JP7408271B2 - 磁気共鳴イメージング装置および医用画像処理装置 - Google Patents

磁気共鳴イメージング装置および医用画像処理装置 Download PDF

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Description

本発明の実施形態は、磁気共鳴イメージング装置および医用画像処理装置に関する。
従来、磁気共鳴イメージング装置により取得された位相画像に基づいて、被検体内における組織の磁化率を示す磁化率マップを求める技術がある。位相画像におけるボクセルごとの位相値から磁化率への変換に用いられるダイポールカーネル(dipole kernel)のフーリエ変換における分母は、ゼロになる可能性がある。このため、位相画像から磁化率マップを求めることは、不良設定問題(ill-posed probrem)となる。
上記不良設定問題を解消するために、例えば、正則化項として磁化率の勾配を用いたL1ノルム正則化の手法が用いられることがある。この手法では、磁化率マップにおける各種組織間の境界部分(以下、組織境界と呼ぶ)においても磁化率が平滑されるため、組織境界の磁化率が正しく算出されないことがある。このため、組織境界における磁化率の平滑化を避けるために、強度画像において検出されたエッジと磁化率の勾配との積を、L1ノルム正則化として用いることがある。
また、撮像領域が頭部である場合、脳脊髄液(以下、CSF(cerebrospinal fluid)と脳実質との組織境界において、パーシャルボリューム効果により、強度画像においてシェーディングアーチファクト(shading artifact)が発生することがある。シェーディングアーチファクトの発生領域は、例えば強度画像の信号値が低い領域であり、換言すれば強度画像の信号値の信頼度が低い領域に相当する。このため、L1ノルム正則化に用いられるエッジに、偽のエッジが発生することがある。また、頭部に関する磁化率マップの観察領域が、強度画像においてコントラストが付きにくい領域(例えば淡蒼球など)である場合、そもそもエッジが検出されないことがある。
以上のことから、上記いずれの手法においても、磁化率が正確に算出されないことがある。
発明が解決しようとする課題は、高精度な磁化率マップを生成することにある。
本実施形態に係る医用画像処理装置は、画像生成部と、磁化率マップ生成部と、を有する。
前記画像生成部は、複数のエコー時間に対応する複数の強度画像に基づいて組織の緩和時間マップを生成する。
前記磁化率マップ生成部は、前記複数のエコー時間に対応する複数の位相画像により生成された磁場分布と、前記緩和時間マップとに基づいて、被検体内の複数の磁化率を定量的に示す磁化率マップを生成する。
図1は、第1の実施形態において、MRI装置の構成の一例を示す図である。 図2は、第1の実施形態において、磁化率マップの生成に関する処理手順の一例を示すフローチャートである。 図3は、第1の実施形態において、位相折り返し除去および背景磁場の影響除去が実行された組織位相画像の一例を示す図である。 図4は、第1の実施形態において、エコー時間が異なる複数の組織位相画像において、同一位置のボクセルごとの位相分布に対するフィッティングの一例を示す図である。 図5は、第1の実施形態における撮像領域が脳である場合において、エコー時間TEに対する相対的な信号値(SI/I)の変化の一例を示す図である。 図6は、第1の実施形態において、脳実質と、淡蒼球と、脳実質および淡蒼球に関するコントラスト差とに対する、エコー時間TEが30である場合のシミュレーションによる強度信号およびTの文献値の対応表の一例を示す図である。 図7は、第1の実施形態において、参照点(脳室)と、観察領域(淡蒼球)との一例を示す図である。 図8は、第1の実施形態における撮像領域が脳である場合のサジタル面において、強度画像(Msmag)およびR マップ(R )と、基準値1から強度画像(Msmag)の差分および基準値1からのR マップ(R )の差分の一例を示す図である。 図9は、第1の実施形態における撮像領域が脳である場合のアキシャル面において、強度画像およびR マップとの一例を示す図である。 図10は、第1の実施形態において、磁化率マップ、強度画像(T 強調画像)、および緩和時間マップ(T マップ)各々に対するコントラストに関する組織、物質の一例を示す図である。 図11は、第2の実施形態において、MRI装置の構成の一例を示す図である。 図12は、第2の実施形態において、高精度磁化率マップの生成に関する処理手順の一例を示すフローチャートである。 図13は、第2の実施形態において、エッジ検出されたあるサジタル面の強度エッジ画像GSG(Mmag)の一例を示す図である。 図14は、第2の実施形態において、5つの解剖学的標識点(直静脈洞、前頭蓋窩、頭頂部の上矢状静脈洞、前頭部の上矢状静脈洞、後頭部の上矢状静脈洞の3次元的な位置の一例を示す図である。 図15は、第2の実施形態において、アキシャル面とサジタル面とボリュームレンダリング画像に対するLF領域と、あるサジタル面におけるLF面マスク画像MLFPとを示す図である。 図16は、第2の実施形態において、あるサジタル面におけるLF領域画像MLFの一例を示す図である。 図17は、第2の実施形態において、第1磁化率マップと、高精度磁化率マップと、第1磁化率マップと高精度磁化率マップとの差分とを、アキシャル面およびサジタル面各々において示す図である。 図18は、第2の実施形態において、非LF領域において、第1磁化率χに対する高精度磁化率マップの磁化率χhaの分布を示す図である。
以下、図面を参照しながら、磁気共鳴イメージング装置(以下、MRI(Magnetic Resonance Imaging)装置と呼ぶ)の実施形態について説明する。以下の説明において、略同一の機能及び構成を有する構成要素については、同一符号を付し、重複説明は必要な場合にのみ行う。
(第1の実施形態)
図1を参考にして、第1の本実施形態におけるMRI装置100の全体構成について説明する。図1は、本実施形態において、MRI装置100の構成を示す図である。同図に示すように、本実施形態に係るMRI装置100は、静磁場磁石101と、傾斜磁場コイル103と、傾斜磁場電源105と、寝台107と、寝台制御回路109と、送信回路(送信部)113と、送信コイル115と、受信コイル117と、受信回路(受信部)119と、シーケンス制御回路(収集部)121と、インタフェース(入力部)125と、ディスプレイ(表示部)127と、記憶装置(記憶部)129と、処理回路(処理部)131とを備える。なお、MRI装置100は、静磁場磁石101と傾斜磁場コイル103との間において中空の円筒形状のシムコイルを有していてもよい。
静磁場磁石101は、中空の略円筒形状に形成された磁石である。なお、静磁場磁石101は、略円筒形状に限らず、開放型の形状で構成されてもよい。静磁場磁石101は、ボア111に一様な静磁場Bを発生する。この静磁場磁石101としては、例えば、超伝導磁石等が使用される。
傾斜磁場コイル103は、中空の円筒形状に形成されたコイルである。傾斜磁場コイル103は、静磁場磁石101の内側に配置される。傾斜磁場コイル103は、互いに直交するX、Y、Zの各軸に対応する3つのコイルが組み合わされて形成される。Z軸方向は、静磁場Bの方向と同方向であるとする。また、Y軸方向は、鉛直方向とし、X軸方向は、Z軸及びY軸に垂直な方向とする。傾斜磁場コイル103における3つのコイルは、傾斜磁場電源105から個別に電流供給を受けて、X、Y、Zの各軸に沿って磁場強度が変化する傾斜磁場を発生させる。
傾斜磁場コイル103によって発生するX、Y、Z各軸の傾斜磁場は、例えば、スライス選択用傾斜磁場、位相エンコード用傾斜磁場および周波数エンコード用傾斜磁場(リードアウト傾斜磁場ともいう)にそれぞれ対応している。スライス選択用傾斜磁場は、任意に撮像断面を決めるために利用される。位相エンコード用傾斜磁場は、空間的位置に応じて磁気共鳴(Magnetic Resonance:以下、MRと呼ぶ)信号の位相を変化させるために利用される。周波数エンコード用傾斜磁場は、空間的位置に応じてMR信号の周波数を変化させるために利用される。
また、X軸等の傾斜磁場は、例えば、グラジエントエコー法において、X-Y平面上のスピンの位相を再収束させるために、傾斜磁場の方向を2回反転させた再収束パルスとして用いられる。なお、X、Y、Z各軸の傾斜磁場は、1次の静磁場シミングに用いられてもよい。
傾斜磁場電源105は、シーケンス制御回路121による制御のもとで、傾斜磁場コイル103に電流を供給する電源装置である。
寝台107は、被検体Pが載置される天板1071を備えた装置である。寝台107は、寝台制御回路109による制御のもと、被検体Pが載置された天板1071を、ボア111内へ挿入する。通常、寝台107は、長手方向が静磁場磁石101の中心軸と平行になるように、検査室内に設置される。
寝台制御回路109は、寝台107を制御する回路であり、例えばプロセッサにより実現される。寝台制御回路109は、インタフェース125を介した操作者の指示により寝台107を駆動し、天板1071を長手方向および上下方向、場合によっては左右方向へ移動させる。
送信回路113は、シーケンス制御回路121による制御のもとで、ラーモア周波数に対応する高周波パルスを送信コイル115に供給する。
送信コイル115は、傾斜磁場コイル103の内側に配置されたRF(Radio Frequency)コイルである。送信コイル115は、送信回路113から高周波パルス(RFパルス)の供給を受けて、高周波磁場に相当する送信RF波を発生する。送信コイルは、例えば、全身用コイル(以下、WB(whole body)コイルと呼ぶ)である。WBコイルは、送受信コイルとして使用されてもよい。また、送信コイル115は、1つのコイルにより形成されるWBコイルであってもよい。
受信コイル117は、傾斜磁場コイル103の内側に配置されたRFコイルである。受信コイル117は、高周波磁場によって被検体Pから放射されるMR信号を受信する。受信コイル117は、受信されたMR信号を受信回路119へ出力する。受信コイル117は、例えば、1以上、典型的には複数のコイルエレメントを有するコイルアレイである。なお、図1において送信コイル115と受信コイル117とは別個のRFコイルとして記載されているが、送信コイル115と受信コイル117とは、一体化された送受信コイルとして実施されてもよい。送受信コイルは、例えば、被検体Pの撮像対象に対応し、頭部コイルのような局所的な送受信RFコイルである。
受信回路119は、シーケンス制御回路121による制御のもとで、受信コイル117から出力されたMR信号に基づいて、デジタル化された複素数データであるデジタルのMR信号を生成する。具体的には、受信回路119は、受信コイル117から出力されたMR信号に対して各種信号処理を施した後、各種信号処理が施されたデータに対してアナログ/デジタル(A/D(Analog to Digital))変換を実行する。受信回路は119は、AD変換されたデータに対して標本化(サンプリング)を実行する。これにより、受信回路119は、デジタルのMR信号(以下、磁気共鳴(MR)データと呼ぶ)を生成する。受信回路119は、生成されたMRデータを、シーケンス制御回路121に出力する。
シーケンス制御回路121は、処理回路131から出力された撮像プロトコルに従って、傾斜磁場電源105、送信回路113及び受信回路119等を制御し、被検体Pに対する撮像を行う。撮像プロトコルは、検査に応じた各種パルスシーケンスを有する。撮像プロトコルには、傾斜磁場電源105により傾斜磁場コイル103に供給される電流の大きさ、傾斜磁場電源105により電流が傾斜磁場コイル103に供給されるタイミング、送信回路113により送信コイル115に供給されるRFパルスの大きさ、送信回路113により送信コイル115にRFパルスが供給されるタイミング、受信コイル117によりMR信号が受信されるタイミング等が定義されている。
インタフェース125は、操作者からの各種指示や情報入力を受け付ける回路を有する。インタフェース125は、例えば、マウス等のポインティングデバイス、あるいはキーボード等の入力デバイスに関する回路を有する。なお、インタフェース125が有する回路は、マウス、キーボードなどの物理的な操作部品に関する回路に限定されない。例えば、インタフェース125は、本MRI装置100とは別体に設けられた外部の入力機器から入力操作に対応する電気信号を受け取り、受け取った電気信号を種々の回路へ出力するような電気信号の処理回路を有していてもよい。
ディスプレイ127は、処理回路131におけるシステム制御機能1311による制御のもとで、例えば、画像生成機能1313により再構成されたMR画像、磁化率マップ生成機能1315により生成された磁化率マップ等の各種の画像および情報を表示する。磁化率マップとは、被検体内の複数の磁化率を定量的に示す画像である。ディスプレイ127は、例えば、CRTディスプレイや液晶ディスプレイ、有機ELディスプレイ、LEDディスプレイ、プラズマディスプレイ、又は当技術分野で知られている他の任意のディスプレイ、モニタ等の表示デバイスである。
記憶装置129は、画像生成機能1313を介してk空間に充填されたMRデータ、画像生成機能1313により生成された画像データ等を記憶する。記憶装置129は、各種撮像プロトコル、撮像プロトコルを規定する複数の撮像パラメータを含む撮像条件等を記憶する。記憶装置129は、処理回路131で実行される各種機能に対応するプログラムを記憶する。記憶装置129は、例えば、RAM(Random Access Memory)、フラッシュメモリ等の半導体メモリ素子、ハードディスクドライブ(hard disk drive)、ソリッドステートドライブ(solid state drive)、光ディスク等である。また、記憶装置129は、CD-ROMドライブやDVDドライブ、フラッシュメモリ等の可搬性記憶媒体との間で種々の情報を読み書きする駆動装置等であってもよい。換言すれば、記憶装置129は、例えば、メモリ、ストレージ等により実願される。
処理回路131は、ハードウェア資源として図示していないプロセッサ、ROMやRAM等のメモリ等を有し、本MRI装置100を制御する。処理回路131は、システム制御機能1311、画像生成機能1313、磁化率マップ生成機能1315を有する。システム制御機能1311、画像生成機能1313、磁化率マップ生成機能1315にて行われる各種機能は、コンピュータによって実行可能なプログラムの形態で記憶装置129へ記憶されている。処理回路131は、これら各種機能に対応するプログラムを記憶装置129から読み出し、実行することで各プログラムに対応する機能を実現するプロセッサである。換言すると、各プログラムを読みだした状態の処理回路131は、図1の処理回路131内に示された複数の機能等を有する。
なお、図1においては単一の処理回路131にてこれら各種機能が実現されるものとして説明したが、複数の独立したプロセッサを組み合わせて処理回路131を構成し、各プロセッサがプログラムを実行することにより機能を実現するものとしても構わない。換言すると、上述のそれぞれの機能がプログラムとして構成され、1つの処理回路が各プログラムを実行する場合であってもよいし、特定の機能が専用の独立したプログラム実行回路に実装される場合であってもよい。処理回路131が有するシステム制御機能1311、画像生成機能1313、磁化率マップ生成機能1315は、それぞれシステム制御部、画像生成部、磁化率マップ生成部の一例である。
上記説明において用いた「プロセッサ」という文言は、例えば、CPU(Central Processing Unit)、GPU(Graphical Processing Unit)或いは、特定用途向け集積回路(Application Specific Integrated Circuit:ASIC)、プログラマブル論理デバイス(例えば、単純プログラマブル論理デバイス(Simple Programmable Logic Device:SPLD)、複合プログラマブル論理デバイス(Complex Programmable Logic Device:CPLD)、及びフィールドプログラマブルゲートアレイ(Field Programmable Gate Array:FPGA))等の回路を意味する。
プロセッサは、記憶装置129に保存されたプログラムを読み出し実行することで機能を実現する。なお、記憶装置129にプログラムを保存する代わりに、プロセッサの回路内にプログラムを直接組み込むよう構成しても構わない。この場合、プロセッサは回路内に組み込まれたプログラムを読み出し実行することで機能を実現する。なお、寝台制御回路109、送信回路113、受信回路119、シーケンス制御回路121等も同様に、上記プロセッサなどの電子回路により構成される。
処理回路131は、システム制御機能1311により、MRI装置100を制御する。具体的には、処理回路131は、記憶装置129に記憶されているシステム制御プログラムを読み出してメモリ上に展開し、展開されたシステム制御プログラムに従って本MRI装置100の各回路を制御する。例えば、処理回路131は、システム制御機能1311により、インタフェース125を介して操作者から入力される撮像条件に基づいて、撮像プロトコルを記憶装置129から読み出す。なお、処理回路131は、撮像条件に基づいて、撮像プロトコルを生成してもよい。処理回路131は、撮像プロトコルをシーケンス制御回路121に送信し、被検体Pに対する撮像を制御する。
処理回路131は、画像生成機能1313により、リードアウト傾斜磁場の強度に従って、k空間のリードアウト方向に沿ってMRデータを充填する。処理回路131は、k空間に充填されたMRデータに対してフーリエ変換を行うことにより、MR画像を生成する。例えば、処理回路131は、MRデータのうち実部データに基づいて、実部画像を生成する。また、処理回路131は、MRデータのうち虚部データに基づいて、虚部画像を生成する。処理回路131は、実部画像の強度(絶対値)と虚部画像の強度(絶対値)とを用いて、強度画像データを生成する。処理回路131は、実部画像に対する虚部画像の比に対して逆正接(アークタンジェント:tan-1)を計算することにより、位相画像データを生成する。処理回路131は、強度画像データおよび位相画像データなどのMR画像を、ディスプレイ127や記憶装置129に出力する。処理回路131により実現される磁化率マップ生成機能1315については、後程詳述する。
以上が本実施形態に係るMRI装置100の全体構成についての説明である。磁化率マップ生成機能1315の説明に際して、まず、磁化率マップの生成に用いられる各種画像に関するMRデータの収集、各種画像の生成について説明し、次いで磁化率マップの生成について説明する。
図2は、本実施形態において、磁化率マップの生成に関する処理手順の一例を示すフローチャートである。
(ステップSa1)
シーケンス制御回路121は、グラジエントエコー系のパルスシーケンスを有するマルチエコー法の撮像プロトコルに従って、被検体Pを3次元的にスキャンする。具体的には、シーケンス制御回路121は、グラジエントエコー系のパルスシーケンスを有する撮像プロトコルを、記憶装置129から読み出す。以下、説明を簡単にするために、マルチエコー法における異なるエコー時間は、4つであるものとする。なお、エコー時間の数は、4つに限定されず、複数であればいずれの自然数であってもよい。シーケンス制御回路121は、読み出された撮像プロトコルを実行することにより、被検体Pに対して3次元的なマルチエコー撮像を実施する。シーケンス制御回路121は、複数のエコー時間TE各々に対応する3次元的なMRデータを収集する。
(ステップSa2)
処理回路131は、画像生成機能1313により、収集された3次元的なMRデータを用いて、複数のエコー時間にそれぞれ対応する複数の3次元的な位相画像(以下、3次元位相画像と呼ぶ)と複数の3次元的な強度画像(以下、3次元強度画像と呼ぶ)とを生成する。複数の3次元位相画像各々のボクセルには、逆正接の計算結果に応じて、-πラジアン(rad)から+πラジアン(rad)の範囲(以下、位相範囲と呼ぶ)の位相値(スピンの位相情報)が割り当てられる。すなわち、-πラジアン未満の位相値および+πラジアンを超える位相値は、3次元位相画像の生成において、それぞれ位相範囲内に折り返される。
(ステップSa3)
処理回路131は、磁化率マップ生成機能1315により、複数の3次元位相画像各々に対する高画質化処理により、複数のエコー時間にそれぞれ対応する3次元的な複数の組織位相画像を生成する。高画質化処理とは、例えば、位相折り返し除去、背景磁場(静磁場B)の影響除去などである。高画質化処理に関するプログラム、数式等は、記憶装置129に記憶される。
具体的には、処理回路131は、MRIの技術分野およびSAR(Synthetic Aperture Radar)の技術分野などで使用される公知の処理法、例えば、領域拡張法、ラプラシアン法、グラフカット法等の公知技術を用いて、3次元位相画像各々に対して位相折り返しの除去を実行する。位相折り返し除去後の3次元位相画像には、体内組織の磁化率に起因する位相と、背景磁場の影響に起因する位相とが重畳している。背景磁場の影響に起因する位相は、体内組織の磁化率に起因する位相よりも、例えば10倍以上大きい。
処理回路131は、体内組織の磁化率を精度良く求めるために、磁化率マップ生成機能1315により、位相折り返しが除去された3次元位相画像から、背景磁場の影響に起因する位相を取り除く処理、即ち、背景磁場の影響除去を実行する。具体的には、処理回路131は、例えば、フィルタを適用する方法、SHARP(Sophisticated Harmonic Artifact Reduction on Phase data)法(改良SHARP法、及びRESHARP(Regularization-Enabled SHARP)法を含む)、PDF(Projection onto Dipole Field)法などの種々の方法を用いて、位相折り返しが除去された複数の3次元位相画像各々に対して、背景磁場の影響除去を実行する。これにより、処理回路131は、位相折り返しおよび背景磁場の影響が除去された複数の組織位相画像を生成する。
図3は、位相折り返し除去および背景磁場の影響除去が実行された組織位相画像の一例を示す図である。図3における位相折り返し除去前の画像Pufは、画像生成機能1313により生成された3次元位相画像を示している。画像Pufの濃淡は、-πラジアンから+πラジアンの位相範囲における位相値を示している。図3における位相折り返し除去後の3次元位相画像Puaの濃淡は、例えば、-3πラジアンから+3πラジアンの位相範囲における位相値を示している。図3における背景磁場の影響除去後の画像Tpiは、組織位相画像を示している。処理回路131は、磁化率マップ生成機能1315により、複数のエコー時間にそれぞれ対応する複数の組織位相画像を生成する。
(ステップSa4)
処理回路131は、磁化率マップ生成機能1315により、複数の組織位相画像における同一位置のボクセルごとに、エコー時間に対する位相値の分布(以下、位相分布と呼ぶ)に関する回帰直線の傾きに基づいて、ローカルフィールドマップを決定する。具体的には、処理回路131は、複数の組織位相画像における同一位置の複数のボクセルごとに、位相分布に対するフィッティングを実行する。処理回路131は、回帰分析の結果、例えば位相分布における回帰直線の傾きなどの回帰パラメータを、ボクセルごとに決定する。回帰分析は、回帰直線の傾きを求める線形回帰分析に限定されず、例えば、ロバスト推定や正則化付き回帰、非線形回帰(サポートベクターマシンやランダムフォレストなどの機械学習)など、各種複雑な回帰分析が用いられてもよい。
図4は、エコー時間が異なる複数の組織位相画像において、同一位置のボクセルごとの位相分布に対するフィッティングの一例を示す図である。図4におけるグラフは、エコー時間TEに対応する組織位相画像Tpi1と、エコー時間TEに対応する組織位相画像Tpi2と、エコー時間TEに対応する組織位相画像Tpi3と、エコー時間TEに対応する組織位相画像Tpi4とにおいて、同一の位置のあるボクセルについての位相分布と、後述する式(1)によるフィッティングの一例を示している。
図4に示すように、回帰分析の結果としての回帰直線は、位相値をφ、傾きをa、エコー時間をTE、切片(初期位相値)をφとすると、
φ=a×TE+φ (1)
で表される。このフィッティングにより、式(1)における回帰直線の傾きa(回帰パラメータ)が、ボクセルごとに決定される。
傾きaは、プロトンの磁気回転比γ、静磁場B、および磁場分布δの積
a=γ×B×δ (2)
により表される。磁場分布δは、ローカルフィールドマップとも呼ばれ、生体組織間の磁化率の差によって生じる相対的な磁場変化に相当する。すなわち、磁場分布δは、組織位相画像の複数のボクセル各々における磁化により生成される磁場が組織位相画像におけるボクセル各々に及ぼす磁場の分布を示している。処理回路131は、決定された傾きを磁気回転比γと静磁場Bとの積(ラーモア周波数ω)で除算することにより、磁場分布δを計算する。
(ステップSa5)
処理回路131は、磁化率マップ生成機能1315により、複数の3次元強度画像を用いて、撮像領域における組織の緩和時間マップを生成し、生成された緩和時間マップに対してエッジ検出を実行することにより、エッジマスクを生成する。以下、説明を具体的にするために、組織の緩和時間マップは、T 値の逆数であるR を撮像領域におけるボクセルに配置したR マップであるものとして説明する。なお、組織の緩和時間マップは、R マップに限定されない。
具体的には、処理回路131は、複数の3次元強度画像における同一位置のボクセルに関して、エコー時間TEに対するボクセル値(強度信号)の分布に対してフィッティングを実行する。このフィッティングにより、処理回路131は、撮像領域における複数のボクセル各々のT 値を計算する。処理回路131は、ボクセル毎にT 値の逆数を計算することにより、撮像領域におけるR 値の分布を示すR マップを生成する。すなわち、処理回路131は、複数の3次元強度画像における同一位置の強度信号の分布に対してフィッティングを実行することにより、緩和時間マップ(R マップ)を生成する。以下、説明を具体的にするために、撮像領域は、被検体の頭部の脳であるものとする。なお、撮像領域は、頭部、脳に限定されない。
図5は、撮像領域が脳である場合において、エコー時間TEに対する相対的な信号値(SI/I)の変化(以下、信号遷移と呼ぶ)の一例を示す図である。図6は、脳実質と、淡蒼球と、脳実質および淡蒼球に関するコントラスト差とに対する、エコー時間TEが30である場合のシミュレーションによる強度信号およびTの文献値の対応表の一例を示す図である。図5および図6に示すように、例えば、脳実質と淡蒼球と脳脊髄液(以下、CSF(cerebrospinal fluid)と呼ぶ)とにおいてT 値およびT値は、それぞれ異なる。すなわち、T 値およびT値は、撮像領域における組織固有の緩和時間の情報であって、磁化率の絶対値の大きさ、換言すればボクセルに含まれる強磁性体、弱磁性体、非磁性体等の含有量に依存する。磁化率マップの生成に関するMR信号の収集は、例えば、エコー時間TEが0乃至30程度の範囲において実行される。このため、図5および図6に示すように、強度画像のコントラストよりも、T 値による画像(T マップ)の方がよりコントラストが明瞭となる。R マップは、図5に示すような信号遷移(T 値)の逆数を、コントラストとして示した3次元的な画像に相当する。
処理回路131は、生成されたR マップに対してエッジ検出を実行することにより、3次元的なマスク画像を生成する。生成されたマスク画像は、R マップにおけるエッジ部分を0、非エッジ部分を1とした3次元的な2値化画像(以下、エッジマスクMR2*と呼ぶ)である。すなわち、エッジマスクMR2*は、緩和時間マップを用いて領域分割された領域に相当する。なお、エッジマスクMR2*の生成は、画像生成機能1313により実行されてもよい。また、本ステップにおける処理は、ステップSa2またはステップSa3の後に実行されてもよい。なお、処理回路131は、撮像領域におけるT 値の分布を示すT マップに対してエッジ検出を実行することにより、エッジマスクを生成してもよい。
(ステップSa6)
処理回路131は、磁化率マップ生成機能1315により、計算された磁場分布δとエッジマスクMR2*とを用いた最適化処理によりボクセルごとに磁化率を計算し、磁化率マップを生成する。具体的には、処理回路131は、エッジマスクMR2*を用いたL1ノルム正則化による最適化手法を実行する。処理回路131は、記憶装置129から、L1ノルム正則化による最適化手法に関するプログラム等を読み出し、実行することにより、複数のボクセル各々の磁化率を計算する。以下、磁場分布δとエッジマスクMR2*とから磁化率を計算する手順について説明する。
磁場分布δは、ダイポールカーネル(dipole kernel)dと磁化率χとの畳み込み積分(δ=d*χ)で、以下のように表される。
δ=d*χ (3)
式(3)の両辺に対してフーリエ変換Fを実行すると、式(3)は、以下の式(4)となる。
F[δ]=D×F[χ] (4)
式(4)におけるDは、ダイポールカーネル(dipole kernel)dのフーリエ変換(D=F[d])であり、以下のように表される。
D=1/3-k /(k +k +k ) (5)
式(5)において、Dの逆数D-1は、k /(k +k +k )=1/3の場合、ゼロとなる。このため、式(4)の両辺に左からDの逆数D-1を掛けて、F[χ]を求める方法は、不良設定問題(ill-posed probrem)となる。
処理回路131は、磁化率マップ生成機能1315において、上記不良設定問題を解くために、エッジマスクMR2*を用いたL1ノルム正則化の手法を用いる。まず、式(4)の両辺に対して逆フーリエ変換を実行すると、以下の式(6)が得られる
δ=F-1[D×F[χ]] (6)
本実施形態において磁化率を推定するための第1評価関数f(χ)は、式(6)の右辺を左辺に移行した時の左辺(δ-F-1[D×F[χ]])と、R マップの非エッジ部分における磁化率の空間的滑らかさに関する正則化項(regularization term)とを用いて、例えば、以下に示す式(7)のように設定される。
(χ)=||δ-F-1[D×F[χ]]|| +λ||MR2*∇χ|| (7)
式(7)における右辺第1項は、式(6)の一致度を示す2次ノルムの2乗である。式(7)の右辺第2項におけるMR2*∇χは、R マップの非エッジ部分における磁化率χの空間的な勾配(以下、非エッジ勾配と呼ぶ)を示している。なお、式(7)において、非エッジ勾配MR2*∇χの代わりに、非エッジ部分における磁化率χの空間的な勾配の絶対値MR2*|∇χ|が用いられてもよい。また、式(7)の右辺第2項におけるλは、非エッジ勾配による正則化に関するパラメータ(regularization parameter)である。
処理回路131は、磁化率マップ生成機能1315により、式(7)の右辺を最小化する第1最適化処理により、ボクセルごとの磁化率を計算する。第1最適化処理は、以下の式(8)で表される。
χ=argminχ(f(χ))
=argmin{||δ-F-1[D×F[χ]]|| +λ||MR2*∇χ||} (8)
式(8)は、撮像領域における磁化率の分布が磁場分布δを形成し、かつ非エッジ勾配が最小となるように、撮像領域における磁化率を決定することを示している。非エッジ勾配を最小にすることは、緩和時間マップにおける非エッジ領域における磁化率を平滑化させることに対応する。
処理回路131は、式(8)における磁化率の近似解を安定的に得る方法として、例えば、ニュートン法、最急降下法、共役勾配法、非線形共役勾配法、ペナルティ法、ADMM(Alternating Direction Method of Multipliers)等、種々の最適化手法を式(8)に適用して、撮像領域における複数の位置各々における磁化率を計算する。処理回路131は、複数の位置各々の磁化率から撮像領域の参照点における磁化率(オフセット)を差分する。参照点は、磁化率がゼロ近傍となる領域であって、水が支配的な領域に対応する。例えば、撮像領域が脳である場合、参照点は、CSFが存在する領域である。
図7は、本実施形態における参照点(脳室)と、観察領域(淡蒼球)との一例を示す図である。図7に示すように、磁化率マップにおいて観察領域である淡蒼球の磁化率は、式(8)において計算された淡蒼球の磁化率gpsmから式(8)において計算された脳室の磁化率vsmを差分することにより、決定される。
処理回路131は、差分された値を、対応する画素上にマッピングすることにより、磁化率マップ(Quantitative Susceptibility Mapping:QSM)を生成する。すなわち、本ステップにおいて、処理回路131は、エッジマスクを用いて緩和時間マップにおける非エッジ領域内の磁化率を平滑化させる正則化項を伴った最適化処理により、磁化率マップを生成する。換言すれば、処理回路131は、緩和時間マップを用いて領域分割された領域(エッジマスク)に関する磁化率の勾配または勾配の絶対値を抑制して、磁化率マップを生成する。
なお、処理回路131は、計算された磁化率を、対応する画素上にマッピングすることにより、磁化率マップを生成してもよい。また、処理回路131は、画像生成機能1313により、強度画像における画素値等を、組織位相画像の画素値や磁化率マップの磁化率に乗算したり、または減算したりして、新たな画像を生成してもよい。また、処理回路131は、磁化率マップをカラー化し、グレースケールである強度画像に重ねあわせた画像(磁化率重畳画像)を生成してもよい。処理回路131は、生成された磁化率マップ、磁化率重畳画像等をディスプレイ127に出力する。ディスプレイ127は、磁化率マップ、磁化率重畳画像等を表示する。
以上に述べた構成によれば、以下に示す効果を得ることができる。
本実施形態に係るMRI装置100によれば、複数のエコー時間に対応する複数の強度画像に基づいて組織の緩和時間マップを生成し、複数のエコー時間に対応する複数の位相画像により生成された磁場分布と、緩和時間マップとに基づいて、被検体内の複数の磁化率を定量的に示す磁化率マップを生成することができる。より詳細には、本MRI装置100によれば、複数の強度画像における同一位置の強度信号の分布に対してフィッティングを実行することにより緩和時間マップを生成し、生成された緩和時間マップに対してエッジ検出を実行することによりエッジマスクを生成し、生成されたエッジマスクを用いて緩和時間マップにおける非エッジ領域内の磁化率を平滑化させる正則化項を伴った最適化処理により、磁化率マップを生成することができる。例えば、本MRI装置100によれば、緩和時間マップを用いて領域分割された領域に関する磁化率の勾配またはこの磁化率の勾配の絶対値を抑制して、磁化率マップを生成することができる。
すなわち、本MRI装置100によれば、撮像領域に含まれる各種組織の緩和時間(組織毎の定量値)を示すマップ(T マップ)に基づくR マップを用いてエッジマスクMR2*を生成し、エッジマスクMR2*を用いたL1ノルム正則化を有する第1評価関数f(χ)を用いて磁化率を計算することができる。これにより、本実施形態における最適化手法は、磁化率マップにおけるエッジに対応する組織境界(R マップにおけるエッジ部分)における磁化率の平滑化の抑制と、非組織境界(R マップにおける非エッジ部分)に対する磁化率の平滑化とにより、高磁化率領域の磁化率を向上させた磁化率マップを生成することができる。すなわち、本MRI装置100によれば、パーシャルボリューム効果によるシェーディングアーチファクトを磁化率マップの組織境界において低減し、かつ磁化率マップにおける組織内部の磁化率を平滑化させることにより、高精度な磁化率マップを生成することができる。
図8は、撮像領域が脳である場合のサジタル面において、強度画像(Msmag)およびR マップ(R )と、基準値1から強度画像(Msmag)の差分および基準値1からのR マップ(R )の差分の一例を示す図である。図9は、撮像領域が脳である場合のアキシャル面において、強度画像およびR マップとの一例を示す図である。図10は、本実施形態における磁化率マップ、強度画像(T 強調画像)、および緩和時間マップ(T マップ)各々に対するコントラストに関する組織、物質の一例を示す図である。
図8および図9における矢印に示すように、R マップにおいて、ゼロ近傍の正の磁化率を有するCSFと、CSFより大きい正の磁化率を有するFe(主として血管内腔)および負の磁化率を有するミエリン(Myelin)とのコントラストが、強度画像に比べてより明瞭となる。すなわち、図8および図9に示すように、R マップにおけるコントラストは、強度画像のコントラストより向上している。また、図10に示すように、緩和時間マップ(T マップ)のコントラストにおいて、磁化率の大きさにより、CSF(非磁性体)と、脳実質(弱磁性体)と、カルシウム成分(石灰化)と、鉄成分(例えば還元ヘモグロビンやフェリチン)(強磁性体)とが、分離される。このため、本実施形態における磁化率マップ生成機能1315によれば、強度画像によるエッジに比べて精度が向上したエッジマスクMR2*をL1ノルム正則化に用いるため、CSF(非磁性体)、脳実質(弱磁性体)、カルシウム成分(負の磁化率)、鉄成分(正の磁化率)などの生体内の物質を、コントラストとして分離させ、かつ組織境界における平滑化を抑制することにより磁化率を向上させた高精度な磁化率マップを生成することができる。
図8における強度画像上の破線で囲まれた領域には、シェーディングアーチファクトが現れている。一方、図8におけるR マップ上の破線で囲まれた領域には、シェーディングアーチファクトは低減されている。これにより、本実施形態における磁化率マップ生成機能1315によれば、強度画像において信頼度の低い領域に相当するパーシャルボリューム効果の影響を低減させた高精度な磁化率マップを生成することができる。
以上のことから、本実施形態にかかるMRI装置100によれば、磁化率マップ生成機能1315における磁化率の計算において、組織境界において正則化による磁化率の低下を抑制し、かつシェーディングアーチファクトを低減させて、磁化率の精度を向上させた高精度な磁化率マップを生成することができる。これにより、本実施形態によれば、例えば撮像領域が脳である場合、高磁化率領域である淡蒼球の磁化率を正則化により低下させることなく、高精度な磁化率マップを生成し、アルツハイマーおよび多発性硬化症などに対する診断効率を向上させることができる。
(第2の実施形態)
第1の実施形態との相違は、組織の緩和時間マップ等を用いてシェーディングアーチファクトに関連する領域を特定し、特定された領域においてシェーディングアーチファクトを低減させた磁化率マップ(以下、高精度磁化率マップと呼ぶ)を生成することにある。
図11は、本実施形態におけるMRI装置100の構成を示す図である。図1との相違は、本実施形態における処理回路131が領域特定機能1317をさらに有することにある。以下、説明を具体的にするために、第1の実施形態と同様に、撮像領域は、頭部であるものとする。領域特定機能1317および磁化率マップ生成機能1315に関する処理については、本実施形態の動作において詳述する。処理回路131が有する領域特定機能1317は、領域特定部の一例である。
記憶装置129は、磁化率マップ生成機能1315および領域特定機能1317において実行される各種プログラム、領域特定機能1317において用いられる複数の閾値、磁化率マップ生成機能1315および領域特定機能1317により生成される各種画像を記憶する。記憶装置129は、図2のステップSa6の処理において生成された磁化率マップ(以下、第1磁化率マップと呼ぶ)を記憶する。以下、第1磁化率マップにおける複数の画素各々における磁化率を第1磁化率χと呼ぶ。
図12は、本実施形態における高精度磁化率マップの生成に関する処理手順の一例を示すフローチャートである。
(ステップSb1)
処理回路131は、領域特定機能1317により、R マップに対して閾値処理を実行することにより3次元的な閾値2値化画像を生成する。具体的には、処理回路131は、R 値と比較される第1閾値と第2閾値とを、記憶装置129から読み出す。第1閾値および第2閾値は、シェーディングアーチファクトの要因となるパーシャルボリュームに関する組織を抽出するための閾値である。頭部の磁化率マップにおいて、パーシャルボリュームの発生個所は、例えば、大脳縦裂(以下、LF(longitudinal fissure)領域と呼ぶ)である。LF領域は、組織(脳実質)とCSFとの境界を有する。このため、第1閾値と第2閾値とは、脳実質のR 値の下限および上限にそれぞれ対応する定量値に相当し、R マップにおいて脳実質を特定するための閾値として予め設定される。第1閾値は、例えば、10[1/s]である。また、第2閾値は、例えば、40[1/s]である。なお、第1閾値及び第2閾値を示す上記値は、一例であり、10[1/s]および40[1/s]に限定されない。すなわち、第1閾値及び第2閾値は、撮像領域に含まれる組織において、パーシャルボリュームに関する組織のT値に基づいて、それぞれ設定されてもよい。
処理回路131は、領域特定機能1317により、R マップに対して第1閾値と第2閾値とを用いる閾値処理を実行する。すなわち、処理回路131は、R マップにおける複数のR 値各々に対して、第1閾値および第2閾値と比較する。この比較により、処理回路131は、第1閾値以下のR 値に対して0を割り当てる。加えて、処理回路131は、第2閾値以上のR 値に対して0を割り当てる。さらに、処理回路131は、第1閾値より大きく第2閾値より小さいR 値に対して1を割り当てる。処理回路131は、上記閾値処理の結果としての2値化画像(閾値2値化画像Th(R ))を生成する。第1閾値および第2閾値が上述したような値で規定されている場合、閾値2値化画像Th(R )は、撮像領域における脳実質(灰白質および白質)の有無を示す2値化画像に相当する。処理回路131は、閾値2値化画像Th(R )を記憶装置129に記憶させる。なお、閾値2値化画像Th(R )は、第1の実施形態における第1評価関数において、エッジマスクMR2*の代わりに用いられてもよい。
(ステップSb2)
処理回路131は、領域特定機能1317により、3次元強度画像に対して、サジタル方向に沿ってボクセル値のエッジを検出することにより、3次元的な強度エッジ画像を生成する。3次元強度画像において、サジタル方向に沿ったボクセル値のエッジ検出は、撮像領域においてパーシャルボリュームの発生個所を含む領域を検出することに対応する。具体的には、処理回路131は、エッジが検出されたボクセルに対して1を割り当て、エッジが検出されなかったボクセルに対して0を割り当てることにより、エッジを2値化させた3次元的な強度エッジ画像GSG(Mmag)を生成する。図13は、エッジ検出されたあるサジタル面の強度エッジ画像GSG(Mmag)の一例を示す図である。処理回路131は、3次元的な強度エッジ画像GSG(Mmag)を、記憶装置129に記憶させる。なお、強度エッジ画像GSG(Mmag)の生成に関するエッジ検出は、サジタル方向に限定されず、パーシャルボリュームに関する組織に応じて、適宜設定可能である。
(ステップSb3)
処理回路131は、領域特定機能1317により、3次元強度画像における複数の解剖学的標識点を用いてLF領域を含む面(以下LF面と呼ぶ)を特定し、特定されたLF面を用いて、撮像領域においてLF面を1、非LF面を0に割り当てた3次元的なLF面マスク画像MLFPを生成する。
具体的には、処理回路131は、領域特定機能1317により、辞書データを用いた領域検出手法に基づく機械学習に3次元強度画像を適用することにより複数の解剖学的標識点を検出する。領域検出手法に基づく機械学習は、例えば、ランダムフォレスト(random forest)によるセグメンテーションを伴う領域抽出処理である。機械学習は、撮像領域、撮像対象部位等に応じて、教師データにより予め学習される。なお、解剖学的標識点の検出は、機械学習に限定されず、例えば、深層学習など任意の領域検出手法であってもよい。
複数の解剖学的標識点は、撮像領域が頭部の場合、例えば、直静脈洞(straight sinus:SS)、前頭蓋窩(anterior cranial fossa:ACF)、前頭部の上矢状静脈洞(frontal superior sagittal sinus:FSSS)、頭頂部の上矢状静脈洞(parietal superior sagittal sinus:PSSS)、後頭部の上矢状静脈洞(occipital superior sagittal sinus:OSSS)である。
図14は、上述した5つの解剖学的標識点(SS、ACF、FSSS、PSSS、OSSS)の3次元的な位置の一例を示す図である。なお、解剖学的標識点の数は、上記5つに限定されない。解剖学的標識点の数は、例えば、同一直線上にない3点であってもよい。
処理回路131は、領域特定機能1317により、検出された複数の解剖学的指標点に対して回帰分析を実行することにより、LF領域を含むLF面を特定する。回帰分析は、例えば、線形回帰分析である。なお、回帰分析は線形回帰分析に限定されず、例えば、ロバスト推定や正則化付き回帰、非線形回帰(サポートベクターマシンやランダムフォレストなどの機械学習)など、各種複雑な回帰分析が用いられてもよい。処理回路131は、特定されたLF面の内部に1を割り当て、LF面の外部に0を割り当てることにより、3次元的な2値化画像(LF面マスク画像MLFP)を生成する。処理回路131は、LF面マスク画像MLFPを、記憶装置129に記憶させる。
LF面マスク画像MLFPは、撮像領域におけるLF面の有無を示す画像である。図15は、アキシャル面とサジタル面とボリュームレンダリング画像に対するLF領域と、あるサジタル面におけるLF面マスク画像MLFPとを示す図である。図15において、サジタル面、アキシャル面、およびボリュームレンダリング画像におけるLF面は、ハッチングで示された部分に相当する。図15に示すようにLF面マスク画像MLFPは、LF面を1とし、非LF面を0とした2値化画像である。LF面マスク画像MLFPを間接的に磁化率の計算に用いることで、例えば、大脳基底核および視放線などの他の領域の磁化率がLF領域の磁化率に与える影響を抑制することができる。本ステップにおける上記処理はLF領域を一例として説明しているが、パーシャルボリュームに関する各種組織についても同様な処理は可能である。
(ステップSb4)
処理回路131は、領域特定機能1317により、閾値2値化画像Th(R )と強度エッジ画像GSG(Mmag)とLF面マスク画像MLFPとを積算することにより、LF領域の有無を2値で示した3次元的なLF領域マスクを生成する。LF領域マスクMLFは、以下の式(9)により計算される。
LF=Th(R )×GSG(Mmag)×MLFP (9)
式(9)において、閾値2値化画像Th(R )と強度エッジ画像GSG(Mmag)との積は、脳実質であってパーシャルボリュームの発生個所に対応する。式(9)に示すように、LF領域マスクMLFは、3次元的な2値化画像である。LF領域マスクMLFにおける「1」は、LF領域を示している。また、LF領域マスクMLFにおける「0」は、非LF領域を示している。
処理回路131は、生成されたLF領域マスクMLFを、記憶装置129に記憶させる。図16は、あるサジタル面におけるLF領域画像MLFの一例を示す図である。図16に示すように、LF領域マスクMLFは、LF領域を1とし、非LF領域を0とした2値化画像である。以上のステップSb1の処理からステップSb4までの処理により、処理回路131は、領域特定機能1317により、緩和時間マップと強度画像と強度画像における複数の解剖学的標識点とに基づいて、撮像領域におけるパーシャルボリュームの発生に関する領域(LF領域マスクMLF)を特定する。
(ステップSb5)
処理回路131は、磁化率マップ生成機能1315により、磁場分布δとエッジマスクMR2*とLF領域マスクMLFとを用いた第2最適化処理によりボクセルごとに磁化率(以下、第2磁化率と呼ぶ)を計算し、第2磁化率マップを生成する。具体的には、処理回路131は、エッジマスクMR2*を用いたL1ノルム正則化およびLF領域マスクMLFを用いたL2ノルム正則化による最適化手法を実行する。処理回路131は、記憶装置129から、L1ノルム正則化およびL2ノルム正則化による最適化手法に関するプログラム等を読み出し、実行することにより、複数のボクセル各々の第2磁化率を計算する。以下、磁場分布δとエッジマスクMR2*とLF領域マスクMLFとから第2磁化率χを計算する手順について説明する。
第2磁化率χを推定するための第2評価関数f(χ)は、式(6)の右辺を左辺に移行した時の左辺(δ-F-1[D×F[χ]])と、L1ノルム正則化項(第1正則化項:λ||MR2*∇χ||)と、LF領域におけるシェーディングアーチファクトを抑制するL2ノルム正則化項(第2正則化項)とを用いて、例えば、以下に示す式(10)のように設定される。
(χ)=||δ-F-1[D×F[χ]]|| +λ||MR2*∇χ||
+λ||MLF(χ-χLFAV)|| (10)
式(10)におけるχLFAVは、LF領域における第2磁化率の平均(以下、LF平均磁化率と呼ぶ)を示している。L2ノルム正則化項(λ||MLF(χ-χLFAV)|| )におけるMLF(χ-χLFAV)は、LF領域における第2磁化率とLF平均磁化率との差(以下、LF磁化率差と呼ぶ)を示している。λは、LF領域におけるLF磁化率差による正則化に関するパラメータである。なお、第2評価関数f(χ)において、エッジマスクMR2*の代わりに、閾値2値化画像Th(R )が用いられてもよい。
処理回路131は、磁化率マップ生成機能1315により、式(10)の右辺を最小化する第2最適化処理により、ボクセルごとの第2磁化率χを計算する。第2最適化処理は、以下の式(11)で表される。
χ=argminχ2(f(χ))
=argmin{||δ-F-1[D×F[χ]]|| +λ||MR2*∇χ||+λ||MLF(χ-χLFAV)|| } (11)
式(11)は、撮像領域における第2磁化率χの分布が磁場分布δを形成し、かつ非エッジ勾配とLF磁化率差とが最小となるように、撮像領域における第2磁化率χを決定することを示している。L2ノルム正則化項λ||MLF(χ-χLFAV)|| により、LF領域における磁化率は、LF平均磁化率近傍に抑制される。換言すれば、処理回路131は、磁化率マップ生成機能1315により、エッジマスクを用いて特定された領域(LF領域)における磁化率をLF領域における平均的な磁化率(LF平均磁化率)に抑制させる第2正則化項を伴った第2最適化処理により、第2磁化率を生成する。
処理回路131は、式(11)における第2磁化率χの近似解を安定的に得る方法として、例えば、ニュートン法、最急降下法、共役勾配法、非線形共役勾配法、ペナルティ法、ADMM(Alternating Direction Method of Multipliers)等、種々の最適化手法を式(11)に適用して、撮像領域における複数の位置各々における第2磁化率χを計算する。処理回路131は、計算された第2磁化率χを撮像領域に亘って配置させた第2磁化率マップを記憶装置129に記憶させる。
以下、第2最適化処理により生成される第2磁化率χの特徴について説明する。一般的に、パーシャルボリューム効果は、コントラストの低下をMR画像に及ぼす。例えば、脳に関する磁化率マップのLF領域において、シェーディングアーチファクトに関する磁化率は、マイナスの値となり、LF領域の周囲に比べて黒く沈んで表示される。具体的には、LF領域におけるCSFに対応する領域の磁化率は、パーシャルボリューム効果の影響により、本来はゼロに近いプラスの磁化率であるにもかかわらず、物理的にはありえないマイナスになることがある。一方、第2最適化処理により生成される第2磁化率χは、式(11)に示すように、LF磁化率差が最小となるように、正則化される。このため、第2磁化率マップのLF領域において、シェーディングアーチファクトに関する領域の第2磁化率χは、LF平均磁化率近傍の値となる。これにより、第2磁化率マップにおけるLF領域において、黒沈みの発生は抑制される。
一方、例えば血管内腔などの正の強磁性体(例えば、鉄など)を有する領域が磁化率マップに存在する場合、血管内腔などの領域における磁化率は、大きなプラスの値を有する。このため、磁化率マップにおいて血管内腔などの領域は、周囲の領域に比べての高コントラストとなり、白く表示される。一方、第2最適化処理により生成される第2磁化率χは、式(11)に示すように、LF磁化率差が最小となるように、正則化される。このため、第2磁化率マップのLF領域において、血管内腔などの高コントラストに寄与する領域の第2磁化率χは、LF平均磁化率近傍の値となる。すなわち、第2磁化率マップのLF領域における高コントラストに寄与する領域の第2磁化率χは低減される。高コントラストに寄与する領域における磁化率は、以下のステップSb6に説明するように、第1磁化率χが選択される。
(ステップSb6)
処理回路131は、磁化率マップ生成機能1315により、第1磁化率マップと第2磁化率マップとに基づいて、高精度磁化率マップを生成する。具体的には、処理回路131は、撮像領域における複数のボクセル各々において、同一位置のボクセル(以下、同一ボクセルと呼ぶ)の第1磁化率χと第2磁化率χとのうちいずれか一方の磁化率を用いて、高精度磁化率マップを生成する。より詳細には、処理回路131は、同一ボクセルにおいて、第1磁化率χと第2磁化率χとのうち大きい方の磁化率を選択する。処理回路131において実行される磁化率の選択は、高精度磁化率マップにおける位置xの磁化率をχha(x)、第1磁化率マップにおける位置xの磁化率をχ(x)、第2磁化率マップにおける位置xの磁化率をχ(x)として、以下の式(12)で表される。
χha(x)=max(χ(x)、χ(x)) (12)
具体的には、処理回路131は、磁化率マップ生成機能1315により、LF領域においてシェーディングアーチファクトに関する領域の磁化率として、第2磁化率χを選択する。加えて、処理回路131は、LF領域において高コントラストに寄与する領域の磁化率として、第1磁化率χを選択する。これにより、処理回路131は、LF領域におけるシェーディングアーチファクトに拠る黒沈みを低減し、かつLF領域における高コントラストに寄与する領域の磁化率を維持した高精度磁化率マップを生成する。
処理回路131は、撮像領域における複数の位置各々において選択された磁化率から撮像領域の参照点における磁化率(オフセット)を差分することにより、差分された磁化率を用いて高精度磁化率マップを生成してもよい。なお、処理回路131は、高精度磁化率マップをカラー化し、グレースケールである強度画像に重ねあわせた画像(高精度磁化率重畳画像)を生成してもよい。処理回路131は、生成された高精度磁化率マップ、高精度磁化率重畳画像等をディスプレイ127に出力する。ディスプレイ127は、高精度磁化率マップ、高精度磁化率重畳画像等を表示する。
以上のステップSb5の処理とステップSb6との処理により、処理回路131は、磁化率マップ生成機能1315により、複数のエコー時間に対応する複数の位相画像により生成された磁場分布と緩和時間マップとに基づいて撮像領域内の複数のボクセル各々における第1磁化率を生成し、磁場分布と緩和時間マップと特定された領域(LF領域マスクMLF)とに基づいてボクセル各々における第2磁化率を生成し、ボクセル各々において第1磁化率と第2磁化率とのうち大きい方の磁化率を用いて、高精度な磁化率マップを生成する。
以上に述べた構成によれば、第1の実施形態における効果に加えて、以下に示す効果を得ることができる。
本実施形態におけるMRI装置100によれば、複数のエコー時間に対応する複数の強度画像に基づいて組織の緩和時間マップを生成し、生成された緩和時間マップと強度画像と強度画像における複数の解剖学的標識点とに基づいて、撮像領域におけるパーシャルボリュームの発生に関する領域を特定し、複数のエコー時間に対応する複数の位相画像により生成された磁場分布と緩和時間マップとに基づいて撮像領域内の複数のボクセル各々における第1磁化率を生成し、磁場分布と緩和時間マップと特定された領域とに基づいてボクセル各々における第2磁化率を生成し、ボクセル各々において第1磁化率と第2磁化率とのうち大きい方の磁化率を用いて、磁化率マップを生成することができる。具体的には、本実施形態におけるMRI装置100によれば。緩和時間マップに対してエッジ検出を実行することによりエッジマスクを生成し、生成されたエッジマスクを用いて緩和時間マップにおける非エッジ領域内の磁化率を平滑化させる第1正則化項を伴った第1最適化処理により、前記第1磁化率を生成し、エッジマスクを用いて特定された領域における磁化率を領域における平均的な磁化率に抑制させる第2正則化項と、第1正則化項とを伴った第2最適化処理により第2磁化率を生成することができる。
すなわち、本MRI装置100によれば、エッジマスクMR2*と強度エッジ画像GSG(Mmag)とLF面マスク画像MLFPとに基づいて生成されたLF領域マスクMLFを用いたL2ノルム正則化を有する第2評価関数f(χ)を用いて第2磁化率を計算することができる。これにより、本実施形態における最適化手法は、組織境界における磁化率の平滑化を抑制し、非組織境界(R マップにおける非エッジ部分)に対する磁化率を平滑化し、LF領域におけるシェーディングアーチファクトに関する磁化率の低減を抑制した第2磁化率マップを生成することができる。加えて、本実施形態におけるMRI装置100によれば、同一ボクセルにおいて、第1磁化率χと第2磁化率χとのうち大きい方の磁化率を用いて高精度磁化率マップを生成することができる。
すなわち、LF領域において、血管などの鉄分が多い高コントラストの領域における磁化率として第1磁化率χが選択され、パーシャルボリューム効果の影響を受けるCSFに対応する領域における磁化率として第2磁化率χが選択される。これにより、LF領域において、シェーディングアーチファクトに関する磁化率の低減し、かつ高コントラストに寄与する領域の磁化率を維持した高精度磁化率マップを生成することができる。すなわち、本MRI装置100によれば、パーシャルボリューム効果によるシェーディングアーチファクトをさらに抑制させて、高精度な磁化率マップを生成することができる。
図17は、第1磁化率マップと、高精度磁化率マップと、第1磁化率マップと高精度磁化率マップとの差分とを、アキシャル面およびサジタル面各々において示す図である。図17における矢印に示すように、高精度磁化率マップでは、第1磁化率マップに比べてシェーディングアーチファクトがより低減されている。第1磁化率マップと高精度磁化率マップとの差分は、LF領域に現れている。
図18は、非LF領域において、第1磁化率χに対する高精度磁化率マップの磁化率χhaの分布を示す図である。図18に示すように、非LF領域における第1磁化率χと高精度磁化率マップの磁化率χhaとにおいて、変化がないことを示している。
図17及び図18に示すように、本実施形態によれば、非LF領域において、磁化率の変化はほとんどなく、LF領域におけるシェーディングアーチファクトのみを選択的に抑制することができる。また、被検体毎にLF領域を特定しているため、ボア111に対して斜めに挿入された被検体、左脳と右脳とのうちいずれか一方が大きい被検体、脳がねじれている被検体等に対しても適切にLF領域を検出することができる。このため、本実施形態によれば、上記いずれの被検体であっても、シェーディングアーチファクトのみを選択的に抑制した高精度な磁化率マップを生成することができる。
第1実施形態の変形例として、本MRI装置100の技術的思想を医用画像処理装置135で実現する場合には、例えば図1の構成図における破線内の構成要素を有するものとなる。また、第2実施形態の変形例として、本MRI装置100の技術的思想を医用画像処理装置135で実現する場合には、例えば図11の構成図における破線内の構成要素を有するものとなる。医用画像処理装置135は、記憶装置129に記憶されたMRデータ等を用いて各種処理を実行する。例えば、図3におけるステップSa1の処理は、「記憶装置129からのMRデータの読み出し」となる。本医用画像処理装置135に関する効果は、本実施形態と同様なため、説明は省略する。
第1の本実施形態および第2の実施形態の他の変形例として、本MRI装置100の技術的思想をクラウド等で実現する場合には、インタネット上のサーバーは、例えば図1および図11の構成図における記憶装置129および処理回路131を有するものとなる。このとき、画像生成機能1313、磁化率マップ生成機能1315、領域特定機能1317等は、当該機能を実行するプログラム(医用処理プログラム)をサーバーの処理回路131にインストールし、これらをメモリ上で展開することによって実現される。
加えて、第1の実施形態および第2の実施形態における画像生成機能1313、磁化率マップ生成機能1315、領域特定機能1317等は、当該機能を実行するプログラム(医用処理プログラム)をワークステーション等のコンピュータにインストールし、これらをメモリ上で展開することによっても実現することができる。また、コンピュータに
図2に示す磁化率マップの生成手法,図12に示す高精度磁化率マップの生成手法を実行させることのできるプログラムは、磁気ディスク、光ディスク、半導体メモリなどの各種可搬型記憶媒体に格納して頒布することも可能である。
第2の実施形態の変形例として、処理回路131は、磁化率マップ生成機能1315により、第1磁化率マップおよび第2磁化率マップにおいて、LF領域に含まれる複数の磁化率に対して式(12)を適用して、高精度磁化率マップを生成してもよい。
以上に説明した第1実施形態および第2実施形態によれば、高精度な磁化率マップを生成することができる。
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
100…磁気共鳴イメージング装置
101…静磁場磁石
103…傾斜磁場コイル
105…傾斜磁場電源
107…寝台
109…寝台制御回路
111…ボア
113…送信回路
115…送信コイル
117…受信コイル
119…受信回路
121…シーケンス制御回路
125…インタフェース
127…ディスプレイ
129…記憶装置
131…処理回路
1071…天板
1311…システム制御機能
1313…画像生成機能
1315…磁化率マップ生成機能
1317…領域特定機能

Claims (9)

  1. 複数のエコー時間に対応する複数の強度画像に基づいて組織の緩和時間マップを生成する画像生成部と、
    前記複数のエコー時間に対応する複数の位相画像により生成された磁場分布と、前記緩和時間マップとに基づいて、被検体内の複数の磁化率を定量的に示す磁化率マップを生成する磁化率マップ生成部と、
    を具備する医用画像処理装置であって、
    前記磁化率マップ生成部は、
    前記緩和時間マップに対してエッジ検出を実行することにより、エッジマスクを生成し、
    前記エッジマスクを用いて前記緩和時間マップにおける非エッジ領域内の磁化率を平滑化させる正則化項を伴った最適化処理により、前記磁化率マップを生成する、
    医用画像処理装置。
  2. 前記画像生成部は、
    複数の強度画像における同一位置の強度信号の分布に対してフィッティングを実行することにより、前記緩和時間マップを生成する、
    請求項に記載の医用画像処理装置。
  3. 前記磁化率マップ生成部は、
    前記緩和時間マップを用いて領域分割された領域に関する磁化率の勾配または前記勾配の絶対値を抑制して、前記磁化率マップを生成する、
    請求項1又は2に記載の医用画像処理装置。
  4. 複数のエコー時間に対応する複数の強度画像に基づいて組織の緩和時間マップを生成する画像生成部と、
    前記緩和時間マップと前記強度画像と前記強度画像における複数の解剖学的標識点とに基づいて、撮像領域におけるパーシャルボリュームの発生に関する領域を特定する領域特定部と、
    前記複数のエコー時間に対応する複数の位相画像により生成された磁場分布と前記緩和時間マップとに基づいて前記撮像領域内の複数のボクセル各々における第1磁化率を生成し、前記磁場分布と前記緩和時間マップと前記特定された領域とに基づいて前記ボクセル各々における第2磁化率を生成し、前記ボクセル各々において前記第1磁化率と前記第2磁化率とのうち大きい方の磁化率を用いて、磁化率マップを生成する磁化率マップ生成部と、
    を具備する医用画像処理装置。
  5. 前記磁化率マップ生成部は、
    前記緩和時間マップに対してエッジ検出を実行することにより、エッジマスクを生成し、
    前記エッジマスクを用いて前記緩和時間マップにおける非エッジ領域内の磁化率を平滑化させる第1正則化項を伴った第1最適化処理により、前記第1磁化率を生成し、
    前記エッジマスクを用いて前記特定された領域における磁化率を前記領域における平均的な磁化率に抑制させる第2正則化項と、前記第1正則化項とを伴った第2最適化処理により、前記第2磁化率を生成する、
    請求項に記載の医用画像処理装置。
  6. 前記緩和時間マップは、撮像領域におけるR*値に関する分布を示す、
    請求項1乃至のうちいずれか一項に記載の医用画像処理装置。
  7. 複数のエコー時間各々に対応するMRデータを収集する収集部と、
    前記MRデータに基づいて前記複数のエコー時間に対応する複数の強度画像を生成し、前記複数の強度画像に基づいて組織の緩和時間マップを生成する画像生成部と、
    前記複数のエコー時間に対応する複数の位相画像により生成された磁場分布と、前記緩和時間マップとに基づいて、被検体内の複数の磁化率を定量的に示す磁化率マップを生成する磁化率マップ生成部と、
    を具備する磁気共鳴イメージング装置であって、
    前記磁化率マップ生成部は、
    前記緩和時間マップに対してエッジ検出を実行することにより、エッジマスクを生成し、
    前記エッジマスクを用いて前記緩和時間マップにおける非エッジ領域内の磁化率を平滑化させる正則化項を伴った最適化処理により、前記磁化率マップを生成する、
    磁気共鳴イメージング装置
  8. 複数のエコー時間各々に対応するMRデータを収集する収集部と、
    前記MRデータに基づいて前記複数のエコー時間に対応する複数の強度画像を生成し、前記複数の強度画像に基づいて組織の緩和時間マップを生成する画像生成部と、
    前記緩和時間マップと前記強度画像と前記強度画像における複数の解剖学的標識点とに基づいて、撮像領域におけるパーシャルボリュームの発生に関する領域を特定する領域特定部と、
    前記複数のエコー時間に対応する複数の位相画像により生成された磁場分布と前記緩和時間マップとに基づいて前記撮像領域内の複数のボクセル各々における第1磁化率を生成し、前記磁場分布と前記緩和時間マップと前記特定された領域とに基づいて前記ボクセル各々における第2磁化率を生成し、前記ボクセル各々において前記第1磁化率と前記第2磁化率とのうち大きい方の磁化率を用いて、磁化率マップを生成する磁化率マップ生成部と、
    を具備する磁気共鳴イメージング装置。
  9. 前記緩和時間マップは、撮像領域におけるR*値に関する分布を示す、
    請求項7又は8に記載の磁気共鳴イメージング装置。
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