JP7388008B2 - Automotive power storage device - Google Patents
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Description
本発明は、車載用蓄電素子の保護回路に関する。 The present invention relates to a protection circuit for a vehicle-mounted power storage element.
蓄電装置は、遮断スイッチを備えており、異常が発生した時に、電流を遮断することで、保護を図っている。下記特許文献1は、遮断スイッチにFET等の半導体スイッチを用いる技術を開示している。
The power storage device is equipped with a cutoff switch, which protects the device by cutting off the current when an abnormality occurs.
車載用の蓄電装置は、車両が電源喪失することを抑制するため、充電を遮断している場合でも、電力供給は維持することが好ましい。図13は、蓄電装置300のブロックであり、組電池310と遮断スイッチ320と管理装置330を有している。
In order to prevent the vehicle from losing power, it is preferable that the vehicle-mounted power storage device maintains power supply even when charging is cut off. FIG. 13 shows a block of a
遮断スイッチ320がバックツーバック接続した2つのFET321とFET323である場合、図13に示すように、第1FET321をオフ、第2FET323をオンすることで、放電は許容し、充電は遮断することが出来る。
When the
つまり、第1FET321の寄生ダイオード322は、放電方向が順方向であるため、図13に示すように、放電電流は、第1FET321の寄生ダイオード322、第2FET323のソース-ドレインを通じて流すことが出来る。一方、充電電流は、寄生ダイオード322が逆方向となるため、遮断される。
That is, since the
寄生ダイオード322は、電流容量が小さい。許容値以上の電流が流れると、発熱して、寄生ダイオード322が故障する場合がある。寄生ダイオード322に他のダイオードを並列に接続して電流容量を大きくした場合も、許容値以上の電流が流れると、同様の問題がある。
ソース-ドレイン間にダイオードを接続したFETを使用して放電を行う場合に、ダイオードやFETの故障を抑制することを目的とする。
The
The purpose of this invention is to suppress failure of the diode or FET when discharging is performed using an FET with a diode connected between the source and drain.
車載用の蓄電素子の保護回路は、前記蓄電素子の電流を遮断する遮断スイッチと、前記遮断スイッチと並列に接続されたバイパス回路と、制御部と含み、前記遮断スイッチは、バックツーバック接続された第1FETと第2FETであり、前記第1FETは、ソースとドレイン間に接続された第1ダイオードを有し、前記第2FETは、ソースとドレイン間に接続され、前記第1ダイオードとは逆向きの第2ダイオードを有し、前記バイパス回路は、前記遮断スイッチによる電流遮断中に、前記蓄電素子から車両への放電を許容し、前記制御部は、前記バイパス回路に流れる放電電流が制限値以上になった場合、前記放電電流の電流経路を、前記バイパス回路を通る経路から、前記遮断スイッチを通る経路に切り換える。 A protection circuit for a vehicle-mounted power storage element includes a cutoff switch that cuts off the current of the power storage element, a bypass circuit connected in parallel with the cutoff switch, and a control section, and the cutoff switch is connected back-to-back. a first FET and a second FET, the first FET having a first diode connected between a source and a drain, and the second FET having a first diode connected between a source and a drain, and a second FET having a diode in a direction opposite to that of the first diode. a second diode, the bypass circuit allows discharge from the power storage element to the vehicle while the current is cut off by the cutoff switch, and the control unit is configured such that the discharge current flowing through the bypass circuit is equal to or higher than a limit value. If so, the current path of the discharge current is switched from a path passing through the bypass circuit to a path passing through the cutoff switch.
本技術は、車載用の蓄電装置に適用することが出来る。保護回路の制御方法、保護回路の制御プログラム、保護回路の制御プログラムを記憶した記録媒体に適用できる。 The present technology can be applied to a vehicle-mounted power storage device. The present invention can be applied to a protection circuit control method, a protection circuit control program, and a recording medium storing a protection circuit control program.
ソース-ドレイン間にダイオードを接続したFETを使用して放電を行う場合に、ダイオードやFETの故障を抑えることが出来る。 When discharging is performed using an FET with a diode connected between the source and drain, failure of the diode or FET can be suppressed.
車載用の蓄電素子の保護回路は、前記蓄電素子の電流を遮断する遮断スイッチと、前記遮断スイッチと並列に接続されたバイパス回路と、制御部と含み、前記遮断スイッチは、バックツーバック接続された第1FETと第2FETであり、前記第1FETは、ソースとドレイン間に接続された第1ダイオードを有し、前記第2FETは、ソースとドレイン間に接続され、前記第1ダイオードとは逆向きの第2ダイオードを有し、前記バイパス回路は、前記遮断スイッチによる電流遮断中に、前記蓄電素子から車両への放電を許容し、前記制御部は、前記バイパス回路に流れる放電電流が制限値以上になった場合、前記放電電流の電流経路を、前記バイパス回路を通る経路から、前記遮断スイッチを通る経路に切り換える。 A protection circuit for a vehicle-mounted power storage element includes a cutoff switch that cuts off the current of the power storage element, a bypass circuit connected in parallel with the cutoff switch, and a control section, and the cutoff switch is connected back-to-back. a first FET and a second FET, the first FET having a first diode connected between a source and a drain, and the second FET having a first diode connected between a source and a drain, and a second FET having a diode in a direction opposite to that of the first diode. a second diode, the bypass circuit allows discharge from the power storage element to the vehicle while the current is cut off by the cutoff switch, and the control unit is configured such that the discharge current flowing through the bypass circuit is equal to or higher than a limit value. If so, the current path of the discharge current is switched from a path passing through the bypass circuit to a path passing through the cutoff switch.
遮断スイッチによる電流遮断後、バイパス回路を経由して、放電電流を流すことで、車両への電力供給を維持することが出来る。バイパス回路に制限値以上の放電電流が流れた場合、制御部は、放電電流の電流経路を、バイパス回路から、遮断スイッチを通る経路に切り換える。そのため、バイパス回路に制限値を超える電流が流れて、バイパス回路が故障することを抑制できる。 After the current is cut off by the cutoff switch, a discharge current is allowed to flow through the bypass circuit to maintain power supply to the vehicle. When a discharge current exceeding a limit value flows through the bypass circuit, the control unit switches the current path of the discharge current from the bypass circuit to a path passing through the cutoff switch. Therefore, it is possible to suppress a failure of the bypass circuit due to a current exceeding the limit value flowing through the bypass circuit.
遮断スイッチの電流経路は、第1FETと第2FETの双方をオンして、第1FETと第2FETのソース-ドレインを通る経路と、第1FETはオフ、第2FETはオンして、第1ダイオードと第2FETのソース-ドレインを通る経路の2つの電流経路がある。制御部は、放電電流の電流経路をバイパス回路から遮断スイッチに切り換える時に、上記した2つの電流経路を選択することが出来る。そのため、第1ダイオードを通る経路のみを使って放電電流を流し続ける場合に比べて、遮断スイッチの故障を抑制することが可能となる。バイパス回路で放電する期間は、少なくとも遮断スイッチに電流は流れず、ダイオードやFETが発熱することもないので、遮断スイッチの故障を抑制することが出来る。 The current path of the cutoff switch is one that turns on both the first FET and the second FET and passes through the source-drain of the first FET and the second FET, and one that turns off the first FET and turns on the second FET and passes through the first diode and the second FET. There are two current paths, one through the source-drain of the 2FET. The control unit can select the above two current paths when switching the current path of the discharge current from the bypass circuit to the cutoff switch. Therefore, compared to the case where the discharge current continues to flow using only the path passing through the first diode, it is possible to suppress failure of the cutoff switch. During the discharge period in the bypass circuit, at least no current flows through the cutoff switch and no heat is generated in the diode or FET, so failure of the cutoff switch can be suppressed.
前記制御部は、前記バイパス回路に流れる放電電流が制限値以上になった場合、前記放電電流の電流経路を、前記バイパス回路を通る経路から、前記遮断スイッチの前記第1FETと前記第2FETのソース-ドレインを通る経路に切り換えてもよい。制限値を超える電流は、第1FETと第2FETのソース-ドレイン間を流れ、第1ダイオードや第2ダイオードには流れない。そのため、ダイオードが発熱して、故障することを抑制できる。 When the discharge current flowing through the bypass circuit exceeds a limit value, the control unit changes the current path of the discharge current from a path passing through the bypass circuit to a source of the first FET and the second FET of the cutoff switch. - You may switch to a path through the drain. A current exceeding the limit value flows between the sources and drains of the first FET and the second FET, and does not flow through the first diode or the second diode. Therefore, it is possible to suppress the diode from generating heat and breaking down.
前記バイパス回路は電流制限部を含んでいてもよい。バイパス回路の電流を制限することが出来るため、バイパス回路の定格を小さくすることが出来る。 The bypass circuit may include a current limiter. Since the current in the bypass circuit can be limited, the rating of the bypass circuit can be reduced.
前記電流制限部は、定電流素子又は定電流回路でもよい。バイパス回路の最大電流を所定値以下に抑えることが出来るので、バイパス回路の保護に効果的である。 The current limiting section may be a constant current element or a constant current circuit. Since the maximum current of the bypass circuit can be suppressed to a predetermined value or less, it is effective in protecting the bypass circuit.
前記電流制限部はI-V特性において線形領域を有しており、前記制御部は、前記電流制限部の両端電圧に基づいて前記バイパス回路の電流を検出し、前記制限値は、前記線形領域内の電流値でもよい。線形領域内は、電流の検出精度が高いため、バイパス回路の電流が制限値を超えているか、精度よく判断できる。そのため、制限値を超える電流が流れた時の応答性が高くなる。つまり、バイパス回路の電流が制限値を超えた場合に、速やかに電流経路を切り換えることが出来る。 The current limiting section has a linear region in IV characteristics, the control section detects the current of the bypass circuit based on the voltage across the current limiting section, and the limiting value is within the linear region. A current value within the range may be used. In the linear region, the current detection accuracy is high, so it can be determined with high accuracy whether the current in the bypass circuit exceeds the limit value. Therefore, responsiveness becomes high when a current exceeding the limit value flows. In other words, when the current in the bypass circuit exceeds the limit value, the current path can be quickly switched.
<実施形態1>
1.バッテリ50の構造説明
バッテリ50は、図1に示すように、組電池60と、回路基板ユニット65と、収容体71を備える。バッテリ50は蓄電装置の一例である。
<
1. Structural Description of
収容体71は、合成樹脂材料からなる本体73と蓋体74とを備えている。本体73は有底筒状である。本体73は、底面部75と、4つの側面部76とを備えている。4つの側面部76によって上端部分に上方開口部77が形成されている。
The
収容体71は、組電池60と回路基板ユニット65を収容する。組電池60は12個の二次電池62を有する。12個の二次電池62は、3並列で4直列に接続されている。回路基板ユニット65は、回路基板100と回路基板100上に搭載される電子部品とを含み、組電池60の上部に配置されている。
The
蓋体74は、本体73の上方開口部77を閉鎖する。蓋体74の周囲には外周壁78が設けられている。蓋体74は、平面視略T字形の突出部79を有する。蓋体74の前部のうち、一方の隅部に正極の第1外部端子51が固定され、他方の隅部に負極の第2外部端子52が固定されている。
The
図2及び図3に示すように、二次電池62は、直方体形状のケース82内に電極体83を非水電解質と共に収容したものである。二次電池62は一例としてリチウムイオン二次電池である。ケース82は、ケース本体84と、その上方の開口部を閉鎖する蓋85とを有している。
As shown in FIGS. 2 and 3, the
電極体83は、詳細については図示しないが、銅箔からなる基材に活物質を塗布した負極要素と、アルミニウム箔からなる基材に活物質を塗布した正極要素との間に、多孔性の樹脂フィルムからなるセパレータを配置したものである。これらはいずれも帯状で、セパレータに対して負極要素と正極要素とを幅方向の反対側にそれぞれ位置をずらした状態で、ケース本体84に収容可能となるように扁平状に巻回されている。
Although not shown in detail, the
正極要素には正極集電体86を介して正極端子87が、負極要素には負極集電体88を介して負極端子89がそれぞれ接続されている。正極集電体86及び負極集電体88は、平板状の台座部90と、この台座部90から延びる脚部91とからなる。台座部90には貫通孔が形成されている。脚部91は正極要素又は負極要素に接続されている。正極端子87及び負極端子89は、端子本体部92と、その下面中心部分から下方に突出する軸部93とからなる。そのうち、正極端子87の端子本体部92と軸部93とは、アルミニウム(単一材料)によって一体成形されている。負極端子89においては、端子本体部92がアルミニウム製で、軸部93が銅製であり、これらを組み付けたものである。正極端子87及び負極端子89の端子本体部92は、蓋85の両端部に絶縁材料からなるガスケット94を介して配置され、このガスケット94から外方へ露出されている。
A
蓋85は、圧力開放弁95を有している。圧力開放弁95は、図2に示すように、正極端子87と負極端子89の間に位置している。圧力開放弁95は、ケース82の内圧が制限値を超えた時に、開放して、ケース82の内圧を下げる。
バッテリ50は、図4に示すように、自動車10に搭載して使用することが出来る。バッテリ50は、自動車10の駆動装置であるエンジン20の始動用でもよい。自動車10はアイドリングストップ車でもよい。アイドリングストップとは、信号待ちなど車両を停止させたときに自動的にエンジンを切り、発進時にエンジンを再始動するシステムである。
The
2.バッテリ50の電気的構成
図5はバッテリ50のブロック図である。バッテリ50は、組電池60と、電流センサ53と、遮断スイッチ55と、電圧計測回路110と、管理部130と、バイパス回路150と、組電池60の温度を検出する温度センサ(図略)と、を備える。
2. Electrical Configuration of
組電池60は、複数の二次電池62から構成されている。二次電池62は、12個あり、3並列で4直列に接続されている。図5は、並列に接続された3つの二次電池62を1つの電池記号で表している。二次電池62は「蓄電素子」の一例である。バッテリ50は、定格12Vである。
The assembled
組電池60、電流センサ53及び遮断スイッチ55は、パワーライン66、パワーライン67を介して、直列に接続されている。パワーライン66、パワーライン67は電流経路の一例である。
The assembled
パワーライン66は、第1外部端子51と組電池60の正極とを接続するパワーラインである。パワーライン67は、第2外部端子52と組電池60の負極とを接続するパワーラインである。
The
電流センサ53は、組電池60の負極に位置し、負極側のパワーライン67に設けられている。電流センサ53は、組電池60の電流Iを計測することができる。
The
電圧計測回路110は、4つの二次電池62、二次電池62、二次電池62、二次電池62の電圧Vと、組電池60の総電圧を検出することができる。組電池60の総電圧は、4つの二次電池の合計電圧である。
The
管理部130は、CPU131と、メモリ133を備える。管理部130は、電圧計測回路110、電流センサ53、温度センサの出力に基づいて、バッテリ50の監視処理を行う。管理部130は制御部の一例である。メモリ133は、バッテリ50の監視処理に必要な情報や過充電時の保護動作の実行に必要な情報を記憶しておいてもよい。過充電時の保護動作に必要な情報は、例えば、バイパス回路50の電流の制限値Iaや寄生ダイオード56A、56Bの電流の許容値である。
The
また、バッテリ50は通信レスであり、自動車10との通信機能を有していない。つまり、バッテリ50は、有線や無線などの通信形態を問わず、自動車10との通信を可能とする通信手段(通信部)を有していない。バッテリ50が通信レスであることから、管理部130は、自動車10から車両の走行状態やエンジン20の動作状況(エンジン始動やエンジン停止など)に関する情報を受け取ることが出来ない。
Further, the
遮断スイッチ55は、組電池60の負極に位置し、負極のパワーライン67に設けられている。遮断スイッチ55は、第1FET55Aと、第2FET55Bとを有する。第1FET55Aと第2FET55Bは、Nチャンネルの電界効果トランジスタである。遮断スイッチ55にFET(電界効果トランジスタ)を用いることでスイッチを小型化できる。
The
第1FET55Aは、ソースを第2外部端子52に接続し、第2FET55Bは、ソースSを組電池60の負極に接続している。第1FET55Aのドレインと第2FET55Bのドレインとが接続されている。第1FET55Aと第2FET55Bは、バックツーバック接続されている。
The
バックツーバック接続(back-to-back接続)は、2つのFETを背中合わせに接続すること、すなわち、2つのFETのドレイン同士を接続すること、又はソース同士を接続することを意味する。 Back-to-back connection means connecting two FETs back to back, i.e. connecting the drains of the two FETs or connecting the sources of the two FETs.
第1FET55Aは寄生ダイオード56Aを内蔵しており、第2FET55Bは寄生ダイオード56Bを内蔵している。寄生ダイオード56Aは、第1FET55Aのソース-ドレイン間に接続された第1ダイオードである。寄生ダイオード56Aは、順方向が放電方向と同一である。寄生ダイオード56Bは、第2FET55Bのソース-ドレイン間に接続された第2ダイオードである。寄生ダイオード56Bは、順方向が充電方向と同一である。寄生ダイオード56Bは、寄生ダイオード56Aと逆向きである。
The
第1FET55Aは、ゲートGがHレベルの場合、オンし、ゲートGがLレベルの場合オフする。第2FET55Bも同様である。
The
管理部130は、第1FET55Aと第2FET55BのゲートGに対して制御信号を送り、第1FET55Aと第2FET55Bを制御する。制御信号は個々に送ることが出来、第1FET55Aと第2FET55Bを別々に制御することも出来る。
The
管理部130は、バッテリ50が正常な場合、第1FET55AのゲートGに制御信号を送り、第1FET55Aをオンに制御する。また、第2FET55Bのゲートに制御信号を送り、第2FET55Bをオンに制御する。
When the
第1FET55A及び第2FET55Bがオンの場合、第1FET55Aのソース-ドレイン間と第2FET55Bのソース-ドレイン間はそれぞれ導通するため、組電池60は充電、放電の双方が可能である。
When the
バイパス回路150は、遮断スイッチ55と並列に接続されている。バイパス回路150は、定電流ダイオード151と、スイッチ155とを備える。定電流ダイオード151とスイッチ155は、直列に接続されている。定電流ダイオード151は、電流制限素子の一例である。バイパス回路150は小電流用であり、遮断スイッチ55に比べて、定格電流は小さい。
定電流ダイオード151は、放電方向(図5に示すC方向)が順方向である。図6は、定電流ダイオード151のI-V特性を示す。Iは定電流ダイオードの電流、Vは定電流ダイオード151の両端電圧(アノード-カソード間の電圧)である。
The constant
定電流ダイオード151は線形領域F1と定電流領域F2を有している。線形領域F1は0~Vcの電圧帯であり、両端電圧Vにほぼ比例して電流Iが増加する領域である。定電流領域はVc以上の電圧帯であり、両端電圧Vが増加しても、電流が一定な領域である。定電流領域F2の電流値Icは、数A程度でもよい。
Constant
図5に示すように、定電流ダイオード151の両端(アノードとカソード)は、信号線68を介して、管理部130に接続されている。管理部130は、定電流ダイオード151の両端電圧Vに基づいてバイパス回路150に流れる電流を検出することが出来る。つまり、線形領域F1では、両端電圧Vと電流Iはほぼ比例するので、両端電圧Vから電流Iを検出することが出来る。
As shown in FIG. 5, both ends (anode and cathode) of the constant
スイッチ155は、図7に示すように、第3FET155Aと第4FET155Bでもよい。第3FET155Aと第4FET155Bは、Nチャンネルの電界効果トランジスタである。
The
第3FET155Aは、ソースを定電流ダイオード151のカソードに接続し、第4FET155Bは、ソースSを第2FET55Bのソースに接続している。第3FET155Aのドレインと第4FET155Bのドレインとが接続されている。第3FET155Aと第4FET155Bは、バックツーバック接続されている。
The
第3FET155Aは寄生ダイオード156Aを有しており、第4FET155Bは寄生ダイオード156Bを有している。寄生ダイオード156Aは、順方向が放電方向と同一である。寄生ダイオード156Bは、順方向が充電方向と同一である。
The
第3FET155Aは、ゲートGがHレベルの場合、オンし、ゲートGがLレベルの場合、オフする。第4FET155Bも同様である。
The
遮断スイッチ55に並列にバイパス回路150を設けることで、放電電流の流れる経路が、遮断スイッチ55の第1FET55Aと第2FET55Bのソース-ドレインを経由する第1の経路67Aと、バイパス回路150を経由する第2の経路67Bの2経路となる。
By providing the
管理部130は、第3FET155Aと第4FET155BのゲートGに対して制御信号を送り、第3FET155Aと第4FET155Bを制御する。制御信号は個々に送ることが出来、第3FET155Aと第4FET155Bを別々に制御することも出来る。
The
遮断スイッチ55、バイパス回路150、管理部130は、組電池60を保護する保護回路120である。保護回路120は、回路基板100上に実装されている。
The
バッテリ50には、図5に示すように、エンジン始動装置であるセルモータ21、車両発電機であるオルタネータ23、一般電気負荷25が接続されている。一般電気負荷25は、定格12Vであり、自動車10に搭載された車両ECUや、エアコン、オーディオ、カーナビゲーション、補機類などを例示することができる。
As shown in FIG. 5, the
3.過充電時の保護動作
管理部130は、電圧計測回路110、電流センサ53、温度センサの出力に基づいて、バッテリ50の監視処理を行う。
3. Protective operation during overcharging The
バッテリ50が正常な場合、管理部130は、第1FET55Aと第2FET55Bをオンに制御し、第3FET155Aと第4FET155Bをオフに制御する。そのため、遮断スイッチ55の第1FET55Aと第2FET55Bのソース-ドレインを経由する第1の経路67Aは導通、バイパス回路150を経由する第2の経路67Bは非導通となることから、正常時、充放電電流は、遮断スイッチ55を経由する第1の経路67Aで流れ、バイパス回路150を経由する第2の経路67Bには流れない。
When the
自動車10の一般電気負荷25に比べてオルタネータ23の発電量が多い場合、組電池60は充電されるため、過充電になる場合がある。
When the amount of power generated by the
過充電は、二次電池62の電池電圧Vにより判断できる。例えば、各二次電池62の電池電圧Vを電圧閾値と比較し、いずれかの二次電池62の電池電圧Vが電圧閾値を上回っていた場合、過充電と判断することが出来る。
Overcharging can be determined based on the battery voltage V of the
図8は過充電を検出した場合に実行される保護処理のフローチャートである。管理部130は、バッテリ50の監視処理にて、過充電を検出すると、遮断スイッチ55をオンからオフに切り換える。つまり、管理部130は、第1FET55Aと第2FET55Bの各ゲートGに制御信号を送り、第1FET55Aと第2FET55Bをオンからオフに切り換える(S10)。第1FET55Aと第2FET55Bをオフに切り換えることで、遮断スイッチ55の第1FET55Aと第2FET55Bのソース-ドレインを経由する第1の経路67Aは非導通となり、電流を遮断することが出来る。電流を遮断することで、充電は遮断される。
FIG. 8 is a flowchart of protection processing executed when overcharging is detected. When the
管理部130は、充電遮断後、バイパス回路150のスイッチ155をオフからオンに切り換える。つまり、管理部130は、第3FET155Aと第4FET155Bの各ゲートGに制御信号を送り、第3FET155Aと第4FET155Bをオフからオンに切り換える(S20)。
After cutting off charging, the
スイッチ155をオンに切り換えることで、バイパス回路150が導通するため、図9に示すように、第2の経路67Bにより組電池60の放電が可能となる。そのため、組電池60の正極から車両10に流れる放電電流Iは、第2の経路67Bを通って組電池60の負極に戻る(S30)。
By turning on the
過充電の遮断後、充電を検出した場合、管理部130は、第3FET155Aをオフしてもよい。第3FET155Aをオフすることで、充電を遮断することが出来る。
If charging is detected after overcharging is interrupted, the
管理部130は、電流経路の切り換え後、第2の経路67Bに流れる放電電流Iをモニタする(S40)。放電電流Iは、定電流ダイオード151の両端電圧Vより検出することが出来る。
After switching the current path, the
管理部130は、放電電流Iが制限値Ia以上であるか、否かを判定する(S50)。制限値Iaは、図6に示すように定電流Icよりも小さな値であり、定電流ダイオード151の線形領域F1に含まれている。制限値Iaは、バイパス回路150の定格電流、具体的にはスイッチ155の定格電流よりも小さな値である。
The
管理部130は、放電電流Iが制限値Ia以下の場合、バイパス回路150のスイッチ155をオンに維持する。スイッチ155をオンに維持することで、バイパス回路150は導通を維持し、放電電流Iは、バイパス回路150を通じた第2の経路67Bで流れる。
The
管理部130は、放電電流Iが制限値Ia以上の場合、遮断スイッチ55をオフからオンに切り換える。つまり、管理部130は、第1FET55Aと第2FETのゲートGに制御信号を送り、第1FET55Aと第2FET55Bをオフからオンに切り換える(S60)。
When the discharge current I is equal to or greater than the limit value Ia, the
管理部130は、遮断スイッチ55をオフからオンに切り換えた後、バイパス回路150のスイッチ155をオンからオフに切り換える。つまり、管理部130は、第3FET155Aと第4FET155BのゲートGに制御信号を出力して、第3FET155Aと第4FET155Bをオンからオフに切り換える(S70)。
After switching the
遮断スイッチ55がオンに切り換わることで、放電電流の電流経路が、バイパス回路150を通る第2の経路67Bから、遮断スイッチ55の第1FET55Aと第2FET55Bのソース-ドレインを通る第1の経路67Aに切り換わる。そのため、制限値Iaを超える電流を、第1の経路67Aを通じて放電することが出来る(S80)。つまり、制限値Iaを超える電流を、遮断スイッチ55の第1FET55Aと第2FET55Bのソース-ドレインを通る経路で放電することが出来る。また、スイッチ155をオフすることで、バイパス回路150は非導通になり、バイパス回路150を通じた第2の経路67Bは遮断される。遮断スイッチ55をオンに切り換えてから、スイッチ155をオフに切り換えることで、自動車10への放電を遮断させずに、電流経路を切り換えることが出来る。
When the
5.効果説明
管理部130は、過充電を検出して遮断スイッチ55をオフするため、過充電からバッテリ50を保護することができる。過充電の検出後、管理部130がスイッチ155をオンに切り換えるため、バッテリ50はバイパス回路150を通じて自動車10に放電することが出来る。そのため、自動車10への電源供給を維持することが出来る。
5. Effect Description Since the
第1FET55Aの寄生ダイオード56Aと第2FET55Bの寄生ダイオード56Bは逆向きであることから、第1FET55Aと第2FET55Bがオフである場合、第1FET55Aの寄生ダイオード56Aと第2FET55Bの寄生ダイオード56Bに電流は流れない。そのため、バイパス回路150を通じた放電中に、寄生ダイオード56A、寄生ダイオード56Bが発熱して、第1FET55A及び第2FET55Bが故障することを抑制できる。
Since the
バッテリ50は、自動車10との通信機能を有していないため、エンジン20の動作状態に関する情報を、自動車10から受けることが出来ない。バッテリ50はエンジン始動用であり、エンジン始動時に1000A程度の大きな放電電流Iを自動車10に供給する必要があるが、そのタイミングを事前に知ることが出来ない。
Since the
管理部130は、放電電流Iが制限値Iaを超えると、放電電流の電流経路を、バイパス回路150を通る第2の経路から、遮断スイッチ55の第1FET55Aと第2FET55Bのソース-ドレインを通る第1の経路に切り換える。電流経路の切り換えにより、バイパス回路150に制限値Iaを超える電流が流れることを抑制できる。しかも、放電経路の切り換え時に、制限値Iaを超える放電電流Iがバイパス回路150に対して瞬間的に流れても、定電流ダイオード151の定電流特性により、電流値をIc以下に抑えることが出来る。そのため、大電流によりバイパス回路150が発熱して、損傷することを抑制できる。
When the discharge current I exceeds the limit value Ia, the
また、電流経路の切り換え後、放電電流は、第1FET55Aと第2FET55Bのソース-ドレインを通り、2つの寄生ダイオード56A、56Bには流れない。そのため、寄生ダイオード56A及び寄生ダイオード56Bが発熱して、遮断スイッチ55の第1FET55Aと第2FET55Bが損傷することを抑制できる。
Further, after switching the current path, the discharge current passes through the source-drain of the
この技術を適用することで、過充電による電流遮断後に、エンジンを始動する場合など、バッテリ50が大電流を放電した時に、寄生ダイオード56A及び寄生ダイオード56Bが発熱して、遮断スイッチ55の第1FET55Aと第2FET55Bが損傷することを抑制できる。アイドリングストップ車は、エンジンの始動回数が多いため、バッテリ50が大電流を放電する頻度が高く、バイパス回路150や遮断スイッチ55に故障が起きやすい。この技術をアイドリングストップ車に適用することで、バイパス回路150や遮断スイッチ55の故障を抑制することが出来る。
By applying this technology, when the
<他の実施形態>
本発明は上記記述及び図面によって説明した実施形態に限定されるものではなく、例えば次のような実施形態も本発明の技術的範囲に含まれる。
<Other embodiments>
The present invention is not limited to the embodiments described above and illustrated in the drawings; for example, the following embodiments are also included within the technical scope of the present invention.
(1)上記実施形態1では、蓄電素子の一例として、二次電池62を例示した。蓄電素子は、二次電池62に限らず、キャパシタでもよい。二次電池62は、リチウムイオン二次電池に限らず他の非水電解質二次電池でもよい。鉛蓄電池などを使用することも出来る。蓄電素子は、複数を直並列に接続する場合に限らず、直列の接続や、単セルの構成でもよい。
(1) In the first embodiment, the
(2)上記実施形態1では、バッテリ50を自動四輪車10に搭載した。図11に示すように、自動二輪車200に搭載してもよい。210は自動二輪車のエンジンである。自動二輪車200は、自動四輪車10と比較すると、設置スペースが狭いため、バッテリ50の小型化が求められる。また、自動二輪車200は自動四輪車10と比較して、電流が小さい場合が多い。本技術によれば、自動二輪車200にバッテリ50を用いることで、電流遮断装置に、リレー(機械スイッチ)ではなく、半導体スイッチ(FET)を用いることが出来る。FET55AやFET55Bに対してダイオードを別途設置する必要がなくなり、電流遮断装置の小型化及びバッテリ50の小型化を実現することが出来る。
(2) In the first embodiment described above, the
(3)上記実施形態1では、バッテリ50を自動車10のエンジン始動用とした。バッテリ50の用途はエンジン始動用以外でもよい。
(3) In the first embodiment, the
(4)上記実施形態1では、遮断スイッチ55を、組電池60の負極側(ロウサイド)に配置したが、組電池60の正極側(ハイサイド)に配置してもよい。
(4) In the first embodiment, the
(5)上記実施形態1では、バイパス回路150に定電流ダイオード151を設けたが、定電流ダイオード151に代えて、定電流回路を設けてもよい。定電流回路は、電流Iの制限機能(定電流機能)を有する回路であれば、どのような回路でもよい。例えば、電流Iを検出して電流出力用トランジスタの増幅率を調整することにより電流制限を行う回路でもよい。
(5) In the first embodiment, the
(6)上記実施形態1では、定電流ダイオード151の両端電圧Vに基づいて放電電流Iを計測したが、放電電流Iを電流センサ53で計測してもよい。
(6) In the first embodiment, the discharge current I was measured based on the voltage V across the constant
(7)上記実施形態1では、バッテリ50が過充電である場合に充電を遮断したが、充電を遮断する理由は、過充電に限らない。例えば、バッテリ50が満充電に達した場合に、充電を遮断してもよい。
(7) In the first embodiment, charging is cut off when the
(8)上記実施形態1では、放電経路を、バイパス回路150を通る経路から、遮断スイッチ55の第1FET55Aと第2FET55Bのソース-ドレインを経由する経路に切り換える場合、遮断スイッチ55を先に切り換え(S60)、バイパス回路150のスイッチ155を後に切り換えたが(S70)、切り換えは同時でもよく、逆でもよい。また、バイパス回路150のスイッチ155は無くてもよい。この場合、第1FET55Aと第2FET55Bのオン、オフの切り換えにより、放電経路の切り換えを行うことが出来る。
(8) In the first embodiment, when switching the discharge path from the path passing through the
(9)上記実施形態1では、第1ダイオード56Aは、第1FET55Aの寄生ダイオードであった。第1ダイオード56Aは、第1FET55Aのソース-ドレイン間に接続されていれば、寄生ダイオードであってもいいし、寄生ダイオード以外でもいい。寄生ダイオードに並列に接続されたダイオードでもよい。第2ダイオード56Bも同様である。
(9) In the first embodiment described above, the
(10)上記実施形態1では、バイパス回路150に流れる放電電流Iが制限値Ia以上の場合、管理部130は、第1FET55A及び第2FET55Bをオフからオンに切り換えて、放電電流を第1FET55Aと第2FET55Bのソース-ドレインを経由する経路で放電した。これに限らず、第1FET55Aはオフを維持し、第2FET55Bのみオフからオンに切り換えて、放電電流を寄生ダイオード56Aと第2FET55Bのソース-ドレインを経由する経路で放電してもよい。
遮断スイッチ50の2つの電流経路のうち、どちらを使用するかは、放電電流Iの大きさにより、決定してもよい。例えば、バイパス回路150から遮断スイッチ50に電流経路を切り換える時に、放電電流Iが寄生ダイオード56Aの許容値よりも低い場合、第1FET55Aはオフを維持し、第2FET55Bのみオフからオンに切り換えて、放電電流Iを寄生ダイオード56Aと第2FET55Bのソース-ドレインを経由する経路で流してもよい。放電電流Iが寄生ダイオード56Aの許容値以上の場合、第1FET55Aと第2FET55Bの双方をオフからオンに切り換えて、放電電流Iを第1FET55Aと第2FET55Bのソース-ドレインを経由する経路で流してもよい。放電電流Iは、電流センサ53で計測してもいいし、定電流ダイオード151のI-V特性を利用して計測してもよい。
(10) In the first embodiment, when the discharge current I flowing through the
Which of the two current paths of the
(11)上記実施形態1では、バイパス回路150は、定電流ダイオード151とスイッチ155とから構成した。定電流ダイオード151に代えて、電流制限抵抗を用いてもよい。スイッチ155は2つのFET55AとFET55Bから構成したが、接点スイッチを用いてもよい。図12のバイパス回路250は、電流制限抵抗260と、接点スイッチ270とを有している。バイパス回路250は、放電方向(図12のC方向)が順方向であるダイオード280を有してもよい。ダイオード280により、バイパス回路250を通じた充電を規制することが出来る。
(11) In the first embodiment, the
(12)本技術は、車載用の蓄電素子の保護回路の制御プログラムに適用することが出来る。保護回路は、前記蓄電素子の電流を遮断する遮断スイッチと、前記遮断スイッチと並列に接続されたバイパス回路と、を含み、前記遮断スイッチはバックツーバック接続された第1FETと第2FETであり、前記第1FETは、ソースとドレイン間に接続された第1ダイオードを有し、前記第2FETは、ソースとドレイン間に接続され、前記第1ダイオードとは逆向きの第2ダイオードを有し、前記バイパス回路は、前記遮断スイッチによる電流遮断中に、前記蓄電素子から車両への放電を許容する。保護回路の制御プログラムは、コンピュータに、前記バイパス回路を流れる放電電流が制限値以上になった場合、前記放電電流の電流経路を、前記バイパス回路から、前記遮断スイッチを通る経路に切り換える処理を実行させるプログラムである。本技術は、蓄電素子の保護回路の制御プログラムを記録した記録媒体に適用することが出来る。コンピュータは、一例として管理部130である。蓄電素子は、一例として二次電池62である。制御プログラムはROMなどの記録媒体に記録することが出来る。
(12) The present technology can be applied to a control program for a protection circuit of an on-vehicle power storage element. The protection circuit includes a cutoff switch that cuts off the current of the power storage element, and a bypass circuit connected in parallel with the cutoff switch, and the cutoff switch is a first FET and a second FET connected back-to-back, The first FET has a first diode connected between the source and the drain, and the second FET has a second diode connected between the source and the drain in the opposite direction to the first diode, and the second FET has a second diode connected between the source and the drain. The bypass circuit allows discharge from the power storage element to the vehicle while the current is cut off by the cutoff switch. The protection circuit control program causes the computer to execute a process of switching the current path of the discharge current from the bypass circuit to a path passing through the cutoff switch when the discharge current flowing through the bypass circuit exceeds a limit value. This is a program that allows you to The present technology can be applied to a recording medium in which a control program for a protection circuit of a power storage element is recorded. The computer is the
10 自動車
50 バッテリ(蓄電装置)
51、52 外部端子
55 遮断スイッチ
55A 第1FET
55B 第2FET
56A 寄生ダイオード(第1ダイオード)
56B 寄生ダイオード(第2ダイオード)
60 組電池
62 二次電池(蓄電素子)
120 保護回路
130 管理部(制御部)
150 バイパス回路
151 定電流ダイオード
155 スイッチ
10
51, 52
55B 2nd FET
56A parasitic diode (first diode)
56B Parasitic diode (second diode)
60
120
150
Claims (6)
車載用の蓄電素子と、
車載用の前記蓄電素子の保護回路と、を備え、
車載用の前記蓄電素子の前記保護回路は、
前記蓄電素子の負極のパワーラインに設けられ、前記蓄電素子の電流を遮断する遮断スイッチと、
前記遮断スイッチと並列に接続されたバイパス回路と、
制御部と含み、
前記遮断スイッチは、バックツーバック接続された、Nチャンネルの第1FETとNチャンネルの第2FETであり、
前記第1FETは、ソースとドレイン間に接続された第1ダイオードを有し、
前記第2FETは、ソースとドレイン間に接続され、前記第1ダイオードとは逆向きの第2ダイオードを有し、
前記バイパス回路は、前記遮断スイッチによる電流遮断中に、前記蓄電素子から車両への放電を許容し、
前記制御部は、
前記バイパス回路に流れる放電電流が制限値以上になった場合、前記放電電流の電流経路を、前記バイパス回路を通る経路から、前記遮断スイッチを通る経路に切り換える、車載用の蓄電装置。 An in-vehicle power storage device that does not have a communication function with a vehicle,
In-vehicle power storage element,
A protection circuit for the power storage element for vehicle use,
The protection circuit of the in-vehicle power storage element includes:
a cutoff switch that is provided on a power line of a negative electrode of the power storage element and interrupts the current of the power storage element;
a bypass circuit connected in parallel with the cutoff switch;
including control unit,
The cutoff switch is an N-channel first FET and an N-channel second FET connected back-to-back,
The first FET has a first diode connected between a source and a drain,
The second FET has a second diode connected between a source and a drain, the second diode having a direction opposite to that of the first diode,
The bypass circuit allows discharge from the power storage element to the vehicle while the current is cut off by the cutoff switch,
The control unit includes:
An on-vehicle power storage device that switches a current path of the discharge current from a path passing through the bypass circuit to a path passing through the cutoff switch when the discharge current flowing through the bypass circuit exceeds a limit value.
前記制御部は、前記バイパス回路に流れる放電電流が制限値以上になった場合、前記放電電流の電流経路を、前記バイパス回路を通る経路から、前記遮断スイッチの前記第1FETと前記第2FETのソース-ドレインを通る経路に切り換える、車載用の蓄電装置。 The vehicle-mounted power storage device according to claim 1,
When the discharge current flowing through the bypass circuit exceeds a limit value, the control unit changes the current path of the discharge current from a path passing through the bypass circuit to a source of the first FET and the second FET of the cutoff switch. - An on-vehicle power storage device that switches to a path that passes through the drain.
前記バイパス回路は、電流を制限する電流制限部を含む、車載用の蓄電装置。 The vehicle-mounted power storage device according to claim 1 or 2,
The bypass circuit is an in-vehicle power storage device including a current limiter that limits current.
前記電流制限部は、定電流素子又は定電流回路である、車載用の蓄電装置。 The vehicle-mounted power storage device according to claim 3,
In the vehicle-mounted power storage device , the current limiter is a constant current element or a constant current circuit.
前記電流制限部はI-V特性において線形領域を有しており、
前記制御部は、前記電流制限部の両端電圧に基づいて前記バイパス回路の電流を検出し、
前記制限値は、前記線形領域内の電流値である、車載用の蓄電装置。 The vehicle-mounted power storage device according to claim 3 or 4,
The current limiting section has a linear region in IV characteristics,
The control unit detects the current of the bypass circuit based on the voltage across the current limiter,
In the vehicle-mounted power storage device , the limit value is a current value within the linear region.
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