JP7381527B2 - 表示パネル及びこれを用いた表示装置 - Google Patents

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Description

本発明は、解像度又はPPI(Pixels Per Inch)が部分的に異なる表示パネル及びこれを用いた表示装置に関する。
電界発光表示装置は、発光層の材料に応じて無機発光表示装置と有機発光表示装置に大別される。アクティブマトリックス型(active matrix type)の有機発光表示装置は、自ら発光する有機発光ダイオード(Organic Light Emitting Diode: 以下、「OLED」という。)を含み、応答速度が速く、発光効率、輝度及び視野角が大きいという長所がある。有機発光表示装置は、OLED(Organic Light Emitting Diode、「OLED」という。)がピクセルのそれぞれに形成される。有機発光表示装置は、応答速度が速く、発光効率、輝度、視野角などに優れているだけでなく、ブラック階調を完全なブラックで表現することができるため、コントラスト比(contrast ratio)と色再現率に優れている。
モバイル端末機のマルチメディア機能は向上している。例えば、スマートフォンにはカメラが基本的に内蔵されており、カメラの解像度が既存のデジタルカメラの水準にまで高まってきているのが趨勢である。スマートフォンのフロントカメラは、画面デザインを制限して画面デザインを難しくしている。カメラが占める空間を減らすべく、切き欠き(notch)又はパンチホール(punch hole)を含む画面デザインがスマートフォンに採択されることがあるが、カメラによって画面の大きさが依然として制限されてしまい、フルスクリーン表示(Full-screen display)を実現することができなかった。
特開2019-28426号公報
フルスクリーン表示を実現するために、表示パネルの画面内に低解像度ピクセルが配置されたセンシング領域を設けることができる。このようなセンシング領域で点灯されるピクセルの数が相対的に少ないので、画面全体の輝度均一度のためにセンシング領域のピクセルを相対的に高い電圧で駆動することができる。この場合、データ電圧が低解像度領域の輝度を高めるためにはさらに高くならなければならず、そのため、電圧範囲を拡張しなければならないので、データ電圧マージン(Margin)が狭くなり、ガンマリファレンス電圧を発生する回路のコストが上昇してしまう。
本発明は、前述した必要性及び/または問題を解決することを目的とする。本発明の目的は、フルスクリーン表示を実現してデータ電圧マージンを狭めることなく、かつ、画面全体で均一な輝度を実現することができる、表示パネル及びこれを用いた表示装置を提供することにある。本発明の目的は、上述した課題に制限されず、言及されていないもう一つの課題は、以下の記載から当業者に明確に理解し得る。
本発明の一つの実施例による表示パネルは、ピクセルが配置された第1ピクセル領域と、前記第1ピクセル領域に比べて解像度又はPPI(Pixels Per Inch)の低いピクセルが配置された第2ピクセル領域とを含む。
前記第1ピクセル領域のピクセルのそれぞれは、発光素子を駆動する第1駆動素子を含む。前記第2ピクセル領域のピクセルのそれぞれは、発光素子を駆動する第2駆動素子を含む。
前記第2駆動素子は、第1及び第2ゲート電極を含む。前記第2駆動素子の第1ゲート電極へ、前記第2ピクセル領域のピクセルに書き込まれるピクセルデータのデータ電圧が印加される。
前記第2駆動素子の第2ゲート電極へ、前記第2ピクセル領域の輝度を高める補償電圧が印加される。
本発明の一つの実施例による表示装置は、前記表示パネルと、入力映像のピクセルデータをデータ電圧に変換して、前記第1及び第2ピクセル領域のピクセルに接続されたデータラインへ前記データ電圧を供給するデータ駆動部と、前記補償電圧を発生する輝度補償部とを含む。
本発明は、映像が表示される画面にセンサが配置されるため、フルスクリーン表示(Full-screen display)の画面を実現することができる。
本発明は、低解像度又は低PPI領域の発光素子を駆動するための駆動素子をダブルゲート構造のトランジスタで実現し、ピクセルの輝度を高めるための補償電圧を駆動素子の第2ゲート電極に印加することで、解像度又はPPIが領域別に異なる画面の輝度均一度を向上させることができる。
本発明は、低解像度又は低PPI領域のピクセルに印加されるデータ電圧の電圧範囲を拡張せずに電圧マージンを確保して、高い解像力でサブピクセルの輝度偏差を光学補償し得るので、光学補償の精度を向上することができ、経時変化による画質補償のためのデータ電圧可変範囲を確保することができる。本発明で得られる効果は、上述した効果に限定されず、言及していないもう一つの効果は以下の記載から、本発明が属する技術分野における通常の知識を有する者は明確に理解し得る。
本発明の実施例による表示パネルを概略的に示す断面図である。 表示パネルの画面内にセンサモジュールが配置された領域を示す平面図である。 第1ピクセル領域のピクセル配置を示す図である。 第2ピクセル領域のピクセル配置を示す図である。 本発明に適用可能な様々なピクセル回路を示す回路図である。 本発明に適用可能な様々なピクセル回路を示す回路図である。 本発明に適用可能な様々なピクセル回路を示す回路図である。 図7に示されたピクセル回路の駆動方法を示す波形図である。 本発明の実施例による表示装置を示すブロック図である。 本発明の実施例による表示装置がモバイル機器に適用された例を示す図である。 画面の第1及び第2ピクセル領域のピクセルに印加されるデータ電圧範囲が同一のとき、第1及び第2ピクセル領域間の輝度差を示す図である。 画面の第2ピクセル領域のピクセルに印加されるデータ電圧範囲を拡張して、第1及び第2ピクセル領域間の輝度差が減少された例を示す図である。 本発明の第1実施例による駆動素子のダブルゲート構造を概略的に示す回路図である。 図13に示された第1駆動素子の断面構造を示す断面図である。 図13に示された第2駆動素子の断面構造を示す断面図である。 図7に示されたピクセル回路に、図13に示された第1駆動素子が適用された例を示す回路図である。 図7に示されたピクセル回路に、図13に示された第2駆動素子が適用された例を示す回路図である。 本発明の第2実施例による駆動素子のダブルゲート構造を概略的に示す回路図である。 図18に示された第2駆動素子とスイッチ素子の断面構造を示す断面図である。 図7に示されたピクセル回路に、図18に示された第2駆動素子とスイッチ素子が適用された例を示す回路図である。 表示パネル上で電源ラインと補助データラインを示す平面図である。 第2ピクセル領域に配置されたサブピクセルの色別に最適化された補償電圧が異なるように印加される例を示す回路図である。 データ駆動部の出力電圧範囲と色別の補償電圧とを示す図である。 表示パネル上で電源ラインと色別に分離された補助データラインとを示す平面図である。 電圧マージンが確保されたデータ駆動部の出力電圧と、表示パネルに印加される補償電圧とを用いた第2ピクセル領域の輝度向上効果を示す図である。 補償電圧がデータ駆動部へ独立した経路に沿って伝送される例を示す図である。 補償電圧がデータ駆動部のチャネルから出力される例を示す図である。 補償電圧がデータ駆動部のチャネルから出力される例を示す図である。 本発明の第1実施例によって画面の輝度補償方法を示す手順図である。 本発明の第2実施例によって画面の輝度補償方法を示す手順図である。 本発明の第3実施例によって画面の輝度補償方法を示す手順図である。 本発明の第4実施例によって画面の輝度補償方法を示す手順図である。 ピクセルデータに対するヒストグラムの計算結果の一例を示す図である。
本発明の利点及び特徴、そして、それらを達成する方法は、添付の図面と共に詳細に後述されている実施例を参照すれば、明確になるであろう。しかし、本発明は、以下で開示される実施例に限定されるものではなく、互いに異なる様々な形態で具現化されるものであり、単に本実施例は、本発明の開示が完全になるようにし、本発明の属する技術分野における通常の知識を有する者に発明の範疇を完全に知らせるために提供されるものであり、本発明は、請求項の範疇により定義されるだけである。
本発明の実施例を説明するための図面に開示された形状、大きさ、比率、角度、数などは例示的なものであるから、本発明は図示された事項に限定されるものではない。明細書の全体に亘って同一の参照符号は同一の構成要素を指す。また、本発明を説明するにあたり、関連する公知技術についての具体的な説明が本発明の要旨を不必要に曖昧にすると判断される場合、その詳細な説明は省略する。
本明細書上で言及された「含む」、「有する」、「からなる」などが使用される場合、「~だけ」が使用されない以上、他の部分を追加することができる。構成要素を単数で表現した場合には、特段に明示的な記載事項がない限り、複数が含まれる場合を包含する。
構成要素を解釈するにあたり、別途の明示的な記載がなくても、誤差範囲を含むことと解釈すべきである。
位置関係についての説明である場合、例えば、「~の上に」、「~の上部に」、「~の下に」、「~の下部に」、「~の隣に」などのように2つの部分の位置関係が説明される場合、「すぐに」又は「直接」が使用されない以上、2つの部分の間に1つ以上の他の部分が位置することもできる。
実施例の説明において、第1、第2などが様々な構成要素を述べるために使用されるが、これらの構成要素はこれらの用語により限定されない。これらの用語は、単に1つの構成要素を他の構成要素と区別するために使用するものである。したがって、以下で言及される第1構成要素は、本発明の技術的思想内で第2構成要素でもあり得る。
明細書の全体に亘って同一の参照符号は、同一の構成要素を指す。
いくつかの実施例の特徴が部分的又は全体的に互いに結合又は組み合わせ可能であり、技術的に様々な連動及び駆動が可能であり、各実施例が相互に対して独立して実施可能であり、組合わせて一緒に実施することもできる。
本発明の表示装置において、ピクセル回路は複数のトランジスタを含み得る。トランジスタは、酸化物半導体を含むOxideTFT(Thin Film Transistor)、低温ポリシリコン(Low Temperature Poly Silicon、LTPS)を含むLTPS-TFTなどで実現され得る。トランジスタのそれぞれは、pチャネルTFT又はnチャネルTFTで実現され得る。
トランジスタは、ゲート(gate)、ソース(source)及びドレイン(drain)を含む3電極素子である。ソースは、キャリア(carrier)をトランジスタに供給する電極である。トランジスタ内において、キャリアはソースから流れ始める。ドレインは、トランジスタからキャリアが外部に出ていく電極である。トランジスタにおいて、キャリアの流れはソースからドレインへと流れる。nチャネルトランジスタの場合、キャリアが電子(electron)であるため、ソースからドレインへと電子が流れることができるように、ソース電圧がドレイン電圧よりも低い電圧を有する。nチャネルトランジスタにおいて、電流の方向はドレインからソース側へと流れる。pチャネルトランジスタ(PMOS)の場合、キャリアが正孔(hole)であるため、ソースからドレインへと正孔が流れることができるように、ソース電圧がドレイン電圧よりも高い。pチャネルトランジスタにおいて、正孔がソースからドレイン側へと流れるため、電流がソースからドレイン側へと流れる。トランジスタのソースとドレインは固定されていないものであることに注意すべきである。例えば、ソースとドレインは印加電圧によって変更され得る。したがって、トランジスタのソースとドレインによって発明は限定されない。以下の説明において、トランジスタのソースとドレインを第1及び第2電極であると称することにする。
ゲート信号は、ゲートオン電圧(Gate On Voltage)とゲートオフ電圧(Gate Off Voltage)との間でスイング(swing)する。ゲートオン電圧はトランジスタのしきい値電圧よりも高い電圧に設定され、ゲートオフ電圧はトランジスタのしきい値電圧よりも低い電圧に設定される。トランジスタは、ゲートオン電圧に応答してターンオン(turn-on)されるものの、ゲートオフ電圧に応答してターンオフ(turn-off)される。nチャネルトランジスタの場合に、ゲートオン電圧はゲートハイ電圧(Gate High Voltage)VGH/VEHであり、ゲートオフ電圧はゲートロー電圧(Gate Low Voltage)VGL/VELであり得る。pチャネルトランジスタの場合に、ゲートオン電圧はゲートロー電圧VGL/VELであり、ゲートオフ電圧はゲートハイ電圧VGH/VELであり得る。
以下、添付の図面を参照して、本発明の様々な実施例を詳細に説明する。
図1及び図2を参照すると、表示パネル100は、入力映像を再現する画面を含む。画面は、解像度が互いに異なる第1及び第2ピクセル領域DA、CAに分けられる。
第1ピクセル領域DAと第2ピクセル領域CAのそれぞれは、入力映像のピクセルデータが書き込まれるピクセルが配置されたピクセルアレイを含む。第2ピクセル領域CAは、第1ピクセル領域DAに比べて低解像度のピクセル領域であり得る。第1ピクセル領域DAのピクセルアレイは、高PPI(Pixels Per Inch)で配置されたピクセルを含み得る。第2ピクセル領域CAのピクセルアレイは、低PPIで配置されたピクセルを含み得る。
図2に示されたように、表示パネル100の下には、第2ピクセル領域CAに対向する一つ以上のセンサモジュールSS1、SS2が配置され得る。例えば、イメージセンサを含む撮像モジュール、赤外線センサモジュール、照度センサモジュールなどの様々なセンサが、表示パネル100の第1ピクセル領域DAの下に配置され得る。第2ピクセル領域CAは、センサモジュールに向く光の透過率を高めるべく、投光部を含み得る。
第1ピクセル領域DAと第2ピクセル領域CAがピクセルを含んでいるため、入力映像は第1ピクセル領域DAと第2ピクセル領域CAに表示され得る。
第1ピクセル領域DAと第2ピクセル領域CAのピクセルのそれぞれは、映像の色(カラー)を実現するために、色が異なるサブピクセルを含む。サブピクセルは、赤色(Red、以下では「Rサブピクセル」という。)、緑色(Green、以下では「Gサブピクセル」という。)、及び、青色(Blue、以下では「Bサブピクセル」という。)を含む。図示してはいないが、ピクセルのそれぞれは、白色サブピクセル(以下では「Wサブピクセル」という。)をさらに含み得る。サブピクセルのそれぞれは、発光素子を駆動するピクセル回路を含み得る。
第1ピクセル領域DAに比べてPPIの低い第2ピクセル領域CAにおいて、ピクセルの輝度と色座標を補償するための画質補償アルゴリズムが適用され得る。
本発明の表示装置は、センサが配置される第2ピクセル領域CAにピクセルが配置されるため、カメラのような撮像モジュールによって画面の表示領域が制限されない。したがって、本発明の表示装置は、フルスクリーン表示(Full-screen display)の画面を実現することができる。
表示パネル100は、X軸方向の幅、Y軸方向の長さ、そしてZ軸方向の厚さを有する。表示パネル100は、基板10上に配置された回路層12と、回路層12の上に配置された発光素子層14とを含み得る。発光素子層14の上に偏光板18が配置され、偏光板18の上にはカバーガラス20が配置され得る。
回路層12は、データライン、ゲートライン、電源ラインなどの配線に接続されたピクセル回路、ゲートラインに接続されたゲート駆動部などを含み得る。回路層12は、TFT(Thin Film Transistor)により具現化されたトランジスタと、キャパシタなどの回路素子とを含み得る。回路層12の配線と回路素子とは、複数の絶縁層と、絶縁層を挟んで分離された2つ以上の金属層と、半導体物質を含むアクティブ層とで具現され得る。
発光素子層14は、ピクセル回路により駆動される発光素子を含み得る。発光素子は、OLEDで具現化され得る。OLEDは、アノードとカソードとの間に形成された有機化合物層を含む。有機化合物層は、正孔注入層(Hole Injection layer)HIL、正孔輸送層(Hole transport layer)HTL、発光層(Emission layer)EML、電子輸送層(Electron transport layer)ETL及び電子注入層(Electron Injection layer)EILを含み得るが、これには限定されない。OLEDのアノードとカソードに電圧が印加されると、正孔輸送層HTLを通過した正孔と電子輸送層ETLを通過した電子とが発光層EMLに移動されて励起子を形成し、発光層EMLから可視光が放出される。発光素子層14は、赤色、緑色及び青色の波長を選択的に透過させるピクセルの上に配置され、カラーフィルタアレイをさらに含み得る。
発光素子層14は、保護層により覆われることができ、保護層は封止層(encapsulation layer)により覆われることができる。保護層と封止層とは、有機膜と無機膜とが交互に積層された構造でもあり得る。無機膜は、水分や酸素の浸透を遮断する。有機膜は、無機膜の表面を平坦化する。有機膜と無機膜とが複数層に積層されると、単一層に比べて水分や酸素の移動経路が長くなり、発光素子層14に影響を与える水分/酸素の浸透が効果的に遮断され得る。
封止層の上には偏光板18が接着され得る。偏光板18は、表示装置の屋外視認性を改善する。偏光板18は、表示パネル100の表面から反射する光を減らし、回路層12の金属から反射する光を遮断してピクセルの明るさを向上させる。偏光板18は、線偏光板と位相遅延フィルムとが貼り合わされた偏光板又は円偏光板で具現化され得る。
図3は、第1ピクセル領域DAのピクセル配置の一例を示す図である。図4は、第2ピクセル領域CAのピクセルと投光部の一例を示す図である。図3及び図4において、ピクセルに接続された配線は省略している。
図3を参照すると、第1ピクセル領域DAは、高PPIで配列されたピクセルPIX1、PIX2を含む。ピクセルPIX1、PIX2のそれぞれは、三原色のR、G及びBサブピクセルが1つのピクセルから構成されたリアルタイプピクセルで具現化され得る。ピクセルPIX1、PIX2のそれぞれは、図面において省略したWサブピクセルをさらに含み得る。
ピクセルのそれぞれは、サブピクセルレンダリングアルゴリズムを用いて、2つのサブピクセルが1つのピクセルから構成され得る。例えば、第1ピクセルPIX1は、R及び第1のGサブピクセルから構成され、第2ピクセルPIX2は、B及び第2のGサブピクセルから構成され得る。第1及び第2ピクセルPIX1、PIX2のそれぞれで不足する色表現は、隣り合うピクセル間の当該カラーデータの平均値で補償することができる。
第1ピクセル領域DAのピクセルは、所定の大きさの単位ピクセルグループPG1、PG2で定義することができる。単位ピクセルグループPG1、PG2は、4つのサブピクセルを含む所定の大きさのピクセル領域である。単位ピクセルグループPG1、PG2は、第1方向(X軸)、第1方向に直交する第2方向(Y軸)、第1方向と第2方向との間の傾斜角方向(θx及びθy軸)で繰り返す。θx及びθyはそれぞれ、X軸及びY軸が45°回転した傾斜軸の方向を示す。
単位ピクセルグループPG1、PG2は、平行四辺形のピクセル領域PG1又は菱形のピクセル領域PG2であり得る。単位ピクセルグループPG1、PG2は、長方形、正方形なども含まれるものと解釈すべきである。
単位ピクセルグループPG1、PG2のサブピクセルは、第1色のサブピクセル、第2色のサブピクセル及び第3色のサブピクセルを含んでいるが、第1ないし第3色のサブピクセルのいずれか1つのサブピクセルは2つである。例えば、単位ピクセルグループPG1、PG2は、1つのRサブピクセル、2つのGサブピクセル、及び1つのBサブピクセルを含み得る。単位ピクセルグループPG1、PG2内のサブピクセルは、色別に発光素子の発光効率が異なり得る。このことを考慮して、サブピクセルの大きさが色別に異なることもある。例えば、R、G、及びBサブピクセルのうちでBサブピクセルが最も大きく、Gサブピクセルが最も小さいことがある。
図4を参照すると、第2ピクセル領域CAは、所定の距離離隔されたピクセルグループPGと、隣り合うピクセルグループPG間に配置された投光部AGとを含む。投光部AGを介して外部光がセンサモジュールのレンズに受光される。投光部AGは、最小限の光損失で光が入射できるように、金属なしで透過率の高い透明な媒質を含み得る。換言すると、投光部AGは、金属配線やピクセルを含まず、透明な絶縁材料からなり得る。投光部AGによって第2ピクセル領域CAのPPIが第1ピクセル領域DAよりも低くなるようになる。
第2ピクセル領域CAのピクセルグループPGには、1つ又は2つのピクセルが含まれ得る。ピクセルグループのピクセルのそれぞれは、2つないし4つのサブピクセルを含み得る。例えば、ピクセルグループ内の1ピクセルは、R、G及びBサブピクセルを含むか、2つのサブピクセルを含み、Wサブピクセルをさらに含むことができる。図4の例において、第1ピクセルPIX1はR及びGサブピクセルから構成され、第2ピクセルPIX2はB及びGサブピクセルから構成された例であるが、これに限定されない。
投光部AGの形状は、図4において円形に例示されているが、これに限定されない。例えば、投光部AGは、円形、楕円形、多角形などの様々な形態に設計されることができる。
表示パネルの製造工程で生じる工程ばらつきと素子特性ばらつきによって、ピクセル間には駆動素子の電気特性で差があり得、このような差はピクセルの駆動時間が経過するにつれてさらに大きくなり得る。ピクセル間における駆動素子の電気的特性ばらつきを補償するために、有機発光表示装置に内部補償技術又は外部補償技術が適用され得る。
内部補償技術は、ピクセル回路のそれぞれに実装された内部補償回路を用いてサブピクセル別に駆動素子のしきい値電圧をセンシングし、そのしきい値電圧だけ駆動素子のゲート・ソース間電圧Vgsを補償する。外部補償技術は、外部補償回路を用いて、駆動素子の電気的特性に応じて変わる駆動素子の電流又は電圧をリアルタイムでセンシングする。外部補償技術は、ピクセル別にセンシングされた駆動素子の電気的特性ばらつき(又はバリエーション)だけ入力映像のピクセルデータ(デジタルデータ)を変調することで、ピクセルのそれぞれで駆動素子の電気的特性ばらつき(又はバリエーション)をリアルタイムで補償する。
図5ないし図7は、本発明に適用可能な様々なピクセル回路を示す回路図である。
図5を参照すると、ピクセル回路は、発光素子OLEDと、発光素子OLEDに電流を供給する駆動素子DTと、スキャンパルスSCANに応答してデータラインDLを接続するスイッチ素子M01と、駆動素子DTのゲートに接続されたキャパシタCstとを含む。駆動素子DT及びスイッチ素子M01は、nチャネルトランジスタにより具現化され得る。
ピクセル駆動電圧ELVDDは、電源ラインPLを介して駆動素子DTの第1電極に印加される。駆動素子DTは、ゲート・ソース間電圧Vgsに応じて発光素子OLEDに電流を供給して、発光素子OLEDを駆動する。発光素子OLEDは、アノード電極とカソード電極との間の順方向電圧がしきい値電圧以上であるとき、ターンオンされて発光する。キャパシタCstは、駆動素子DTのゲート電極とソース電極との間に接続されて、駆動素子DTのゲート・ソース間電圧Vgsを維持する。
図6は、外部補償回路に接続されたピクセル回路の一例である。
図6を参照すると、ピクセル回路は、リファレンス電圧ラインREFLと駆動素子DTの第2電極(又はソース)との間に接続された第2のスイッチ素子M02をさらに含む。このピクセル回路において、駆動素子DTとスイッチ素子M01、M02はnチャネルトランジスタにより具現化され得る。
第2のスイッチ素子M02は、スキャンパルスSCAN又は別途のセンシングパルスSENSEに応答して、リファレンス電圧VREFを印加する。リファレンス電圧VREFは、リファレンス電圧ラインREFLを介してピクセル回路に印加される。
センシングモードにおいて、駆動素子DTのチャネルを通じて流れる電流、又は駆動素子DTと発光素子OLEDとの間の電圧が、リファレンスラインREFLにてセンシングされる。リファレンスラインREFLを通じて流れる電流は、積分器にて電圧に変換され、アナログ-デジタル変換器(Analog-to-digital converter)ADCにてデジタルデータに変換される。このデジタルデータは、駆動素子DTのしきい値電圧又は移動度情報を含むセンシングデータである。センシングデータは、データ演算部に伝送される。データ演算部は、ADCからのセンシングデータを入力されて、センシングデータに基づいて選択された補償値をピクセルデータに加算又は乗算してピクセルの駆動ばらつきと劣化を補償することができる。
図7は、内部補償回路が適用されたピクセル回路の一例を示す回路図である。図8は、図7に示されたピクセル回路の駆動方法を示す波形図である。
図7及び図8を参照すると、ピクセル回路は、発光素子OLEDと、発光素子OLEDに電流を供給する駆動素子DTと、発光素子OLEDと駆動素子DTに印加される電圧を切り替えるスイッチ回路とを含む。
スイッチ回路は、ピクセル駆動電圧ELVDD、低電位電源電圧ELVSS、初期化電圧Viniが印加される電源ラインPL1、PL2、PL3、データラインDL、及びゲートラインGL1、GL2、GL3に接続されて、スキャンパルスSCAN(N-1)、SCAN(N)と 発光制御パルス(以下、「EMパルス」という。)EM(N)に応答して、発光素子OLEDと駆動素子DTに印加される電圧を切り替える。
スイッチ回路は、複数のスイッチ素子M1~M6を用いて、駆動素子DTのしきい値電圧VthをサンプリングしキャパシタCst1に格納し、駆動素子DTのしきい値電圧Vthだけ駆動素子DTのゲート電圧を補償する内部補償回路を含む。駆動素子DTとスイッチ素子M1~M6のそれぞれは、pチャネルTFTにより具現化され得る。
ピクセル回路の駆動期間は、図8に示されたように、初期化期間Tini、サンプリング期間Tsam、及び発光期間Temに分けられる。
第NのスキャンパルスSCAN(N)は、サンプリング期間Tsamにおいてゲートオン電圧VGLで発生されて、第1ゲートラインGL1に印加される。第N-1のスキャンパルスSCAN(N-1)は、サンプリング期間に先行する初期化期間Tiniにおいてゲートオン電圧VGLで発生されて、第2ゲートラインGL2に印加される。EMパルスEM(N)は、初期化期間Tini及びサンプリング期間Tsamにおいてゲートオフ電圧VGHで発生されて、第3ゲートラインGL3に印加される。
初期化期間Tiniの間、第N-1のスキャンパルスSCAN(N-1)がゲートオン電圧VGLで発生され、第NのスキャンパルスSCAN(N)とEMパルスEM(N)のそれぞれの電圧はゲートオフ電圧VGHである。サンプリング期間Tsamの間、第NのスキャンパルスSCAN(N)がゲートオン電圧VGLのパルスで発生され、第N-1のスキャンパルスSCAN(N-1)とEMパルスEM(N)のそれぞれの電圧はゲートオフ電圧VGHである。発光期間Temの少なくとも一部期間の間、EMパルスEM(N)がゲートオン電圧VGLで発生され、第N-1のスキャンパルスSCAN(N-1)と第NのスキャンパルスSCAN(N)のそれぞれの電圧がゲートオフ電圧VGHで発生される。
初期化期間Tiniの間、第N-1のスキャンパルスSCAN(N-1)のゲートオン電圧VGLに応じて、第5のスイッチ素子M5がターンオンされて、ピクセル回路を初期化する。サンプリング期間Tsamの間、第NのスキャンパルスSCAN(N)のゲートオン電圧VGLに応じて、第1及び第2のスイッチ素子M1、M2がターンオンされて、駆動素子DTのしきい値電圧だけ補償されたデータ電圧VdataがキャパシタCst1に格納される。これと共に、第6のスイッチ素子M6がサンプリング期間Tsamの間にターンオンされて、第4ノードn4の電圧をリファレンス電圧VREFに下げて発光素子OLEDの発光を抑制する。
発光期間Temの間、第3及び第4のスイッチ素子M3、M4がターンオンされて、発光素子OLEDが発光する。発光期間Temの間、低階調の輝度を精度よく表現するために、EMパルスEM(N)がゲートオン電圧VGLとゲートオフ電圧VGHとの間において所定のデューティー比でその電圧レベルが反転され得る。この場合、第3及び第4のスイッチ素子M3、M4が、発光期間Temの間、EMパルスEM(N)のデューティー比に応じてオン/オフを繰り返すことができる。
発光素子OLEDのアノード電極は、第4及び第6のスイッチ素子(M4、M6)間の第4ノードn4に接続される。第4ノードn4は、発光素子OLEDのアノード電極、第4のスイッチ素子M4の第2電極、及び第6のスイッチ素子M6の第2電極に接続される。発光素子OLEDのカソード電極は、低電位電源電圧ELVSSが印加されるVSSラインPL3に接続される。発光素子OLEDは、駆動素子DTのゲート・ソース間電圧Vgsに応じて流れる電流Idsにより発光する。発光素子OLEDの電流パスは、第3及び第4のスイッチ素子M3、M4により切り替えられる
キャパシタCst1は、VDDラインPL1と第1ノードn1との間に接続される。駆動素子DTのしきい値電圧Vthだけ補償されたデータ電圧Vdataが、キャパシタCst1に充電される。サブピクセルのそれぞれにおいてデータ電圧Vdataが駆動素子DTのしきい値電圧Vthだけ補償されるため、サブピクセルで駆動素子DTの電気的な特性ばらつきが補償される。
第1のスイッチ素子M1は、第NのスキャンパルスSCAN(N)のゲートオン電圧VGLに応答してターンオンされて、第2ノードn2と第3ノードn3とを接続する。第2ノードn2は、駆動素子DTのゲート電極、キャパシタCst1の第1電極、及び第1のスイッチ素子M1の第1電極に接続される。第3ノードn3は、駆動素子DTの第2電極、第1のスイッチ素子M1の第2電極、及び第4のスイッチ素子M4の第1電極に接続される。第1のスイッチ素子M1のゲート電極は、第1ゲートラインGL1に接続されて、第NのスキャンパルスSCAN(N)を供給される。第1のスイッチ素子M1の第1電極は第2ノードn2に接続され、第1のスイッチ素子M1の第2電極は第3ノードn3に接続される。
第1のスイッチ素子M1は、1フレーム期間において第NのスキャンパルスSCAN(N)がゲートオン電圧VGLで発生される極めて短い1水平期間(1H)の間にターンオンされるため、オフ状態でリーク電流が発生し得る。第1のスイッチ素子M1のリーク電流を抑制すべく、第1のスイッチ素子M1は、2つのトランジスタが直列に接続されたデュアルゲート(dual gate)構造のトランジスタにより具現化され得る。
第2のスイッチ素子M2は、第NのスキャンパルスSCAN(N)のゲートオン電圧VGLに応答してターンオンされて、データ電圧Vdataを第1ノードn1に供給する。第2のスイッチ素子M2のゲート電極は、第1ゲートラインGL1に接続されて、第NのスキャンパルスSCAN(N)を供給される。第2のスイッチ素子M2の第1電極は、第1ノードn1に接続される。第2のスイッチ素子M2の第2電極は、データ電圧Vdataが印加されるデータラインDLに接続される。第1ノードn1は、第2のスイッチ素子M2の第1電極、第3のスイッチ素子M3の第2電極、及び駆動素子DTの第1電極に接続される。
第3のスイッチ素子M3は、EMパルスEM(N)のゲートオン電圧VGLに応答してターンオンされて、VDDラインPL1を第1ノードn1に接続する。第3のスイッチ素子M3のゲート電極は、第3ゲートラインGL3に接続されて、EMパルスEM(N)を供給される。第3のスイッチ素子M3の第1電極は、VDDラインPL1に接続される。第3のスイッチ素子M3の第2電極は、第1ノードn1に接続される。
第4のスイッチ素子M4は、EMパルスEM(N)のゲートオン電圧VGLに応答してターンオンされて、第3ノードn3を発光素子OLEDのアノード電極に接続する。第4のスイッチ素子M4のゲート電極は、第3ゲートラインGL3に接続されて、EMパルスEM(N)を供給される。第4のスイッチ素子M4の第1電極は第3ノードn3に接続され、第2電極は第4ノードn4に接続される。
第5のスイッチ素子M5は、第N-1のスキャンパルスSCAN(N-1)のゲートオン電圧VGLに応答してターンオンされて、第2ノードn2をViniラインPL2に接続する。第5のスイッチ素子M5のゲート電極は、第2ゲートラインGL2に接続されて、第N-1のスキャンパルスSCAN(N-1)を供給される。第5のスイッチ素子M5の第1電極は第2ノードn2に接続され、第2電極はViniラインPL2に接続される。第5のスイッチ素子M5のリーク電流を抑制すべく、第5のスイッチ素子M5は、2つのトランジスタが直列に接続されたデュアルゲート構造のトランジスタにより具現化され得る。
第6のスイッチ素子M6は、第NのスキャンパルスSCAN(N)のゲートオン電圧VGLに応答してターンオンされて、ViniラインPL2を第4ノードn4に接続する。第6のスイッチ素子M6のゲート電極は、第1ゲートラインGL1に接続されて、第NのスキャンパルスSCAN(N)を供給される。第6のスイッチ素子M6の第1電極はViniラインPL2に接続され、第2電極は第4ノードn4に接続される。
他の実施例において、第5及び第6のスイッチ素子M5、M6のゲート電極は、第N-1のスキャンパルスSCAN(N-1)が印加される第2ゲートラインGL2に共通に接続され得る。この場合、第5及び第6のスイッチ素子M5、M6は、第N-1のスキャンパルスSCAN(N-1)に応答して同時にターンオンされ得る。
駆動素子DTは、ゲート・ソース間電圧Vgsに応じて発光素子OLEDに流れる電流を調節して、発光素子OLEDを駆動する。駆動素子DTは、第2ノードn2に接続されたゲート、第1ノードn1に接続された第1電極、及び第3ノードn3に接続された第2電極を含む。
初期化期間Tiniの間、第N-1のスキャンパルスSCAN(N-1)がゲートオン電圧VGLで発生される。第NのスキャンパルスSCAN(N)とEMパルスEM(N)は、初期化期間Tiniの間、ゲートオフ電圧VGHを維持する。したがって、初期化期間Tiniの間、第5のスイッチ素子M5がターンオン(turn-on)されて、第2及び第4ノード(n2、n4)がViniで初期化される。初期化期間Tiniとサンプリング期間Tsamとの間に、ホールド期間が設定され得る。ホールド期間においてスキャンパルスSCAN(N-1)、SCAN(N)とEMパルスEM(N)は、ゲートオフ電圧VGHである。
サンプリング期間Tsamの間、第NのスキャンパルスSCAN(N)がゲートオン電圧VGLで発生する。第NのスキャンパルスSCAN(N)のパルスは、第Nのピクセルラインのデータ電圧Vdataに同期する。第N-1のスキャンパルスSCAN(N-1)とEMパルスEM(N)は、サンプリング期間Tsamの間、ゲートオフ電圧VGHを維持する。したがって、サンプリング期間Tsamの間、第1及び第2のスイッチ素子M1、M2がターンオンされる。
サンプリング期間Tsamの間、駆動素子DTのゲート電圧DTGが第1及び第2のスイッチ素子M1、M2を通じて流れる電流により上昇する。駆動素子DTがターンオフされるとき、ゲート電圧DTGはVdata-|Vth|である。このとき、第1ノード(n1)の電圧もVdata-|Vth|である。サンプリング期間Tsamに、駆動素子DTのゲート・ソース間電圧Vgsは、|Vgs|=Vdata-(Vdata-|Vth|)=|Vth|である。
発光期間Temの間、EMパルスEM(N)がゲートオン電圧VGLで発生し得る。発光期間Temの間、EMパルスEM(N)の電圧が所定のデューティー比で反転され得る。したがって、EMパルスEM(N)は、発光期間Temの少なくとも一部期間の間、ゲートオン電圧VGLで発生し得る。
EMパルスEM(N)がゲートオン電圧VGLのとき、ELVDDと発光素子OLEDとの間に電流が流れて、発光素子OLEDが発光し得る。発光期間Temの間、第N-1及び第NのスキャンパルスSCAN(N-1)、SCAN(N)は、ゲートオフ電圧VGHを維持する。発光期間Temの間、第3及び第4のスイッチ素子M3、M4は、EMパルスEM(N)のゲートオン電圧VGLに応じてターンオンされる。EMパルスEM(N)がゲートオン電圧VGLであるとき、第3及び第4のスイッチ素子M3、M4がターンオンされて、発光素子OLEDに電流が流れる。このとき、駆動素子DTのVgsは|Vgs|=ELVDD-(Vdata-|Vth|)であり、発光素子OLEDに流れる電流はK(ELVDD-Vdata)である。Kは、駆動素子DTの電荷移動度、寄生容量及びチャネル容量などにより決定される定数値である。
図9は、本発明の実施例による表示装置を示すブロック図である。
図9を参照すると、本発明の実施例による表示装置は、表示パネル100と、表示パネル100のピクセルPに入力映像のピクセルデータを書き込むための表示パネル駆動部110、120と、表示パネル駆動部を制御するためのタイミングコントローラ130と、表示パネル100の駆動に必要な電源を発生する電源部150とを含む。
表示パネル100は、画面上で入力映像を表示するピクセルアレイを含む。ピクセルアレイは、前述のように第1ピクセル領域DAと、第1ピクセル領域DAに比べて解像度又はPPIが低い第2ピクセル領域CAとに分けられる。第1ピクセル領域DAは、高解像度、高PPIのピクセルPを含んでおり、第2ピクセル領域CAに比べてその大きさが大きいため、大部分の映像情報は第1ピクセル領域DAに表示される。ピクセルアレイのサブピクセルのそれぞれは、図5ないし図7のようなピクセル回路を用いて発光素子OLEDを駆動することができる。
表示パネル100の画面上にはタッチセンサが配置され得る。タッチセンサは、オン-セルタイプ(On-cell type)又はアドオンタイプ(Add on type)で表示パネルの画面上に配置されるか、ピクセルアレイに内蔵されるイン-セルタイプ(In-cell type)のタッチセンサにより具現化され得る。
表示パネル100は、プラスチック基板、金属基板などの柔軟な基板上にピクセルPが配置されたフレキシブル表示パネルにより具現化され得る。フレキシブルディスプレイは、フレキシブル表示パネルを巻き取る、あるいは折り畳む方法により画面の大きさと形態が可変であり得る。フレキシブルディスプレイは、スライド式ディスプレイ(slidable display)、巻き取り式ディスプレイ(rollable display)、湾曲型ディスプレイ(bendable display)、折り畳み式ディスプレイ(foldable display)などを含み得る。
表示パネル駆動部は、内部補償技術及び/又は外部補償技術を適用してピクセルPを駆動することができる。
表示パネル駆動部は、入力映像のピクセルデータをサブピクセルに書き込んで、表示パネル100の画面上に入力映像を再現する。表示パネル駆動部は、データ駆動部110と、ゲート駆動部120とを含む。表示パネル駆動部は、データ駆動部110とデータラインDLとの間に配置されたデマルチプレクサ(Demultiplexer)112をさらに含み得る。
表示パネル駆動部は、タイミングコントローラ130の制御下に低速駆動モードで動作し得る。低速駆動モードは、入力映像を分析して、入力映像が予め設定された時間だけ変化がないとき、表示装置の消費電極を減らすことができる。低速駆動モードは、静止映像が一定の時間以上入力されるとき、ピクセルPのリフレッシュレート(Refresh rate)を下げることで、ピクセルPのデータ書き込みの周期を長く制御して消費電極を減らすことができる。低速駆動モードは、静止映像が入力されるときに限定されない。例えば、表示装置が待機モードで動作する、あるいはユーザコマンドや入力映像が所定の時間以上表示パネル駆動回路に入力されないとき、表示パネル駆動回路は低速駆動モードで動作し得る。
データ駆動部110は、デジタルデータである入力映像のピクセルデータをデジタル-アナログ変換器(Digital to Analog Converter、以下では「DAC」という。)を用いてガンマ補償電圧に変換して、データ電圧Vdataを発生する。データ駆動部110は、ガンマ補償電圧を出力する分圧回路を含み得る。分圧回路は、電源部150からのガンマリファレンス電圧を分圧して階調別のガンマ補償電圧を発生し、DACに提供する。DACは、ピクセルデータ又は補償データをガンマ補償電圧に変換して、データ電圧と補償電圧を出力し得る。データ駆動部110のチャネルから出力されたデータ電圧は、デマルチプレクサ112を介して表示パネル100のデータラインDLに供給され得る。
デマルチプレクサ112は、データ駆動部110のチャネルを介して出力されるデータ電圧Vdataを、複数のデータラインDLに時分割して分配する。デマルチプレクサ112によってデータ駆動部110のチャネル数が減少され得る。デマルチプレクサ112は省略し得る。この場合、データ駆動部110のチャネルは、データラインDLに直接接続される。
ゲート駆動部120は、ピクセルアレイのTFTアレイと共に表示パネル100上のベゼル(Bezel)領域BZ上に直接形成されるGIP(Gate in panel)回路により具現化され得る。ゲート駆動部120は、タイミングコントローラ130の制御下にゲート信号をゲートラインGLに出力する。ゲート駆動部120は、シフトレジスタ(Shift register)を用いてゲート信号をシフトさせることで、それらの信号をゲートラインGLに順次に供給することができる。ゲート信号の電圧は、ゲートオフ電圧VGHとゲートオン電圧VGLとの間でスイング(swing)する。ゲート信号は、図5ないし図7に示されたスキャンパルス、EMパルス、センシングパルスなどを含み得る。
ゲート駆動部120は、表示パネル100の左右側ベゼルのそれぞれに配置され、ゲートラインGLにダブルフィーディング(double feeding)方式でゲート信号を供給することができる。ダブルフィーディング方式は、両側のゲート駆動部120が同期して、一つのゲートラインの両側端からゲート信号が同時に印加され得る。他の実施例において、ゲート駆動部120は、表示パネル100の左右側ベゼルのいずれか一側に配置され、ゲートラインGLにシングルフィーディング(single feeding)方式でゲート信号を供給することができる。
ゲート駆動部120は、第1ゲート駆動部121と、第2ゲート駆動部122とを含み得る。第1ゲート駆動部121は、スキャンパルスとセンシングパルスとを出力し、シフトクロックに応じてスキャンパルスとセンシングパルスとをシフトする。第2ゲート駆動部122は、EM信号のパルスを出力し、シフトクロックに応じてEMパルスをシフトする。ベゼル(bezel)がないモデルの場合に、第1及び第2ゲート駆動部121、122を構成するスイッチ素子のうちの少なくとも一部がピクセルアレイ内に分散配置され得る。
タイミングコントローラ130は、ホストシステムから入力映像のピクセルデータと、ピクセルデータに同期されるタイミング信号とを受信する。タイミング信号は、垂直同期信号Vsync、水平同期信号Hsync、クロックCLK及びデータイネーブル信号DEなどを含む。垂直同期信号Vsyncの1周期は、1フレーム期間である。水平同期信号Hsyncとデータイネーブル信号DEの1周期は、1水平期間(1H)である。データイネーブル信号DEのパルスは、1ピクセルラインのピクセルPに書き込まれる1ラインデータに同期される。データイネーブル信号DEをカウントする方法でフレーム期間と水平期間とが分かるので、垂直同期信号Vsyncと水平同期信号Hsyncは省略することができる。
タイミングコントローラ130は、入力映像のピクセルデータをデータ駆動部120に伝送し、データ駆動部110、デマルチプレクサ112、及びゲート駆動部120を同期させる。タイミングコントローラ130は、外部補償技術が適用された表示パネル駆動部よりピクセルPから得られたセンシングデータを受信してピクセルデータを変調するデータ演算部を含み得る。この場合、タイミングコントローラ130は、データ演算部により変調されたピクセルデータをデータ駆動部110に伝送する。
タイミングコントローラ130は、入力フレーム周波数をi逓倍して入力フレーム周波数×i(iは0よりも大きい正の整数)Hzのフレーム周波数で表示パネル駆動部110、112、120の動作タイミングを制御することができる。入力フレーム周波数は、NTSC(National Television Standards Committee)方式で60Hzであり、PAL(Phase-Alternating Line)方式で50Hzである。タイミングコントローラ130は、低速駆動モードでピクセルPのリフレッシュレートを下げるために、フレーム周波数を1Hz~30Hzの間の周波数に下げることができる。
タイミングコントローラ130は、ホストシステムより受信されたタイミング信号Vsync、Hsync、DEに基づいて、データ駆動部110の動作タイミングを制御するためのデータタイミング制御信号と、デマルチプレクサ112の動作タイミングを制御するためのスイッチ制御信号と、ゲート駆動部120の動作タイミングを制御するためのゲートタイミング制御信号とを発生する。
ゲートタイミング制御信号は、スタートパルス、シフトクロックなどを含み得る。タイミングコントローラ130から出力されたゲートタイミング制御信号の電圧レベルは、図面において省略したレベルシフタ(level shifter)を介してゲートオフ電圧VGH/VEHとゲートオン電圧VGL/VELに変換されて、ゲート駆動部120に供給され得る。レベルシフタは、ゲートタイミング制御信号のローレベル電圧(low level voltage)をゲートオン電圧VGLに変換し、ゲートタイミング制御信号のハイレベル電圧(high level voltage)をゲートオフ電圧VGHに変換することができる。
電源部150は、チャージポンプ(Charge pump)、レギュレータ(Regulator)、降圧コンバータ(Buck Converter)、昇圧コンバータ(Boost Converter)、プログラマブルガンマIC(Programmable gamma IC、P-GMA IC)などを含み得る。電源部150は、ホストシステムからの直流入力電圧を調整して、表示パネル駆動部と表示パネル100の駆動に必要な電源を発生する。電源部150は、ガンマリファレンス電圧、ゲートオフ電圧VGH/VEH、ゲートオン電圧VGL/VEL、ピクセル駆動電圧ELVDD、低電位電源電圧ELVSS、初期化電圧Vini、リファレンス電圧VREFなどの直流電圧を出力することができる。プログラマブルガンマICは、レジスタ設定値(register setting)に応じてガンマリファレンス電圧を可変にし得る。ガンマリファレンス電圧は、データ駆動部110に供給される。ゲートオフ電圧VGH/VEHとゲートオン電圧VGL/VELは、レベルシフタとゲート駆動部120に供給される。ピクセル駆動電圧ELVDD、低電位電源電圧ELVSS、初期化電圧Vini、及びリファレンス電圧VREFは、電源ラインを介してピクセル回路へ共通に供給される。ピクセル駆動電圧ELVDDは、低電位電源電圧ELVSS、初期化電圧Vini、及びリファレンス電圧VREFよりも高い電圧に設定される。
ホストシステムは、テレビ(Television)システム、セットトップボックス、ナビゲーションシステム、パーソナルコンピュータ(PC)、車両システム、ホームシアターシステム、モバイル機器、ウェアラブル機器のメイン回路ボードであり得る。モバイル機器やウェアラブル機器においてタイミングコントローラ130、データ駆動部110、及び電源部150は、図10に示されたように、1つのドライブ集積回路(Drive IC)D-ICに集積され得る。図10において図面符号「200」は、ホストシステムを示す。
データ駆動部110から出力されるデータ電圧Vdataは、図11及び図12に示されたように、最小階調電圧Vと最大階調電圧V255との間のデータ電圧範囲内で、ピクセルデータの階調に対応するガンマ補償電圧に決定される。最小階調電圧Vは階調値0(ゼロ)に対するブラック階調電圧であり、最大階調電圧V255は階調値255に対応するホワイト階調電圧である。データ駆動部110は、データ電圧範囲よりも大きい出力電圧範囲を持つ。したがって、データ駆動部110は、光学補償や駆動素子DTや発光素子OLEDの劣化を補償すべく、電圧マージンVm内でデータ電圧Vdataを調整することができる。pチャネルトランジスタで具現化された駆動素子DTのゲート電極に印加されるデータ電圧のうちで高階調電圧は、図11及び図12に示されたように、低階調電圧よりも低い電圧に設定される。nチャネルトランジスタで具現化された駆動素子DTのゲート電極に印加されるデータ電圧のうちで高階調電圧は、低階調電圧よりも高い電圧に設定される。
第2ピクセル領域CAのPPIは、第1ピクセル領域DAに比べてPPIが低い。このため、同一の階調で第2ピクセル領域CAのピクセルPに印加されるデータ電圧Vdataが第1ピクセル領域DAのピクセルPに印加されるデータ電圧Vdataと同じであれば、図11に示されたように、第2ピクセル領域CAの輝度L2が第1ピクセル領域DAの輝度L1よりも低くなり得る。これによって、第1ピクセル領域DAと第2ピクセル領域CAとの輝度差がもたらされて、表示装置の画面上で領域別に輝度差が視認され得る。
図12において、「Vrange(D-IC Out)」は、データ駆動部110から出力される最小電圧と最大電圧との間の出力電圧範囲である。ピクセルP間の輝度偏差を補償するための光学補償と、駆動時間の経過によるトランジスタのしきい値電圧シフトを補償するために、データ駆動部110の電圧範囲内で電圧マージンVmが確保され得る。
第1ピクセル領域DAと第2ピクセル領域CAとの間の輝度差を補償するために、高輝度で第2ピクセル領域CAのピクセルPに印加されるデータ電圧Vdataを、第1ピクセル領域DAのピクセルPに印加されるデータ電圧Vdataよりも大きい電圧(図12においてより低い電圧)に設定することができる。図12に示されたように、第2ピクセル領域CAのピクセルPに印加されるデータ電圧範囲が、Vdata+Vdata’に拡張されると、その分だけ出力電圧範囲Vrange(D-IC Out)内で電圧マージンVmが減少されて、光学補償のための電圧の確保が難しく、駆動時間の経過によるトランジスタの劣化に対応できない。
データ電圧Vdataは、ガンマ補償電圧に応じて決定される。したがって、データ電圧範囲を拡張すべく、データ駆動部110の出力電圧範囲内でプログラマブルガンマICの出力電圧を高めなければならない。
本発明は、サブピクセルのそれぞれにおいて駆動素子DTをダブルゲート構造で具現化し、第2ピクセル領域の駆動素子DTの第2ゲート電極へ補償電圧Vdata’を印加する。補償電圧Vdata’は、制限されたデータ電圧Vdataだけではピクセルの輝度をさらに高めることができないため、駆動素子DTを通じて流れる電流量を増加させて、ピクセルの輝度をより一層向上させることができる。したがって、本発明は、補償電圧Vdata’を第2ピクセル領域CAに配置された駆動素子の第2ゲート電極に印加することで、データ駆動部110のデータ電圧範囲を拡張することなく、第1ピクセル領域DAと第2ピクセル領域CAとの輝度差を補償して、画面全体で均一な輝度を実現することができる。
本発明は、補償電圧Vdata’を出力して第2ピクセル領域CAの輝度を補償する輝度補償部を含む。電源部150又はデータ駆動部110は、輝度補償部を含み得る。
図13は、本発明の第1実施例によるダブルゲート構造の駆動素子を示す回路図である。図14は、第1ピクセル領域DAに配置された第1駆動素子DT1の断面構造を示す断面図である。図15は、第2ピクセル領域CAに配置された第2駆動素子DT2の断面構造を示す断面図である。第1ピクセル領域DAのサブピクセルのそれぞれは、図13及び図14に示された第1駆動素子DT1を含み得る。第2ピクセル領域CAのサブピクセルのそれぞれは、図13及び図15に示された第2駆動素子DT2を含み得る。
図13ないし図15を参照すると、第1及び第2ピクセル領域DA、CAの駆動素子DT1、DT2は、第1及び第2ゲート電極を有するダブルゲート構造を持つトランジスタで具現化され得る。
第1ピクセル領域DAに配置された第1駆動素子DT1は、データ電圧Vdataが印加される第1ゲート電極GE1と、ピクセル駆動電圧ELVDDのような直流電圧が印加される第2ゲート電極GE2とを含む。第2ゲート電極GE2は、図14に示されたように、第1駆動素子DT1の下に配置され、半導体チャネルACT及び絶縁層BUF、GIを挟んで第1ゲート電極GE1と重畳される。第2ゲート電極GE2は、第1駆動素子DT1の半導体チャネルACTに光が照射されないように外部光を遮断する光シールド層の役割を兼ねる。また、第1駆動素子DT1の第2ゲート電極GE2は、ピクセル駆動電圧ELVDDのような直流電圧が印加され、駆動素子DTの半導体チャネルACTに影響を与えるイオンを遮蔽して、駆動素子DTのしきい値電圧Vthの変動を抑制する。
図14を参照すると、第1駆動素子DT1は、基板SUBS上に配置された第2ゲート電極GE2と、バッファ層BUF上に形成された半導体チャネルACTと、半導体チャネルACTのソース領域に接続された第1電極SE、及び半導体チャネルACTのドレイン領域に接続された第2電極DEと、ゲート絶縁層GI上で半導体チャネルACT及び第2ゲート電極GE2と重畳する第1ゲート電極GE1と、を含む。バッファ層BUFは、第2ゲート電極GE2を覆うように、基板SUBS上に配置される絶縁層である。ゲート絶縁層GIは、半導体チャネルACTと第1及び第2電極SE、DEを覆うように、バッファ層BUF上に配置される絶縁層である。
電源ラインPLがバッファ層BUF上に配置され得る。ピクセル駆動電圧ELVDDのような直流電圧が電源ラインPLに印加され得る。電源ラインPLは、バッファ層BUFを貫通する第1コンタクトホールCH1を介して、第1駆動素子DT1の第2ゲート電極GE2に印加され得る。
データ電圧Vdataは、図5及び図6に示されたピクセル回路から、第1のスイッチ素子M01を介して、駆動素子DT1、DT2の第1ゲート電極GE1に印加される。図7に示されたピクセル回路の場合、データ電圧Vdataは、第2のスイッチ素子M2、駆動素子DT1、DT2の第1及び第2電極、及び第1のスイッチ素子M1を介して、駆動素子DT1、DT2の第1ゲート電極GE1に印加される。
第2ピクセル領域CAに配置された第2駆動素子DT2は、データ電圧Vdataが印加される第1ゲート電極GE1と、補償電圧Vdata’が印加される第2ゲート電極GE2とを含む。補償電圧Vdata’は、第2駆動素子DT2の半導体チャネルACTに流れるキャリア移動度を高めて発光素子OLEDの明るさを高めることで、第2ピクセル領域CAの輝度を高める。補償電圧Vdata’は、第2ピクセル領域CAの輝度を高めるための電圧に選択された特定の電圧であるか、第2ピクセル領域CAの輝度特性又はピクセルデータの階調に応じて可変される電圧であり得る。
補償電圧Vdata’は、入力映像の輝度特性と階調分布特性とに応じて可変であり得る。例えば、タイミングコントローラ130は、入力映像の分析結果に基づいて、第2ピクセル領域CAに表示される映像の平均輝度が高いほど、輝度補償部を制御して補償電圧Vdata’の階調値を高めて、ピクセルの輝度をさらに高めることができ、第2映像の平均輝度が低いほど、補償電圧Vdata’の階調値を下げることができる。また、タイミングコントローラ130は、第2ピクセル領域CAに表示されるピクセルデータの階調分布で高階調値のピクセルデータが多いほど、輝度補償部を制御して補償電圧Vdata’の階調値を高める一方、低階調値のピクセルデータが多いほど、補償電圧Vdata’の階調値を下げることができる。
補償電圧Vdata’は、電源部150のプログラマブルガンマICから出力される電圧より選択された特定の電圧であり得る。この場合、補償電圧Vdata’は、データ駆動部110の出力電圧範囲Vrange(D-IC Out)やデータ電圧範囲とは独立した電圧に設定され得る。
補償電圧Vdata’は、データ駆動部110から出力され得る。この場合、補償電圧Vdata’は、データ駆動部110の出力電圧範囲Vrange(D-IC Out)内で設定されたデータ電圧範囲よりも小さい電圧範囲を有し得る。例えば、データ電圧Vdataが0V~5Vの間のデータ電圧範囲を有するとき、補償電圧Vdata’の電圧範囲は0V~3Vの間の電圧に設定され得る。
タイミングコントローラ130は、入力映像の輝度特性や第2ピクセル領域CAのピクセルの階調特性を分析した結果に基づいて選択された階調値で補償データを発生し得る。データ駆動部110は、デジタルデータにて受信される補償データをガンマ補償電圧に変換して、補償電圧Vdata’を出力し得る。この場合、補償電圧Vdata’は、入力映像の輝度特性及び/又は階調分布特性に応じて変更され得る。
第2駆動素子DT2において、第2ゲート電極GE2は、図15に示されたように、第2駆動素子DT2の下に配置され、半導体チャネルACT及び絶縁層BUF、GIを挟んで第1ゲート電極GE1と重畳される。第2ゲート電極GE2は、第2駆動素子DT2のキャリア移動度を高めて第2ピクセル領域CAの輝度を高め、第2駆動素子DT2の半導体チャネルACTに光が照射されないように外部光を遮断する光シールド層の役割を兼ねる。
図15を参照すると、第2駆動素子DT2は、基板SUBS上に配置された第2ゲート電極GE2と、バッファ層BUF上に形成された半導体チャネルACTと、半導体チャネルACTのソース領域に接続された第1電極SE、及び半導体チャネルACTのドレイン領域に接続された第2電極DEと、ゲート絶縁層GI上で半導体チャネルACT及び第2ゲート電極GE2と重畳する第1ゲート電極GE1と、を含む。
電源ラインPLは、バッファ層BUF上に配置され得る。補償電圧Vdata’が印加される補助データラインDL’は、バッファ層BUF上に配置され得る。補助データラインDL’は、バッファ層BUFを貫通する第2コンタクトホールCH2を介して、第2駆動素子DT2の第2ゲート電極GE2に接続され得る。
図13ないし図15に示された駆動素子DT1、DT2は、図5ないし図7に示されたピクセル回路に適用され得る。図16は、図7に示されたピクセル回路に、図13に示された第1駆動素子が適用された例を示す回路図である。図17は、図7に示されたピクセル回路に、図13に示された第2駆動素子が適用された例を示す回路図である。
第1ピクセル領域DAのサブピクセルPix1~Pixnにおいて、図16に示されたように、駆動素子DT1の第2ゲート電極へピクセル駆動電圧ELVDDが印加され得る。ピクセル駆動電圧ELVDDは、電源ラインPLを介して第1ピクセル領域DAの全ての駆動素子DT1に共通に印加され得る。
第2ピクセル領域CAのサブピクセルPix1~Pixmにおいて、図17に示されたように、駆動素子DT2の第2ゲート電極へ補償電圧Vdata’が印加され得る。 補償電圧Vdata’は、補助データラインラインDL’を介して、第2ピクセル領域CAの全ての駆動素子DT2に共通に印加され得る。
図16の例において、第1駆動素子DT1が電源ラインPLに共通に接続され、第1駆動素子DT1の第2ゲート電極GE2がグループ化されて、同じ直流電圧を印加される。図17の例において、第2駆動素子DT2が補助データラインDL’に共通に接続され、第2駆動素子DT2の第2ゲート電極GE2がグループ化されて、同じ電圧を印加される。本発明は、図16及び図17に示されたように、領域別に駆動素子の第2ゲート電極がグループ化されているが、これに限定されない。例えば、第2ピクセル領域CAにおいて、補助データラインDL’は2つ以上に分離され得、サブピクセルの色別に分離され得る。
図18は、本発明の第2実施例による駆動素子のダブルゲート構造を概略的に示す回路図である。図19は、図18に示された第2駆動素子DT2とスイッチ素子MSの断面構造を示す断面図である。図18及び図19において、前述の実施例と実質的に同一の構成要素に対しては同一の図面符号を付して、それについての詳細な説明を省略する。
図18及び図19を参照すると、ピクセル駆動電圧ELVDDのような直流電圧は、第1コンタクトホールCH1を介して第1駆動素子DT1の第2ゲート電極GE2に印加され得る。
データ電圧Vdataは、図5及び図6に示されたピクセル回路から、第1のスイッチ素子M01を介して駆動素子DT1、DT2の第1ゲート電極GE1に印加される。図7に示されたピクセル回路の場合、データ電圧Vdataは第2のスイッチ素子M2、駆動素子DT1、DT2の第1及び第2電極、及び第1のスイッチ素子M1を介して、駆動素子DT1、DT2の第1ゲート電極GE1に印加される。
第2ピクセル領域CAのサブピクセルのそれぞれは、第2駆動素子DT2の第2ゲート電極GE2に印加される補償電圧Vdata’を切り替えるスイッチ素子MSをさらに含む。スイッチ素子MSは、選択信号SELのパルスに応答してターンオンされる。スイッチ素子MSがターンオンされるとき、データラインDLが第2駆動素子DT2の第2ゲート電極GE2に接続されて、第2ゲート電極GE2へ補償電圧Vdataが印加される。ゲート駆動部120は、タイミングコントローラ130の制御下に選択信号SELのパルスを出力して、スイッチ素子MSのゲート電極が接続されたゲートラインに選択信号SELを供給することができる。
図18及び図19の例においては、スイッチ素子MSはデータラインDLに接続されて、データ電圧Vdataを補償電圧Vdata’として第2駆動素子DT2の第2ゲート電極GE2に印加しているが、本発明はこれに限定されない。例えば、スイッチ素子MSは、電源部150又はデータ駆動部110から補償電圧Vdata’が印加される補助データラインDL’に接続され、この補助データラインDL’からの補償電圧Vdata’を第2駆動素子DT2の第2ゲート電極GE2に印加することができる。したがって、補償電圧Vdata’は、データ電圧Vdataと同じであるか、特定の電圧又は可変な電圧であり得る。
図19を参照すると、第2駆動素子DT2は、基板SUBS上に配置された第2ゲート電極GE2と、バッファ層BUF上に形成された半導体チャネルACTと、半導体チャネルACTのソース領域に接続された第1電極SE、及び半導体チャネルACTのドレイン領域に接続された第2電極DEと、第1ゲート絶縁層GI1上で半導体チャネルACT及び第2ゲート電極GE2と重畳する第1ゲート電極GE1と、を含む。バッファ層BUFは、第2ゲート電極GE2を覆うように、基板SUBS上に配置される絶縁層である。第1ゲート絶縁層GI1は、半導体チャネルACTと第1及び第2電極SE、DEを覆うように、バッファ層BUF上に配置される絶縁層である。
スイッチ素子MSは、第1ゲート絶縁層GI1上に配置された半導体チャネルACTと、半導体チャネルACTのソース領域に接続された第1電極SE、及び半導体チャネルACTのドレイン領域に接続された第2電極DEと、第2ゲート絶縁層GI2上で半導体チャネルACTと重畳するゲート電極GEと、を含む。第2ゲート絶縁層GI2は、駆動素子DT2の第1ゲート電極GE1と、スイッチ素子MSの半導体チャネルACT並びに、第1及び第2電極SE、DEを覆うように、第1ゲート絶縁層GI1上に配置される絶縁層である。
データラインDLは、第2ゲート絶縁層GI2を貫通する第3コンタクトホールCH3を介してスイッチ素子MSの第2電極DEに接続され得る。スイッチ素子MSの第1電極SEは、第2ゲート絶縁層GI2を貫通する第4コンタクトホールCH4を介して補助データラインDL’に接続される。補助データラインDL’は、バッファ層BUFを貫通する第5コンタクトホールCH5を介して駆動素子DT2の第2ゲート電極GE2に接続される。
データ電圧Vdataは、図5及び図6に示されたピクセル回路から、第1のスイッチ素子M01を介して駆動素子DT1、DT2の第1ゲート電極GE1に印加される。図7に示されたピクセル回路の場合、データ電圧Vdataは、第2のスイッチ素子M2、駆動素子DT1、DT2の第1及び第2電極、及び第1のスイッチ素子M1を介して、駆動素子DT1、DT2の第1ゲート電極GE1に印加される。
図18及び図19に示された駆動素子DT1、DT2は、図5ないし図7に示されたピクセル回路に適用され得る。図20は、図7に示されたピクセル回路に、図18に示された第2駆動素子DT2が適用された例を示す回路図である。
ピクセル駆動電圧ELVDDのような直流電圧が、図16に示されたように、第1ピクセル領域DAのサブピクセルPix1~Pixnに配置された駆動素子DT1の第2ゲート電極に印加され得る。
第2ピクセル領域CAのサブピクセルPix1~Pixmにおいて、図20に示されたように、駆動素子DT2の第2ゲート電極へ、第7のスイッチ素子M7を介して補償電圧Vdata’が印加され得る。第7のスイッチ素子M7は、選択信号SELが印加されるゲートラインに接続されたゲート電極、データラインDLに接続された第1電極、及び駆動素子DT2の第2ゲート電極GE2に接続された第2電極を含む。
図21は、表示パネル100上で電源ラインPLと補助データラインDL’を示す平面図である。
図21を参照すると、表示装置は、複数のドライブIC(S-IC)を含み得る。ドライブIC(S-IC)のそれぞれにデータ駆動部110が集積され得る。ドライブIC(S-IC)は、COF(Chip on Film)又はCOG(Chip on Glass)型で表示パネル100に接着され得る。図21において、「GIP」はゲート駆動部120を含む回路領域である。
ドライブIC(S-IC)において、第1ピクセル領域のデータラインに接続されたチャネルと、第2ピクセル領域のデータラインに接続されたチャネルとは、データ電圧Vdataを出力する。第2ピクセル領域CAのサブピクセルに印加される別途の補償電圧Vdata’によって第2ピクセル領域CAの輝度が上昇するため、ドライブIC(S-IC)の第2ピクセル領域のチャネル電圧を高める必要がない。その結果、ドライブIC(S-IC)のチャネルは、図25に示されたように、領域の区分なしにその出力電圧範囲Vrangeが実質的に同一に設定されて、全てのチャネルで十分な電圧マージンVmを確保することができる。
電源ラインPLは、第1及び第2ピクセル領域DA、CAの全てのサブピクセルに接続されて、ピクセル駆動電圧ELVDDをピクセル回路に供給する。電源ラインPLは、図14に示された第1コンタクトホールCH1を介して、第1ピクセル領域DAに配置された第1駆動素子DT1の第2ゲート電極GE2に接続される。電源ラインPLは、第2ピクセル領域CAに配置されたピクセル回路へ、図5ないし図7に示されたように第2駆動素子DT2の第1電極に印加され得る。
補助データラインDL’は、第2ピクセル領域CAのサブピクセルに接続される。補助データラインDL’は、第1ピクセル領域DAのサブピクセルから分離される。補助データラインDL’は、第2ピクセル領域CA内において全てのサブピクセルに共通に接続され得る。補助データラインDL’は、電源部150又はドライブIC(S-IC)のチャネルから入力された補償電圧Vdata’を、第2ピクセル領域CAのサブピクセルに印加する。補助データラインDL’は、図15に示された第2コンタクトホールCH2を介して、第2駆動素子DT2の第2ゲート電極GE2に接続されるか、図19に示されたスイッチ素子MSとコンタクトホールドルCH3、CH4を介して、第2駆動素子DT2の第2ゲート電極GE2に接続される。
発光素子OLEDは、発光効率が色別に異なり得る。これによって、サブピクセルの色別にデータ電圧Vdataが最適化される。図22及び図23は、このようなサブピクセルの色別の発光効率とデータ電圧を考慮して、第2ピクセル領域CAの駆動素子DT2に印加される電圧を色別に分離した実施例を示す。
図22は、第2ピクセル領域CAに配置されたサブピクセルの色別に最適化された補償電圧が異なるように印加される例を示す回路図である。図23は、データ駆動部の出力電圧範囲と色別の補償電圧を示す図である。
図22及び図23を参照すると、第1補助データラインDLRは、RサブピクセルSPRに接続されて、RサブピクセルSPRの輝度を向上させるための補償電圧+VRを、RサブピクセルSPRに印加する。補償電圧+VRは、RサブピクセルSPRに配置された第2駆動素子DT2の第2ゲート電極GE2に印加される。第2補助データラインDLGは、GサブピクセルSPGに接続されて、GサブピクセルSPGの輝度を向上させるための補償電圧+VGを、GサブピクセルSPGに印加する。補償電圧+VGは、GサブピクセルSPGに配置された第2駆動素子DT2の第2ゲート電極GE2に印加される。第3補助データラインDLBは、BサブピクセルSPBに接続されて、BサブピクセルSPBの輝度を向上させるための補償電圧+VBを、BサブピクセルSPBに印加する。補償電圧+VBは、BサブピクセルSPBに配置された第2駆動素子DT2の第2ゲート電極GE2に印加される。
色別の発光効率と色味差の問題を考慮して、図23に示されたように、RGBサブピクセルのうちでGサブピクセルSPGに印加されるデータ電圧VdataGが最も小さく、BサブピクセルSPBに印加されるデータ電圧VdataBが最も大きく設定される。補償電圧Vdata’が、同一の高階調においてRGBサブピクセルに同一の電圧で印加されると、発光効率が最も高いGサブピクセルSPGの輝度が高くなり、画面で再現された映像から緑味(Greenish)が視認され得る。したがって、補償電圧+VR、+VG、+VBは、色別に異なる電圧に設定され得る。例えば、図23に示されたように、BサブピクセルSPBに印加される補償電圧+VBが、R及びGサブピクセルSPR、SPGに印加される補償電圧+VR、+VGよりも大きい電圧に設定され得る。GサブピクセルSPGに印加される補償電圧+VGは、R及びBサブピクセルSPR、SPBに印加される補償電圧+VR、+VBよりも小さい電圧に設定され得る。
図24は、表示パネル100上で電源ラインPLと色別に分離された補助データラインDLR、DLG、DLBを示す平面図である。図24において、図21に示された実施例と実質的に同一の構成要素に対しては同一の図面符号を付して、それについての詳細な説明を省略する。
図24を参照すると、第1補助データラインDLRは、第2ピクセル領域CAのRサブピクセルSPRに接続される。第2補助データラインDLGは、第2ピクセル領域CAのGサブピクセルSPGに接続される。第3補助データラインDLBは、第2ピクセル領域CAのBサブピクセルSPBに接続される。補助データラインDLR、DLG、DLBは、第1ピクセル領域DAのサブピクセルから分離される。
本発明のデータ駆動部110は、データ電圧Vdataを第1ピクセル領域DAのデータラインDLに出力する複数の第1チャネルと、データ電圧を第2ピクセル領域CAのデータラインDLに出力する複数の第2チャネルとを含む。第1及び第2チャネルの出力電圧範囲Vrangeは同一に設定される。データ駆動部110の第1及び第2チャネルから出力されるデータ電圧範囲Vdata(DA)、Vdata(CA)は、図25に示されたように、出力電圧範囲Vrange内で同一に設定される。第1及び第2チャネルの出力電圧範囲Vrangeは、データ電圧範囲Vdata(DA)、Vdata(CA)よりも大きい電圧マージンVmと、データ電圧範囲Vdata(DA)、Vdata(CA)よりも小さい電圧マージンVmとを含む。第1及び第2チャネルの電圧マージンVmは、実質的に同一である。
図25は、電圧マージンVmが確保されたデータ駆動部110の出力電圧範囲Vrangeと、表示パネル100に印加される補償電圧Vdata’を用いた第2ピクセル領域CAの輝度向上効果を示す図である。
図25を参照すると、データ駆動部110の出力電圧範囲Vrangeは、第1及び第2ピクセル領域DA、CAのサブピクセルに印加されるデータ電圧Vdata(DA)、Vdata(CA)と、電圧マージンVmとを含む。第1及び第2ピクセル領域DA、CAのピクセルに印加されるデータ電圧範囲は、実質的に同一に設定される。図25において、「Vdata(DA)」は、第1ピクセル領域DAのサブピクセルに印加されるデータ電圧である。「Vdata(CA)」は、第2ピクセル領域CAのサブピクセルに印加されるデータ電圧である。
電圧マージンVmは、光学補償電圧、駆動時間の経過による駆動素子DT1、DT2の劣化によるしきい値電圧Vthのシフトを補償する電圧として利用され得る。十分に確保された電圧マージンVmは、高い解像力でサブピクセルの輝度偏差を光学補償することができるので、光学補償の精度を向上させることができ、経時変化による画質補償のためのデータ電圧の可変範囲を確保することができる。
本発明は、第2駆動素子DT2の第2ゲート電極に印加される補償電圧Vdata’を用いて、データ駆動部110の出力電圧範囲Vrangeで電圧マージンVmを減らすことなく、第2ピクセル領域CAの輝度を向上させることができる。補償電圧Vdata’は、データ駆動部110とは独立した電源部150から出力されるか、データ電圧範囲内で特定の電圧又は可変な電圧で発生される。
図26は、補償電圧がデータ駆動部へ独立した経路に沿って伝送される例を示す図である。
図26を参照すると、データ駆動部110のチャネルのそれぞれは、ピクセルデータDATAをガンマ補償電圧GMAに変換して、データ電圧Vdataを出力するDACと、DACの出力ノードに接続されて、データ電圧VdataをデータラインDLに供給する出力バッファAMPとを含む。データ駆動部110の出力電圧範囲Vrangeとデータ電圧Vdataは、図25の通りである。
補償電圧Vdata’は、データ駆動部110に独立した電源部150から発生されて、表示パネル100の第2ピクセル領域に配置されたサブピクセルへ印加され得る。補償電圧Vdata’は、第2ピクセル領域CAの補助データラインDL’に供給される。この補償電圧Vdata’は、サブピクセルの色別に最適化された電圧に設定されて、色別に分離された補助データラインを介して第2ピクセル領域CAのサブピクセルに印加され得る。
図27及び図28は、補償電圧がデータ駆動部のチャネルから出力される例を示す図である。
図27を参照すると、データ駆動部110のチャネルのそれぞれは、ピクセルデータDATAをガンマ補償電圧GMAに変換して、データ電圧Vdataを出力するDACと、DACの出力ノードに接続されて、データ電圧VdataをデータラインDLに供給する出力バッファAMPとを含む。データ駆動部110の出力電圧範囲Vrangeとデータ電圧Vdataは、図25の通りである。
データ駆動部110の一部チャネルは、タイミングコントローラ130からの補償データを補償電圧Vdata’に変換して出力することができる。このチャネルの出力電圧範囲Vrangeとデータ電圧範囲は、ピクセルデータDATAのデータ電圧Vdataを出力する他のチャネルと同一である。
データ駆動部110のチャネルから出力される補償電圧Vdata’は、第2ピクセル領域CAの補助データラインDL’に供給される。この補償電圧Vdata’は、サブピクセルの色別に最適化された電圧に設定され、色別に分離された補助データラインを介して第2ピクセル領域CAのサブピクセルに印加され得る。
図28を参照すると、デマルチプレクサ112は、データ駆動部110のチャネルとデータラインDL、DL’との間に接続されて、データ駆動部110のチャネル数を減らすことができる。この実施例において、データ駆動部110は、チャネル数を増加することなく、データ電圧Vdataと共に補償電圧Vdata’を出力することができる。データ駆動部110の出力電圧範囲Vrangeとデータ電圧Vdataは、図25の通りである。
デマルチプレクサ112の一例として、1:2デマルチプレクサDEMUXが利用され得る。デマルチプレクサ112は、第1ピクセル領域DAのデータラインDLに接続された第1の1:2デマルチプレクサと、第2ピクセル領域CAのデータラインDLと補助データラインDL’に接続された第2の1:2デマルチプレクサとを含む。これらのデマルチプレクサは、タイミングコントローラ130の制御下に交互にオン/オフされる第1及び第2のスイッチ素子S1、S2を含む。第1のスイッチ素子S1が第1制御信号DEMUX1に応答してターンオンされるとき、第2のスイッチ素子S2はターンオフされる。次いで、第2のスイッチ素子S2が第2制御信号DEMUX2に応答してターンオンされるとき、第1のスイッチ素子S1はターンオフされる。
第1の1:2デマルチプレクサは、データ駆動部110の一つのチャネルを2本のデータラインDLに交互に接続する。第1の1:2デマルチプレクサは、データ駆動部110の一つのチャネルから出力されるデータ電圧Vdataを、第1及び第2のスイッチ素子S1、S2を介して第1ピクセル領域DAの2本のデータラインに時分割分配する。
第2の1:2デマルチプレクサは、データ駆動部110の一つのチャネルを1本のデータラインDLと1本の補助データラインDL’に交互に接続する。第2の1:2デマルチプレクサは、データ駆動部110の1つのチャネルから出力されるデータ電圧Vdataを、第1のスイッチ素子S1を介して第2ピクセル領域CAの第1データラインDLに供給し、第2のスイッチ素子S2を介して第2ピクセル領域CAの補助データラインDL’に供給する。
第2ピクセル領域CAの輝度が低い、又は第2ピクセル領域のピクセルに書き込まれたピクセルデータの階調分布において高階調のピクセルが少ないと、第1ピクセル領域DAと第2ピクセル領域CAとの輝度差がほとんど無いため、領域間の輝度差が視認されないこともある。したがって、本発明は、低輝度の映像又は第2ピクセル領域で高階調のピクセルが少ないとき、第2ピクセル領域CAの輝度を補償せずに、第2ピクセル領域CAに配置された駆動素子DT2に補償電圧Vdata’を印加しない。このとき、第2ピクセル領域CAのピクセルは、補償電圧Vdata’無しにデータ電圧Vdataで駆動される。図29ないし図32の輝度補償方法は、タイミングコントローラ130のデータ演算部又はホストシステム200により制御され得る。
図29は、本発明の第1実施例によって画面の輝度補償方法を示す手順図である。
図29を参照すると、タイミングコントローラ130は、入力映像のピクセルデータをメモリに格納する。タイミングコントローラ130は、毎フレーム期間ごとに1フレーム分量のピクセルデータ(以下、「1フレームデータ」という。)を分析して、入力映像の輝度特性を分析する(S291)。1フレームデータは、画面内の全ピクセルに書き込まれたピクセルデータを含む。したがって、1フレームデータは、画面の第1及び第2ピクセル領域DA、CAのピクセルデータを含む。
タイミングコントローラ130は、1フレームのピクセルデータに対するヒストグラム(histogram)を計算して、階調別の累積分布を確認することができる。ヒストグラムは、ピクセルデータの階調別の累積分布関数である。タイミングコントローラ130は、ヒストグラムに基づいて平均画像レベル(Average Picture level、以下では「APL」という。)を算出して、第1及び第2ピクセル領域DA、CAのそれぞれの平均輝度を判断する。
タイミングコントローラ130は、第1ピクセル領域DAの平均輝度を予め設定された第1しきい値と比較し、第2ピクセル領域CAの平均輝度を予め設定された第2しきい値と比較する(S292、S293)。第1及び第2しきい値は、画質実験の結果に基づいて設定されることができ、これらのしきい値は同じ又は異なる値であり得る。
タイミングコントローラ130は、第1ピクセル領域DAの平均輝度が第1しきい値よりも大きく、第2ピクセル領域CAの平均輝度が第2しきい値よりも大きいとき、第1及び第2ピクセル領域DA、CA間の輝度差が視認されないように、第2ピクセル領域CAの輝度を向上させて第2ピクセル領域CAの輝度を補償する(S292、S293及びS294)。このとき、画面に再現される映像は、高輝度の明るい映像である。第2ピクセル領域CAの輝度は、前述の実施例と同様に、第2ピクセル領域CAに配置された駆動素子DT2の第2ゲート電極GE2へ補償電圧Vdata’を印加する方法で補償され得る。電源部150又はデータ駆動部110は、タイミングコントローラ130の制御下に補償電圧Vdata’を出力する。
タイミングコントローラ130は、第1ピクセル領域DAの平均輝度が第1しきい値以下であるか、第2ピクセル領域CAの平均輝度が第2しきい値以下であるとき、第2ピクセル領域CAの輝度を補償しない(S295)。このとき、画面に再現される映像は、高輝度の映像に比べて相対的に暗い低輝度の映像である。S295の段階において、電源部150又はデータ駆動部110は、タイミングコントローラ130の制御下に補償電圧Vdata’を出力しない。したがって、S295の段階において、第2ピクセル領域CAに配置された駆動素子DT2の第2ゲート電極GE2には、補償電圧Vdata’が印加されないので、フローティング(floating)され得る。
図30は、本発明の第2実施例によって画面の輝度補償方法を示す手順図である。この実施例は、平均輝度を計算するためのデータ演算量を減らすことができる。
図30を参照すると、タイミングコントローラ130は、毎フレーム期間ごとに第2ピクセル領域CAに書き込まれるピクセルデータに対するAPLを計算した結果に基づいて、第2ピクセル領域映像の輝度特性を分析する(S301)。
タイミングコントローラ130は、第2ピクセル領域CAの平均輝度を、予め設定されたしきい値と比較する(S302)。タイミングコントローラ130は、第2ピクセル領域CAの平均輝度がしきい値よりも大きいとき、第2ピクセル領域CAの輝度を向上させて第2ピクセル領域CAの輝度を補償する(S302及びS303)。このとき、第2ピクセル領域CAに再現される映像は、高輝度の明るい映像である。第2ピクセル領域CAの輝度は、前述の実施例と同様に、第2ピクセル領域CAに配置された駆動素子DT2の第2ゲート電極GE2へ補償電圧Vdata’を印加する方法で補償され得る。電源部150又はデータ駆動部110は、タイミングコントローラ130の制御下に補償電圧Vdata’を出力する。
タイミングコントローラ130は、第2ピクセル領域CAの平均輝度がしきい値以下であるとき、第2ピクセル領域CAの輝度を補償しない(S304)。このとき、第2ピクセル領域CAに再現される映像は、高輝度の映像に比べて相対的に暗い低輝度の映像である。S304の段階において、電源部150又はデータ駆動部110は、タイミングコントローラ130の制御下に補償電圧Vdata’を出力しない。したがって、S304の段階において、第2ピクセル領域CAに配置された駆動素子DT2の第2ゲート電極GE2には補償電圧Vdata’が印加されないので、フローティング(floating)され得る。
図31は、本発明の第3実施例によって画面の輝度補償方法を示す手順図である。
図31を参照すると、タイミングコントローラ130は、毎フレーム期間ごとに1フレームデータに対するAPLを計算した結果に基づいて、入力映像の輝度特性を分析する(S311)。
タイミングコントローラ130は、第1ピクセル領域DAの平均輝度を第1しきい値と比較し、第2ピクセル領域CAの平均輝度を第2しきい値と比較する(S312、S313)。
タイミングコントローラ130は、第1ピクセル領域DAの平均輝度が第1しきい値よりも大きく、第2ピクセル領域CAの平均輝度が第2しきい値よりも大きいとき、ヒストグラムの計算結果を用いて第2ピクセル領域CAの階調分布を分析する(S314)。タイミングコントローラ130は、第2ピクセル領域CAの階調別の累積ピクセル数を計算して、第2ピクセル領域CAに書き込まれるピクセルデータの階調分布特性を判断することができる。
タイミングコントローラ130は、第2ピクセル領域CAに書き込まれるピクセルデータのうちで所定の基準値以上の高階調のピクセルの数を、予め設定された第3しきい値と比較して、第2ピクセル領域CAの支配的な階調が高階調であるか否かを判断することができる。タイミングコントローラ130は、基準値以上の高階調のピクセルの数が第3しきい値よりも多い場合、すなわち、第2ピクセル領域の階調分布特性からみるとき、高階調が支配的であると判断されると、第2ピクセル領域CAの輝度を向上させて第2ピクセル領域CAの輝度を補償する(S315及びS316)。このとき、第2ピクセル領域CAに再現される映像は、図33の(c)に示されたヒストグラムの一例のように、高輝度のピクセルが多い映像である。第2ピクセル領域CAの輝度は、前述の実施例と同様に、第2ピクセル領域CAに配置された駆動素子DT2の第2ゲート電極GE2へ補償電圧Vdata’を印加する方法で補償され得る。
タイミングコントローラ130は、第1ピクセル領域DAの平均輝度が第1しきい値以下であるか、第2ピクセル領域CAの平均輝度が第2しきい値以下であるとき、第2ピクセル領域CAの輝度を補償しない(S317)。また、第2ピクセル領域CAの平均輝度が高くても、高階調のピクセルデータが少ないと、第2ピクセル領域CAの輝度が補償されない(S317)。
図32は、本発明の第4実施例によって画面の輝度補償方法を示す手順図である。この実施例は、入力映像の輝度特性を分析せずに、第2ピクセル領域CAのピクセルに書き込まれるピクセルデータの階調分布特性に基づいて、第2ピクセル領域CAの輝度を補償するか否かを決定する。
図32を参照すると、タイミングコントローラ130は、毎フレーム期間ごとに第2ピクセル領域CAに書き込まれるピクセルデータに対するヒストグラムの計算結果を用いて、第2ピクセル領域CAの階調分布を分析する(S321)。
タイミングコントローラ130は、図33の(c)に示されたように、第2ピクセル領域CAのピクセルに書き込まれるピクセルデータのうちで高階調のピクセルデータが第3しきい値よりも多いと、第2ピクセル領域CAの輝度を向上させて第2ピクセル領域CAの輝度を補償する(S322及びS323)。一方で、タイミングコントローラ130は、第2ピクセル領域CAのピクセルに書き込まれるピクセルデータのうちで高階調のピクセルデータが第3しきい値以下に少ないと、第2ピクセル領域CAの輝度を補償しない(S317)。また、第2映像(CA)の平均輝度が高くても、高輝度のピクセル数が少ないと、第2ピクセル領域CAの輝度が補償されない(S324)。
図33は、ピクセルデータに対するヒストグラムの計算結果の一例を示す図である。図33において(a)は、低階調値を持つピクセルデータの累積値が多い低階調映像の一例である。同図(b)は、中間階調値を持つピクセルデータの累積値が多い映像の一例である。同図(c)は、高階調値を持つピクセルデータの累積値が多い高階調映像の一例である。
以上で説明した本発明の課題、課題解決手段、効果に記載した明細書の内容が請求項の本質的な特徴を特定するものではないことに注意しなければならない。
本発明は、必ずしも実施例に限定されるものではなく、本発明の技術思想を逸脱しない範囲内で多様に変形実施することができる。したがって、本発明に開示された実施例は、本発明の技術思想を限定するためのものではなく説明するためのものであり、このような実施例により、本発明の技術思想の範囲が限定されるものではない。従って、以上で記述した実施例は、すべての面で例示的なものであり限定的ではないと理解しなければならない。本発明の保護範囲は、特許請求の範囲によって解釈されるべきであり、その同等の範囲内にあるすべての技術思想は、本発明の権利範囲に含まれるものと解釈されるべきである。

Claims (18)

  1. ピクセルが配置された第1ピクセル領域と、
    前記第1ピクセル領域に比べて解像度又はPPI(Pixels Per Inch)の低いピクセルが配置された第2ピクセル領域と、
    を含み、
    前記第1ピクセル領域のピクセルのそれぞれは、
    発光素子を駆動する第1駆動素子を含み、
    前記第2ピクセル領域のピクセルのそれぞれは、
    発光素子を駆動する第2駆動素子を含み、
    前記第2駆動素子は、
    半導体チャネルを挟んで重畳した第1ゲート電極及び第2ゲート電極を含み、
    前記第2駆動素子の第1ゲート電極へ前記第2ピクセル領域のピクセルに書き込まれるピクセルデータのデータ電圧が印加され、
    前記第2駆動素子の第2ゲート電極へ前記第2ピクセル領域の輝度を高める補償電圧が印加され、
    前記補償電圧が、前記第2ピクセル領域に配置されたサブピクセルの色別に分離されて前記第2ピクセル領域のピクセルに印加される、
    表示パネル。
  2. 前記第1駆動素子は、
    半導体チャネルを挟んで重畳した第1及び第2ゲート電極を含み、
    前記第1駆動素子の第1ゲート電極へ前記第1ピクセル領域のピクセルに書き込まれるピクセルデータのデータ電圧が印加され、
    前記第1駆動素子の第2ゲート電極へ直流電圧が印加される、請求項1に記載の表示パネル。
  3. 前記第1駆動素子は、
    ピクセル駆動電圧が印加される第1電極と、
    前記発光素子のアノード電極に接続される第2電極と、を含み、
    前記第1駆動素子の前記第2ゲート電極へ前記ピクセル駆動電圧が印加される、請求項2に記載の表示パネル。
  4. 前記第2駆動素子の第2ゲート電極に接続されて、前記補償電圧を前記第2駆動素子の第2ゲート電極に印加する補助データラインをさらに含む、請求項1に記載の表示パネル。
  5. 前記補助データラインは、絶縁層を貫通するコンタクトホールを介して前記第2駆動素子の第2ゲート電極に接続される、請求項4に記載の表示パネル。
  6. 前記第2ピクセル領域内で、前記ピクセルに接続された補助データラインが互いに接続される、請求項4に記載の表示パネル。
  7. 前記第2ピクセル領域のピクセルのそれぞれは、
    前記補償電圧を前記第2駆動素子の第2ゲート電極に印加するスイッチ素子をさらに含む、請求項1に記載の表示パネル。
  8. 前記第1及び第2ピクセル領域のピクセルのそれぞれは、
    色が異なる多数のサブピクセルを含み、
    前記第2ピクセル領域は、
    前記第2駆動素子の第2ゲート電極に接続されて、前記補償電圧を前記第2駆動素子の第2ゲート電極に印加する補助データラインを含み、
    前記補助データラインは、
    前記第2ピクセル領域内のサブピクセルの色別に分離されて前記第2ピクセル領域のサブピクセルに配置された、前記第2駆動素子の第2ゲート電極に接続される、請求項1に記載の表示パネル。
  9. ピクセルが配置された第1ピクセル領域と、前記第1ピクセル領域に比べて解像度又はPPI(Pixels Per Inch)の低いピクセルが配置された第2ピクセル領域と、を含む表示パネルと、
    入力映像のピクセルデータをデータ電圧に変換して、前記第1及び第2ピクセル領域のピクセルに接続されたデータラインへ前記データ電圧を供給するデータ駆動部と、
    前記第2ピクセル領域の輝度を高める補償電圧を発生する輝度補償部と、を含み、
    前記補償電圧が前記第2ピクセル領域のピクセルに印加され、
    前記第1ピクセル領域のピクセルのそれぞれは、
    発光素子を駆動する第1駆動素子を含み、
    前記第2ピクセル領域のピクセルのそれぞれは、
    発光素子を駆動する第2駆動素子を含み、
    前記第2駆動素子は、
    半導体チャネルを挟んで重畳した第1ゲート電極及び第2ゲート電極を含み、
    前記第2駆動素子の第1ゲート電極へ前記第2ピクセル領域のピクセルに書き込まれるピクセルデータのデータ電圧が印加され、
    前記第2駆動素子の第2ゲート電極へ前記第2ピクセル領域の輝度を高める補償電圧が印加され、
    前記補償電圧が、前記第2ピクセル領域に配置されたサブピクセルの色別に分離されて前記第2ピクセル領域のピクセルに印加される、
    表示装置。
  10. 前記データ駆動部は、
    前記データ電圧を前記第1ピクセル領域のデータラインに出力する複数の第1チャネルと、
    前記データ電圧を前記第2ピクセル領域のデータラインに出力する複数の第2チャネルと、を含み、
    前記第1及び第2チャネルの出力電圧範囲が同一であり、
    前記第1及び第2チャネルから出力される前記データ電圧の電圧範囲が、前記出力電圧範囲内で同一であり、
    前記第1及び第2チャネルの出力電圧範囲は、前記データ電圧の電圧範囲よりも大きい電圧マージンと、前記データ電圧の電圧範囲よりも小さい電圧マージンとを含み、
    前記第1及び第2チャネルの電圧マージンが同一である、請求項9に記載の表示装置。
  11. 前記補償電圧は、特定の電圧であるか、入力映像の輝度特性と階調分布特性に応じて可変される、請求項9に記載の表示装置。
  12. 前記補償電圧が、前記第2ピクセル領域に配置されたサブピクセルの色別に異なるように設定される、請求項に記載の表示装置。
  13. 前記第1及び第2ピクセル領域に表示される入力映像の平均輝度が予め設定されたしきい値よりも大きい映像であるとき、前記補償電圧が前記第2ピクセル領域のピクセルに印加される、請求項9に記載の表示装置。
  14. 前記第1及び第2ピクセル領域に表示される入力映像の平均輝度が予め設定されたしきい値よりも大きく、前記第2ピクセル領域に書き込まれるピクセルデータのうちで予め設定された基準値以上の高階調のピクセル数が所定のしきい値以上多いとき、前記補償電圧が前記第2ピクセル領域のピクセルに印加される、請求項9に記載の表示装置。
  15. 前記第2ピクセル領域に表示される入力映像の平均輝度が予め設定されたしきい値よりも大きい映像であるとき、前記補償電圧が前記第2ピクセル領域のピクセルに印加される、請求項9に記載の表示装置。
  16. 前記第2ピクセル領域に表示される入力映像の平均輝度が予め設定されたしきい値よりも大きく、前記第2ピクセル領域に書き込まれるピクセルデータのうちで予め設定された基準値以上の高階調のピクセル数が所定のしきい値以上多いとき、前記補償電圧が前記第2ピクセル領域のピクセルに印加される、請求項9に記載の表示装置。
  17. 前記第2ピクセル領域に書き込まれるピクセルデータのうちで予め設定された基準値以上の高階調のピクセルデータが所定のしきい値以上多いとき、前記補償電圧が前記第2ピクセル領域のピクセルに印加される、請求項9に記載の表示装置。
  18. ガンマリファレンス電圧を発生する電源部をさらに含み、
    前記データ駆動部のチャネルのそれぞれは、
    前記ガンマリファレンス電圧から分圧された階調別のガンマ補償電圧で、前記ピクセルデータを前記データ電圧に変換するデジタル-アナログ変換器を備え、
    前記電源部又は前記データ駆動部は、前記輝度補償部を含み、前記補償電圧を出力する、請求項9に記載の表示装置。
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