基づいて、温度検出制御時における抵抗器ＲｓとヒータＨＴＲの直列回路に印加される基準電圧Ｖ_ｔｅｍｐを取得する。

また、温度検出制御時には、駆動電圧Ｖ_ｂｓｔ（基準電圧Ｖ_ｔｅｍｐ）が、抵抗器ＲｓとヒータＨＴＲの直列回路に供給される。そして、この駆動電圧Ｖ_ｂｓｔ（基準電圧Ｖ_ｔｅｍｐ）を抵抗器ＲｓとヒータＨＴＲによって分圧した電圧Ｖ_ｈｅａｔが、オペアンプＯＰ１の非反転入力端子に入力される。抵抗器Ｒｓの抵抗値はヒータＨＴＲの抵抗値よりも十分に大きいため、電圧Ｖ_ｈｅａｔは、駆動電圧Ｖ_ｂｓｔよりも十分に低い値である。温度検出制御時には、この低い電圧Ｖ_ｈｅａｔがスイッチＳ５のゲート端子にも供給されることで、スイッチＳ５はオフされる。オペアンプＯＰ１は、反転入力端子に入力される電圧と非反転入力端子に入力される電圧Ｖ_ｈｅａｔの差を増幅して出力する。

オペアンプＯＰ１の出力信号は、ＭＣＵ１の端子Ｐ９に入力される。ＭＣＵ１は、端子Ｐ９に入力された信号と、端子Ｐ１８の入力電圧に基づいて取得した基準電圧Ｖ_ｔｅｍｐと、既知の抵抗器Ｒｓの電気抵抗値と、に基づいて、ヒータＨＴＲの温度を取得する。ＭＣＵ１は、取得したヒータＨＴＲの温度に基づいて、ヒータＨＴＲの加熱制御を行う。ヒータＨＴＲの加熱制御は、電源ＢＡＴからヒータＨＴＲへの放電の制御、ヒータＨＴＲの温度が目標温度となるような制御などを含む。

なお、ＭＣＵ１は、スイッチＳ３とスイッチＳ４をそれぞれオフにしている期間（ヒータＨＴＲへの通電を行っていない期間）においても、ヒータＨＴＲの温度を取得することができる。具体的には、ＭＣＵ１は、端子Ｐ１３に入力される電圧（サーミスタＴ３と抵抗器Ｒｔ３から構成される分圧回路の出力電圧）に基づいて、ヒータＨＴＲの温度を取得する。

また、ＭＣＵ１は、任意のタイミングにて、ケース１１０の温度の取得も可能である。具体的には、ＭＣＵ１は、端子Ｐ１２に入力される電圧（サーミスタＴ４と抵抗器Ｒｔ４から構成される分圧回路の出力電圧）に基づいて、ケース１１０の温度を取得する。

＜充電モード：図１８＞
図１８は、スリープモードの状態でＵＳＢ接続がなされた場合を例示している。ＵＳＢ接続がなされると、ＵＳＢ電圧Ｖ_ＵＳＢが過電圧保護ＩＣ１１を介してＬＳＷ３の入力端子ＶＩＮに入力される。ＵＳＢ電圧Ｖ_ＵＳＢは、ＬＳＷ３の入力端子ＶＩＮに接続された分圧回路Ｐｆにも供給される。ＵＳＢ接続がなされた直後の時点では、バイポーラトランジスタＳ２がオンとなっているため、ＬＳＷ３の制御端子ＯＮに入力される信号はローレベルのままとなる。ＵＳＢ電圧Ｖ_ＵＳＢは、ＭＣＵ１の端子Ｐ１７に接続された分圧回路Ｐｃにも供給され、この分圧回路Ｐｃで分圧された電圧が端子Ｐ１７に入力される。ＭＣＵ１は、端子Ｐ１７に入力された電圧に基づいて、ＵＳＢ接続がなされたことを検出する。

ＭＣＵ１は、ＵＳＢ接続がなされたことを検出すると、端子Ｐ１９に接続されたバイポーラトランジスタＳ２をオフする。バイポーラトランジスタＳ２のゲート端子にローレベルの信号を入力すると、分圧回路Ｐｆによって分圧されたＵＳＢ電圧Ｖ_ＵＳＢがＬＳＷ３の制御端子ＯＮに入力される。これにより、ＬＳＷ３の制御端子ＯＮにハイレベルの信号が入力されて、ＬＳＷ３は、ＵＳＢ電圧Ｖ_ＵＳＢを出力端子ＶＯＵＴから出力する。ＬＳＷ３から出力されたＵＳＢ電圧Ｖ_ＵＳＢは、充電ＩＣ２の入力端子ＶＢＵＳに入力される。また、ＬＳＷ３から出力されたＵＳＢ電圧Ｖ_ＵＳＢは、そのままシステム電源電圧Ｖｃｃ４として、ＬＥＤ Ｌ１～Ｌ８に供給される。

ＭＣＵ１は、ＵＳＢ接続がなされたことを検出すると、更に、端子Ｐ２２から、充電ＩＣ２の充電イネーブル端子ＣＥ（￣）に対してローレベルのイネーブル信号を出力する。これにより、充電ＩＣ２は、電源ＢＡＴの充電機能を有効化し、入力端子ＶＢＵＳに入力されるＵＳＢ電圧Ｖ_ＵＳＢによる電源ＢＡＴの充電を開始する。このとき、ＭＣＵ１は、スイッチＳ３とスイッチＳ４はオフとしたままエアロゾル生成のためのヒータＨＴＲの加熱を行わない。言い換えると、ＭＣＵ１は、端子Ｐ１７に入力された電圧に基づいてＵＳＢ接続がなされたことを検出した場合、電源ＢＡＴからヒータコネクタＣｎへの電力の供給を禁止する。したがって、充電時にのみ機能する電子部品であるレセプタクルＲＣＰ及び過電圧保護ＩＣ１１は、加熱制御に伴う電圧変換制御が実行されていない時に機能する電子部品である。

なお、アクティブモードの状態でＵＳＢ接続がなされた場合には、ＭＣＵ１は、ＵＳＢ接続がなされたことを検出すると、端子Ｐ１９に接続されたバイポーラトランジスタＳ２をオフし、更に、端子Ｐ２２から、充電ＩＣ２の充電イネーブル端子ＣＥ（￣）に対してローレベルのイネーブル信号を出力し、更に、通信線ＬＮを利用したシリアル通信によって、充電ＩＣ２のＯＴＧ機能をオフする。これにより、ＬＥＤ Ｌ１～Ｌ８に供給されるシステム電源電圧Ｖｃｃ４は、充電ＩＣ２のＯＴＧ機能で生成されていた電圧（電源電圧Ｖ_ＢＡＴに基づく電圧）から、ＬＳＷ３から出力されたＵＳＢ電圧Ｖ_ＵＳＢに切り替わる。ＬＥＤ Ｌ１～Ｌ８は、ＭＣＵ１によって内蔵トランジスタのオン制御がなされない限りは作動しない。このため、ＯＴＧ機能のオンからオフへの過渡期における不安定な電圧がＬＥＤ Ｌ１～Ｌ８に供給されるのは防がれる。

＜ＭＣＵのリセット：図１９＞
アウターパネル１１５が外されてホールＩＣ１３の出力がローレベルとなり、操作スイッチＯＰＳのオン操作がなされてＭＣＵ１の端子Ｐ４に入力される信号がローレベルになると、スイッチドライバ７の端子ＳＷ１と端子ＳＷ２が共にローレベルとなる。これにより、スイッチドライバ７は、リセット入力端子ＲＳＴＢからローレベルの信号を出力する。リセット入力端子ＲＳＴＢから出力されたローレベルの信号はＬＳＷ４の制御端子ＯＮに入力される。これにより、ＬＳＷ４は、出力端子ＶＯＵＴからのシステム電源電圧Ｖｃｃ２の出力を停止する。システム電源電圧Ｖｃｃ２の出力が停止されることで、ＭＣＵ１の電源端子ＶＤＤにシステム電源電圧Ｖｃｃ２が入力されなくなるため、ＭＣＵ１は停止する。

スイッチドライバ７は、リセット入力端子ＲＳＴＢからローレベルの信号を出力している時間が既定時間に達するか、端子ＳＷ１と端子ＳＷ２のいずれかに入力される信号がハイレベルになると、リセット入力端子ＲＳＴＢから出力する信号をハイレベルに戻す。これにより、ＬＳＷ４の制御端子ＯＮがハイレベルとなり、システム電源電圧Ｖｃｃ２が各部に供給される状態に復帰する。

＜昇圧ＤＣ／ＤＣコンバータの周辺回路＞
図２０は、図１０に示す電気回路のうち、昇圧ＤＣ／ＤＣコンバータ９の周辺回路をより具体的に示した要部回路図である。
図２０には、図１０では図示又は符号を省略していた電子部品やノードとして、コンデンサＣ１～Ｃ１２と、抵抗器Ｒ１１～Ｒ１４と、ノードＮ１、Ｎ２と、が示されている。

また、図２０には、昇圧ＤＣ／ＤＣコンバータ９の端子として、第１制御端子Ｐ３１と、第２制御端子Ｐ３２と、第３制御端子Ｐ３３と、フィードバック端子ＦＢと、が示されており、リアクトルＬｃの一端が接続されるスイッチング端子ＳＷ、及びヒータコネクタＣｎへ接続される出力端子ＶＯＵＴが、それぞれ複数示されている。

さらに図２０には、グランド端子ＧＮＤとして、後述するパワーグランドＰＧＮＤに接続されるパワーグランド端子ＰＧＰと、後述する信号グランドＡＧＮＤに接続される信号グランド端子ＡＧＰと、が示されている。図１０に示したグランド端子ＧＮＤ及びグランドラインは、パワーグランド端子ＰＧＰ及びパワーグランドＰＧＮＤであり、レセプタクル搭載基板１６２には、パワーグランドＰＧＮＤの他に信号グランドＡＧＮＤが設けられている。

ノードＮ１は、入力端子ＶＩＮとリアクトルＬｃの一端とを接続している。ノードＮ１は電源ＢＡＴと電気的に接続される電源コネクタ（図では、この電源コネクタに接続された電源ＢＡＴを記載）に接続されている。コンデンサＣ１、Ｃ２の一端は、ノードＮ１と入力端子ＶＩＮとの間に並列に接続され、コンデンサＣ１、Ｃ２の他端は、信号グランドＡＧＮＤに接続されている。一端が入力端子ＶＩＮに接続されるコンデンサＣ１、Ｃ２は、入力端子ＶＩＮへリップル電流やリップル電圧などが入力されないようにするバイパスコンデンサ（所謂、バスコン）である。以下、コンデンサＣ１、Ｃ２をバイパスコンデンサＣ１、Ｃ２とも称し、さらにコンデンサＣ１を第１バイパスコンデンサＣ１、コンデンサＣ２を第２バイパスコンデンサＣ２と称することがある。

コンデンサＣ３～Ｃ５の一端は、ノードＮ１とリアクトルＬｃの一端との間に並列に接続され、コンデンサＣ３～Ｃ５の他端は、パワーグランドＰＧＮＤに接続されている。一端がリアクトルＬｃに接続されるコンデンサＣ３～Ｃ５は、リアクトルＬｃへリップル電流やリップル電圧などが入力されないようにするリアクトル用コンデンサである。以下、コンデンサＣ３～Ｃ５をリアクトル用コンデンサと称することがある。

ノードＮ２は、スイッチＳ３のソース端子と、スイッチＳ４のソース端子とを接続している。ノードＮ２は、昇圧ＤＣ／ＤＣコンバータ９の出力端子ＶＯＵＴに接続されている。コンデンサＣ８～Ｃ１２の一端は、出力端子ＶＯＵＴとノードＮ２との間に並列に接続され、コンデンサＣ８～Ｃ１２の他端は、パワーグランドＰＧＮＤに接続されている。一端が出力端子ＶＯＵＴに接続されるコンデンサＣ８～Ｃ１２は、出力端子ＶＯＵＴから出力される電流や電圧のリップルを除去する出力コンデンサである。以下、コンデンサＣ８～Ｃ１２を出力コンデンサと称することがある。

出力端子ＶＯＵＴと出力コンデンサＣ８～Ｃ１２との間には、２つの抵抗器Ｒ１２、Ｒ１３の直列回路からなる分圧回路Ｐｇの一端が接続されている。分圧回路Ｐｇの他端は信号グランドＡＧＮＤに接続されている。分圧回路Ｐｇを構成する２つの抵抗器Ｒ１２、Ｒ１３の接続点は、フィードバック端子ＦＢに接続されている。昇圧ＤＣ／ＤＣコンバータ９は、フィードバック端子ＦＢに入力された電圧に基づいて、入力端子ＶＩＮへ入力される電圧を変換して出力端子ＶＯＵＴから出力する電圧変換制御を実行する。即ち、昇圧ＤＣ／ＤＣコンバータ９は、フィードバック端子ＦＢに入力された電圧に基づいて、電源電圧Ｖ_ＢＡＴを昇圧して駆動電圧Ｖ_ｂｓｔが目標電圧となるように制御する。

第１制御端子Ｐ３１には、コンデンサＣ６の一端が接続され、コンデンサＣ６の他端は信号グランドＡＧＮＤに接続されている。第１制御端子Ｐ３１は、例えばソフトスタートコントロール端子であり、コンデンサＣ６の容量に応じて昇圧ＤＣ／ＤＣコンバータ９のソフトスタートを行う。

第２制御端子Ｐ３２には、抵抗器Ｒ１１の一端が接続され、抵抗器Ｒ１１の他端は信号グランドＡＧＮＤに接続されている。第２制御端子Ｐ３２は、例えば出力電流制限プログラミング端子であり、抵抗器Ｒ１１の抵抗値に応じて出力電流の制限値をプログラムする。

第３制御端子Ｐ３３には、抵抗器Ｒ１４とコンデンサＣ７の直列回路の一端が接続され、抵抗器Ｒ１４とコンデンサＣ７の直列回路の他端は、信号グランドＡＧＮＤに接続されている。第３制御端子Ｐ３３は、例えば位相保障接続端子であり、抵抗器Ｒ１４とコンデンサＣ７の直列回路は位相補償用の部品である。

＜熱拡散部材＞
図２１に示すように、レセプタクル搭載基板１６２の副面１６２ｂには、シャーシ１５０との間に熱拡散部材３００が設けられている。熱拡散部材３００が配置されるレセプタクル搭載基板１６２の副面１６２ｂは、シャーシ１５０の前後分割壁１５２と対向するので、熱拡散部材３００は、昇圧ＤＣ／ＤＣコンバータ９とシャーシ１５０の間に位置することになる。

熱拡散部材３００は、空気よりも高い熱拡散率を有する材料、例えば金属、セラミック、グラファイト、粘土等の熱拡散材料から構成される。放熱シートを、熱拡散部材３００に用いてもよい。熱拡散部材３００に用いる放熱シートは、その一部がゲル状でもよい。熱拡散部材３００は、レセプタクル搭載基板１６２の副面１６２ｂに配置された複数の電子部品を全体的に又は部分的に覆い、熱を分散させて空気中に拡散させる。したがって、熱拡散部材３００で覆われた電子部品は温度が高くなりにくくなる。また、熱拡散部材３００で覆われた電子部品は、シャーシ１５０によって電源ＢＡＴからの熱の影響も受けにくくなるので動作が安定する。一方、熱拡散部材３００が拡散した熱は、シャーシ１５０により他の部品へ伝わることが抑制されるので、吸引器１００の耐久性が向上する。

熱拡散部材３００の形状は、特に限定されないが、平面視で正方形、長方形、円形、楕円形等の単純な形状であることがコストの観点から好ましい。熱拡散部材３００は、２つ以上設けられていてもよい。本実施形態では、略矩形形状を有する１つの熱拡散部材３００が設けられている。熱拡散部材３００で覆われる電子部品については、ＭＣＵ搭載基板１６１及びレセプタクル搭載基板１６２に搭載される素子及びＩＣの説明とあわせて後述する。

図２１に示すように、レセプタクル搭載基板１６２の副面１６２ｂに熱拡散部材３００が設けられることで、ケース１１０の内部空間には、ＭＣＵ搭載基板１６１、レセプタクル搭載基板１６２、熱拡散部材３００、シャーシ１５０、及び電源ＢＡＴが、前後方向において前方からこの順に並ぶように配置される。したがって、レセプタクル搭載基板１６２における局所的な熱が熱拡散部材３００によって散逸され、散逸された熱が絶縁性のシャーシ１５０によって電源ＢＡＴへ伝わらないようになる。また、電源ＢＡＴにおける発熱も絶縁性のシャーシ１５０によってレセプタクル搭載基板１６２へ伝わらないようになるので、電源ＢＡＴやレセプタクル搭載基板１６２の温度が高くなりにくくなり、吸引器１００の動作が安定するようになる。

熱拡散部材３００は、粘着、接着、溶着等の手段でレセプタクル搭載基板１６２の副面１６２ｂに配置される。熱拡散部材３００とシャーシ１５０との間には所定の隙間が形成されていることが好ましい。

＜基板の詳細説明＞
次に、ＭＣＵ搭載基板１６１及びレセプタクル搭載基板１６２に配置されたＩＣ及び素子の配置について説明する。

［レセプタクル搭載基板］
図２２は、レセプタクル搭載基板１６２の主面１６２ａを示す図である。上下方向に延設されたレセプタクル搭載基板１６２の主面１６２ａには、上端部近傍にヒータコネクタＣｎが配置され、下端部にレセプタクルＲＣＰが配置され、ヒータコネクタＣｎとレセプタクルＲＣＰとの間に昇圧ＤＣ／ＤＣコンバータ９のリアクトルＬｃ及びリアクトル用コンデンサＣ３～Ｃ５が配置されている。

また、レセプタクルＲＣＰの近傍には、右側に正極側のバッテリコネクタ２２２（以下、正極側バッテリコネクタ２２２）が配置され、左側にスペーサ１７３を固定する開口部１７６が配置されている。さらにリアクトルＬｃの左側には、負極側のバッテリコネクタ２２４（以下、負極側バッテリコネクタ２２４）及び電源温度センサを構成するサーミスタＴ１に接続される電源温度検出用コネクタＣｎ（ｔ１）が配置される。正極側バッテリコネクタ２２２には、電源ＢＡＴの正極端子から延びる正極側電源バスバー２３６（図７、８参照）が接続され、負極側バッテリコネクタ２２４には、電源ＢＡＴの負極端子から延びる負極側電源バスバー２３８（図７、８参照）が接続される。

図２３は、レセプタクル搭載基板１６２の副面１６２ｂを示す図である。レセプタクル搭載基板１６２の副面１６２ｂには、上下方向において略中央部に主要なＩＣなどを搭載する略矩形状のＩＣ搭載領域１９１が設けられ、このＩＣ搭載領域１９１に昇圧ＤＣ／ＤＣコンバータ９、残量計ＩＣ１２、オペアンプＯＰ１、及び保護ＩＣ１０が配置されている。また、ＩＣ搭載領域１９１には、制御用素子である抵抗器Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１３及びコンデンサＣ１、Ｃ２、Ｃ６が配置されている。これらの制御用素子が昇圧ＤＣ／ＤＣコンバータ９と同一面に配置されるので、配線パターンを簡略化することができる。なお、副面１６２ｂにおいて、ＩＣ搭載領域１９１以外の領域を残余領域１９２と称する。

上述したようにＩＣ搭載領域１９１の少なくとも一部は、空気よりも高い熱拡散率を有する熱拡散部材３００で覆われる。図２３では、熱拡散部材３００で覆われる領域を太い点線で示している。

熱拡散部材３００は、副面１６２ｂのＩＣ搭載領域１９１と残余領域１９２のうちＩＣ搭載領域１９１のみを覆い、さらにＩＣ搭載領域１９１のうち一部の領域のみを覆う。これにより、熱拡散部材３００のサイズや重量を過大なものにしなくても、熱の集中を効果的に解消できるので、吸引器１００のコストや重量の増加を抑制しつつ、その動作を安定させることができる。

より具体的には、熱拡散部材３００は、昇圧ＤＣ／ＤＣコンバータ９、残量計ＩＣ１２、保護ＩＣ１０、抵抗器Ｒ１１、コンデンサＣ２、Ｃ６、オペアンプＯＰ１の少なくとも一部を覆う。図２０には、熱拡散部材３００で覆われる電子部品が太い点線の内部に示されている。電子部品は、ＩＣ（集積回路）、素子（能動素子、受動素子）、レセプタクルを含む概念である。

熱拡散部材３００がオペアンプＯＰ１、残量計ＩＣ１２、保護ＩＣ１０を少なくとも部分的に覆うことで、これらの電子部品が熱の影響を受けにくくなるので、吸引器１００の動作が安定するようになる。

熱拡散部材３００が昇圧ＤＣ／ＤＣコンバータ９の少なくとも一部を覆うことで、熱拡散部材３００によって昇圧ＤＣ／ＤＣコンバータ９の温度が高くなりにくくなり、昇圧ＤＣ／ＤＣコンバータ９の動作が安定する。これにより、生成されるエアロゾルの量や香喫味を安定なものにできる。熱拡散部材３００は昇圧ＤＣ／ＤＣコンバータ９の全体を覆うことが好ましい。面積の大きい熱拡散部材３００により、昇圧ＤＣ／ＤＣコンバータ９などで生じた熱をより効果的に散逸できるばかりか、シャーシ１５０が局所的に熱くなることを抑制できるので、吸引器１００の耐久性が向上する。

一方で、熱拡散部材３００は、検出端子へ接続される抵抗器Ｒ１２、Ｒ１３を覆わない。抵抗器Ｒ１２、Ｒ１３は、上述したようにフィードバック端子ＦＢが電圧を検出するために使用するものであり、昇圧ＤＣ／ＤＣコンバータ９はフィードバック端子ＦＢに入力された電圧に基づいて、出力端子ＶＯＵＴから出力する電圧変換制御を実行する。抵抗器Ｒ１２、Ｒ１３はその電気抵抗値が温度によって殆ど変化しない固定抵抗器ではあるが、高温になるとその電気抵抗値は僅かながら変化する虞がある。熱拡散部材３００が抵抗器Ｒ１２、Ｒ１３を覆わないことで、抵抗器Ｒ１２、Ｒ１３が熱の影響を受けにくくなり、抵抗器Ｒ１２、Ｒ１３が検出する出力電圧が安定する。

また、熱拡散部材３００は、昇圧ＤＣ／ＤＣコンバータ９のフィードバック端子ＦＢとは異なる複数の制御端子に接続される複数の制御用素子のうち、半分を少なくとも部分的に覆う。本実施形態では、図２０に示すように、昇圧ＤＣ／ＤＣコンバータ９は、主な制御用端子として第１～第３制御端子Ｐ３１、Ｐ３２、Ｐ３３を備え、これらの制御用端子に接続される制御用素子として、コンデンサＣ６、抵抗器Ｒ１１、抵抗器Ｒ１４、コンデンサＣ７が設けられる。熱拡散部材３００は、これら４つの制御用素子のうち抵抗器Ｒ１１及びコンデンサＣ６を少なくとも部分的に覆う。このように半分の制御用素子を覆うことで、熱拡散部材３００の面積を稼ぎ、熱拡散の効果を高めることができる。なお、熱拡散部材３００は、抵抗器Ｒ１４とコンデンサＣ７の少なくとも一部を部分的に覆っていてもよい。このようにすれば、過半数の制御用素子が覆われるので、熱拡散部材３００の面積をさらに稼ぎ、熱拡散の効果をさらに高めることができる。

また、熱拡散部材３００は、昇圧ＤＣ／ＤＣコンバータ９のリアクトルＬｃを覆わない。上述したように昇圧ＤＣ／ＤＣコンバータ９のリアクトルＬｃは、レセプタクル搭載基板１６２の主面１６２ａに配置される。昇圧ＤＣ／ＤＣコンバータ９に接続されるリアクトルＬｃのサイズは、昇圧ＤＣ／ＤＣコンバータ９が出力する電流に応じて大きくなる。吸引器１００においてヒータＨＴＲは最も消費電流及び消費電力が大きい部品であるため、リアクトルＬｃは昇圧ＤＣ／ＤＣコンバータ９そのものよりも大きくなりやすい。また、昇圧時にスイッチングされるスイッチを内蔵する昇圧ＤＣ／ＤＣコンバータ９に比べてリアクトルＬｃの発熱は少ない。したがって、熱拡散部材３００がこのリアクトルＬｃを覆わないので、熱拡散部材３００のサイズが大きくなり過ぎたり、形状が複雑になることを回避できる。このように簡易な形状の熱拡散部材３００を用いて適切な電子部品を保護することで、吸引器１００の動作を安定させることができる。また、基板上で多くの面積を占める昇圧ＤＣ／ＤＣコンバータ９とリアクトルＬｃを回路基板の同一面に配置する場合に比べて、基板のサイズを小さくできるので、吸引器１００のコストやサイズを削減できる。

また、熱拡散部材３００は、リアクトル用コンデンサＣ３～Ｃ５を覆わず、リアクトルＬｃと同様にリアクトル用コンデンサＣ３～Ｃ５もレセプタクル搭載基板１６２の主面１６２ａに配置される。熱拡散部材３００が、発熱が比較的に少ないリアクトル用コンデンサＣ３～Ｃ５を覆わないようにすることで、熱拡散部材３００のサイズが大きくなり過ぎたり、形状が複雑になることを回避できる。簡易な形状の熱拡散部材３００を用いて適切な電子部品を保護することで、吸引器１００の動作を安定させることができる。また、基板上で多くの面積を占める昇圧ＤＣ／ＤＣコンバータ９とリアクトル用コンデンサＣ３～Ｃ５を同一面に配置する場合に比べて、基板のサイズを小さくできるので、吸引器１００のコストやサイズを削減できる。

また、熱拡散部材３００は、出力コンデンサＣ８～Ｃ１２を覆わない。出力コンデンサＣ８～Ｃ１２は、十分にリップル電流やリップル電圧が除去できるように、一般的に容量が大きなものが用いられる。コンデンサのサイズは、その容量におおよそ依存する。これら出力コンデンサＣ８～Ｃ１２を覆うと熱拡散部材３００が大型化してしまう。また、出力コンデンサＣ８～Ｃ１２は電流や電圧のリップルを除去する際に発熱してしまう。このような出力コンデンサＣ８～Ｃ１２を熱拡散部材３００が覆わないようにすることで、昇圧ＤＣ／ＤＣコンバータ９の発熱を効果的に拡散できると共に、吸引器１００のコストを低減できる。

出力コンデンサＣ９～Ｃ１２は、副面１６２ｂに配置される電子部品の中で高さが最も高い電子部品である。これら出力コンデンサＣ９～Ｃ１２は、熱拡散部材３００が配置されない残余領域１９２に配置され、熱拡散部材３００によって覆われない。熱拡散部材３００が、最も背が高い電子部品を覆わないようにすることで、熱拡散部材３００のサイズが大きくなり過ぎたり、形状が複雑になることを回避できる。なお、図２３に示すように、残余領域１９２には、出力コンデンサＣ９～Ｃ１２の他に、コンデンサＣ７、出力コンデンサＣ８、抵抗器Ｒ１４、及び過電圧保護ＩＣ１１等が配置されている。

また、熱拡散部材３００は、バイパスコンデンサＣ１、Ｃ２を部分的に覆う。より具体的には、熱拡散部材３００は、複数のバイパスコンデンサＣ１、Ｃ２のうち第１バイパスコンデンサＣ１を覆わず、第２バイパスコンデンサＣ２を覆う。バイパスコンデンサＣ１、Ｃ２は、昇圧ＤＣ／ＤＣコンバータ９の入力端子ＶＩＮへリップル電流やリップル電圧などが入力されないようにする。十分に平滑化されるようにバイパスコンデンサとして複数の平滑コンデンサを設けることが好ましい。しかし、バイパスコンデンサＣ１、Ｃ２が高温になると、リップル電流やリップル電圧を十分に除去できない虞がある。一方で、熱拡散部材３００が全てのバイパスコンデンサＣ１、Ｃ２を覆うと熱拡散部材３００のサイズが大きくなり過ぎたり、形状が複雑になる。したがって、熱拡散部材３００が複数のバイパスコンデンサＣ１、Ｃ２のうち一部のコンデンサ（本実施形態では、第２バイパスコンデンサＣ２）のみを少なくとも部分的に覆うことで、熱拡散部材３００によって第２バイパスコンデンサＣ２が高温になることが抑制され、昇圧ＤＣ／ＤＣコンバータ９が故障したり誤動作しにくくなる。さらに、第２バイパスコンデンサＣ２のみを覆うことで、熱拡散部材３００のサイズが大きくなり過ぎたり、形状が複雑になることを回避できる。

ここで、第２バイパスコンデンサＣ２は第１バイパスコンデンサＣ１よりも容量が小さいコンデンサである。前述した通り、コンデンサのサイズは、その容量におおよそ依存する。つまり、容量が小さいコンデンサほど局所的な熱が発生しやすいといえる。したがって、容量の小さい第２バイパスコンデンサＣ２を、熱拡散部材３００により優先して保護することが好ましい。このように簡易な形状の熱拡散部材３００を用いて適切な電子部品を保護することがで、吸引器１００の動作を安定させることができる。なお、本実施形態に代えて、熱拡散部材３００は、複数のバイパスコンデンサＣ１、Ｃ２のうち第２バイパスコンデンサＣ２を覆わず、第１バイパスコンデンサＣ１を覆ってもよい。また、熱拡散部材３００は、第１バイパスコンデンサＣ１の一部及び／又は第２バイパスコンデンサＣ２の一部のみを覆ってもよい。

［グランド］
次にレセプタクル搭載基板１６２のグランドについて図２４を参照しながら説明する。図２４は、レセプタクル搭載基板１６２の内部構造を説明する図であり、（Ａ）部分は（Ｂ）部分のＡ－Ａ線断面図である。また、（Ｂ）部分は、レセプタクル搭載基板１６２の前後方向における断面図である。
図２４に示すように、レセプタクル搭載基板１６２は、複数の層が積層されて構成された多層基板であって、主面１６２ａを構成する主面側表面層４０２と、互いに絶縁された２つのグランドＰＧＮＤ、ＡＧＮＤが設けられたグランド層４０４と、副面１６２ｂを構成する副面側表面層４０６と、主面側表面層４０２とグランド層４０４との間に設けられた主面側電源層４０３と、副面側表面層４０６とグランド層４０４との間に設けられた副面側電源層４０５と、を備える。各層の間には、不図示のプリプレグが設けられ隣接する層同志が絶縁状態に維持される。

主面側電源層４０３と副面側電源層４０５は、不図示のビア（スルーホール）を介して適宜電気的に接続され、図１２のレセプタクル搭載基板１６２に搭載される範囲１６２Ａで示した細い実線で示した回路を構成する。昇圧ＤＣ／ＤＣコンバータ９の周辺において、主面側電源層４０３及び副面側電源層４０５には、昇圧ＤＣ／ＤＣコンバータ９の入力端子ＶＩＮ、スイッチング端子ＳＷ、バイパスコンデンサＣ１、Ｃ２の一端、リアクトルＬｃの両端、リアクトル用コンデンサＣ３～Ｃ５の一端、出力コンデンサＣ８～Ｃ１２の一端、出力端子ＶＯＵＴが接続される。

グランド層４０４には、比較的大きな電流が流れる回路に接続されるパワーグランドＰＧＮＤと、比較的小さな電流が流れる回路に接続される信号グランドＡＧＮＤの２つのグランドが設けられる。グランド層４０４におけるパワーグランドＰＧＮＤと信号グランドＡＧＮＤとの間の領域は、絶縁材料から構成された絶縁部１９４である。

図２０に示すように、パワーグランドＰＧＮＤには、昇圧ＤＣ／ＤＣコンバータ９のパワーグランド端子ＰＧＰ（図１０の昇圧ＤＣ／ＤＣコンバータ９のグランド端子ＧＮＤ）、一端がノードＮ１とリアクトルＬｃを結ぶ配線に接続されたリアクトル用コンデンサＣ３～Ｃ５の他端、及び一端が出力端子ＶＯＵＴとノードＮ２を結ぶ配線に接続された出力コンデンサＣ８～Ｃ１２の他端が接続される。

また、パワーグランドＰＧＮＤは、上記したように図１０に示したグランドラインであり、パワーグランドＰＧＮＤには、図１２のレセプタクル搭載基板１６２に搭載される範囲１６２Ａに含まれる、保護ＩＣ１０、過電圧保護ＩＣ１１、残量計ＩＣ１２、レセプタクルＲＣＰの電源端子ＶＳＳ及びグランド端子ＧＮＤが接続される。

さらに、図１０に示すように、パワーグランドＰＧＮＤには、ヒータコネクタＣｎ負極へ接続されるトランジスタであるスイッチＳ６が接続され、さらにレセプタクルＲＣＰのグランド端子ＧＮＤが接続される。昇圧ＤＣ／ＤＣコンバータ９の出力端子ＶＯＵＴと、他のＩＣ、スイッチＳ６、及びレセプタクルＲＣＰが同じグランドへ接続されることで、これらは、共通の基準電位（＝パワーグランドＰＧＮＤの電位）を有することになる。したがって、吸引器１００の動作が安定し、またこれらの間で短絡が発生しにくくもなることで吸引器１００の安全性も向上する。

また、レセプタクル搭載基板１６２のパワーグランドＰＧＮＤには、上記したようにスペーサ１７３を介してＭＣＵ搭載基板１６１のグランドが接続される。これにより、ＭＣＵ搭載基板１６１とレセプタクル搭載基板１６２のグランド電位を揃えることができ、ＭＣＵ搭載基板１６１とレセプタクル搭載基板１６２との間の充電用電力、動作用電力の供給及び通信を安定させることができる。一方、ＭＣＵ搭載基板１６１のグランドは、信号グランドＡＧＮＤへは直接的に接続されない。したがって、信号グランドＡＧＮＤが、パワーグランドＰＧＮＤとＭＣＵ搭載基板１６１のグランドの電位を併せる際に生じる熱やノイズの影響を受けにくくなる。

信号グランドＡＧＮＤには、昇圧ＤＣ／ＤＣコンバータ９の信号グランド端子ＡＧＰ、一端が第２制御端子Ｐ３２に接続された抵抗器Ｒ１１の他端、一端がノードＮ１と入力端子ＶＩＮとの接続ラインに接続されたバイパスコンデンサＣ１、Ｃ２の他端、一端が第３制御端子Ｐ３３に接続された抵抗器Ｒ１４とコンデンサＣ７の直列回路の他端、一端が出力端子ＶＯＵＴと出力コンデンサＣ８～Ｃ１２との接続ラインに接続され接続点がフィードバック端子ＦＢに接続された分圧回路Ｐｇの他端、一端が第１制御端子Ｐ３１に接続されたコンデンサＣ６の他端が接続される。即ち、抵抗器Ｒ１１～Ｒ１４、コンデンサＣ６、Ｃ７、及びバイパスコンデンサＣ１、Ｃ２は、昇圧ＤＣ／ＤＣコンバータ９と信号グランドＡＧＮＤの間の電力経路上に配置される。これらの電子部品は、昇圧ＤＣ／ＤＣコンバータ９によって電圧変換制御が実行されている時に機能する電子部品である。

このように信号グランドＡＧＮＤへは、電圧変換制御が実行されている時に機能する電子部品が接続され、より好ましくは電圧変換制御が実行されている時に機能する電子部品のみが接続される。信号グランドＡＧＮＤには昇圧ＤＣ／ＤＣコンバータ９とは関連性が低い電子部品が接続されないことで、信号グランドＡＧＮＤの電位が安定し、フィードバック端子ＦＢが検出する電圧値も安定する。したがって、昇圧ＤＣ／ＤＣコンバータ９がヒータＨＴＲへ印加する電圧が安定し、生成されるエアロゾルの量や香喫味を安定なものにできる。反対に、レセプタクル搭載基板１６２に配置された電子部品のうち、電圧変換制御が実行されていない時に機能する電子部品であるレセプタクルＲＣＰ及び過電圧保護ＩＣ１１は、パワーグランドＰＧＮＤに接続される（図１０参照）。

なお、信号グランドＡＧＮＤへは、昇圧ＤＣ／ＤＣコンバータ９とは関連性が低い電子部品が接続されてもよい。ただし、昇圧ＤＣ／ＤＣコンバータ９によって電圧変換制御が実行されている時に機能し且つ信号グランドＡＧＮＤへ接続される電子部品の数は、電圧変換制御が実行されていない時に機能し且つ信号グランドＡＧＮＤへ接続される電子部品の数より多いことが好ましい。これにより、信号グランドＡＧＮＤの電位が安定し、フィードバック端子ＦＢが検出する電圧値も安定するので、昇圧ＤＣ／ＤＣコンバータ９がヒータＨＴＲへ印加する電圧が安定し、生成されるエアロゾルの量や香喫味を安定なものにできる。

昇圧ＤＣ／ＤＣコンバータ９と信号グランドＡＧＮＤの間の電力経路上に配置される素子である抵抗器Ｒ１１～Ｒ１４、コンデンサＣ６、Ｃ７、及びバイパスコンデンサＣ１、Ｃ２のうち、副面１６２ｂへ配置される素子の数は、主面１６２ａへ配置される素子の数より多いことが好ましく、全ての素子が副面１６２ｂへ配置されることがさらに好ましい。本実施形態では、抵抗器Ｒ１１～Ｒ１４、コンデンサＣ６、Ｃ７、及びバイパスコンデンサＣ１、Ｃ２の全てが副面１６２ｂに配置される。これにより、信号グランドＡＧＮＤを、それぞれの面に配置された素子を接続するような形状にする状況を減らすことができるので、信号グランドＡＧＮＤを小型化し、基板の他の箇所からノイズが侵入する可能性を減らすことができる。また、パワーグランドＰＧＮＤを大面積化し、パワーグランドＰＧＮＤの電位を安定にすることができる。

また、これら抵抗器Ｒ１１～Ｒ１４、コンデンサＣ６、Ｃ７、及びバイパスコンデンサＣ１、Ｃ２は、集約して配置されることが好ましい。本実施形態では、図２３に示すように、副面１６２ｂに直交する方向（本実施形態では前後方向）から見て四角形の昇圧ＤＣ／ＤＣコンバータ９の中心を始点とし、昇圧ＤＣ／ＤＣコンバータ９の頂点を含むように伸びる４本の対角線によって区画形成される回路基板上の４個の領域を第１領域ＡＲ１～第４領域ＡＲ４とすると、バイパスコンデンサＣ１、Ｃ２及びコンデンサＣ６が第１領域ＡＲ１に配置され、抵抗器Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１４、及びコンデンサＣ７が第３領域ＡＲ３に配置される。また、抵抗器Ｒ１３は第２領域ＡＲ２に配置され、第４領域ＡＲ４にはいずれの素子も配置されていない。このように昇圧ＤＣ／ＤＣコンバータ９と信号グランドＡＧＮＤの間の電力経路上に配置される素子が複数配置される領域と、素子が配置されない領域を設けて、信号グランドＡＧＮＤに接続される素子を基板上に集中して配置することで信号グランドＡＧＮＤの面積を小さくでき、基板の他の箇所からノイズが侵入する可能性を減らすことができる。また、パワーグランドＰＧＮＤを大面積化し、パワーグランドＰＧＮＤの電位を安定にすることができる。

図２４に示すように、パワーグランドＰＧＮＤの面積（（Ａ）のドットでハッチングした領域）は、信号グランドＡＧＮＤの面積（（Ａ）の斜線でハッチングした領域）より広い。パワーグランドＰＧＮＤが広大な面積を有することで、パワーグランドＰＧＮＤの電位が安定する。これにより、昇圧ＤＣ／ＤＣコンバータ９が出力する波形から電流や電圧のリップルをより効果的に除去できるので、昇圧ＤＣ／ＤＣコンバータ９が出力する電圧の波形が理想的な定常波に近くなり、生成されるエアロゾルの量や香喫味を安定なものにできる。

また、信号グランドＡＧＮＤは、パワーグランドＰＧＮＤに少なくとも部分的に囲まれる。本実施形態では、パワーグランドＰＧＮＤが信号グランドＡＧＮＤの全周を囲むように配置されている。これにより、パワーグランドＰＧＮＤによって信号グランドＡＧＮＤが外部からのノイズなどから保護される。

また、本実施形態では、多層基板であるレセプタクル搭載基板１６２において、パワーグランドＰＧＮＤと信号グランドＡＧＮＤが同一の層に設けられたが、これに限らず異なる層に設けられてもよい。同一の層とすることで、多層基板の層数を削減できる。

また、パワーグランドＰＧＮＤと信号グランドＡＧＮＤは、共通グランドＣＧＮＤで電気的に接続される。共通グランドＣＧＮＤにより２つのグランドが共通の電位を有することになる。共通グランドＣＧＮＤは、レセプタクル搭載基板１６２に設けられてもよく、レセプタクル搭載基板１６２の外部に設けられてもよい。レセプタクル搭載基板１６２の外部に設けられることで、パワーグランドＰＧＮＤ及び信号グランドＡＧＮＤが共通グランドＣＧＮＤから離間され、パワーグランドＰＧＮＤ及び信号グランドＡＧＮＤが共通グランド由来の熱やノイズの影響を受けにくくなる。これにより、電位のズレの解消に伴って発生する熱やノイズの影響をパワーグランドＰＧＮＤ及び信号グランドＡＧＮＤへ接続される電子部品が受けにくくなり、吸引器１００の動作が安定しやすくなる。本実施形態の共通グランドＣＧＮＤは、レセプタクル搭載基板１６２の外部の一例として、昇圧ＤＣ／ＤＣコンバータ９の底面に設けられている。

ここで、レセプタクル搭載基板１６２の主面１６２ａには、主面１６２ａに直交する方向（本実施形態では前後方向）から見て共通グランドＣＧＮＤと重なる共通グランド投影領域１６７に電子部品が設けられていない。図２２には、共通グランド投影領域１６７が記載されている。２つのグランドＰＧＮＤ、ＡＧＮＤは回路基板内で絶縁されているため電位が異なりやすい。この電位のズレを解消するための共通グランドＣＧＮＤでは、電位のズレの解消に伴い熱やノイズが発生する。この熱やノイズは、共通グランドＣＧＮＤの近傍、例えば共通グランドＣＧＮＤの真裏まで伝達する虞がある。このような箇所に電子部品を配置しないことで、電位のズレの解消に伴って発生する熱やノイズの影響を電子部品が受けにくくなり、吸引器１００の動作が安定しやすくなる。

一方、昇圧ＤＣ／ＤＣコンバータ９の主面１６２ａには、主面１６２ａに直交する方向（本実施形態では前後方向）から見て昇圧ＤＣ／ＤＣコンバータ９の底面のうち共通グランドＣＧＮＤに含まれない残余部９０（図２０参照）と重なる残余部投影領域１６８に電子部品が配置されていてもよい。図２２には、共通グランド投影領域１６７とともに残余部投影領域１６８が記載されている。残余部投影領域１６８に電子部品を配置する場合、昇圧ＤＣ／ＤＣコンバータ９の底面と重なる領域全体に電子部品を配置しない場合と比べて、回路基板における電子部品の配置の態様の自由度が向上するので、回路基板の利用効率が向上し、回路基板の大型化を回避できる。なお、この電子部品は、ＩＣ、スイッチ等の能動素子を含んでもよく、抵抗器、コンデンサ等の受動素子を含んでもよいが、電子部品の中でも精密なＩＣとスイッチのうち少なくとも一方を含まないことが好ましく、ＩＣとスイッチの両方を含まないことがより好ましく、電子部品のなかでもノイズや熱の影響を受けにくい受動素子であることがさらに好ましい。これにより、回路基板の利用効率しつつ吸引器１００の動作が安定しやすくなる。

さらに、主面１６２ａに配置される昇圧ＤＣ／ＤＣコンバータ９のリアクトルＬｃは、共通グランド投影領域１６７に配置されないことが好ましく、共通グランド投影領域１６７及び残余部投影領域１６８に配置されないことがさらに好ましい。リアクトルＬｃが共通グランド投影領域１６７に配置されないことで、リアクトルＬｃが共通グランドＣＧＮＤ由来の熱やノイズの影響を受けにくくなるので、昇圧ＤＣ／ＤＣコンバータ９における電圧変換が安定しやすくなり、結果として生成されるエアロゾルの量や香喫味も安定する。

［ＭＣＵ搭載基板］
図２５は、ＭＣＵ搭載基板１６１の主面１６１ａを示す図である。上下方向に延設されたＭＣＵ搭載基板１６１の主面１６１ａには、上端部にヒータ温度センサを構成するサーミスタＴ３が導線を介して接続されるヒータ温度検出用コネクタＣｎ（ｔ３）が配置され、その下側に充電ＩＣ２が配置される。また、レセプタクル搭載基板１６２の開口部１７６に対応する位置には、スペーサ１７３を固定する開口部１７５が配置され、開口部１７５の近傍にＭＣＵ１が配置されている。

レセプタクルＲＣＰが配置されたレセプタクル搭載基板１６２に対し、ＭＣＵ１をＭＣＵ搭載基板１６１に配置することで、ＭＣＵ１がレセプタクルＲＣＰから離されるため、レセプタクルＲＣＰから侵入する虞がある静電気などの影響を受けにくくなる。これにより、吸引器１００の動作をより安定にすることができる。

また、ＭＣＵ１は、主面１６１ａよりもレセプタクル搭載基板１６２の副面１６２ｂから遠い副面１６１ｂに配置されるので、ＭＣＵ１を、熱源と成り得るレセプタクル搭載基板１６２と電源ＢＡＴから出来る限り離すことができ、吸引器１００の動作が安定するようになる。

図２６は、ＭＣＵ搭載基板１６１の副面１６１ｂを示す図である。ＭＣＵ搭載基板１６１の副面１６１ｂには、開口部１７５の上側に振動モータＭが導線を介して接続されるモータコネクタ２２６が配置され、さらに上端部に、ケース温度センサを構成するサーミスタＴ４が導線を介して接続されるケース温度検出用コネクタＣｎ（ｔ４）、及び吸気センサを構成するサーミスタＴ２が導線を介して接続される吸気検出用コネクタＣｎ（ｔ２）が配置されている。

ＭＣＵ搭載基板１６１とレセプタクル搭載基板１６２を電気的に接続するフレキシブル配線板１６５は、ＭＣＵ搭載基板１６１及びレセプタクル搭載基板１６２のＦＰＣ接続部２３１、２３２同士を接続する。ＦＰＣ接続部２３１、２３２は、ＭＣＵ搭載基板１６１及びレセプタクル搭載基板１６２それぞれの右端部、且つ、上下方向において略中央部から下方に向かって開口部１７５、１７６近傍に至る箇所に位置する。

以上、図面を参照しながら各種の実施の形態について説明したが、本発明はかかる例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された範疇内において、各種の変更例又は修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。また、発明の趣旨を逸脱しない範囲において、上記実施の形態における各構成要素を任意に組み合わせてもよい。

例えば、上述の実施形態では、リアクトル用コンデンサＣ３～Ｃ５はノードＮ１とリアクトルＬｃの一端との間に並列に接続されていたが、リアクトルＬｃの他端とスイッチング端子ＳＷとの間に並列に接続されていてよい。

本明細書には少なくとも以下の事項が記載されている。なお、括弧内には、上記した実施形態において対応する構成要素等を示しているが、これに限定されるものではない。

（１） 電源（電源ＢＡＴ）と、
前記電源から供給される電力を消費してエアロゾル源を加熱するヒータ（ヒータＨＴＲ）が接続されるヒータコネクタ（ヒータコネクタＣｎ）と、
前記ヒータコネクタへ接続され且つ入力される電圧を変換して出力する出力端子（出力端子ＶＯＵＴ）と、前記出力端子から出力される電圧を検出する検出端子（フィードバック端子ＦＢ）と、を含む電圧変換ＩＣ（昇圧ＤＣ／ＤＣコンバータ９）と、
前記電圧変換ＩＣが配置される第１面（副面１６２ｂ）と、前記第１面の裏面である第２面（主面１６２ａ）とを含む回路基板（レセプタクル搭載基板１６２）と、
一端が前記出力端子へ接続されるコンデンサ（出力コンデンサＣ８～Ｃ１２）と、
前記回路基板の内部に設けられ、前記コンデンサの他端へ接続される第１グランド（パワーグランドＰＧＮＤ）と、
前記回路基板の内部に設けられ、前記回路基板の内部で前記第１グランドから絶縁され、前記検出端子へ接続される第２グランド（信号グランドＡＧＮＤ）と、
前記第１グランドと前記第２グランドを電気的に接続する共通グランド（共通グランドＣＧＮＤ）と、を備え、
前記第２面には、前記回路基板に直交する方向から見て前記共通グランドと重なる共通グランド投影領域（共通グランド投影領域１６７）に電子部品が設けられていない、
エアロゾル生成装置の電源ユニット（非燃焼式吸引器１００）。

２つのグランドは、回路基板内で絶縁されているため電位が異なることがある。この電位のズレを解消するための共通グランドでは、電位のズレの解消に伴い熱やノイズが発生する。この熱やノイズは、共通グランドの近傍、例えば共通グランドの真裏まで伝達する虞がある。（１）によれば、このような箇所に電子部品を配置しないことで、電位のズレの解消に伴って発生する熱やノイズの影響を電子部品が受けにくくなり、エアロゾル生成装置の電源ユニットの動作が安定する。

（２） （１）に記載のエアロゾル生成装置の電源ユニットであって、
前記共通グランドは、前記電圧変換ＩＣの底面に設けられる、
エアロゾル生成装置の電源ユニット。

（２）によれば、共通グランドが、他の電子部品から隔離された場所に設けられることで、他の電子部品が共通グランド由来の熱やノイズの影響を受けにくくなり、エアロゾル生成装置の電源ユニットの動作がより安定しやすくなる。

（３） （２）に記載のエアロゾル生成装置の電源ユニットであって、
前記共通グランドは、前記電圧変換ＩＣの底面の一部に設けられ、
前記第２面には、前記回路基板に直交する方向から見て前記電圧変換ＩＣの底面のうち前記一部に含まれない残余部（残余部９０）と重なる残余部投影領域（残余部投影領域１６８）に第１電子部品が配置される、
エアロゾル生成装置の電源ユニット。

（３）によれば、電圧変換ＩＣの底面と重なる領域全体に電子部品を配置しない場合と比べて、回路基板における電子部品の配置の態様の自由度が向上するので、基板の利用効率が向上し、回路基板の大型化を回避できる。

（４） （３）に記載のエアロゾル生成装置の電源ユニットであって、
前記第１電子部品は、ＩＣとスイッチのうち少なくとも一方を含まない、
エアロゾル生成装置の電源ユニット。

（４）によれば、共通グランド投影領域ほどでは無いものの、多少なりともノイズや熱の影響を受ける虞のある残余部投影領域に、電子部品のなかでも精密なＩＣやスイッチを配置しないことで、基板の大型化を回避しつつも、エアロゾル生成装置の動作が安定しやすくなる。

（５） （３）に記載のエアロゾル生成装置の電源ユニットであって、
前記第１電子部品は、受動素子である、
エアロゾル生成装置の電源ユニット。

（５）によれば、共通グランド投影領域ほどでは無いものの、多少なりともノイズや熱の影響を受ける虞のある残余部投影領域に、電子部品のなかでもノイズや熱の影響を受けにくい受動素子を配置することで、エアロゾル生成装置の動作が安定しやすくなる。

（６） （１）から（５）のいずれかに記載のエアロゾル生成装置の電源ユニットであって、
前記電圧変換ＩＣと前記第２グランドの間の電力経路上に配置される複数の第１素子（抵抗器Ｒ１１～Ｒ１４、コンデンサＣ１、Ｃ２、Ｃ６、Ｃ７）を備え、
前記複数の第１素子のうち前記第１面へ配置される素子の数は、前記第１素子のうち前記第２面へ配置される素子の数より多い、
エアロゾル生成装置の電源ユニット。

（６）によれば、第２グランドを、それぞれの面に配置された素子を接続するような形状にする状況を減らすことができるので、第２グランドを小型化し、基板の他の箇所からノイズが侵入する可能性を減らし、また第１グランドを大面積化し、第１グランドの電位を安定にすることができる。

（７） （６）に記載のエアロゾル生成装置の電源ユニットであって、
前記第１素子の全てが前記第１面に配置される、
エアロゾル生成装置の電源ユニット。

（７）によれば、第２グランドを、それぞれの面に配置された素子を接続するような形状にしなくてよいので、第２グランドを小型化し、基板の他の箇所からノイズが侵入する可能性を減らし、また第１グランドを大面積化し、第１グランドの電位を安定にすることができる。

（８） （６）に記載のエアロゾル生成装置の電源ユニットであって、
電圧変換ＩＣと前記第２グランドの間の電力経路上に配置され、前記回路基板上に配置される複数の第１素子（抵抗器Ｒ１１～Ｒ１４、コンデンサＣ１、Ｃ２、Ｃ６、Ｃ７）を備え、
前記電圧変換ＩＣは、前記回路基板に直交する方向から見てＮ角形の形状を有し、
前記電圧変換ＩＣの中心を始点とし、前記電圧変換ＩＣの頂点を含むように伸びるＮ本の仮想線によって区画形成される、前記回路基板上のＮ個の領域（領域ＡＲ１～ＡＲ４）のうち少なく１つ（領域ＡＲ１、ＡＲ３）は、前記複数の第１素子のうち複数の素子を含む、
エアロゾル生成装置の電源ユニット。

（８）によれば、第２グランドに接続される素子を基板上に集中して配置することで、第２グランドの面積を小さくできるので、基板の他の箇所からノイズが侵入する可能性を減らし、また第１グランドを大面積化し、第１グランドの電位を安定にすることができる。

（９） （８）に記載のエアロゾル生成装置の電源ユニットであって、
前記Ｎ個の領域のうち少なく１つ（領域ＡＲ４）は、前記第１素子を含まない、
エアロゾル生成装置の電源ユニット。

（９）によれば、第２グランドに接続される素子を基板上に集中して配置することで、第２グランドの面積を小さくできるので、基板の他の箇所からノイズが侵入する可能性を減らし、また第１グランドを大面積化し、第１グランドの電位を安定にすることができる。

（１０） （１）から（９）のいずれかに記載のエアロゾル生成装置の電源ユニットであって、
一端が前記電源へ接続され、他端が前記電圧変換ＩＣへ接続されるリアクトルを含み、
前記リアクトルは、前記第２面に配置される、
エアロゾル生成装置の電源ユニット。

（１０）によれば、電圧変換ＩＣとリアクトルは、電圧変換中に共に発熱する素子であり、これらを別の面に配置することで、熱の集中を回避できるので、エアロゾル生成装置の電源ユニットの耐久性を向上できる。

（１１） （１０）に記載のエアロゾル生成装置の電源ユニットであって、
前記リアクトルは、前記回路基板に直交する方向から見て前記共通グランドと重なる共通グランド投影領域に含まれない領域に配置される、
エアロゾル生成装置の電源ユニット。

（１１）によれば、リアクトルが共通グランド由来の熱やノイズの影響を受けにくくなるので、電圧変換ＩＣにおける電圧変換が安定しやすくなり、結果として生成されるエアロゾルの量や香喫味も安定する。

なお、本出願は、２０２１年５月１０日出願の日本特許出願（特願２０２１－０７９８８２）に基づくものであり、その内容は本出願の中に参照として援用される。

９ 昇圧ＤＣ／ＤＣコンバータ
９０ 残余部
１００ 非燃焼式吸引器（エアロゾル生成装置の電源ユニット）
１６２ａ 主面（第２面）
１６２ｂ 副面（第１面）
１６２ レセプタクル搭載基板（回路基板）
１６７ 共通グランド投影領域
１６８ 残余部投影領域
Ｒ１１ 抵抗器（第１素子）
Ｒ１２ 抵抗器（第１素子）
Ｒ１３ 抵抗器（第１素子）
Ｒ１４ 抵抗器（第１素子）
Ｃ６ コンデンサ（第１素子）
Ｃ７ コンデンサ（第１素子）
Ｃ８ 出力コンデンサ
Ｃ９ 出力コンデンサ
Ｃ１０ 出力コンデンサ
Ｃ１１ 出力コンデンサ
Ｃ１２ 出力コンデンサ
ＢＡＴ 電源
ＨＴＲ ヒータ
Ｃｎ ヒータコネクタ
ＶＯＵＴ 出力端子
ＦＢ フィードバック端子（検出端子）
ＰＧＮＤ パワーグランド（第１グランド）
ＡＧＮＤ 信号グランド（第２グランド）
ＣＧＮＤ 共通グランド

Claims (11)

1. 電源と、
   前記電源から供給される電力を消費してエアロゾル源を加熱するヒータが接続されるヒータコネクタと、
   前記ヒータコネクタへ接続され且つ入力される電圧を変換して出力する出力端子と、前記出力端子から出力される電圧を検出する検出端子と、を含む電圧変換ＩＣと、
   前記電圧変換ＩＣが配置される第１面と、前記第１面の裏面である第２面とを含む回路基板と、
   一端が前記出力端子へ接続されるコンデンサと、
   前記回路基板の内部に設けられ、前記コンデンサの他端へ接続される第１グランドと、
   前記回路基板の内部に設けられ、前記回路基板の内部で前記第１グランドから絶縁され、前記検出端子へ接続される第２グランドと、
   前記第１グランドと前記第２グランドを電気的に接続する共通グランドと、を備え、
   前記第２面には、前記回路基板に直交する方向から見て前記共通グランドと重なる共通グランド投影領域に電子部品が設けられていない、
   エアロゾル生成装置の電源ユニット。
2. 請求項１に記載のエアロゾル生成装置の電源ユニットであって、
   前記共通グランドは、前記電圧変換ＩＣの底面に設けられる、
   エアロゾル生成装置の電源ユニット。
3. 請求項２に記載のエアロゾル生成装置の電源ユニットであって、
   前記共通グランドは、前記電圧変換ＩＣの底面の一部に設けられ、
   前記第２面には、前記回路基板に直交する方向から見て前記電圧変換ＩＣの底面のうち前記一部に含まれない残余部と重なる残余部投影領域に第１電子部品が配置される、
   エアロゾル生成装置の電源ユニット。
4. 請求項３に記載のエアロゾル生成装置の電源ユニットであって、
   前記第１電子部品は、ＩＣとスイッチのうち少なくとも一方を含まない、
   エアロゾル生成装置の電源ユニット。
5. 請求項３に記載のエアロゾル生成装置の電源ユニットであって、
   前記第１電子部品は、受動素子である、
   エアロゾル生成装置の電源ユニット。
6. 請求項１から５のいずれか一項に記載のエアロゾル生成装置の電源ユニットであって、
   前記電圧変換ＩＣと前記第２グランドの間の電力経路上に配置される複数の第１素子を備え、
   前記複数の第１素子のうち前記第１面へ配置される素子の数は、前記第１素子のうち前記第２面へ配置される素子の数より多い、
   エアロゾル生成装置の電源ユニット。
7. 請求項６に記載のエアロゾル生成装置の電源ユニットであって、
   前記第１素子の全てが前記第１面に配置される、
   エアロゾル生成装置の電源ユニット。
8. 請求項６に記載のエアロゾル生成装置の電源ユニットであって、
   前記電圧変換ＩＣと前記第２グランドの間の電力経路上に配置され、前記回路基板上に配置される複数の第１素子を備え、
   前記電圧変換ＩＣは、前記回路基板に直交する方向から見てＮ角形の形状を有し、
   前記電圧変換ＩＣの中心を始点とし、前記電圧変換ＩＣの頂点を含むように伸びるＮ本の仮想線によって区画形成される、前記回路基板上のＮ個の領域のうち少なく１つは、前記複数の第１素子のうち複数の素子を含む、
   エアロゾル生成装置の電源ユニット。
9. 請求項８に記載のエアロゾル生成装置の電源ユニットであって、
   前記Ｎ個の領域のうち少なく１つは、前記第１素子を含まない、
   エアロゾル生成装置の電源ユニット。
10. 請求項１から９のいずれか一項に記載のエアロゾル生成装置の電源ユニットであって、
    一端が前記電源へ接続され、他端が前記電圧変換ＩＣへ接続されるリアクトルを含み、
    前記リアクトルは、前記第２面に配置される、
    エアロゾル生成装置の電源ユニット。
11. 請求項１０に記載のエアロゾル生成装置の電源ユニットであって、
    前記リアクトルは、前記回路基板に直交する方向から見て前記共通グランドと重なる共通グランド投影領域に含まれない領域に配置される、
    エアロゾル生成装置の電源ユニット。

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