JP7447815B2 - optical recording medium - Google Patents

optical recording medium Download PDF

Info

Publication number
JP7447815B2
JP7447815B2 JP2020569622A JP2020569622A JP7447815B2 JP 7447815 B2 JP7447815 B2 JP 7447815B2 JP 2020569622 A JP2020569622 A JP 2020569622A JP 2020569622 A JP2020569622 A JP 2020569622A JP 7447815 B2 JP7447815 B2 JP 7447815B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
oxide
atomic
layer
recording
recording medium
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2020569622A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPWO2020158680A1 (en
Inventor
光太郎 黒川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Corp
Sony Group Corp
Original Assignee
Sony Corp
Sony Group Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp, Sony Group Corp filed Critical Sony Corp
Publication of JPWO2020158680A1 publication Critical patent/JPWO2020158680A1/en
Application granted granted Critical
Publication of JP7447815B2 publication Critical patent/JP7447815B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/2403Layers; Shape, structure or physical properties thereof
    • G11B7/24035Recording layers
    • G11B7/24038Multiple laminated recording layers
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/242Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
    • G11B7/243Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
    • G11B7/2433Metals or elements of Groups 13, 14, 15 or 16 of the Periodic Table, e.g. B, Si, Ge, As, Sb, Bi, Se or Te
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/252Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
    • G11B7/257Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers
    • G11B7/2578Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers consisting essentially of inorganic materials
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/26Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of record carriers

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Description

本開示は、光記録媒に関する。 TECHNICAL FIELD This disclosure relates to optical recording media .

近年、ブルーレイディスク(BD:Blu-ray(登録商標) Disc)のデータ容量(最大128GB)を超える追記型の光記録媒体の開発が進められている。このような大容量化を実現した新たな光記録媒体として、アーカイブディスク(AD)と称される光記録媒体が実用化されており、光記録媒体1枚当たり300GBのデータ容量が実現されている。 In recent years, development of write-once optical recording media that exceeds the data capacity (maximum 128 GB) of Blu-ray Discs (BDs) has been underway. As a new optical recording medium that has achieved such a large capacity, an optical recording medium called an archive disk (AD) has been put into practical use, and each optical recording medium has a data capacity of 300 GB. .

追記型の光記録媒体の技術分野においては、大容量化を実現するために、無機系の記録材料が種々検討されている。例えば特許文献1、2では、無機系の記録材料としてMnの酸化物が提案されている。 In the technical field of write-once optical recording media, various inorganic recording materials are being studied in order to realize large capacity. For example, in Patent Documents 1 and 2, Mn oxide is proposed as an inorganic recording material.

光記録媒体の容量を高める方式の一つとして、トラック密度(ディスク半径方向の単位長さに収められるトラック数)を高める方式がある。トラック密度は、トラックピッチ(トラックの間隔)が狭い程高めることができる。BDでは、トラックピッチが0.32μmであるのに対して、ADでは、トラックピッチは、BDよりも狭トラックピッチ化されており、0.225μmとなっている。また、ADでは、更なる大容量化が求められており、トラックピッチを0.225μm未満とすることが望まれるようになっている。 One method of increasing the capacity of an optical recording medium is to increase the track density (the number of tracks that can be accommodated in a unit length in the radial direction of the disk). The track density can be increased as the track pitch (interval between tracks) becomes narrower. In BD, the track pitch is 0.32 μm, whereas in AD, the track pitch is narrower than that of BD, and is 0.225 μm. Further, in AD, there is a demand for further increase in capacity, and it has come to be desired that the track pitch be less than 0.225 μm.

特許第6308128号公報Patent No. 6308128 特開2012-139876号公報Japanese Patent Application Publication No. 2012-139876

上述のような狭トラックピッチ化に伴い、記録再生ビームを絞りスポット径を小さくすることが望まれるが、BDの記録再生光学系からさらにビームを絞ることは技術的に困難になっている。記録再生ビームを絞ることなくトラックピッチを狭くすると、クロストークやクロスライトが発生する。トラックピッチを0.225μmよりも挟ピッチ化にした場合には、クロストークやクロスライトの発生が特に顕著になる。 As the track pitch becomes narrower as described above, it is desired to narrow down the recording/reproducing beam to reduce the spot diameter, but it has become technically difficult to further narrow down the beam from the recording/reproducing optical system of the BD. If the track pitch is narrowed without focusing the recording/reproducing beam, crosstalk and crosswrite will occur. When the track pitch is made narrower than 0.225 μm, the occurrence of crosstalk and crosswrite becomes particularly noticeable.

なお、“クロストーク”とは、あるトラックを再生中に隣のトラックの信号が漏れ込み、再生したい信号を乱すことをいう。“クロスライト”とは、あるトラックに信号を記録した後に隣のトラックに信号を記録すると、先に記録した信号領域が隣のトラックを記録した時に一部破壊され、再生信号が劣化することをいう。 Note that "crosstalk" refers to the fact that while a certain track is being played back, the signal from an adjacent track leaks in and disturbs the signal that is to be played back. "Cross write" refers to the fact that when a signal is recorded on one track and then recorded on the next track, the previously recorded signal area is partially destroyed when the next track is recorded, resulting in degraded playback signals. say.

本開示の目的は、クロストークおよびクロスライトを抑制することができる光記録媒を提供することにある。 An object of the present disclosure is to provide an optical recording medium that can suppress crosstalk and crosswrite.

上述の課題を解決するために、第1の開示は、
少なくとも1層の記録層を備え、
記録層は、Mnの酸化物と、Mnの酸化物以外の金属酸化物と
を含み、
Mnの酸化物の少なくとも一部が、+4価のMnとして存在し、
Mnの酸化物以外の金属酸化物が、Hf、Nb、Ta、Si、SnおよびSbの酸化物からなる群より選ばれる少なくとも1種を含み、
Mnの酸化物以外の金属酸化物中におけるHfの酸化物の割合は、8.3原子%以上62.4原子%以下であり、
Mnの酸化物以外の金属酸化物中におけるNbの酸化物の割合は、19.5原子%以上100原子%以下であり、
Mnの酸化物以外の金属酸化物中におけるTaの酸化物の割合は、7.2原子%以上81.1原子%以下であり、
Mnの酸化物以外の金属酸化物中におけるSiの酸化物の割合は、15.2原子%以上100原子%以下であり、
Mnの酸化物以外の金属酸化物中におけるSnの酸化物の割合は、16.6原子%より大きく100原子%以下であり、
Mnの酸化物以外の金属酸化物中におけるSbの酸化物の割合は、14.4原子%以上100原子%以下であり、
トラックピッチが0.225μm以下である光記録媒体である。
In order to solve the above problems, the first disclosure is as follows:
comprising at least one recording layer,
The recording layer includes an oxide of Mn and a metal oxide other than the oxide of Mn,
At least a part of the Mn oxide exists as +4-valent Mn,
The metal oxide other than the Mn oxide contains at least one selected from the group consisting of Hf, Nb, Ta, Si, Sn and Sb oxides,
The proportion of Hf oxide in metal oxides other than Mn oxide is 8.3 at % or more and 62.4 at % or less,
The proportion of the Nb oxide in the metal oxide other than the Mn oxide is 19.5 atomic % or more and 100 atomic % or less,
The proportion of Ta oxide in the metal oxide other than Mn oxide is 7.2 at% or more and 81.1 at% or less,
The proportion of the Si oxide in the metal oxide other than the Mn oxide is 15.2 atomic % or more and 100 atomic % or less,
The proportion of Sn oxide in the metal oxide other than Mn oxide is greater than 16.6 atomic % and less than 100 atomic %,
The proportion of the Sb oxide in the metal oxide other than the Mn oxide is 14.4 atomic % or more and 100 atomic % or less,
The optical recording medium has a track pitch of 0.225 μm or less.

図1Aは、本開示の第1の実施形態に係る光記録媒体の外観の一例を示す斜視図である。図1Bは、本開示の第1の実施形態に係る光記録媒体の構成の一例を示す断面図である。FIG. 1A is a perspective view showing an example of the appearance of an optical recording medium according to a first embodiment of the present disclosure. FIG. 1B is a cross-sectional view showing an example of the configuration of an optical recording medium according to the first embodiment of the present disclosure. 図2は、図1に示した各情報信号層の構成の一例を示す概略断面図である。FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing an example of the configuration of each information signal layer shown in FIG. 図3は、本開示の第2の実施形態に係る光記録媒体の一構成例を示す断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view showing a configuration example of an optical recording medium according to a second embodiment of the present disclosure. 図4は、記録層の変形例を示す概略断面図である。FIG. 4 is a schematic cross-sectional view showing a modification of the recording layer. 図5は、ディスクドライブ型評価装置の構成を示す概略図である。FIG. 5 is a schematic diagram showing the configuration of a disk drive type evaluation device. 図6Aは、記録層の組成、記録層の厚みおよび保護層の厚みと、記録層の反射率との関係を示すグラフである。図6Bは、記録層の組成、記録層の厚みおよび保護層の厚みと、記録層の透過率との関係を示すグラフである。FIG. 6A is a graph showing the relationship between the composition of the recording layer, the thickness of the recording layer, the thickness of the protective layer, and the reflectance of the recording layer. FIG. 6B is a graph showing the relationship between the composition of the recording layer, the thickness of the recording layer, the thickness of the protective layer, and the transmittance of the recording layer. 図7Aは、記録層の組成、記録層の厚みおよび保護層の厚みと、クロストーク振幅比との関係を示すグラフである。図7Bは、記録層の組成、記録層の厚みおよび保護層の厚みと、CNRとの関係を示すグラフである。FIG. 7A is a graph showing the relationship between the composition of the recording layer, the thickness of the recording layer, the thickness of the protective layer, and the crosstalk amplitude ratio. FIG. 7B is a graph showing the relationship between the composition of the recording layer, the thickness of the recording layer, the thickness of the protective layer, and CNR. 図8は、記録層に添加する添加元素の種類と、クロストーク振幅比との関係を示すグラフである。FIG. 8 is a graph showing the relationship between the type of additive element added to the recording layer and the crosstalk amplitude ratio. 図9Aは、Hfの酸化物の含有量とクロストーク振幅比との関係を示すグラフである。図9Bは、Nbの酸化物の含有量とクロストーク振幅比との関係を示すグラフである。FIG. 9A is a graph showing the relationship between the Hf oxide content and the crosstalk amplitude ratio. FIG. 9B is a graph showing the relationship between the Nb oxide content and the crosstalk amplitude ratio. 図10Aは、Taの酸化物の含有量とクロストーク振幅比との関係を示すグラフである。図10Bは、Siの酸化物の含有量とクロストーク振幅比との関係を示すグラフである。FIG. 10A is a graph showing the relationship between the Ta oxide content and the crosstalk amplitude ratio. FIG. 10B is a graph showing the relationship between the Si oxide content and the crosstalk amplitude ratio. 図11Aは、Snの酸化物の含有量とクロストーク振幅比との関係を示すグラフである。図11Bは、Sbの酸化物の含有量とクロストーク振幅比との関係を示すグラフである。FIG. 11A is a graph showing the relationship between the Sn oxide content and the crosstalk amplitude ratio. FIG. 11B is a graph showing the relationship between the Sb oxide content and the crosstalk amplitude ratio.

本開示では、少なくとも1層の記録層が基板上に設けられ、この少なくとも1層の記録層上にカバー層が設けられていることが好ましい。このカバー層の厚さは特に限定されるものではないが、高密度の光記録媒体では、高NA(Numerical Aperture)の対物レンズが用いられるため、カバー層としてシートまたはコーティング層等の薄い光透過層を採用し、この光透過層の側から光を照射することにより情報信号の記録および再生を行うことが好ましい。この場合、基板としては、不透明性を有するものを採用することも可能である。情報信号を記録または再生するための光の入射面は、光記録媒体のフォーマットに応じてカバー層側および基板側の表面の少なくとも一方に適宜設定される。 In the present disclosure, it is preferable that at least one recording layer is provided on the substrate, and that a cover layer is provided on the at least one recording layer. The thickness of this cover layer is not particularly limited, but since a high-NA (Numerical Aperture) objective lens is used in high-density optical recording media, the cover layer may be a thin light-transmitting layer such as a sheet or coating layer. It is preferable to record and reproduce information signals by employing a layer and irradiating light from the side of the light-transmitting layer. In this case, it is also possible to use an opaque substrate as the substrate. The light incident surface for recording or reproducing information signals is appropriately set on at least one of the cover layer side and the substrate side surface depending on the format of the optical recording medium.

本開示において、保存信頼性向上の観点からすると、光記録媒体は、記録層の少なくとも一方の表面に保護層をさらに備えることが好ましく、記録層の両方の表面に保護層を備えることがより好ましい。層構成や製造設備の簡略化の観点からすると、記録層のいずれの表面にも保護層を設けずに、記録層を単独で用いることが好ましい。 In the present disclosure, from the viewpoint of improving storage reliability, the optical recording medium preferably further includes a protective layer on at least one surface of the recording layer, and more preferably includes a protective layer on both surfaces of the recording layer. . From the viewpoint of simplifying the layer structure and manufacturing equipment, it is preferable to use the recording layer alone without providing a protective layer on any surface of the recording layer.

本開示において、光記録媒体が、記録層と、この記録層の少なくとも一方の面側に設けられた保護層とを備える複数の情報信号層を備える場合、生産性の観点からすると、複数の情報信号層がすべて同一の層構成を有していることが好ましい。複数の情報信号層が第1の保護層と、記録層と、第2の保護層とを備える同一の層構成を有する場合、生産性の観点からすると、第1の保護層、記録層および第2の保護層それぞれが、すべての情報信号層にて同一種の材料を含むものであることが好ましい。 In the present disclosure, when an optical recording medium includes a plurality of information signal layers including a recording layer and a protective layer provided on at least one surface side of the recording layer, from the viewpoint of productivity, it is difficult to obtain a plurality of information signal layers. Preferably, all signal layers have the same layer configuration. When a plurality of information signal layers have the same layer configuration including a first protective layer, a recording layer, and a second protective layer, from the viewpoint of productivity, the first protective layer, the recording layer, and the second protective layer are Preferably, each of the two protective layers contains the same type of material in all information signal layers.

本開示の実施形態について以下の順序で説明する。
1 第1の実施形態
1.1 光記録媒体の構成
1.2 光記録媒体の記録原理
1.3 スパッタリングターゲット
1.4 光記録媒体の製造方法
1.5 効果
2 第2の実施形態
2.1 光記録媒体の構成
2.2 光記録媒体の製造方法
2.3 効果
3 変形例
Embodiments of the present disclosure will be described in the following order.
1 First embodiment 1.1 Structure of optical recording medium 1.2 Recording principle of optical recording medium 1.3 Sputtering target 1.4 Method of manufacturing optical recording medium 1.5 Effect 2 Second embodiment 2.1 Structure of optical recording medium 2.2 Method of manufacturing optical recording medium 2.3 Effect 3 Modification example

<1 第1の実施形態>
[1.1 光記録媒体の構成]
図1Aに示すように、本開示の第1の実施形態に係る光記録媒体1は、中央に開口(以下センターホールと称する)が設けられた円盤形状を有する。なお、光記録媒体1の形状はこの例に限定されるものではなく、例えばカード状等とすることも可能である。
<1 First embodiment>
[1.1 Configuration of optical recording medium]
As shown in FIG. 1A, the optical recording medium 1 according to the first embodiment of the present disclosure has a disk shape with an opening (hereinafter referred to as a center hole) provided in the center. Note that the shape of the optical recording medium 1 is not limited to this example, and may also be shaped like a card, for example.

図1Bに示すように、光記録媒体1は、いわゆる多層の追記型光記録媒体(例えばAD(Archival Disc))であり、第1のディスク10と、第2のディスク20と、第1、第2のディスク10、20の間に設けられた貼合層30とを備える。光記録媒体1は、グルーブトラックおよびランドトラックの両方にデータを記録する方式(以下「ランド/グルーブ記録方式」という。)の光記録媒体である。 As shown in FIG. 1B, the optical recording medium 1 is a so-called multilayer write-once optical recording medium (for example, AD (Archival Disc)), and includes a first disk 10, a second disk 20, and a bonding layer 30 provided between the two disks 10 and 20. The optical recording medium 1 is an optical recording medium of a method (hereinafter referred to as "land/groove recording method") in which data is recorded on both groove tracks and land tracks.

第1のディスク10は、情報信号層L0、スペーサ層S1、情報信号層L1、・・・、スペーサ層Sn、情報信号層Ln、カバー層である光透過層12がこの順序で基板11の一主面に積層された構成を有する。第2のディスク20は、情報信号層L0、スペーサ層S1、情報信号層L1、・・・、スペーサ層Sm、情報信号層Lm、カバー層である光透過層22がこの順序で基板21の一主面に積層された構成を有する。但し、n、mはそれぞれ独立して1以上の整数であり、記録容量の向上の観点からすると、好ましくは2以上の整数、より好ましくは3以上の整数、さらにより好ましくは4以上の整数である。なお、以下の説明において、情報信号層L0~Ln、L0~Lmを特に区別しない場合には、情報信号層Lという。 The first disk 10 includes an information signal layer L0, a spacer layer S1, an information signal layer L1, . It has a laminated structure on the main surface. In the second disk 20, an information signal layer L0, a spacer layer S1, an information signal layer L1, . It has a laminated structure on the main surface. However, n and m are each independently an integer of 1 or more, and from the viewpoint of improving the recording capacity, preferably an integer of 2 or more, more preferably an integer of 3 or more, and even more preferably an integer of 4 or more. be. In the following description, the information signal layers L0 to Ln and L0 to Lm are referred to as the information signal layer L unless they are particularly distinguished.

光記録媒体1は、情報信号を記録または再生するためのレーザー光が照射される光照射面を両面に有する。より具体的には、第1のディスク10の情報信号の記録または再生を行うためのレーザー光が照射される第1の光照射面C1と、第2のディスク20の情報信号の記録または再生を行うためのレーザー光が照射される第2の光照射面C2とを有する。 The optical recording medium 1 has light irradiation surfaces on both sides that are irradiated with laser light for recording or reproducing information signals. More specifically, the first light irradiation surface C1 is irradiated with a laser beam for recording or reproducing information signals on the first disk 10, and the first light irradiation surface C1 is irradiated with a laser beam for recording or reproducing information signals on the first disk 20. It has a second light irradiation surface C2 that is irradiated with laser light for the purpose of irradiation.

第1のディスク10では、情報信号層L0が第1の光照射面C1を基準として最も奥に位置し、その手前に情報信号層L1~Lnが位置している。このため、情報信号層L1~Lnは、記録または再生に用いられるレーザー光を透過可能に構成されている。一方、第2のディスク20では、情報信号層L0が第2の光照射面C2を基準として最も奥に位置し、その手前に情報信号層L1~Lmが位置している。このため、情報信号層L1~Lmは、記録または再生に用いられるレーザー光を透過可能に構成されている。なお、図示しないが、光記録媒体1が、光透過層12、22の表面(すなわち第1、第2の光照射面C1、C2)にハードコート層をさらに備えていてもよい。 In the first disc 10, the information signal layer L0 is located at the innermost position with respect to the first light irradiation surface C1, and the information signal layers L1 to Ln are located in front of it. Therefore, the information signal layers L1 to Ln are configured to allow laser light used for recording or reproduction to pass therethrough. On the other hand, in the second disc 20, the information signal layer L0 is located at the innermost position with respect to the second light irradiation surface C2, and the information signal layers L1 to Lm are located in front of it. Therefore, the information signal layers L1 to Lm are configured to allow laser light used for recording or reproduction to pass therethrough. Although not shown, the optical recording medium 1 may further include a hard coat layer on the surfaces of the light transmission layers 12 and 22 (ie, the first and second light irradiation surfaces C1 and C2).

光記録媒体1では、第1のディスク10の情報信号の記録または再生は以下のようにして行われる。すなわち、光透過層12側の第1の光照射面C1からレーザー光を、第1のディスク10に含まれる各情報信号層L0~Lnに照射することにより、第1のディスク10の情報信号の記録または再生が行われる。例えば、350nm以上410nm以下の範囲の波長を有するレーザー光を、0.84以上0.95以下の範囲の開口数を有する対物レンズにより集光し、光透過層12の側から、第1のディスク10に含まれる各情報信号層L0~Lnに照射することにより、情報信号の記録または再生が行われる。 In the optical recording medium 1, recording or reproduction of information signals on the first disk 10 is performed as follows. That is, by irradiating each information signal layer L0 to Ln included in the first disc 10 with laser light from the first light irradiation surface C1 on the light transmission layer 12 side, the information signal of the first disc 10 is Recording or playback takes place. For example, a laser beam having a wavelength in the range of 350 nm or more and 410 nm or less is focused by an objective lens having a numerical aperture in the range of 0.84 or more and 0.95 or less, and is directed from the light transmission layer 12 side to the first disk. By irradiating each information signal layer L0 to Ln included in 10, information signals are recorded or reproduced.

一方、第2のディスク20の情報信号の記録または再生は以下のようにして行われる。すなわち、光透過層22側の第2の光照射面C2からレーザー光を、第2のディスク20に含まれる各情報信号層L0~Lmに照射することにより、第2のディスク20の情報信号の記録または再生が行われる。例えば、350nm以上410nm以下の範囲の波長を有するレーザー光を、0.84以上0.95以下の範囲の開口数を有する対物レンズにより集光し、光透過層22の側から、第2のディスク20に含まれる各情報信号層L0~Lmに照射することにより、情報信号の記録または再生が行われる。 On the other hand, recording or reproduction of information signals on the second disc 20 is performed as follows. That is, by irradiating each information signal layer L0 to Lm included in the second disc 20 with laser light from the second light irradiation surface C2 on the light transmission layer 22 side, the information signal of the second disc 20 is Recording or playback takes place. For example, a laser beam having a wavelength in the range of 350 nm or more and 410 nm or less is condensed by an objective lens having a numerical aperture in the range of 0.84 or more and 0.95 or less, and is directed from the light transmission layer 22 side to the second disk. By irradiating each information signal layer L0 to Lm included in 20, information signals are recorded or reproduced.

以下、光記録媒体1を構成する基板11、21、貼合層30、情報信号層L0~Ln、L0~Lm、スペーサ層S1~Sn、S1~Sm、光透過層12、22およびハードコート層について順次説明する。 Hereinafter, the substrates 11 and 21, the bonding layer 30, the information signal layers L0 to Ln, L0 to Lm, the spacer layers S1 to Sn, S1 to Sm, the light transmission layers 12 and 22, and the hard coat layer that constitute the optical recording medium 1 will be described. will be explained in order.

(基板)
基板11、21は、例えば、中央にセンターホールが設けられた円盤形状を有する。この基板11、21の一主面は、例えば、凹凸面となっており、この凹凸面上に情報信号層L0が形成される。以下では、凹凸面のうち凹部をランドLdといい、凸部をグルーブGvという。
(substrate)
The substrates 11 and 21 have, for example, a disk shape with a center hole provided in the center. One main surface of the substrates 11 and 21 is, for example, an uneven surface, and the information signal layer L0 is formed on this uneven surface. Hereinafter, the concave portions of the uneven surface will be referred to as lands Ld, and the convex portions will be referred to as grooves Gv.

ランドLdおよびグルーブGvの形状としては、例えば、スパイラル状、同心円状等の各種形状が挙げられる。また、ランドLdおよび/またはグルーブGvが、線速度の安定化やアドレス情報付加等のためにウォブル(蛇行)されていてもよい。 Examples of the shapes of the lands Ld and the grooves Gv include various shapes such as a spiral shape and a concentric circle shape. Further, the land Ld and/or the groove Gv may be wobbled for stabilizing linear velocity, adding address information, etc.

なお、第1のディスク10と第2のディスク20のスパイラル方向は逆であってもよい。この場合、第1のディスク10と第2のディスク20を貼り合わせた光記録媒体(両面ディスク)1の同時記録再生が可能となるため、記録や再生時のデータ転送速度を約2倍に高めることができる。 Note that the spiral directions of the first disk 10 and the second disk 20 may be reversed. In this case, simultaneous recording and playback of the optical recording medium (double-sided disk) 1 made by pasting together the first disk 10 and the second disk 20 becomes possible, which approximately doubles the data transfer speed during recording and playback. be able to.

基板11、21の外径(直径)は、例えば120mmに選ばれる。基板11、21の内径(直径)は、例えば15mmに選ばれる。基板11の厚さは、剛性を考慮して選ばれ、好ましくは0.3mm以上0.545mm以下、より好ましくは0.445mm以上0.545mm以下である。 The outer diameter (diameter) of the substrates 11 and 21 is selected to be, for example, 120 mm. The inner diameter (diameter) of the substrates 11 and 21 is selected to be, for example, 15 mm. The thickness of the substrate 11 is selected in consideration of rigidity, and is preferably 0.3 mm or more and 0.545 mm or less, more preferably 0.445 mm or more and 0.545 mm or less.

基板11、21の材料としては、例えば、プラスチック材料またはガラスを用いることができ、成形性の観点から、プラスチック材料を用いることが好ましい。プラスチック材料としては、例えば、ポリカーボネート系樹脂、ポリオレフィン系樹脂またはアクリル系樹脂等を用いることができ、コストの観点からすると、ポリカーボネート系樹脂を用いることが好ましい。 As the material for the substrates 11 and 21, for example, a plastic material or glass can be used, and from the viewpoint of moldability, it is preferable to use a plastic material. As the plastic material, for example, polycarbonate resin, polyolefin resin, or acrylic resin can be used, and from the viewpoint of cost, it is preferable to use polycarbonate resin.

(貼合層)
貼合層30は、硬化した紫外線硬化樹脂により構成されている。この貼合層30により、第1のディスク10と第2のディスク20とが貼り合わされる。より具体的には、光透過層12、22がそれぞれ表面側となるようにして、第1のディスク10の基板11と第2のディスク基板の基板21とが貼り合わされる。
(Lamination layer)
The bonding layer 30 is made of a cured ultraviolet curing resin. The first disk 10 and the second disk 20 are bonded together by this bonding layer 30. More specifically, the substrate 11 of the first disk 10 and the substrate 21 of the second disk substrate are bonded together so that the light-transmitting layers 12 and 22 are on the front side, respectively.

貼合層30の厚さは、例えば0.01mm以上0.22mm以下である。紫外線硬化樹脂は、例えばラジカル重合紫外線硬化樹脂である。 The thickness of the bonding layer 30 is, for example, 0.01 mm or more and 0.22 mm or less. The ultraviolet curing resin is, for example, a radical polymerization ultraviolet curing resin.

(情報信号層)
情報信号層Lは、凹状のトラック(以下「ランドトラック」という。)および凸状のトラック(以下「グルーブトラック」という。)を有している。第1の実施形態に係る光記録媒体1は、ランドトラックおよびグルーブトラックの両方に情報信号を記録可能に構成されている。ランドトラックとグルーブトラックとのトラックピッチTpが、高記録密度の観点からすると、好ましくは0.225μm以下、より好ましくは0.225μm未満であることが好ましい。トラックピッチTpの下限値は特に限定されるものではないが、例えば0.12μm以上である。
(information signal layer)
The information signal layer L has concave tracks (hereinafter referred to as "land tracks") and convex tracks (hereinafter referred to as "groove tracks"). The optical recording medium 1 according to the first embodiment is configured to be able to record information signals on both land tracks and groove tracks. From the viewpoint of high recording density, the track pitch Tp between the land track and the groove track is preferably 0.225 μm or less, more preferably less than 0.225 μm. The lower limit value of the track pitch Tp is not particularly limited, but is, for example, 0.12 μm or more.

図2に示すように、情報信号層L0~Lnは、上面(第1の主面)および下面(第2の主面)を有する無機記録層(以下単に「記録層」という。)13と、記録層13の上面に隣接して設けられた保護層14と、記録層13の下面に隣接して設けられた保護層15とを備える。このような構成とすることで、記録層13の耐久性を向上することができる。ここで、上面とは、記録層13の両主面のうち、情報信号を記録または再生するためのレーザー光が照射される側の主面をいい、下面とは、上述のレーザー光が照射される側とは反対側の主面、すなわち基板11側の主面をいう。なお、情報信号層L0~Lmの構成は、情報信号層L0~Lnと同様とすることができるので、説明を省略する。 As shown in FIG. 2, the information signal layers L0 to Ln include an inorganic recording layer (hereinafter simply referred to as "recording layer") 13 having an upper surface (first principal surface) and a lower surface (second principal surface); The recording layer 13 includes a protective layer 14 provided adjacent to the upper surface of the recording layer 13 and a protective layer 15 provided adjacent to the lower surface of the recording layer 13. With such a configuration, the durability of the recording layer 13 can be improved. Here, the upper surface refers to the main surface of the recording layer 13 that is irradiated with laser light for recording or reproducing information signals, and the lower surface refers to the main surface that is irradiated with the laser light for recording or reproducing information signals. This refers to the main surface on the opposite side to the side facing the substrate, that is, the main surface on the substrate 11 side. Note that the configurations of the information signal layers L0 to Lm can be the same as those of the information signal layers L0 to Ln, so a description thereof will be omitted.

(記録層)
記録層13は、Mnの酸化物と、Mnの酸化物以外の金属酸化物とを混在状態または複合酸化物の状態で含む。ここで、金属には、SiやSb等の半金属が含まれるものと定義する。Mnの酸化物以外の金属酸化物は、Hf、Nb、Ta、Si、SnおよびSbの酸化物からなる群より選ばれる少なくとも1種を含む。Mnの酸化物の少なくとも一部が、+4価のMn(すなわちMnO)として記録層13中に存在する。記録層13が、Mnの酸化物としてMnO以外のもの(例えばMn、Mn等)を含んでいてもよい。記録層13が、Mnの酸化物と共に、上記のMnの酸化物以外の金属酸化物を含むことで、SNR(Signal to Noise Ratio)を確保しつつ、クロストークおよびクロスライトを抑制することができる。Mnの酸化物以外の金属酸化物は、必要に応じて、Wの酸化物およびZnの酸化物等のうちの少なくとも1種をさらに含んでいてもよい。このようにMnの酸化物以外の金属酸化物がWの酸化物およびZnの酸化物等のうちの少なくとも1種を含むことで、光学定数の調整、記録性能の確保および保存性能の確保をすることができる。
(recording layer)
The recording layer 13 contains an oxide of Mn and a metal oxide other than the oxide of Mn in a mixed state or in a composite oxide state. Here, metal is defined to include semimetals such as Si and Sb. The metal oxide other than the Mn oxide includes at least one selected from the group consisting of oxides of Hf, Nb, Ta, Si, Sn, and Sb. At least a portion of the Mn oxide exists in the recording layer 13 as +4-valent Mn (ie, MnO 2 ). The recording layer 13 may contain an oxide of Mn other than MnO 2 (for example, Mn 2 O 3 , Mn 3 O 4 , etc.). By including the Mn oxide and a metal oxide other than the Mn oxide, the recording layer 13 can suppress crosstalk and crosswrite while ensuring SNR (Signal to Noise Ratio). . The metal oxide other than the Mn oxide may further contain at least one of a W oxide, a Zn oxide, and the like, if necessary. In this way, the metal oxide other than the Mn oxide contains at least one of the W oxide, the Zn oxide, etc., thereby adjusting the optical constants, ensuring recording performance, and ensuring storage performance. be able to.

クロストークおよびクロスライトを抑制する観点からすると、Mnの酸化物以外の金属酸化物中におけるHfの酸化物の含有量は、好ましくは0原子%より大きく75原子%以下、より好ましくは8.3原子%以上62.4原子%以下、さらにより好ましくは16.6原子%以上41.6原子%以下である。 From the viewpoint of suppressing crosstalk and crosswriting, the content of the Hf oxide in the metal oxide other than the Mn oxide is preferably greater than 0 atomic % and 75 atomic % or less, more preferably 8.3 atomic %. The content is at least 16.6 at % and no more than 41.6 at %, even more preferably at least 16.6 at % and no more than 41.6 at %.

クロストークおよびクロスライトを抑制する観点からすると、Mnの酸化物以外の金属酸化物中におけるNbの酸化物の含有量は、好ましくは0原子%より大きく100原子%以下、より好ましくは19.5原子%以上100原子%以下、さらにより好ましくは34.2原子%以上78.5原子%以下である。 From the viewpoint of suppressing crosstalk and crosswriting, the content of the Nb oxide in the metal oxide other than the Mn oxide is preferably greater than 0 atomic % and 100 atomic % or less, more preferably 19.5 atomic %. The content is at least 100 at %, more preferably at least 34.2 at % and no more than 78.5 at %.

クロストークおよびクロスライトを抑制する観点からすると、Mnの酸化物以外の金属酸化物中におけるTaの酸化物の含有量は、好ましくは0原子%より大きく100原子%以下、より好ましくは7.2原子%以上81.1原子%以下、さらにより好ましくは22.2原子%以上72原子%以下、特に好ましくは37.9原子%以上66原子%以下である。 From the viewpoint of suppressing crosstalk and crosswriting, the content of Ta oxide in metal oxides other than Mn oxide is preferably greater than 0 atomic % and 100 atomic % or less, more preferably 7.2 atomic %. The content is at least 81.1 at %, even more preferably at least 22.2 at % and no more than 72 at %, particularly preferably at least 37.9 at % and no more than 66 at %.

クロストークおよびクロスライトを抑制する観点からすると、Mnの酸化物以外の金属酸化物中におけるSiの酸化物の含有量は、好ましくは0原子%より大きく100原子%以下、より好ましくは15.2原子%以上100原子%以下、さらにより好ましくは39.2原子%以上100原子%以下、特に好ましくは60.1原子%以上100原子%以下である。 From the viewpoint of suppressing crosstalk and crosswriting, the content of Si oxide in metal oxides other than Mn oxide is preferably greater than 0 atomic % and 100 atomic % or less, more preferably 15.2 atomic %. The content is at least 100 at%, even more preferably at least 39.2 at% and no more than 100 at%, particularly preferably at least 60.1 at% and no more than 100 at%.

クロストークおよびクロスライトを抑制する観点からすると、Mnの酸化物以外の金属酸化物中におけるSnの酸化物の含有量は、好ましくは0原子%より大きく100原子%以下、より好ましくは16.6原子%以上100原子%以下、さらにより好ましくは41.6原子%以上100原子%以下である。 From the viewpoint of suppressing crosstalk and crosswrite, the content of Sn oxide in metal oxides other than Mn oxide is preferably greater than 0 atomic % and 100 atomic % or less, more preferably 16.6 atomic %. The content is at least 100 atom %, and even more preferably at least 41.6 atom % and no more than 100 atom %.

クロストークおよびクロスライトを抑制する観点からすると、Mnの酸化物以外の金属酸化物中におけるSbの酸化物の含有量は、好ましくは0原子%より大きく100原子%以下、より好ましくは14.4原子%以上100原子%以下、さらにより好ましくは37.6原子%以上100原子%以下、特に好ましくは80.8原子%以上100原子%以下である。 From the viewpoint of suppressing crosstalk and crosswriting, the content of the Sb oxide in the metal oxide other than the Mn oxide is preferably greater than 0 atomic % and 100 atomic % or less, more preferably 14.4 atomic %. The content is at least 100 at%, even more preferably at least 37.6 atom% and at most 100 atom%, particularly preferably at least 80.8 atom% and at most 100 atom%.

(保護層)
保護層14、15は、酸素バリア層として機能を有する。これにより、記録層13の耐久性を向上することができる。また、保護層14、15は、記録層13の酸素の逃避を抑制する機能を有する。これにより、記録層13の膜質の変化(主に反射率の低下として検出)を抑制することができ、記録層13として好ましい膜質を確保することができる。また、保護層14、15は、記録特性を向上させる機能も有する。この機能の発現は、記録層13に入射したレーザー光の熱拡散が適度に制御されて、記録部分における形状変化が大きくなりすぎたり、Mn酸化物の分解が進みすぎて、変化した形状がつぶれるといったことが抑制され、記録時の形状変化を良好にすることができるためと考えられる。
(protective layer)
The protective layers 14 and 15 function as oxygen barrier layers. Thereby, the durability of the recording layer 13 can be improved. Furthermore, the protective layers 14 and 15 have a function of suppressing escape of oxygen from the recording layer 13. Thereby, changes in the film quality of the recording layer 13 (mainly detected as a decrease in reflectance) can be suppressed, and a preferable film quality for the recording layer 13 can be ensured. Furthermore, the protective layers 14 and 15 also have the function of improving recording characteristics. This function occurs when the thermal diffusion of the laser light incident on the recording layer 13 is properly controlled, and the shape change in the recording area becomes too large, or the decomposition of Mn oxide progresses too much, causing the changed shape to collapse. This is thought to be because such problems can be suppressed and shape changes during recording can be made better.

保護層14、15は、誘電体を含む。誘電体は、例えば、酸化物、窒化物、硫化物、炭化物およびフッ化物からなる群より選ばれる少なくとも1種以上を含む。保護層14、15の材料としては、互いに同一または異なる材料を用いることができる。酸化物としては、例えば、In、Zn、Sn、Al、Si、Ge、Ti、Ga、Ta、Nb、Hf、Zr、Cr、BiおよびMgからなる群から選ばれる1種以上の元素の酸化物が挙げられる。窒化物としては、例えば、In、Sn、Ge、Cr、Si、Al、Nb、Mo、Ti、Nb、Mo、Ti、W、TaおよびZnからなる群から選ばれる1種以上の元素の窒化物、好ましくはSi、GeおよびTiからなる群から選ばれる1種以上の元素の窒化物が挙げられる。硫化物としては、例えば、Zn硫化物が挙げられる。炭化物としては、例えば、In、Sn、Ge、Cr、Si、Al、Ti、Zr、TaおよびWからなる群より選ばれる1種以上の元素の炭化物、好ましくはSi、TiおよびWからなる群より選ばれる1種以上の元素の炭化物が挙げられる。フッ化物としては、例えば、Si、Al、Mg、CaおよびLaからなる群より選ばれる1種以上の元素のフッ化物が挙げられる。これらの混合物の具体例としては、ZnS-SiO、SiO-In-ZrO(SIZ)、SiO-Cr-ZrO(SCZ)、In-SnO(ITO)、In-CeO(ICO)、In-Ga(IGO)、In-Ga-ZnO(IGZO)、Sn-Ta(TTO)、TiO-SiO、Al-ZnO、Al-BaO等が挙げられる。 Protective layers 14 and 15 include dielectrics. The dielectric includes, for example, at least one selected from the group consisting of oxides, nitrides, sulfides, carbides, and fluorides. The protective layers 14 and 15 may be made of the same or different materials. Examples of the oxide include oxides of one or more elements selected from the group consisting of In, Zn, Sn, Al, Si, Ge, Ti, Ga, Ta, Nb, Hf, Zr, Cr, Bi, and Mg. can be mentioned. Examples of the nitride include nitrides of one or more elements selected from the group consisting of In, Sn, Ge, Cr, Si, Al, Nb, Mo, Ti, Nb, Mo, Ti, W, Ta, and Zn. , preferably a nitride of one or more elements selected from the group consisting of Si, Ge, and Ti. Examples of the sulfide include Zn sulfide. Examples of the carbide include carbides of one or more elements selected from the group consisting of In, Sn, Ge, Cr, Si, Al, Ti, Zr, Ta and W, preferably from the group consisting of Si, Ti and W. Examples include carbides of one or more selected elements. Examples of the fluoride include fluorides of one or more elements selected from the group consisting of Si, Al, Mg, Ca, and La. Specific examples of these mixtures include ZnS-SiO 2 , SiO 2 -In 2 O 3 -ZrO 2 (SIZ), SiO 2 -Cr 2 O 3 -ZrO 2 (SCZ), In 2 O 3 -SnO 2 ( ITO), In 2 O 3 -CeO 2 (ICO), In 2 O 3 -Ga 2 O 3 (IGO), In 2 O 3 -Ga 2 O 3 -ZnO (IGZO), Sn 2 O 3 -Ta 2 O 5 (TTO), TiO 2 --SiO 2 , Al 2 O 3 --ZnO, Al 2 O 3 --BaO, and the like.

保護層15の厚さは、好ましくは2nm以上30nm以下の範囲内である。保護層15の厚さが2nm以上であると、良好なバリア効果を得ることができる。一方、保護層15の厚さが30nm以下であると、記録パワーマージンの低下を抑制することができる。 The thickness of the protective layer 15 is preferably in the range of 2 nm or more and 30 nm or less. When the thickness of the protective layer 15 is 2 nm or more, a good barrier effect can be obtained. On the other hand, when the thickness of the protective layer 15 is 30 nm or less, a decrease in the recording power margin can be suppressed.

保護層14の厚さは、好ましくは2nm以上50nm以下の範囲内である。保護層14の厚さが2nm以上であると、良好なバリア効果を得ることができる。一方、保護層14の厚さが50nm以下であると、記録パワーマージンの低下を抑制することができる。 The thickness of the protective layer 14 is preferably in the range of 2 nm or more and 50 nm or less. When the thickness of the protective layer 14 is 2 nm or more, a good barrier effect can be obtained. On the other hand, when the thickness of the protective layer 14 is 50 nm or less, a decrease in the recording power margin can be suppressed.

(スペーサ層)
スペーサ層S1~Sn、S1~Smはそれぞれ、情報信号層L0~Ln、L0~Lmを物理的および光学的に十分な距離をもって離間させる役割を有し、その表面には凹凸面が設けられている。その凹凸面は、例えば、同心円状または螺旋状のランドLdおよびグルーブGvを形成している。スペーサ層S1~Sn、S1~Smの厚みは、好ましくは9μm以上50μm以下である。スペーサ層S1~Sn、S1~Smの材料は特に限定されるものではないが、紫外線硬化性アクリル樹脂を用いることが好ましい。また、スペーサ層S1~Sn、S1~Smは奥層へのデータの記録および再生のためのレーザー光の光路となることから、十分に高い光透過性を有していることが好ましい。
(Spacer layer)
The spacer layers S1 to Sn and S1 to Sm have the role of separating the information signal layers L0 to Ln and L0 to Lm by a sufficient physical and optical distance, respectively, and have uneven surfaces on their surfaces. There is. The uneven surface forms, for example, a concentric or spiral land Ld and groove Gv. The thickness of the spacer layers S1 to Sn and S1 to Sm is preferably 9 μm or more and 50 μm or less. Although the material of the spacer layers S1 to Sn and S1 to Sm is not particularly limited, it is preferable to use an ultraviolet curable acrylic resin. Furthermore, since the spacer layers S1 to Sn and S1 to Sm serve as optical paths for laser beams for recording and reproducing data in the deep layers, they preferably have sufficiently high light transmittance.

(光透過層)
光透過層12、22は、例えば、紫外線硬化樹脂等の感光性樹脂を硬化してなる樹脂層である。この樹脂層の材料としては、例えば、紫外線硬化型のアクリル系樹脂が挙げられる。また、円環形状を有する光透過性シートと、この光透過性シートを情報信号層Ln、Lmに対して貼り合わせるための接着層とから光透過層12、22を構成するようにしてもよい。光透過性シートは、記録および再生に用いられるレーザー光に対して、吸収能が低い材料からなることが好ましく、具体的には透過率90パーセント以上の材料からなることが好ましい。光透過性シートの材料としては、例えば、ポリカーボネート系樹脂またはポリオレフィン系樹脂(例えばゼオネックス(登録商標))等を用いることができる。接着層の材料としては、例えば、紫外線硬化樹脂または感圧性粘着剤(PSA:Pressure Sensitive Adhesive)等を用いることができる。
(light transmission layer)
The light transmitting layers 12 and 22 are, for example, resin layers formed by curing a photosensitive resin such as an ultraviolet curing resin. Examples of the material for this resin layer include ultraviolet curing acrylic resin. Alternatively, the light transmitting layers 12 and 22 may be constructed from a light transmitting sheet having an annular shape and an adhesive layer for bonding the light transmitting sheet to the information signal layers Ln and Lm. . The light-transmitting sheet is preferably made of a material that has a low absorption ability for laser light used for recording and reproduction, and specifically, it is preferably made of a material that has a transmittance of 90% or more. As the material for the light-transmitting sheet, for example, polycarbonate resin or polyolefin resin (eg, Zeonex (registered trademark)) can be used. As a material for the adhesive layer, for example, an ultraviolet curing resin or a pressure sensitive adhesive (PSA) can be used.

光透過層12、22の厚さは、好ましくは10μm以上177μm以下の範囲内から選ばれ、例えば57μmに選ばれる。このような薄い光透過層12、22と、例えば0.85程度の高NA(numerical aperture)化された対物レンズとを組み合わせることによって、高密度記録を実現することができる。 The thickness of the light transmitting layers 12 and 22 is preferably selected from a range of 10 μm or more and 177 μm or less, for example, 57 μm. High-density recording can be achieved by combining such thin light-transmitting layers 12 and 22 with an objective lens having a high NA (numerical aperture) of, for example, about 0.85.

(ハードコート層)
ハードコート層は、第1、第2の光照射面C1、C2に耐擦傷性等を付与するためのものである。ハードコート層の材料としては、例えば、アクリル系樹脂、シリコーン系樹脂、フッ素系樹脂または有機無機ハイブリッド系樹脂等を用いることができる。ハードコート層が、機械的強度の向上のために、シリカの微粉末を含んでいてもよい。
(Hard coat layer)
The hard coat layer is for imparting scratch resistance and the like to the first and second light irradiation surfaces C1 and C2. As the material for the hard coat layer, for example, acrylic resin, silicone resin, fluorine resin, or organic-inorganic hybrid resin can be used. The hard coat layer may contain fine silica powder to improve mechanical strength.

[1.2 光記録媒体の記録原理]
上述の構成を有する光記録媒体1では、例えば中心波長405nm近傍のレーザー光等の光を情報信号層Lに照射して光記録媒体1としての記録動作を行ったときには、MnOは酸素を分離しOを発生するとともに、Mn自体はより価数の低い酸化物に変化する。そして、Oの発生によって光照射エリアが構造的に膨れ、体積変化と光学定数変化を伴った記録マークが形成されると考えられている。
[1.2 Recording principle of optical recording medium]
In the optical recording medium 1 having the above-described configuration, when a recording operation is performed as the optical recording medium 1 by irradiating the information signal layer L with light such as a laser beam having a center wavelength of about 405 nm, MnO 2 separates oxygen. At the same time as O 2 is generated, Mn itself changes into an oxide with a lower valence. It is believed that the light irradiation area structurally swells due to the generation of O 2 , and a recording mark accompanied by a change in volume and a change in optical constant is formed.

記録による記録材料の体積変化と光学定数変化は記録材料の成分に影響を受ける。例えば、体積変化を記録層13の表面に垂直な方向の膨張と記録層13の面内方向の膨張とに分けて考えることができるが、垂直方向および面内方向の膨張度合いは材料成分により差が出る。光学定数の変化量も記録材料の成分により異なる。 Changes in the volume and optical constants of the recording material due to recording are affected by the components of the recording material. For example, volume change can be considered as expansion in the direction perpendicular to the surface of the recording layer 13 and expansion in the in-plane direction of the recording layer 13, but the degree of expansion in the vertical direction and in-plane direction differs depending on the material components. coming out. The amount of change in optical constants also differs depending on the composition of the recording material.

[1.3 スパッタリングターゲット]
光記録媒体1の記録層形成用スパッタリングターゲットは、Mnと、Mn以外の金属とを合金または金属酸化物として含む。以下では、「スパッタリングターゲット」を単に「ターゲット」という。Mn以外の金属は、Hf、Nb、Ta、Si、SnおよびSbからなる群より選ばれる少なくとも1種を含む。Mn以外の金属は、必要に応じて、WおよびZn等のうちの少なくとも1種をさらに含んでいてもよい。
[1.3 Sputtering target]
The sputtering target for forming the recording layer of the optical recording medium 1 contains Mn and a metal other than Mn as an alloy or metal oxide. Hereinafter, the "sputtering target" will be simply referred to as "target." The metal other than Mn includes at least one selected from the group consisting of Hf, Nb, Ta, Si, Sn, and Sb. The metal other than Mn may further contain at least one of W, Zn, etc., if necessary.

より具体的には、ターゲットは、Mnと、Hf、Nb、Ta、Si、SnおよびSbからなる群より選ばれる少なくとも1種とを含む合金ターゲット、またはMnの酸化物と、Hfの酸化物、Nbの酸化物、Taの酸化物、Siの酸化物、Snの酸化物およびSbの酸化物からなる群より選ばれる少なくとも1種とを含む金属酸化物ターゲットである。合金ターゲットは、必要に応じて、WおよびZn等のうちの少なくとも1種をさらに含んでいてもよい。金属酸化物ターゲットは、必要に応じて、Wの酸化物およびZnの酸化物等のうちの少なくとも1種をさらに含んでいてもよい。 More specifically, the target is an alloy target containing Mn and at least one member selected from the group consisting of Hf, Nb, Ta, Si, Sn, and Sb, or an oxide of Mn, an oxide of Hf, A metal oxide target containing at least one member selected from the group consisting of Nb oxide, Ta oxide, Si oxide, Sn oxide, and Sb oxide. The alloy target may further contain at least one of W, Zn, etc., if necessary. The metal oxide target may further contain at least one of a W oxide, a Zn oxide, and the like, if necessary.

Mnの酸化物は、例えば、Mn、Mn等としてターゲットに含まれる。記録層13中に存在させたいMnOはターゲット作製時の熱で分解してしまうため、MnOを含むターゲットを作製することは困難である。また、MnOを含むターゲットを作製できたとしても、MnOはスパッタリング時のエネルギーで分解してしまうため、記録層13中にMnOを含ませることは困難である。このため、第1の実施形態では、MnをMn合金として含む合金ターゲット、またはMnをMn、Mn等のMn酸化物として含む金属酸化物ターゲットを用い、スパッタリング時に酸素アシストを行うことで、記録層13中にMnOを含ませる。 The Mn oxide is contained in the target as, for example, Mn 2 O 3 or Mn 3 O 4 . Since the MnO 2 that is desired to be present in the recording layer 13 is decomposed by heat during target production, it is difficult to produce a target containing MnO 2 . Furthermore, even if a target containing MnO 2 can be produced, it is difficult to include MnO 2 in the recording layer 13 because MnO 2 is decomposed by the energy during sputtering. Therefore, in the first embodiment, an alloy target containing Mn as an Mn alloy or a metal oxide target containing Mn as a Mn oxide such as Mn 2 O 3 or Mn 3 O 4 is used, and oxygen assist is applied during sputtering. By doing this, MnO 2 is included in the recording layer 13.

ターゲットは、合金ターゲットであることが好ましい。このようにターゲットが合金ターゲットであると、記録層13の形成に用いるスパッタ装置として、DCスパッタリング装置を用いることができる。DCスパッタリング装置は、RFスパッタリング装置に比べて安価であるため、製造コストを低減することができる。但し、DCスパッタリング装置はスパッタリング時の異常放電やターゲット破損を発生しやすいため、製造コストと性能のバランスを考慮して、ターゲットの構成材料を金属状態および金属酸化物状態のいずれで含ませるかを選択することが好ましい。 Preferably, the target is an alloy target. When the target is an alloy target in this way, a DC sputtering device can be used as the sputtering device used to form the recording layer 13. Since DC sputtering equipment is cheaper than RF sputtering equipment, manufacturing costs can be reduced. However, since DC sputtering equipment is prone to abnormal discharge and target damage during sputtering, it is important to consider the balance between manufacturing cost and performance and decide whether to include the constituent material of the target in a metallic state or a metal oxide state. It is preferable to select.

ターゲットが合金ターゲットである場合、クロストークおよびクロスライトを抑制する観点からすると、Mn以外の金属中におけるHfの含有量は、好ましくは0原子%より大きく75原子%以下、より好ましくは8.3原子%以上62.4原子%以下、さらにより好ましくは16.6原子%以上41.6原子%以下である。 When the target is an alloy target, from the viewpoint of suppressing crosstalk and crosswriting, the content of Hf in the metal other than Mn is preferably greater than 0 atomic % and 75 atomic % or less, more preferably 8.3 atomic %. The content is at least 16.6 at % and no more than 41.6 at %, even more preferably at least 16.6 at % and no more than 41.6 at %.

ターゲットが合金ターゲットである場合、クロストークおよびクロスライトを抑制する観点からすると、Mn以外の金属中におけるNbの含有量は、好ましくは0原子%より大きく100原子%以下、より好ましくは19.5原子%以上100原子%以下、さらにより好ましくは34.2原子%以上78.5原子%以下である。 When the target is an alloy target, from the viewpoint of suppressing crosstalk and crosswrite, the content of Nb in the metal other than Mn is preferably greater than 0 atomic % and less than 100 atomic %, more preferably 19.5 atomic %. The content is at least 100 at %, more preferably at least 34.2 at % and no more than 78.5 at %.

ターゲットが合金ターゲットである場合、クロストークおよびクロスライトを抑制する観点からすると、Mn以外の金属中におけるTaの含有量は、好ましくは0原子%より大きく100原子%以下、より好ましくは7.2原子%以上81.1原子%以下、さらにより好ましくは22.2原子%以上72原子%以下、特に好ましくは37.9原子%以上66原子%以下である。 When the target is an alloy target, from the viewpoint of suppressing crosstalk and crosswrite, the content of Ta in the metal other than Mn is preferably greater than 0 atomic % and less than 100 atomic %, more preferably 7.2 atomic %. The content is at least 81.1 at %, even more preferably at least 22.2 at % and no more than 72 at %, particularly preferably at least 37.9 at % and no more than 66 at %.

ターゲットが合金ターゲットである場合、クロストークおよびクロスライトを抑制する観点からすると、Mn以外の金属中におけるSiの含有量は、好ましくは0原子%より大きく100原子%以下、より好ましくは15.2原子%以上100原子%以下、さらにより好ましくは39.2原子%以上100原子%以下、特に好ましくは60.1原子%以上100原子%以下である。 When the target is an alloy target, from the viewpoint of suppressing crosstalk and crosswrite, the content of Si in the metal other than Mn is preferably greater than 0 atomic % and less than 100 atomic %, more preferably 15.2 The content is at least 100 at%, even more preferably at least 39.2 atom% and at most 100 atom%, particularly preferably at least 60.1 atom% and at most 100 atom%.

ターゲットが合金ターゲットである場合、クロストークおよびクロスライトを抑制する観点からすると、Mn以外の金属中におけるSnの含有量は、好ましくは0原子%より大きく100原子%以下、より好ましくは16.6原子%以上100原子%以下、さらにより好ましくは41.6原子%以上100原子%以下である。 When the target is an alloy target, from the viewpoint of suppressing crosstalk and crosslight, the content of Sn in the metal other than Mn is preferably greater than 0 atomic % and less than 100 atomic %, more preferably 16.6 atomic %. The content is at least 100 atom %, and even more preferably at least 41.6 atom % and no more than 100 atom %.

ターゲットが合金ターゲットである場合、クロストークおよびクロスライトを抑制する観点からすると、Mn以外の金属中におけるSbの含有量は、好ましくは0原子%より大きく100原子%以下、より好ましくは14.4原子%以上100原子%以下、さらにより好ましくは37.6原子%以上100原子%以下、特に好ましくは80.8原子%以上100原子%以下である。 When the target is an alloy target, from the viewpoint of suppressing crosstalk and crosswriting, the content of Sb in the metal other than Mn is preferably greater than 0 atomic % and less than 100 atomic %, more preferably 14.4 atomic %. The content is at least 100 at%, even more preferably at least 37.6 atom% and at most 100 atom%, particularly preferably at least 80.8 atom% and at most 100 atom%.

ターゲットが金属酸化物ターゲットである場合、クロストークおよびクロスライトを抑制する観点からすると、Mnの酸化物以外の金属酸化物中におけるHfの酸化物の含有量は、好ましくは0原子%より大きく75原子%以下、より好ましくは8.3原子%以上62.4原子%以下、さらにより好ましくは16.6原子%以上41.6原子%以下である。 When the target is a metal oxide target, from the viewpoint of suppressing crosstalk and crosswrite, the content of the Hf oxide in the metal oxide other than the Mn oxide is preferably greater than 0 at% and 75 At % or less, more preferably 8.3 atomic % or more and 62.4 atomic % or less, and even more preferably 16.6 atomic % or more and 41.6 atomic % or less.

ターゲットが金属酸化物ターゲットである場合、クロストークおよびクロスライトを抑制する観点からすると、Mnの酸化物以外の金属酸化物中におけるNbの酸化物の含有量は、好ましくは0原子%より大きく100原子%以下、より好ましくは19.5原子%以上100原子%以下、さらにより好ましくは34.2原子%以上78.5原子%以下である。 When the target is a metal oxide target, from the viewpoint of suppressing crosstalk and crosswrite, the content of the Nb oxide in the metal oxide other than the Mn oxide is preferably greater than 0 atomic % and 100 atomic %. At % or less, more preferably 19.5 atomic % or more and 100 atomic % or less, still more preferably 34.2 atomic % or more and 78.5 atomic % or less.

ターゲットが金属酸化物ターゲットである場合、クロストークおよびクロスライトを抑制する観点からすると、Mnの酸化物以外の金属酸化物中におけるTaの酸化物の含有量は、好ましくは0原子%より大きく100原子%以下、より好ましくは7.2原子%以上81.1原子%以下、さらにより好ましくは22.2原子%以上72原子%以下、特に好ましくは37.9原子%以上66原子%以下である。 When the target is a metal oxide target, from the viewpoint of suppressing crosstalk and crosswrite, the content of the Ta oxide in the metal oxide other than the Mn oxide is preferably greater than 0 atomic % and 100 atomic %. atomic % or less, more preferably 7.2 atomic % or more and 81.1 atomic % or less, even more preferably 22.2 atomic % or more and 72 atomic % or less, particularly preferably 37.9 atomic % or more and 66 atomic % or less .

ターゲットが金属酸化物ターゲットである場合、クロストークおよびクロスライトを抑制する観点からすると、Mnの酸化物以外の金属酸化物中におけるSiの酸化物の含有量は、好ましくは0原子%より大きく100原子%以下、より好ましくは15.2原子%以上100原子%以下、さらにより好ましくは39.2原子%以上100原子%以下、特に好ましくは60.1原子%以上100原子%以下である。 When the target is a metal oxide target, from the viewpoint of suppressing crosstalk and crosswrite, the content of the Si oxide in the metal oxide other than the Mn oxide is preferably greater than 0 atomic % and 100 atomic %. At % or less, more preferably 15.2 atomic % or more and 100 atomic % or less, still more preferably 39.2 atomic % or more and 100 atomic % or less, particularly preferably 60.1 atomic % or more and 100 atomic % or less.

ターゲットが金属酸化物ターゲットである場合、クロストークおよびクロスライトを抑制する観点からすると、Mnの酸化物以外の金属酸化物中におけるSnの酸化物の含有量は、好ましくは0原子%より大きく100原子%以下、より好ましくは16.6原子%以上100原子%以下、さらにより好ましくは41.6原子%以上100原子%以下である。 When the target is a metal oxide target, from the viewpoint of suppressing crosstalk and crosswrite, the content of the Sn oxide in the metal oxide other than the Mn oxide is preferably greater than 0 atomic % and 100 atomic %. At % or less, more preferably 16.6 atomic % or more and 100 atomic % or less, even more preferably 41.6 atomic % or more and 100 atomic % or less.

ターゲットが金属酸化物ターゲットである場合、クロストークおよびクロスライトを抑制する観点からすると、Mnの酸化物以外の金属酸化物中におけるSbの酸化物の含有量は、好ましくは0原子%より大きく100原子%以下、より好ましくは14.4原子%以上100原子%以下、さらにより好ましくは37.6原子%以上100原子%以下、特に好ましくは80.8原子%以上100原子%以下である。 When the target is a metal oxide target, from the viewpoint of suppressing crosstalk and crosswrite, the content of the Sb oxide in the metal oxide other than the Mn oxide is preferably greater than 0 atomic % and 100 atomic %. The content is atomic % or less, more preferably 14.4 atomic % or more and 100 atomic % or less, even more preferably 37.6 atomic % or more and 100 atomic % or less, particularly preferably 80.8 atomic % or more and 100 atomic % or less.

[1.4 光記録媒体の製造方法]
次に、本開示の第1の実施形態に係る光記録媒体1の製造方法の一例について説明する。
[1.4 Method for manufacturing optical recording medium]
Next, an example of a method for manufacturing the optical recording medium 1 according to the first embodiment of the present disclosure will be described.

(第1のディスクの作製工程)
第1のディスク10を以下のようにして作製する。
(First disk manufacturing process)
The first disk 10 is manufactured as follows.

(基板の成形工程)
まず、一主面に凹凸面が形成された基板11を成形する。基板11の成形の方法としては、例えば、射出成形(インジェクション)法またはフォトポリマー法(2P法:Photo Polymerization)等を用いることができる。
(Substrate molding process)
First, a substrate 11 having an uneven surface formed on one principal surface is molded. As a method for molding the substrate 11, for example, an injection molding method, a photopolymer method (2P method: Photo Polymerization), or the like can be used.

(情報信号層の形成工程)
次に、例えばスパッタリング法により、基板11上に、保護層15、記録層13、保護層14を順次積層することにより、情報信号層L0を形成する。以下に、保護層15、記録層13および保護層14の形成工程について具体的に説明する。
(Formation process of information signal layer)
Next, the information signal layer L0 is formed by sequentially laminating the protective layer 15, the recording layer 13, and the protective layer 14 on the substrate 11 by, for example, sputtering. Below, the formation process of the protective layer 15, the recording layer 13, and the protective layer 14 will be specifically explained.

(保護層の形成工程)
まず、基板11を、保護層形成用ターゲットが備えられた真空チャンバー内に搬送し、真空チャンバー内を所定の圧力になるまで真空引きする。その後、真空チャンバー内にArガスやOガス等のプロセスガスを導入しながら、ターゲットをスパッタして、基板11上に保護層15を形成する。スパッタ法としては、例えば高周波(RF)スパッタ法、直流(DC)スパッタ法を用いることができるが、特に直流スパッタ法が好ましい。直流スパッタ法は高周波スパッタ法に比して装置が安価であり、かつ成膜レートが高いため、製造コストを低減でき、かつ生産性を向上することができるからである。
(Formation process of protective layer)
First, the substrate 11 is transported into a vacuum chamber equipped with a target for forming a protective layer, and the inside of the vacuum chamber is evacuated to a predetermined pressure. Thereafter, the target is sputtered to form the protective layer 15 on the substrate 11 while introducing a process gas such as Ar gas or O 2 gas into the vacuum chamber. As the sputtering method, for example, a radio frequency (RF) sputtering method or a direct current (DC) sputtering method can be used, and the DC sputtering method is particularly preferred. This is because the direct current sputtering method uses less expensive equipment and has a higher film formation rate than the high frequency sputtering method, so that manufacturing costs can be reduced and productivity can be improved.

(記録層の形成工程)
次に、基板11を、記録層形成用ターゲットが備えられた真空チャンバー内に搬送し、真空チャンバー内を所定の圧力になるまで真空引きする。その後、真空チャンバー内にArガスやOガス等のプロセスガスを導入しながら、ターゲットをスパッタして、保護層15上に記録層13を形成する。
(Recording layer formation process)
Next, the substrate 11 is transported into a vacuum chamber equipped with a target for forming a recording layer, and the inside of the vacuum chamber is evacuated to a predetermined pressure. Thereafter, the recording layer 13 is formed on the protective layer 15 by sputtering the target while introducing a process gas such as Ar gas or O 2 gas into the vacuum chamber.

記録層形成用ターゲットが合金ターゲットである場合、酸素アシストを行いながらターゲットをスパッタし記録層13を形成することで、Mnは真空チャンバー内の酸素濃度に応じてMnO、M、Mn等の酸化物を形成する。また、Hf、Nb、Ta、Si、SnおよびSbからなる群より選ばれる少なくとも1種の金属は安定な酸化物を形成する。MnOやMnは加熱により分解し酸素を放出することが知られており、分解温度はそれぞれ535℃、1080℃である。また、MnOは公知の通り黒色であり光吸収能を有する。 When the target for forming the recording layer is an alloy target, by sputtering the target while performing oxygen assist to form the recording layer 13, Mn can be changed to MnO 2 , M 2 O 3 , or Mn depending on the oxygen concentration in the vacuum chamber. Forms oxides such as 3O4 . Furthermore, at least one metal selected from the group consisting of Hf, Nb, Ta, Si, Sn, and Sb forms a stable oxide. It is known that MnO 2 and Mn 2 O 3 decompose upon heating and release oxygen, and the decomposition temperatures are 535° C. and 1080° C., respectively. Furthermore, as is known, MnO 2 is black and has light absorption ability.

記録層形成用ターゲットが金属酸化物ターゲットである場合、酸素アシストを行いながらターゲットをスパッタし記録層13を形成することで、Mn酸化物は真空チャンバー内の酸素濃度に応じてMnO、M、Mn等の酸化物を形成する。また、Hf、Nb、Ta、Si、SnおよびSbからなる群より選ばれる少なくとも1種の金属酸化物は安定な酸化物を形成する。 When the target for forming the recording layer is a metal oxide target, by sputtering the target while performing oxygen assist to form the recording layer 13, the Mn oxide can be converted into MnO 2 or M 2 according to the oxygen concentration in the vacuum chamber. Oxides such as O 3 and Mn 3 O 4 are formed. Further, at least one metal oxide selected from the group consisting of Hf, Nb, Ta, Si, Sn, and Sb forms a stable oxide.

(保護層の形成工程)
次に、基板11を、保護層形成用ターゲットが備えられた真空チャンバー内に搬送し、真空チャンバー内を所定の圧力になるまで真空引きする。その後、真空チャンバー内にArガスやOガス等のプロセスガスを導入しながら、ターゲットをスパッタして、記録層13上に保護層14を形成する。スパッタ法としては、例えば高周波(RF)スパッタ法、直流(DC)スパッタ法を用いることができるが、特に直流スパッタ法が好ましい。上述したように、直流スパッタ法を用いると、製造コストを低減でき、かつ生産性を向上することができるからである。
以上により、基板11上に情報信号層L0が形成される。
(Formation process of protective layer)
Next, the substrate 11 is transported into a vacuum chamber equipped with a target for forming a protective layer, and the inside of the vacuum chamber is evacuated to a predetermined pressure. Thereafter, the target is sputtered to form the protective layer 14 on the recording layer 13 while introducing a process gas such as Ar gas or O 2 gas into the vacuum chamber. As the sputtering method, for example, a radio frequency (RF) sputtering method or a direct current (DC) sputtering method can be used, and the DC sputtering method is particularly preferred. This is because, as described above, using the DC sputtering method can reduce manufacturing costs and improve productivity.
Through the above steps, the information signal layer L0 is formed on the substrate 11.

(スペーサ層の形成工程)
次に、例えばスピンコート法により紫外線硬化樹脂を情報信号層L0上に均一に塗布する。その後、情報信号層L0上に均一に塗布された紫外線硬化樹脂に対してスタンパの凹凸パターンを押し当て、紫外線を紫外線硬化樹脂に対して照射して硬化させた後、スタンパを剥離する。これにより、スタンパの凹凸パターンが紫外線硬化樹脂に転写され、例えばランドLdおよびグルーブGvが設けられたスペーサ層S1が情報信号層L0上に形成される。
(Spacer layer formation process)
Next, an ultraviolet curing resin is uniformly applied onto the information signal layer L0 by, for example, a spin coating method. Thereafter, the uneven pattern of the stamper is pressed against the ultraviolet curable resin uniformly applied on the information signal layer L0, and after the ultraviolet rays are irradiated onto the ultraviolet curable resin to cure it, the stamper is peeled off. As a result, the uneven pattern of the stamper is transferred to the ultraviolet curing resin, and a spacer layer S1 provided with, for example, lands Ld and grooves Gv is formed on the information signal layer L0.

(情報信号層の形成工程およびスペーサ層の形成工程)
次に、上述の“情報信号層の形成工程”および“スペーサ層の形成工程”と同様にして、情報信号層L1、スペーサ層S2、情報信号層L3、・・・、スペーサ層Sn、情報信号層Lnをこの順序でスペーサ層S1上に積層する。
(Information signal layer formation process and spacer layer formation process)
Next, the information signal layer L1, the spacer layer S2, the information signal layer L3, . . . , the spacer layer Sn, the information signal The layers Ln are laminated in this order on the spacer layer S1.

(光透過層の形成工程)
次に、例えばスピンコート法により、紫外線硬化樹脂(UVレジン)等の感光性樹脂を情報信号層Ln上にスピンコートした後、紫外線等の光を感光性樹脂に照射し硬化する。これにより、情報信号層Ln上に光透過層12が形成される。以上により、第1のディスク10が作製される。
(Formation process of light transmitting layer)
Next, a photosensitive resin such as an ultraviolet curing resin (UV resin) is spin-coated onto the information signal layer Ln by, for example, a spin coating method, and then the photosensitive resin is irradiated with light such as ultraviolet rays and cured. As a result, the light transmission layer 12 is formed on the information signal layer Ln. Through the above steps, the first disk 10 is manufactured.

(第2のディスクの作製工程)
“第2のディスクの作製工程”は、上述の“第1のディスクの作製工程”と同様であるので、説明を省略する。
(Second disk manufacturing process)
The "second disc manufacturing process" is the same as the above-mentioned "first disc manufacturing process", so a description thereof will be omitted.

(貼り合わせ工程)
次に、以下のようにして、例えばスピンコート法により、上述のようにして作製された第1、第2のディスク10、20の間に接着剤としての紫外線硬化樹脂を延伸させる。まず、第2のディスク20の両主面のうち第2の光照射面C2とは反対側の主面に、センターホールの周縁に沿って紫外線硬化樹脂をリング状に塗布する。次に、第1のディスク10の両主面のうち第1の光照射面C1とは反対側の主面と、第2のディスク20の両主面のうち第2の光照射面C2とは反対側の主面とが対向するようにして、第1のディスク10を紫外線硬化樹脂を介して第2のディスク20に対して押し付ける。
(Lamination process)
Next, in the following manner, an ultraviolet curing resin as an adhesive is stretched between the first and second disks 10 and 20 produced as described above, for example, by a spin coating method. First, an ultraviolet curing resin is applied in a ring shape to the main surface of the second disk 20 on the opposite side from the second light irradiation surface C2 along the periphery of the center hole. Next, the main surface of the first disk 10 opposite to the first light irradiation surface C1 and the second light irradiation surface C2 of the second disk 20 are The first disk 10 is pressed against the second disk 20 via the ultraviolet curing resin so that the main surface on the opposite side faces the disk.

次に、第1、第2のディスク10、20を回転させて、第1、第2のディスク10、20間において、紫外線硬化樹脂を第1、第2のディスク10、20の半径方向に延伸する。この際、回転速度により紫外線硬化樹脂の厚さが所定の厚さになるように調整される。これにより、第1、第2のディスク10、20間において、紫外線硬化樹脂が第1、第2のディスク10、20の内周部から外周部まで行き渡される。以上により、未硬化状態の貼合層30を有する光記録媒体1が得られる。 Next, the first and second disks 10 and 20 are rotated to stretch the ultraviolet curing resin in the radial direction of the first and second disks 10 and 20 between the first and second disks 10 and 20. do. At this time, the thickness of the ultraviolet curing resin is adjusted to a predetermined thickness by adjusting the rotation speed. Thereby, the ultraviolet curable resin is spread between the first and second disks 10 and 20 from the inner circumference to the outer circumference of the first and second disks 10 and 20. Through the above steps, the optical recording medium 1 having the bonding layer 30 in an uncured state is obtained.

なお、上記の紫外線硬化樹脂の延伸工程において、第1、第2のディスク10、20の外周部に対して紫外線を照射し、外周部まで延伸された紫外線硬化樹脂を仮硬化させることが好ましい。これにより、第1、第2のディスク10、20の外周部における開きの発生を抑制できる。 In the above-mentioned stretching step of the ultraviolet curable resin, it is preferable to irradiate the outer periphery of the first and second disks 10 and 20 with ultraviolet rays to temporarily cure the ultraviolet curable resin that has been stretched to the outer periphery. Thereby, it is possible to suppress the occurrence of opening in the outer peripheral portions of the first and second disks 10 and 20.

次に、紫外線ランプにより、光記録媒体1の両面側から紫外線を照射して、貼合層30を硬化する。これにより、目的とする光記録媒体1が得られる。 Next, the bonding layer 30 is cured by irradiating ultraviolet rays from both sides of the optical recording medium 1 using an ultraviolet lamp. As a result, the desired optical recording medium 1 is obtained.

[1.5 効果]
上述の第1の実施形態に係る光記録媒体1は、複数の記録層13を備え、複数の記録層13は、Mnの酸化物と、Hf、Nb、Ta、Si、SnおよびSbの酸化物からなる群より選ばれる少なくとも1種の酸化物とを含み、Mnの酸化物の少なくとも一部が+4価のMn(すなわちMnO)として存在している。これにより、信号レベルを保ちつつ、記録マークが記録層13の面内方向に広がることを抑制することができるので、信号レベルを保ちつつ、クロストークおよびクロスライトを抑制することができる。したがって、挟トラックピッチ化(例えば、トラックピッチTpを0.225μm以下または0.225μm未満に挟トラックピッチ化)することが可能となり、光記録媒体1のトラック密度を高めることができる。よって、光記録媒体1の大容量化を実現することができる。
[1.5 Effect]
The optical recording medium 1 according to the first embodiment described above includes a plurality of recording layers 13, and the plurality of recording layers 13 are made of oxides of Mn and oxides of Hf, Nb, Ta, Si, Sn, and Sb. At least a portion of the Mn oxide exists as +4-valent Mn (ie, MnO 2 ). Thereby, it is possible to suppress the recording mark from spreading in the in-plane direction of the recording layer 13 while maintaining the signal level, so that crosstalk and cross-writing can be suppressed while maintaining the signal level. Therefore, it becomes possible to narrow the track pitch (for example, narrow the track pitch Tp to 0.225 μm or less or less than 0.225 μm), and the track density of the optical recording medium 1 can be increased. Therefore, it is possible to increase the capacity of the optical recording medium 1.

また、記録層13に上記の少なくとも1種の酸化物を含ませることで、光記録媒体1の大容量化を実現することができるので、製造コストの大幅な上昇を招くことなく、光記録媒体1の大容量化を実現することができる。 Furthermore, by including at least one kind of oxide in the recording layer 13, it is possible to increase the capacity of the optical recording medium 1. 1 large capacity can be achieved.

<2 第2の実施形態>
[2.1 光記録媒体の構成]
図3に示すように、本開示の第2の実施形態に係る光記録媒体1Aは、いわゆる多層の追記型光記録媒体であり、情報信号層L0、スペーサ層S1、情報信号層L1、・・・、スペーサ層Sn、情報信号層Ln、カバー層である光透過層12がこの順序で基板11Aの一主面に積層された構成を有する。なお、第2の実施形態において第1の実施形態と同様の箇所には同一の符号を付して説明を省略する。
<2 Second embodiment>
[2.1 Configuration of optical recording medium]
As shown in FIG. 3, the optical recording medium 1A according to the second embodiment of the present disclosure is a so-called multilayer write-once optical recording medium, including an information signal layer L0, a spacer layer S1, an information signal layer L1, etc. - The spacer layer Sn, the information signal layer Ln, and the light transmitting layer 12 which is a cover layer are laminated in this order on one main surface of the substrate 11A. Note that in the second embodiment, the same parts as in the first embodiment are given the same reference numerals, and the description thereof will be omitted.

光記録媒体1Aは、情報信号を記録または再生するための光が照射される光照射面Cを片面に有する。情報信号層L0が光照射面Cを基準として最も奥に位置し、その手前に情報信号層L1~Lnが位置している。このため、情報信号層L1~Lnは、記録または再生に用いられるレーザー光を透過可能に構成されている。 The optical recording medium 1A has a light irradiation surface C on one side, which is irradiated with light for recording or reproducing information signals. The information signal layer L0 is located at the innermost position with respect to the light irradiation surface C, and the information signal layers L1 to Ln are located in front of it. Therefore, the information signal layers L1 to Ln are configured to allow laser light used for recording or reproduction to pass therethrough.

この第2の実施形態に係る光記録媒体1Aでは、光透過層12側の光照射面Cからレーザー光を各情報信号層L0~Lnに照射することにより、情報信号の記録または再生が行われる。例えば、400nm以上410nm以下の範囲の波長を有するレーザー光を、0.84以上0.86以下の範囲の開口数を有する対物レンズにより集光し、光透過層12の側から各情報信号層L0~Lnに照射することにより、情報信号の記録または再生が行われる。このような光記録媒体1Aとしては、例えば多層のブルーレイディスク(BD:Blu-ray(登録商標) Disc)が挙げられる。 In the optical recording medium 1A according to the second embodiment, information signals are recorded or reproduced by irradiating each information signal layer L0 to Ln with laser light from the light irradiation surface C on the light transmission layer 12 side. . For example, a laser beam having a wavelength in the range of 400 nm or more and 410 nm or less is condensed by an objective lens having a numerical aperture in the range of 0.84 or more and 0.86 or less, and from the light transmission layer 12 side, each information signal layer L0 By irradiating .about.Ln, information signals are recorded or reproduced. An example of such an optical recording medium 1A is a multilayer Blu-ray Disc (BD: Blu-ray (registered trademark) Disc).

光記録媒体1Aは、典型的には、グルーブ記録方式の光記録媒体であるが、ランド/グルーブ記録方式等の光記録媒体であってもよい。 The optical recording medium 1A is typically a groove recording type optical recording medium, but may also be a land/groove recording type optical recording medium.

基板11Aの径(直径)は、例えば120mmに選ばれる。基板11の厚さは、剛性を考慮して選ばれ、好ましくは0.3mm以上1.3mm以下、より好ましくは0.6mm以上1.3mm以下、例えば1.1mmに選ばれる。また、センターホールの径(直径)は、例えば15mmに選ばれる。基板11Aの材料は、上述の第1の実施形態における基板11と同様である。 The diameter of the substrate 11A is selected to be, for example, 120 mm. The thickness of the substrate 11 is selected in consideration of rigidity, and is preferably 0.3 mm or more and 1.3 mm or less, more preferably 0.6 mm or more and 1.3 mm or less, for example, 1.1 mm. Further, the diameter of the center hole is selected to be, for example, 15 mm. The material of the substrate 11A is the same as that of the substrate 11 in the first embodiment described above.

[2.2 光記録媒体の製造方法]
本開示の第2の実施形態に係る光記録媒体1Aの製造方法は、上述の第1の実施形態における“第1のディスクの作製工程”と同様である。
[2.2 Method for manufacturing optical recording medium]
The method for manufacturing the optical recording medium 1A according to the second embodiment of the present disclosure is similar to the "first disk manufacturing process" in the first embodiment described above.

[2.3 効果]
上述の第2の実施形態に係る光記録媒体1Aでは、第1の実施形態に係る光記録媒体1と同様に、クロストークおよびクロスライトを抑制することができる。したがって、光記録媒体1Aのトラック密度を高め、光記録媒体1Aの大容量化を実現することができる。
[2.3 Effect]
In the optical recording medium 1A according to the second embodiment described above, crosstalk and crosswrite can be suppressed similarly to the optical recording medium 1 according to the first embodiment. Therefore, it is possible to increase the track density of the optical recording medium 1A and increase the capacity of the optical recording medium 1A.

<3 変形例>
上述の第1、第2の実施形態では、情報信号層Lが単層構造の記録層13を備える場合について説明したが、情報信号層Lの構成はこれに限定されるものではない。例えば、情報信号層Lが、図4に示すように、組成が異なる第1の層16、・・・、第nの層16(nは2以上の整数である。)からなる積層構造の記録層16を備えるようにしてもよい。この場合、第1の層16、・・・、第nの層16のうちの少なくとも1層は第1の実施形態における記録層13と同様の組成を有する。クロストークおよびクロスライトの抑制の観点からすると、第1の層16、・・・、第nの層16のすべての層がそれぞれ独立に、第1の実施形態における記録層13と同様の組成を有することが好ましい。
<3 Modification>
In the first and second embodiments described above, a case has been described in which the information signal layer L includes the recording layer 13 having a single layer structure, but the configuration of the information signal layer L is not limited to this. For example, as shown in FIG. 4, the information signal layer L has a laminated structure consisting of a first layer 16 1 , . . . , an n-th layer 16 n (n is an integer of 2 or more) having different compositions. The recording layer 16 may also be provided. In this case, at least one of the first layers 16 1 , . . . , the n-th layer 16 n has the same composition as the recording layer 13 in the first embodiment. From the viewpoint of suppressing crosstalk and crosswriting , all the layers of the first layer 16 1 , . . . It is preferable to have the following composition.

また、上述の第1、第2の実施形態では、情報信号層Lが、記録層13と、記録層13の上面に隣接して設けられた保護層14と、記録層13の下面に隣接して設けられた保護層15とを備える構成について説明したが、情報信号層Lの構成はこれに限定されるものではない。例えば、記録層13の上面および下面のいずれか一方にのみ保護層を設けるようにしてもよい。また、情報信号層Lを記録層13単層のみから構成するようにしてもよい。このような単純な構成とすることで、光記録媒体1、1Aを低廉化し、かつ、その生産性を向上することができる。この効果は、情報信号層Lの層数が多い媒体ほど、顕著となる。 Further, in the first and second embodiments described above, the information signal layer L includes the recording layer 13, the protective layer 14 provided adjacent to the upper surface of the recording layer 13, and the protective layer 14 adjacent to the lower surface of the recording layer 13. Although a configuration including a protective layer 15 provided as a wafer has been described, the configuration of the information signal layer L is not limited to this. For example, a protective layer may be provided only on either the upper surface or the lower surface of the recording layer 13. Further, the information signal layer L may be composed of only a single recording layer 13. With such a simple configuration, the cost of the optical recording media 1, 1A can be reduced and the productivity thereof can be improved. This effect becomes more pronounced as the medium has more information signal layers L.

また、上述の第1、第2の実施形態では、多層の情報信号層Lがすべて、同一の層構成(3層構成)を有する場合について説明したが、情報信号層Lごとに求められる特性(例えば光学特性や耐久性等)に応じて層構成を変えるようにしてもよい。但し、生産性の観点からすると、全ての情報信号層Lを同一の層構成とすることが好ましい。 Furthermore, in the first and second embodiments described above, the case where all the multilayer information signal layers L have the same layer structure (three-layer structure) has been described, but the characteristics required for each information signal layer L ( For example, the layer structure may be changed depending on optical properties, durability, etc.). However, from the viewpoint of productivity, it is preferable that all the information signal layers L have the same layer configuration.

また、本開示を適用可能な光記録媒体は、第1、第2の実施形態における構成を有するものに限定されるわけではない。例えば、基板上に複数層の情報信号層、保護層がこの順序で積層された構成を有し、基板側からレーザー光を複数層の情報信号層に照射することにより情報信号の記録または再生が行われる光記録媒体(例えばCD(Compact Disc))、または2枚の基板の間に複数層の情報信号層が設けられた構成を有し、少なくとも一方の基板の側からレーザー光を複数層の情報信号層に照射することにより情報信号の記録または再生が行われる光記録媒体(例えばDVD(Digital Versatile Disc))に対しても本開示は適用可能である。 Furthermore, optical recording media to which the present disclosure can be applied are not limited to those having the configurations in the first and second embodiments. For example, a substrate has a structure in which multiple information signal layers and a protective layer are laminated in this order, and information signals can be recorded or reproduced by irradiating the multiple information signal layers with laser light from the substrate side. It has a configuration in which multiple information signal layers are provided between an optical recording medium (for example, a CD (Compact Disc)) or two substrates, and a laser beam is applied to the multiple layers from at least one substrate side. The present disclosure is also applicable to optical recording media (for example, DVDs (Digital Versatile Discs)) in which information signals are recorded or reproduced by irradiating the information signal layer.

また、多層の記録層構成とする場合、本開示の記録層を追記型以外の記録層と組み合わせてもよい。また、再生専用型のピット等による記録領域が部分的に設けられる光記録媒体にも本開示は適用可能である。 Furthermore, in the case of a multilayer recording layer configuration, the recording layer of the present disclosure may be combined with a recording layer other than a write-once type. Further, the present disclosure is also applicable to an optical recording medium in which a recording area is partially provided with read-only pits or the like.

以下、実施例により本開示を具体的に説明するが、本開示はこれらの実施例のみに限定されるものではない。 EXAMPLES Hereinafter, the present disclosure will be specifically described with reference to Examples, but the present disclosure is not limited to these Examples.

(評価装置)
本実施例では、光ディスクの評価は、BD用の評価装置を用いて行った。また、本実施例では、記録材料の特性検証が鍵となるので、光ディスクとしては情報記録層を1層のみ有する光ディスク(いわゆる単層ディスク)を採用した。
(Evaluation device)
In this example, the optical disc was evaluated using a BD evaluation device. Furthermore, in this embodiment, since the verification of the characteristics of the recording material is the key, an optical disc having only one information recording layer (a so-called single-layer disc) was used as the optical disc.

図5は、ディスクドライブ型評価装置の構成を示す。以下、図5を参照して、評価対象である光ディスク1Aをディスクドライブ型評価装置に搭載し、信号評価を行うまでの動作および手順を説明する。 FIG. 5 shows the configuration of a disk drive type evaluation device. Hereinafter, with reference to FIG. 5, the operation and procedure from mounting the optical disc 1A to be evaluated in the disc drive type evaluation apparatus to performing signal evaluation will be described.

まず、スピンドルモータ部41に光ディスク1Aを取りつけ回転させる。次に、記録再生光学系42にてレーザーダイオード51を発光させて、レーザー光Lをコリメータレンズ52およびビームスプリッター53を介して、ミラー54に入射させる。ミラー54にて反射したレーザー光Lは、対物レンズ55を介して光ディスク1Aの記録層に集光しつつ落射される。 First, the optical disk 1A is attached to the spindle motor section 41 and rotated. Next, the recording/reproducing optical system 42 causes the laser diode 51 to emit light, and the laser beam L is made to enter the mirror 54 via the collimator lens 52 and the beam splitter 53. The laser beam L reflected by the mirror 54 is condensed onto the recording layer of the optical disc 1A through the objective lens 55, and then reflected onto the recording layer.

次に、対物レンズ55を光ディスク1Aの光照射面に対して垂直な方向(光軸方向)に上下動作させて、レーザー光Lの焦点が光ディスク1Aの記録層を横切るようにする。このときに、光ディスク1Aの記録層で反射されたレーザー光Lは進んできた経路を戻り、記録再生光学系42のビームスプリッター53でレーザー光Lの一部または全部が反射されて、集光レンズ56を介してフォトディテクタ57に入射される。フォトディテクタ57にて受光した光は、電気信号に変換されて、信号解析装置44に供給される。信号解析装置44は、フォトディテクタ57から供給された電気信号に基づき、フォーカスサーボ用エラー信号、トラッキングサーボ用エラー信号およびRF信号等を生成し、これらの生成信号に基づき、サーボ制御等を行う。例えば、フォーカスサーボ制御では、フォーカスエラー信号を用いて、フォーカスサーボを働かせて常に記録層にレーザー光の焦点がくるように制御する。また、トラッキングサーボ制御では、トラッキングエラー信号を用いて、記録層上のグルーブ(凸部)およびランド(凹部)上にレーザー光の焦点がくるように制御する。ここまでの処理で、情報記録の準備が整う。なお、既に情報信号が光ディスク1Aに記録されている場合には、光ディスク1Aからの情報信号の読み出し(再生)が可能な状態になる。 Next, the objective lens 55 is moved up and down in a direction (optical axis direction) perpendicular to the light irradiation surface of the optical disc 1A, so that the focal point of the laser beam L crosses the recording layer of the optical disc 1A. At this time, the laser beam L reflected by the recording layer of the optical disc 1A returns along the path it has traveled, and part or all of the laser beam L is reflected by the beam splitter 53 of the recording/reproducing optical system 42, and the laser beam L is reflected by the condenser lens. The light is incident on a photodetector 57 via 56. The light received by the photodetector 57 is converted into an electrical signal and supplied to the signal analysis device 44. The signal analysis device 44 generates a focus servo error signal, a tracking servo error signal, an RF signal, etc. based on the electric signal supplied from the photodetector 57, and performs servo control etc. based on these generated signals. For example, in focus servo control, a focus error signal is used to control the focus servo so that the laser beam is always focused on the recording layer. In tracking servo control, a tracking error signal is used to control the laser beam so that it is focused on grooves (convex portions) and lands (concave portions) on the recording layer. With the processing up to this point, preparations for information recording are complete. Note that if the information signal has already been recorded on the optical disc 1A, the information signal can be read (reproduced) from the optical disc 1A.

光ディスク1Aに対する情報信号の記録は、以下のようにして行われる。信号発生装置43が、光ディスク1Aに記録する情報信号に基づき、レーザーダイオード51のレーザー発光を制御する。これにより、レーザーダイオード51から出射されるレーザー光Lの発光波形が制御されて、光ディスク1Aの記録層に照射される。レーザー光Lが照射された記録層は、このレーザーエネルギーにより変化する。本実施例の記録層では、レーザーエネルギーによりMnOが分解しOが発生して、記録層の屈折率変化と物理的な体積膨張が起きる。レーザー光Lはこの変化が起きるのに十分なエネルギーを記録層に供給可能なものである。 Information signals are recorded on the optical disc 1A in the following manner. A signal generator 43 controls laser emission from the laser diode 51 based on an information signal recorded on the optical disc 1A. Thereby, the emission waveform of the laser beam L emitted from the laser diode 51 is controlled, and the recording layer of the optical disc 1A is irradiated with the waveform. The recording layer irradiated with the laser beam L changes depending on the laser energy. In the recording layer of this example, MnO 2 is decomposed by laser energy and O 2 is generated, causing a change in the refractive index and physical volume expansion of the recording layer. The laser beam L can supply sufficient energy to the recording layer to cause this change.

光ディスク1Aに対する情報信号の再生は、以下のようにして行われる。情報信号の再生は、レーザー光照射により光ディスク1Aの記録層が100万回同じところを再生しても変化しない程十分低パワーであり、かつ、記録された情報信号を十分なS/Nをもって読み出せるパワーにて行われる。このように設定したレーザー光のことを再生光と呼び、この再生光のレーザーパワーを再生パワーと呼ぶ。光ディスク1Aの記録層に照射した再生光は、記録再生光学系を逆行しフォトディテクタ57にて検出される。光ディスク1Aの記録層に情報が記録されている場合には、例えば未記録部からの戻り光の光量に対し記録部の光は低下して戻ってくる。また、未記録部の戻り光量より記録部の戻り光が高くなって帰ってくるように設計された光ディスクも存在する。前者はHigh to Low記録、後者はLow to High記録と呼ばれている。 Reproduction of information signals on the optical disc 1A is performed as follows. To reproduce the information signal, the power is low enough that the recording layer of the optical disc 1A will not change even if the same part is reproduced 1 million times by laser beam irradiation, and the recorded information signal can be read with a sufficient S/N. It is done with the power that can be produced. The laser light set in this way is called reproduction light, and the laser power of this reproduction light is called reproduction power. The reproduction light irradiated onto the recording layer of the optical disc 1A travels backward through the recording and reproduction optical system and is detected by the photodetector 57. When information is recorded on the recording layer of the optical disc 1A, for example, the light from the recording section returns with a reduced amount of light compared to the amount of light returning from the unrecorded section. Furthermore, there are optical discs designed so that the amount of light returned from the recorded portion is higher than the amount of light returned from the unrecorded portion. The former is called a High to Low record, and the latter a Low to High record.

本実施例の光ディスク1AはHigh to Low記録のメディアであり、この記録方式は、CD(Compact Disc)、DVD(Digital Versatile Disc)、BDで採用されている。フォトディテクタ57で検出された光は信号解析装置44に供給され、信号解析装置44にて信号品質が評価される。 The optical disc 1A of this embodiment is a high-to-low recording medium, and this recording method is used in CDs (Compact Discs), DVDs (Digital Versatile Discs), and BDs. The light detected by the photodetector 57 is supplied to the signal analyzer 44, where the signal quality is evaluated.

(信号特性の評価方法)
上述のBD用の評価装置を用いて、クロストーク量CTおよびCNR(Carrier to Noise Ratio)を評価指標として、光ディスク1Aの信号特性の評価を行った。
(Evaluation method of signal characteristics)
Using the above-mentioned BD evaluation apparatus, the signal characteristics of the optical disc 1A were evaluated using the amount of crosstalk CT and CNR (Carrier to Noise Ratio) as evaluation indicators.

以下に、BD用の評価装置の測定条件を示す。
光ディスク1Aのデータ記録時に用いるチャンネルクロックを132MHzとし、このクロックの1周期を1Tとした。また、記録線速を4.48m/sec、記録再生レーザー光の波長λを405nm、レーザー集光に用いる対物レンズのNAを0.85とした。
The measurement conditions of the evaluation device for BD are shown below.
The channel clock used when recording data on the optical disc 1A was 132 MHz, and one cycle of this clock was 1T. Further, the recording linear velocity was 4.48 m/sec, the wavelength λ of the recording/reproducing laser beam was 405 nm, and the NA of the objective lens used for laser focusing was 0.85.

本実施例では、データの記録方式としては、記録トラックとして光入射側に対して凸状のグルーブトラックと凹状のランドトラックの双方にデータを記録する、いわゆるランド/グルーブ記録方式を採用した。ランド/グルーブ記録方式では、グルーブトラックの隣のトラックはランドトラックになる。トラックピッチTpは、ランドトラックとグルーブトラック各中心の間隔を意味する。本実施例では、トラックピッチTpを0.16μmとした。 In this embodiment, as a data recording method, a so-called land/groove recording method is adopted in which data is recorded on both a convex groove track and a concave land track toward the light incident side as recording tracks. In the land/groove recording method, the track next to the groove track becomes a land track. The track pitch Tp means the interval between the centers of the land track and the groove track. In this example, the track pitch Tp was set to 0.16 μm.

信号を記録したグルーブトラックの隣のランドトラックへの漏れこみ量を測定することにより、クロストーク量CTを以下のようにして測定した。グルーブトラックに12Tのマーク長/スペース長の信号を記録し、これを12Tモノキャリア信号とした。12Tモノキャリア信号を記録する際には、レーザーの発光波形は固定とし、パワーレベルを一律調整する方法を用いた。 The amount of crosstalk CT was measured as follows by measuring the amount of leakage into the land track adjacent to the groove track where the signal was recorded. A signal with a mark length/space length of 12T was recorded on the groove track, and this was used as a 12T monocarrier signal. When recording a 12T monocarrier signal, a method was used in which the laser emission waveform was fixed and the power level was uniformly adjusted.

12Tモノキャリア信号の振幅変調度を50%に固定した。この信号の隣のランドトラックに再生光を照射し、グルーブトラックからの漏れこみ信号の振幅をオシロスコープで観察し、振幅電圧値Vppとして取得した。また、グルーブトラックもランドトラックも未記録の場所でランドトラックに再生光を照射し、未記録時の信号レベルIvを電圧レベルで取得した。クロストーク量(漏れこみ量)CTを以下の式により求めた。
クロストーク量CT[%]=(Vpp/Iv)×100
The amplitude modulation degree of the 12T monocarrier signal was fixed at 50%. A land track adjacent to this signal was irradiated with reproduction light, and the amplitude of the signal leaking from the groove track was observed with an oscilloscope, and was obtained as an amplitude voltage value Vpp. Further, the land track was irradiated with reproduction light at a place where neither the groove track nor the land track was recorded, and the signal level Iv at the time of unrecording was obtained as a voltage level. The amount of crosstalk (amount of leakage) CT was determined using the following formula.
Crosstalk amount CT [%] = (Vpp/Iv) x 100

また、CNRを以下のようにして測定した。上記信号を記録したグルーブトラックに再生光を照射し、スペクトラムアナライザーでCNRを測定した。本実施例では、変調度を50%に規定しており、材料組成も大きく変わるわけではないので、Carrierレベルはあまり変化しない。CNRの差が見られる場合には、記録によりノイズレベルが変化することが主要因になる。 Further, CNR was measured as follows. The groove track on which the above signal was recorded was irradiated with reproduction light, and the CNR was measured using a spectrum analyzer. In this embodiment, the modulation degree is defined as 50%, and the material composition does not change significantly, so the carrier level does not change much. When a difference in CNR is observed, the main reason is that the noise level changes due to recording.

本開示の実施例について以下の順序で説明する。
i クロストーク量CTおよびCNRに対する記録層の組成等の影響についての検討
ii 記録層に添加する添加元素の種類についての検討
iii 記録層に添加する添加元素の添加量についての検討
Examples of the present disclosure will be described in the following order.
i Examination of the influence of the composition of the recording layer on the amount of crosstalk CT and CNR
ii Consideration of the types of additive elements to be added to the recording layer
iii Consideration of the amount of additive elements added to the recording layer

<i クロストーク量CTおよびCNRに対する記録層の組成等の影響についての検討>
記録層の材料としてMn、WおよびZnの酸化物を用い、クロストーク量CTおよびCNRに対する記録層の組成および厚みの影響について検討した。また、クロストーク量CTおよびCNRに対する保護層の厚みの影響についても検討した。
<i Examination of the influence of the composition of the recording layer on the amount of crosstalk CT and CNR>
Using oxides of Mn, W, and Zn as materials for the recording layer, the influence of the composition and thickness of the recording layer on the amount of crosstalk CT and CNR was investigated. Furthermore, the influence of the thickness of the protective layer on the amount of crosstalk CT and CNR was also investigated.

[参考例1-1~1-4]
まず、射出成形により、厚さ1.1mmのポリカーボネート基板を成形した。この際、ポリカーボネート基板の一主面は、スパイラル状のランドおよびグルーブからなる凹凸面とした。また、ランドト-グルーブ間のトラックピッチTpを0.16μmに設定した。次に、スパッタリング法により、ポリカーボネート基板の凹凸面上に第1の保護層、記録層、第2の保護層を順次積層した。各層の構成は具体的には以下のようにした。
[Reference examples 1-1 to 1-4]
First, a polycarbonate substrate with a thickness of 1.1 mm was molded by injection molding. At this time, one main surface of the polycarbonate substrate was made into an uneven surface consisting of spiral lands and grooves. Further, the track pitch Tp between land and groove was set to 0.16 μm. Next, a first protective layer, a recording layer, and a second protective layer were sequentially laminated on the uneven surface of the polycarbonate substrate by sputtering. Specifically, the configuration of each layer was as follows.

以下に、具体的な情報信号層(L0層)の構成を示す。
第2の保護層(光透過層側)
材料:SIZ(SiO:In:ZrO=20:50:30(mol%))、厚さ:15nm
記録層
材料:MnO-WZnO、厚さ:30nm
第1の保護層(基板側)
材料:SIZ(SiO:In:ZrO=20:50:30(mol%))、厚さ:15nm
A specific configuration of the information signal layer (L0 layer) is shown below.
Second protective layer (light transmitting layer side)
Material: SIZ (SiO 2 : In 2 O 3 : ZrO 2 = 20:50:30 (mol%)), thickness: 15 nm
Recording layer Material: MnO x -WZnO y , Thickness: 30 nm
First protective layer (substrate side)
Material: SIZ (SiO 2 : In 2 O 3 : ZrO 2 = 20:50:30 (mol%)), thickness: 15 nm

記録層の形成工程においては、記録層の材料組成を変えるために、Mnターゲット、WZnO(W:Zn=4:6(mol比))ターゲット、Wターゲットの3つのターゲットを用いて、3源のコスパッタリングを行った。この際、膜厚換算でのMnOおよびWZnOの含有量(膜厚換算の含有量)が表1に示す値となるように、スパッタリングの条件を調整した。 In the process of forming the recording layer, three targets, an Mn target, a WZnO (W:Zn=4:6 (mol ratio)) target, and a W target, were used to change the material composition of the recording layer. Performed cost sputtering. At this time, the sputtering conditions were adjusted so that the contents of MnO x and WZnO y in terms of film thickness (content in terms of film thickness) were the values shown in Table 1.

次に、スピンコート法により、紫外線硬化樹脂を第2の保護層上に均一塗布し、これに紫外線を照射して硬化させることにより、厚さ100μmを有する光透過層を形成した。以上により、目的とする光ディスクを得た。 Next, an ultraviolet curable resin was uniformly applied onto the second protective layer by a spin coating method, and was cured by irradiating ultraviolet rays to form a light transmitting layer having a thickness of 100 μm. Through the above steps, the desired optical disc was obtained.

[参考例2-1、2-2]
記録層の厚さ、および膜厚換算でのMnOの含有量が表1に示す値になるように、スパッタリングの条件を調整したこと以外は参考例1-3と同様にして光ディスクを得た。
[Reference examples 2-1, 2-2]
An optical disk was obtained in the same manner as in Reference Example 1-3, except that the sputtering conditions were adjusted so that the thickness of the recording layer and the MnO x content in terms of film thickness became the values shown in Table 1. .

[参考例3-1、3-2]
WZnO(W:Zn=4:6(mol比))ターゲットに代えて、WZnO(W:Zn=3:7(mol比))ターゲット、WZnO(W:Zn=7:3(mol比))ターゲットを用いたこと以外は参考例1-3と同様にして光ディスクを得た。
[Reference examples 3-1, 3-2]
Instead of WZnO (W:Zn=4:6 (mol ratio)) target, WZnO (W:Zn=3:7 (mol ratio)) target, WZnO (W:Zn=7:3 (mol ratio)) target An optical disc was obtained in the same manner as in Reference Example 1-3 except that .

[参考例4-1、4-2]
記録層の厚さ、膜厚換算でのMnOの含有量、および膜厚換算でのWZnOの含有量が表1に示す値になるように、スパッタリングの条件を調整したこと以外は参考例1-3と同様にして光ディスクを得た。
[Reference examples 4-1, 4-2]
Reference example except that the sputtering conditions were adjusted so that the recording layer thickness, the MnO x content in terms of film thickness, and the WZnO y content in film thickness equivalent were the values shown in Table 1. An optical disc was obtained in the same manner as in 1-3.

[参考例5-1~5-3]
記録層の厚さ、および膜厚換算でのWZnOの含有量が表1に示す値になるように、スパッタリングの条件を調整したこと以外は参考例1-3と同様にして光ディスクを得た。
[Reference Examples 5-1 to 5-3]
An optical disk was obtained in the same manner as in Reference Example 1-3, except that the sputtering conditions were adjusted so that the thickness of the recording layer and the content of WZnO y in terms of film thickness became the values shown in Table 1. .

[参考例6-1、6-2]
第1の保護層(基板側)および第2の保護層(光透過層側)の厚さを5nm、20nmとしたこと以外は参考例1-3と同様にして光ディスクを得た。
[Reference Examples 6-1, 6-2]
An optical disk was obtained in the same manner as in Reference Example 1-3, except that the thicknesses of the first protective layer (on the substrate side) and the second protective layer (on the light-transmitting layer side) were 5 nm and 20 nm.

(光ディスクの評価)
上述のようにして得られた光ディスクについて以下の評価を行った。
(Evaluation of optical discs)
The optical disc obtained as described above was evaluated as follows.

(光学特性の評価)
光ディスクの記録層の反射率および透過率を、分光光度計の反射率および透過率測定機能を用いて測定した。その結果を図6A、図6Bに示す。
(Evaluation of optical properties)
The reflectance and transmittance of the recording layer of the optical disc were measured using the reflectance and transmittance measuring function of a spectrophotometer. The results are shown in FIGS. 6A and 6B.

(クロストーク量CTの評価)
上述の“信号特性の評価方法”により、クロストーク量(漏れこみ量)CTを測定した。その結果を図7Aに示す。
(Evaluation of crosstalk amount CT)
The amount of crosstalk (amount of leakage) CT was measured using the above-mentioned "method for evaluating signal characteristics." The results are shown in FIG. 7A.

(CNRの評価)
上述の“信号特性の評価方法”により、12TマークのCNRを測定した。その結果を図7Bに示す。
(CNR evaluation)
The CNR of the 12T mark was measured using the above-mentioned "method for evaluating signal characteristics." The results are shown in FIG. 7B.

(光ディスクの構成)
表1は、参考例1-1~6-2の光ディスクの構成を示す。なお、上述のように、記録層をコスパッタリングで形成したため、表1では、MnOおよびWZnOの含有量を膜厚比率(体積比率)で示している。

Figure 0007447815000001
(Optical disc configuration)
Table 1 shows the configurations of the optical discs of Reference Examples 1-1 to 6-2. Note that, as described above, since the recording layer was formed by co-sputtering, Table 1 shows the contents of MnO x and WZnO y in terms of film thickness ratio (volume ratio).
Figure 0007447815000001

(クロストーク量CTおよびCNRの評価結果)
表2は、参考例1-1~6-2の光ディスクの評価結果を示す。

Figure 0007447815000002
(Evaluation results of crosstalk amount CT and CNR)
Table 2 shows the evaluation results of the optical discs of Reference Examples 1-1 to 6-2.
Figure 0007447815000002

図6Aおよび図6Bから以下のことがわかる。
参考例1-1~6-2の光ディスクのように、記録層の組成および膜厚、ならびに保護層の厚みを変更しても、光学特性(反射率および透過率)に大きな変化はないことがわかる。
The following can be seen from FIGS. 6A and 6B.
As with the optical discs of Reference Examples 1-1 to 6-2, even if the composition and thickness of the recording layer and the thickness of the protective layer are changed, there is no significant change in the optical properties (reflectance and transmittance). Recognize.

図6A、図6Bおよび表2から以下のことがわかる。
記録層の厚みを固定した条件でMnOとWZnOの比率を変えても、CNRおよびクロストーク量CTに対して殆ど影響が無い(参考例1-1~1-4)。
MnOx量を固定した条件でWZnO量を変えても、CNRおよびクロストーク量CTに対して殆ど影響が無い(参考例5-1~5-3、1-3)。
The following can be seen from FIGS. 6A, 6B, and Table 2.
Even if the ratio of MnO x and WZnO y is changed under the condition that the thickness of the recording layer is fixed, there is almost no effect on the CNR and the amount of crosstalk CT (Reference Examples 1-1 to 1-4).
Even if the amount of WZnO y is changed under the condition that the amount of MnOx is fixed, there is almost no effect on the CNR and the amount of crosstalk CT (Reference Examples 5-1 to 5-3, 1-3).

<ii 記録層に添加する添加元素の種類についての検討>
上記の評価結果に基づき、記録層の厚みおよびMnO量を固定し、WZnOの一部を他の元素の酸化物と置き換えることにより、クロストークを低減できる添加元素について検討した。
<ii Examination of the types of additive elements added to the recording layer>
Based on the above evaluation results, an additive element capable of reducing crosstalk was studied by fixing the thickness of the recording layer and the amount of MnO x and replacing part of WZnO y with an oxide of another element.

[実施例1-1~6-3、比較例1-1~14-3]
記録層の形成工程において、記録層の材料組成を変えるために、Mnターゲット、WZnO(W:Zn=4:6(mol比))ターゲット、金属Mのターゲット(但し、M=Mg、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、Ru、Cu、Ag、Al、Ga、Si、Ge、Sn、Sb、Bi、Te)の3つのターゲットを用いて、3源のコスパッタリングを行った。この際、膜厚換算でのMnO、WZnOおよびMOの含有量が表3に示す値となるように、スパッタリングの条件を調整した。上記以外のことは参考例1-3と同様にして光ディスクを得た。
[Examples 1-1 to 6-3, Comparative Examples 1-1 to 14-3]
In the formation process of the recording layer, in order to change the material composition of the recording layer, a Mn target, a WZnO (W:Zn=4:6 (mol ratio)) target, a metal M target (where M=Mg, Ti, Zr) were used. , Hf, V, Nb, Ta, Cr, Mo, Ru, Cu, Ag, Al, Ga, Si, Ge, Sn, Sb, Bi, Te), three-source co-sputtering was performed. Ta. At this time, the sputtering conditions were adjusted so that the contents of MnO x , WZnO y and MO z in terms of film thickness became the values shown in Table 3. An optical disc was obtained in the same manner as in Reference Example 1-3 except for the above.

(クロストーク量CTの評価)
上述のようにして得られた実施例1-1~6-3、比較例1-1~14-3の光ディスクについて、参考例6-1~6-2と同様にしてクロストーク量CTを評価した。その結果を図8に示す。なお、図8では、横軸に“MO”に代えて“金属M”を表記している。例えば、横軸に“MgO”に代えて“Mg”を表記している。
(Evaluation of crosstalk amount CT)
For the optical discs of Examples 1-1 to 6-3 and Comparative Examples 1-1 to 14-3 obtained as described above, the crosstalk amount CT was evaluated in the same manner as Reference Examples 6-1 to 6-2. did. The results are shown in FIG. In addition, in FIG. 8, "metal M" is written on the horizontal axis instead of "MO z ". For example, "Mg" is written on the horizontal axis instead of "MgO z ".

(光ディスクの構成)
表3は、実施例1-1~6-3、比較例1-1~14-3の光ディスクの構成を示す。

Figure 0007447815000003
(Optical disc configuration)
Table 3 shows the configurations of the optical discs of Examples 1-1 to 6-3 and Comparative Examples 1-1 to 14-3.
Figure 0007447815000003

図8から、添加材料MOとしてHf、Nb、Ta、Si、SnまたはSbの酸化物を記録層に添加した光ディスク(実施例1-1~6-3)では、添加材料MOを記録層に添加していない光ディスク(参考例1-3)に比べてクロストーク量CTを低減できることがわかる。また、添加材料MOとしてMg、Ti、Zr、V、Cr、Mo、Ru、Cu、Ag、Al、Ga、Ge、BiまたはTeの酸化物を記録層に添加した光ディスク(比較例1-1~14-3)に比べてクロストーク量CTを低減できることがわかる。
したがって、クロストーク量CTの低減の観点からすると、添加材料MOとしてHf、Nb、Ta、Si、SnまたはSbの酸化物の少なくとも1種を用いることが好ましいことがわかる。
From FIG. 8, in the optical disks (Examples 1-1 to 6-3) in which oxides of Hf, Nb, Ta, Si, Sn, or Sb were added to the recording layer as the additive material MO z , the additive material MO z was added to the recording layer. It can be seen that the amount of crosstalk CT can be reduced compared to the optical disc (Reference Example 1-3) in which no additive is added. In addition, an optical disk in which an oxide of Mg, Ti, Zr, V, Cr, Mo, Ru, Cu, Ag, Al, Ga, Ge, Bi, or Te was added to the recording layer as the additive material MOz (Comparative Example 1-1 It can be seen that the crosstalk amount CT can be reduced compared to 14-3).
Therefore, from the viewpoint of reducing the crosstalk amount CT, it is found that it is preferable to use at least one of the oxides of Hf, Nb, Ta, Si, Sn, or Sb as the additive material MOz .

<iii 記録層に添加する添加元素の添加量についての検討>
上記検討においてクロストーク量CTの低減効果が特に高いことが確認された添加元素(Hf、Nb、Ta、Si、Sn、Sb)について、それらの添加元素の添加量について検討した。
<iii Study on the amount of additive elements added to the recording layer>
Regarding the additive elements (Hf, Nb, Ta, Si, Sn, and Sb) that were confirmed to have a particularly high effect of reducing the amount of crosstalk CT in the above study, the amounts of these additive elements were investigated.

[実施例7-1~7-5、8-3~8-7、9-1~9-6、10-2~10-7、11-2~11-5、12-2~12-7、参考例8-1、8-2、9-7、10-1、11-1、12-1
記録層の形成工程において、記録層の材料組成を変えるために、Mnターゲット、WZnO(W:Zn=4:6(mol比))ターゲット、金属Mのターゲット(但し、M=Hf、Nb、Ta、Si、SnまたはSb)の3つのターゲットを用いて、3源のコスパッタリングを行った。この際、MnO以外の添加元素の酸化物(すなわちWZnOおよびMO)の含有量が表4に示す値となるように、スパッタリングの条件を調整した。上記以外のことは参考例1-3と同様にして光ディスクを得た。
[Examples 7-1 to 7-5, 8-3 to 8-7, 9-1 to 9-6, 10-2 to 10-7, 11-2 to 11-5, 12-2 to 12-7 , Reference Examples 8-1, 8-2, 9-7, 10-1, 11-1, 12-1 ]
In the formation process of the recording layer, in order to change the material composition of the recording layer, a Mn target, a WZnO (W:Zn=4:6 (mol ratio)) target, a metal M target (where M=Hf, Nb, Ta) were used. Three-source co-sputtering was performed using three targets: , Si, Sn, or Sb). At this time, the sputtering conditions were adjusted so that the content of oxides of additive elements other than MnO x (ie, WZnO y and MO z ) became the values shown in Table 4. An optical disc was obtained in the same manner as in Reference Example 1-3 except for the above.

(クロストーク量CTの評価)
上述のようにして得られた実施例7-1~7-5、8-3~8-7、9-1~9-6、10-2~10-7、11-2~11-5、12-2~12-7、参考例8-1、8-2、9-7、10-1、11-1、12-1の光ディスクについて、参考例6-1~6-2と同様にしてクロストーク量CTを評価した。その結果を図9A~図11Bに示す。
(Evaluation of crosstalk amount CT)
Examples 7-1 to 7-5, 8-3 to 8-7, 9-1 to 9-6, 10-2 to 10-7, 11-2 to 11-5, obtained as described above, 12-2 to 12-7, Reference Examples 8-1, 8-2, 9-7, 10-1 , 11-1, and 12-1 in the same manner as Reference Examples 6-1 to 6-2. The crosstalk amount CT was evaluated. The results are shown in FIGS. 9A to 11B.

(光ディスクの構成)
表4は、実施例7-1~7-5、8-3~8-7、9-1~9-6、10-2~10-7、11-2~11-5、12-2~12-7、参考例8-1、8-2、9-7、10-1、11-1、12-1の光ディスクの構成を示す。なお、表4中に示したWZnOおよびMO(但し、M=Hf、Nb、Ta、Si、SnまたはSb)の含有量(原子%)は、記録層に含まれる金属酸化物のうち、Mn酸化物を除いた残りの成分(すなわちWZnOおよびMOの合計量)を100原子%とした場合の含有量を示す。
(Optical disc configuration)
Table 4 shows Examples 7-1 to 7-5, 8-3 to 8-7, 9-1 to 9-6, 10-2 to 10-7, 11-2 to 11-5, 12-2 to 12-7, and the configurations of optical discs of Reference Examples 8-1, 8-2, 9-7, 10-1, 11-1, and 12-1 are shown. The contents (atomic %) of WZnO y and MO z (where M=Hf, Nb, Ta, Si, Sn or Sb) shown in Table 4 are based on the contents (atomic %) of the metal oxides contained in the recording layer. The content is shown when the remaining components excluding the Mn oxide (that is, the total amount of WZnO y and MO z ) is taken as 100 atomic %.

Figure 0007447815000004
Figure 0007447815000004

図9A~図11Bから以下のことがわかる。
クロストーク量低減の観点からすると、Hfの酸化物の含有量aは、好ましくは0[原子%]<a≦75[原子%]、より好ましくは8.3[原子%]≦a≦62.4[原子%]、さらにより好ましくは16.6[原子%]≦a≦41.6[原子%]である。
The following can be seen from FIGS. 9A to 11B.
From the viewpoint of reducing the amount of crosstalk, the Hf oxide content a is preferably 0 [atomic %]<a≦75 [atomic %], more preferably 8.3 [atomic %]≦a≦62. 4 [atomic %], and even more preferably 16.6 [atomic %]≦a≦41.6 [atomic %].

クロストーク量低減の観点からすると、Nbの酸化物の含有量bは、好ましくは0[原子%]<b≦100[原子%]、より好ましくは19.5[原子%]≦b≦100[原子%]、さらにより好ましくは34.2[原子%]≦b≦78.5[原子%]である。 From the viewpoint of reducing the amount of crosstalk, the Nb oxide content b is preferably 0 [atomic %]<b≦100 [atomic %], more preferably 19.5 [atomic %]≦b≦100 [atomic %]. atomic %], and even more preferably 34.2 [atomic %]≦b≦78.5 [atomic %].

クロストーク量低減の観点からすると、Taの酸化物の含有量cは、好ましくは0[原子%]<c≦100[原子%]、より好ましくは7.2[原子%]≦c≦81.1[原子%]、さらにより好ましくは22.2[原子%]≦c≦72[原子%]、特に好ましくは37.9[原子%]≦c≦66[原子%]である。 From the viewpoint of reducing the amount of crosstalk, the Ta oxide content c is preferably 0 [atomic %]<c≦100 [atomic %], more preferably 7.2 [atomic %]≦c≦81. 1 [atomic %], even more preferably 22.2 [atomic %]≦c≦72 [atomic %], particularly preferably 37.9 [atomic %]≦c≦66 [atomic %].

クロストーク量低減の観点からすると、Siの酸化物の含有量dは、好ましくは0[原子%]<d≦100[原子%]、より好ましくは15.2[原子%]≦d≦100[原子%]、さらにより好ましくは39.2[原子%]≦d≦100[原子%]、特に好ましくは60.1[原子%]≦d≦100[原子%]である。 From the viewpoint of reducing the amount of crosstalk, the Si oxide content d is preferably 0 [atomic %]<d≦100 [atomic %], more preferably 15.2 [atomic %]≦d≦100 [atomic %]. atomic %], even more preferably 39.2 [atomic %]≦d≦100 [atomic %], particularly preferably 60.1 [atomic %]≦d≦100 [atomic %].

クロストーク量低減の観点からすると、Snの酸化物の含有量eは、好ましくは0[原子%]<e≦100[原子%]、より好ましくは16.6[原子%]≦e≦100[原子%]、さらにより好ましくは41.6[原子%]≦e≦100[原子%]である。 From the viewpoint of reducing the amount of crosstalk, the Sn oxide content e is preferably 0 [atomic %]<e≦100 [atomic %], more preferably 16.6 [atomic %]≦e≦100 [atomic %]. atomic %], and even more preferably 41.6 [atomic %]≦e≦100 [atomic %].

クロストーク量低減の観点からすると、Sbの酸化物の含有量fは、好ましくは0[原子%]<f≦100[原子%]、より好ましくは14.4[原子%]≦f≦100[原子%]、さらにより好ましくは37.6[原子%]≦f≦100[原子%]、特に好ましくは80.8[原子%]≦f≦100[原子%]である。 From the viewpoint of reducing the amount of crosstalk, the Sb oxide content f is preferably 0 [atomic %]<f≦100 [atomic %], more preferably 14.4 [atomic %]≦f≦100 [atomic %]. atomic %], even more preferably 37.6 [atomic %]≦f≦100 [atomic %], particularly preferably 80.8 [atomic %]≦f≦100 [atomic %].

以上、本開示の実施形態について具体的に説明したが、本開示は、上述の実施形態に限定されるものではなく、本開示の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。 Although the embodiments of the present disclosure have been specifically described above, the present disclosure is not limited to the above-described embodiments, and various modifications based on the technical idea of the present disclosure are possible.

例えば、上述の実施形態において挙げた構成、方法、工程、形状、材料および数値等はあくまでも例に過ぎず、必要に応じてこれと異なる構成、方法、工程、形状、材料および数値等を用いてもよい。 For example, the configurations, methods, processes, shapes, materials, numerical values, etc. mentioned in the above-mentioned embodiments are merely examples, and different configurations, methods, processes, shapes, materials, numerical values, etc. may be used as necessary. Good too.

また、上述の実施形態の構成、方法、工程、形状、材料および数値等は、本開示の主旨を逸脱しない限り、互いに組み合わせることが可能である。 Moreover, the configurations, methods, processes, shapes, materials, numerical values, etc. of the above-described embodiments can be combined with each other without departing from the gist of the present disclosure.

上述の実施形態で段階的に記載された数値範囲において、ある段階の数値範囲の上限値または下限値は、他の段階の数値範囲の上限値または下限値に置き換えてもよい。上述の実施形態に例示した材料は、特に断らない限り、1種を単独でまたは2種以上を組み合わせて用いることができる。 In the numerical ranges described in stages in the above-described embodiments, the upper limit or lower limit of the numerical range of one stage may be replaced with the upper limit or lower limit of the numerical range of another stage. The materials exemplified in the above embodiments can be used alone or in combination of two or more, unless otherwise specified.

また、本開示は以下の構成を採用することもできる。
(1)
少なくとも1層の記録層を備え、
前記記録層は、Mnの酸化物と、前記Mnの酸化物以外の金属酸化物と
を含み、
前記Mnの酸化物の少なくとも一部が、+4価のMnとして存在し、
前記Mnの酸化物以外の金属酸化物が、Hf、Nb、Ta、Si、SnおよびSbの酸化物からなる群より選ばれる少なくとも1種を含み、
トラックピッチが0.225μm以下である光記録媒体。
(2)
前記記録層の第1の面側に設けられた第1の保護層と、
前記記録層の第2の面側に設けられた第2の保護層と
をさらに備える(1)に記載の光記録媒体。
(3)
前記記録層は、組成が異なる2以上の層を備え、
前記2以上の層のうちの少なくとも1層は、前記Mnの酸化物と、前記Mnの酸化物以外の金属酸化物とを含む(1)または(2)に記載の光記録媒体。
(4)
前記Mnの酸化物以外の金属酸化物は、少なくともHfの酸化物を含み、
前記Mnの酸化物以外の金属酸化物中における前記Hfの酸化物の割合は、0原子%より大きく75原子%以下である(1)から(3)のいずれかに記載の光記録媒体。
(5)
前記Mnの酸化物以外の金属酸化物中における前記Hfの酸化物の割合は、8.3原子%以上62.4原子%以下である(4)に記載の光記録媒体。
(6)
前記Mnの酸化物以外の金属酸化物は、少なくともNbの酸化物を含み、
前記Mnの酸化物以外の金属酸化物中における前記Nbの酸化物の割合は、0原子%より大きく100原子%以下である(1)から(3)のいずれかに記載の光記録媒体。
(7)
前記Mnの酸化物以外の金属酸化物中における前記Nbの酸化物の割合は、19.5原子%以上100原子%以下である(6)に記載の光記録媒体。
(8)
前記Mnの酸化物以外の金属酸化物は、少なくともTaの酸化物を含み、
前記Mnの酸化物以外の金属酸化物中における前記Taの酸化物の割合は、0原子%より大きく100原子%以下である(1)から(3)のいずれかに記載の光記録媒体。
(9)
前記Mnの酸化物以外の金属酸化物中における前記Taの酸化物の割合は、7.2原子%以上81.1原子%以下である(8)に記載の光記録媒体。
(10)
前記Mnの酸化物以外の金属酸化物は、少なくともSiの酸化物を含み、
前記Mnの酸化物以外の金属酸化物中における前記Siの酸化物の割合は、0原子%より大きく100原子%以下である(1)から(3)のいずれかに記載の光記録媒体。
(11)
前記Mnの酸化物以外の金属酸化物中における前記Siの酸化物の割合は、15.2原子%以上100原子%以下である(10)に記載の光記録媒体。
(12)
前記Mnの酸化物以外の金属酸化物は、少なくともSnの酸化物を含み、
前記Mnの酸化物以外の金属酸化物中における前記Snの酸化物の割合は、0原子%以上100原子%以下である(1)から(3)のいずれかに記載の光記録媒体。
(13)
前記Mnの酸化物以外の金属酸化物中における前記Snの酸化物の割合は、16.6原子%より大きく100原子%以下である(12)に記載の光記録媒体。
(14)
前記Mnの酸化物以外の金属酸化物は、少なくともSbの酸化物を含み、
前記少なくとも1種の酸化物中における前記Sbの酸化物の割合は、0原子%より大きく100原子%以下である(1)から(3)のいずれかに記載の光記録媒体。
(15)
前記Mnの酸化物以外の金属酸化物中における前記Sbの酸化物の割合は、14.4原子%以上100原子%以下である(14)に記載の光記録媒体。
(16)
Mnの酸化物と、前記Mnの酸化物以外の金属酸化物と
を含み、
前記Mnの酸化物の少なくとも一部が、+4価のMnとして存在し、
前記金属酸化物が、Hf、Nb、Ta、Si、SnおよびSbの酸化物からなる群より選ばれる少なくとも1種を含む光記録媒体の記録層。
(17)
Mnと、Mn以外の金属とを合金または金属酸化物として含み、
前記Mn以外の金属は、Hf、Nb、Ta、Si、SnおよびSbからなる群より選ばれる少なくとも1種を含む光記録媒体の記録層形成用スパッタリングターゲット。
Further, the present disclosure can also adopt the following configuration.
(1)
comprising at least one recording layer,
The recording layer includes an oxide of Mn and a metal oxide other than the oxide of Mn,
At least a part of the Mn oxide exists as +4-valent Mn,
The metal oxide other than the Mn oxide contains at least one selected from the group consisting of Hf, Nb, Ta, Si, Sn and Sb oxides,
An optical recording medium having a track pitch of 0.225 μm or less.
(2)
a first protective layer provided on the first surface side of the recording layer;
The optical recording medium according to (1), further comprising: a second protective layer provided on the second surface side of the recording layer.
(3)
The recording layer includes two or more layers having different compositions,
The optical recording medium according to (1) or (2), wherein at least one layer of the two or more layers includes the Mn oxide and a metal oxide other than the Mn oxide.
(4)
The metal oxide other than the Mn oxide includes at least an Hf oxide,
The optical recording medium according to any one of (1) to (3), wherein the proportion of the Hf oxide in the metal oxide other than the Mn oxide is greater than 0 atomic % and 75 atomic % or less.
(5)
The optical recording medium according to (4), wherein the proportion of the Hf oxide in the metal oxide other than the Mn oxide is 8.3 atomic % or more and 62.4 atomic % or less.
(6)
The metal oxide other than the Mn oxide includes at least an Nb oxide,
The optical recording medium according to any one of (1) to (3), wherein the proportion of the Nb oxide in the metal oxide other than the Mn oxide is greater than 0 atom % and less than 100 atom %.
(7)
The optical recording medium according to (6), wherein the proportion of the Nb oxide in the metal oxide other than the Mn oxide is 19.5 atomic % or more and 100 atomic % or less.
(8)
The metal oxide other than the Mn oxide includes at least a Ta oxide,
The optical recording medium according to any one of (1) to (3), wherein the proportion of the Ta oxide in the metal oxide other than the Mn oxide is greater than 0 atomic % and 100 atomic % or less.
(9)
The optical recording medium according to (8), wherein the proportion of the Ta oxide in the metal oxide other than the Mn oxide is 7.2 atomic % or more and 81.1 atomic % or less.
(10)
The metal oxide other than the Mn oxide includes at least an Si oxide,
The optical recording medium according to any one of (1) to (3), wherein the proportion of the Si oxide in the metal oxide other than the Mn oxide is greater than 0 atom % and less than 100 atom %.
(11)
The optical recording medium according to (10), wherein the proportion of the Si oxide in the metal oxide other than the Mn oxide is 15.2 atomic % or more and 100 atomic % or less.
(12)
The metal oxide other than the Mn oxide includes at least an Sn oxide,
The optical recording medium according to any one of (1) to (3), wherein the proportion of the Sn oxide in the metal oxide other than the Mn oxide is 0 atomic % or more and 100 atomic % or less.
(13)
The optical recording medium according to (12), wherein the proportion of the Sn oxide in the metal oxide other than the Mn oxide is greater than 16.6 atomic % and 100 atomic % or less.
(14)
The metal oxide other than the Mn oxide includes at least an Sb oxide,
The optical recording medium according to any one of (1) to (3), wherein the proportion of the Sb oxide in the at least one oxide is greater than 0 atom % and less than 100 atom %.
(15)
The optical recording medium according to (14), wherein the proportion of the Sb oxide in the metal oxide other than the Mn oxide is 14.4 atomic % or more and 100 atomic % or less.
(16)
An oxide of Mn and a metal oxide other than the oxide of Mn,
At least a part of the Mn oxide exists as +4-valent Mn,
A recording layer of an optical recording medium, wherein the metal oxide includes at least one selected from the group consisting of oxides of Hf, Nb, Ta, Si, Sn, and Sb.
(17)
Contains Mn and a metal other than Mn as an alloy or metal oxide,
A sputtering target for forming a recording layer of an optical recording medium, wherein the metal other than Mn is at least one selected from the group consisting of Hf, Nb, Ta, Si, Sn, and Sb.

1、1A 光記録媒体
10 第1のディスク
20 第2のディスク
30 貼合層
11、11A、21 基板
12、22 光透過層
13、16 記録層
14、15 保護層
16~16 第1~第nの層
L0~Ln、L0~Lm 情報信号層
S1~Sn、S1~Sm スペーサ層
C 光照射面
C1 第1の光照射面
C2 第2の光照射面
Gv グルーブ
Ld ランド
Tp トラックピッチ
1, 1A Optical recording medium 10 First disk 20 Second disk 30 Laminating layer 11, 11A, 21 Substrate 12, 22 Light transmission layer 13, 16 Recording layer 14, 15 Protective layer 16 1 to 16 nth 1 to Nth layer L0~Ln, L0~Lm Information signal layer S1~Sn, S1~Sm Spacer layer C Light irradiation surface C1 First light irradiation surface C2 Second light irradiation surface Gv Groove Ld Land Tp Track pitch

Claims (3)

少なくとも1層の記録層を備え、
前記記録層は、Mnの酸化物と、前記Mnの酸化物以外の金属酸化物と
を含み、
前記Mnの酸化物の少なくとも一部が、+4価のMnとして存在し、
前記Mnの酸化物以外の金属酸化物が、Hf、Nb、Ta、Si、SnおよびSbの酸化物からなる群より選ばれる少なくとも1種を含み、
前記Mnの酸化物以外の金属酸化物中における前記Hfの酸化物の割合は、8.3原子%以上62.4原子%以下であり、
前記Mnの酸化物以外の金属酸化物中における前記Nbの酸化物の割合は、19.5原子%以上100原子%以下であり、
前記Mnの酸化物以外の金属酸化物中における前記Taの酸化物の割合は、7.2原子%以上81.1原子%以下であり、
前記Mnの酸化物以外の金属酸化物中における前記Siの酸化物の割合は、15.2原子%以上100原子%以下であり、
前記Mnの酸化物以外の金属酸化物中における前記Snの酸化物の割合は、16.6原子%より大きく100原子%以下であり、
前記Mnの酸化物以外の金属酸化物中における前記Sbの酸化物の割合は、14.4原子%以上100原子%以下であり、
トラックピッチが0.225μm以下である光記録媒体。
comprising at least one recording layer,
The recording layer includes an oxide of Mn and a metal oxide other than the oxide of Mn,
At least a part of the Mn oxide exists as +4-valent Mn,
The metal oxide other than the Mn oxide contains at least one selected from the group consisting of Hf, Nb, Ta, Si, Sn and Sb oxides,
The proportion of the Hf oxide in the metal oxide other than the Mn oxide is 8.3 atomic % or more and 62.4 atomic % or less,
The proportion of the Nb oxide in the metal oxide other than the Mn oxide is 19.5 atomic % or more and 100 atomic % or less,
The proportion of the Ta oxide in the metal oxide other than the Mn oxide is 7.2 atomic % or more and 81.1 atomic % or less,
The proportion of the Si oxide in the metal oxide other than the Mn oxide is 15.2 atomic % or more and 100 atomic % or less,
The proportion of the Sn oxide in the metal oxide other than the Mn oxide is greater than 16.6 atomic % and 100 atomic % or less,
The proportion of the Sb oxide in the metal oxide other than the Mn oxide is 14.4 atomic % or more and 100 atomic % or less,
An optical recording medium having a track pitch of 0.225 μm or less.
前記記録層の第1の面側に設けられた第1の保護層と、
前記記録層の第2の面側に設けられた第2の保護層と
をさらに備える請求項1に記載の光記録媒体。
a first protective layer provided on the first surface side of the recording layer;
The optical recording medium according to claim 1, further comprising: a second protective layer provided on the second surface side of the recording layer.
前記記録層は、組成が異なる2以上の層を備え、
前記2以上の層のうちの少なくとも1層は、前記Mnの酸化物と、前記Mnの酸化物以外の金属酸化物とを含む請求項1に記載の光記録媒体。
The recording layer includes two or more layers having different compositions,
The optical recording medium according to claim 1, wherein at least one layer of the two or more layers includes the Mn oxide and a metal oxide other than the Mn oxide.
JP2020569622A 2019-02-01 2020-01-27 optical recording medium Active JP7447815B2 (en)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019017224 2019-02-01
JP2019017224 2019-02-01
PCT/JP2020/002816 WO2020158680A1 (en) 2019-02-01 2020-01-27 Optical recording medium, recording layer, and sputtering target for forming recording layer

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPWO2020158680A1 JPWO2020158680A1 (en) 2021-12-02
JP7447815B2 true JP7447815B2 (en) 2024-03-12

Family

ID=71841764

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2020569622A Active JP7447815B2 (en) 2019-02-01 2020-01-27 optical recording medium

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP7447815B2 (en)
CN (1) CN113348510B (en)
WO (1) WO2020158680A1 (en)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008087476A (en) 2006-09-06 2008-04-17 Mitsubishi Kagaku Media Co Ltd Optical recording medium
WO2017159561A1 (en) 2016-03-14 2017-09-21 パナソニックIpマネジメント株式会社 Information recording medium, and method for producing information recording medium
JP2018106794A (en) 2012-06-04 2018-07-05 ソニー株式会社 Information recording medium
WO2018155070A1 (en) 2017-02-24 2018-08-30 パナソニックIpマネジメント株式会社 Information recording medium, method for producing same, and sputtering target

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002283719A (en) * 2001-01-18 2002-10-03 Ricoh Co Ltd Optical recording medium and recording method
JP2003228881A (en) * 2002-02-04 2003-08-15 Hitachi Ltd Information recording medium
JP4078633B2 (en) * 2002-02-20 2008-04-23 日本ビクター株式会社 Phase change optical information recording medium
US20060234091A1 (en) * 2005-04-19 2006-10-19 Heraeus, Inc. Enhanced multi-component oxide-containing sputter target alloy compositions
JP2006331619A (en) * 2005-04-28 2006-12-07 Mitsubishi Kagaku Media Co Ltd Optical recording medium, sputtering target and azo-metal chelate dye
JP2008010125A (en) * 2006-06-30 2008-01-17 Toshiba Corp Information recording medium and disk apparatus
JP4764858B2 (en) * 2007-01-30 2011-09-07 株式会社リコー Optical recording medium, sputtering target, and manufacturing method thereof
WO2011034153A1 (en) * 2009-09-18 2011-03-24 株式会社神戸製鋼所 Recording layer for optical information recording medium, optical information recording medium, and sputtering target
JP6447830B2 (en) * 2013-12-04 2019-01-09 ソニー株式会社 Transmission recording layer for optical recording medium, and optical recording medium
TWI722142B (en) * 2016-04-08 2021-03-21 日商新力股份有限公司 Optical recording medium and manufacturing method thereof, and recording layer for optical recording medium

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008087476A (en) 2006-09-06 2008-04-17 Mitsubishi Kagaku Media Co Ltd Optical recording medium
JP2018106794A (en) 2012-06-04 2018-07-05 ソニー株式会社 Information recording medium
WO2017159561A1 (en) 2016-03-14 2017-09-21 パナソニックIpマネジメント株式会社 Information recording medium, and method for producing information recording medium
WO2018155070A1 (en) 2017-02-24 2018-08-30 パナソニックIpマネジメント株式会社 Information recording medium, method for producing same, and sputtering target

Also Published As

Publication number Publication date
JPWO2020158680A1 (en) 2021-12-02
WO2020158680A1 (en) 2020-08-06
CN113348510A (en) 2021-09-03
CN113348510B (en) 2023-09-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH11195243A (en) Multilayered optical disk and recording and reproducing device
JP7014152B2 (en) Optical recording medium and its manufacturing method
JP2004039147A (en) Optical recording medium and optical recording method
CA2401389C (en) Optical recording medium
TWI460723B (en) An optical information recording medium and an optical information recording medium
US8107343B2 (en) Optical information storage medium and optical information storage medium reproducing apparatus
JP7447815B2 (en) optical recording medium
JP2007149210A (en) Multilayer optical recording medium and information recording method of multilayer optical recording medium
JP2014017031A (en) Optical information recording medium
JP4209416B2 (en) Optical information recording medium and optical information recording medium reproducing apparatus
JP4252482B2 (en) Read-only multilayer optical information recording medium and manufacturing method thereof
JP4729125B2 (en) Optical information recording medium
WO2019172081A1 (en) Recording layer for optical recording media, and optical recording medium
WO2022186117A1 (en) Optical recording medium, method for producing same, recording material for optical recording medium, and sputtering target for optical recording medium
US8247058B2 (en) Information recording medium and manufacturing method thereof
JP6838558B2 (en) Optical recording medium
JP5073632B2 (en) Optical information recording medium and optical information recording medium driving device
JP2023101049A (en) Information recording medium and manufacturing method thereof
JP4326532B2 (en) Multilayer optical recording medium
JP2014024199A (en) Optical recording medium
JP2004253086A (en) Two-layer recording layer type optical recording medium
KR20100010754A (en) An optical disk
JP2013178858A (en) Optical recording and reproducing method

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20221209

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20230926

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20231127

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20240130

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20240212

R151 Written notification of patent or utility model registration

Ref document number: 7447815

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151