JP7376462B2 - Contactless communication media and magnetic tape cartridges - Google Patents

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Description

本開示の技術は、非接触式通信媒体、磁気テープカートリッジ、非接触式通信媒体の動作方法、及びプログラムに関する。 The technology of the present disclosure relates to a non-contact communication medium, a magnetic tape cartridge, a method of operating the non-contact communication medium, and a program.

特許文献1には、メモリ部と、電力生成部と、電力監視部と、容量制御部とを具備する非接触通信媒体が開示されている。特許文献1に記載の非接触通信媒体において、メモリ部は、所定の管理情報を記憶する。電力生成部は、アンテナコイルと容量値が可変な共振容量部とを有する共振回路と、共振回路の共振出力を整流する整流回路とを有し、メモリ部へ供給される電力を生成する。電力監視部は、共振回路に対して整流回路とは並列に接続され抵抗値が可変に構成された電流調整素子と、基準電圧を発生させる基準電圧発生源と、整流回路の出力電圧が基準電圧と等しくなるように電流調整素子を制御する演算増幅器とを有する。容量制御部は、演算増幅器の出力に基づいて共振容量部を制御するように構成される。 Patent Document 1 discloses a contactless communication medium that includes a memory section, a power generation section, a power monitoring section, and a capacity control section. In the contactless communication medium described in Patent Document 1, the memory section stores predetermined management information. The power generating section includes a resonant circuit having an antenna coil and a resonant capacitor section whose capacitance value is variable, and a rectifying circuit that rectifies the resonant output of the resonant circuit, and generates power to be supplied to the memory section. The power monitoring unit includes a current regulating element connected in parallel to the resonant circuit with the rectifier circuit and configured to have a variable resistance value, a reference voltage generation source that generates a reference voltage, and an output voltage of the rectifier circuit that is connected to the reference voltage. and an operational amplifier that controls the current adjustment element so that the current is equal to the current adjustment element. The capacitance control section is configured to control the resonant capacitance section based on the output of the operational amplifier.

特許文献2には、記録媒体カートリッジ用の非接触通信媒体であって、回路部品と、支持基板と、アンテナコイルとを具備する非接触通信媒体が開示されている。特許文献2に記載の非接触通信媒体において、回路部品は、記録媒体カートリッジに関する管理情報を格納することが可能なメモリ部を内蔵する。支持基板は、回路部品を支持する。アンテナコイルは、回路部品に電気的に接続され支持基板に形成されたコイル部を有し、コイル部のインダクタンス値が0.3μH以上2.0μH以下である。 Patent Document 2 discloses a contactless communication medium for a recording medium cartridge, which includes a circuit component, a support substrate, and an antenna coil. In the contactless communication medium described in Patent Document 2, the circuit component includes a built-in memory section that can store management information regarding the recording medium cartridge. The support substrate supports circuit components. The antenna coil has a coil portion electrically connected to the circuit component and formed on the support substrate, and the inductance value of the coil portion is 0.3 μH or more and 2.0 μH or less.

特許文献3には、電圧発生部と、メモリ部と、クロック信号発生部と、制御部とを具備する非接触通信媒体が開示されている。特許文献3に記載の非接触通信媒体において、電圧発生部は、送受信用のアンテナコイルを有し、外部機器からの信号磁界を受信して電力を生成する。メモリ部は、電圧発生部に設定される1以上の回路パラメータと、所定の管理情報とを記憶する。クロック信号発生部は、2以上の異なる周波数のクロック信号を選択的に生成することが可能に構成される。制御部は、クロック信号発生部からメモリ部へ供給されるクロック信号の周波数を選択するように構成される。 Patent Document 3 discloses a contactless communication medium that includes a voltage generation section, a memory section, a clock signal generation section, and a control section. In the non-contact communication medium described in Patent Document 3, the voltage generator includes an antenna coil for transmitting and receiving, receives a signal magnetic field from an external device, and generates electric power. The memory section stores one or more circuit parameters set in the voltage generation section and predetermined management information. The clock signal generation section is configured to be able to selectively generate clock signals of two or more different frequencies. The control section is configured to select the frequency of the clock signal supplied from the clock signal generation section to the memory section.

特許文献4には、通信手段と、制御手段とを備える通信装置が開示されている。特許文献4に記載の通信装置において、通信手段は、記憶媒体に備えられて記憶媒体についての記録又は再生を管理するための管理情報が記憶される管理情報記憶領域を少なくとも有するメモリ手段と通信が可能である。制御手段は、所要の装置が実行すべきとされる手続きを記述した手続き情報を、通信手段によって、メモリ手段の手続き情報記憶領域に対して書き込むように制御を実行する。 Patent Document 4 discloses a communication device including a communication means and a control means. In the communication device described in Patent Document 4, the communication means is configured to communicate with a memory means provided in a storage medium and having at least a management information storage area in which management information for managing recording or reproduction of the storage medium is stored. It is possible. The control means performs control such that procedure information describing a procedure to be executed by a required device is written into a procedure information storage area of the memory means by the communication means.

特許文献5には、データを格納可能な記録媒体を有するカートリッジを格納するライブラリでのデータの格納位置を認識するデータライブラリ認識装置が開示されている。特許文献5に記載のデータライブラリ認識装置は、カートリッジを収納する収納部と、カートリッジの収納位置の各々に対応して設けられ、カートリッジより送信され、カートリッジ又はデータを識別する識別情報を無線で受信する複数の受信手段と、受信手段により受信された識別情報に基づいてデータの格納位置を認識する認識手段とを備える。 Patent Document 5 discloses a data library recognition device that recognizes the storage position of data in a library that stores cartridges having recording media capable of storing data. The data library recognition device described in Patent Document 5 is provided corresponding to a storage section that stores a cartridge and a storage position of the cartridge, and wirelessly receives identification information transmitted from the cartridge to identify the cartridge or data. and a recognition means that recognizes the data storage location based on the identification information received by the reception means.

特許文献6には、駆動電力を受信して、命令を実行する非接触式ICカードが開示されている。特許文献6に記載の非接触式ICカードは、命令の実行に必要な電力を判定する判定手段と、判定手段の判定結果に応じた周波数のクロック信号を生成するクロック信号生成手段と、クロック信号生成手段により生成されたクロック信号の周波数に従った処理速度で命令を実行する命令実行手段とを備える。 Patent Document 6 discloses a contactless IC card that receives driving power and executes instructions. The contactless IC card described in Patent Document 6 includes a determining means for determining the power required to execute an instruction, a clock signal generating means for generating a clock signal with a frequency according to the determination result of the determining means, and a clock signal generating means for generating a clock signal having a frequency according to the determination result of the determining means. and instruction execution means for executing instructions at a processing speed according to the frequency of the clock signal generated by the generation means.

特許文献7には、磁気テープと不揮発性半導体メモリとが備えられているテープカートリッジにデータを保存するテープドライブ装置が開示されている。特許文献7に記載のテープドライブ装置は、比較部と、速度決定部と、データ書き込み部とを備える。比較部は、ホストマシンからテープドライブ装置へ送られてくるデータの転送速度を速度閾値と比較する。速度決定部は、速度閾値に基づいて、テープカートリッジへの書き込み速度を決定する。データ書き込み部は、テープカートリッジにデータの書き込みを行う。データ書き込み部は、決定された書き込み速度が速度閾値よりも速い場合は、テープカートリッジに備えられている磁気テープにデータの書き込みを行い、決定された書き込み速度が速度閾値よりも遅い場合は、テープカートリッジに備えられている不揮発性半導体メモリに、磁気テープに書き込まれたデータに続く後続データを書き込む。 Patent Document 7 discloses a tape drive device that stores data in a tape cartridge that includes a magnetic tape and a nonvolatile semiconductor memory. The tape drive device described in Patent Document 7 includes a comparing section, a speed determining section, and a data writing section. The comparison unit compares the transfer speed of data sent from the host machine to the tape drive device with a speed threshold. The speed determination unit determines the write speed to the tape cartridge based on the speed threshold. The data writing section writes data to the tape cartridge. If the determined writing speed is faster than the speed threshold, the data writing section writes data onto the magnetic tape provided in the tape cartridge, and if the determined writing speed is slower than the speed threshold, the data writing section writes data onto the magnetic tape provided in the tape cartridge. Subsequent data subsequent to the data written on the magnetic tape is written into a nonvolatile semiconductor memory provided in the cartridge.

国際公開第2019/198438号International Publication No. 2019/198438 国際公開第2019/198527号International Publication No. 2019/198527 国際公開第2019/176325号International Publication No. 2019/176325 特開2003-068052号公報Japanese Patent Application Publication No. 2003-068052 特開2004-039173号公報Japanese Patent Application Publication No. 2004-039173 特開2006-134150号公報Japanese Patent Application Publication No. 2006-134150 特開2013-041646号公報JP2013-041646A

本開示の技術に係る一つの実施形態は、非接触式通信媒体の動作の安定と消費電力の低減との両立を実現することができる非接触式通信媒体、磁気テープカートリッジ、非接触式通信媒体の動作方法、及びプログラムを提供する。 One embodiment of the technology of the present disclosure provides a non-contact communication medium, a magnetic tape cartridge, and a non-contact communication medium that can achieve both stable operation and reduced power consumption of the non-contact communication medium. Provides operating methods and programs.

本開示の技術に係る別の実施形態は、非接触式通信媒体の動作の安定と処理速度の向上との両立を実現することができる非接触式通信媒体、磁気テープカートリッジ、非接触式通信媒体の動作方法、及びプログラムを提供する。 Another embodiment of the technology of the present disclosure provides a non-contact communication medium, a magnetic tape cartridge, and a non-contact communication medium that can achieve both stable operation and improved processing speed of the non-contact communication medium. Provides operating methods and programs.

本開示の技術に係る第1の態様は、コイルを有し、外部から与えられた外部磁界がコイルに対して作用することで電力を生成する電力生成器と、電力を用いて作動し、かつ、外部磁界に含まれるコマンドに対する処理を行うプロセッサと、を備えた非接触式通信媒体であって、プロセッサは、外部が非接触式通信媒体に対するコマンドの送信を終了してから、非接触式通信媒体がコマンドに対する応答を開始するまでに要するレスポンスタイムを第1既定時間よりも長くする非接触式通信媒体である。 A first aspect of the technology of the present disclosure includes a power generator that has a coil and generates power by an external magnetic field applied from the outside acting on the coil; , a processor that performs processing on commands included in an external magnetic field; The contactless communication medium has a response time that is longer than a first predetermined time period until the medium starts responding to a command.

本開示の技術に係る第2の態様は、プロセッサが、処理の開始から終了するまでに要する処理時間を第2既定時間よりも長くすることでレスポンスタイムを第1既定時間よりも長くする第1の態様に係る非接触式通信媒体である。 In a second aspect of the technology of the present disclosure, the processor makes the response time longer than the first predetermined time by making the processing time required from the start to the end of the process longer than the second predetermined time. It is a non-contact communication medium according to an aspect of the present invention.

本開示の技術に係る第3の態様は、電力を用いてクロック信号を生成するクロック信号生成器を更に備え、プロセッサが、処理をクロック信号の周波数に応じた処理速度で行い、処理時間に関わらず周波数を維持するか、又は、処理時間を長くするほど周波数を低くする第2の態様に係る非接触式通信媒体である。 A third aspect of the technology of the present disclosure further includes a clock signal generator that generates a clock signal using electric power, and the processor performs processing at a processing speed that corresponds to the frequency of the clock signal, regardless of the processing time. This is a non-contact communication medium according to a second aspect in which the frequency is maintained or the frequency is lowered as the processing time becomes longer.

本開示の技術に係る第4の態様は、コマンドが、1つのコマンドである第1の態様から第3の態様の何れか1つの態様に係る非接触式通信媒体である。 A fourth aspect according to the technology of the present disclosure is a contactless communication medium according to any one of the first to third aspects, in which the command is one command.

本開示の技術に係る第5の態様は、コイルが、プロセッサによって処理が行われることで得られた処理結果を、外部磁界を介して送信する第1の態様から第4の態様の何れか1つの態様に係る非接触式通信媒体である。 A fifth aspect according to the technology of the present disclosure is any one of the first to fourth aspects, in which the coil transmits a processing result obtained by processing performed by a processor via an external magnetic field. 1 is a contactless communication medium according to one embodiment.

本開示の技術に係る第6の態様は、プロセッサが、外部磁界の強度に応じてレスポンスタイムを変更する第1の態様から第5の態様の何れか1つの態様に係る非接触式通信媒体である。 A sixth aspect of the technology of the present disclosure is the contactless communication medium according to any one of the first to fifth aspects, in which the processor changes the response time according to the strength of an external magnetic field. be.

本開示の技術に係る第7の態様は、プロセッサが、外部磁界の強度に応じてレスポンスタイムを変更する場合、外部磁界の強度が閾値を下回ったことを条件にレスポンスタイムを長くする第1の態様から第6の態様に係る非接触式通信媒体である。 A seventh aspect of the technology of the present disclosure is that when the processor changes the response time according to the strength of the external magnetic field, the processor lengthens the response time on the condition that the strength of the external magnetic field is below a threshold. This is a non-contact communication medium according to the sixth aspect.

本開示の技術に係る第8の態様は、プロセッサが、コマンドの種類に応じてレスポンスタイムを変更する第1の態様から第7の態様の何れか1つの態様に係る非接触式通信媒体である。 An eighth aspect according to the technology of the present disclosure is the contactless communication medium according to any one of the first to seventh aspects, in which the processor changes the response time depending on the type of command. .

本開示の技術に係る第9の態様は、情報を記憶する第1メモリを更に備え、コマンドが、ポーリングコマンド、読出コマンド、又は書込コマンドであり、プロセッサが、ポーリングコマンドに応じてポーリング処理を行い、読出コマンドに応じて第1メモリに対して情報に関する読出処理を行い、書込コマンドに応じて第1メモリに対して情報に関する書込処理を行い、書込処理及び読出処理のうちの少なくとも読出処理に要する時間を、ポーリング処理に要する時間よりも長くする第8の態様に係る非接触式通信媒体である。 A ninth aspect of the technology of the present disclosure further includes a first memory that stores information, wherein the command is a polling command, a read command, or a write command, and the processor performs polling processing in response to the polling command. perform a read process regarding information to the first memory in response to a read command, perform a write process regarding information to the first memory in response to a write command, and perform at least one of the write process and the read process. A non-contact communication medium according to an eighth aspect in which the time required for read processing is longer than the time required for polling processing.

本開示の技術に係る第10の態様は、第1の態様から第9の態様の何れか1つの態様に係る非接触式通信媒体と、磁気テープと、を備えた磁気テープカートリッジであって、非接触式通信媒体は、第2メモリを有し、第2メモリが、磁気テープに関する情報を記憶している磁気テープカートリッジである。 A tenth aspect according to the technology of the present disclosure is a magnetic tape cartridge comprising the non-contact communication medium according to any one of the first to ninth aspects, and a magnetic tape, The contactless communication medium is a magnetic tape cartridge having a second memory, the second memory storing information about the magnetic tape.

本開示の技術に係る第11の態様は、コイルを有し、外部から与えられた外部磁界がコイルに対して作用することで電力を生成する電力生成器と、電力を用いて作動し、かつ、外部磁界に含まれるコマンドに対する処理を行うプロセッサと、を備えた非接触式通信媒体の動作方法であって、外部が非接触式通信媒体に対するコマンドの送信を終了してから、非接触式通信媒体がコマンドに対する応答を開始するまでに要するレスポンスタイムを第1既定時間よりも長くすることを含む、非接触式通信媒体の動作方法である。 An eleventh aspect of the technology of the present disclosure is a power generator that has a coil and generates power by an external magnetic field applied from the outside acting on the coil; , a processor that processes commands included in an external magnetic field; A method of operating a contactless communication medium, comprising increasing a response time required for the medium to begin responding to a command to be longer than a first predetermined time.

本開示の技術に係る第12の態様は、コイルを有し、外部から与えられた外部磁界がコイルに対して作用することで電力を生成する電力生成器と、電力を用いて作動し、かつ、外部磁界に含まれるコマンドに対する処理を行うプロセッサと、を備えた非接触式通信媒体に対して適用されるコンピュータに、外部が非接触式通信媒体に対するコマンドの送信を終了してから、非接触式通信媒体がコマンドに対する応答を開始するまでに要するレスポンスタイムを第1既定時間よりも長くすることを含む処理を実行させるためのプログラムである。 A twelfth aspect of the technology of the present disclosure is a power generator that includes a coil and generates power by an external magnetic field applied from the outside acting on the coil; , a processor that processes commands included in an external magnetic field, This is a program for executing processing that includes making the response time required for the communication medium to start responding to a command longer than a first predetermined time.

本開示の技術に係る第13の態様は、コイルと、磁気テープカートリッジに搭載されており、通信先から与えられた外部磁界を介してコイルと通信先とを電磁誘導により結合させることで通信先と通信を行うプロセッサと、を備え、外部磁界には通信先によってコマンドが含まれており、プロセッサが、外部磁界に含まれるコマンドに対する処理を行う非接触式通信媒体であって、プロセッサが、プロセッサによるコマンドに対するレスポンスタイムを、磁気テープカートリッジ、非接触式通信媒体、及び通信先のうちの少なくとも1つの特性に応じて変更する非接触式通信媒体である。 A thirteenth aspect of the technology of the present disclosure is that the coil is mounted on a magnetic tape cartridge, and the coil and the communication destination are coupled by electromagnetic induction via an external magnetic field given from the communication destination. and a processor for communicating with the external magnetic field, the external magnetic field includes a command depending on the communication destination, and the processor processes the command included in the external magnetic field, the processor The contactless communication medium changes the response time to a command according to the characteristics of at least one of the magnetic tape cartridge, the contactless communication medium, and the communication destination.

本開示の技術に係る第14の態様は、第1情報が記憶される第1メモリであって、プロセッサによって第1情報の読み出し及び書き込みのうちの少なくとも一方が行われる第1メモリを更に備え、プロセッサが、第1メモリに対して設定されている使用可能な記憶容量に応じてレスポンスタイムを変更する第13の態様に係る非接触式通信媒体である。 A fourteenth aspect of the technology of the present disclosure is a first memory in which first information is stored, further comprising a first memory in which at least one of reading and writing of the first information is performed by a processor; A non-contact communication medium according to a thirteenth aspect, in which the processor changes the response time according to the usable storage capacity set for the first memory.

本開示の技術に係る第15の態様は、非接触式通信媒体が、複数の通信規格に対応しており、プロセッサが、複数の通信規格を選択的に用いて通信を行い、複数の通信規格のうちの通信に用いられる通信規格に応じてレスポンスタイムを変更する第13の態様又は第14の態様に係る非接触式通信媒体である。 A fifteenth aspect of the technology of the present disclosure is that the contactless communication medium is compatible with a plurality of communication standards, and the processor selectively performs communication using the plurality of communication standards. This is a non-contact communication medium according to a thirteenth aspect or a fourteenth aspect, in which the response time is changed according to the communication standard used for communication.

本開示の技術に係る第16の態様は、通信先が、複数の通信規格の各々で通信可能であり、プロセッサが、複数の通信規格のうちの非接触式通信媒体に対応する通信規格に応じてレスポンスタイムを変更する第13の態様から第15の態様の何れか1つの態様に係る非接触式通信媒体である。 A sixteenth aspect of the technology of the present disclosure is that the communication destination is capable of communicating according to each of a plurality of communication standards, and the processor is configured to perform communication according to a communication standard corresponding to a contactless communication medium among the plurality of communication standards. The present invention is a non-contact communication medium according to any one of the thirteenth to fifteenth aspects, in which the response time is changed by changing the response time.

本開示の技術に係る第17の態様は、通信先が、複数の通信装置の何れかであり、複数の通信装置は、複数の通信規格のうちの何れかを有し、複数の通信規格のうちの通信先が用いる通信規格に応じてレスポンスタイムを変更する第13の態様から第15の態様の何れか1つの態様に係る非接触式通信媒体である。 A seventeenth aspect of the technology of the present disclosure is that the communication destination is any one of a plurality of communication devices, the plurality of communication devices have one of a plurality of communication standards, and the plurality of communication devices have one of a plurality of communication standards. This is a non-contact communication medium according to any one of the thirteenth to fifteenth aspects, in which the response time is changed according to the communication standard used by the communication destination.

本開示の技術に係る第18の態様は、外部磁界がコイルに対して作用することで電力を生成する電力生成器を更に備え、プロセッサが、電力を用いて作動し、レスポンスタイムを特性に応じて第1既定時間よりも長くする第13の態様から第17の態様の何れか1つの態様に係る非接触式通信媒体である。 An eighteenth aspect of the technology of the present disclosure further includes a power generator that generates power by an external magnetic field acting on the coil, and the processor operates using the power and adjusts the response time according to the characteristics. The contactless communication medium according to any one of the thirteenth to seventeenth aspects, wherein the first predetermined time is longer than the first predetermined time.

本開示の技術に係る第19の態様は、プロセッサが、処理の開始から終了するまでに要する処理時間を第2既定時間よりも長くすることでレスポンスタイムを第1既定時間よりも長くする第18の態様に係る非接触式通信媒体である。 A nineteenth aspect of the technology of the present disclosure is an eighteenth aspect in which the processor makes the response time longer than the first predetermined time by making the processing time required from the start to the end of the process longer than the second predetermined time. It is a non-contact communication medium according to an aspect of the present invention.

本開示の技術に係る第20の態様は、電力を用いてクロック信号を生成するクロック信号生成器を更に備え、プロセッサが、処理をクロック信号の周波数に応じた処理速度で行い、処理時間に関わらず周波数を維持するか、又は、処理時間を長くするほど周波数を低くする第19の態様に係る非接触式通信媒体である。 A 20th aspect of the technology of the present disclosure further includes a clock signal generator that generates a clock signal using electric power, and the processor performs processing at a processing speed according to the frequency of the clock signal, regardless of the processing time. This is a non-contact communication medium according to a nineteenth aspect, in which the frequency is maintained or the frequency is lowered as the processing time becomes longer.

本開示の技術に係る第21の態様は、コマンドが、1つのコマンドである第13の態様から第20の態様の何れか1つの態様に係る非接触式通信媒体である。 A twenty-first aspect according to the technology of the present disclosure is the contactless communication medium according to any one of the thirteenth to twentieth aspects, wherein the command is one command.

本開示の技術に係る第22の態様は、コイルが、プロセッサによって処理が行われることで得られた処理結果を、外部磁界を介して送信する第13の態様から第21の態様の何れか1つの態様に係る非接触式通信媒体である。 A 22nd aspect according to the technology of the present disclosure is any one of the 13th aspect to the 21st aspect, wherein the coil transmits a processing result obtained by processing performed by the processor via an external magnetic field. 1 is a contactless communication medium according to one embodiment.

本開示の技術に係る第23の態様は、プロセッサが、更に、外部磁界の強度に応じてレスポンスタイムを変更する第13の態様から第22の態様の何れか1つの態様に係る非接触式通信媒体である。 A twenty-third aspect of the technology of the present disclosure is the contactless communication according to any one of the thirteenth to twenty-second aspects, wherein the processor further changes the response time according to the strength of the external magnetic field. It is a medium.

本開示の技術に係る第24の態様は、プロセッサが、外部磁界の強度に応じてレスポンスタイムを変更する場合、外部磁界の強度が閾値を下回ったことを条件にレスポンスタイムを長くする第23の態様に係る非接触式通信媒体である。 A twenty-fourth aspect of the technology of the present disclosure is a twenty-third aspect of the present invention, in which when the processor changes the response time according to the strength of the external magnetic field, the processor lengthens the response time on the condition that the strength of the external magnetic field is below a threshold. 1 is a non-contact communication medium according to an embodiment.

本開示の技術に係る第25の態様は、プロセッサが、コマンドの種類に応じてレスポンスタイムを変更する第13の態様から第24の態様の何れか1つの態様に係る非接触式通信媒体である。 A twenty-fifth aspect according to the technology of the present disclosure is the contactless communication medium according to any one of the thirteenth to twenty-fourth aspects, in which the processor changes the response time depending on the type of command. .

本開示の技術に係る第26の態様は、第2情報を記憶する第2メモリを備え、コマンドが、ポーリングコマンド、読出コマンド、又は書込コマンドであり、プロセッサが、ポーリングコマンドに応じてポーリング処理を行い、読出コマンドに応じて第2メモリに対して第2情報に関する読出処理を行い、書込コマンドに応じて第2メモリに対して第2情報に関する書込処理を行い、書込処理及び読出処理のうちの少なくとも読出処理に要する時間を、ポーリング処理に要する時間よりも長くする第25の態様に係る非接触式通信媒体である。 A twenty-sixth aspect of the technology of the present disclosure includes a second memory that stores second information, the command is a polling command, a read command, or a write command, and the processor performs polling processing in response to the polling command. performs read processing regarding the second information to the second memory in response to the read command, performs write processing regarding the second information to the second memory in response to the write command, and performs write processing and read processing. A non-contact communication medium according to a twenty-fifth aspect, in which the time required for at least read processing among the processes is longer than the time required for polling processing.

本開示の技術に係る第27の態様は、第13の態様から第26の態様の何れか1つの態様に係る非接触式通信媒体と、磁気テープと、を備えた磁気テープカートリッジであって、非接触式通信媒体が、第3メモリを有し、第3メモリが、磁気テープに関する情報を記憶している磁気テープカートリッジである。 A twenty-seventh aspect according to the technology of the present disclosure is a magnetic tape cartridge comprising the non-contact communication medium according to any one of the thirteenth to twenty-sixth aspects, and a magnetic tape, The contactless communication medium has a third memory, the third memory being a magnetic tape cartridge storing information about the magnetic tape.

本開示の技術に係る第28の態様は、コイルと、磁気テープカートリッジに搭載されており、通信先から与えられた外部磁界を介してコイルと通信先とを電磁誘導により結合させることで通信先と通信を行うプロセッサと、を備え、外部磁界には通信先によってコマンドが含まれており、プロセッサが、外部磁界に含まれるコマンドに対する処理を行う非接触式通信媒体の動作方法であって、プロセッサによるコマンドに対するレスポンスタイムを、磁気テープカートリッジ、非接触式通信媒体、及び通信先のうちの少なくとも1つの特性に応じて変更することを含む非接触式通信媒体の動作方法である。 A twenty-eighth aspect of the technology of the present disclosure is that the coil is mounted on a magnetic tape cartridge, and the coil and the communication destination are coupled by electromagnetic induction via an external magnetic field given from the communication destination. A method of operating a non-contact communication medium, comprising: a processor that communicates with the external magnetic field, the external magnetic field includes a command depending on the communication destination, and the processor processes the command included in the external magnetic field; A method of operating a non-contact communication medium includes changing a response time to a command according to a characteristic of at least one of a magnetic tape cartridge, a non-contact communication medium, and a communication destination.

本開示の技術に係る第29の態様は、コイルと、磁気テープカートリッジに搭載されており、通信先から与えられた外部磁界を介してコイルと通信先とを電磁誘導により結合させることで通信先と通信を行うプロセッサと、を備え、外部磁界には通信先によってコマンドが含まれており、プロセッサが、外部磁界に含まれるコマンドに対する処理を行う非接触式通信媒体に対して適用されるコンピュータに、プロセッサによるコマンドに対するレスポンスタイムを、磁気テープカートリッジ、非接触式通信媒体、及び通信先のうちの少なくとも1つの特性に応じて変更することを含む処理を実行させるためのプログラムである。 A twenty-ninth aspect of the technology of the present disclosure is that the coil is mounted on a magnetic tape cartridge, and the coil and the communication destination are coupled by electromagnetic induction via an external magnetic field given from the communication destination. a processor for communicating with a computer, the external magnetic field includes a command by the communication destination, and the processor is applied to a non-contact communication medium that processes the command included in the external magnetic field; , a program for executing a process that includes changing a response time to a command by a processor according to characteristics of at least one of a magnetic tape cartridge, a non-contact communication medium, and a communication destination.

第1実施形態に係る磁気テープカートリッジの外観の一例を示す概略斜視図である。FIG. 1 is a schematic perspective view showing an example of the appearance of a magnetic tape cartridge according to a first embodiment. 第1実施形態に係る磁気テープカートリッジの下ケースの内側の右後端部の構造の一例を示す概略斜視図である。FIG. 2 is a schematic perspective view showing an example of the structure of the inner right rear end of the lower case of the magnetic tape cartridge according to the first embodiment. 第1実施形態に係る磁気テープカートリッジの下ケースの内面に設けられた支持部材の一例を示す側面視断面図である。FIG. 3 is a side sectional view showing an example of a support member provided on the inner surface of the lower case of the magnetic tape cartridge according to the first embodiment. 第1実施形態に係る磁気テープドライブのハードウェア構成の一例を示す概略構成図である。1 is a schematic configuration diagram showing an example of the hardware configuration of a magnetic tape drive according to a first embodiment; FIG. 第1実施形態に係る磁気テープカートリッジの下側から非接触式読み書き装置によって磁界が放出されている態様の一例を示す概略斜視図である。FIG. 2 is a schematic perspective view showing an example of a mode in which a magnetic field is emitted from the bottom side of the magnetic tape cartridge according to the first embodiment by the non-contact reading/writing device. 第1実施形態に係る磁気テープカートリッジ内のカートリッジメモリに対して非接触式読み書き装置から磁界が付与されている態様の一例を示す概念図である。FIG. 2 is a conceptual diagram showing an example of a mode in which a magnetic field is applied from a non-contact reading/writing device to a cartridge memory in a magnetic tape cartridge according to the first embodiment. 第1実施形態に係る磁気テープカートリッジ内のカートリッジメモリの基板の裏面の構造の一例を示す概略底面図である。FIG. 3 is a schematic bottom view showing an example of the structure of the back surface of the substrate of the cartridge memory in the magnetic tape cartridge according to the first embodiment. 第1実施形態に係る磁気テープカートリッジ内のカートリッジメモリの基板の表面の構造の一例を示す概略平面図である。FIG. 3 is a schematic plan view showing an example of the structure of the surface of the substrate of the cartridge memory in the magnetic tape cartridge according to the first embodiment. 第1実施形態に係る磁気テープカートリッジ内のカートリッジメモリの回路構成の一例を示す概略回路図である。FIG. 2 is a schematic circuit diagram showing an example of a circuit configuration of a cartridge memory in the magnetic tape cartridge according to the first embodiment. 第1実施形態に係る磁気テープカートリッジ内のカートリッジメモリに搭載されているICチップのコンピュータのハードウェア構成の一例を示すブロック図である。FIG. 2 is a block diagram illustrating an example of the hardware configuration of a computer including an IC chip mounted in a cartridge memory in a magnetic tape cartridge according to the first embodiment. 第1実施形態に係る磁気テープカートリッジ内のカートリッジメモリのCPUによって実行される動作モード設定処理の処理内容の一例を示す概念図である。FIG. 3 is a conceptual diagram showing an example of the processing contents of an operation mode setting process executed by the CPU of the cartridge memory in the magnetic tape cartridge according to the first embodiment. 第1実施形態に係る動作モード設定処理の流れの一例を示すフローチャートである。7 is a flowchart illustrating an example of the flow of operation mode setting processing according to the first embodiment. 図12Aに示すフローチャートの続きである。This is a continuation of the flowchart shown in FIG. 12A. 図12Bに示すフローチャートの続きである。This is a continuation of the flowchart shown in FIG. 12B. 第1実施形態に係る動作モード設定処理の流れの第1変形例を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the 1st modification of the flow of the operation mode setting process based on 1st Embodiment. 第1実施形態に係る動作モード設定処理の流れの第2変形例を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the 2nd modification of the flow of the operation mode setting process based on 1st Embodiment. 第1実施形態に係る動作モード設定処理の流れの第3変形例を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the 3rd modification of the flow of the operation mode setting process based on 1st Embodiment. 第1実施形態に係る動作モード設定処理の流れの第4変形例を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the 4th modification of the flow of the operation mode setting process based on 1st Embodiment. 第1実施形態に係る磁気テープカートリッジ内のカートリッジメモリの概略平面図であって、コイルとICチップとを接続形態の変形例を示す概略平面図である。FIG. 7 is a schematic plan view of the cartridge memory in the magnetic tape cartridge according to the first embodiment, and is a schematic plan view showing a modification of the connection form between the coil and the IC chip. 通信距離の一例を示す概念図である。FIG. 2 is a conceptual diagram showing an example of communication distance. 第2実施形態に係る磁気テープカートリッジ内のカートリッジメモリに搭載されているICチップのコンピュータのハードウェア構成の一例を示すブロック図である。FIG. 7 is a block diagram showing an example of the hardware configuration of a computer including an IC chip mounted in a cartridge memory in a magnetic tape cartridge according to a second embodiment. 第2実施形態に係る通信距離導出テーブルの一例を示す説明図である。FIG. 7 is an explanatory diagram showing an example of a communication distance derivation table according to the second embodiment. 第2実施形態に係る磁気テープカートリッジ内のカートリッジメモリのCPUによって実行される動作モード設定処理の処理内容の一例を示す概念図である。FIG. 7 is a conceptual diagram showing an example of the processing contents of an operation mode setting process executed by the CPU of the cartridge memory in the magnetic tape cartridge according to the second embodiment. 第2実施形態に係る動作モード設定処理の流れの一例を示すフローチャートである。7 is a flowchart illustrating an example of the flow of operation mode setting processing according to the second embodiment. 第3実施形態に係る磁気テープカートリッジ内のカートリッジメモリのCPUによって実行される動作モード設定処理の処理内容の一例を示す概念図である。FIG. 7 is a conceptual diagram showing an example of the processing contents of an operation mode setting process executed by a CPU of a cartridge memory in a magnetic tape cartridge according to a third embodiment. 第3実施形態に係る磁気テープカートリッジ内のカートリッジメモリのCPUによって実行される動作モード設定処理の処理内容の一例を示す概念図である。FIG. 7 is a conceptual diagram showing an example of the processing contents of an operation mode setting process executed by a CPU of a cartridge memory in a magnetic tape cartridge according to a third embodiment. 第4実施形態に係る磁気テープカートリッジ内のカートリッジメモリに搭載されているICチップのコンピュータのハードウェア構成の一例を示すブロック図である。FIG. 7 is a block diagram showing an example of the hardware configuration of a computer including an IC chip mounted in a cartridge memory in a magnetic tape cartridge according to a fourth embodiment. 第4実施形態に係る非接触式読み書き装置及びCPUの処理内容の一例を示すブロック図である。It is a block diagram showing an example of processing contents of a non-contact reading/writing device and CPU concerning a 4th embodiment. 第4実施形態に係るCPUの処理内容の一例を示すブロック図である。FIG. 7 is a block diagram illustrating an example of processing contents of a CPU according to a fourth embodiment. 第4実施形態に係る磁気テープカートリッジ内のカートリッジメモリのCPUによって実行される動作モード設定処理の処理内容の一例を示す概念図である。FIG. 12 is a conceptual diagram showing an example of the processing contents of an operation mode setting process executed by the CPU of the cartridge memory in the magnetic tape cartridge according to the fourth embodiment. 第4実施形態の変形例に係る非接触式読み書き装置及びCPUの処理内容の一例を示すブロック図である。It is a block diagram showing an example of processing contents of a non-contact reading/writing device and CPU concerning a modification of a 4th embodiment. 実施形態に係る磁気テープカートリッジ内のカートリッジメモリの傾斜角度の変形例を示す概念図である。FIG. 7 is a conceptual diagram showing a modification of the inclination angle of the cartridge memory in the magnetic tape cartridge according to the embodiment. 実施形態に係る複数の磁気テープカートリッジのパッケージに対して磁界が付与されている態様の一例を示す概念図である。FIG. 3 is a conceptual diagram showing an example of a mode in which a magnetic field is applied to packages of a plurality of magnetic tape cartridges according to the embodiment. 実施形態に係る動作モード設定処理プログラムが記憶されている記憶媒体からコンピュータに動作モード設定処理プログラムがインストールされる態様の一例を示すブロック図である。FIG. 2 is a block diagram illustrating an example of a manner in which an operation mode setting processing program according to an embodiment is installed in a computer from a storage medium in which the operation mode setting processing program is stored.

先ず、以下の説明で使用される文言について説明する。 First, the words used in the following explanation will be explained.

CPUとは、“Central Processing Unit”の略称を指す。RAMとは、“Random Access Memory”の略称を指す。NVMとは、“Non-Volatile Memory”の略称を指す。ROMとは、“Read Only Memory”の略称を指す。EEPROMとは、“Electrically Erasable and Programmable Read Only Memory”の略称を指す。SSDとは、“Solid State Drive”の略称を指す。USBとは、“Universal Serial Bus”の略称を指す。ASICとは、“Application Specific Integrated Circuit”の略称を指す。PLDとは、“Programmable Logic Device”の略称を指す。FPGAとは、“Field-Programmable Gate Array”の略称を指す。SoCとは、“System-on-a-chip”の略称を指す。ICとは、“Integrated circuit”の略称を指す。RFIDとは、“radio frequency identifier”の略称を指す。LTOとは、“Linear Tape-Open”の略称を指す。 CPU is an abbreviation for "Central Processing Unit." RAM is an abbreviation for "Random Access Memory." NVM is an abbreviation for "Non-Volatile Memory." ROM is an abbreviation for "Read Only Memory." EEPROM is an abbreviation for "Electrically Erasable and Programmable Read Only Memory." SSD is an abbreviation for "Solid State Drive." USB is an abbreviation for "Universal Serial Bus." ASIC is an abbreviation for "Application Specific Integrated Circuit." PLD is an abbreviation for "Programmable Logic Device." FPGA is an abbreviation for "Field-Programmable Gate Array." SoC is an abbreviation for "System-on-a-chip." IC is an abbreviation for "Integrated circuit." RFID is an abbreviation for "radio frequency identifier." LTO is an abbreviation for "Linear Tape-Open."

以下の説明では、説明の便宜上、図1において、磁気テープカートリッジ10の磁気テープドライブ30(図4参照)への装填方向を矢印Aで示し、矢印A方向を磁気テープカートリッジ10の前方向とし、磁気テープカートリッジ10の前方向の側を磁気テープカートリッジ10の前側とする。以下の構造上の説明において、「前」とは、磁気テープカートリッジ10の前側を指す。 In the following description, for convenience of explanation, the direction in which the magnetic tape cartridge 10 is loaded into the magnetic tape drive 30 (see FIG. 4) is indicated by arrow A in FIG. The front side of the magnetic tape cartridge 10 is referred to as the front side of the magnetic tape cartridge 10. In the following structural description, "front" refers to the front side of the magnetic tape cartridge 10.

また、以下の説明では、説明の便宜上、図1において、矢印A方向と直交する矢印B方向を右方向とし、磁気テープカートリッジ10の右方向の側を磁気テープカートリッジ10の右側とする。以下の構造上の説明において、「右」とは、磁気テープカートリッジ10の右側を指す In the following description, for convenience of explanation, the direction of arrow B perpendicular to the direction of arrow A in FIG. In the following structural description, "right" refers to the right side of the magnetic tape cartridge 10.

また、以下の説明では、説明の便宜上、図1において、矢印A方向及び矢印B方向と直交する方向を矢印Cで示し、矢印C方向を磁気テープカートリッジ10の上方向とし、磁気テープカートリッジ10の上方向の側を磁気テープカートリッジ10の上側とする。以下の説明において、以下の構造上の説明において、「上」とは、磁気テープカートリッジ10の上側を指す。 In the following description, for convenience of explanation, the direction perpendicular to the arrow A direction and the arrow B direction in FIG. The upward side is the upper side of the magnetic tape cartridge 10. In the following description, in the following structural description, "upper" refers to the upper side of the magnetic tape cartridge 10.

また、以下の説明では、説明の便宜上、図1において、磁気テープカートリッジ10の前方向と逆の方向を磁気テープカートリッジ10の後方向とし、磁気テープカートリッジ10の後方向の側を、磁気テープカートリッジ10の後側とする。以下の構造上の説明において、「後」とは、磁気テープカートリッジ10の後側を指す。 In the following description, for convenience of explanation, the direction opposite to the front direction of the magnetic tape cartridge 10 in FIG. 10 on the rear side. In the following structural description, "rear" refers to the rear side of the magnetic tape cartridge 10.

また、以下の説明では、説明の便宜上、図1において、磁気テープカートリッジ10の上方向と逆の方向を磁気テープカートリッジ10の下方向とし、磁気テープカートリッジ10の下方向の側を磁気テープカートリッジ10の下側とする。以下の構造上の説明において、「下」とは、磁気テープカートリッジ10の下側を指す。 In the following description, for convenience of explanation, the direction opposite to the upward direction of the magnetic tape cartridge 10 in FIG. The lower side of In the following structural description, "lower" refers to the lower side of the magnetic tape cartridge 10.

また、以下の説明では、磁気テープカートリッジ10の仕様としてLTOを例に挙げて説明する。また、以下の説明では、本開示の技術に係るLTOに対して、下記の表1に示す仕様が適用されていることを前提として説明するが、これはあくまでも一例に過ぎず、IBM3592の磁気テープカートリッジの仕様に準じていてもよい。 In the following description, LTO will be used as an example of the specifications of the magnetic tape cartridge 10. In addition, in the following explanation, it is assumed that the specifications shown in Table 1 below are applied to the LTO according to the technology of the present disclosure, but this is just an example, and the IBM3592 magnetic tape It may be based on the specifications of the cartridge.


表1において、「REQA~SELCET系」とは、後述のポーリングコマンドを意味する。「REQA~SELCET系」には、少なくとも“Request A”というコマンド、“Request SN”というコマンド、及び“Select”というコマンドが含まれている。“Request A”は、カートリッジメモリに対して、如何なるタイプのカートリッジメモリであるかを問い合わせるコマンドである。本実施形態において“Request A”は、1種類であるが、これに限らず、複数種類であってもよい。“Request SN”は、カートリッジメモリに対して、シリアルナンバーを問い合わせるコマンドである。“Select”は、カートリッジメモリに対して読み書きの準備を予告するコマンドである。READ系は、後述の読出コマンドに相当するコマンドである。WRITE系は、後述の書込コマンドに相当するコマンドである。 In Table 1, "REQA to SELCET series" means polling commands described later. The "REQA to SELCET system" includes at least the command "Request A", the command "Request SN", and the command "Select". “Request A” is a command that inquires of the cartridge memory as to what type of cartridge memory it is. In this embodiment, there is one type of "Request A", but the number is not limited to this, and there may be multiple types. “Request SN” is a command to inquire about the serial number of the cartridge memory. “Select” is a command that foretells preparation for reading and writing to the cartridge memory. The READ system is a command corresponding to a read command described later. The WRITE type is a command corresponding to a write command described later.

[第1実施形態]
一例として図1に示すように、磁気テープカートリッジ10は、平面視略矩形であり、かつ、箱状のケース12を備えている。ケース12は、ポリカーボネート等の樹脂製であり、上ケース14及び下ケース16を備えている。上ケース14及び下ケース16は、上ケース14の下周縁面と下ケース16の上周縁面とを接触させた状態で、溶着(例えば、超音波溶着)及びビス止めによって接合されている。接合方法は、溶着及びビス止めに限らず、他の接合方法であってもよい。なお、磁気テープカートリッジ10は、本開示の技術に係る「磁気テープカートリッジ」の一例である。
[First embodiment]
As an example, as shown in FIG. 1, a magnetic tape cartridge 10 is substantially rectangular in plan view and includes a box-shaped case 12. As shown in FIG. The case 12 is made of resin such as polycarbonate, and includes an upper case 14 and a lower case 16. The upper case 14 and the lower case 16 are joined by welding (for example, ultrasonic welding) and screwing, with the lower peripheral surface of the upper case 14 and the upper peripheral surface of the lower case 16 in contact with each other. The joining method is not limited to welding and screwing, but may be other joining methods. Note that the magnetic tape cartridge 10 is an example of a "magnetic tape cartridge" according to the technology of the present disclosure.

ケース12の内部には、カートリッジリール18が回転可能に収容されている。カートリッジリール18は、リールハブ18A、上フランジ18B1、及び下フランジ18B2を備えている。リールハブ18Aは、円筒状に形成されている。リールハブ18Aは、カートリッジリール18の軸心部であり、軸心方向がケース12の上下方向に沿っており、ケース12の中央部に配置されている。上フランジ18B1及び下フランジ18B2の各々は円環状に形成されている。リールハブ18Aの上端部には上フランジ18B1の平面視中央部が固定されており、リールハブ18Aの下端部には下フランジ18B2の平面視中央部が固定されている。リールハブ18Aの外周面には、磁気テープMTが巻き回されており、磁気テープMTの幅方向の端部は上フランジ18B1及び下フランジ18B2によって保持されている。なお、リールハブ18A及び下フランジ18B2は一体として成型されていてもよい。磁気テープMTは、本開示の技術に係る「磁気テープ」の一例である。 A cartridge reel 18 is rotatably housed inside the case 12. The cartridge reel 18 includes a reel hub 18A, an upper flange 18B1, and a lower flange 18B2. The reel hub 18A is formed into a cylindrical shape. The reel hub 18A is the axial center of the cartridge reel 18, the axial direction thereof is along the vertical direction of the case 12, and the reel hub 18A is disposed at the center of the case 12. Each of the upper flange 18B1 and the lower flange 18B2 is formed in an annular shape. A central portion of an upper flange 18B1 in plan view is fixed to the upper end of the reel hub 18A, and a central portion of a lower flange 18B2 in plan view is fixed to the lower end of the reel hub 18A. A magnetic tape MT is wound around the outer peripheral surface of the reel hub 18A, and widthwise ends of the magnetic tape MT are held by an upper flange 18B1 and a lower flange 18B2. Note that the reel hub 18A and the lower flange 18B2 may be integrally molded. The magnetic tape MT is an example of a "magnetic tape" according to the technology of the present disclosure.

ケース12の右壁12Aの前側には、開口12Bが形成されている。磁気テープMTは、開口12Bから引き出される。 An opening 12B is formed in the front side of the right wall 12A of the case 12. The magnetic tape MT is pulled out from the opening 12B.

一例として図2に示すように、下ケース16の右後端部には、カートリッジメモリ19が収容されている。カートリッジメモリ19は、本開示の技術に係る「非接触式通信媒体」の一例である。本実施形態では、いわゆるパッシブ型のRFIDタグがカートリッジメモリ19として採用されている。 As an example, as shown in FIG. 2, a cartridge memory 19 is housed in the right rear end of the lower case 16. The cartridge memory 19 is an example of a "non-contact communication medium" according to the technology of the present disclosure. In this embodiment, a so-called passive RFID tag is employed as the cartridge memory 19.

カートリッジメモリ19には、管理情報100(図10参照)が記憶されている。管理情報100は、磁気テープカートリッジ10を管理する情報である。管理情報100としては、例えば、磁気テープカートリッジ10を特定可能な識別情報、磁気テープMTの記録容量、磁気テープMTに記録されている情報(以下、「記録情報」とも称する)の概要、記録情報の項目、及び記録情報の記録形式等を示す情報が挙げられる。なお、管理情報100は、本開示の技術に係る「第1情報」、「第2情報」、及び「磁気テープに関する情報」の一例である。 The cartridge memory 19 stores management information 100 (see FIG. 10). The management information 100 is information for managing the magnetic tape cartridge 10. The management information 100 includes, for example, identification information that can identify the magnetic tape cartridge 10, the recording capacity of the magnetic tape MT, a summary of information recorded on the magnetic tape MT (hereinafter also referred to as "recorded information"), and recorded information. and information indicating the recording format of recorded information. Note that the management information 100 is an example of "first information", "second information", and "information regarding magnetic tape" according to the technology of the present disclosure.

カートリッジメモリ19は、非接触式で外部装置(図示省略)と通信を行う。外部装置としては、例えば、磁気テープカートリッジ10の生産工程で使用される読み書き装置、及び、磁気テープドライブ(例えば、図4に示す磁気テープドライブ30)内で使用される読み書き装置(例えば、図4~図6に示す非接触式読み書き装置50)が挙げられる。 The cartridge memory 19 communicates with an external device (not shown) in a non-contact manner. External devices include, for example, a read/write device used in the production process of the magnetic tape cartridge 10, and a read/write device used in a magnetic tape drive (for example, the magnetic tape drive 30 shown in FIG. 4) (for example, the read/write device shown in FIG. - Non-contact reading/writing device 50) shown in FIG.

外部装置は、カートリッジメモリ19に対して、非接触式で各種情報の読み書きを行う。詳しくは後述するが、カートリッジメモリ19は、外部装置から与えられた磁界に対して電磁的に作用することで電力を生成する。そして、カートリッジメモリ19は、生成した電力を用いて作動し、磁界を介して外部装置と通信を行うことで外部装置との間で各種情報の授受を行う。なお、通信方式は、例えば、ISO14443又はISO18092等の公知の規格に準じる方式であってもよいし、ECMA319のLTO仕様に準じる方式等であってもよい。 The external device reads and writes various information to and from the cartridge memory 19 in a non-contact manner. As will be described in detail later, the cartridge memory 19 generates electric power by electromagnetically acting on a magnetic field applied from an external device. The cartridge memory 19 operates using the generated electric power and communicates with the external device via a magnetic field, thereby exchanging various information with the external device. Note that the communication method may be, for example, a method based on a known standard such as ISO14443 or ISO18092, or may be a method based on the LTO specification of ECMA319.

一例として図2に示すように、下ケース16の右後端部の底板16Aの内面には、支持部材20が設けられている。支持部材20は、カートリッジメモリ19を傾斜させた状態で下方から支持する一対の傾斜台である。一対の傾斜台は、第1傾斜台20A及び第2傾斜台20Bである。第1傾斜台20A及び第2傾斜台20Bは、ケース12の左右方向に間隔を隔てて配置されており、下ケース16の後壁16Bの内面及び底板16Aの内面に一体化されている。第1傾斜台20Aは、傾斜面20A1を有しており、傾斜面20A1は、後壁16Bの内面から底板16Aの内面に向けて下り傾斜している。また、傾斜面20B1も、後壁16Bの内面から底板16Aの内面に向けて下り傾斜している。 As an example, as shown in FIG. 2, a support member 20 is provided on the inner surface of the bottom plate 16A at the right rear end of the lower case 16. The support members 20 are a pair of inclined tables that support the cartridge memory 19 from below in an inclined state. The pair of ramps is a first ramp 20A and a second ramp 20B. The first inclined table 20A and the second inclined table 20B are arranged at intervals in the left-right direction of the case 12, and are integrated with the inner surface of the rear wall 16B and the inner surface of the bottom plate 16A of the lower case 16. The first inclined table 20A has an inclined surface 20A1, and the inclined surface 20A1 is inclined downward from the inner surface of the rear wall 16B toward the inner surface of the bottom plate 16A. Further, the inclined surface 20B1 is also inclined downward from the inner surface of the rear wall 16B toward the inner surface of the bottom plate 16A.

支持部材20の前方側には、一対の位置規制リブ22が左右方向に間隔を隔てて配置されている。一対の位置規制リブ22は、底板16Aの内面に立設されており、支持部材20に配置された状態のカートリッジメモリ19の下端部の位置を規制する。 On the front side of the support member 20, a pair of position regulating ribs 22 are arranged at intervals in the left-right direction. A pair of position regulating ribs 22 are provided upright on the inner surface of the bottom plate 16A, and regulate the position of the lower end of the cartridge memory 19 placed on the support member 20.

一例として図3に示すように、底板16Aの外面には基準面16A1が形成されている。基準面16A1は、平面である。ここで、平面とは、底板16Aを下側にして下ケース16を水平面に置いた場合において、水平面に対して平行な面を指す。支持部材20の傾斜角度θ、すなわち、傾斜面20A1及び傾斜面20B1の傾斜角は、基準面16A1に対して45度である。なお、45度は、あくまでも一例に過ぎず、“0度<傾斜角度θ<45度”であってもよいし、45度以上であってもよい。 As an example, as shown in FIG. 3, a reference surface 16A1 is formed on the outer surface of the bottom plate 16A. The reference surface 16A1 is a plane. Here, the plane refers to a plane parallel to a horizontal plane when the lower case 16 is placed on a horizontal plane with the bottom plate 16A facing downward. The inclination angle θ of the support member 20, that is, the inclination angle of the inclined surface 20A1 and the inclined surface 20B1, is 45 degrees with respect to the reference surface 16A1. Note that 45 degrees is just an example, and may be "0 degrees < inclination angle θ < 45 degrees" or may be 45 degrees or more.

カートリッジメモリ19は、基板26を備えている。基板26は、基板26の裏面26Aを下側に向けて支持部材20上に置かれ、支持部材20は、基板26の裏面26Aを下方から支持する。基板26の裏面26Aの一部は、支持部材20の傾斜面、すなわち、傾斜面20A1及び20B1に接触しており、基板26の表面26Bは、天板14Aの内面14A1側に露出している。 The cartridge memory 19 includes a substrate 26. The substrate 26 is placed on the support member 20 with the back surface 26A of the substrate 26 facing downward, and the support member 20 supports the back surface 26A of the substrate 26 from below. A portion of the back surface 26A of the substrate 26 is in contact with the inclined surfaces of the support member 20, that is, the inclined surfaces 20A1 and 20B1, and the front surface 26B of the substrate 26 is exposed on the inner surface 14A1 side of the top plate 14A.

上ケース14は、複数のリブ24を備えている。複数のリブ24は、ケース12の左右方向に間隔を隔てて配置されている。複数のリブ24は、上ケース14の天板14Aの内面14A1から下側に突設されており、各リブ24の先端面24Aは、傾斜面20A1及び20B1に対応した傾斜面を有する。すなわち、各リブ24の先端面24Aは、基準面16A1に対して45度に傾斜している。 The upper case 14 includes a plurality of ribs 24. The plurality of ribs 24 are arranged at intervals in the left-right direction of the case 12. The plurality of ribs 24 protrude downward from the inner surface 14A1 of the top plate 14A of the upper case 14, and the tip end surface 24A of each rib 24 has an inclined surface corresponding to the inclined surfaces 20A1 and 20B1. That is, the tip surface 24A of each rib 24 is inclined at 45 degrees with respect to the reference surface 16A1.

カートリッジメモリ19が支持部材20に配置された状態で、上述したように上ケース14が下ケース16に接合されると、各リブ24の先端面24Aは、基板26に対して表面26B側から接触し、基板26は、各リブ24の先端面24Aと支持部材20の傾斜面とで挟み込まれる。これにより、カートリッジメモリ19の上下方向の位置がリブ24によって規制される。 When the upper case 14 is joined to the lower case 16 as described above with the cartridge memory 19 disposed on the support member 20, the tip surface 24A of each rib 24 comes into contact with the substrate 26 from the surface 26B side. However, the substrate 26 is sandwiched between the tip surface 24A of each rib 24 and the inclined surface of the support member 20. As a result, the vertical position of the cartridge memory 19 is regulated by the ribs 24.

一例として図4に示すように、磁気テープドライブ30は、搬送装置34、読取ヘッド36、及び制御装置38を備えている。磁気テープドライブ30には、磁気テープカートリッジ10が装填される。磁気テープドライブ30は、磁気テープカートリッジ10から磁気テープMTが引き出され、引き出された磁気テープMTから読取ヘッド36を用いて記録情報をリニアサーペンタイン方式で読み取る装置である。なお、本実施形態において、記録情報の読み取りとは、換言すると、記録情報の再生を指す。 As an example, as shown in FIG. 4, a magnetic tape drive 30 includes a transport device 34, a read head 36, and a control device 38. The magnetic tape cartridge 10 is loaded into the magnetic tape drive 30. The magnetic tape drive 30 is a device that extracts the magnetic tape MT from the magnetic tape cartridge 10 and reads recorded information from the extracted magnetic tape MT using a read head 36 in a linear serpentine method. Note that in this embodiment, reading recorded information refers to reproduction of recorded information in other words.

制御装置38は、磁気テープドライブ30の全体を制御する。本実施形態において、制御装置38は、ASICによって実現されているが、本開示の技術はこれに限定されない。例えば、制御装置38は、FPGAによって実現されるようにしてもよい。また、制御装置38は、CPU、ROM、及びRAMを含むコンピュータによって実現されるようにしてもよい。また、AISC、FPGA、及びコンピュータのうちの2つ以上を組み合わせて実現されるようにしてもよい。すなわち、制御装置38は、ハードウェア構成とソフトウェア構成との組み合わせによって実現されるようにしてもよい。 The control device 38 controls the entire magnetic tape drive 30. In this embodiment, the control device 38 is realized by an ASIC, but the technology of the present disclosure is not limited to this. For example, the control device 38 may be realized by an FPGA. Further, the control device 38 may be realized by a computer including a CPU, ROM, and RAM. Further, it may be realized by combining two or more of AISC, FPGA, and computer. That is, the control device 38 may be realized by a combination of a hardware configuration and a software configuration.

搬送装置34は、磁気テープMTを順方向及び逆方向に選択的に搬送する装置であり、送出モータ40、巻取リール42、巻取モータ44、複数のガイドローラGR、及び制御装置38を備えている。 The conveyance device 34 is a device that selectively conveys the magnetic tape MT in the forward direction and the reverse direction, and includes a delivery motor 40, a take-up reel 42, a take-up motor 44, a plurality of guide rollers GR, and a control device 38. ing.

送出モータ40は、制御装置38の制御下で、磁気テープカートリッジ10内のカートリッジリール18を回転駆動させる。制御装置38は、送出モータ40を制御することで、カートリッジリール18の回転方向、回転速度、及び回転トルク等を制御する。 The feed motor 40 rotates the cartridge reel 18 within the magnetic tape cartridge 10 under the control of the control device 38 . The control device 38 controls the rotational direction, rotational speed, rotational torque, etc. of the cartridge reel 18 by controlling the delivery motor 40 .

巻取モータ44は、制御装置38の制御下で、巻取リール42を回転駆動させる。制御装置38は、巻取モータ44を制御することで、巻取リール42の回転方向、回転速度、及び回転トルク等を制御する。 The take-up motor 44 rotates the take-up reel 42 under the control of the control device 38 . The control device 38 controls the rotation direction, rotation speed, rotation torque, etc. of the take-up reel 42 by controlling the take-up motor 44 .

磁気テープMTが巻取リール42によって巻き取られる場合には、制御装置38によって、磁気テープMTを順方向に走行させるように送出モータ40及び巻取モータ44を回転させる。送出モータ40及び巻取モータ44の回転速度及び回転トルク等は、巻取リール42によって巻き取られる磁気テープMTの速度に応じて調整される。 When the magnetic tape MT is taken up by the take-up reel 42, the control device 38 rotates the feed motor 40 and the take-up motor 44 so as to run the magnetic tape MT in the forward direction. The rotational speed, rotational torque, etc. of the delivery motor 40 and the take-up motor 44 are adjusted according to the speed of the magnetic tape MT being wound by the take-up reel 42.

磁気テープMTがカートリッジリール18に巻き戻される場合には、制御装置38によって、磁気テープMTを逆方向に走行させるように送出モータ40及び巻取モータ44を回転させる。送出モータ40及び巻取モータ44の回転速度及び回転トルク等は、巻取リール42によって巻き取られる磁気テープMTの速度に応じて調整される。 When the magnetic tape MT is rewound onto the cartridge reel 18, the control device 38 rotates the feed motor 40 and the take-up motor 44 so as to run the magnetic tape MT in the opposite direction. The rotational speed, rotational torque, etc. of the delivery motor 40 and the take-up motor 44 are adjusted according to the speed of the magnetic tape MT being wound by the take-up reel 42.

このようにして送出モータ40及び巻取モータ44の各々の回転速度及び回転トルク等が調整されることで、磁気テープMTに既定範囲内の張力が付与される。ここで、既定範囲内とは、例えば、磁気テープMTから読取ヘッド36によってデータが読取可能な張力の範囲として、コンピュータ・シミュレーション及び/又は実機による試験等により得られた張力の範囲を指す。 By adjusting the rotational speed, rotational torque, etc. of each of the delivery motor 40 and the take-up motor 44 in this manner, tension within a predetermined range is applied to the magnetic tape MT. Here, "within a predetermined range" refers to, for example, a tension range obtained through computer simulation and/or testing using an actual machine, as a tension range in which data can be read from the magnetic tape MT by the read head 36.

本実施形態では、送出モータ40及び巻取モータ44の回転速度及び回転トルク等が制御されることにより磁気テープMTの張力が制御されているが、本開示の技術はこれに限定されない。例えば、磁気テープMTの張力は、ダンサローラを用いて制御されてもよいし、バキュームチャンバに磁気テープMTを引き込むことによって制御されるようにしてもよい。 In this embodiment, the tension of the magnetic tape MT is controlled by controlling the rotational speed, rotational torque, etc. of the delivery motor 40 and the take-up motor 44, but the technology of the present disclosure is not limited to this. For example, the tension of the magnetic tape MT may be controlled using a dancer roller or by drawing the magnetic tape MT into a vacuum chamber.

複数のガイドローラGRの各々は、磁気テープMTを案内するローラである。磁気テープMTの走行経路は、複数のガイドローラGRが磁気テープカートリッジ10と巻取リール42との間において読取ヘッド36を跨ぐ位置に分けて配置されることによって定められている。 Each of the plurality of guide rollers GR is a roller that guides the magnetic tape MT. The travel path of the magnetic tape MT is determined by a plurality of guide rollers GR being separately arranged at positions straddling the reading head 36 between the magnetic tape cartridge 10 and the take-up reel 42.

読取ヘッド36は、読取素子46及びホルダ48を備えている。読取素子46は、走行中の磁気テープMTに接触するようにホルダ48によって保持されており、搬送装置34によって搬送される磁気テープMTから記録情報を読み取る。 The reading head 36 includes a reading element 46 and a holder 48. The reading element 46 is held by a holder 48 so as to be in contact with the running magnetic tape MT, and reads recorded information from the magnetic tape MT transported by the transport device 34.

磁気テープドライブ30は、非接触式読み書き装置50を備えている。非接触式読み書き装置50は、本開示の技術に係る「通信先」及び「通信装置」の一例である。非接触式読み書き装置50は、磁気テープカートリッジ10が装填された状態の磁気テープカートリッジ10の下側にてカートリッジメモリ19の裏面26Aに正対するように配置されている。なお、磁気テープカートリッジ10が磁気テープドライブ30に装填された状態とは、例えば、磁気テープカートリッジ10が読取ヘッド36による磁気テープMTに対する記録情報の読み取りを開始する位置として事前に定められた位置に到達した状態を指す。 The magnetic tape drive 30 includes a non-contact reading/writing device 50. The non-contact reading/writing device 50 is an example of a "communication destination" and a "communication device" according to the technology of the present disclosure. The non-contact read/write device 50 is disposed below the magnetic tape cartridge 10 loaded with the magnetic tape cartridge 10 so as to directly face the back surface 26A of the cartridge memory 19. Note that the state in which the magnetic tape cartridge 10 is loaded into the magnetic tape drive 30 means, for example, that the magnetic tape cartridge 10 is at a predetermined position where the reading head 36 starts reading recorded information from the magnetic tape MT. Refers to the state reached.

一例として図5に示すように、非接触式読み書き装置50は、磁気テープカートリッジ10の下側からカートリッジメモリ19に向けて磁界MFを放出する。磁界MFは、カートリッジメモリ19を貫通する。なお、磁界MFは、本開示の技術に係る「外部磁界」の一例である。 As an example, as shown in FIG. 5, the non-contact read/write device 50 emits a magnetic field MF from the underside of the magnetic tape cartridge 10 toward the cartridge memory 19. The magnetic field MF penetrates the cartridge memory 19. Note that the magnetic field MF is an example of an "external magnetic field" according to the technology of the present disclosure.

一例として図6に示すように、非接触式読み書き装置50は、制御装置38に接続されている。制御装置38は、カートリッジメモリ19を制御する制御信号を非接触式読み書き装置50に出力する。非接触式読み書き装置50は、制御装置38から入力された制御信号に従って、磁界MFをカートリッジメモリ19に向けて放出する。磁界MFは、カートリッジメモリ19の裏面26A側から表面26B側に貫通する。 As an example, as shown in FIG. 6, a non-contact reading/writing device 50 is connected to a control device 38. The control device 38 outputs a control signal for controlling the cartridge memory 19 to the non-contact reading/writing device 50 . The non-contact reading/writing device 50 emits a magnetic field MF toward the cartridge memory 19 according to a control signal input from the control device 38 . The magnetic field MF penetrates from the back surface 26A side of the cartridge memory 19 to the front surface 26B side.

非接触式読み書き装置50は、制御装置38の制御下で、コマンド信号をカートリッジメモリ19に空間伝送する。詳しく後述するが、コマンド信号は、カートリッジメモリ19に対する指令を示す信号である。コマンド信号が非接触式読み書き装置50からカートリッジメモリ19に空間伝送される場合、磁界MFには、制御装置38からの指示に従って非接触式読み書き装置50によってコマンド信号が含まれる。換言すると、磁界MFには、コマンド信号が重畳される。すなわち、非接触式読み書き装置50は、制御装置38の制御下で、磁界MFを介してコマンド信号をカートリッジメモリ19に送信する。なお、コマンド信号は、本開示の技術に係る「コマンド」の一例である。 The non-contact read/write device 50 spatially transmits command signals to the cartridge memory 19 under the control of the controller 38 . As will be described in detail later, the command signal is a signal indicating a command to the cartridge memory 19. When a command signal is spatially transmitted from the non-contact reading/writing device 50 to the cartridge memory 19, the magnetic field MF includes the command signal by the non-contact reading/writing device 50 according to instructions from the control device 38. In other words, the command signal is superimposed on the magnetic field MF. That is, the non-contact reading/writing device 50 transmits a command signal to the cartridge memory 19 via the magnetic field MF under the control of the control device 38. Note that the command signal is an example of a "command" according to the technology of the present disclosure.

カートリッジメモリ19の表面26Bには、ICチップ52及びコンデンサ54が搭載されている。ICチップ52及びコンデンサ54は、表面26Bに接着されている。また、カートリッジメモリ19の表面26Bにおいて、ICチップ52及びコンデンサ54は封止材56によって封止されている。ここでは、封止材56として、紫外線に反応して硬化する紫外線硬化樹脂が採用されている。なお、紫外線硬化樹脂は、あくまでも一例に過ぎず、紫外線以外の波長域の光に反応して効果する光硬化樹脂を封止材56として使用してもよいし、熱硬化性樹脂を封止材56として使用してもよいし、接着剤を封止材56として使用してもよい。 An IC chip 52 and a capacitor 54 are mounted on the surface 26B of the cartridge memory 19. IC chip 52 and capacitor 54 are adhered to surface 26B. Further, on the surface 26B of the cartridge memory 19, the IC chip 52 and the capacitor 54 are sealed with a sealant 56. Here, as the sealing material 56, an ultraviolet curing resin that cures in response to ultraviolet light is used. Note that the ultraviolet curing resin is just one example, and a photocuring resin that reacts to light in a wavelength range other than ultraviolet rays may be used as the encapsulant 56, or a thermosetting resin may be used as the encapsulant. Alternatively, an adhesive may be used as the sealant 56.

一例として図7に示すように、カートリッジメモリ19の裏面26Aには、コイル60がループ状に形成されている。ここでは、コイル60の素材として、銅箔が採用されている。銅箔は、あくまでも一例に過ぎず、例えば、アルミニウム箔等の他種類の導電性素材であってもよい。コイル60は、非接触式読み書き装置50から与えられた磁界MF(図5及び図6参照)が作用することで誘導電流を誘起する。なお、コイル60は、本開示の技術に係る「コイル」の一例である。 As an example, as shown in FIG. 7, a coil 60 is formed in a loop shape on the back surface 26A of the cartridge memory 19. Here, copper foil is used as the material for the coil 60. Copper foil is just one example, and other types of conductive materials such as aluminum foil may also be used. The coil 60 induces an induced current when a magnetic field MF (see FIGS. 5 and 6) applied from the non-contact reading/writing device 50 acts on the coil 60. Note that the coil 60 is an example of a "coil" according to the technology of the present disclosure.

カートリッジメモリ19の裏面26Aには、第1導通部62A及び第2導通部62Bが設けられている。第1導通部62A及び第2導通部62Bは、はんだを有しており、表面26BのICチップ52(図6及び図8参照)及びコンデンサ54(図6及び図8参照)に対してコイル60の両端部を電気的に接続している。 A first conductive portion 62A and a second conductive portion 62B are provided on the back surface 26A of the cartridge memory 19. The first conductive portion 62A and the second conductive portion 62B have solder, and the coil 60 is connected to the IC chip 52 (see FIGS. 6 and 8) and the capacitor 54 (see FIGS. 6 and 8) on the surface 26B. Both ends are electrically connected.

一例として図8に示すように、カートリッジメモリ19の表面26Bにおいて、ICチップ52及びコンデンサ54は、ワイヤ接続方式で互いに電気的に接続されている。具体的には、ICチップ52の正極端子及び負極端子のうちの一方の端子が配線64Aを介して第1導通部62Aに接続されており、他方の端子が配線64Bを介して第2導通部62Bに接続されている。また、コンデンサ54は、一対の電極を有する。図8に示す例では、一対の電極は、電極54A及び54Bである。電極54Aは、配線64Cを介して第1導通部62Aに接続されており、電極54Bは、配線64Dを介して第2導通部62Bに接続されている。これにより、コイル60に対して、ICチップ52及びコンデンサ54は並列に接続される。 As an example, as shown in FIG. 8, on the surface 26B of the cartridge memory 19, the IC chip 52 and the capacitor 54 are electrically connected to each other by a wire connection method. Specifically, one terminal of the positive terminal and negative terminal of the IC chip 52 is connected to the first conductive portion 62A via the wiring 64A, and the other terminal is connected to the second conductive portion via the wiring 64B. 62B. Further, the capacitor 54 has a pair of electrodes. In the example shown in FIG. 8, the pair of electrodes are electrodes 54A and 54B. The electrode 54A is connected to the first conducting part 62A via a wiring 64C, and the electrode 54B is connected to the second conducting part 62B via a wiring 64D. Thereby, the IC chip 52 and the capacitor 54 are connected in parallel to the coil 60.

一例として図9に示すように、ICチップ52は、内蔵コンデンサ80、電源回路82、コンピュータ84、クロック信号生成器86、信号処理回路88、及び磁界強度測定回路90を備えている。ICチップ52は、磁気テープカートリッジ10以外の用途にも使用可能な汎用タイプのICチップであり、磁気テープカートリッジ用プログラムがインストールされることによって磁気テープカートリッジ用演算装置として機能する。なお、磁気テープカートリッジ用プログラムの一例としては、後述の動作モード設定処理プログラム102が挙げられる。また、クロック信号生成器86は、本開示の技術に係る「クロック信号生成器」の一例である。 As an example, as shown in FIG. 9, the IC chip 52 includes a built-in capacitor 80, a power supply circuit 82, a computer 84, a clock signal generator 86, a signal processing circuit 88, and a magnetic field strength measurement circuit 90. The IC chip 52 is a general-purpose IC chip that can be used for purposes other than the magnetic tape cartridge 10, and functions as an arithmetic unit for the magnetic tape cartridge by installing a program for the magnetic tape cartridge. Note that an example of the magnetic tape cartridge program is an operation mode setting processing program 102, which will be described later. Further, the clock signal generator 86 is an example of a "clock signal generator" according to the technology of the present disclosure.

また、カートリッジメモリ19は、電力生成器70を備えている。電力生成器70は、非接触式読み書き装置50から与えられた磁界MFがコイル60に対して作用することで電力を生成する。具体的には、電力生成器70は、共振回路92を用いて交流電力を生成し、生成した交流電力を直流電力に変換して出力する。なお、電力生成器70は、本開示の技術に係る「電力生成器」の一例である。 The cartridge memory 19 also includes a power generator 70 . The power generator 70 generates power by the magnetic field MF applied from the non-contact reading/writing device 50 acting on the coil 60 . Specifically, the power generator 70 generates AC power using the resonant circuit 92, converts the generated AC power into DC power, and outputs the DC power. Note that the power generator 70 is an example of a "power generator" according to the technology of the present disclosure.

電力生成器70は、共振回路92及び電源回路82を有する。共振回路92は、コンデンサ54、コイル60、及び内蔵コンデンサ80を備えている。内蔵コンデンサ80は、ICチップ52に内蔵されているコンデンサであり、電源回路82もICチップ52に内蔵されている回路である。内蔵コンデンサ80は、コイル60に対して並列に接続されている。 Power generator 70 has a resonant circuit 92 and a power supply circuit 82. The resonant circuit 92 includes a capacitor 54, a coil 60, and a built-in capacitor 80. The built-in capacitor 80 is a capacitor built into the IC chip 52, and the power supply circuit 82 is also a circuit built into the IC chip 52. Built-in capacitor 80 is connected in parallel to coil 60.

コンデンサ54は、ICチップ52に対して外付けされたコンデンサである。ICチップ52は、本来、磁気テープカートリッジ10とは異なる用途でも用いることが可能な汎用のICチップである。そのため、内蔵コンデンサ80の容量は、磁気テープカートリッジ10で用いられるカートリッジメモリ19で要求される共振周波数を実現するには不足している場合がある。そこで、カートリッジメモリ19では、磁界MFが作用することで共振回路92を予め定められた共振周波数で共振させる上で必要な容量値を有するコンデンサとして、ICチップ52に対してコンデンサ54が後付けされている。なお、予め定められた共振周波数に相当する周波数は、例えば、13.56MHzであり、カートリッジメモリ19及び/又は非接触式読み書き装置50の仕様等によって適宜決定されればよい。また、コンデンサ54の容量は、内蔵コンデンサ80の容量の実測値に基づいて定められている。 The capacitor 54 is a capacitor externally attached to the IC chip 52. The IC chip 52 is originally a general-purpose IC chip that can be used for purposes other than the magnetic tape cartridge 10. Therefore, the capacity of the built-in capacitor 80 may be insufficient to realize the resonant frequency required by the cartridge memory 19 used in the magnetic tape cartridge 10. Therefore, in the cartridge memory 19, a capacitor 54 is retrofitted to the IC chip 52 as a capacitor having a capacitance value necessary for causing the resonant circuit 92 to resonate at a predetermined resonant frequency by the action of the magnetic field MF. There is. Note that the frequency corresponding to the predetermined resonance frequency is, for example, 13.56 MHz, and may be determined as appropriate based on the specifications of the cartridge memory 19 and/or the non-contact reading/writing device 50. Further, the capacitance of the capacitor 54 is determined based on the actually measured value of the capacitance of the built-in capacitor 80.

共振回路92は、磁界MFがコイル60を貫通することでコイル60によって誘起された誘導電流を用いて、予め定められた共振周波数の共振現象を発生させることで交流電力を生成し、生成した交流電力を電源回路82に出力する。 The resonant circuit 92 generates AC power by generating a resonance phenomenon of a predetermined resonance frequency using an induced current induced by the coil 60 when the magnetic field MF passes through the coil 60. Power is output to the power supply circuit 82.

電源回路82は、整流回路及び平滑回路等を有する。整流回路は、複数のダイオードを有する全波整流回路である。全波整流回路は、あくまでも一例に過ぎず、半波整流回路であってもよい。平滑回路は、コンデンサ及び抵抗を含んで構成されている。電源回路82は、共振回路92から入力された交流電力を直流電力に変換し、変換して得た直流電力(以下、単に「電力」とも称する)をICチップ52内の各種の駆動素子に供給する。各種の駆動素子としては、コンピュータ84、クロック信号生成器86、信号処理回路88、及び磁界強度測定回路90が挙げられる。このように、ICチップ52内の各種の駆動素子に対して電力が電力生成器70によって供給されることで、ICチップ52は、電力生成器70によって生成された電力を用いて動作する。 The power supply circuit 82 includes a rectifier circuit, a smoothing circuit, and the like. The rectifier circuit is a full wave rectifier circuit having multiple diodes. The full-wave rectifier circuit is just an example, and a half-wave rectifier circuit may also be used. The smoothing circuit includes a capacitor and a resistor. The power supply circuit 82 converts the AC power input from the resonance circuit 92 into DC power, and supplies the DC power obtained by the conversion (hereinafter also simply referred to as "power") to various driving elements in the IC chip 52. do. The various driving elements include a computer 84, a clock signal generator 86, a signal processing circuit 88, and a magnetic field strength measuring circuit 90. In this manner, the power generator 70 supplies power to the various driving elements within the IC chip 52, so that the IC chip 52 operates using the power generated by the power generator 70.

コンピュータ84は、本開示の技術に係る「コンピュータ」の一例であり、カートリッジメモリ19の全体を制御する。コンピュータ84は、管理情報100(図10参照)を保持している。 The computer 84 is an example of a "computer" according to the technology of the present disclosure, and controls the entire cartridge memory 19. The computer 84 holds management information 100 (see FIG. 10).

クロック信号生成器86は、クロック信号を生成して各種の駆動素子に出力する。各種の駆動素子は、クロック信号生成器86から入力されたクロック信号に従って動作する。詳しくは後述するが、クロック信号生成器86は、コンピュータ84の指示に従って、クロック信号の周波数(以下、「クロック周波数」とも称する)を変更する。クロック信号生成器86では、基準となるクロック周波数(以下、「基準クロック周波数」と称する)として磁界MFの周波数と同一の周波数が用いられており、基準クロック周波数に基づいて異なるクロック周波数のクロック信号が生成される。本実施形態において、クロック信号生成器86は、第1周波数~第3周波数のクロック信号を選択的に生成する。第1周波数は、基準クロック周波数と同じ周波数であり、第2周波数は、基準クロック周波数の1/2の周波数であり、第3周波数は、基準クロック周波数の1/4の周波数である(図11参照)。つまり、クロック周波数は、第1周波数よりも第2周波数の方が低く、第2周波数よりも第3周波数の方が低い。なお、クロック信号は、本開示の技術に係る「クロック信号」の一例である。 A clock signal generator 86 generates a clock signal and outputs it to various driving elements. The various drive elements operate according to clock signals input from the clock signal generator 86. As will be described in detail later, the clock signal generator 86 changes the frequency of the clock signal (hereinafter also referred to as "clock frequency") according to instructions from the computer 84. The clock signal generator 86 uses the same frequency as the frequency of the magnetic field MF as a reference clock frequency (hereinafter referred to as "reference clock frequency"), and generates a clock signal with a different clock frequency based on the reference clock frequency. is generated. In this embodiment, the clock signal generator 86 selectively generates clock signals of the first to third frequencies. The first frequency is the same frequency as the reference clock frequency, the second frequency is 1/2 the reference clock frequency, and the third frequency is 1/4 the reference clock frequency (Figure 11 reference). That is, the second frequency is lower than the first frequency, and the third frequency is lower than the second frequency. Note that the clock signal is an example of a "clock signal" according to the technology of the present disclosure.

信号処理回路88は、共振回路92に接続されている。信号処理回路88は、復号回路(図示省略)及び符号化回路(図示省略)を有する。信号処理回路88の復号回路は、コイル60によって受信された磁界MFからコマンド信号を抽出して復号し、コンピュータ84に出力する。コンピュータ84は、コマンド信号に対する応答信号を信号処理回路88に出力する。すなわち、コンピュータ84は、信号処理回路88から入力されたコマンド信号に応じた処理を実行し、処理結果を応答信号として信号処理回路88に出力する。信号処理回路88では、コンピュータ84から応答信号が入力されると、信号処理回路88の符号化回路は、応答信号を符号化することで変調して共振回路92に出力する。共振回路92のコイル60は、信号処理回路88の符号化回路から入力された応答信号を、磁界MFを介して非接触式読み書き装置50に送信する。すなわち、カートリッジメモリ19から非接触式読み書き装置50に応答信号が送信される場合、磁界MFには、応答信号が含まれる。換言すると、磁界MFには応答信号が重畳される。 Signal processing circuit 88 is connected to resonant circuit 92 . The signal processing circuit 88 includes a decoding circuit (not shown) and an encoding circuit (not shown). The decoding circuit of the signal processing circuit 88 extracts and decodes a command signal from the magnetic field MF received by the coil 60 and outputs it to the computer 84 . Computer 84 outputs a response signal to the command signal to signal processing circuit 88 . That is, the computer 84 executes processing according to the command signal input from the signal processing circuit 88, and outputs the processing result to the signal processing circuit 88 as a response signal. In the signal processing circuit 88 , when the response signal is input from the computer 84 , the encoding circuit of the signal processing circuit 88 encodes and modulates the response signal and outputs it to the resonance circuit 92 . The coil 60 of the resonant circuit 92 transmits the response signal input from the encoding circuit of the signal processing circuit 88 to the non-contact reading/writing device 50 via the magnetic field MF. That is, when a response signal is transmitted from the cartridge memory 19 to the non-contact type reading/writing device 50, the response signal is included in the magnetic field MF. In other words, the response signal is superimposed on the magnetic field MF.

磁界強度測定回路90は、電源回路82によって生成された電力に基づいて磁界MFの強度を測定する。電源回路82によって生成された電力は、共振回路92に与えられる磁界MFの強度が大きいほど制限範囲内で大きくなる。磁界強度測定回路90は、電源回路82によって生成された電力と共振回路92に与えられる磁界MFの強度との相関に基づいて、電源回路82によって生成された電力に応じた出力レベルの信号を出力する。つまり、磁界強度測定回路90は、電源回路82によって生成された電力を測定し、測定結果に基づいて磁界MFの強度を示す磁界強度信号を生成してコンピュータ84に出力する。これにより、コンピュータ84は、磁界強度測定回路90から入力された磁界強度信号に応じた処理を実行することが可能となる。 The magnetic field strength measurement circuit 90 measures the strength of the magnetic field MF based on the power generated by the power supply circuit 82. The power generated by the power supply circuit 82 increases within a limited range as the strength of the magnetic field MF applied to the resonant circuit 92 increases. The magnetic field strength measurement circuit 90 outputs a signal with an output level corresponding to the power generated by the power supply circuit 82 based on the correlation between the power generated by the power supply circuit 82 and the strength of the magnetic field MF given to the resonance circuit 92. do. That is, the magnetic field strength measuring circuit 90 measures the electric power generated by the power supply circuit 82, generates a magnetic field strength signal indicating the strength of the magnetic field MF based on the measurement result, and outputs it to the computer 84. This allows the computer 84 to execute processing according to the magnetic field strength signal input from the magnetic field strength measuring circuit 90.

一例として図10に示すように、コンピュータ84は、CPU94、NVM96、及びRAM98を備えている。CPU94、NVM96、及びRAM98は、バス99に接続されている。また、バス99には、クロック信号生成器86、信号処理回路88、及び磁界強度測定回路90も接続されている。なお、CPU94は、本開示の技術に係る「プロセッサ」の一例である。 As shown in FIG. 10 as an example, the computer 84 includes a CPU 94, an NVM 96, and a RAM 98. CPU 94 , NVM 96 , and RAM 98 are connected to bus 99 . Also connected to the bus 99 are a clock signal generator 86 , a signal processing circuit 88 , and a magnetic field strength measuring circuit 90 . Note that the CPU 94 is an example of a "processor" according to the technology of the present disclosure.

NVM96は、本開示の技術に係る「第1メモリ」、「第2メモリ」、及び「第3メモリ」の一例である。ここでは、NVM96として、EEPROMが採用されている。EEPROMは、これはあくまでも一例に過ぎず、例えば、EEPROMに代えて強誘電体メモリであってもよく、ICチップ52に搭載可能な不揮発性メモリであれば如何なるメモリであってもよい。 The NVM 96 is an example of a "first memory", a "second memory", and a "third memory" according to the technology of the present disclosure. Here, an EEPROM is employed as the NVM96. The EEPROM is just one example; for example, a ferroelectric memory may be used instead of the EEPROM, and any nonvolatile memory that can be mounted on the IC chip 52 may be used.

NVM96には、管理情報100が記憶されている。CPU94は、信号処理回路88から入力されたコマンド信号に応じて、ポーリング処理、読出処理、及び書込処理を選択的に行う。ポーリング処理は、非接触式読み書き装置50との間で通信を確立する処理であり、例えば、読出処理及び書込処理の前段階の準備処理として行われる。読出処理は、NVM96から管理情報100等を読み出す処理である。書込処理は、NVM96に管理情報100等を書き込む処理である。ポーリング処理、読出処理、及び書込処理(以下、区別して説明する必要がない場合、「各種処理」と称する)は何れも、クロック信号生成器86によって生成されたクロック信号に従ってCPU94によって行われる。すなわち、CPU94は、各種処理をクロック周波数に応じた処理速度で行う。 Management information 100 is stored in the NVM 96. The CPU 94 selectively performs polling processing, reading processing, and writing processing in accordance with command signals input from the signal processing circuit 88 . The polling process is a process of establishing communication with the non-contact reading/writing device 50, and is performed, for example, as a preparatory process before the read process and the write process. The reading process is a process of reading the management information 100 and the like from the NVM 96. The write process is a process for writing the management information 100 and the like into the NVM 96. The polling process, the read process, and the write process (hereinafter referred to as "various processes" unless it is necessary to explain them separately) are all performed by the CPU 94 in accordance with the clock signal generated by the clock signal generator 86. That is, the CPU 94 performs various processes at a processing speed according to the clock frequency.

従って、クロック周波数が高いほど処理速度は速まる。処理速度が速まるということは、CPU94にかかる負荷が大きくなり、消費電力も大きくなる。また、管理情報100等の情報量が多くなるほど、CPU94による読出処理及び書込処理の実行時間が長くなり、電源回路82からCPU94等に供給される電力が不足してしまう虞がある。 Therefore, the higher the clock frequency, the faster the processing speed. An increase in processing speed increases the load placed on the CPU 94 and increases power consumption. Furthermore, as the amount of information such as the management information 100 increases, the time taken for the CPU 94 to execute read processing and write processing becomes longer, and there is a possibility that the power supplied from the power supply circuit 82 to the CPU 94 etc. may become insufficient.

CPU94にかかる負荷が大きくなる一因としては、非接触式読み書き装置50からカートリッジメモリ19に対するコマンド信号の送信が完了してから、カートリッジメモリ19によるコマンド信号に対する応答信号の送信が開始するまでに要する時間(以下、「レスポンスタイム」とも称する)が短くなることが挙げられる。レスポンスタイムが短いいほど、カートリッジメモリ19の高速動作が必要となり、クロック周波数を高くして処理することになると消費電力が大きくなる。なお、一般的に、レスポンスタイムと、非接触式読み書き装置50とカートリッジメモリ19との間の最大通信距離とはトレードオフの関係にあることが知られている。なお、レスポンスタイムは、本開示の技術に係る「レスポンスタイム」の一例である。 One reason for the increased load on the CPU 94 is the time required from the time the non-contact read/write device 50 completes sending a command signal to the cartridge memory 19 until the cartridge memory 19 starts sending a response signal in response to the command signal. One example of this is that the time (hereinafter also referred to as "response time") becomes shorter. The shorter the response time, the faster the cartridge memory 19 must operate, and the higher the clock frequency for processing, the greater the power consumption. It is generally known that there is a trade-off relationship between the response time and the maximum communication distance between the non-contact reading/writing device 50 and the cartridge memory 19. Note that the response time is an example of "response time" according to the technology of the present disclosure.

カートリッジメモリ19では、消費電力の増大を抑制するために、CPU94によって動作モード設定処理が実行される。動作モード設定処理は、レスポンスタイムを、標準的なレスポンスタイムとして予め定められた時間よりも長くする処理である。ここで、標準的なレスポンスタイムとして予め定められた時間は、本開示の技術に係る「第1既定時間」の一例である。以下、動作モード設定処理について説明する。 In the cartridge memory 19, an operation mode setting process is executed by the CPU 94 in order to suppress an increase in power consumption. The operation mode setting process is a process for making the response time longer than a predetermined time as a standard response time. Here, the time predetermined as the standard response time is an example of the "first predetermined time" according to the technology of the present disclosure. The operation mode setting process will be explained below.

NVM96には、動作モード設定処理プログラム102が記憶されている。CPU94は、NVM96から動作モード設定処理プログラム102を読み出し、RAM98上で動作モード設定処理プログラム102を実行する。動作モード設定処理は、CPU94によって動作モード設定処理プログラム102が実行されることで実現される。 The NVM 96 stores an operation mode setting processing program 102. The CPU 94 reads the operating mode setting processing program 102 from the NVM 96 and executes the operating mode setting processing program 102 on the RAM 98. The operation mode setting process is realized by the CPU 94 executing the operation mode setting process program 102.

一例として図11に示すように、CPU94は、動作モード設定処理を実行することで、カートリッジメモリ19の動作モード(以下、単に「動作モード」とも称する)をコマンド信号に応じた動作モードに設定し、動作モードに応じたクロック周波数を設定する。CPU94は、コマンド信号に応じて動作モードを変更することで、コマンド(例えば、1つのコマンド)に対する処理の開始から終了するまでに要する処理時間(以下、単に「処理時間」とも称する)を既定時間よりも長くする。このように、CPU94は、処理時間を既定時間よりも長くすることで、上述したレスポンスタイムを、標準的なレスポンスタイムとして予め定められた時間よりも長くする。ここで、既定時間は、本開示の技術に係る「第2既定時間」の一例である。 As an example, as shown in FIG. 11, the CPU 94 sets the operation mode of the cartridge memory 19 (hereinafter also simply referred to as "operation mode") to the operation mode according to the command signal by executing the operation mode setting process. , set the clock frequency according to the operating mode. By changing the operation mode according to the command signal, the CPU 94 sets the processing time (hereinafter also simply referred to as "processing time") required from the start to the end of processing for a command (for example, one command) to a predetermined time. Make it longer than. In this way, the CPU 94 makes the above-mentioned response time longer than the time predetermined as the standard response time by making the processing time longer than the predetermined time. Here, the predetermined time is an example of a "second predetermined time" according to the technology of the present disclosure.

CPU94は、動作モードに応じたクロック周波数を設定することで、クロック周波数を変更する。具体的には、CPU94は、処理時間を長くするほどクロック周波数を低くする。 The CPU 94 changes the clock frequency by setting the clock frequency according to the operating mode. Specifically, the CPU 94 lowers the clock frequency as the processing time becomes longer.

動作モードは、信号処理回路88からCPU94に入力されるコマンド信号により示されるコマンドに応じて設定される。コマンド信号により示されるコマンドは、ポーリングコマンド、読出コマンド、又は書込コマンドである。コマンド信号により示されるコマンドがポーリングコマンドの場合、CPU94は、ポーリング処理を実行し、コマンド信号により示されるコマンドが読出コマンドの場合、CPU94は、読出処理を実行し、コマンド信号により示されるコマンドが書込コマンドの場合、CPU94は、書込処理を実行する。なお、ここでは、説明の便宜上、ポーリング信号として1種類の信号を例示しているが、ポーリング信号は、複数種類の信号であってもよい。 The operating mode is set according to a command indicated by a command signal input from the signal processing circuit 88 to the CPU 94. The command indicated by the command signal is a polling command, a read command, or a write command. If the command indicated by the command signal is a polling command, the CPU 94 executes a polling process, and if the command indicated by the command signal is a read command, the CPU 94 executes a read process and writes the command indicated by the command signal. In the case of a write command, the CPU 94 executes a write process. Here, for convenience of explanation, one type of signal is illustrated as the polling signal, but the polling signal may be a plurality of types of signals.

CPU94は、動作モードとして、長時間処理モード、中時間処理モード、及び短時間処理モードの何れかを設定することで、処理時間の長さを調節する。処理時間は、長時間、中時間、及び短時間の何れかである。長時間とは、中時間よりも長い時間を指し、短時間とは、中時間よりも短い時間を指す。長時間処理モードでは、CPU94によるコマンドに対する処理に要する時間が長時間となり、中時間処理モードでは、CPU94によるコマンドに対する処理に要する時間が中時間となり、短時間処理モードでは、CPU94によるコマンドに対する処理に要する時間が短時間となる。 The CPU 94 adjusts the length of processing time by setting one of a long-time processing mode, a medium-time processing mode, and a short-time processing mode as the operation mode. The processing time is one of a long time, a medium time, and a short time. A long time refers to a time longer than a medium time, and a short time refers to a time shorter than a medium time. In the long-time processing mode, the time required for the CPU 94 to process a command is long; in the medium-time processing mode, the time required for the CPU 94 to process a command is medium; and in the short-time processing mode, the time required for the CPU 94 to process a command takes a long time. The time required is short.

図11に示す例では、コマンド信号により示されるコマンドがポーリングコマンドの場合に、CPU94は、動作モードとして、短時間処理モードを設定し、コマンド信号により示されるコマンドが書込コマンドの場合に、CPU94は、中時間処理モードを設定し、コマンド信号により示されるコマンドが読出コマンドの場合に、CPU94は、長時間処理モードを設定する。 In the example shown in FIG. 11, when the command indicated by the command signal is a polling command, the CPU 94 sets the short-time processing mode as the operation mode, and when the command indicated by the command signal is a write command, the CPU 94 sets the medium time processing mode, and when the command indicated by the command signal is a read command, the CPU 94 sets the long time processing mode.

CPU94は、動作モードとして短時間処理モードを設定した場合に、クロック周波数として第1周波数を設定する。すなわち、CPU94は、動作モードとして短時間処理モードを設定した場合に、クロック信号生成器86に対して第1周波数のクロック信号が生成させるようにクロック信号生成器86を制御する。 When the short-time processing mode is set as the operation mode, the CPU 94 sets the first frequency as the clock frequency. That is, when the CPU 94 sets the short-time processing mode as the operation mode, the CPU 94 controls the clock signal generator 86 so that the clock signal generator 86 generates a clock signal of the first frequency.

CPU94は、動作モードとして中時間処理モードを設定した場合に、クロック周波数として第2周波数を設定する。すなわち、CPU94は、動作モードとして中時間処理モードを設定した場合に、クロック信号生成器86に対して第2周波数のクロック信号が生成させるようにクロック信号生成器86を制御する。 When the CPU 94 sets the medium time processing mode as the operation mode, the CPU 94 sets the second frequency as the clock frequency. That is, when the CPU 94 sets the medium time processing mode as the operation mode, the CPU 94 controls the clock signal generator 86 so that the clock signal generator 86 generates a clock signal of the second frequency.

CPU94は、動作モードとして長時間処理モードを設定した場合に、クロック周波数として第3周波数を設定する。すなわち、CPU94は、動作モードとして長時間処理モードを設定した場合に、クロック信号生成器86に対して第3周波数のクロック信号が生成させるようにクロック信号生成器86を制御する。 When the long-time processing mode is set as the operation mode, the CPU 94 sets the third frequency as the clock frequency. That is, when the CPU 94 sets the long-time processing mode as the operation mode, the CPU 94 controls the clock signal generator 86 so that the clock signal generator 86 generates a clock signal of the third frequency.

なお、動作モードが短時間処理モードから中時間処理モードに移行する場合、短時間が本開示の技術に係る「第2既定時間」の一例であり、短時間に相当するレスポンスタイムが、上述した標準的なレスポンスタイムとして予め定められた時間、すなわち、本開示の技術に係る「第1既定時間」の一例である。また、動作モードが中時間処理モードから長時間処理モードに移行する場合、中時間が本開示の技術に係る「第2既定時間」の一例であり、中時間に相当するレスポンスタイムが、上述した標準的なレスポンスタイムとして予め定められた時間、すなわち、本開示の技術に係る「第1既定時間」の一例である。このようにして動作モードが短時間処理モードから中時間処理モードに移行されたり、中時間処理モードから長時間処理モードに移行されたりすることで、結果的に、これに伴ってレスポンスタイムも長くなる。 Note that when the operation mode shifts from the short-time processing mode to the medium-time processing mode, the short time is an example of the "second predetermined time" according to the technology of the present disclosure, and the response time corresponding to the short time is the same as described above. This is an example of a time predetermined as a standard response time, that is, a "first predetermined time" according to the technology of the present disclosure. Further, when the operation mode shifts from the medium time processing mode to the long time processing mode, the medium time is an example of the "second predetermined time" according to the technology of the present disclosure, and the response time corresponding to the medium time is the same as that described above. This is an example of a time predetermined as a standard response time, that is, a "first predetermined time" according to the technology of the present disclosure. In this way, the operation mode is shifted from short-time processing mode to medium-time processing mode, or from medium-time processing mode to long-time processing mode, resulting in a correspondingly longer response time. Become.

次に、カートリッジメモリ19の作用について、図12A~図12Cを参照して説明する。 Next, the operation of the cartridge memory 19 will be explained with reference to FIGS. 12A to 12C.

図12A~図12Cには、CPU94によって実行される動作モード設定処理の流れの一例が示されている。以下の動作モード設定処理の説明では、説明の便宜上、電源回路82から各種の駆動素子に電力が供給されていることを前提としている。また、以下の動作モード設定処理の説明では、説明の便宜上、コマンド信号により示されるコマンドがポーリングコマンド、読出コマンド、又は書込コマンドの何れかであることを前提としている。更に、以下の動作モード設定処理の説明では、説明の便宜上、動作モードとして長時間処理モード、中時間処理モード、又は、短時間処理モードが設定されていることを前提としている。 12A to 12C show an example of the flow of the operation mode setting process executed by the CPU 94. In the following explanation of the operation mode setting process, for convenience of explanation, it is assumed that power is supplied from the power supply circuit 82 to various driving elements. Furthermore, in the following explanation of the operation mode setting process, for convenience of explanation, it is assumed that the command indicated by the command signal is one of a polling command, a read command, or a write command. Furthermore, in the following explanation of the operation mode setting process, for convenience of explanation, it is assumed that the operation mode is set to a long-time processing mode, a medium-time processing mode, or a short-time processing mode.

図12Aに示す動作モード設定処理では、先ず、ステップST12で、CPU94は、信号処理回路88によってコマンド信号が受信された否かを判定する。ステップST12において、信号処理回路88によってコマンド信号が受信された場合は、判定が肯定されて、動作モード設定処理はステップST14へ移行する。ステップST12において、信号処理回路88によってコマンド信号が受信されていない場合は、判定が否定されて、動作モード設定処理はステップST26へ移行する。 In the operation mode setting process shown in FIG. 12A, first, in step ST12, the CPU 94 determines whether the signal processing circuit 88 has received a command signal. In step ST12, if the command signal is received by the signal processing circuit 88, the determination is affirmative and the operation mode setting process moves to step ST14. In step ST12, if the command signal is not received by the signal processing circuit 88, the determination is negative and the operation mode setting process moves to step ST26.

ステップST14で、CPU94は、ステップST12で信号処理回路88によって受信されたコマンド信号により示されるコマンドがポーリングコマンドであるか否かを判定する。ステップST14において、信号処理回路88によって受信されたコマンド信号により示されるコマンドがポーリングコマンドでない場合は、判定が否定されて、動作モード設定処理は、図12Bに示すステップST28へ移行する。ステップST14において、信号処理回路88によって受信されたコマンド信号により示されるコマンドがポーリングコマンドである場合は、判定が肯定されて、動作モード設定処理はステップST16へ移行する。 In step ST14, the CPU 94 determines whether the command indicated by the command signal received by the signal processing circuit 88 in step ST12 is a polling command. In step ST14, if the command indicated by the command signal received by the signal processing circuit 88 is not a polling command, the determination is negative and the operation mode setting process moves to step ST28 shown in FIG. 12B. In step ST14, if the command indicated by the command signal received by the signal processing circuit 88 is a polling command, the determination is affirmative and the operation mode setting process moves to step ST16.

ステップST16で、CPU94は、現時点で設定されている動作モードが長時間処理モード又は中時間処理モードであるか否かを判定する。ステップST16において、現時点で設定されている動作モードが長時間処理モード又は中時間処理モードでない場合(現時点で設定されている動作モードが短時間処理モードの場合)は、判定が否定されて、動作モード設定処理はステップST22へ移行する。ステップST16において、現時点で設定されている動作モードが長時間処理モード又は中時間処理モードである場合は、判定が肯定されて、動作モード設定処理はステップST18へ移行する。 In step ST16, the CPU 94 determines whether the currently set operating mode is the long-time processing mode or the medium-time processing mode. In step ST16, if the currently set operation mode is not the long-time processing mode or medium-time processing mode (if the currently set operation mode is the short-time processing mode), the determination is negative and the operation is not performed. The mode setting process moves to step ST22. In step ST16, if the currently set operation mode is the long-time processing mode or medium-time processing mode, the determination is affirmative and the operation mode setting process moves to step ST18.

ステップST18で、CPU94は、動作モードを短時間処理モードへ移行し、その後、動作モード設定処理はステップST20へ移行する。 In step ST18, the CPU 94 shifts the operation mode to short-time processing mode, and then the operation mode setting process shifts to step ST20.

ステップST20で、CPU94は、クロック周波数を第1周波数に設定し、その後、動作モード設定処理はステップST22へ移行する。 In step ST20, the CPU 94 sets the clock frequency to the first frequency, and then the operation mode setting process moves to step ST22.

一方、図12Bに示すステップST28で、CPU94は、ステップST12で信号処理回路88によって受信されたコマンド信号により示されるコマンドが書込コマンドであるか否かを判定する。ステップST28において、信号処理回路88によって受信されたコマンド信号により示されるコマンドが書込コマンドでない場合(信号処理回路88によって受信されたコマンド信号により示されるコマンドが読出コマンドである場合)は、判定が否定されて、動作モード設定処理は、図12Cに示すステップST36へ移行する。ステップST28において、信号処理回路88によって受信されたコマンド信号により示されるコマンドが読出コマンドである場合は、判定が肯定されて、動作モード設定処理はステップST30へ移行する。 On the other hand, in step ST28 shown in FIG. 12B, the CPU 94 determines whether the command indicated by the command signal received by the signal processing circuit 88 in step ST12 is a write command. In step ST28, if the command indicated by the command signal received by the signal processing circuit 88 is not a write command (if the command indicated by the command signal received by the signal processing circuit 88 is a read command), the determination is made. If the answer is negative, the operation mode setting process moves to step ST36 shown in FIG. 12C. In step ST28, if the command indicated by the command signal received by the signal processing circuit 88 is a read command, the determination is affirmative and the operation mode setting process moves to step ST30.

ステップST30で、CPU94は、現時点で設定されている動作モードが長時間処理モード又は短時間処理モードであるか否かを判定する。ステップST30において、現時点で設定されている動作モードが長時間処理モード又は短時間処理モードでない場合(現時点で設定されている動作モードが中時間処理モードの場合)は、判定が否定されて、動作モード設定処理は、図12Aに示すステップST22へ移行する。ステップST30において、現時点で設定されている動作モードが長時間処理モード又は短時間処理モードである場合は、判定が肯定されて、動作モード設定処理はステップST32へ移行する。 In step ST30, the CPU 94 determines whether the currently set operating mode is the long-time processing mode or the short-time processing mode. In step ST30, if the currently set operation mode is not the long-time processing mode or the short-time processing mode (if the currently set operation mode is the medium-time processing mode), the determination is negative and the operation is not performed. The mode setting process moves to step ST22 shown in FIG. 12A. In step ST30, if the currently set operation mode is the long-time processing mode or the short-time processing mode, the determination is affirmative and the operation mode setting process moves to step ST32.

ステップST32で、CPU94は、動作モードを中時間処理モードへ移行し、その後、動作モード設定処理はステップST34へ移行する。 In step ST32, the CPU 94 shifts the operation mode to medium time processing mode, and then the operation mode setting process shifts to step ST34.

ステップST34で、CPU94は、クロック周波数を第2周波数に設定し、その後、動作モード設定処理は、図12Aに示すステップST22へ移行する。 In step ST34, the CPU 94 sets the clock frequency to the second frequency, and then the operation mode setting process moves to step ST22 shown in FIG. 12A.

一方、図12Cに示すステップST36で、CPU94は、現時点で設定されている動作モードが中時間処理モード又は短時間処理モードであるか否かを判定する。ステップST36において、現時点で設定されている動作モードが中時間処理モード又は短時間処理モードでない場合(現時点で設定されている動作モードが長時間処理モードの場合)は、判定が否定されて、動作モード設定処理は、図12Aに示すステップST22へ移行する。ステップST36において、現時点で設定されている動作モードが中時間処理モード又は短時間処理モードである場合は、判定が肯定されて、動作モード設定処理はステップST38へ移行する。 On the other hand, in step ST36 shown in FIG. 12C, the CPU 94 determines whether the currently set operating mode is the medium time processing mode or the short time processing mode. In step ST36, if the currently set operation mode is not medium time processing mode or short time processing mode (if the currently set operation mode is long time processing mode), the determination is negative and the operation is not performed. The mode setting process moves to step ST22 shown in FIG. 12A. In step ST36, if the currently set operation mode is medium time processing mode or short time processing mode, the determination is affirmative and the operation mode setting process moves to step ST38.

ステップST38で、CPU94は、動作モードを長時間処理モードへ移行し、その後、動作モード設定処理はステップST40へ移行する。 In step ST38, the CPU 94 shifts the operation mode to long-time processing mode, and then the operation mode setting process shifts to step ST40.

ステップST40で、CPU94は、クロック周波数を第3周波数に設定し、その後、動作モード設定処理は、図12Aに示すステップST22へ移行する。 In step ST40, the CPU 94 sets the clock frequency to the third frequency, and then the operation mode setting process moves to step ST22 shown in FIG. 12A.

図12Aに示すステップST22で、CPU94は、ステップST12で信号処理回路88によって受信されたコマンド信号に応じた処理を実行し、その後、動作モード設定処理はステップST24へ移行する。 In step ST22 shown in FIG. 12A, the CPU 94 executes processing according to the command signal received by the signal processing circuit 88 in step ST12, and then the operation mode setting processing moves to step ST24.

ステップST24で、CPU94は、信号処理回路88及び共振回路92に対して、ステップST22の処理が実行されることで得られた処理結果を示す応答信号を、磁界MFを介して非接触式読み書き装置50へ送信させ、その後、動作モード設定処理はステップST26へ移行する。 In step ST24, the CPU 94 transmits a response signal indicating the processing result obtained by executing the processing in step ST22 to the signal processing circuit 88 and the resonance circuit 92 via the magnetic field MF to the non-contact reading/writing device. 50, and then the operation mode setting process moves to step ST26.

ステップST26で、CPU94は、動作モード設定処理を終了する条件(以下、「動作モード設定処理終了条件」と称する)を満足したか否かを判定する。動作モード設定処理終了条件としては、例えば、磁界MFが消失した、との条件が挙げられる。磁界MFが消失したか否かは、磁界強度測定回路90からCPU94に入力される磁界強度信号に基づいてCPU94によって判定される。ステップST26において、動作モード設定処理終了条件を満足していない場合は、判定が否定されて、動作モード設定処理はステップST12へ移行する。ステップST26において、動作モード設定処理終了条件を満足した場合は、判定が肯定されて、動作モード設定処理が終了する。 In step ST26, the CPU 94 determines whether conditions for terminating the operation mode setting process (hereinafter referred to as "operation mode setting process terminating condition") are satisfied. An example of the condition for terminating the operation mode setting process is that the magnetic field MF has disappeared. Whether or not the magnetic field MF has disappeared is determined by the CPU 94 based on the magnetic field strength signal input to the CPU 94 from the magnetic field strength measuring circuit 90. In step ST26, if the conditions for ending the operation mode setting process are not satisfied, the determination is negative and the operation mode setting process moves to step ST12. In step ST26, if the conditions for terminating the operation mode setting process are satisfied, the determination is affirmative and the operation mode setting process ends.

以上説明したように、カートリッジメモリ19では、CPU94によって処理時間が既定時間よりも長く設定され、処理時間が長くなった分、レスポンスタイムも長くなる。処理時間が長くなるほど、すなわち、レスポンスタイムが長くなるほど、低いクロック周波数が設定される。つまり、短時間処理モードから中時間処理モードに移行すると、処理時間が長くなり、レスポンスタイムも長くなる。短時間処理モードから中時間処理モードへの移行は、処理時間が短時間から中時間になることを意味する。これに伴ってクロック周波数が第1周波数から第2周波数に変更される。第2周波数は、クロック周波数が“0”というわけではないので、CPU94は、第2周波数に従って、コマンド信号に応じた処理を実行することができる。 As explained above, in the cartridge memory 19, the processing time is set longer than the predetermined time by the CPU 94, and the response time becomes longer as the processing time becomes longer. The longer the processing time, that is, the longer the response time, the lower the clock frequency is set. In other words, when shifting from the short-time processing mode to the medium-time processing mode, the processing time becomes longer and the response time also becomes longer. Transitioning from the short-time processing mode to the medium-time processing mode means that the processing time changes from a short time to a medium time. Along with this, the clock frequency is changed from the first frequency to the second frequency. Since the second frequency is not a clock frequency of "0", the CPU 94 can execute processing according to the command signal according to the second frequency.

また、中時間処理モードから長時間処理モードに移行すると、処理時間が中時間から長時間になり、処理時間が長くなった分、レスポンスタイムも長くなる。これに伴ってクロック周波数が第2周波数から第3周波数に変更される。第3周波数は、クロック周波数が“0”というわけではないので、CPU94は、第3周波数に従って、コマンド信号に応じた処理を実行することができる。また、クロック周波数が低くなるほど、CPU94での消費電力が低減される。 Further, when shifting from the medium time processing mode to the long time processing mode, the processing time becomes long from the medium time, and the response time also becomes longer as the processing time becomes longer. Along with this, the clock frequency is changed from the second frequency to the third frequency. Since the clock frequency of the third frequency is not "0", the CPU 94 can execute processing according to the command signal according to the third frequency. Furthermore, the lower the clock frequency, the lower the power consumption in the CPU 94.

従って、本構成によれば、カートリッジメモリ19の動作の安定と消費電力の低減との両立を実現することができる。なお、ここでは、処理時間が段階的に変更され、これに伴ってクロック周波数も段階的に変更される形態例を挙げているが、本開示の技術はこれに限定されず、処理時間が無段階的に変更され、これに伴ってクロック周波数も無段階的に変更されるようにしてもよい。 Therefore, according to this configuration, it is possible to achieve both stable operation of the cartridge memory 19 and reduction in power consumption. Note that although an example is given here in which the processing time is changed in stages and the clock frequency is also changed in stages accordingly, the technology of the present disclosure is not limited to this, and the technology of the present disclosure is not limited to this. The clock frequency may be changed stepwise, and the clock frequency may also be changed steplessly accordingly.

また、カートリッジメモリ19では、1つのコマンドに対するCPU94による処理時間が既定時間よりも長く設定され、処理時間が長くなるほど低いクロック周波数が設定される。従って、本構成によれば、1つのコマンドに対する処理がCPU94によって行われる場合であっても、カートリッジメモリ19の動作の安定と消費電力の低減との両立を実現することができる。 Further, in the cartridge memory 19, the processing time by the CPU 94 for one command is set to be longer than a predetermined time, and the longer the processing time, the lower the clock frequency is set. Therefore, according to this configuration, even when processing for one command is performed by the CPU 94, it is possible to achieve both stable operation of the cartridge memory 19 and reduction in power consumption.

また、カートリッジメモリ19では、CPU94によってコマンド信号に応じた処理が行われることで得られた処理結果を示す応答信号が磁界MFを介して非接触式読み書き装置50に送信される。従って、本構成によれば、磁界MFとは異なる磁界がコイル60に付与せずとも処理結果を非接触式読み書き装置50に送信することができる。 Further, in the cartridge memory 19, a response signal indicating a processing result obtained by the CPU 94 performing processing according to the command signal is transmitted to the non-contact reading/writing device 50 via the magnetic field MF. Therefore, according to this configuration, the processing result can be transmitted to the non-contact reading/writing device 50 without applying a magnetic field different from the magnetic field MF to the coil 60.

また、カートリッジメモリ19では、コマンド信号に応じた処理が常に第1周波数のクロック信号に従ってCPU94によって行われるわけではなく、コマンド信号により示されるコマンドの種類に応じてレスポンスタイムの長さが変更される。従って、本構成によれば、コマンドの種類に関わらず処理時間が常に一定の場合に比べ、電力及び処理時間が過不足することを抑制することができる。 Furthermore, in the cartridge memory 19, processing according to the command signal is not always performed by the CPU 94 according to the clock signal of the first frequency, and the length of the response time is changed depending on the type of command indicated by the command signal. . Therefore, according to this configuration, it is possible to suppress excess or deficiency of power and processing time compared to a case where the processing time is always constant regardless of the type of command.

更に、カートリッジメモリ19では、読出処理及び書込処理に要する時間がポーリング処理に要する時間よりも長くされている。従って、本構成によれば、読出処理及び書込処理は、ポーリング処理で使用されるクロック周波数よりも低いクロック周波数で行われるので、ポーリング処理が行われる場合に比べ、消費電力小さくすることができる。すなわち、読出処理及び書込処理の場合もポーリング処理と同じクロック周波数が使用される場合に比べ、電力不足が原因で読出処理及び書込処理が完遂されないという事態の発生を抑制することができる。 Furthermore, in the cartridge memory 19, the time required for read processing and write processing is longer than the time required for polling processing. Therefore, according to this configuration, read processing and write processing are performed at a clock frequency lower than the clock frequency used in polling processing, so power consumption can be reduced compared to when polling processing is performed. . That is, compared to the case where the same clock frequency as the polling process is used for the read process and the write process, it is possible to suppress the occurrence of a situation where the read process and the write process are not completed due to power shortage.

なお、上記実施形態では、動作モード設定処理において、磁界MFの強度に関わらずステップST12の処理が実行される形態例を挙げて説明したが、本開示の技術はこれに限定されない。例えば、図13に示すように、動作モード設定処理において、ステップST12の前段階でステップST10の処理が実行されるようにしてもよい。 Note that although the above embodiment has been described using an example in which the process of step ST12 is executed in the operation mode setting process regardless of the strength of the magnetic field MF, the technology of the present disclosure is not limited to this. For example, as shown in FIG. 13, in the operation mode setting process, the process of step ST10 may be executed before step ST12.

図13に示す動作モード設定処理は、図12A~図12Cに示す動作モード設定処理に比べ、動作モード設定処理が実行される前提として既に第1周波数のクロック信号がクロック信号生成器86によって各種の駆動素子に供給されている点が異なる。また、図13に示す動作モード設定処理は、図12A~図12Cに示す動作モード設定処理に比べ、ステップST10の処理を有する点が異なる。 The operation mode setting process shown in FIG. 13 differs from the operation mode setting process shown in FIGS. 12A to 12C in that the clock signal of the first frequency has already been generated by the clock signal generator 86 in various ways. The difference is that it is supplied to the drive element. Further, the operation mode setting process shown in FIG. 13 differs from the operation mode setting process shown in FIGS. 12A to 12C in that it includes the process of step ST10.

図13に示すステップST10で、CPU94は、磁界強度信号に基づいて磁界MFの強度が閾値未満であるか否かを判定する。ここで、閾値は、例えば、第1周波数のクロック信号が各種の駆動素子に供給されたとしても電力不足が生じない磁界の強度の下限値として、実機による試験及び/又はコンピュータ・シミュレーション等によって予め導き出された値である。 In step ST10 shown in FIG. 13, the CPU 94 determines whether the strength of the magnetic field MF is less than a threshold value based on the magnetic field strength signal. Here, the threshold value is, for example, the lower limit value of the magnetic field strength at which power shortage will not occur even if the clock signal of the first frequency is supplied to various drive elements, and is determined in advance by tests using actual equipment and/or computer simulations. This is the derived value.

ステップST10において、磁界MFの強度が閾値以上である場合は、判定が否定されて、動作モード設定処理はステップST26へ移行する。ステップST10において、磁界MFの強度が閾値未満である場合は、判定が肯定されて、動作モード設定処理はステップST12へ移行する。 In step ST10, if the strength of the magnetic field MF is equal to or greater than the threshold value, the determination is negative and the operation mode setting process moves to step ST26. In step ST10, if the strength of the magnetic field MF is less than the threshold value, the determination is affirmative and the operation mode setting process moves to step ST12.

つまり、磁界MFの強度が閾値以上である場合は、第1周波数のクロック信号が維持される。従って、本構成によれば、電力不足が生じる虞が無い場合であるにも関わらず処理時間が長くなることを回避することができる。 That is, when the strength of the magnetic field MF is equal to or greater than the threshold value, the clock signal of the first frequency is maintained. Therefore, according to this configuration, it is possible to avoid an increase in processing time even when there is no possibility of power shortage occurring.

また、磁界MFの強度が閾値未満である場合は、コマンド信号により示されるコマンドの種類に応じて動作モードが変更され、かつ、動作モードに応じてクロック周波数が変更される。従って、本構成によれば、磁界MFの強度に関わらず処理時間の長さが固定されている場合に比べ、電力及び処理時間の過不足を抑制することができる。 Further, when the strength of the magnetic field MF is less than the threshold value, the operation mode is changed according to the type of command indicated by the command signal, and the clock frequency is changed according to the operation mode. Therefore, according to this configuration, as compared to a case where the length of the processing time is fixed regardless of the strength of the magnetic field MF, it is possible to suppress excesses and deficiencies in power and processing time.

また、図13に示す例では、ステップST12の前段階で磁界MFの強度が閾値未満であるか否かの判定が行われているが、本開示の技術はこれに限定されない。例えば、図14に示すように、ステップST14とステップST16との間に、ステップST15を挿入してもよい。 Further, in the example shown in FIG. 13, it is determined whether the strength of the magnetic field MF is less than the threshold value before step ST12, but the technology of the present disclosure is not limited to this. For example, as shown in FIG. 14, step ST15 may be inserted between step ST14 and step ST16.

図14に示すステップST15では、上述したステップST12の処理と同様の判定が行われる。そして、ステップST15において、磁界MFの強度が閾値以上である場合は、判定が否定されて、動作モード設定処理はステップST26へ移行する。ステップST15において、磁界MFの強度が閾値未満の場合は、判定が肯定されて、動作モード設定処理はステップST16へ移行する。 In step ST15 shown in FIG. 14, the same determination as the process in step ST12 described above is performed. Then, in step ST15, if the strength of the magnetic field MF is equal to or greater than the threshold value, the determination is negative and the operation mode setting process moves to step ST26. In step ST15, if the strength of the magnetic field MF is less than the threshold value, the determination is affirmative and the operation mode setting process moves to step ST16.

また、上記第1実施形態で説明した動作モード設定処理はあくまでも一例に過ぎず、本開示の技術はこれに限定されない。例えば、図12Bに示す動作モード設定処理に代えて、図15に示す動作モード設定処理がCPU94によって実行されるようにしてもよい。図15に示す動作モード設定処理は、図12Bに示す動作モード設定処理に比べ、ステップST29の処理を有する点が異なる。 Further, the operation mode setting process described in the first embodiment is merely an example, and the technology of the present disclosure is not limited thereto. For example, instead of the operation mode setting process shown in FIG. 12B, the operation mode setting process shown in FIG. 15 may be executed by the CPU 94. The operation mode setting process shown in FIG. 15 differs from the operation mode setting process shown in FIG. 12B in that it includes the process of step ST29.

図15に示すステップST29で、CPU94は、磁界強度信号に基づいて磁界MFの強度が閾値未満であるか否かを判定する。ステップST29において、磁界MFの強度が閾値以上の場合は、判定が否定されて、動作モード設定処理は、図12Aに示すステップST22へ移行する。ステップST29において、磁界MFの強度が閾値未満の場合は、判定が肯定されて、動作モード設定処理はステップST30へ移行する。 In step ST29 shown in FIG. 15, the CPU 94 determines whether the strength of the magnetic field MF is less than a threshold value based on the magnetic field strength signal. In step ST29, if the strength of the magnetic field MF is equal to or greater than the threshold value, the determination is negative and the operation mode setting process moves to step ST22 shown in FIG. 12A. In step ST29, if the strength of the magnetic field MF is less than the threshold value, the determination is affirmative and the operation mode setting process moves to step ST30.

また、上記第1実施形態で説明した動作モード設定処理はあくまでも一例に過ぎず、本開示の技術はこれに限定されない。例えば、図12Cに示す動作モード設定処理に代えて、図16に示す動作モード設定処理がCPU94によって実行されるようにしてもよい。図16に示す動作モード設定処理は、図12Cに示す動作モード設定処理に比べ、ステップST35の処理を有する点が異なる。 Further, the operation mode setting process described in the first embodiment is merely an example, and the technology of the present disclosure is not limited thereto. For example, instead of the operation mode setting process shown in FIG. 12C, the operation mode setting process shown in FIG. 16 may be executed by the CPU 94. The operation mode setting process shown in FIG. 16 differs from the operation mode setting process shown in FIG. 12C in that it includes the process of step ST35.

図16に示すステップST35で、CPU94は、磁界強度信号に基づいて磁界MFの強度が閾値未満であるか否かを判定する。ステップST35において、磁界MFの強度が閾値以上の場合は、判定が否定されて、動作モード設定処理は、図12Aに示すステップST22へ移行する。ステップST35において、磁界MFの強度が閾値未満の場合は、判定が肯定されて、動作モード設定処理はステップST36へ移行する。 In step ST35 shown in FIG. 16, the CPU 94 determines whether the strength of the magnetic field MF is less than a threshold value based on the magnetic field strength signal. In step ST35, if the strength of the magnetic field MF is equal to or greater than the threshold value, the determination is negative and the operation mode setting process moves to step ST22 shown in FIG. 12A. In step ST35, if the strength of the magnetic field MF is less than the threshold value, the determination is affirmative and the operation mode setting process moves to step ST36.

なお、図12B及び図15に示す例では、コマンド信号により示されるコマンドが書込コマンドの場合に、中時間処理モードが設定され、かつ、クロック周波数として第2周波数が設定されているが、本開示の技術はこれに限定されず、コマンド信号により示されるコマンドが書込コマンドの場合に、長時間処理モードが設定され、かつ、クロック周波数として第3周波数が設定されるようにしてもよい。 Note that in the examples shown in FIGS. 12B and 15, when the command indicated by the command signal is a write command, the medium time processing mode is set and the second frequency is set as the clock frequency. The disclosed technique is not limited to this, and when the command indicated by the command signal is a write command, the long-time processing mode may be set and the third frequency may be set as the clock frequency.

また、図12C及び図16に示す例では、コマンド信号により示されるコマンドが読出コマンドの場合に、長時間処理モードが設定され、かつ、クロック周波数として第3周波数が設定されているが、本開示の技術はこれに限定されず、コマンド信号により示されるコマンドが読出コマンドの場合に、中時間処理モードが設定され、かつ、クロック周波数として第2周波数が設定されるようにしもよい。 Further, in the examples shown in FIGS. 12C and 16, when the command indicated by the command signal is a read command, the long-time processing mode is set and the third frequency is set as the clock frequency. The technique is not limited to this, and when the command indicated by the command signal is a read command, the intermediate time processing mode may be set and the second frequency may be set as the clock frequency.

このように、コマンド信号により示されるコマンドが書込コマンドの場合及び読出処理の場合には、処理時間が短時間よりも長い中時間又は長時間であればよく、クロック周波数が第1周波数よりも高ければよい。 In this way, when the command indicated by the command signal is a write command or a read process, the processing time may be longer than a short time, a medium time or a long time, and the clock frequency is higher than the first frequency. The higher the better.

また、図13~図16に示す例では、磁界MFの強度に応じてレスポンスタイムが変更される形態例を挙げて説明したが、磁界MFの強度に関わらずレスポンスタイムが固定されていてもよい。 Further, in the examples shown in FIGS. 13 to 16, the response time is changed depending on the strength of the magnetic field MF, but the response time may be fixed regardless of the strength of the magnetic field MF. .

また、上記第1実施形態では、ICチップ52とコイル60とがワイヤ接続方式で接続されている形態例を挙げて説明したが、本開示の技術はこれに限定されない。例えば、図17に示すように、ICチップ52とコイル60とがフリップチップ接続方式で接続されていてもよい。この場合、例えば、ICチップ52の正極端子及び負極端子のうちの一方の端子が第1導通部62Aに直接接続され、他方の端子が第2導通部62Bに直接接続される。 Further, in the first embodiment, an example in which the IC chip 52 and the coil 60 are connected by a wire connection method has been described, but the technology of the present disclosure is not limited to this. For example, as shown in FIG. 17, the IC chip 52 and the coil 60 may be connected by a flip-chip connection method. In this case, for example, one terminal of the positive terminal and the negative terminal of the IC chip 52 is directly connected to the first conductive portion 62A, and the other terminal is directly connected to the second conductive portion 62B.

また、上記第1実施形態では、第2周波数を第1周波数の1/2の周波数とし、第3周波数を第1周波数の1/4の周波数としたが、本開示の技術はこれに限定されず、第2周波数は第1周波数よりも低い周波数であり、第3周波数は第2周波数よりも低い周波数であればよい。第2周波数を第1周波数よりも低くするレベル、及び/又は第3周波数を第2周波数よりも低くするレベルは、コンデンサ54及び内蔵コンデンサ80に残存している電圧、すなわち、カートリッジメモリ19内に残存している電力に応じて変更するようにしてもよい。この場合、例えば、コンピュータ84は、カートリッジメモリ19内に残存している電力が閾値よりも低ければ第2周波数を第1周波数の1/3以下の周波数とし、かつ、第3周波数を第2周波数と同じ周波数又は第3周波数を第2周波数よりも低くするようにクロック信号生成器86を制御する。 Further, in the first embodiment, the second frequency is set to 1/2 of the first frequency, and the third frequency is set to 1/4 of the first frequency, but the technology of the present disclosure is not limited to this. First, the second frequency may be a frequency lower than the first frequency, and the third frequency may be a frequency lower than the second frequency. The level that makes the second frequency lower than the first frequency and/or the level that makes the third frequency lower than the second frequency is determined by the voltage remaining in the capacitor 54 and the built-in capacitor 80, that is, in the cartridge memory 19. It may be changed depending on the remaining power. In this case, for example, if the power remaining in the cartridge memory 19 is lower than the threshold, the computer 84 sets the second frequency to 1/3 or less of the first frequency, and sets the third frequency to the second frequency. The clock signal generator 86 is controlled to make the same frequency as the second frequency or a third frequency lower than the second frequency.

[第2実施形態]
上記第1実施形態では、コマンド信号に応じて動作モードが変更される形態例を挙げて説明したが、本第2実施形態では、非接触式読み書き装置50とカートリッジメモリ19との間の距離を示す通信距離Dに応じて動作モードが変更される形態例について説明する。なお、本第2実施形態では、上記第1実施形態で説明した構成要素と同一の構成要素は、第1実施形態と同一の符号で表し、その説明を省略する。
[Second embodiment]
In the first embodiment, the operation mode is changed according to a command signal, but in the second embodiment, the distance between the non-contact read/write device 50 and the cartridge memory 19 is changed. An example in which the operation mode is changed according to the indicated communication distance D will be described. Note that in the second embodiment, the same components as those described in the first embodiment are represented by the same symbols as in the first embodiment, and the explanation thereof will be omitted.

一例として図18に示すように、通信距離Dは、非接触式読み書き装置50の磁界放出面とカートリッジメモリ19の基板26の裏面26Aの短辺方向中央との間の距離である。なお、通信距離Dは、本開示の技術に係る「磁気テープカートリッジの特性」及び「通信先の特性」の一例である。 As shown in FIG. 18 as an example, the communication distance D is the distance between the magnetic field emitting surface of the non-contact read/write device 50 and the center of the back surface 26A of the substrate 26 of the cartridge memory 19 in the short side direction. Note that the communication distance D is an example of "characteristics of the magnetic tape cartridge" and "characteristics of the communication destination" according to the technology of the present disclosure.

磁気テープカートリッジ10のケース12のサイズ、及び、磁気テープカートリッジ10内でのカートリッジメモリ19の配置位置は、ケース12の種類に応じて予め定められている。また、磁気テープドライブ30のサイズ、及び、磁気テープドライブ30内での磁気テープカートリッジ10の装填位置は、磁気テープドライブ30の種類に応じて予め定められている。また、非接触式読み書き装置50のサイズは、非接触式読み書き装置50の種類に応じて予め定められており、磁気テープドライブ30に対する非接触式読み書き装置50の位置は固定されている。従って、磁気テープカートリッジ10が磁気テープドライブ30に装填されている場合、通信距離Dは、磁気テープカートリッジ10の種類、磁気テープドライブ30の種類、及び非接触式読み書き装置50の種類に応じて導出される。 The size of the case 12 of the magnetic tape cartridge 10 and the location of the cartridge memory 19 within the magnetic tape cartridge 10 are determined in advance depending on the type of the case 12. Further, the size of the magnetic tape drive 30 and the loading position of the magnetic tape cartridge 10 within the magnetic tape drive 30 are determined in advance according to the type of the magnetic tape drive 30. Further, the size of the non-contact reading/writing device 50 is determined in advance according to the type of the non-contact reading/writing device 50, and the position of the non-contact reading/writing device 50 with respect to the magnetic tape drive 30 is fixed. Therefore, when the magnetic tape cartridge 10 is loaded in the magnetic tape drive 30, the communication distance D is derived depending on the type of magnetic tape cartridge 10, the type of magnetic tape drive 30, and the type of non-contact reading/writing device 50. be done.

一例として図19に示すように、NVM96には、通信距離導出テーブル103が格納されている。磁気テープカートリッジ10の製造元において、通信距離導出テーブル103は、磁気テープカートリッジ10の種類に応じて複数種類用意されており、NVM96を有するカートリッジメモリ19が収容される磁気テープカートリッジ10の種類に応じた通信距離導出テーブル103が、NVM96に格納される。CPU94は、NVM96に格納された通信距離導出テーブル103に基づいて、通信距離Dを導出する。 As an example, as shown in FIG. 19, a communication distance derivation table 103 is stored in the NVM 96. The manufacturer of the magnetic tape cartridge 10 prepares a plurality of types of communication distance deriving tables 103 depending on the type of the magnetic tape cartridge 10, and the communication distance deriving table 103 is prepared in a plurality of types depending on the type of the magnetic tape cartridge 10. A communication distance derivation table 103 is stored in the NVM 96. The CPU 94 derives the communication distance D based on the communication distance derivation table 103 stored in the NVM 96.

一例として図20に示すように、通信距離導出テーブル103には、磁気テープドライブ30の種類及び非接触式読み書き装置50の種類に応じた通信距離Dが示されている。CPU94は、磁気テープドライブ30の種類及び非接触式読み書き装置50の種類を、非接触式読み書き装置50から磁界MFを介して取得する。具体的には、例えば、磁気テープドライブ30の制御装置38から非接触式読み書き装置50に出力される制御信号(図6参照)には、磁気テープドライブ30の種類(図20に示す例では、磁気テープドライブ30の型番)を示す磁気テープドライブ種類情報、及び、非接触式読み書き装置50の種類(図20に示す例では、非接触式読み書き装置50の型番)を示す読み書き装置種類情報が含まれている。非接触式読み書き装置50は、制御装置38から入力された制御信号に従って、コマンド信号に加えて、磁気テープドライブ種類情報及び読み書き装置種類情報を含む磁界MFをカートリッジメモリ19に向けて放出する。 As an example, as shown in FIG. 20, the communication distance derivation table 103 shows communication distances D depending on the type of magnetic tape drive 30 and the type of non-contact reading/writing device 50. The CPU 94 acquires the type of magnetic tape drive 30 and the type of the non-contact reading/writing device 50 from the non-contact reading/writing device 50 via the magnetic field MF. Specifically, for example, the control signal output from the control device 38 of the magnetic tape drive 30 to the non-contact read/write device 50 (see FIG. 6) includes the type of magnetic tape drive 30 (in the example shown in FIG. 20, magnetic tape drive type information indicating the model number of the magnetic tape drive 30; and read/write device type information indicating the type of the non-contact read/write device 50 (in the example shown in FIG. 20, the model number of the non-contact read/write device 50). It is. The non-contact read/write device 50 emits a magnetic field MF including a command signal, magnetic tape drive type information, and read/write device type information toward the cartridge memory 19 in accordance with a control signal input from the control device 38 .

CPU94は、信号処理回路88によって磁界MFから抽出されたコマンド信号、磁気テープドライブ種類情報、及び読み書き装置種類情報を受け付ける。CPU94は、通信距離導出テーブル103に基づいて、受け付けた磁気テープドライブ種類情報及び読み書き装置種類情報を用いて通信距離Dを導出する。 The CPU 94 receives command signals extracted from the magnetic field MF by the signal processing circuit 88, magnetic tape drive type information, and read/write device type information. The CPU 94 derives the communication distance D based on the communication distance derivation table 103 using the received magnetic tape drive type information and read/write device type information.

一例として図21に示すように、CPU94は、導出した通信距離Dを第1通信距離閾値及び第2通信距離閾値と比較する。第1通信距離閾値は、例えば、非接触式読み書き装置50から放出される磁界MFの強度が常に一定であるという条件の下で、短時間処理モードで、すなわち、第1周波数のクロック信号に基づいて読出処理を行ったとしても電力不足が生じない強度の磁界を得られる通信距離の上限値として、実機による試験及び/コンピュータ・シミュレーション等によって予め導き出された値である。また、第2通信距離閾値は、例えば、非接触式読み書き装置50から放出される磁界MFの強度が常に一定であるという条件の下で、中時間処理モードで、すなわち、第2周波数のクロック信号に基づいて読出処理を行ったとしても電力不足が生じない強度の磁界を得られる通信距離の上限値として、実機による試験及び/コンピュータ・シミュレーション等によって予め導き出された値である。第1通信距離閾値は、第2通信距離閾値よりも小さい。 As an example, as shown in FIG. 21, the CPU 94 compares the derived communication distance D with a first communication distance threshold and a second communication distance threshold. The first communication distance threshold is set, for example, under the condition that the strength of the magnetic field MF emitted from the non-contact reading/writing device 50 is always constant, in short-time processing mode, that is, based on the clock signal of the first frequency. This value has been derived in advance through tests using actual devices and/or computer simulations, etc., as the upper limit of the communication distance that can obtain a strong magnetic field that will not cause a power shortage even if the reading process is carried out using the following methods. Further, the second communication distance threshold may be set, for example, under the condition that the intensity of the magnetic field MF emitted from the non-contact reading/writing device 50 is always constant, in the medium time processing mode, that is, the clock signal of the second frequency. This is a value derived in advance through tests using actual devices and/or computer simulations, etc., as the upper limit of the communication distance that can obtain a strong magnetic field that will not cause a power shortage even if read processing is performed based on the above. The first communication distance threshold is smaller than the second communication distance threshold.

導出した通信距離Dが第1通信距離閾値未満の場合、CPU94は、動作モードとして、短時間処理モードを設定する。また、導出した通信距離Dが第1通信距離閾値以上、かつ、第2通信距離閾値未満の場合、CPU94は、動作モードとして、中時間処理モードを設定する。また、導出した通信距離Dが第2通信距離閾値以上の場合、CPU94は、動作モードとして、長時間処理モードを設定する。 If the derived communication distance D is less than the first communication distance threshold, the CPU 94 sets the short time processing mode as the operation mode. Further, when the derived communication distance D is equal to or greater than the first communication distance threshold and less than the second communication distance threshold, the CPU 94 sets the medium time processing mode as the operation mode. Furthermore, when the derived communication distance D is equal to or greater than the second communication distance threshold, the CPU 94 sets the long-time processing mode as the operation mode.

CPU94は、設定した動作モードで、コマンド信号に応じた処理を実行する。つまり、CPU94は、通信距離Dに応じた処理速度で、ポーリング処理、書込処理、及び読出処理を行う。CPU94は、通信距離Dに応じて処理速度を変更させることによって、コマンド信号に対するレスポンスタイムを変更する。 The CPU 94 executes processing according to the command signal in the set operation mode. That is, the CPU 94 performs the polling process, the write process, and the read process at a processing speed according to the communication distance D. The CPU 94 changes the response time to the command signal by changing the processing speed according to the communication distance D.

次に、第2実施形態によるカートリッジメモリ19の作用について、図22を参照して説明する。 Next, the operation of the cartridge memory 19 according to the second embodiment will be explained with reference to FIG. 22.

図22に示す動作モード設定処理では、先ず、ステップST100で、CPU94は、コマンド信号、読み書き装置種類情報、及び磁気テープドライブ種類情報を含む信号の受信を検出する検出タイミングが到来したか否かを判定する。検出タイミングは、既定時間(例えば、0.5秒)毎に設定されている。ステップST100において、検出タイミングが到来していない場合は、判定が否定されて、動作モード設定処理はステップST113へ移行する。ステップST100において、検出タイミングが到来した場合は、判定が肯定されて、動作モード設定処理はステップST101へ移行する。 In the operation mode setting process shown in FIG. 22, first, in step ST100, the CPU 94 determines whether a detection timing for detecting reception of a signal including a command signal, read/write device type information, and magnetic tape drive type information has arrived. judge. The detection timing is set every predetermined time (for example, 0.5 seconds). In step ST100, if the detection timing has not arrived, the determination is negative and the operation mode setting process moves to step ST113. In step ST100, if the detection timing has arrived, the determination is affirmative and the operation mode setting process moves to step ST101.

ステップST101で、CPU94は、信号処理回路88によってコマンド信号、読み書き装置種類情報、及び磁気テープドライブ種類情報が受信されたか否かを判定する。ステップST101において、信号処理回路88によってコマンド信号、読み書き装置種類情報、及び磁気テープドライブ種類情報が受信されていない場合は、判定が否定されて、動作モード設定処理はステップST113へ移行する。ステップST101において、信号処理回路88によってコマンド信号、読み書き装置種類情報、及び磁気テープドライブ種類情報が受信された場合は、判定が肯定されて、動作モード設定処理はステップST102へ移行する。 In step ST101, the CPU 94 determines whether the signal processing circuit 88 has received a command signal, read/write device type information, and magnetic tape drive type information. In step ST101, if the command signal, read/write device type information, and magnetic tape drive type information are not received by the signal processing circuit 88, the determination is negative and the operation mode setting process moves to step ST113. In step ST101, if the command signal, read/write device type information, and magnetic tape drive type information are received by the signal processing circuit 88, the determination is affirmative, and the operation mode setting process moves to step ST102.

ステップST102で、CPU94は、受信した読み書き装置種類情報及び磁気テープドライブ種類情報を用いて、通信距離導出テーブル103に基づいて、通信距離Dを導出する。この後、動作モード設定処理は、ステップST103へ移行する。 In step ST102, the CPU 94 derives the communication distance D based on the communication distance derivation table 103 using the received read/write device type information and magnetic tape drive type information. After this, the operation mode setting process moves to step ST103.

ステップST103で、CPU94は、通信距離Dが第1通信距離閾値未満か否かを判定する。ステップST103において、通信距離Dが第1通信距離閾値以上の場合、判定が否定されて、動作モード設定処理はステップST106へ移行する。ステップST103において、通信距離Dが第1通信距離閾値未満の場合、判定が肯定されて、動作モード設定処理はステップST104へ移行する。 In step ST103, the CPU 94 determines whether the communication distance D is less than the first communication distance threshold. In step ST103, if the communication distance D is equal to or greater than the first communication distance threshold, the determination is negative and the operation mode setting process moves to step ST106. In step ST103, if the communication distance D is less than the first communication distance threshold, the determination is affirmative and the operation mode setting process moves to step ST104.

ステップST104で、CPU94は、動作モードとして、短時間処理モードを設定する。この後、動作モード設定処理はステップST105へ移行する。 In step ST104, the CPU 94 sets the short-time processing mode as the operation mode. After this, the operation mode setting process moves to step ST105.

ステップST105で、CPU94は、クロック周波数を、短時間処理モードに対応する第1周波数に設定する。この後、動作モード設定処理はステップST111へ移行する。 In step ST105, the CPU 94 sets the clock frequency to a first frequency corresponding to the short-time processing mode. After this, the operation mode setting process moves to step ST111.

ステップST106で、CPU94は、通信距離Dが第2通信距離閾値未満か否かを判定する。ステップST106において、通信距離Dが第2通信距離閾値以上の場合、判定が否定されて、動作モード設定処理はステップST109へ移行する。ステップST109において、通信距離Dが第2通信距離閾値未満(つまり、第1通信距離閾値≦通信距離D<第2通信距離閾値)の場合、判定が肯定されて、動作モード設定処理はステップST107へ移行する。 In step ST106, the CPU 94 determines whether the communication distance D is less than the second communication distance threshold. In step ST106, if the communication distance D is equal to or greater than the second communication distance threshold, the determination is negative and the operation mode setting process moves to step ST109. In step ST109, if the communication distance D is less than the second communication distance threshold (that is, first communication distance threshold≦communication distance D<second communication distance threshold), the determination is affirmative, and the operation mode setting process proceeds to step ST107. Transition.

ステップST107で、CPU94は、動作モードとして、中時間処理モードを設定する。この後、動作モード設定処理はステップST108へ移行する。 In step ST107, the CPU 94 sets the medium time processing mode as the operation mode. After this, the operation mode setting process moves to step ST108.

ステップST108で、CPU94は、クロック周波数を、中時間処理モードに対応する第2周波数に設定する。この後、動作モード設定処理はステップST111へ移行する。 In step ST108, the CPU 94 sets the clock frequency to a second frequency corresponding to the medium time processing mode. After this, the operation mode setting process moves to step ST111.

ステップST109で、CPU94は、動作モードとして、長時間処理モードを設定する。この後、動作モード設定処理はステップST110へ移行する。 In step ST109, the CPU 94 sets the long-time processing mode as the operation mode. After this, the operation mode setting process moves to step ST110.

ステップST110で、CPU94は、クロック周波数を、長時間処理モードに対応する第3周波数に設定する。この後、動作モード設定処理はステップST111へ移行する。 In step ST110, the CPU 94 sets the clock frequency to a third frequency corresponding to the long-time processing mode. After this, the operation mode setting process moves to step ST111.

ステップST111で、CPU94は、ステップST101で信号処理回路88によって受信されたコマンド信号に応じた処理を実行し、その後、動作モード設定処理はステップST112移行する。 In step ST111, the CPU 94 executes processing according to the command signal received by the signal processing circuit 88 in step ST101, and then the operation mode setting processing moves to step ST112.

ステップST112で、CPU94は、信号処理回路88及び共振回路92に対して、ステップST111の処理が実行されることで得られた処理結果を示す応答信号を、磁界MFを介して非接触式読み書き装置50へ送信させ、その後、動作モード設定処理はステップST113へ移行する。 In step ST112, the CPU 94 transmits a response signal indicating the processing result obtained by executing the processing in step ST111 to the signal processing circuit 88 and the resonance circuit 92 via the magnetic field MF to the non-contact reading/writing device. 50, and then the operation mode setting process moves to step ST113.

ステップST113で、CPU94は、動作モード設定処理を終了する条件(以下、「動作モード設定処理終了条件」と称する)を満足したか否かを判定する。動作モード設定処理終了条件としては、例えば、磁界MFが消失した、との条件が挙げられる。磁界MFが消失したか否かは、磁界強度測定回路90からCPU94に入力される磁界強度信号に基づいてCPU94によって判定される。ステップST113において、動作モード設定処理終了条件を満足していない場合は、判定が否定されて、動作モード設定処理はステップST100へ移行する。ステップST113において、動作モード設定処理終了条件を満足した場合は、判定が肯定されて、動作モード設定処理が終了する。 In step ST113, the CPU 94 determines whether conditions for terminating the operation mode setting process (hereinafter referred to as "operation mode setting process terminating conditions") are satisfied. An example of the condition for terminating the operation mode setting process is that the magnetic field MF has disappeared. Whether or not the magnetic field MF has disappeared is determined by the CPU 94 based on the magnetic field strength signal input to the CPU 94 from the magnetic field strength measurement circuit 90. In step ST113, if the operation mode setting process termination condition is not satisfied, the determination is negative and the operation mode setting process moves to step ST100. In step ST113, if the conditions for terminating the operation mode setting process are satisfied, the determination is affirmative and the operation mode setting process ends.

以上説明したように、本第2実施形態において、CPU94は、コマンド信号に対するレスポンスタイムを、磁気テープカートリッジ10及び非接触式読み書き装置50の特性から導出される通信距離Dに応じて変更する。従って、本構成によれば、通信距離Dに関係なくレスポンスタイムが設定される場合に比べ、カートリッジメモリ19の動作の安定と処理速度の向上との両立を実現することができる。 As described above, in the second embodiment, the CPU 94 changes the response time to the command signal according to the communication distance D derived from the characteristics of the magnetic tape cartridge 10 and the non-contact read/write device 50. Therefore, according to this configuration, compared to the case where the response time is set regardless of the communication distance D, it is possible to achieve both stable operation of the cartridge memory 19 and improvement in processing speed.

なお、上記第2実施形態では、通信距離Dに応じてレスポンスタイムが変更される形態例を挙げて説明したが、本開示の技術はこれに限定されない。CPU94は、例えば、動作モードを予め短時間処理モードに設定しておき、通信距離Dに応じて、動作モードを中時間処理モード又は長時間処理モードに変更してもよい。つまり、CPU94は、通信距離Dに応じて、レスポンスタイムを、標準的なレスポンスタイムとして予め定められた時間よりも長くしてもよい。本構成によれば、カートリッジメモリ19の動作の安定と消費電力の低減との両立を実現することができる。 Note that although the second embodiment has been described using an example in which the response time is changed depending on the communication distance D, the technology of the present disclosure is not limited to this. The CPU 94 may, for example, set the operation mode in advance to the short-time processing mode, and change the operation mode to the medium-time processing mode or the long-time processing mode depending on the communication distance D. That is, the CPU 94 may make the response time longer than the time predetermined as the standard response time, depending on the communication distance D. According to this configuration, it is possible to achieve both stable operation of the cartridge memory 19 and reduction in power consumption.

[第3実施形態]
上記第2実施形態では、通信距離Dに応じてカートリッジメモリ19の動作モードが変更される形態例を説明したが、本第3実施形態では、NVM96に対して設定されている使用可能な記憶容量(以下、「使用可能記憶容量」とも称する)に応じて、動作モードが変更される形態例について説明する。なお、本第3実施形態では、上記第1及び第2実施形態で説明した構成要素と同一の構成要素は、第1及び第2実施形態と同一の符号で表し、その説明を省略する。
[Third embodiment]
In the second embodiment, the operation mode of the cartridge memory 19 is changed depending on the communication distance D, but in the third embodiment, the usable storage capacity set for the NVM 96 is explained. (Hereinafter, also referred to as "usable storage capacity") An example of a mode in which the operation mode is changed according to the storage capacity will be described. In the third embodiment, the same components as those described in the first and second embodiments are denoted by the same symbols as in the first and second embodiments, and the explanation thereof will be omitted.

一例として図23に示すように、NVM96には、使用可能記憶容量に関する情報を示す使用可能記憶容量情報105が格納されている。NVM96の使用可能記憶容量は、例えば、NVM96の全記憶容量の数分の1に設定されている。これは、一因として、磁気テープMTの製品寿命に比較して、NVM96に含まれるメモリセルが劣化しやすいことに基づいている。NVM96の使用可能記憶容量を全記憶容量の数分の1に設定しておくことによって、例えば、劣化して使用できなくなったメモリセルを未使用のメモリセルに代替することにより、NVM96の製品寿命を延ばすためである。なお、使用可能記憶容量は、本開示の技術に係る「非接触式通信媒体の特性」の一例である。 As an example, as shown in FIG. 23, the NVM 96 stores usable storage capacity information 105 indicating information regarding available storage capacity. The usable storage capacity of the NVM 96 is set to, for example, a fraction of the total storage capacity of the NVM 96. One reason for this is that the memory cells included in the NVM 96 tend to deteriorate compared to the product life of the magnetic tape MT. By setting the usable storage capacity of the NVM96 to a fraction of the total storage capacity, for example, by replacing memory cells that have deteriorated and become unusable with unused memory cells, the product life of the NVM96 can be extended. This is to extend the Note that the usable storage capacity is an example of "characteristics of the non-contact communication medium" according to the technology of the present disclosure.

一例として図24に示すように、CPU94は、NVM96から使用可能記憶容量情報105を読み出し、読み出した使用可能記憶容量情報105によって示される使用可能記憶容量を第1記憶容量閾値及び第2記憶容量閾値と比較する。第1記憶容量閾値は、例えば、短時間処理モードで、すなわち、第1周波数のクロック信号に基づいて読出処理を行ったとしても電力不足が生じない使用可能記憶容量の上限値として、実機による試験及び/コンピュータ・シミュレーション等によって予め導き出された値である。また、第2記憶容量閾値は、例えば、中時間処理モードで、すなわち、第2周波数のクロック信号に基づいて読出処理を行ったとしても電力不足が生じない使用可能記憶容量の上限値として、実機による試験及び/コンピュータ・シミュレーション等によって予め導き出された値である。第1記憶容量閾値は、第2記憶容量閾値よりも小さい。 As an example, as shown in FIG. 24, the CPU 94 reads the usable storage capacity information 105 from the NVM 96, and sets the usable storage capacity indicated by the read usable storage capacity information 105 to a first storage capacity threshold and a second storage capacity threshold. Compare with. The first storage capacity threshold is, for example, the upper limit of the usable storage capacity that does not cause a power shortage even if read processing is performed in short-time processing mode, that is, based on the clock signal of the first frequency, and is determined by testing using an actual device. and/a value derived in advance by computer simulation or the like. Further, the second storage capacity threshold is set as the upper limit of the usable storage capacity that does not cause a power shortage even when reading processing is performed based on the clock signal of the second frequency in the medium time processing mode, for example. This is a value derived in advance through tests and/or computer simulations. The first storage capacity threshold is smaller than the second storage capacity threshold.

CPU94は、使用可能記憶容量情報105によって示される使用可能記憶容量が第1記憶容量閾値未満の場合、動作モードとして、短時間処理モードを設定する。また、使用可能記憶容量情報105によって示される使用可能記憶容量が第1記憶容量閾値以上、かつ、第2記憶容量閾値未満の場合、CPU94は、動作モードとして、中時間処理モードを設定する。また、使用可能記憶容量情報105によって示される使用可能記憶容量が第2記憶容量閾値以上の場合、CPU94は、動作モードとして、長時間処理モードを設定する。 If the available storage capacity indicated by the available storage capacity information 105 is less than the first storage capacity threshold, the CPU 94 sets the short-time processing mode as the operation mode. Furthermore, when the available storage capacity indicated by the available storage capacity information 105 is greater than or equal to the first storage capacity threshold and less than the second storage capacity threshold, the CPU 94 sets the medium time processing mode as the operating mode. Further, when the available storage capacity indicated by the available storage capacity information 105 is equal to or greater than the second storage capacity threshold, the CPU 94 sets the long-time processing mode as the operation mode.

CPU94は、設定した動作モードで、コマンド信号に応じた処理を実行する。つまり、CPU94は、使用可能記憶容量に応じた処理速度で、ポーリング処理、書込処理、及び読出処理を行う。CPU94は、使用可能記憶容量に応じて処理速度を変更させることによって、コマンド信号に対するレスポンスタイムを変更する。 The CPU 94 executes processing according to the command signal in the set operation mode. That is, the CPU 94 performs polling processing, writing processing, and reading processing at a processing speed that corresponds to the available storage capacity. The CPU 94 changes the response time to the command signal by changing the processing speed according to the available storage capacity.

以上説明したように、本第3実施形態において、CPU94は、NVM96に対して設定されている使用可能記憶容量に応じてレスポンスタイムを変更する。従って、本構成によれば、使用可能記憶容量に関係なくレスポンスタイムが設定される場合に比べ、カートリッジメモリ19の動作の安定と処理速度の向上との両立を実現することができる。 As explained above, in the third embodiment, the CPU 94 changes the response time according to the usable storage capacity set for the NVM 96. Therefore, according to this configuration, compared to the case where the response time is set regardless of the usable storage capacity, it is possible to achieve both stable operation of the cartridge memory 19 and improvement in processing speed.

[第4実施形態]
上記第3実施形態では、使用可能記憶容量に応じて動作モードが変更される形態例を挙げて説明したが、本第4実施形態では、カートリッジメモリ19は複数の通信規格を選択的に用いて通信を行うことが可能であり、用いられる通信規格に応じてレスポンスタイムが変更される態様について説明する。なお、本第4実施形態では、上記第1~第3実施形態で説明した構成要素と同一の構成要素は、第1~第3実施形態と同一の符号で表し、その説明を省略する。
[Fourth embodiment]
In the third embodiment, the operation mode is changed according to the usable storage capacity, but in the fourth embodiment, the cartridge memory 19 selectively uses a plurality of communication standards. A mode in which communication can be performed and the response time is changed depending on the communication standard used will be described. In the fourth embodiment, the same components as those described in the first to third embodiments are indicated by the same reference numerals as those in the first to third embodiments, and the explanation thereof will be omitted.

本第4実施形態において、カートリッジメモリ19は、複数の通信規格に対応しており、CPU94は、複数の通信規格を選択的に用いて、非接触式読み書き装置50と通信を行う。カートリッジメモリ19と非接触式読み書き装置50との間の無線通信で用いられる通信規格としては、例えば、ISO18092、ISO14443A、ISO14443B、及びISO15693等が挙げられる。 In the fourth embodiment, the cartridge memory 19 is compatible with a plurality of communication standards, and the CPU 94 communicates with the non-contact reading/writing device 50 by selectively using the plurality of communication standards. Examples of communication standards used in wireless communication between the cartridge memory 19 and the non-contact reading/writing device 50 include ISO18092, ISO14443A, ISO14443B, and ISO15693.

一例として図25に示すように、NVM96は、設定可能パラメータ記憶ブロック122、現設定パラメータ記憶ブロック124、及びプログラム記憶ブロック126を含む複数の記憶ブロックを有する。複数の記憶ブロックには、管理情報100(図10参照)等が記憶されている。 As shown in FIG. 25 by way of example, NVM 96 has a plurality of storage blocks including a configurable parameter storage block 122, a current configuration parameter storage block 124, and a program storage block 126. Management information 100 (see FIG. 10) and the like are stored in the plurality of storage blocks.

設定可能パラメータ記憶ブロック122には、ICチップ52において設定可能な通信規格を特定可能な複数の通信規格パラメータ130が記憶されている。現設定パラメータ記憶ブロック124には、現設定パラメータ132が記憶されている。現設定パラメータ132は、複数の通信規格パラメータ130のうち、ICチップ52において現在設定されている通信規格に対応する通信規格パラメータ130である。 The settable parameter storage block 122 stores a plurality of communication standard parameters 130 that can specify communication standards that can be set in the IC chip 52. Current setting parameters 132 are stored in the current setting parameter storage block 124 . The current setting parameter 132 is a communication standard parameter 130 corresponding to the communication standard currently set in the IC chip 52, among the plurality of communication standard parameters 130.

プログラム記憶ブロック126には、動作モード設定処理プログラム102に加えて、通信規格設定プログラム134が記憶されている。 In addition to the operation mode setting processing program 102, the program storage block 126 stores a communication standard setting program 134.

現設定パラメータ記憶ブロック124に記憶されている現設定パラメータ132から特定される通信規格は、ICチップ52において現在設定されている通信規格である。CPU94は、現設定パラメータ記憶ブロック124に記憶されている現設定パラメータ132に応じてレスポンスタイムを変更する。 The communication standard specified from the current setting parameter 132 stored in the current setting parameter storage block 124 is the communication standard currently set in the IC chip 52. The CPU 94 changes the response time according to the current setting parameters 132 stored in the current setting parameter storage block 124.

一例として図26に示すように、非接触式読み書き装置50は、複数の通信規格に対応している。非接触式読み書き装置50は、複数の通信規格のうち、カートリッジメモリ19が対応可能な通信規格を用いて、カートリッジメモリ19と通信を行う。なお、非接触式読み書き装置50とカートリッジメモリ19との通信に用いられる通信規格は、本開示の技術に係る「非接触式通信媒体の特性」及び「通信先の特性」の一例である。 As shown in FIG. 26 as an example, the non-contact reading/writing device 50 is compatible with a plurality of communication standards. The non-contact reading/writing device 50 communicates with the cartridge memory 19 using a communication standard that the cartridge memory 19 can support among a plurality of communication standards. Note that the communication standard used for communication between the non-contact reading/writing device 50 and the cartridge memory 19 is an example of "characteristics of a non-contact communication medium" and "characteristics of a communication destination" according to the technology of the present disclosure.

一例として図26に示すように、非接触式読み書き装置50は、コイル60に対して磁界MF(図5及び図6参照)を与えることで、コイル60と電磁誘導で結合する。非接触式読み書き装置50とコイル60とが電磁誘導で結合された状態で、非接触式読み書き装置50は、ポーリングコマンドを信号処理回路88に送信する。信号処理回路88は、非接触式読み書き装置50からのポーリングコマンドを、コイル60を介して受信する。信号処理回路88は、受信したポーリングコマンドをCPU94に送信する。 As an example, as shown in FIG. 26, the non-contact read/write device 50 is coupled to the coil 60 by electromagnetic induction by applying a magnetic field MF (see FIGS. 5 and 6) to the coil 60. With the non-contact reading/writing device 50 and the coil 60 coupled by electromagnetic induction, the non-contact reading/writing device 50 transmits a polling command to the signal processing circuit 88 . The signal processing circuit 88 receives a polling command from the non-contact reading/writing device 50 via the coil 60 . The signal processing circuit 88 transmits the received polling command to the CPU 94.

CPU94は、信号処理回路88からポーリングコマンドを受け付け、受け付けたポーリングコマンドの通信規格を判定する。CPU94は、複数の通信規格のうち、判定結果に応じた通信規格を選択して設定する。 The CPU 94 receives a polling command from the signal processing circuit 88 and determines the communication standard of the received polling command. The CPU 94 selects and sets a communication standard according to the determination result from among the plurality of communication standards.

一例として図27に示すように、CPU94は、設定可能パラメータ記憶ブロック122から、判定結果に応じた通信規格に対応する通信規格パラメータ130を取得する。そして、CPU94は、設定可能パラメータ記憶ブロック122から取得した通信規格パラメータ130を現設定パラメータ記憶ブロック124に上書き保存することで、現設定パラメータ記憶ブロック124内の現設定パラメータ132を更新する。すなわち、現設定パラメータ記憶ブロック124内の現設定パラメータ132がCPU94によって書き換えられることで、現設定パラメータ記憶ブロック124内の現設定パラメータ132が更新される。 As an example, as shown in FIG. 27, the CPU 94 acquires communication standard parameters 130 corresponding to the communication standard according to the determination result from the settable parameter storage block 122. Then, the CPU 94 updates the current setting parameters 132 in the current setting parameter storage block 124 by overwriting and saving the communication standard parameters 130 acquired from the configurable parameter storage block 122 in the current setting parameter storage block 124. That is, by rewriting the current setting parameters 132 in the current setting parameter storage block 124 by the CPU 94, the current setting parameters 132 in the current setting parameter storage block 124 are updated.

現設定パラメータ記憶ブロック124に記憶されている現設定パラメータ132から特定される通信規格は、ICチップ52において現在設定されている通信規格である。CPU94は、現設定パラメータ132に基づいて現在設定されている通信規格を特定し、特定した通信規格に応じて動作モードを変更する。 The communication standard specified from the current setting parameter 132 stored in the current setting parameter storage block 124 is the communication standard currently set in the IC chip 52. The CPU 94 specifies the currently set communication standard based on the current setting parameter 132, and changes the operating mode according to the specified communication standard.

一例として図28に示すように、現在設定されている通信規格が高速通信規格である場合、CPU94は、動作モードとして、短時間処理モードを設定する。また、現在設定されている通信規格が中速通信規格である場合、CPU94は、動作モードとして、中時間処理モードを設定する。現在設定されている通信規格が低速通信規格である場合、CPU94は、動作モードとして、長時間処理モードを設定する。 As an example, as shown in FIG. 28, when the currently set communication standard is a high-speed communication standard, the CPU 94 sets the short-time processing mode as the operation mode. Furthermore, if the currently set communication standard is the medium speed communication standard, the CPU 94 sets the medium time processing mode as the operation mode. If the currently set communication standard is the low-speed communication standard, the CPU 94 sets the long-time processing mode as the operating mode.

CPU94は、設定した動作モードで、コマンド信号に応じた処理を実行する。つまり、CPU94は、現在設定されている通信規格に応じた処理速度で、ポーリング処理、書込処理、及び読出処理を行う。CPU94は、現在設定されている通信規格に応じて処理速度を変更させることによって、コマンド信号に対するレスポンスタイムを変更する。 The CPU 94 executes processing according to the command signal in the set operation mode. That is, the CPU 94 performs polling processing, writing processing, and reading processing at a processing speed according to the currently set communication standard. The CPU 94 changes the response time to the command signal by changing the processing speed according to the currently set communication standard.

以上説明したように、本第4実施形態において、カートリッジメモリ19は複数の通信規格に対応している。CPU94は、複数の通信規格を選択的に用いて通信を行い、通信に用いられる通信規格に応じてレスポンスタイムを変更する。従って、本構成によれば、現在設定されている通信規格に関係なくレスポンスタイムが設定される場合に比べ、カートリッジメモリ19の動作の安定と処理速度の向上との両立を実現することができる。 As explained above, in the fourth embodiment, the cartridge memory 19 is compatible with a plurality of communication standards. The CPU 94 selectively performs communication using a plurality of communication standards, and changes the response time depending on the communication standard used for communication. Therefore, according to this configuration, compared to the case where the response time is set regardless of the currently set communication standard, it is possible to achieve both stable operation of the cartridge memory 19 and improvement in processing speed.

また、非接触式読み書き装置50は、複数の通信規格の各々で通信可能である。CPU94は、複数の通信規格のうちのカートリッジメモリ19に対応する通信規格に応じてレスポンスタイムを変更する。従って、本構成によれば、1つの通信規格しか使用できない場合に比べ、通信規格に対する選択の自由度が向上する。 Furthermore, the non-contact reading/writing device 50 is capable of communicating using each of a plurality of communication standards. The CPU 94 changes the response time according to the communication standard corresponding to the cartridge memory 19 among the plurality of communication standards. Therefore, according to this configuration, the degree of freedom in selecting a communication standard is improved compared to a case where only one communication standard can be used.

なお、上記第4実施形態では、1つの非接触式読み書き装置50が複数の通信規格に対応している形態例を挙げて説明したが、本開示の技術はこれに限定されない。一例として図29に示すように、例えば、それぞれ異なる通信規格に対応している複数の非接触式読み書き装置50-1及び50-2が、同一のカートリッジメモリ19と通信を行う場合に、本開示の技術を適用してもよい。つまり、CPU94は、複数の非接触式読み書き装置50-1及び50-2のうち使用される非接触式読み書き装置50-1又は50-2が用いる通信規格に応じて、レスポンスタイムを変更してもよい。本構成によれば、1つの通信規格にしか対応できない場合に比べ、複数の非接触式読み書き装置50-1及び50-2が有する複数の通信規格に対応可能な汎用性の高いカートリッジメモリ19を提供することができる。 Although the fourth embodiment has been described using an example in which one non-contact reading/writing device 50 is compatible with a plurality of communication standards, the technology of the present disclosure is not limited to this. As an example, as shown in FIG. 29, when a plurality of non-contact reading/writing devices 50-1 and 50-2 each supporting different communication standards communicate with the same cartridge memory 19, the present disclosure techniques may be applied. In other words, the CPU 94 changes the response time according to the communication standard used by the non-contact reading/writing device 50-1 or 50-2 among the plurality of non-contact reading/writing devices 50-1 and 50-2. Good too. According to this configuration, the highly versatile cartridge memory 19 that is compatible with multiple communication standards of the multiple non-contact reading/writing devices 50-1 and 50-2 is used, compared to a case where the cartridge memory 19 is compatible with only one communication standard. can be provided.

なお、上記各実施形態では、傾斜角度θとして45度を例示したが、本開示の技術はこれに限定されず、一例として図30に示すように、カートリッジメモリ19の基準面16A1に対する傾斜角度として、傾斜角度θよりも小さな傾斜角度θ1が採用されてもよい。傾斜角度θ1の一例としては30度が挙げられる。傾斜角度θ1は、傾斜角度θよりも小さな角度であるので、傾斜角度θの場合に比べ、コイル60(図7参照)に対して多くの磁力線を貫通させることができる。この結果、磁気テープカートリッジ10が磁気テープドライブ30に装填された状態で、コイル60は、傾斜角度θの場合に比べ、大きな誘導電流を得ることができる。 Note that in each of the above embodiments, the inclination angle θ is 45 degrees, but the technology of the present disclosure is not limited to this, and as an example, as shown in FIG. , an inclination angle θ1 smaller than the inclination angle θ may be adopted. An example of the inclination angle θ1 is 30 degrees. Since the inclination angle θ1 is smaller than the inclination angle θ, more lines of magnetic force can penetrate the coil 60 (see FIG. 7) than in the case of the inclination angle θ. As a result, when the magnetic tape cartridge 10 is loaded in the magnetic tape drive 30, the coil 60 can obtain a larger induced current than when the tilt angle is θ.

一例として図31に示すように、磁気テープカートリッジ10の生産工程、磁気テープカートリッジ10の管理工程、及び/又は、磁気テープカートリッジ10が流通する流通工程(例えば、市場での流通工程)では、上下方向に重ねられた複数の磁気テープカートリッジ10がプラスチックフィルムで束ねられたパッケージ200内の各磁気テープカートリッジ10のカートリッジメモリ19に対して非接触式読み書き装置150によって管理情報100等の読み書きが行われる。カートリッジメモリ19に対する非接触式読み書き装置150による管理情報100等の読み書きは、磁気テープカートリッジ10の後側において複数の磁気テープカートリッジ10が重ねられた方向に沿って非接触式読み書き装置150を移動させながら行われる。この場合、例えば、非接触式読み書き装置150は、磁界MF1のオンとオフとを繰り返しながら磁気テープカートリッジ10の各々に対して磁界MF1を順次に放出する。 As an example, as shown in FIG. 31, in the production process of the magnetic tape cartridge 10, the management process of the magnetic tape cartridge 10, and/or the distribution process (for example, the distribution process in the market) in which the magnetic tape cartridge 10 is distributed, A non-contact read/write device 150 reads and writes management information 100 and the like into the cartridge memory 19 of each magnetic tape cartridge 10 in a package 200 in which a plurality of magnetic tape cartridges 10 stacked in a direction are bundled with a plastic film. . The non-contact reading/writing device 150 reads and writes the management information 100 and the like in the cartridge memory 19 by moving the non-contact reading/writing device 150 along the direction in which a plurality of magnetic tape cartridges 10 are stacked on the rear side of the magnetic tape cartridge 10. It is done while In this case, for example, the non-contact read/write device 150 sequentially emits the magnetic field MF1 to each of the magnetic tape cartridges 10 while repeatedly turning the magnetic field MF1 on and off.

ところで、磁気テープカートリッジ10が磁気テープドライブ30に装填されている環境下(第1環境下)では、磁気テープカートリッジ10の下方向又は上方向から非接触式読み書き装置50によって磁界MF(第1磁界)が、基準面16A1に対して正対する側から、基板26のうちのコイル60が形成されている裏面26A(コイル形成面)に向けて磁界MFが付与される(図30参照)。これにより、カートリッジメモリ19の傾斜角度が傾斜角度θの場合に比べ、多くの磁力線がコイル60を貫通することになり、大きな誘導電流が得られる。 By the way, in an environment where the magnetic tape cartridge 10 is loaded in the magnetic tape drive 30 (first environment), the magnetic field MF (first magnetic field ), a magnetic field MF is applied from the side directly facing the reference surface 16A1 toward the back surface 26A (coil formation surface) of the substrate 26 where the coil 60 is formed (see FIG. 30). As a result, more lines of magnetic force pass through the coil 60 than when the inclination angle of the cartridge memory 19 is the inclination angle θ, and a large induced current can be obtained.

これに対し、生産工程、管理工程、及び/又は流通工程の環境下(第2環境下)では、一例として図31に示すように、複数の磁気テープカートリッジ10がパッケージ200として取り扱われる。この場合、基準面16A1の法線方向に対して交差し、かつ、裏面26Aに対峙する側から裏面26Aに向けて磁界MF1(第2磁界)が付与される。これにより、カートリッジメモリ19の傾斜角度が傾斜角度θの場合に比べ、パッケージ200内で意図しない磁気テープカートリッジ10に対して管理情報100等の読み書きが行われる(クロストークが生じる)ことを抑制することができる。 On the other hand, in an environment of a production process, a management process, and/or a distribution process (second environment), a plurality of magnetic tape cartridges 10 are handled as a package 200, as shown in FIG. 31 as an example. In this case, a magnetic field MF1 (second magnetic field) is applied toward the back surface 26A from the side that intersects with the normal direction of the reference surface 16A1 and faces the back surface 26A. As a result, compared to the case where the inclination angle of the cartridge memory 19 is the inclination angle θ, reading and writing of management information 100, etc. to an unintended magnetic tape cartridge 10 within the package 200 is suppressed (crosstalk occurs). be able to.

なお、図31に示す例では、非接触式読み書き装置150がパッケージ200内の各カートリッジメモリ19と磁界MF1を介して通信を行う場合に非接触式読み書き装置150がパッケージ200に対して上下方向に沿って移動している態様が例示されているが、この態様はあくまでも一例に過ぎず、非接触式読み書き装置150の位置を固定して、パッケージ200を上下方向に沿って移動させてもよい。また、非接触式読み書き装置150とパッケージ200とは上下方向において反対の方向に移動させてもよい。このように、非接触式読み書き装置150がパッケージ200内の各カートリッジメモリ19と磁界MF1を介して通信を行う場合、非接触式読み書き装置150がパッケージ200に対して上下方向に沿って相対的に移動していればよい。 In the example shown in FIG. 31, when the non-contact reading/writing device 150 communicates with each cartridge memory 19 in the package 200 via the magnetic field MF1, the non-contact reading/writing device 150 is placed vertically with respect to the package 200. Although a mode in which the package 200 is moved along the vertical direction is illustrated, this mode is just an example, and the position of the non-contact type reading/writing device 150 may be fixed and the package 200 may be moved along the vertical direction. Further, the non-contact reading/writing device 150 and the package 200 may be moved in opposite directions in the vertical direction. In this way, when the non-contact reading/writing device 150 communicates with each cartridge memory 19 in the package 200 via the magnetic field MF1, the non-contact reading/writing device 150 is positioned relative to the package 200 along the vertical direction. All you have to do is move.

非接触式読み書き装置150は、カートリッジメモリ19に対して管理情報100等の読み書きを行う場合、磁気テープカートリッジ10の後方からカートリッジメモリ19に向けて磁界MF1を放出する。カートリッジメモリ19の電力生成器70は、磁界MF1がカートリッジメモリ19のコイル60に作用することで電力を生成する。そして、非接触式読み書き装置150は、磁界MF1を介してコマンド信号をカートリッジメモリ19に送信する。カートリッジメモリ19は、電力生成器70によって生成された電力を用いて、コマンド信号に応じた処理を実行し、かつ、処理結果を応答信号として非接触式読み書き装置150に送信する。すなわち、非接触式読み書き装置150とカートリッジメモリ19との間で磁界MF1を介して各種情報の授受が行われる。 When the non-contact read/write device 150 reads or writes management information 100 or the like to the cartridge memory 19, it emits a magnetic field MF1 from the rear of the magnetic tape cartridge 10 toward the cartridge memory 19. The power generator 70 of the cartridge memory 19 generates power by the magnetic field MF1 acting on the coil 60 of the cartridge memory 19. The non-contact reading/writing device 150 then transmits a command signal to the cartridge memory 19 via the magnetic field MF1. The cartridge memory 19 uses the power generated by the power generator 70 to execute processing according to the command signal, and transmits the processing result to the non-contact reading/writing device 150 as a response signal. That is, various information is exchanged between the non-contact reading/writing device 150 and the cartridge memory 19 via the magnetic field MF1.

パッケージ200に含まれる1つの磁気テープカートリッジ10(以下、符号を付さずに「単一カートリッジ」とも称する)のカートリッジメモリ19(以下、符号を付さずに「読み書き対象カートリッジメモリ」とも称する)に対しては、単一カートリッジの後方から読み書き対象カートリッジメモリに向けて非接触式読み書き装置150から磁界MF1が付与される。しかし、傾斜角度θの場合、磁界MF1の指向性次第で、パッケージ200内で単一カートリッジと隣接する磁気テープカートリッジ10(以下、「隣接カートリッジ」とも称する)のカートリッジメモリ19に対しても磁界MF1が付与され、隣接カートリッジのカートリッジメモリ19に対して、管理情報100等の読み書きが行われてしまう虞がある。隣接カートリッジのカートリッジメモリ19に対して管理情報100等の読み書きが行われるというのは、換言すると、クロストークが生じる、ということである。 Cartridge memory 19 of one magnetic tape cartridge 10 (hereinafter also referred to as "single cartridge" without reference numeral) included in package 200 (hereinafter also referred to as "read/write target cartridge memory" without reference numeral) , a magnetic field MF1 is applied from the non-contact reading/writing device 150 toward the cartridge memory to be read/written from the rear of the single cartridge. However, in the case of the inclination angle θ, depending on the directivity of the magnetic field MF1, the magnetic field MF1 may also be applied to the cartridge memory 19 of the magnetic tape cartridge 10 adjacent to the single cartridge in the package 200 (hereinafter also referred to as "adjacent cartridge"). , and there is a risk that the management information 100 or the like may be read or written to the cartridge memory 19 of an adjacent cartridge. In other words, when the management information 100 and the like are read and written to the cartridge memory 19 of an adjacent cartridge, crosstalk occurs.

ここで、傾斜角度θ1とした場合、傾斜角度θよりもカートリッジメモリ19のコイル60を貫通する磁力線の本数を少なくすることができ、傾斜角度θに比べ、隣接カートリッジのカートリッジメモリ19に対して、磁界MF1が付与され難くなる。この結果、傾斜角度θ1とした場合、傾斜角度θに比べ、磁気テープカートリッジ10に対して管理情報100等が誤って読み書きされること、すなわち、クロストークが生じることを抑制することができる。この結果、例えば、磁気テープカートリッジ10の生産工程では、設備コストを増大させることなく、磁気テープカートリッジ10の生産性を向上させることができる。また、磁気テープカートリッジ10の管理工程では、設備コストを増大させることなく、磁気テープカートリッジ10の管理の効率化を図ることができる。 Here, when the inclination angle is θ1, the number of magnetic lines of force passing through the coil 60 of the cartridge memory 19 can be reduced compared to the inclination angle θ, and compared to the inclination angle θ, the number of lines of magnetic force passing through the coil 60 of the cartridge memory 19 of the adjacent cartridge is smaller than that of the inclination angle θ. It becomes difficult to apply the magnetic field MF1. As a result, when the inclination angle is set to θ1, compared to the inclination angle θ, it is possible to suppress erroneous reading and writing of the management information 100 and the like to the magnetic tape cartridge 10, that is, the occurrence of crosstalk. As a result, for example, in the production process of the magnetic tape cartridge 10, the productivity of the magnetic tape cartridge 10 can be improved without increasing equipment costs. Furthermore, in the process of managing the magnetic tape cartridge 10, it is possible to improve the efficiency of managing the magnetic tape cartridge 10 without increasing equipment costs.

また、図10に示す例では、NVM96に動作モード設定処理プログラム102が記憶されている形態例を挙げたが、本開示の技術はこれに限定されない。例えば、図32に示すように、動作モード設定処理プログラム102が記憶媒体300に記憶されていてもよい。記憶媒体300は、非一時的記憶媒体である。記憶媒体300の一例としては、SSD又はUSBメモリなどの任意の可搬型の記憶媒体が挙げられる。 Further, in the example shown in FIG. 10, an example is given in which the operation mode setting processing program 102 is stored in the NVM 96, but the technology of the present disclosure is not limited to this. For example, as shown in FIG. 32, the operation mode setting processing program 102 may be stored in the storage medium 300. Storage medium 300 is a non-transitory storage medium. An example of the storage medium 300 is any portable storage medium such as an SSD or a USB memory.

記憶媒体300に記憶されている動作モード設定処理プログラム102は、コンピュータ84にインストールされる。CPU94は、動作モード設定処理プログラム102に従って動作モード設定処理を実行する。図32に示す例では、CPU94は、単数のCPUであるが、複数のCPUであってもよい。 The operation mode setting processing program 102 stored in the storage medium 300 is installed in the computer 84. The CPU 94 executes the operation mode setting process according to the operation mode setting process program 102. In the example shown in FIG. 32, the CPU 94 is a single CPU, but it may be a plurality of CPUs.

また、通信網(図示省略)を介してコンピュータ84に接続される他のコンピュータ又はサーバ装置等の記憶部に動作モード設定処理プログラム102を記憶させておき、カートリッジメモリ19からの要求に応じて動作モード設定処理プログラム102がダウンロードされ、コンピュータ84にインストールされるようにしてもよい。 Further, the operation mode setting processing program 102 is stored in a storage unit of another computer or server device connected to the computer 84 via a communication network (not shown), and is operated in response to a request from the cartridge memory 19. The mode setting processing program 102 may be downloaded and installed on the computer 84.

図32に示す例では、コンピュータ84が例示されているが、本開示の技術はこれに限定されず、コンピュータ84に代えて、ASIC、FPGA、及び/又はPLDを含むデバイスを適用してもよい。また、コンピュータ84に代えて、ハードウェア構成及びソフトウェア構成の組み合わせを用いてもよい。 Although the computer 84 is illustrated in the example shown in FIG. 32, the technology of the present disclosure is not limited to this, and instead of the computer 84, a device including an ASIC, an FPGA, and/or a PLD may be applied. . Further, instead of the computer 84, a combination of hardware configuration and software configuration may be used.

動作モード設定処理を実行するハードウェア資源としては、次に示す各種のプロセッサを用いることができる。プロセッサとしては、例えば、ソフトウェア、すなわち、プログラムを実行することで、動作モード設定処理を実行するハードウェア資源として機能する汎用的なプロセッサであるCPUが挙げられる。また、プロセッサとしては、例えば、FPGA、PLD、又はASICなどの特定の処理を実行させるために専用に設計された回路構成を有するプロセッサである専用電気回路が挙げられる。何れのプロセッサにもメモリが内蔵又は接続されており、何れのプロセッサもメモリを使用することで動作モード設定処理を実行する。 The following various processors can be used as hardware resources for executing the operation mode setting process. Examples of the processor include a CPU, which is a general-purpose processor that functions as a hardware resource that executes an operation mode setting process by executing software, that is, a program. Examples of the processor include a dedicated electric circuit such as an FPGA, PLD, or ASIC, which is a processor having a circuit configuration specifically designed to execute a specific process. Each processor has a built-in or connected memory, and each processor uses the memory to execute operation mode setting processing.

動作モード設定処理を実行するハードウェア資源は、これらの各種のプロセッサのうちの1つで構成されてもよいし、同種または異種の2つ以上のプロセッサの組み合わせ(例えば、複数のFPGAの組み合わせ、又はCPUとFPGAとの組み合わせ)で構成されてもよい。また、動作モード設定処理を実行するハードウェア資源は1つのプロセッサであってもよい。 The hardware resource that executes the operation mode setting process may be configured with one of these various processors, or a combination of two or more processors of the same type or different types (for example, a combination of multiple FPGAs, or a combination of a CPU and an FPGA). Furthermore, the hardware resource that executes the operation mode setting process may be one processor.

1つのプロセッサで構成する例としては、第1に、1つ以上のCPUとソフトウェアの組み合わせで1つのプロセッサを構成し、このプロセッサが、動作モード設定処理を実行するハードウェア資源として機能する形態がある。第2に、SoCなどに代表されるように、動作モード設定処理を実行する複数のハードウェア資源を含むシステム全体の機能を1つのICチップで実現するプロセッサを使用する形態がある。このように、動作モード設定処理は、ハードウェア資源として、上記各種のプロセッサの1つ以上を用いて実現される。 As an example of configuration using one processor, first, one processor is configured by a combination of one or more CPUs and software, and this processor functions as a hardware resource that executes operation mode setting processing. be. Second, as typified by SoC, there is a form that uses a processor that implements the functions of the entire system including a plurality of hardware resources that execute operation mode setting processing with one IC chip. In this way, the operation mode setting process is realized using one or more of the various processors described above as hardware resources.

更に、これらの各種のプロセッサのハードウェア的な構造としては、より具体的には、半導体素子などの回路素子を組み合わせた電気回路を用いることができる。また、上記の動作モード設定処理はあくまでも一例である。従って、主旨を逸脱しない範囲内において不要なステップを削除したり、新たなステップを追加したり、処理順序を入れ替えたりしてもよいことは言うまでもない。 Furthermore, as the hardware structure of these various processors, more specifically, an electric circuit that is a combination of circuit elements such as semiconductor elements can be used. Furthermore, the above operation mode setting process is just an example. Therefore, it goes without saying that unnecessary steps may be deleted, new steps may be added, or the processing order may be rearranged without departing from the main idea.

以上に示した記載内容及び図示内容は、本開示の技術に係る部分についての詳細な説明であり、本開示の技術の一例に過ぎない。例えば、上記の構成、機能、作用、及び効果に関する説明は、本開示の技術に係る部分の構成、機能、作用、及び効果の一例に関する説明である。よって、本開示の技術の主旨を逸脱しない範囲内において、以上に示した記載内容及び図示内容に対して、不要な部分を削除したり、新たな要素を追加したり、置き換えたりしてもよいことは言うまでもない。また、錯綜を回避し、本開示の技術に係る部分の理解を容易にするために、以上に示した記載内容及び図示内容では、本開示の技術の実施を可能にする上で特に説明を要しない技術常識等に関する説明は省略されている。 The descriptions and illustrations described above are detailed explanations of portions related to the technology of the present disclosure, and are merely examples of the technology of the present disclosure. For example, the above description regarding the configuration, function, operation, and effect is an example of the configuration, function, operation, and effect of the part related to the technology of the present disclosure. Therefore, unnecessary parts may be deleted, new elements may be added, or replacements may be made to the written and illustrated contents described above without departing from the gist of the technology of the present disclosure. Needless to say. In addition, in order to avoid confusion and facilitate understanding of the parts related to the technology of the present disclosure, the descriptions and illustrations shown above do not include parts that require particular explanation in order to enable implementation of the technology of the present disclosure. Explanations regarding common technical knowledge, etc. that do not apply are omitted.

本明細書において、「A及び/又はB」は、「A及びBのうちの少なくとも1つ」と同義である。つまり、「A及び/又はB」は、Aだけであってもよいし、Bだけであってもよいし、A及びBの組み合わせであってもよい、という意味である。また、本明細書において、3つ以上の事柄を「及び/又は」で結び付けて表現する場合も、「A及び/又はB」と同様の考え方が適用される。 In this specification, "A and/or B" is synonymous with "at least one of A and B." That is, "A and/or B" means that it may be only A, only B, or a combination of A and B. Furthermore, in this specification, even when three or more items are expressed by connecting them with "and/or", the same concept as "A and/or B" is applied.

本明細書に記載された全ての文献、特許出願及び技術規格は、個々の文献、特許出願及び技術規格が参照により取り込まれることが具体的かつ個々に記された場合と同程度に、本明細書中に参照により取り込まれる。 All documents, patent applications, and technical standards mentioned herein are incorporated herein by reference to the same extent as if each individual document, patent application, and technical standard was specifically and individually indicated to be incorporated by reference. Incorporated by reference into this book.

以上の実施形態に関し、更に以下の付記を開示する。 Regarding the above embodiments, the following additional notes are further disclosed.

(付記1)
コイルが形成された基板と、外部から与えられた外部磁界が上記コイルに対して作用することで電力を生成する電力生成器と、上記電力生成器によって生成された上記電力を用いて、上記外部磁界に含まれるコマンドに対する処理を行うプロセッサと、を備えた非接触式通信媒体が収容され、かつ、基準平面が形成されている磁気テープカートリッジ内の上記非接触式通信媒体に対して上記外部から上記外部磁界が付与され、付与された上記外部磁界を介して上記非接触式通信媒体と通信を行うことで上記磁気テープカートリッジを管理する非接触式管理方法であって、
上記基板を上記基準平面に対して45度未満の角度で傾斜させて配置すること、
上記磁気テープカートリッジが磁気テープドライブに装填された第1環境下で、上記基準平面に対して正対する側から、上記基板のうちの上記コイルが形成されているコイル形成面に向けて上記外部磁界として第1磁界を付与すること、及び、
上記磁気テープカートリッジが上記磁気テープドライブ外に存在する第2環境下で、上記基準平面の法線方向に対して交差し、かつ、上記コイル形成面に対峙する側から上記コイル形成面に向けて上記外部磁界として第2磁界を付与することを含む
非接触式管理方法。
(Additional note 1)
A substrate on which a coil is formed, a power generator that generates power by an external magnetic field applied from the outside acting on the coil, and a power generator that uses the power generated by the power generator to generate power from the outside. A processor that processes commands contained in a magnetic field; A non-contact management method for managing the magnetic tape cartridge by applying the external magnetic field and communicating with the non-contact communication medium via the applied external magnetic field,
arranging the substrate at an angle of less than 45 degrees with respect to the reference plane;
In a first environment where the magnetic tape cartridge is loaded into a magnetic tape drive, the external magnetic field is applied from the side directly facing the reference plane toward the coil forming surface of the substrate on which the coil is formed. applying a first magnetic field as
Under a second environment in which the magnetic tape cartridge exists outside the magnetic tape drive, the magnetic tape cartridge is directed toward the coil forming surface from a side that intersects with the normal direction of the reference plane and faces the coil forming surface. A non-contact management method comprising applying a second magnetic field as the external magnetic field.

(付記2)
上記第2環境は、上記磁気テープカートリッジの生産工程、上記磁気テープカートリッジの管理工程、及び/又は、上記磁気テープカートリッジが流通する流通工程である付記1に記載の非接触式管理方法。
(Additional note 2)
The non-contact management method according to appendix 1, wherein the second environment is a production process of the magnetic tape cartridge, a management process of the magnetic tape cartridge, and/or a distribution process in which the magnetic tape cartridge is distributed.

(付記3)
上記生産工程、上記管理工程、及び上記流通工程の各々は、複数の上記磁気テープカートリッジが上記法線方向に重ねられたパッケージ内の上記非接触式通信媒体に対して上記第2磁界を付与する工程を含む付記1又は付記2に記載の非接触式管理方法。
(Additional note 3)
Each of the production process, the management process, and the distribution process applies the second magnetic field to the non-contact communication medium in a package in which a plurality of magnetic tape cartridges are stacked in the normal direction. The non-contact management method according to Supplementary Note 1 or 2, which includes a step.

(付記4)
上記外部装置が、上記法線方向に沿って移動しながら、上記複数の磁気テープカートリッジの各々の上記非接触通信媒体の上記コイル形成面に対して上記外部磁界を付与することを含む付記3に記載の非接触式管理方法。
(Additional note 4)
Supplementary note 3, wherein the external device applies the external magnetic field to the coil forming surface of the non-contact communication medium of each of the plurality of magnetic tape cartridges while moving along the normal direction. Contactless management method described.

10 磁気テープカートリッジ
12 ケース
12A 右壁
12B 開口
14 上ケース
14A 天板
14A1 内面
16 下ケース
16A 底板
16A1 基準面
16B 後壁
18 カートリッジリール
18A リールハブ
18B1 上フランジ
18B2 下フランジ
19 カートリッジメモリ
20 支持部材
20A 第1傾斜台
20A1,20B1 傾斜面
20B 第2傾斜台
22 位置規制リブ
24 リブ
24A 先端面
26 基板
26A 裏面
26B 表面
30 磁気テープドライブ
34 搬送装置
36 読取ヘッド
38 制御装置
40 送出モータ
42 巻取リール
44 巻取モータ
46 読取素子
48 ホルダ
50,50-1,50-2,150 非接触式読み書き装置
52 ICチップ
54 コンデンサ
54A,54B 電極
56 封止材
60 コイル
62A 第1導通部
62B 第2導通部
64A,64B,64C,64D 配線
70 電力生成器
80 内蔵コンデンサ
82 電源回路
84 コンピュータ
86 クロック信号生成器
88 信号処理回路
90 磁界強度測定回路
92 共振回路
94 CPU
96 NVM
98 RAM
99 バス
100 管理情報
102 動作モード設定処理プログラム
103 通信距離導出テーブル
105 使用可能記憶容量情報
122 設定可能パラメータ記憶ブロック
124 現設定パラメータ記憶ブロック
126 プログラム記憶ブロック
130 通信規格パラメータ
132 現設定パラメータ
134 通信規格設定処理プログラム
200 パッケージ
300 記憶媒体
A,B,C 矢印
D 通信距離
GR ガイドローラ
MF,MF1 磁界
MT 磁気テープ
θ,θ1 傾斜角度
10 Magnetic tape cartridge 12 Case 12A Right wall 12B Opening 14 Upper case 14A Top plate 14A1 Inner surface 16 Lower case 16A Bottom plate 16A1 Reference surface 16B Rear wall 18 Cartridge reel 18A Reel hub 18B1 Upper flange 18B2 Lower flange 19 Cartridge memory 20 Support member 20A 1st Inclined tables 20A1, 20B1 Inclined surface 20B Second inclined table 22 Position regulating rib 24 Rib 24A Top surface 26 Substrate 26A Back surface 26B Front surface 30 Magnetic tape drive 34 Conveying device 36 Reading head 38 Control device 40 Sending motor 42 Take-up reel 44 Winding Motor 46 Reading element 48 Holder 50, 50-1, 50-2, 150 Non-contact reading/writing device 52 IC chip 54 Capacitor 54A, 54B Electrode 56 Sealing material 60 Coil 62A First conducting part 62B Second conducting part 64A, 64B , 64C, 64D Wiring 70 Power generator 80 Built-in capacitor 82 Power supply circuit 84 Computer 86 Clock signal generator 88 Signal processing circuit 90 Magnetic field strength measurement circuit 92 Resonance circuit 94 CPU
96 NVM
98 RAM
99 Bus 100 Management information 102 Operation mode setting processing program 103 Communication distance derivation table 105 Available storage capacity information 122 Settable parameter storage block 124 Current setting parameter storage block 126 Program storage block 130 Communication standard parameter 132 Current setting parameter 134 Communication standard setting Processing program 200 Package 300 Storage medium A, B, C Arrow D Communication distance GR Guide rollers MF, MF1 Magnetic field MT Magnetic tape θ, θ1 Inclination angle

Claims (14)

コイルと、
磁気テープカートリッジに搭載されており、通信先から与えられた外部磁界を介して前記コイルと前記通信先とを電磁誘導により結合させることで前記通信先と通信を行うプロセッサと、を備え、前記外部磁界には前記通信先によってコマンドが含まれており、前記プロセッサは、前記外部磁界に含まれる前記コマンドに対する処理を行う非接触式通信媒体であって、
第1情報が記憶される第1メモリであって、前記プロセッサによって前記第1情報の読み出し及び書き込みのうちの少なくとも一方が行われる第1メモリを更に備え、
前記プロセッサは、前記プロセッサによる前記コマンドに対するレスポンスタイムを前記非接触式通信媒体の特性に応じて変更し、
前記特性は、前記第1メモリに対して設定されている使用可能な記憶容量である
非接触式通信媒体。
coil and
a processor that is mounted on a magnetic tape cartridge and that communicates with the communication destination by coupling the coil and the communication destination through electromagnetic induction via an external magnetic field applied from the communication destination; The magnetic field includes a command by the communication destination, and the processor is a non-contact communication medium that processes the command included in the external magnetic field,
further comprising a first memory in which first information is stored, and in which at least one of reading and writing of the first information is performed by the processor;
The processor changes a response time by the processor to the command according to characteristics of the contactless communication medium,
The characteristic is a usable storage capacity set for the first memory. Contactless communication medium.
前記非接触式通信媒体は、複数の通信規格に対応しており、
前記プロセッサは、
前記複数の通信規格を選択的に用いて前記通信を行い、
前記複数の通信規格のうちの前記通信に用いられる通信規格に応じて前記レスポンスタイムを変更する請求項1に記載の非接触式通信媒体。
The contactless communication medium is compatible with multiple communication standards,
The processor includes:
performing the communication selectively using the plurality of communication standards;
The contactless communication medium according to claim 1, wherein the response time is changed according to a communication standard used for the communication among the plurality of communication standards.
前記通信先は、複数の通信規格の各々で通信可能であり、
前記プロセッサは、前記複数の通信規格のうちの前記非接触式通信媒体に対応する通信規格に応じて前記レスポンスタイムを変更する請求項1又は請求項2に記載の非接触式通信媒体。
The communication destination is capable of communicating with each of a plurality of communication standards,
The contactless communication medium according to claim 1 or 2, wherein the processor changes the response time according to a communication standard corresponding to the contactless communication medium among the plurality of communication standards.
前記通信先は、複数の通信装置の何れかであり、
前記複数の通信装置は、複数の通信規格のうちの何れかを有し、
前記複数の通信規格のうちの前記通信先が用いる通信規格に応じて前記レスポンスタイムを変更する請求項1又は請求項2に記載の非接触式通信媒体。
The communication destination is any one of a plurality of communication devices,
The plurality of communication devices have any one of a plurality of communication standards,
3. The contactless communication medium according to claim 1 , wherein the response time is changed according to a communication standard used by the communication destination among the plurality of communication standards.
前記外部磁界が前記コイルに対して作用することで電力を生成する電力生成器を更に備え
前記プロセッサは、
前記電力を用いて作動し、
前記レスポンスタイムを前記特性に応じて第1既定時間よりも長くする請求項1から請求項4の何れか一項に記載の非接触式通信媒体。
The processor further includes a power generator that generates power by the external magnetic field acting on the coil.
operates using the electric power;
The non-contact communication medium according to any one of claims 1 to 4, wherein the response time is made longer than the first predetermined time depending on the characteristics.
前記プロセッサは、前記処理の開始から終了するまでに要する処理時間を第2既定時間よりも長くすることで前記レスポンスタイムを前記第1既定時間よりも長くする請求項5に記載の非接触式通信媒体。 The contactless communication according to claim 5 , wherein the processor makes the response time longer than the first predetermined time by making the processing time required from the start to the end of the process longer than the second predetermined time. Medium. 前記電力を用いてクロック信号を生成するクロック信号生成器を更に備え、
前記プロセッサは、
前記処理を前記クロック信号の周波数に応じた処理速度で行い、
前記処理時間を長くするほど前記周波数を低くする請求項6に記載の非接触式通信媒体。
further comprising a clock signal generator that generates a clock signal using the electric power,
The processor includes:
performing the processing at a processing speed according to the frequency of the clock signal,
7. The non-contact communication medium according to claim 6, wherein the longer the processing time, the lower the frequency.
前記コマンドは、1つのコマンドである請求項1から請求項7の何れか一項に記載の非接触式通信媒体。 The contactless communication medium according to any one of claims 1 to 7, wherein the command is one command . 前記コイルは、前記プロセッサによって前記処理が行われることで得られた処理結果を、前記外部磁界を介して送信する請求項1から請求項8の何れか一項に記載の非接触式通信媒体。 The non-contact communication medium according to any one of claims 1 to 8, wherein the coil transmits a processing result obtained by performing the processing by the processor via the external magnetic field. 前記プロセッサは、更に、前記外部磁界の強度に応じて前記レスポンスタイムを変更する請求項1から請求項9の何れか一項に記載の非接触式通信媒体。 The non-contact communication medium according to any one of claims 1 to 9, wherein the processor further changes the response time depending on the intensity of the external magnetic field. 前記プロセッサは、前記外部磁界の強度に応じて前記レスポンスタイムを変更する場合、前記外部磁界の強度が閾値を下回ったことを条件に前記レスポンスタイムを長くする請求項10に記載の非接触式通信媒体。 11. The contactless communication according to claim 10, wherein when changing the response time according to the intensity of the external magnetic field, the processor lengthens the response time on the condition that the intensity of the external magnetic field is below a threshold value. Medium. 前記プロセッサは、前記コマンドの種類に応じて前記レスポンスタイムを変更する請求項1から請求項11の何れか一項に記載の非接触式通信媒体。 The contactless communication medium according to any one of claims 1 to 11 , wherein the processor changes the response time depending on the type of the command. 第2情報を記憶する第2メモリを備え、
前記コマンドは、ポーリングコマンド、読出コマンド、又は書込コマンドであり、
前記プロセッサは、
前記ポーリングコマンドに応じてポーリング処理を行い、
前記読出コマンドに応じて前記第2メモリに対して前記第2情報に関する読出処理を行い、
前記書込コマンドに応じて前記第2メモリに対して前記第2情報に関する書込処理を行い、
前記書込処理及び前記読出処理のうちの少なくとも前記読出処理に要する時間を、前記ポーリング処理に要する時間よりも長くする請求項12に記載の非接触式通信媒体。
comprising a second memory storing second information;
The command is a polling command, a read command, or a write command,
The processor includes:
Perform polling processing in response to the polling command,
performing read processing regarding the second information on the second memory in response to the read command;
performing a write process regarding the second information in the second memory in response to the write command;
The contactless communication medium according to claim 12, wherein the time required for at least the read processing of the write processing and the read processing is longer than the time required for the polling processing.
請求項1から請求項13の何れか一項に記載の非接触式通信媒体と、
磁気テープと、を備えた磁気テープカートリッジであって、
前記非接触式通信媒体は、第3メモリを有し、
前記第3メモリは、前記磁気テープに関する情報を記憶している
磁気テープカートリッジ。
A contactless communication medium according to any one of claims 1 to 13 ,
A magnetic tape cartridge comprising a magnetic tape,
The contactless communication medium has a third memory,
The third memory stores information regarding the magnetic tape. Magnetic tape cartridge.
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