JP6820448B1 - Non-contact communication media, magnetic tape cartridges, non-contact communication media operating methods, and programs - Google Patents

Non-contact communication media, magnetic tape cartridges, non-contact communication media operating methods, and programs Download PDF

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Abstract

【課題】外部磁界の強度に関わらず処理結果信号の信号レベルが一定の場合に比べ、処理結果信号の送信先に対して処理結果信号を受信させ易くすることができる非接触式通信媒体、磁気テープカートリッジ、非接触式通信媒体の動作方法、及びプログラムを提供する。【解決手段】非接触通信媒体は、コイルを有し、外部から与えられた外部磁界がコイルに作用することで電力を生成する電力生成器と、電力を用いてクロック信号を生成するクロック信号生成器と、電力を用いて作動し、かつ、外部磁界に含まれるコマンドに対する処理を行うプロセッサと、を備え、処理が行われることで得られた処理結果を示す処理結果信号がコイルによって外部磁界を介して外部に送信される場合、プロセッサは、外部磁界の強度に応じて処理結果信号の信号レベルを変更する。【選択図】図11PROBLEM TO BE SOLVED: To make it easier for a destination of a processing result signal to receive a processing result signal as compared with a case where the signal level of the processing result signal is constant regardless of the strength of an external magnetic field. Provide operating methods and programs for tape cartridges, non-contact communication media. A non-contact communication medium has a coil, and a power generator that generates electric power by acting on the coil by an external magnetic field given from the outside, and a clock signal generation that generates a clock signal using the electric power. It is equipped with a device and a processor that operates using electric power and processes commands contained in the external magnetic field, and a processing result signal indicating the processing result obtained by performing the processing transmits the external magnetic field by a coil. When transmitted to the outside via, the processor changes the signal level of the processing result signal according to the strength of the external magnetic field. [Selection diagram] FIG. 11

Description

本開示の技術は、非接触式通信媒体、磁気テープカートリッジ、非接触式通信媒体の動作方法、及びプログラムに関する。 The techniques of the present disclosure relate to non-contact communication media, magnetic tape cartridges, non-contact communication media operating methods, and programs.

特許文献1には、メモリ部と、電力生成部と、電力監視部と、容量制御部とを具備する非接触通信媒体が開示されている。特許文献1に記載の非接触通信媒体において、メモリ部は、所定の管理情報を記憶する。電力生成部は、アンテナコイルと容量値が可変な共振容量部とを有する共振回路と、共振回路の共振出力を整流する整流回路とを有し、メモリ部へ供給される電力を生成する。電力監視部は、共振回路に対して整流回路とは並列に接続され抵抗値が可変に構成された電流調整素子と、基準電圧を発生させる基準電圧発生源と、整流回路の出力電圧が基準電圧と等しくなるように電流調整素子を制御する演算増幅器とを有する。容量制御部は、演算増幅器の出力に基づいて共振容量部を制御するように構成される。 Patent Document 1 discloses a non-contact communication medium including a memory unit, a power generation unit, a power monitoring unit, and a capacity control unit. In the non-contact communication medium described in Patent Document 1, the memory unit stores predetermined management information. The power generation unit has a resonance circuit having an antenna coil and a resonance capacitance unit having a variable capacitance value, and a rectifying circuit that rectifies the resonance output of the resonance circuit, and generates electric power supplied to the memory unit. The power monitoring unit is a current adjustment element that is connected in parallel with the rectifier circuit to the resonant circuit and has a variable resistance value, a reference voltage source that generates a reference voltage, and the output voltage of the rectifier circuit is the reference voltage. It has an operational amplifier that controls the current adjusting element so as to be equal to. The capacitance control unit is configured to control the resonance capacitance unit based on the output of the operational amplifier.

特許文献2には、記録媒体カートリッジ用の非接触通信媒体であって、回路部品と、支持基板と、アンテナコイルとを具備する非接触通信媒体が開示されている。特許文献2に記載の非接触通信媒体において、回路部品は、記録媒体カートリッジに関する管理情報を格納することが可能なメモリ部を内蔵する。支持基板は、回路部品を支持する。アンテナコイルは、回路部品に電気的に接続され支持基板に形成されたコイル部を有し、コイル部のインダクタンス値が0.3μH以上2.0μH以下である。 Patent Document 2 discloses a non-contact communication medium for a recording medium cartridge, which includes a circuit component, a support substrate, and an antenna coil. In the non-contact communication medium described in Patent Document 2, the circuit component has a built-in memory unit capable of storing management information regarding the recording medium cartridge. The support board supports the circuit components. The antenna coil has a coil portion electrically connected to a circuit component and formed on a support substrate, and the inductance value of the coil portion is 0.3 μH or more and 2.0 μH or less.

特許文献3には、電圧発生部と、メモリ部と、クロック信号発生部と、制御部とを具備する非接触通信媒体が開示されている。特許文献3に記載の非接触通信媒体において、電圧発生部は、送受信用のアンテナコイルを有し、外部機器からの信号磁界を受信して電力を生成する。メモリ部は、電圧発生部に設定される1以上の回路パラメータと、所定の管理情報とを記憶する。クロック信号発生部は、2以上の異なる周波数のクロック信号を選択的に生成することが可能に構成される。制御部は、クロック信号発生部からメモリ部へ供給されるクロック信号の周波数を選択するように構成される。 Patent Document 3 discloses a non-contact communication medium including a voltage generation unit, a memory unit, a clock signal generation unit, and a control unit. In the non-contact communication medium described in Patent Document 3, the voltage generating unit has an antenna coil for transmission / reception, receives a signal magnetic field from an external device, and generates electric power. The memory unit stores one or more circuit parameters set in the voltage generation unit and predetermined management information. The clock signal generator is configured to be capable of selectively generating two or more different frequency clock signals. The control unit is configured to select the frequency of the clock signal supplied from the clock signal generation unit to the memory unit.

国際公開第2019/198438号International Publication No. 2019/198438 国際公開第2019/198527号International Publication No. 2019/198527 国際公開第2019/176325号International Publication No. 2019/176325

本開示の技術に係る一つの実施形態は、外部磁界の強度に関わらず処理結果信号の信号レベルが一定の場合に比べ、処理結果信号の送信先に対して処理結果信号を受信させ易くすることができる非接触式通信媒体、磁気テープカートリッジ、非接触式通信媒体の動作方法、及びプログラムを提供する。 One embodiment according to the technique of the present disclosure is to make it easier for the destination of the processing result signal to receive the processing result signal as compared with the case where the signal level of the processing result signal is constant regardless of the strength of the external magnetic field. Provided are a non-contact communication medium, a magnetic tape cartridge, an operation method of the non-contact communication medium, and a program.

本開示の技術に係る第1の態様は、コイルを有し、外部から与えられた外部磁界がコイルに作用することで電力を生成する電力生成器と、電力を用いてクロック信号を生成するクロック信号生成器と、電力を用いて作動し、かつ、外部磁界に含まれるコマンドに対する処理を行うプロセッサと、を備え、処理が行われることで得られた処理結果を示す処理結果信号がコイルによって外部磁界を介して外部に送信される場合、プロセッサが、外部磁界の強度に応じて処理結果信号の信号レベルを変更する非接触式通信媒体である。 The first aspect according to the technique of the present disclosure is a power generator which has a coil and generates electric power by acting on the coil by an external magnetic field applied from the outside, and a clock which generates a clock signal using electric power. It is equipped with a signal generator and a processor that operates using electric power and processes commands contained in an external magnetic field, and a processing result signal indicating the processing result obtained by the processing is externally provided by a coil. When transmitted to the outside via a magnetic field, the processor is a non-contact communication medium that changes the signal level of the processing result signal according to the strength of the external magnetic field.

本開示の技術に係る第2の態様は、プロセッサが、外部磁界の強度が小さいほど信号レベルを引き上げる第1の態様に係る非接触式通信媒体である。 A second aspect of the technique of the present disclosure is the non-contact communication medium according to the first aspect, wherein the processor raises the signal level as the strength of the external magnetic field decreases.

本開示の技術に係る第3の態様は、プロセッサが、外部磁界の強度が大きいほど信号レベルを引き下げる非接触式通信媒体である。 A third aspect of the technique of the present disclosure is a non-contact communication medium in which the processor lowers the signal level as the strength of the external magnetic field increases.

本開示の技術に係る第4の態様は、信号レベルの変更の度合いが、電力の残量に応じて定まる第1の態様から第3の態様の何れか1つの態様に係る非接触式通信媒体である。 A fourth aspect of the technique of the present disclosure is a non-contact communication medium according to any one of the first to third aspects, wherein the degree of change in the signal level is determined according to the remaining amount of electric power. Is.

本開示の技術に係る第5の態様は、第1の態様から第4の態様の何れか1つの態様に係る非接触式通信媒体と、磁気テープと、を備えた磁気テープカートリッジであって、非接触式通信媒体が、メモリを有し、メモリが、磁気テープに関する情報を記憶している磁気テープカートリッジである。 A fifth aspect of the technique of the present disclosure is a magnetic tape cartridge comprising a non-contact communication medium and a magnetic tape according to any one of the first to fourth aspects. The non-contact communication medium is a magnetic tape cartridge that has a memory and the memory stores information about the magnetic tape.

本開示の技術に係る第6の態様は、コイルを有し、外部から与えられた外部磁界がコイルに作用することで電力を生成する電力生成器と、電力を用いてクロック信号を生成するクロック信号生成器と、電力を用いて作動し、かつ、外部磁界に含まれるコマンドに対する処理を行うプロセッサと、を備えた非接触式通信媒体の動作方法であって、処理が行われること得られた処理結果を示す処理結果信号がコイルによって外部磁界を介して外部に送信される場合、外部磁界の強度に応じて処理結果信号の信号レベルを変更することを含む、非接触式通信媒体の動作方法である。 A sixth aspect according to the technique of the present disclosure is a power generator that has a coil and generates electric power by acting on the coil by an external magnetic field applied from the outside, and a clock that generates a clock signal using electric power. It is an operation method of a non-contact communication medium including a signal generator, a processor that operates by using electric power and processes a command included in an external magnetic field, and the processing is performed. When a processing result signal indicating a processing result is transmitted to the outside through an external magnetic field by a coil, a method of operating a non-contact communication medium including changing the signal level of the processing result signal according to the strength of the external magnetic field. Is.

本開示の技術に係る第7の態様は、コイルを有し、外部から与えられた外部磁界がコイルに作用することで電力を生成する電力生成器と、電力を用いてクロック信号を生成するクロック信号生成器と、電力を用いて作動し、かつ、外部磁界に含まれるコマンドに対する処理を行うプロセッサと、を備えた非接触式通信媒体に対して適用されるコンピュータに、処理が行われること得られた処理結果を示す処理結果信号がコイルによって外部磁界を介して外部に送信される場合、外部磁界の強度に応じて処理結果信号の信号レベルを変更することを含む処理を実行させるためのプログラムである。 A seventh aspect according to the technique of the present disclosure is a power generator that has a coil and generates electric power by acting on the coil by an external magnetic field applied from the outside, and a clock that generates a clock signal using electric power. Processing can be performed on a computer that is applied to a non-contact communication medium, including a signal generator, a processor that operates on power and processes commands contained in an external magnetic field. When a processing result signal indicating the processing result is transmitted to the outside through an external magnetic field by a coil, a program for executing processing including changing the signal level of the processing result signal according to the strength of the external magnetic field. Is.

実施形態に係る磁気テープカートリッジの外観の一例を示す概略斜視図である。It is a schematic perspective view which shows an example of the appearance of the magnetic tape cartridge which concerns on embodiment. 実施形態に係る磁気テープカートリッジの下ケースの内側の右後端部の構造の一例を示す概略斜視図である。It is a schematic perspective view which shows an example of the structure of the right rear end part inside the lower case of the magnetic tape cartridge which concerns on embodiment. 実施形態に係る磁気テープカートリッジの下ケースの内面に設けられた支持部材の一例を示す側面視断面図である。It is a side view sectional view which shows an example of the support member provided on the inner surface of the lower case of the magnetic tape cartridge which concerns on embodiment. 実施形態に係る磁気テープドライブのハードウェア構成の一例を示す概略構成図である。It is a schematic block diagram which shows an example of the hardware structure of the magnetic tape drive which concerns on embodiment. 実施形態に係る磁気テープカートリッジの下側から非接触式読み書き装置によって磁界が放出されている態様の一例を示す概略斜視図である。It is a schematic perspective view which shows an example of the mode in which the magnetic field is emitted by the non-contact type reading / writing device from the lower side of the magnetic tape cartridge which concerns on embodiment. 実施形態に係る磁気テープカートリッジ内のカートリッジメモリに対して非接触式読み書き装置から磁界が付与されている態様の一例を示す概念図である。It is a conceptual diagram which shows an example of the mode in which the magnetic field is applied from the non-contact type reading / writing device to the cartridge memory in the magnetic tape cartridge which concerns on embodiment. 実施形態に係る磁気テープカートリッジ内のカートリッジメモリの基板の裏面の構造の一例を示す概略底面図である。It is a schematic bottom view which shows an example of the structure of the back surface of the substrate of the cartridge memory in the magnetic tape cartridge which concerns on embodiment. 実施形態に係る磁気テープカートリッジ内のカートリッジメモリの基板の表面の構造の一例を示す概略平面図である。It is a schematic plan view which shows an example of the structure of the surface of the substrate of the cartridge memory in the magnetic tape cartridge which concerns on embodiment. 実施形態に係る磁気テープカートリッジ内のカートリッジメモリの回路構成の一例を示す概略回路図である。It is a schematic circuit diagram which shows an example of the circuit structure of the cartridge memory in the magnetic tape cartridge which concerns on embodiment. 実施形態に係る磁気テープカートリッジ内のカートリッジメモリに搭載されているICチップのコンピュータのハードウェア構成の一例を示すブロック図である。It is a block diagram which shows an example of the hardware composition of the computer of the IC chip mounted on the cartridge memory in the magnetic tape cartridge which concerns on embodiment. 実施形態に係る磁気テープカートリッジ内のカートリッジメモリのCPUによって実行される信号レベル設定処理の処理内容の一例を示す概念図である。It is a conceptual diagram which shows an example of the processing content of the signal level setting processing executed by the CPU of the cartridge memory in the magnetic tape cartridge which concerns on embodiment. 実施形態に係る信号レベル設定処理の流れの一例を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows an example of the flow of the signal level setting process which concerns on embodiment. 磁界の強度と応答信号の信号レベルとの相関の一例を示すグラフである。It is a graph which shows an example of the correlation between the strength of a magnetic field and the signal level of a response signal. 電力の残量と応答信号の信号レベルの引き上げ度合いとの相関の一例を示すグラフである。It is a graph which shows an example of the correlation between the remaining amount of electric power, and the degree of raising the signal level of a response signal. 電力の残量と応答信号の信号レベルの引き下げ度合いとの相関の一例を示すグラフである。It is a graph which shows an example of the correlation between the remaining amount of electric power and the degree of reduction of the signal level of a response signal. 実施形態に係る磁気テープカートリッジ内のカートリッジメモリの概略平面図であって、コイルとICチップとを接続形態の変形例を示す概略平面図である。It is a schematic plan view of the cartridge memory in the magnetic tape cartridge which concerns on embodiment, and is the schematic plan view which shows the modification of the connection form of a coil and an IC chip. 実施形態に係る磁気テープカートリッジ内のカートリッジメモリの傾斜角度の変形例を示す概念図である。It is a conceptual diagram which shows the modification of the tilt angle of the cartridge memory in the magnetic tape cartridge which concerns on embodiment. 実施形態に係る複数の磁気テープカートリッジのパッケージに対して磁界が付与されている態様の一例を示す概念図である。It is a conceptual diagram which shows an example of the mode in which the magnetic field is applied to the package of the plurality of magnetic tape cartridges which concerns on embodiment. 実施形態に係る信号レベル設定処理プログラムが記憶されている記憶媒体からコンピュータに信号レベル設定処理プログラムがインストールされる態様の一例を示すブロック図である。It is a block diagram which shows an example of the mode in which the signal level setting processing program is installed in the computer from the storage medium which stores the signal level setting processing program which concerns on embodiment.

先ず、以下の説明で使用される文言について説明する。 First, the wording used in the following description will be described.

CPUとは、“Central Processing Unit”の略称を指す。RAMとは、“Random Access Memory”の略称を指す。NVMとは、“Non−Volatile Memory”の略称を指す。ROMとは、“Read Only Memory”の略称を指す。I/Fとは、“Interface”の略称を指す。EEPROMとは、“Electrically Erasable and Programmable Read Only Memory”の略称を指す。SSDとは、“Solid State Drive”の略称を指す。USBとは、“Universal Serial Bus”の略称を指す。ASICとは、“Application Specific Integrated Circuit”の略称を指す。PLDとは、“Programmable Logic Device”の略称を指す。FPGAとは、“Field−Programmable Gate Array”の略称を指す。SoCとは、“System−on−a−chip”の略称を指す。ICとは、“Integrated circuit”の略称を指す。RFIDとは、“radio frequency identifier”の略称を指す。LTOとは、“Linear Tape−Open”の略称を指す。 The CPU is an abbreviation for "Central Processing Unit". RAM refers to the abbreviation of "Random Access Memory". NVM is an abbreviation for "Non-Volatile Memory". ROM is an abbreviation for "Read Only Memory". I / F refers to the abbreviation of "Interface". EEPROM refers to the abbreviation of "Electrically Erasable and Programmable Read Only Memory". SSD is an abbreviation for "Solid State Drive". USB refers to the abbreviation of "Universal Serial Bus". ASIC refers to the abbreviation of "Application Specific Integrated Circuit". PLD refers to the abbreviation of "Programmable Logical Device". FPGA refers to the abbreviation of "Field-Programmable Gate Array". SoC refers to the abbreviation of "System-on-a-chip". IC refers to the abbreviation of "Integrated circuit". RFID refers to the abbreviation for "radio frequency identifier". LTO refers to the abbreviation of "Linear Tape-Open".

以下の説明では、説明の便宜上、図1において、磁気テープカートリッジ10の磁気テープドライブ30(図4参照)への装填方向を矢印Aで示し、矢印A方向を磁気テープカートリッジ10の前方向とし、磁気テープカートリッジ10の前方向の側を磁気テープカートリッジ10の前側とする。以下の構造上の説明において、「前」とは、磁気テープカートリッジ10の前側を指す。 In the following description, for convenience of explanation, in FIG. 1, the loading direction of the magnetic tape cartridge 10 into the magnetic tape drive 30 (see FIG. 4) is indicated by an arrow A, and the direction of the arrow A is the front direction of the magnetic tape cartridge 10. The front side of the magnetic tape cartridge 10 is the front side of the magnetic tape cartridge 10. In the following structural description, "front" refers to the front side of the magnetic tape cartridge 10.

また、以下の説明では、説明の便宜上、図1において、矢印A方向と直交する矢印B方向を右方向とし、磁気テープカートリッジ10の右方向の側を磁気テープカートリッジ10の右側とする。以下の構造上の説明において、「右」とは、磁気テープカートリッジ10の右側を指す Further, in the following description, for convenience of explanation, in FIG. 1, the arrow B direction orthogonal to the arrow A direction is the right direction, and the right side of the magnetic tape cartridge 10 is the right side of the magnetic tape cartridge 10. In the following structural description, "right" refers to the right side of the magnetic tape cartridge 10.

また、以下の説明では、説明の便宜上、図1において、矢印A方向及び矢印B方向と直交する方向を矢印Cで示し、矢印C方向を磁気テープカートリッジ10の上方向とし、磁気テープカートリッジ10の上方向の側を磁気テープカートリッジ10の上側とする。以下の説明において、以下の構造上の説明において、「上」とは、磁気テープカートリッジ10の上側を指す。 Further, in the following description, for convenience of explanation, in FIG. 1, the direction orthogonal to the arrow A direction and the arrow B direction is indicated by an arrow C, the arrow C direction is an upward direction of the magnetic tape cartridge 10, and the magnetic tape cartridge 10 is described. The upper side is the upper side of the magnetic tape cartridge 10. In the following description, in the following structural description, "top" refers to the upper side of the magnetic tape cartridge 10.

また、以下の説明では、説明の便宜上、図1において、磁気テープカートリッジ10の前方向と逆の方向を磁気テープカートリッジ10の後方向とし、磁気テープカートリッジ10の後方向の側を磁気テープカートリッジ10の後側とする。以下の構造上の説明において、「後」とは、磁気テープカートリッジ10の後側を指す。 Further, in the following description, for convenience of explanation, in FIG. 1, the direction opposite to the front direction of the magnetic tape cartridge 10 is the rear direction of the magnetic tape cartridge 10, and the rear side of the magnetic tape cartridge 10 is the magnetic tape cartridge 10. Be on the back side. In the following structural description, "rear" refers to the rear side of the magnetic tape cartridge 10.

また、以下の説明では、磁気テープカートリッジ10の規格としてLTOを例に挙げて説明する。また、以下の説明では、本開示の技術に係るLTOに対して、下記の表1に示す仕様が適用されていることを前提として説明するが、これはあくまでも一例に過ぎない。 Further, in the following description, LTO will be taken as an example as a standard of the magnetic tape cartridge 10. Further, in the following description, it is assumed that the specifications shown in Table 1 below are applied to the LTO according to the technique of the present disclosure, but this is merely an example.


表1において、「REQA〜SELCET系」とは、後述のポーリングコマンドを意味する。「REQA〜SELCET系」には、少なくとも“Request A”というコマンド、“Request SN”というコマンド、及び“Select”というコマンドが含まれている。“Request A”は、カートリッジメモリに対して、如何なるタイプのカートリッジメモリであるかを問い合わせるコマンドである。本実施形態において“Request A”は、1種類であるが、これに限らず、複数種類であってもよい。“Request SN”は、カートリッジメモリに対して、シリアルナンバーを問い合わせるコマンドである。“Select”は、カートリッジメモリに対して読み書きの準備を予告するコマンドである。READ系は、後述の読出コマンドに相当するコマンドである。WRITE系は、後述の書込コマンドに相当するコマンドである。 In Table 1, "EQUA to SELCET system" means a polling command described later. The "EQUA-SELCET system" includes at least a command "Request A", a command "Request SN", and a command "Select". "Request A" is a command for inquiring about what type of cartridge memory the cartridge memory is. In the present embodiment, the “Request A” is one type, but the present invention is not limited to this, and a plurality of types may be used. "Request SN" is a command for inquiring the serial number from the cartridge memory. "Select" is a command for notifying the cartridge memory of read / write preparation. The READ system is a command corresponding to the read command described later. The WRITE system is a command corresponding to the write command described later.

また、以下の説明では、説明の便宜上、図1において、磁気テープカートリッジ10の上方向と逆の方向を磁気テープカートリッジ10の下方向とし、磁気テープカートリッジ10の下方向の側を磁気テープカートリッジ10の下側とする。以下の構造上の説明において、「下」とは、磁気テープカートリッジ10の下側を指す。 Further, in the following description, for convenience of explanation, in FIG. 1, the direction opposite to the upward direction of the magnetic tape cartridge 10 is the downward direction of the magnetic tape cartridge 10, and the downward side of the magnetic tape cartridge 10 is the magnetic tape cartridge 10. The lower side. In the following structural description, "bottom" refers to the bottom of the magnetic tape cartridge 10.

一例として図1に示すように、磁気テープカートリッジ10は、平面視略矩形であり、かつ、箱状のケース12を備えている。ケース12は、ポリカーボネート等の樹脂製であり、上ケース14及び下ケース16を備えている。上ケース14及び下ケース16は、上ケース14の下周縁面と下ケース16の上周縁面とを接触させた状態で、溶着(例えば、超音波溶着)及びビス止めによって接合されている。接合方法は、溶着及びビス止めに限らず、他の接合方法であってもよい。 As an example, as shown in FIG. 1, the magnetic tape cartridge 10 has a substantially rectangular shape in a plan view and includes a box-shaped case 12. The case 12 is made of a resin such as polycarbonate, and includes an upper case 14 and a lower case 16. The upper case 14 and the lower case 16 are joined by welding (for example, ultrasonic welding) and screwing in a state where the lower peripheral surface of the upper case 14 and the upper peripheral surface of the lower case 16 are in contact with each other. The joining method is not limited to welding and screwing, and other joining methods may be used.

ケース12の内部には、カートリッジリール18が回転可能に収容されている。カートリッジリール18は、リールハブ18A、上フランジ18B1、及び下フランジ18B2を備えている。リールハブ18Aは、円筒状に形成されている。リールハブ18Aは、カートリッジリール18の軸心部であり、軸心方向がケース12の上下方向に沿っており、ケース12の中央部に配置されている。上フランジ18B1及び下フランジ18B2の各々は円環状に形成されている。リールハブ18Aの上端部には上フランジ18B1の平面視中央部が固定されており、リールハブ18Aの下端部には下フランジ18B2の平面視中央部が固定されている。リールハブ18Aの外周面には、磁気テープMTが巻き回されており、磁気テープMTの幅方向の端部は上フランジ18B1及び下フランジ18B2によって保持されている。 A cartridge reel 18 is rotatably housed inside the case 12. The cartridge reel 18 includes a reel hub 18A, an upper flange 18B1, and a lower flange 18B2. The reel hub 18A is formed in a cylindrical shape. The reel hub 18A is an axial center portion of the cartridge reel 18, and the axial center direction is along the vertical direction of the case 12, and is arranged at the central portion of the case 12. Each of the upper flange 18B1 and the lower flange 18B2 is formed in an annular shape. The central portion of the upper flange 18B1 in a plan view is fixed to the upper end of the reel hub 18A, and the central portion of the lower flange 18B2 in a plan view is fixed to the lower end of the reel hub 18A. A magnetic tape MT is wound around the outer peripheral surface of the reel hub 18A, and the end portion of the magnetic tape MT in the width direction is held by the upper flange 18B1 and the lower flange 18B2.

ケース12の右壁12Aの前側には、開口12Bが形成されている。磁気テープMTは、開口12Bから引き出される。 An opening 12B is formed on the front side of the right wall 12A of the case 12. The magnetic tape MT is pulled out from the opening 12B.

一例として図2に示すように、下ケース16の右後端部には、カートリッジメモリ19が収容されている。カートリッジメモリ19は、本開示の技術に係る「非接触式通信媒体」の一例である。本実施形態では、いわゆるパッシブ型のRFIDタグがカートリッジメモリ19として採用されている。 As an example, as shown in FIG. 2, a cartridge memory 19 is housed in the right rear end portion of the lower case 16. The cartridge memory 19 is an example of a “non-contact communication medium” according to the technique of the present disclosure. In this embodiment, a so-called passive RFID tag is adopted as the cartridge memory 19.

カートリッジメモリ19には、管理情報100(図10参照)が記憶されている。管理情報100は、磁気テープカートリッジ10を管理する情報である。管理情報100としては、例えば、磁気テープカートリッジ10を特定可能な識別情報、磁気テープMTの記録容量、磁気テープMTに記録されている情報(以下、「記録情報」とも称する)の概要、記録情報の項目、及び記録情報の記録形式等を示す情報が挙げられる。なお、管理情報は、本開示の技術に係る「磁気テープに関する情報」の一例である。 Management information 100 (see FIG. 10) is stored in the cartridge memory 19. The management information 100 is information for managing the magnetic tape cartridge 10. The management information 100 includes, for example, identification information that can identify the magnetic tape cartridge 10, a recording capacity of the magnetic tape MT, an outline of information recorded on the magnetic tape MT (hereinafter, also referred to as “recording information”), and recording information. Items and information indicating the recording format of the recorded information can be mentioned. The management information is an example of "information on magnetic tape" according to the technique of the present disclosure.

カートリッジメモリ19は、非接触式で外部装置(図示省略)と通信を行う。外部装置としては、例えば、磁気テープカートリッジ10の生産工程で使用される読み書き装置、及び、磁気テープドライブ(例えば、図4に示す磁気テープドライブ30)内で使用される読み書き装置(例えば、図4〜図6に示す非接触式読み書き装置50)が挙げられる。 The cartridge memory 19 is a non-contact type and communicates with an external device (not shown). As the external device, for example, a read / write device used in the production process of the magnetic tape cartridge 10 and a read / write device (for example, FIG. 4) used in the magnetic tape drive (for example, the magnetic tape drive 30 shown in FIG. 4). A non-contact read / write device 50) shown in FIG. 6 can be mentioned.

外部装置は、カートリッジメモリ19に対して、非接触式で各種情報の読み書きを行う。詳しくは後述するが、カートリッジメモリ19は、外部装置から与えられた磁界に対して電磁的に作用することで電力を生成する。そして、カートリッジメモリ19は、生成した電力を用いて作動し、磁界を介して外部装置と通信を行うことで外部装置との間で各種情報の授受を行う。 The external device reads and writes various information to and from the cartridge memory 19 in a non-contact manner. As will be described in detail later, the cartridge memory 19 generates electric power by electromagnetically acting on a magnetic field applied from an external device. Then, the cartridge memory 19 operates using the generated electric power and communicates with the external device via the magnetic field to exchange various information with the external device.

一例として図2に示すように、下ケース16の右後端部の底板16Aの内面には、支持部材20が設けられている。支持部材20は、カートリッジメモリ19を傾斜させた状態で下方から支持する一対の傾斜台である。一対の傾斜台は、第1傾斜台20A及び第2傾斜台20Bである。第1傾斜台20A及び第2傾斜台20Bは、ケース12の左右方向に間隔を隔てて配置されており、下ケース16の後壁16Bの内面及び底板16Aの内面に一体化されている。第1傾斜台20Aは、傾斜面20A1を有しており、傾斜面20A1は、後壁16Bの内面から底板16Aの内面に向けて下り傾斜している。また、傾斜面20B1も、後壁16Bの内面から底板16Aの内面に向けて下り傾斜している。 As an example, as shown in FIG. 2, a support member 20 is provided on the inner surface of the bottom plate 16A at the right rear end of the lower case 16. The support member 20 is a pair of tilting tables that support the cartridge memory 19 from below in a tilted state. The pair of inclined tables are the first inclined table 20A and the second inclined table 20B. The first inclined table 20A and the second inclined table 20B are arranged at intervals in the left-right direction of the case 12, and are integrated with the inner surface of the rear wall 16B of the lower case 16 and the inner surface of the bottom plate 16A. The first inclined table 20A has an inclined surface 20A1, and the inclined surface 20A1 is inclined downward from the inner surface of the rear wall 16B toward the inner surface of the bottom plate 16A. Further, the inclined surface 20B1 is also inclined downward from the inner surface of the rear wall 16B toward the inner surface of the bottom plate 16A.

支持部材20の前方側には、一対の位置規制リブ22が左右方向に間隔を隔てて配置されている。一対の位置規制リブ22は、底板16Aの内面に立設されており、支持部材20に配置された状態のカートリッジメモリ19の下端部の位置を規制する。 A pair of position restricting ribs 22 are arranged on the front side of the support member 20 at intervals in the left-right direction. The pair of position restricting ribs 22 are erected on the inner surface of the bottom plate 16A, and regulate the position of the lower end portion of the cartridge memory 19 arranged on the support member 20.

一例として図3に示すように、底板16Aの外面には基準面16A1が形成されている。基準面16A1は、平面である。ここで、平面とは、底板16Aを下側にして下ケース16を水平面に置いた場合において、水平面に対して平行な面を指す。支持部材20の傾斜角度θ、すなわち、傾斜面20A1及び傾斜面20B1の傾斜角は、基準面16A1に対して45度である。 As an example, as shown in FIG. 3, a reference surface 16A1 is formed on the outer surface of the bottom plate 16A. The reference plane 16A1 is a flat surface. Here, the flat surface refers to a plane parallel to the horizontal plane when the lower case 16 is placed on the horizontal plane with the bottom plate 16A on the lower side. The inclination angle θ of the support member 20, that is, the inclination angle of the inclined surface 20A1 and the inclined surface 20B1 is 45 degrees with respect to the reference surface 16A1.

カートリッジメモリ19は、基板26を備えている。基板26は、基板26の裏面26Aを下側に向けて支持部材20上に置かれ、支持部材20は、基板26の裏面26Aを下方から支持する。基板26の裏面26Aの一部は、支持部材20の傾斜面、すなわち、傾斜面20A1及び20B1に接触しており、基板26の表面26Bは、天板14Aの内面14A1側に露出している。 The cartridge memory 19 includes a substrate 26. The substrate 26 is placed on the support member 20 with the back surface 26A of the substrate 26 facing downward, and the support member 20 supports the back surface 26A of the substrate 26 from below. A part of the back surface 26A of the substrate 26 is in contact with the inclined surfaces of the support member 20, that is, the inclined surfaces 20A1 and 20B1, and the surface 26B of the substrate 26 is exposed to the inner surface 14A1 side of the top plate 14A.

上ケース14は、複数のリブ24を備えている。複数のリブ24は、ケース12の左右方向に間隔を隔てて配置されている。複数のリブ24は、上ケース14の天板14Aの内面14A1から下側に突設されており、各リブ24の先端面24Aは、傾斜面20A1及び20B1に対応した傾斜面を有する。すなわち、各リブ24の先端面24Aは、基準面16A1に対して45度に傾斜している。 The upper case 14 includes a plurality of ribs 24. The plurality of ribs 24 are arranged at intervals in the left-right direction of the case 12. The plurality of ribs 24 project downward from the inner surface 14A1 of the top plate 14A of the upper case 14, and the tip surface 24A of each rib 24 has an inclined surface corresponding to the inclined surfaces 20A1 and 20B1. That is, the tip surface 24A of each rib 24 is inclined at 45 degrees with respect to the reference surface 16A1.

カートリッジメモリ19が支持部材20に配置された状態で、上述したように上ケース14が下ケース16に接合されると、各リブ24の先端面24Aは、基板26に対して表面26B側から接触し、基板26は、各リブ24の先端面24Aと支持部材20の傾斜面とで挟み込まれる。これにより、カートリッジメモリ19の上下方向の位置がリブ24によって規制される。 When the upper case 14 is joined to the lower case 16 as described above with the cartridge memory 19 arranged on the support member 20, the tip surface 24A of each rib 24 comes into contact with the substrate 26 from the surface 26B side. The substrate 26 is sandwiched between the tip surface 24A of each rib 24 and the inclined surface of the support member 20. As a result, the vertical position of the cartridge memory 19 is regulated by the rib 24.

一例として図4に示すように、磁気テープドライブ30は、搬送装置34、読取ヘッド36、及び制御装置38を備えている。磁気テープドライブ30には、磁気テープカートリッジ10が装填される。磁気テープドライブ30は、磁気テープカートリッジ10から磁気テープMTが引き出され、引き出された磁気テープMTから読取ヘッド36を用いて記録情報をリニアスキャン方式で読み取る装置である。なお、本実施形態において、記録情報の読み取りとは、換言すると、記録情報の再生を指す。 As an example, as shown in FIG. 4, the magnetic tape drive 30 includes a transport device 34, a read head 36, and a control device 38. The magnetic tape drive 30 is loaded with the magnetic tape cartridge 10. The magnetic tape drive 30 is a device in which a magnetic tape MT is pulled out from the magnetic tape cartridge 10 and recorded information is read from the pulled out magnetic tape MT by a linear scan method using a reading head 36. In the present embodiment, reading the recorded information means, in other words, reproducing the recorded information.

制御装置38は、磁気テープドライブ30の全体を制御する。本実施形態において、制御装置38は、ASICによって実現されているが、本開示の技術はこれに限定されない。例えば、制御装置38は、FPGAによって実現されるようにしてもよい。また、制御装置38は、CPU、ROM、及びRAMを含むコンピュータによって実現されるようにしてもよい。また、ASIC、FPGA、及びコンピュータのうちの2つ以上を組み合わせて実現されるようにしてもよい。すなわち、制御装置38は、ハードウェア構成とソフトウェア構成との組み合わせによって実現されるようにしてもよい。 The control device 38 controls the entire magnetic tape drive 30. In the present embodiment, the control device 38 is realized by an ASIC, but the technique of the present disclosure is not limited thereto. For example, the control device 38 may be realized by FPGA. Further, the control device 38 may be realized by a computer including a CPU, ROM, and RAM. Further, it may be realized by combining two or more of ASIC, FPGA, and a computer. That is, the control device 38 may be realized by a combination of a hardware configuration and a software configuration.

搬送装置34は、磁気テープMTを順方向及び逆方向に選択的に搬送する装置であり、送出モータ40、巻取リール42、巻取モータ44、複数のガイドローラGR、及び制御装置38を備えている。 The transfer device 34 is a device that selectively conveys the magnetic tape MT in the forward direction and the reverse direction, and includes a delivery motor 40, a take-up reel 42, a take-up motor 44, a plurality of guide rollers GR, and a control device 38. ing.

送出モータ40は、制御装置38の制御下で、磁気テープカートリッジ10内のカートリッジリール18を回転駆動させる。制御装置38は、送出モータ40を制御することで、カートリッジリール18の回転方向、回転速度、及び回転トルク等を制御する。 The delivery motor 40 rotates and drives the cartridge reel 18 in the magnetic tape cartridge 10 under the control of the control device 38. The control device 38 controls the delivery motor 40 to control the rotation direction, rotation speed, rotation torque, and the like of the cartridge reel 18.

磁気テープMTが巻取リール42によって巻き取られる場合には、制御装置38によって、磁気テープMTを順方向に走行させるように送出モータ40を回転させる。送出モータ40の回転速度及び回転トルク等は、巻取リール42によって巻き取られる磁気テープMTの速度に応じて調整される。 When the magnetic tape MT is wound by the take-up reel 42, the control device 38 rotates the delivery motor 40 so that the magnetic tape MT travels in the forward direction. The rotation speed, rotation torque, and the like of the delivery motor 40 are adjusted according to the speed of the magnetic tape MT wound by the take-up reel 42.

巻取モータ44は、制御装置38の制御下で、巻取リール42を回転駆動させる。制御装置38は、巻取モータ44を制御することで、巻取リール42の回転方向、回転速度、及び回転トルク等を制御する。 The take-up motor 44 rotates and drives the take-up reel 42 under the control of the control device 38. The control device 38 controls the take-up motor 44 to control the rotation direction, rotation speed, rotation torque, and the like of the take-up reel 42.

磁気テープMTが巻取リール42によって巻き取られる場合には、制御装置38によって、磁気テープMTを順方向に走行させるように巻取モータ44を回転させる。巻取モータ44の回転速度及び回転トルク等は、巻取リール42によって巻き取られる磁気テープMTの速度に応じて調整される。 When the magnetic tape MT is wound by the take-up reel 42, the control device 38 rotates the take-up motor 44 so that the magnetic tape MT travels in the forward direction. The rotation speed, rotation torque, and the like of the take-up motor 44 are adjusted according to the speed of the magnetic tape MT taken up by the take-up reel 42.

このようにして送出モータ40及び巻取モータ44の各々の回転速度及び回転トルク等が調整されることで、磁気テープMTに既定範囲内の張力が付与される。ここで、既定範囲内とは、例えば、磁気テープMTから読取ヘッド36によってデータが読取可能な張力の範囲として、コンピュータ・シミュレーション及び/又は実機による試験等により得られた張力の範囲を指す。 By adjusting the rotation speed, rotation torque, and the like of the delivery motor 40 and the take-up motor 44 in this way, tension within a predetermined range is applied to the magnetic tape MT. Here, the “within the predetermined range” refers to, for example, a range of tension obtained by computer simulation and / or a test by an actual machine as a range of tension in which data can be read from the magnetic tape MT by the reading head 36.

なお、磁気テープMTをカートリッジリール18に巻き戻す場合には、制御装置38によって、磁気テープMTを逆方向に走行させるように送出モータ40及び巻取モータ44を回転させる。 When the magnetic tape MT is rewound on the cartridge reel 18, the control device 38 rotates the delivery motor 40 and the take-up motor 44 so that the magnetic tape MT travels in the opposite direction.

本実施形態では、送出モータ40及び巻取モータ44の回転速度及び回転トルク等が制御されることにより磁気テープMTの張力が制御されているが、本開示の技術はこれに限定されない。例えば、磁気テープMTの張力は、ダンサローラを用いて制御されてもよいし、バキュームチャンバに磁気テープMTを引き込むことによって制御されるようにしてもよい。 In the present embodiment, the tension of the magnetic tape MT is controlled by controlling the rotation speed, rotation torque, and the like of the delivery motor 40 and the take-up motor 44, but the technique of the present disclosure is not limited to this. For example, the tension of the magnetic tape MT may be controlled using a dancer roller or may be controlled by pulling the magnetic tape MT into the vacuum chamber.

複数のガイドローラGRの各々は、磁気テープMTを案内するローラである。磁気テープMTの走行経路は、複数のガイドローラGRが磁気テープカートリッジ10と巻取リール42との間において読取ヘッド36を跨ぐ位置に分けて配置されることによって定められている。 Each of the plurality of guide rollers GR is a roller that guides the magnetic tape MT. The traveling path of the magnetic tape MT is defined by arranging a plurality of guide rollers GR separately at positions straddling the reading head 36 between the magnetic tape cartridge 10 and the take-up reel 42.

読取ヘッド36は、読取素子46及びホルダ48を備えている。読取素子46は、走行中の磁気テープMTに接触するようにホルダ48によって保持されており、搬送装置34によって搬送される磁気テープMTから記録情報を読み取る。 The reading head 36 includes a reading element 46 and a holder 48. The reading element 46 is held by the holder 48 so as to come into contact with the traveling magnetic tape MT, and reads recorded information from the magnetic tape MT conveyed by the conveying device 34.

磁気テープドライブ30は、非接触式読み書き装置50を備えている。非接触式読み書き装置50は、本開示の技術に係る「外部」及び「通信装置」の一例である。非接触式読み書き装置50は、磁気テープカートリッジ10が装填された状態の磁気テープカートリッジ10の下側にてカートリッジメモリ19の裏面26Aに正対するように配置されている。なお、磁気テープカートリッジ10が磁気テープドライブ30に装填された状態とは、例えば、磁気テープカートリッジ10が読取ヘッド36による磁気テープMTに対する記録情報の読み取りを開始する位置として事前に定められた位置に到達した状態を指す。 The magnetic tape drive 30 includes a non-contact read / write device 50. The non-contact read / write device 50 is an example of an "external" and "communication device" according to the technology of the present disclosure. The non-contact read / write device 50 is arranged below the magnetic tape cartridge 10 in which the magnetic tape cartridge 10 is loaded so as to face the back surface 26A of the cartridge memory 19. The state in which the magnetic tape cartridge 10 is loaded in the magnetic tape drive 30 is defined as, for example, a position predetermined as a position where the magnetic tape cartridge 10 starts reading recorded information on the magnetic tape MT by the reading head 36. Refers to the reached state.

一例として図5に示すように、非接触式読み書き装置50は、磁気テープカートリッジ10の下側からカートリッジメモリ19に向けて磁界MFを放出する。磁界MFは、カートリッジメモリ19を貫通する。なお、磁界MFは、本開示の技術に係る「外部磁界」の一例である。 As an example, as shown in FIG. 5, the non-contact read / write device 50 emits a magnetic field MF from the lower side of the magnetic tape cartridge 10 toward the cartridge memory 19. The magnetic field MF penetrates the cartridge memory 19. The magnetic field MF is an example of an "external magnetic field" according to the technique of the present disclosure.

一例として図6に示すように、非接触式読み書き装置50は、制御装置38に接続されている。制御装置38は、カートリッジメモリ19を制御する制御信号を非接触式読み書き装置50に出力する。非接触式読み書き装置50は、制御装置38から入力された制御信号に従って、磁界MFをカートリッジメモリ19に向けて放出する。磁界MFは、カートリッジメモリ19の裏面26A側から表面26B側に貫通する。 As an example, as shown in FIG. 6, the non-contact read / write device 50 is connected to the control device 38. The control device 38 outputs a control signal for controlling the cartridge memory 19 to the non-contact read / write device 50. The non-contact read / write device 50 emits the magnetic field MF toward the cartridge memory 19 according to the control signal input from the control device 38. The magnetic field MF penetrates from the back surface 26A side to the front surface 26B side of the cartridge memory 19.

非接触式読み書き装置50は、制御装置38の制御下で、コマンド信号をカートリッジメモリ19に空間伝送する。詳しく後述するが、コマンド信号は、カートリッジメモリ19に対する指令を示す信号である。コマンド信号が非接触式読み書き装置50からカートリッジメモリ19に空間伝送される場合、磁界MFには、制御装置38からの指示に従って非接触式読み書き装置50によってコマンド信号が含まれる。換言すると、磁界MFには、コマンド信号が重畳される。すなわち、非接触式読み書き装置50は、制御装置38の制御下で、磁界MFを介してコマンド信号をカートリッジメモリ19に送信する。 The non-contact read / write device 50 spatially transmits a command signal to the cartridge memory 19 under the control of the control device 38. As will be described in detail later, the command signal is a signal indicating a command to the cartridge memory 19. When the command signal is spatially transmitted from the non-contact read / write device 50 to the cartridge memory 19, the magnetic field MF includes the command signal by the non-contact read / write device 50 according to an instruction from the control device 38. In other words, the command signal is superimposed on the magnetic field MF. That is, the non-contact read / write device 50 transmits a command signal to the cartridge memory 19 via the magnetic field MF under the control of the control device 38.

カートリッジメモリ19の表面26Bには、ICチップ52及びコンデンサ54が搭載されている。ICチップ52及びコンデンサ54は、表面26Bに接着されている。また、カートリッジメモリ19の表面26Bにおいて、ICチップ52及びコンデンサ54は封止材56によって封止されている。ここでは、封止材56として、紫外線に反応して硬化する紫外線硬化樹脂が採用されている。なお、紫外線硬化樹脂は、あくまでも一例に過ぎず、紫外線以外の波長域の光に反応して効果する光硬化樹脂を封止材56として使用してもよいし、熱硬化性樹脂を封止材56として使用してもよいし、接着剤を封止材56として使用してもよい。 An IC chip 52 and a capacitor 54 are mounted on the surface 26B of the cartridge memory 19. The IC chip 52 and the capacitor 54 are adhered to the surface 26B. Further, on the surface 26B of the cartridge memory 19, the IC chip 52 and the capacitor 54 are sealed by a sealing material 56. Here, as the sealing material 56, an ultraviolet curable resin that cures in response to ultraviolet rays is adopted. The ultraviolet curable resin is merely an example, and a photocurable resin that is effective in reacting with light in a wavelength range other than ultraviolet rays may be used as the sealing material 56, or a thermosetting resin may be used as the sealing material. It may be used as 56, or the adhesive may be used as the sealing material 56.

一例として図7に示すように、カートリッジメモリ19の裏面26Aには、コイル60がループ状に形成されている。ここでは、コイル60の素材として、銅箔が採用されている。銅箔は、あくまでも一例に過ぎず、例えば、アルミニウム箔等の他種類の導電性素材であってもよい。コイル60は、非接触式読み書き装置50から与えられた磁界MF(図5及び図6参照)が作用することで誘導電流を誘起する。 As an example, as shown in FIG. 7, a coil 60 is formed in a loop on the back surface 26A of the cartridge memory 19. Here, copper foil is used as the material of the coil 60. The copper foil is merely an example, and may be another kind of conductive material such as an aluminum foil. The coil 60 induces an induced current by the action of a magnetic field MF (see FIGS. 5 and 6) given by the non-contact read / write device 50.

カートリッジメモリ19の裏面26Aには、第1導通部62A及び第2導通部62Bが設けられている。第1導通部62A及び第2導通部62Bは、はんだを有しており、表面26BのICチップ52(図6及び図8参照)及びコンデンサ54(図6及び図8参照)に対してコイル60の両端部を電気的に接続している。 A first conductive portion 62A and a second conductive portion 62B are provided on the back surface 26A of the cartridge memory 19. The first conductive portion 62A and the second conductive portion 62B have solder, and the coil 60 with respect to the IC chip 52 (see FIGS. 6 and 8) and the capacitor 54 (see FIGS. 6 and 8) on the surface 26B. Both ends of the are electrically connected.

一例として図8に示すように、カートリッジメモリ19の表面26Bにおいて、ICチップ52及びコンデンサ54は、ワイヤ接続方式で互いに電気的に接続されている。具体的には、ICチップ52の正極端子及び負極端子のうちの一方の端子が配線64Aを介して第1導通部62Aに接続されており、他方の端子が配線64Bを介して第2導通部62Bに接続されている。また、コンデンサ54は、一対の電極を有する。図8に示す例では、一対の電極は、電極54A及び54Bである。電極54Aは、配線64Cを介して第1導通部62Aに接続されており、電極54Bは、配線64Dを介して第2導通部62Bに接続されている。これにより、コイル60に対して、ICチップ52及びコンデンサ54は並列に接続される。 As an example, as shown in FIG. 8, on the surface 26B of the cartridge memory 19, the IC chip 52 and the capacitor 54 are electrically connected to each other by a wire connection method. Specifically, one of the positive electrode terminal and the negative electrode terminal of the IC chip 52 is connected to the first conductive portion 62A via the wiring 64A, and the other terminal is connected to the second conductive portion 62A via the wiring 64B. It is connected to 62B. Further, the capacitor 54 has a pair of electrodes. In the example shown in FIG. 8, the pair of electrodes are electrodes 54A and 54B. The electrode 54A is connected to the first conductive portion 62A via the wiring 64C, and the electrode 54B is connected to the second conductive portion 62B via the wiring 64D. As a result, the IC chip 52 and the capacitor 54 are connected in parallel to the coil 60.

一例として図9に示すように、ICチップ52は、内蔵コンデンサ80、電源回路82、コンピュータ84、クロック信号生成器86、信号処理回路88、及び磁界強度測定回路90を備えている。ICチップ52は、磁気テープカートリッジ10以外の用途にも使用可能な汎用タイプのICチップであり、磁気テープカートリッジ用プログラムがインストールされることによって磁気テープカートリッジ用演算装置として機能する。なお、磁気テープカートリッジ用プログラムの一例としては、後述の信号レベル設定処理プログラム102が挙げられる。 As an example, as shown in FIG. 9, the IC chip 52 includes a built-in capacitor 80, a power supply circuit 82, a computer 84, a clock signal generator 86, a signal processing circuit 88, and a magnetic field strength measuring circuit 90. The IC chip 52 is a general-purpose type IC chip that can be used for purposes other than the magnetic tape cartridge 10, and functions as an arithmetic unit for the magnetic tape cartridge by installing a program for the magnetic tape cartridge. As an example of the program for the magnetic tape cartridge, the signal level setting processing program 102 described later can be mentioned.

また、カートリッジメモリ19は、電力生成器70を備えている。電力生成器70は、非接触式読み書き装置50から与えられた磁界MFがコイル60に対して作用することで電力を生成する。具体的には、電力生成器70は、共振回路92を用いて交流電力を生成し、生成した交流電力を直流電力に変換して出力する。 Further, the cartridge memory 19 includes a power generator 70. The electric power generator 70 generates electric power by the magnetic field MF given from the non-contact read / write device 50 acting on the coil 60. Specifically, the power generator 70 generates AC power using the resonance circuit 92, converts the generated AC power into DC power, and outputs the generated AC power.

電力生成器70は、共振回路92及び電源回路82を有する。共振回路92は、コンデンサ54、コイル60、及び内蔵コンデンサ80を備えている。内蔵コンデンサ80は、ICチップ52に内蔵されているコンデンサであり、電源回路82もICチップ52に内蔵されている回路である。内蔵コンデンサ80は、コイル60に対して並列に接続されている。 The power generator 70 has a resonance circuit 92 and a power supply circuit 82. The resonant circuit 92 includes a capacitor 54, a coil 60, and a built-in capacitor 80. The built-in capacitor 80 is a capacitor built in the IC chip 52, and the power supply circuit 82 is also a circuit built in the IC chip 52. The built-in capacitor 80 is connected in parallel with the coil 60.

コンデンサ54は、ICチップ52に対して外付けされたコンデンサである。ICチップ52は、本来、磁気テープカートリッジ10とは異なる用途でも用いることが可能な汎用のICチップである。そのため、内蔵コンデンサ80の容量は、磁気テープカートリッジ10で用いられるカートリッジメモリ19で要求される共振周波数を実現するには不足している。そこで、カートリッジメモリ19では、磁界MFが作用することで共振回路92を予め定められた共振周波数で共振させる上で必要な容量値を有するコンデンサとして、ICチップ52に対してコンデンサ54が後付けされている。なお、予め定められた共振周波数は、磁界MFの周波数と同一の周波数であり、ここでは、13.56MHzが採用されている。また、コンデンサ54の容量は、内蔵コンデンサ80の容量の実測値に基づいて定められている。 The capacitor 54 is a capacitor externally attached to the IC chip 52. The IC chip 52 is originally a general-purpose IC chip that can be used for purposes different from those of the magnetic tape cartridge 10. Therefore, the capacity of the built-in capacitor 80 is insufficient to realize the resonance frequency required by the cartridge memory 19 used in the magnetic tape cartridge 10. Therefore, in the cartridge memory 19, a capacitor 54 is retrofitted to the IC chip 52 as a capacitor having a capacitance value necessary for resonating the resonance circuit 92 at a predetermined resonance frequency by the action of the magnetic field MF. There is. The predetermined resonance frequency is the same frequency as the frequency of the magnetic field MF, and 13.56 MHz is adopted here. Further, the capacity of the capacitor 54 is determined based on an actually measured value of the capacity of the built-in capacitor 80.

共振回路92は、磁界MFがコイル60を貫通することでコイル60によって誘起された誘導電流を用いて、予め定められた共振周波数の共振現象を発生させることで交流電力を生成し、生成した交流電力を電源回路82に出力する。 The resonance circuit 92 generates AC power by generating a resonance phenomenon of a predetermined resonance frequency by using the induced current induced by the coil 60 when the magnetic field MF penetrates the coil 60, and the generated AC The power is output to the power supply circuit 82.

電源回路82は、整流回路及び平滑回路等を有する。整流回路は、複数のダイオードを有する全波整流回路である。全波整流回路は、あくまでも一例に過ぎず、半波整流回路であってもよい。平滑回路は、コンデンサ及び抵抗を含んで構成されている。電源回路82は、共振回路92から入力された交流電力を直流電力に変換し、変換して得た直流電力(以下、単に「電力」とも称する)をICチップ52内の各種の駆動素子に供給する。各種の駆動素子としては、コンピュータ84、クロック信号生成器86、信号処理回路88、及び磁界強度測定回路90が挙げられる。このように、ICチップ52内の各種の駆動素子に対して電力が電力生成器70によって供給されることで、ICチップ52は、電力生成器70によって生成された電力を用いて動作する。 The power supply circuit 82 includes a rectifier circuit, a smoothing circuit, and the like. The rectifier circuit is a full-wave rectifier circuit having a plurality of diodes. The full-wave rectifier circuit is merely an example, and may be a half-wave rectifier circuit. The smoothing circuit includes a capacitor and a resistor. The power supply circuit 82 converts the AC power input from the resonance circuit 92 into DC power, and supplies the converted DC power (hereinafter, also simply referred to as “power”) to various drive elements in the IC chip 52. To do. Examples of various driving elements include a computer 84, a clock signal generator 86, a signal processing circuit 88, and a magnetic field strength measuring circuit 90. In this way, power is supplied to the various drive elements in the IC chip 52 by the power generator 70, so that the IC chip 52 operates using the power generated by the power generator 70.

コンピュータ84は、本開示の技術に係る「コンピュータ」の一例であり、カートリッジメモリ19の全体を制御する。コンピュータ84は、管理情報100(図10参照)を保持している。 The computer 84 is an example of a “computer” according to the technique of the present disclosure, and controls the entire cartridge memory 19. The computer 84 holds the management information 100 (see FIG. 10).

クロック信号生成器86は、クロック信号を生成して各種の駆動素子に出力する。各種の駆動素子は、クロック信号生成器86から入力されたクロック信号に従って動作する。詳しくは後述するが、クロック信号生成器86は、コンピュータ84の指示に従って、クロック信号の周波数(以下、「クロック周波数」とも称する)を変更する。クロック信号生成器86では、基準となるクロック周波数(以下、「基準クロック周波数」と称する)として磁界MFの周波数と同一の周波数が用いられており、基準クロック周波数に基づいて異なるクロック周波数のクロック信号が生成される。本実施形態において、クロック信号生成器86は、第1周波数〜第3周波数のクロック信号を選択的に生成する。第1周波数は、基準クロック周波数の1/4の周波数であり、第2周波数は、基準クロック周波数の1/2の周波数であり、第3周波数は、基準クロック周波数と同じ周波数である(図11参照)。なお、第2周波数は、本開示の技術に係る「既定値」の一例である。 The clock signal generator 86 generates a clock signal and outputs it to various driving elements. The various driving elements operate according to the clock signal input from the clock signal generator 86. As will be described in detail later, the clock signal generator 86 changes the frequency of the clock signal (hereinafter, also referred to as “clock frequency”) according to the instruction of the computer 84. In the clock signal generator 86, the same frequency as the frequency of the magnetic field MF is used as the reference clock frequency (hereinafter referred to as “reference clock frequency”), and clock signals having different clock frequencies are used based on the reference clock frequency. Is generated. In the present embodiment, the clock signal generator 86 selectively generates clock signals of the first frequency to the third frequency. The first frequency is 1/4 of the reference clock frequency, the second frequency is 1/2 of the reference clock frequency, and the third frequency is the same frequency as the reference clock frequency (FIG. 11). reference). The second frequency is an example of the "default value" according to the technique of the present disclosure.

信号処理回路88は、共振回路92に接続されている。信号処理回路88は、復号回路(図示省略)及び符号化回路(図示省略)を有する。信号処理回路88の復号回路は、コイル60によって受信された磁界MFからコマンド信号を抽出して復号し、コンピュータ84に出力する。コンピュータ84は、コマンド信号に対する応答信号を信号処理回路88に出力する。すなわち、コンピュータ84は、信号処理回路88から入力されたコマンド信号に応じた処理を実行し、処理結果を応答信号として信号処理回路88に出力する。信号処理回路88では、コンピュータ84から応答信号が入力されると、信号処理回路88の符号化回路は、応答信号を符号化することで変調して共振回路92に出力する。共振回路92は、信号処理回路88の符号化回路から入力された応答信号を、磁界MFを介して非接触式読み書き装置50に送信する。すなわち、カートリッジメモリ19から非接触式読み書き装置50に応答信号が送信される場合、磁界MFには、応答信号が含まれる。換言すると、磁界MFには応答信号が重畳される。 The signal processing circuit 88 is connected to the resonance circuit 92. The signal processing circuit 88 includes a decoding circuit (not shown) and a coding circuit (not shown). The decoding circuit of the signal processing circuit 88 extracts a command signal from the magnetic field MF received by the coil 60, decodes it, and outputs it to the computer 84. The computer 84 outputs a response signal to the command signal to the signal processing circuit 88. That is, the computer 84 executes processing according to the command signal input from the signal processing circuit 88, and outputs the processing result to the signal processing circuit 88 as a response signal. In the signal processing circuit 88, when the response signal is input from the computer 84, the coding circuit of the signal processing circuit 88 modulates the response signal by encoding and outputs it to the resonance circuit 92. The resonance circuit 92 transmits the response signal input from the coding circuit of the signal processing circuit 88 to the non-contact read / write device 50 via the magnetic field MF. That is, when the response signal is transmitted from the cartridge memory 19 to the non-contact read / write device 50, the magnetic field MF includes the response signal. In other words, the response signal is superimposed on the magnetic field MF.

磁界強度測定回路90は、電源回路82によって生成された電力に基づいて磁界MFの強度を測定する。電源回路82によって生成された電力は、共振回路92に与えられる磁界MFの強度が大きいほど制限範囲内で大きくなる。磁界強度測定回路90は、電源回路82によって生成された電力と共振回路92に与えられる磁界MFの強度との相関に基づいて、電源回路82によって生成された電力に応じた出力レベルの信号を出力する。つまり、磁界強度測定回路90は、電源回路82によって生成された電力が測定し、測定結果に基づいて磁界MFの強度を示す磁界強度信号を生成してコンピュータ84に出力する。これにより、コンピュータ84は、磁界強度測定回路90から入力された磁界強度信号に応じた処理を実行することが可能となる。 The magnetic field strength measuring circuit 90 measures the strength of the magnetic field MF based on the electric power generated by the power supply circuit 82. The electric power generated by the power supply circuit 82 increases within the limited range as the strength of the magnetic field MF applied to the resonance circuit 92 increases. The magnetic field strength measuring circuit 90 outputs a signal of an output level corresponding to the power generated by the power supply circuit 82 based on the correlation between the power generated by the power supply circuit 82 and the strength of the magnetic field MF given to the resonance circuit 92. To do. That is, the magnetic field strength measuring circuit 90 measures the electric power generated by the power supply circuit 82, generates a magnetic field strength signal indicating the strength of the magnetic field MF based on the measurement result, and outputs the magnetic field strength signal to the computer 84. As a result, the computer 84 can execute the process according to the magnetic field strength signal input from the magnetic field strength measuring circuit 90.

一例として図10に示すように、コンピュータ84は、CPU94、NVM96、及びRAM98を備えている。CPU94、NVM96、及びRAM98は、バス99に接続されている。また、バス99には、クロック信号生成器86、信号処理回路88、及び磁界強度測定回路90も接続されている。 As an example, as shown in FIG. 10, the computer 84 includes a CPU 94, an NVM 96, and a RAM 98. The CPU 94, NVM 96, and RAM 98 are connected to the bus 99. A clock signal generator 86, a signal processing circuit 88, and a magnetic field strength measuring circuit 90 are also connected to the bus 99.

NVM96は、本開示の技術に係る「メモリ」の一例である。ここでは、NVM96として、EEPROMが採用されている。EEPROMは、これはあくまでも一例に過ぎず、例えば、EEPROMに代えて強誘電体メモリであってもよく、ICチップ52に搭載可能な不揮発性メモリであれば如何なるメモリであってもよい。 NVM96 is an example of a "memory" according to the technique of the present disclosure. Here, EEPROM is adopted as NVM96. The EEPROM is merely an example. For example, the EEPROM may be a ferroelectric memory instead of the EEPROM, and any non-volatile memory that can be mounted on the IC chip 52 may be used.

NVM96には、管理情報100が記憶されている。CPU94は、信号処理回路88から入力されたコマンド信号に応じて、ポーリング処理、読出処理、書込処理、及び特別処理を選択的に行う。 The management information 100 is stored in the NVM 96. The CPU 94 selectively performs polling processing, reading processing, writing processing, and special processing according to a command signal input from the signal processing circuit 88.

コマンド信号により示されるコマンドは、ポーリングコマンド、読出コマンド、又は書込コマンドである。コマンド信号により示されるコマンドがポーリングコマンドの場合、CPU94は、ポーリング処理を実行する。コマンド信号により示されるコマンドが読出コマンドの場合、CPU94は、読出処理を実行する。コマンド信号により示されるコマンドが書込コマンドの場合、CPU94は、書込処理を実行する。なお、ここでは、説明の便宜上、ポーリング信号として1種類の信号を例示しているが、ポーリング信号は、複数種類の信号であってもよい。 The command indicated by the command signal is a polling command, a read command, or a write command. When the command indicated by the command signal is a polling command, the CPU 94 executes the polling process. When the command indicated by the command signal is a read command, the CPU 94 executes the read process. When the command indicated by the command signal is a write command, the CPU 94 executes the write process. Here, for convenience of explanation, one type of signal is illustrated as the polling signal, but the polling signal may be a plurality of types of signals.

ポーリング処理は、非接触式読み書き装置50との間で通信を確立する処理であり、例えば、読出処理及び書込処理の前段階の準備処理として行われる。読出処理は、NVM96から管理情報100等を読み出す処理である。書込処理は、NVM96に管理情報100等を書き込む処理である。ここでは、ポーリング処理、読出処理、及び書込処理で用いられるクロック周波数として、第3周波数が採用されている。 The polling process is a process for establishing communication with the non-contact read / write device 50, and is performed as, for example, a preparatory process before the read process and the write process. The read process is a process of reading the management information 100 and the like from the NVM 96. The writing process is a process of writing the management information 100 and the like to the NVM 96. Here, a third frequency is adopted as the clock frequency used in the polling process, the read process, and the write process.

特別処理は、カートリッジメモリ19の起動時に用いるクロック周波数として予め定められた起動時周波数よりも低いクロック周波数を設定する処理である。ここでは、起動時周波数として、第2周波数が採用されており、特別処理で用いられるクロック周波数として、第1周波数が採用されている。 The special process is a process of setting a clock frequency lower than a predetermined start-up frequency as the clock frequency used at the start-up of the cartridge memory 19. Here, the second frequency is adopted as the start-up frequency, and the first frequency is adopted as the clock frequency used in the special processing.

特別処理では、例えば、非接触式読み書き装置50とカートリッジメモリ19との間で通信のリトライが行われる。通信のリトライとは、例えば、ポーリング処理によって非接触式読み書き装置50とカートリッジメモリ19との間で通信が確立しなかった場合に、CPU94が、再度、ポーリング処理を行うことを指す。 In the special process, for example, communication is retried between the non-contact read / write device 50 and the cartridge memory 19. The communication retry means, for example, that the CPU 94 performs the polling process again when the communication between the non-contact read / write device 50 and the cartridge memory 19 is not established by the polling process.

ポーリング処理、読出処理、書込処理、及び特別処理(以下、区別して説明する必要がない場合、「各種処理」と称する)は何れも、クロック信号生成器86によって生成されたクロック信号に従ってCPU94によって行われる。すなわち、CPU94は、各種処理をクロック周波数に応じた処理速度で行う。 The polling process, read process, write process, and special process (hereinafter referred to as "various processes" when it is not necessary to distinguish them) are all performed by the CPU 94 according to the clock signal generated by the clock signal generator 86. Will be done. That is, the CPU 94 performs various processes at a processing speed according to the clock frequency.

従って、クロック周波数が高いほど処理速度は高まる。処理速度が高まるということは、CPU94にかかる負荷が大きくなり、消費電力も大きくなる。また、管理情報100等の情報量が多くなるほど、CPU94による読出処理及び書込処理の実行時間が長くなり、電源回路82からCPU94等に供給される電力が不足してしまう虞がある。このような事態の発生を回避するために、カートリッジメモリ19では、CPU94によって信号レベル設定処理が実行される。信号レベル設定処理は、CPU94によって各種処理が行われることによって得られた処理結果を示す処理結果信号が、非接触式読み書き装置50からの要求に対する応答信号としてコイル60によって磁界MFを介して非接触式読み書き装置50に送信される場合、磁界MFの強度に応じて処理結果信号の信号レベルを変更する処理である。なお、CPU94によって各種処理が行われることによって得られた処理結果を示す処理結果信号は、非接触式読み書き装置50からの要求に対する応答信号であるので、以下では、説明の便宜上、処理結果信号を「応答信号」とも称する。以下、信号レベル設定処理について説明する。 Therefore, the higher the clock frequency, the higher the processing speed. Increasing the processing speed increases the load on the CPU 94 and also increases the power consumption. Further, as the amount of information such as the management information 100 increases, the execution time of the read process and the write process by the CPU 94 becomes longer, and the power supplied from the power supply circuit 82 to the CPU 94 or the like may be insufficient. In order to avoid the occurrence of such a situation, the CPU 94 executes the signal level setting process in the cartridge memory 19. In the signal level setting process, the process result signal indicating the process result obtained by performing various processes by the CPU 94 is non-contacted by the coil 60 via the magnetic field MF as a response signal to the request from the non-contact read / write device 50. When transmitted to the formula reading / writing device 50, it is a process of changing the signal level of the processing result signal according to the strength of the magnetic field MF. Since the processing result signal indicating the processing result obtained by performing various processing by the CPU 94 is a response signal to the request from the non-contact read / write device 50, the processing result signal will be described below for convenience of explanation. Also referred to as a "response signal". The signal level setting process will be described below.

NVM96には、信号レベル設定処理プログラム102が記憶されている。CPU94は、NVM96から信号レベル設定処理プログラム102を読み出し、RAM98上で信号レベル設定処理プログラム102を実行する。信号レベル設定処理は、CPU94によって信号レベル設定処理プログラム102が実行されることで実現される。 The signal level setting processing program 102 is stored in the NVM 96. The CPU 94 reads the signal level setting processing program 102 from the NVM 96, and executes the signal level setting processing program 102 on the RAM 98. The signal level setting process is realized by executing the signal level setting process program 102 by the CPU 94.

一例として図11に示すように、CPU94は、信号レベル設定処理を実行することで、応答信号を非接触式読み書き装置50に磁界MFを介して送信する場合に、磁界MFの強度に応じて応答信号の信号レベルを変更する。磁界MFの強度は、磁界強度測定回路90からCPU94に入力される磁界強度信号に基づいてCPU94によって特定される。 As an example, as shown in FIG. 11, the CPU 94 responds according to the strength of the magnetic field MF when transmitting the response signal to the non-contact read / write device 50 via the magnetic field MF by executing the signal level setting process. Change the signal level of the signal. The strength of the magnetic field MF is specified by the CPU 94 based on the magnetic field strength signal input from the magnetic field strength measuring circuit 90 to the CPU 94.

CPU94は、磁界MFの強度に応じて、応答信号の信号レベルを、第1信号レベル又は第2信号レベルに設定する。第2信号レベルは、第1信号レベルよりも高い信号レベルである。図11に示す例では、第2信号レベルは、第1信号レベルの2倍である。ここで、信号レベルとは、応答信号の振幅(1ビット単位での深さ)を意味する。 The CPU 94 sets the signal level of the response signal to the first signal level or the second signal level according to the strength of the magnetic field MF. The second signal level is a signal level higher than the first signal level. In the example shown in FIG. 11, the second signal level is twice the first signal level. Here, the signal level means the amplitude (depth in 1-bit units) of the response signal.

CPU94は、磁界MFの強度が閾値以上の場合に、応答信号の信号レベルを第1信号レベルに設定し、磁界MFの強度が閾値未満の場合に、応答信号の信号レベルを第2信号レベルに設定する。閾値は、通信の失敗が生じない磁界MFの強度の下限値として、実機による試験及び/又はコンピュータ・シミュレーション等によって予め導き出された値である。閾値は、固定値であってもよいし、与えられた条件に応じて変更される可変値であってもよい。 The CPU 94 sets the signal level of the response signal to the first signal level when the strength of the magnetic field MF is equal to or higher than the threshold value, and sets the signal level of the response signal to the second signal level when the strength of the magnetic field MF is less than the threshold value. Set. The threshold value is a value derived in advance by a test using an actual machine and / or a computer simulation or the like as a lower limit value of the strength of the magnetic field MF that does not cause communication failure. The threshold value may be a fixed value or a variable value that is changed according to a given condition.

次に、カートリッジメモリ19の作用について、図12を参照して説明する。 Next, the operation of the cartridge memory 19 will be described with reference to FIG.

図12には、コマンド信号により示されるコマンドに対する応答信号がカートリッジメモリ19から非接触式読み書き装置50に送信される場合にCPU94によって実行される信号レベル設定処理の流れの一例が示されている。以下の信号レベル設定処理の説明では、説明の便宜上、電源回路82から各種の駆動素子に電力が供給されていることを前提としている。また、以下の信号レベル設定処理の説明では、説明の便宜上、コマンド信号により示されるコマンドがポーリングコマンド、読出コマンド、又は書込コマンドであり、コマンド信号により示されるコマンドに応じた処理がCPU94によって実行されていることを前提としている。 FIG. 12 shows an example of the flow of the signal level setting process executed by the CPU 94 when the response signal to the command indicated by the command signal is transmitted from the cartridge memory 19 to the non-contact read / write device 50. In the following description of the signal level setting process, for convenience of explanation, it is assumed that power is supplied from the power supply circuit 82 to various drive elements. Further, in the following description of the signal level setting process, for convenience of explanation, the command indicated by the command signal is a polling command, a read command, or a write command, and the CPU 94 executes the process according to the command indicated by the command signal. It is assumed that it has been done.

図12に示す信号レベル設定処理では、先ず、ステップST12で、CPU94は、磁界強度測定回路90から磁界強度信号が入力されたか否かを判定する。ステップST12において、磁界強度信号が入力されていない場合は、判定が否定されて、信号レベル設定処理はステップST20へ移行する。ステップST12において、磁界強度信号が入力された場合は、判定が肯定されて、信号レベル設定処理はステップST14へ移行する。 In the signal level setting process shown in FIG. 12, first, in step ST12, the CPU 94 determines whether or not a magnetic field strength signal has been input from the magnetic field strength measuring circuit 90. If the magnetic field strength signal is not input in step ST12, the determination is denied and the signal level setting process proceeds to step ST20. When the magnetic field strength signal is input in step ST12, the determination is affirmed, and the signal level setting process shifts to step ST14.

ステップST14で、CPU94は、ステップST12で入力された磁界強度信号により示される磁界MFの強度が閾値未満か否かを判定する。ステップST14において、磁界MFの強度が閾値以上の場合は、判定が否定されて、信号レベル設定処理はステップST30へ移行する。ステップST14において、磁界MFの強度が閾値未満の場合は、判定が肯定されて、信号レベル設定処理はステップST16へ移行する。 In step ST14, the CPU 94 determines whether or not the strength of the magnetic field MF indicated by the magnetic field strength signal input in step ST12 is less than the threshold value. If the strength of the magnetic field MF is equal to or greater than the threshold value in step ST14, the determination is denied and the signal level setting process shifts to step ST30. If the strength of the magnetic field MF is less than the threshold value in step ST14, the determination is affirmed, and the signal level setting process shifts to step ST16.

ステップST16で、CPU94は、応答信号の信号レベルとして第1信号レベルが設定されているか否かを判定する。ステップST16において、応答信号の信号レベルとして第2信号レベルが設定されている場合は、判定が否定されて、信号レベル設定処理はステップST20へ移行する。ステップST16において、応答信号の信号レベルとして第1信号レベルが設定されている場合は、判定が肯定されて、信号レベル設定処理はステップST18へ移行する。 In step ST16, the CPU 94 determines whether or not the first signal level is set as the signal level of the response signal. If the second signal level is set as the signal level of the response signal in step ST16, the determination is denied and the signal level setting process proceeds to step ST20. If the first signal level is set as the signal level of the response signal in step ST16, the determination is affirmed, and the signal level setting process proceeds to step ST18.

ステップST18で、CPU94は、応答信号の信号レベルを第2信号レベルに設定し、その後、信号レベル設定処理はステップST20へ移行する。 In step ST18, the CPU 94 sets the signal level of the response signal to the second signal level, and then the signal level setting process shifts to step ST20.

ステップST30で、CPU94は、応答信号の信号レベルとして第2信号レベルが設定されているか否かを判定する。ステップST30において、応答信号の信号レベルとして第1信号レベルが設定されている場合は、判定が否定されて、信号レベル設定処理はステップST20へ移行する。ステップST30において、応答信号の信号レベルとして第2信号レベルが設定されている場合は、判定が肯定されて、信号レベル設定処理はステップST32へ移行する。 In step ST30, the CPU 94 determines whether or not the second signal level is set as the signal level of the response signal. If the first signal level is set as the signal level of the response signal in step ST30, the determination is denied, and the signal level setting process proceeds to step ST20. If the second signal level is set as the signal level of the response signal in step ST30, the determination is affirmed, and the signal level setting process proceeds to step ST32.

ステップST32で、CPU94は、応答信号の信号レベルを第1信号レベルに設定し、その後、信号レベル設定処理はステップST20へ移行する。 In step ST32, the CPU 94 sets the signal level of the response signal to the first signal level, and then the signal level setting process shifts to step ST20.

ステップST20で、CPU94は、信号レベル設定処理を終了する条件(以下、「信号レベル設定処理終了条件」と称する)を満足したか否かを判定する。信号レベル設定処理終了条件としては、例えば、磁界MFが消失した、との条件が挙げられる。磁界MFが消失したか否かは、磁界強度測定回路90からCPU94に入力される磁界強度信号に基づいてCPU94によって判定される。ステップST20において、信号レベル設定処理終了条件を満足していない場合は、判定が否定されて、信号レベル設定処理はステップST12へ移行する。ステップST20において、信号レベル設定処理終了条件を満足した場合は、判定が肯定されて、信号レベル設定処理が終了する。 In step ST20, the CPU 94 determines whether or not the condition for ending the signal level setting process (hereinafter, referred to as “signal level setting process end condition”) is satisfied. Examples of the signal level setting processing end condition include a condition that the magnetic field MF has disappeared. Whether or not the magnetic field MF has disappeared is determined by the CPU 94 based on the magnetic field strength signal input from the magnetic field strength measuring circuit 90 to the CPU 94. If the signal level setting process end condition is not satisfied in step ST20, the determination is denied and the signal level setting process proceeds to step ST12. If the signal level setting process end condition is satisfied in step ST20, the determination is affirmed and the signal level setting process ends.

以上説明したように、磁界MFの強度が閾値未満の場合に、応答信号の信号レベルが第1信号レベルから第2信号レベルに引き上げられる。これにより、仮に、応答信号の送信先である非接触式読み書き装置50が、性能の問題で、第1信号レベルの応答信号を受信することができない装置だったとしても、第1信号レベルよりも高い信号レベルである第2信号レベルの応答信号がカートリッジメモリ19から磁界MFを介して送信されるので、応答信号の信号レベルが常に第1信号レベルで固定されている場合に比べ、非接触式読み書き装置50に対して応答信号を受信させ易くすることができる。 As described above, when the strength of the magnetic field MF is less than the threshold value, the signal level of the response signal is raised from the first signal level to the second signal level. As a result, even if the non-contact read / write device 50 to which the response signal is transmitted is a device that cannot receive the response signal at the first signal level due to a performance problem, it is higher than the first signal level. Since the response signal of the second signal level, which is a high signal level, is transmitted from the cartridge memory 19 via the magnetic field MF, it is a non-contact type as compared with the case where the signal level of the response signal is always fixed at the first signal level. It is possible to make it easier for the read / write device 50 to receive the response signal.

また、カートリッジメモリ19では、常に第2信号レベルの応答信号が非接触式読み書き装置50に送信されるわけではなく、応答信号の信号レベルが、磁界MFの強度に応じて第2信号レベルから第1信号レベルに変更される。これにより、信号レベルが常に第2信号レベルである場合に比べ、消費電力を低減することができる。 Further, in the cartridge memory 19, the response signal of the second signal level is not always transmitted to the non-contact read / write device 50, and the signal level of the response signal is changed from the second signal level to the second signal level according to the strength of the magnetic field MF. It is changed to one signal level. As a result, power consumption can be reduced as compared with the case where the signal level is always the second signal level.

なお、上記実施形態では、第1信号レベルと第2信号レベルとの間で選択的に信号レベルが設定されるようにしたが、本開示の技術はこれに限定されない。例えば、図13に示すように、磁界MFの強度に応じて、応答信号の信号レベルが無段階式で変更されるようにしてもよい。この場合、例えば、磁界MFの強度が小さいほど応答信号の信号レベルが引き上げられるようにする。換言すると、磁界MFの強度が大きいほど応答信号の信号レベルが引き下げられるようにする、ということである。 In the above embodiment, the signal level is selectively set between the first signal level and the second signal level, but the technique of the present disclosure is not limited to this. For example, as shown in FIG. 13, the signal level of the response signal may be changed steplessly according to the strength of the magnetic field MF. In this case, for example, the smaller the strength of the magnetic field MF, the higher the signal level of the response signal. In other words, the higher the strength of the magnetic field MF, the lower the signal level of the response signal.

このように、磁界MFの強度が小さいほど応答信号の信号レベルが引き上げられるようにすることで、磁界MFの強度に関わらず信号レベルが第2信号レベルに維持されている場合に比べ、磁界MFの強度の不足していることが原因で、非接触式読み書き装置50が応答信号を受信することができないという事態の発生を抑制することができる。 In this way, by making the signal level of the response signal raised as the strength of the magnetic field MF becomes smaller, the magnetic field MF is compared with the case where the signal level is maintained at the second signal level regardless of the strength of the magnetic field MF. It is possible to suppress the occurrence of a situation in which the non-contact read / write device 50 cannot receive the response signal due to insufficient strength.

また、磁界MFの強度が大きいほど応答信号の信号レベルが引き下げられるようにすることで、磁界MFの強度に関わらず信号レベルが第1信号レベルに維持されている場合に比べ、磁界MFの強度に対して不要に信号レベルが高い応答信号が非接触式読み書き装置50に送信されるという事態の発生を抑制することができる。 Further, by making the signal level of the response signal lower as the strength of the magnetic field MF increases, the strength of the magnetic field MF is higher than that in the case where the signal level is maintained at the first signal level regardless of the strength of the magnetic field MF. It is possible to suppress the occurrence of a situation in which a response signal having an unnecessarily high signal level is transmitted to the non-contact read / write device 50.

なお、図13に示す例では、磁界MFの強度に対して信号レベルが線形的に変化しているが、本開示の技術はこれに限定されず、磁界MFの強度に対して信号レベルが非線形的に(例えば、指数関数的に)変化していてもよい。また、図13に二点鎖線で示されているように、磁界MFの強度に応じて信号レベルが段階的に変更されるようにしてもよい。すなわち、磁界MFの強度が小さいほど応答信号の信号レベルが段階的に引き上げられ、磁界MFの強度が大きいほど応答信号の信号レベルが段階的に引き下げられるようにしてもよい。ここで、信号レベルの段階的な変更とは、例えば、磁界MFの強度が大きくなるに従って、信号レベルが引き下げられ、かつ、磁界MFの強度が大きくなるに従って、信号レベルの不変期間が周期的に到来する、ということである。 In the example shown in FIG. 13, the signal level changes linearly with respect to the strength of the magnetic field MF, but the technique of the present disclosure is not limited to this, and the signal level is non-linear with respect to the strength of the magnetic field MF. It may change in terms of (for example, exponentially). Further, as shown by the alternate long and short dash line in FIG. 13, the signal level may be changed stepwise according to the intensity of the magnetic field MF. That is, the signal level of the response signal may be gradually raised as the strength of the magnetic field MF is smaller, and the signal level of the response signal may be lowered stepwise as the strength of the magnetic field MF is higher. Here, the stepwise change of the signal level means, for example, that the signal level is lowered as the strength of the magnetic field MF increases, and the invariant period of the signal level periodically increases as the strength of the magnetic field MF increases. It means that it will come.

また、CPU94は、信号レベルの引き上げ度合いを、カートリッジメモリ19内の電力の残量に応じて定めるようにしてもよい。例えば、図14に示すように、電力の残量が多いほど信号レベルの引き上げ度合いを大きくするようにしてもよい。また、例えば、図15に示すように、電力の残量が多いほど信号レベルの引き上げ度合いを小さくするようにしてもよい。これにより、電力の残量に関わらず信号レベルが変更される場合に比べ、電力の過不足と、非接触式読み書き装置50が応答信号を受信することができないという事態の発生とを抑制することができる。 Further, the CPU 94 may determine the degree of raising the signal level according to the remaining amount of electric power in the cartridge memory 19. For example, as shown in FIG. 14, the degree of increase in the signal level may be increased as the remaining amount of electric power increases. Further, for example, as shown in FIG. 15, the degree of increase in the signal level may be reduced as the remaining amount of electric power increases. As a result, compared to the case where the signal level is changed regardless of the remaining amount of power, it is possible to suppress the excess or deficiency of power and the occurrence of the situation where the non-contact read / write device 50 cannot receive the response signal. Can be done.

なお、図14に示す例では、磁界MFの強度に対して信号レベルの引き上げ度合いが線形的に変化しているが、本開示の技術はこれに限定されず、磁界MFの強度に対して信号レベルの引き上げ度合いが非線形的に(例えば、指数関数的に)変化していてもよい。また、図15に示す例では、磁界MFの強度に対して信号レベルの引き下げ度合いが線形的に変化しているが、本開示の技術はこれに限定されず、磁界MFの強度に対して信号レベルの引き下げ度合いが非線形的に(例えば、指数関数的に)変化していてもよい。 In the example shown in FIG. 14, the degree of increase in the signal level linearly changes with respect to the strength of the magnetic field MF, but the technique of the present disclosure is not limited to this, and the signal with respect to the strength of the magnetic field MF. The degree of level increase may change non-linearly (for example, exponentially). Further, in the example shown in FIG. 15, the degree of reduction of the signal level linearly changes with respect to the strength of the magnetic field MF, but the technique of the present disclosure is not limited to this, and the signal with respect to the strength of the magnetic field MF. The degree of level reduction may change non-linearly (for example, exponentially).

また、図14に二点鎖線で示されているように、電力の残量に応じて信号レベルの引き上げ度合いが段階的に変更されるようにしてもよい。すなわち、電力の残量が多いほど応答信号の信号レベルの引き上げ度合いが段階的に大きくなるようにしてもよい。ここで、信号レベルの引き上げ度合いの段階的な変更とは、例えば、電力の残量が多くなるに従って、信号レベルの引き上げ度合いが大きくなり、かつ、電力の残量が多くなるに従って、信号レベルの引き上げ度合いの不変期間が周期的に到来する、ということである。また、図15に二点鎖線で示されているように、電力の残量に応じて信号レベルの引き下げ度合いが段階的に変更されるようにしてもよい。すなわち、電力の残量が多いほど応答信号の信号レベルの引き下げ度合いが段階的に小さくなるようにしてもよい。ここで、信号レベルの引き下げ度合いの段階的な変更とは、例えば、電力の残量が多くなるに従って、信号レベルの引き下げ度合いが小さくなり、かつ、電力の残量が多くなるに従って、信号レベルの引き下げ度合いの不変期間が周期的に到来する、ということである。 Further, as shown by the alternate long and short dash line in FIG. 14, the degree of raising the signal level may be changed stepwise according to the remaining amount of electric power. That is, the degree of raising the signal level of the response signal may be gradually increased as the remaining amount of electric power is increased. Here, the stepwise change of the signal level increase degree means, for example, that the signal level increase degree increases as the remaining amount of electric power increases, and the signal level increases as the remaining amount of electric power increases. It means that the invariant period of the degree of increase will come periodically. Further, as shown by the alternate long and short dash line in FIG. 15, the degree of reduction of the signal level may be changed stepwise according to the remaining amount of electric power. That is, as the remaining amount of electric power increases, the degree of reduction of the signal level of the response signal may be gradually reduced. Here, the stepwise change of the signal level reduction degree means, for example, that the signal level reduction degree decreases as the remaining power amount increases and the signal level decreases as the power remaining amount increases. It means that the invariant period of the degree of reduction will come periodically.

また、上記実施形態では、ICチップ52とコイル60とがワイヤ接続方式で接続されている形態例を挙げて説明したが、本開示の技術はこれに限定されない。例えば、図16に示すように、ICチップ52とコイル60とがフリップチップ接続方式で接続されていてもよい。この場合、例えば、ICチップ52の正極端子及び負極端子のうちの一方の端子が第1導通部62Aに直接接続され、他方の端子が第2導通部62Bに直接接続される。 Further, in the above embodiment, an example in which the IC chip 52 and the coil 60 are connected by a wire connection method has been described, but the technique of the present disclosure is not limited to this. For example, as shown in FIG. 16, the IC chip 52 and the coil 60 may be connected by a flip chip connection method. In this case, for example, one of the positive electrode terminal and the negative electrode terminal of the IC chip 52 is directly connected to the first conductive portion 62A, and the other terminal is directly connected to the second conductive portion 62B.

また、上記実施形態では、傾斜角度θとして45度を例示したが、本開示の技術はこれに限定されず、一例として図17に示すように、カートリッジメモリ19の基準面16A1に対する傾斜角度として、傾斜角度θよりも小さな傾斜角度θ1が採用されてもよい。傾斜角度θ1の一例としては30度が挙げられる。傾斜角度θ1は、傾斜角度θよりも小さな角度であるので、傾斜角度θの場合に比べ、コイル60(図7参照)に対して多くの磁力線を貫通させることができる。この結果、磁気テープカートリッジ10が磁気テープドライブ30に装填された状態で、コイル60は、傾斜角度θの場合に比べ、大きな誘導電流を得ることができる。 Further, in the above embodiment, 45 degrees is exemplified as the tilt angle θ, but the technique of the present disclosure is not limited to this, and as an example, as shown in FIG. 17, the tilt angle of the cartridge memory 19 with respect to the reference surface 16A1 is set. An inclination angle θ1 smaller than the inclination angle θ may be adopted. An example of the inclination angle θ1 is 30 degrees. Since the tilt angle θ1 is smaller than the tilt angle θ, more magnetic field lines can be penetrated through the coil 60 (see FIG. 7) than in the case of the tilt angle θ. As a result, when the magnetic tape cartridge 10 is loaded in the magnetic tape drive 30, the coil 60 can obtain a large induced current as compared with the case of the inclination angle θ.

一例として図18に示すように、磁気テープカートリッジ10の生産工程、磁気テープカートリッジ10の管理工程、及び/又は、磁気テープカートリッジ10が流通する流通工程(例えば、市場での流通工程)では、上下方向に重ねられた複数の磁気テープカートリッジ10がプラスチックフィルムでシュリンクされたパッケージ200内の各磁気テープカートリッジ10のカートリッジメモリ19に対して非接触式読み書き装置150によって管理情報100等の読み書きが行われる。カートリッジメモリ19に対する非接触式読み書き装置150による管理情報100等の読み書きは、磁気テープカートリッジ10の後側において複数の磁気テープカートリッジ10が重ねられた方向に沿って非接触式読み書き装置150を移動させながら行われる。この場合、例えば、非接触式読み書き装置150は、磁界MF1のオンとオフとを繰り返しながら磁気テープカートリッジ10の各々に対して磁界MF1を順次に放出する。 As an example, as shown in FIG. 18, in the production process of the magnetic tape cartridge 10, the management process of the magnetic tape cartridge 10, and / or the distribution process in which the magnetic tape cartridge 10 is distributed (for example, the distribution process in the market), the upper and lower parts are used. The non-contact read / write device 150 reads / writes the management information 100 or the like to the cartridge memory 19 of each magnetic tape cartridge 10 in the package 200 in which a plurality of magnetic tape cartridges 10 stacked in the direction are shrunk with a plastic film. .. To read / write the management information 100 or the like to the cartridge memory 19 by the non-contact read / write device 150, the non-contact read / write device 150 is moved along the direction in which the plurality of magnetic tape cartridges 10 are stacked on the rear side of the magnetic tape cartridge 10. It is done while. In this case, for example, the non-contact read / write device 150 sequentially emits the magnetic field MF1 to each of the magnetic tape cartridges 10 while repeatedly turning the magnetic field MF1 on and off.

ところで、磁気テープカートリッジ10が磁気テープドライブ30に装填されている環境下(第1環境下)では、磁気テープカートリッジ10の下方向又は上方向から非接触式読み書き装置50によって磁界MF(第1磁界)が、基準面16A1に対して正対する側から、基板26のうちのコイル60が形成されている表面26A(コイル形成面)に向けて磁界MFが付与される(図17参照)。これにより、カートリッジメモリ19の傾斜角度が傾斜角度θの場合に比べ、多くの磁力線がコイル60を貫通することになり、大きな誘導電流が得られる。 By the way, in an environment in which the magnetic tape cartridge 10 is loaded in the magnetic tape drive 30 (first environment), a magnetic field MF (first magnetic field) is provided by the non-contact read / write device 50 from the lower direction or the upper direction of the magnetic tape cartridge 10. ), The magnetic field MF is applied from the side facing the reference surface 16A1 toward the surface 26A (coil forming surface) on which the coil 60 is formed in the substrate 26 (see FIG. 17). As a result, more magnetic field lines penetrate the coil 60 than in the case where the tilt angle of the cartridge memory 19 is the tilt angle θ, and a large induced current can be obtained.

これに対し、生産工程、管理工程、及び/又は流通工程の環境下(第2環境下)では、一例として図18に示すように、複数の磁気テープカートリッジ10がパッケージ200として取り扱われる。この場合、基準面16A1の法線方向に対して交差し、かつ、表面26Aに対峙する側から表面26Aに向けて磁界MF1(第2磁界)が付与される。これにより、カートリッジメモリ19の傾斜角度が傾斜角度θの場合に比べ、パッケージ200内で意図しない磁気テープカートリッジ10に対して管理情報100等の読み書きが行われる(クロストークが生じる)ことを抑制することができる。 On the other hand, under the environment of the production process, the control process, and / or the distribution process (under the second environment), as shown in FIG. 18 as an example, a plurality of magnetic tape cartridges 10 are treated as the package 200. In this case, a magnetic field MF1 (second magnetic field) is applied from the side facing the surface 26A toward the surface 26A, which intersects the normal direction of the reference surface 16A1. As a result, compared to the case where the tilt angle of the cartridge memory 19 is the tilt angle θ, it is possible to prevent the management information 100 and the like from being read / written (crosstalk occurs) to the magnetic tape cartridge 10 unintentionally in the package 200. be able to.

なお、図18に示す例では、非接触式読み書き装置150がパッケージ200内の各カートリッジメモリ19と磁界MF1を介して通信を行う場合に非接触式読み書き装置150がパッケージ200に対して上下方向に沿って移動している態様が例示されているが、この態様はあくまでも一例に過ぎず、非接触式読み書き装置150の位置を固定して、パッケージ200を上下方向に沿って移動させてもよい。また、非接触式読み書き装置150とパッケージ200とは上下方向において反対の方向に移動させてもよい。このように、非接触式読み書き装置150がパッケージ200内の各カートリッジメモリ19と磁界MF1を介して通信を行う場合、非接触式読み書き装置150がパッケージ200に対して上下方向に沿って相対的に移動していればよい。 In the example shown in FIG. 18, when the non-contact read / write device 150 communicates with each cartridge memory 19 in the package 200 via the magnetic field MF1, the non-contact read / write device 150 moves up and down with respect to the package 200. Although the aspect of moving along the example is illustrated, this aspect is merely an example, and the package 200 may be moved along the vertical direction by fixing the position of the non-contact read / write device 150. Further, the non-contact read / write device 150 and the package 200 may be moved in opposite directions in the vertical direction. In this way, when the non-contact read / write device 150 communicates with each cartridge memory 19 in the package 200 via the magnetic field MF1, the non-contact read / write device 150 is relative to the package 200 in the vertical direction. You just have to move.

非接触式読み書き装置150は、カートリッジメモリ19に対して管理情報100等の読み書きを行う場合、磁気テープカートリッジ10の後方からカートリッジメモリ19に向けて磁界MF1を放出する。カートリッジメモリ19の電力生成器70は、磁界MF1がカートリッジメモリ19のコイル60に作用することで電力を生成する。そして、非接触式読み書き装置150は、磁界MF1を介してコマンド信号をカートリッジメモリ19に送信する。カートリッジメモリ19は、電力生成器70によって生成された電力を用いて、コマンド信号に応じた処理を実行し、かつ、処理結果を応答信号として非接触式読み書き装置150に送信する。すなわち、非接触式読み書き装置150とカートリッジメモリ19との間で磁界MF1を介して各種情報の授受が行われる。 When the non-contact read / write device 150 reads / writes the management information 100 or the like to / from the cartridge memory 19, the magnetic field MF1 is emitted from the rear of the magnetic tape cartridge 10 toward the cartridge memory 19. The power generator 70 of the cartridge memory 19 generates electric power by the magnetic field MF1 acting on the coil 60 of the cartridge memory 19. Then, the non-contact read / write device 150 transmits a command signal to the cartridge memory 19 via the magnetic field MF1. The cartridge memory 19 uses the electric power generated by the power generator 70 to execute processing according to a command signal, and transmits the processing result as a response signal to the non-contact read / write device 150. That is, various information is exchanged between the non-contact read / write device 150 and the cartridge memory 19 via the magnetic field MF1.

パッケージ200に含まれる1つの磁気テープカートリッジ10(以下、符号を付さずに「単一カートリッジ」とも称する)のカートリッジメモリ19(以下、符号を付さずに「読み書き対象カートリッジメモリ」とも称する)に対しては、単一カートリッジの後方から読み書き対象カートリッジメモリに向けて非接触式読み書き装置150から磁界MF1が付与される。しかし、傾斜角度θの場合、磁界MF1の指向性次第で、パッケージ200内で単一カートリッジと隣接する磁気テープカートリッジ10(以下、「隣接カートリッジ」とも称する)のカートリッジメモリ19に対しても磁界MF1が付与され、隣接カートリッジのカートリッジメモリ19に対して、管理情報100等の読み書きが行われてしまう虞がある。隣接カートリッジのカートリッジメモリ19に対して管理情報100等の読み書きが行われるというのは、換言すると、クロストークが生じる、ということである。 Cartridge memory 19 of one magnetic tape cartridge 10 (hereinafter, also referred to as “single cartridge” without a sign) included in the package 200 (hereinafter, also referred to as “read / write target cartridge memory” without a sign). The magnetic field MF1 is applied from the non-contact read / write device 150 toward the read / write target cartridge memory from the rear of the single cartridge. However, in the case of the inclination angle θ, depending on the directivity of the magnetic field MF1, the magnetic field MF1 is also applied to the cartridge memory 19 of the magnetic tape cartridge 10 (hereinafter, also referred to as “adjacent cartridge”) adjacent to the single cartridge in the package 200. Is given, and there is a possibility that the management information 100 and the like may be read and written to the cartridge memory 19 of the adjacent cartridge. The fact that the management information 100 and the like are read and written to the cartridge memory 19 of the adjacent cartridge means that crosstalk occurs, in other words.

ここで、傾斜角度θ1とした場合、傾斜角度θよりもカートリッジメモリ19のコイル60を貫通する磁力線の本数を少なくすることができ、傾斜角度θに比べ、隣接カートリッジのカートリッジメモリ19に対して、磁界MF1が付与され難くなる。この結果、傾斜角度θ1とした場合、傾斜角度θに比べ、磁気テープカートリッジ10に対して管理情報100等が誤って読み書きされること、すなわち、クロストークが生じることを抑制することができる。この結果、例えば、磁気テープカートリッジ10の生産工程では、設備コストを増大させることなく、磁気テープカートリッジ10の生産性を向上させることができる。また、磁気テープカートリッジ10の管理工程では、設備コストを増大させることなく、磁気テープカートリッジ10の管理の効率化を図ることができる。 Here, when the tilt angle θ1 is set, the number of magnetic field lines penetrating the coil 60 of the cartridge memory 19 can be smaller than the tilt angle θ, and the number of magnetic field lines penetrating the coil 60 of the cartridge memory 19 can be reduced with respect to the cartridge memory 19 of the adjacent cartridge as compared with the tilt angle θ. It becomes difficult to apply the magnetic field MF1. As a result, when the tilt angle θ1 is set, it is possible to prevent the management information 100 and the like from being erroneously read and written with respect to the magnetic tape cartridge 10, that is, crosstalk to occur, as compared with the tilt angle θ1. As a result, for example, in the production process of the magnetic tape cartridge 10, the productivity of the magnetic tape cartridge 10 can be improved without increasing the equipment cost. Further, in the management process of the magnetic tape cartridge 10, it is possible to improve the efficiency of management of the magnetic tape cartridge 10 without increasing the equipment cost.

また、図10に示す例では、NVM96に信号レベル設定処理プログラム102が記憶されている形態例を挙げたが、本開示の技術はこれに限定されない。例えば、図19に示すように、信号レベル設定処理プログラム102が記憶媒体300に記憶されていてもよい。記憶媒体300は、非一時的記憶媒体である。記憶媒体300の一例としては、SSD又はUSBメモリなどの任意の可搬型の記憶媒体が挙げられる。 Further, in the example shown in FIG. 10, a form example in which the signal level setting processing program 102 is stored in the NVM 96 is given, but the technique of the present disclosure is not limited to this. For example, as shown in FIG. 19, the signal level setting processing program 102 may be stored in the storage medium 300. The storage medium 300 is a non-temporary storage medium. An example of the storage medium 300 is any portable storage medium such as an SSD or a USB memory.

記憶媒体300に記憶されている信号レベル設定処理プログラム102は、コンピュータ84にインストールされる。CPU94は、信号レベル設定処理プログラム102に従って信号レベル設定処理を実行する。図19に示す例では、CPU94は、単数のCPUであるが、複数のCPUであってもよい。 The signal level setting processing program 102 stored in the storage medium 300 is installed in the computer 84. The CPU 94 executes the signal level setting process according to the signal level setting process program 102. In the example shown in FIG. 19, the CPU 94 is a single CPU, but may be a plurality of CPUs.

また、通信網(図示省略)を介してコンピュータ84に接続される他のコンピュータ又はサーバ装置等の記憶部に信号レベル設定処理プログラム102を記憶させておき、カートリッジメモリ19からの要求に応じて信号レベル設定処理プログラム102がダウンロードされ、コンピュータ84にインストールされるようにしてもよい。 Further, the signal level setting processing program 102 is stored in a storage unit of another computer or server device connected to the computer 84 via a communication network (not shown), and a signal is received in response to a request from the cartridge memory 19. The level setting processing program 102 may be downloaded and installed on the computer 84.

図20に示す例では、コンピュータ84が例示されているが、本開示の技術はこれに限定されず、コンピュータ84に代えて、ASIC、FPGA、及び/又はPLDを含むデバイスを適用してもよい。また、コンピュータ84に代えて、ハードウェア構成及びソフトウェア構成の組み合わせを用いてもよい。 In the example shown in FIG. 20, the computer 84 is illustrated, but the technique of the present disclosure is not limited to this, and a device including an ASIC, FPGA, and / or PLD may be applied instead of the computer 84. .. Further, instead of the computer 84, a combination of a hardware configuration and a software configuration may be used.

信号レベル設定処理を実行するハードウェア資源としては、次に示す各種のプロセッサを用いることができる。プロセッサとしては、例えば、ソフトウェア、すなわち、プログラムを実行することで、信号レベル設定処理を実行するハードウェア資源として機能する汎用的なプロセッサであるCPUが挙げられる。また、プロセッサとしては、例えば、FPGA、PLD、又はASICなどの特定の処理を実行させるために専用に設計された回路構成を有するプロセッサである専用電気回路が挙げられる。何れのプロセッサにもメモリが内蔵又は接続されており、何れのプロセッサもメモリを使用することで信号レベル設定処理を実行する。 As the hardware resource for executing the signal level setting process, the following various processors can be used. Examples of the processor include software, that is, a CPU, which is a general-purpose processor that functions as a hardware resource for executing signal level setting processing by executing a program. Further, examples of the processor include a dedicated electric circuit which is a processor having a circuit configuration specially designed for executing a specific process such as FPGA, PLD, or ASIC. A memory is built in or connected to any processor, and each processor executes a signal level setting process by using the memory.

信号レベル設定処理を実行するハードウェア資源は、これらの各種のプロセッサのうちの1つで構成されてもよいし、同種または異種の2つ以上のプロセッサの組み合わせ(例えば、複数のFPGAの組み合わせ、又はCPUとFPGAとの組み合わせ)で構成されてもよい。また、信号レベル設定処理を実行するハードウェア資源は1つのプロセッサであってもよい。 The hardware resource that performs the signal level setting process may consist of one of these various processors, or a combination of two or more processors of the same type or different types (eg, a combination of multiple FPGAs, etc.). Alternatively, it may be composed of a combination of a CPU and an FPGA). Further, the hardware resource for executing the signal level setting process may be one processor.

1つのプロセッサで構成する例としては、第1に、1つ以上のCPUとソフトウェアの組み合わせで1つのプロセッサを構成し、このプロセッサが、信号レベル設定処理を実行するハードウェア資源として機能する形態がある。第2に、SoCなどに代表されるように、信号レベル設定処理を実行する複数のハードウェア資源を含むシステム全体の機能を1つのICチップで実現するプロセッサを使用する形態がある。このように、信号レベル設定処理は、ハードウェア資源として、上記各種のプロセッサの1つ以上を用いて実現される。 As an example of configuring with one processor, first, one processor is configured by a combination of one or more CPUs and software, and this processor functions as a hardware resource for executing signal level setting processing. is there. Secondly, as typified by SoC, there is a mode in which a processor that realizes the functions of the entire system including a plurality of hardware resources for executing signal level setting processing with one IC chip is used. As described above, the signal level setting process is realized by using one or more of the above-mentioned various processors as a hardware resource.

更に、これらの各種のプロセッサのハードウェア的な構造としては、より具体的には、半導体素子などの回路素子を組み合わせた電気回路を用いることができる。また、上記の信号レベル設定処理はあくまでも一例である。従って、主旨を逸脱しない範囲内において不要なステップを削除したり、新たなステップを追加したり、処理順序を入れ替えたりしてもよいことは言うまでもない。 Further, as the hardware structure of these various processors, more specifically, an electric circuit in which circuit elements such as semiconductor elements are combined can be used. Further, the above signal level setting process is merely an example. Therefore, it goes without saying that unnecessary steps may be deleted, new steps may be added, or the processing order may be changed within a range that does not deviate from the purpose.

以上に示した記載内容及び図示内容は、本開示の技術に係る部分についての詳細な説明であり、本開示の技術の一例に過ぎない。例えば、上記の構成、機能、作用、及び効果に関する説明は、本開示の技術に係る部分の構成、機能、作用、及び効果の一例に関する説明である。よって、本開示の技術の主旨を逸脱しない範囲内において、以上に示した記載内容及び図示内容に対して、不要な部分を削除したり、新たな要素を追加したり、置き換えたりしてもよいことは言うまでもない。また、錯綜を回避し、本開示の技術に係る部分の理解を容易にするために、以上に示した記載内容及び図示内容では、本開示の技術の実施を可能にする上で特に説明を要しない技術常識等に関する説明は省略されている。 The contents described and illustrated above are detailed explanations of the parts related to the technology of the present disclosure, and are merely examples of the technology of the present disclosure. For example, the above description of the configuration, function, action, and effect is an example of the configuration, function, action, and effect of the parts of the present disclosure. Therefore, unnecessary parts may be deleted, new elements may be added, or replacements may be made to the described contents and illustrated contents shown above within a range not deviating from the gist of the technique of the present disclosure. Needless to say. In addition, in order to avoid complications and facilitate understanding of the parts related to the technology of the present disclosure, the description contents and the illustrated contents shown above require special explanation in order to enable the implementation of the technology of the present disclosure. The explanation about common technical knowledge is omitted.

本明細書において、「A及び/又はB」は、「A及びBのうちの少なくとも1つ」と同義である。つまり、「A及び/又はB」は、Aだけであってもよいし、Bだけであってもよいし、A及びBの組み合わせであってもよい、という意味である。また、本明細書において、3つ以上の事柄を「及び/又は」で結び付けて表現する場合も、「A及び/又はB」と同様の考え方が適用される。 As used herein, "A and / or B" is synonymous with "at least one of A and B." That is, "A and / or B" means that it may be only A, only B, or a combination of A and B. Further, in the present specification, when three or more matters are connected and expressed by "and / or", the same concept as "A and / or B" is applied.

本明細書に記載された全ての文献、特許出願及び技術規格は、個々の文献、特許出願及び技術規格が参照により取り込まれることが具体的かつ個々に記された場合と同程度に、本明細書中に参照により取り込まれる。 All documents, patent applications and technical standards described herein are to the same extent as if the individual documents, patent applications and technical standards were specifically and individually stated to be incorporated by reference. Incorporated by reference in the book.

以上の実施形態に関し、更に以下の付記を開示する。 The following additional notes will be further disclosed with respect to the above embodiments.

(付記1)
コイルが形成された基板と、外部から与えられた外部磁界が前記コイルに対して作用することで電力を生成する電力生成器と、前記電力生成器によって生成された前記電力を用いて、前記外部磁界に含まれるコマンドに対する処理を行うプロセッサと、を備えた非接触式通信媒体が収容され、かつ、基準平面が形成されている磁気テープカートリッジ内の前記非接触式通信媒体に対して前記外部から前記外部磁界が付与され、付与された前記外部磁界を介して前記非接触式通信媒体と通信を行うことで前記磁気テープカートリッジを管理する非接触式管理方法であって、
前記基板を前記基準平面に対して45度未満の角度で傾斜させて配置すること、
前記磁気テープカートリッジが磁気テープドライブに装填された第1環境下で、前記基準平面に対して正対する側から、前記基板のうちの前記コイルが形成されているコイル形成面に向けて前記外部磁界として第1磁界を付与すること、及び、
前記磁気テープカートリッジが前記磁気テープドライブ外に存在する第2環境下で、前記基準平面の法線方向に対して交差し、かつ、前記コイル形成面に対峙する側から前記コイル形成面に向けて前記外部磁界として第2磁界を付与することを含む
非接触式管理方法。
(Appendix 1)
Using the substrate on which the coil is formed, a power generator that generates electric power by acting an external magnetic field applied from the outside on the coil, and the electric power generated by the electric power generator, the external A non-contact communication medium including a processor for processing a command included in a magnetic field and a reference plane is formed in the magnetic tape cartridge from the outside with respect to the non-contact communication medium. A non-contact management method in which the magnetic tape cartridge is managed by applying the external magnetic field and communicating with the non-contact communication medium via the applied external magnetic field.
Placing the substrate at an angle of less than 45 degrees with respect to the reference plane.
In the first environment in which the magnetic tape cartridge is loaded in the magnetic tape drive, the external magnetic field is directed from the side facing the reference plane toward the coil forming surface on which the coil is formed. To apply the first magnetic field as
In a second environment where the magnetic tape cartridge exists outside the magnetic tape drive, the magnetic tape cartridge intersects the normal direction of the reference plane and faces the coil forming surface from the side facing the coil forming surface. A non-contact management method including applying a second magnetic field as the external magnetic field.

(付記2)
前記第2環境は、前記磁気テープカートリッジの生産工程、前記磁気テープカートリッジの管理工程、及び/又は、前記磁気テープカートリッジが流通する流通工程である付記1に記載の非接触式管理方法。
(Appendix 2)
The non-contact management method according to Appendix 1, wherein the second environment is a production process of the magnetic tape cartridge, a management process of the magnetic tape cartridge, and / or a distribution process in which the magnetic tape cartridge is distributed.

(付記3)
前記生産工程、前記管理工程、及び前記流通工程の各々は、複数の前記磁気テープカートリッジが前記法線方向に重ねられたパッケージ内の前記非接触式通信媒体に対して前記第2磁界を付与する工程を含む付記1又は付記2に記載の非接触式管理方法。
(Appendix 3)
Each of the production process, the control process, and the distribution process applies the second magnetic field to the non-contact communication medium in a package in which a plurality of the magnetic tape cartridges are stacked in the normal direction. The non-contact management method according to Appendix 1 or Appendix 2, which includes a step.

(付記4)
前記外部装置が、前記法線方向に沿って移動しながら、前記複数の磁気テープカートリッジの各々の前記非接触通信媒体の前記コイル形成面に対して前記外部磁界を付与することを含む付記3に記載の非接触式管理方法。
(Appendix 4)
Appendix 3 includes applying the external magnetic field to the coil forming surface of the non-contact communication medium of each of the plurality of magnetic tape cartridges while the external device moves along the normal direction. The non-contact management method described.

10 磁気テープカートリッジ
12 ケース
12A 右壁
12B 開口
14 上ケース
14A 天板
14A1 内面
16 下ケース
16A 底板
16A1 基準面
16B 後壁
18 カートリッジリール
18A リールハブ
18B1 上フランジ
18B2 下フランジ
19 カートリッジメモリ
20 支持部材
20A 第1傾斜台
20A1,20B1 傾斜面
20B 第2傾斜台
22 位置規制リブ
24 リブ
24A 先端面
26 基板
26A 裏面
26B 表面
30 磁気テープドライブ
34 搬送装置
36 読取ヘッド
38 制御装置
40 送出モータ
42 巻取リール
44 巻取モータ
46 読取素子
48 ホルダ
50,150 非接触式読み書き装置
52 ICチップ
54 コンデンサ
54A,54B 電極
56 封止材
60 コイル
62A 第1導通部
62B 第2導通部
64A,64B,64C,64D 配線
70 電力生成器
80 内蔵コンデンサ
82 電源回路
84,120 コンピュータ
86 クロック信号生成器
88 信号処理回路
90 磁界強度測定回路
92 共振回路
94,126 CPU
96,128 NVM
98,130 RAM
99,132 バス
100 管理情報
102 信号レベル設定処理プログラム
122 送受信器
124 通信I/F
134 通信リトライ処理プログラム
200 パッケージ
300,400 記憶媒体
A,B,C 矢印
MF,MF1 磁界
MT 磁気テープ
θ,θ1 傾斜角度
10 Magnetic Tape Cartridge 12 Case 12A Right Wall 12B Opening 14 Upper Case 14A Top Plate 14A1 Inner Surface 16 Lower Case 16A Bottom Plate 16A1 Reference Surface 16B Rear Wall 18 Cartridge Reel 18A Reel Hub 18B1 Upper Flange 18B2 Lower Flange 19 Cartridge Memory 20 Support Member 20A 1st Tilt 20A1, 20B1 Tilt 20B Second tilt 22 Position regulation rib 24 Rib 24A Tip surface 26 Board 26A Back surface 26B Surface 30 Magnetic tape drive 34 Conveyor device 36 Read head 38 Control device 40 Transmission motor 42 Winding reel 44 Winding Motor 46 Reading element 48 Holder 50, 150 Non-contact read / write device 52 IC chip 54 Capacitor 54A, 54B Electrode 56 Encapsulant 60 Coil 62A First conductive part 62B Second conductive part 64A, 64B, 64C, 64D Wiring 70 Power generation Instrument 80 Built-in capacitor 82 Power supply circuit 84,120 Computer 86 Clock signal generator 88 Signal processing circuit 90 Magnetic field strength measurement circuit 92 Resonant circuit 94,126 CPU
96,128 NVM
98,130 RAM
99,132 Bus 100 Management information 102 Signal level setting processing program 122 Transmitter / receiver 124 Communication I / F
134 Communication retry processing program 200 Package 300,400 Storage media A, B, C Arrows MF, MF1 Magnetic field MT Magnetic tape θ, θ1 Tilt angle

Claims (7)

外部から与えられた外部磁界を介して前記外部と通信を行う非接触式通信媒体であって、
コイルを有し、前記外部磁界が前記コイルに作用することで電力を生成する電力生成器と、
前記電力を用いて作動し、かつ、前記外部磁界に含まれるコマンドに対する処理を行うプロセッサと、を備え、
前記処理が行われることで得られた処理結果を示す処理結果信号が前記コイルによって前記外部磁界を介して前記外部に送信される場合、
前記プロセッサは、
前記外部磁界の強度が閾値以上の場合に前記処理結果信号の信号レベルを引き下げ、
前記外部磁界の強度が前記閾値未満の場合に前記信号レベルを引き上げ、
前記閾値は、前記通信の失敗が生じない前記強度の下限値として予め定められた値である
非接触式通信媒体。
A non-contact communication medium that communicates with the outside via an external magnetic field given from the outside.
A power generator that has a coil and generates electric power by the external magnetic field acting on the coil.
A processor that operates using the electric power and processes commands included in the external magnetic field is provided.
When a processing result signal indicating the processing result obtained by performing the processing is transmitted to the outside by the coil via the external magnetic field.
The processor
When the strength of the external magnetic field is equal to or greater than the threshold value, the signal level of the processing result signal is lowered.
When the strength of the external magnetic field is less than the threshold value, the signal level is raised.
The threshold value is a non-contact communication medium having a predetermined value as a lower limit value of the strength at which the communication failure does not occur.
前記プロセッサは、前記閾値未満の場合に前記外部磁界の強度が小さいほど前記信号レベルを引き上げる請求項1に記載の非接触式通信媒体。 The non-contact communication medium according to claim 1, wherein the processor raises the signal level as the strength of the external magnetic field becomes smaller when the value is less than the threshold value. 前記プロセッサは、前記閾値以上の場合に前記外部磁界の強度が大きいほど前記信号レベルを引き下げる請求項1又は請求項2に記載の非接触式通信媒体。 The non-contact communication medium according to claim 1 or 2, wherein the processor lowers the signal level as the strength of the external magnetic field increases when the threshold value is equal to or higher than the threshold value. 前記信号レベルの変更の度合いは、前記電力の残量に応じて定まる請求項1から請求項3の何れか一項に記載の非接触式通信媒体。 The non-contact communication medium according to any one of claims 1 to 3, wherein the degree of change in the signal level is determined according to the remaining amount of electric power. 請求項1から請求項4の何れか一項に記載の非接触式通信媒体と、
磁気テープと、を備えた磁気テープカートリッジであって、
前記非接触式通信媒体は、メモリを有し、
前記メモリは、前記磁気テープに関する情報を記憶している
磁気テープカートリッジ。
The non-contact communication medium according to any one of claims 1 to 4,
A magnetic tape cartridge equipped with a magnetic tape.
The non-contact communication medium has a memory and
The memory is a magnetic tape cartridge that stores information about the magnetic tape.
コイルを有し、外部から与えられた外部磁界が前記コイルに作用することで電力を生成する電力生成器と、前記電力を用いて作動し、かつ、前記外部磁界に含まれるコマンドに対する処理を行うプロセッサと、を備え、前記外部磁界を介して前記外部と通信を行う非接触式通信媒体の動作方法であって、
前記処理が行われること得られた処理結果を示す処理結果信号が前記コイルによって前記外部磁界を介して前記外部に送信される場合、
前記外部磁界の強度が閾値以上の場合に前記処理結果信号の信号レベルを引き下げること、及び、
前記外部磁界の強度が前記閾値未満の場合に前記信号レベルを引き上げることを含み、
前記閾値は、前記通信の失敗が生じない前記強度の下限値として予め定められた値である
非接触式通信媒体の動作方法。
It has a coil and performs processing for a power generator that generates electric power by acting on the coil by an external magnetic field applied from the outside, and a command that operates using the electric power and is included in the external magnetic field. A method of operating a non-contact communication medium including a processor and communicating with the outside via the external magnetic field.
When a processing result signal indicating the processing result obtained by performing the processing is transmitted to the outside by the coil via the external magnetic field.
When the strength of the external magnetic field is equal to or higher than the threshold value, the signal level of the processing result signal is lowered, and
Including raising the signal level when the strength of the external magnetic field is less than the threshold.
The threshold value is a predetermined value as a lower limit value of the strength at which the communication failure does not occur. A method of operating a non-contact communication medium.
コイルを有し、外部から与えられた外部磁界が前記コイルに作用することで電力を生成する電力生成器と、前記電力を用いて作動し、かつ、前記外部磁界に含まれるコマンドに対する処理を行うプロセッサと、を備え、前記外部磁界を介して前記外部と通信を行う非接触式通信媒体に対して適用されるコンピュータに実行させるための特定処理を実行させるためのプログラムであって、
前記特定処理は、
前記処理が行われること得られた処理結果を示す処理結果信号が前記コイルによって前記外部磁界を介して前記外部に送信される場合、
前記外部磁界の強度が閾値以上の場合に前記処理結果信号の信号レベルを引き下げること、及び、
前記外部磁界の強度が前記閾値未満の場合に前記信号レベルを引き上げることを含む処理であり、
前記閾値は、前記通信の失敗が生じない前記強度の下限値として予め定められた値である
プログラム。
A power generator that has a coil and generates electric power by acting on the coil by an external magnetic field applied from the outside, and operates using the electric power and performs processing for a command included in the external magnetic field. A program comprising a processor and for causing a computer to perform specific processing applied to a non-contact communication medium that communicates with the outside via the external magnetic field.
The specific process is
When a processing result signal indicating the processing result obtained by performing the processing is transmitted to the outside by the coil via the external magnetic field.
When the strength of the external magnetic field is equal to or higher than the threshold value, the signal level of the processing result signal is lowered, and
It is a process including raising the signal level when the strength of the external magnetic field is less than the threshold value.
The threshold value is a predetermined value as a lower limit value of the strength at which the communication failure does not occur.
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